JPS58194716A - 光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法 - Google Patents

光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法

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JPS58194716A
JPS58194716A JP57076898A JP7689882A JPS58194716A JP S58194716 A JPS58194716 A JP S58194716A JP 57076898 A JP57076898 A JP 57076898A JP 7689882 A JP7689882 A JP 7689882A JP S58194716 A JPS58194716 A JP S58194716A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
particles
cadmium selenide
cadmium
benzene
sulfide
Prior art date
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Pending
Application number
JP57076898A
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English (en)
Inventor
Takashi Midorikawa
緑川 敬史
Fumio Sumino
文男 角野
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法に
関する。
電子写真感光材料とし工用いられる光導電性硫セレン化
カドミウム(cass・)の最も一般的な製造方法は、
硫酸カドミウム、塩化カドミウム、硝酸カドミウムなど
のカドミウムの水溶性塩に硫化水素を作用させて、硫化
カドミウムの沈澱を得、次いでこの硫化カドミウム粒子
とセレン化カドミウム粒子を混合し、誼温合物を高温焼
成して硫セレン化カドミウム固溶体を得るものである。
即ち、党導電性硫セレン化カドミウムは、硫化カドミウ
ム粒子とセレン化カドミウム粒子の混合物K、融剤とし
て06012. ZrxO12等のハ關ゲン化物を混入
して焼成を行なうことにより、硫化カドミウムとセレン
をms体化し、製造するのが、一般的である。しかしな
がら、このような従来の方法においては、原材料として
使われるセレン化カドミウム中Ktまれる遊離のセレン
が、焼成工程を経て生成し九硫セレン化カドミウム結晶
に移行し、非常に多くの欠陥を生ずる。この欠陥は、党
キャリアーのトラップ準位となるため、硫セレン化カド
ミウムの光メ毫り−を増大する。即ち、光応答速度が遅
くなり、電子写真感光体としての明部と暗部の静電コン
トラストが不充分なものとなってしまう。
皺遊離のセレンはX−線回折法によシ確認されるが、そ
の回折ピークの強度は、セレン化カドイウムの製造ロッ
ト関で、相当な差を示して似る。かつ、鋏製造ロツ)K
対応する硫セレン化カドミウムの電子写真特性が、顕著
な差を示すことから、鋏製造ロフト間での遊@tVセレ
/の含有量は、かな〉のバラツキをもっていると思われ
る。このような原料ロフトが内包するバラツキは、工業
規模での生産の安定性にとって極めて好ましくないもの
である。
而して本発明は、このような従来方法の欠点を解決する
ものであシ (1)画儂形成の初期から、高コントラストの画俸が形
成できる。
(2)  原材料の○(18・の製造ロフト間のバラツ
キによる不安定性がなくなる。
(3)硫セレン化カドミウムの粒子形状がそろっていて
、ま九、単一粒子の丸め解儂性が爽く、また、塗工性に
も優れる。
などの良好な特性を有する光導電性硫セレン化カドミウ
ムの製造方法を提供することを生える目的とする。
本発明による硫セレン化カドミウム(aasa・)の製
造方法は、原材料のセレン化カドミウム粒子をベンゼン
で精製処理することを特徴とするものである。
本発明に用いるセレン化カドミウム(CaS・)は、高
純度(例えば純度99,999 % )のものである。
このaaa・粒子をベンゼン中に分散懸濁させ、攪拌す
る。0418・粒子の投入量は、ベンゼン100重量1
1に対し5〜50重量部、%には10〜50重量部が好
ましい。cam・粒子を50重量部以上投入すると、分
散液がスラリー状とな抄、撹拌効率が悪くなる。撹拌時
間は10分間〜5時間、%には1〜2時間が好ましい。
10分間以下では遊離のセレンが充分に溶解しない。
また、2時間程度で、遊離のセレンは、#1ぼ溶解して
しまうので、あまりに長時間撹拌する事は意味がな−。
液温度は5〜70℃、%には15〜40℃が好ましい。
o’c以下では遊離のセレンの溶解速度が遅く、好まし
くない。一方、ベンインの沸点は80℃付近なので、7
0℃以I−0液温度は周囲″″′″y″″″″飛散0点
から  1・1好ましくない。このようKして精製し九
OaS・粒子を戸別、洗浄し、50〜80℃で10〜2
0時間乾燥する。ベンゼンを用いる理由は、Cd8・中
の遊離のセレンを選択的に溶解する為である。
ベンゼンは、セレンを溶解するが、CaS・には何等の
影響も与えない。このようにして精製した〇d8e粒子
とCaS粒子の混合物100重量部に対して20重量部
以上の融剤を混ぜて焼成する。
焼成は融剤の融点より4150℃以上高い温度で焼成す
るのが好適である。
硫セレン化カドミウムは硫化カドミウムに較べて高感度
であり、且つ分光感度蛾も長波兼側ひ゛ に延プている。
本発明に開用する融剤は、活性剤をC11a中に拡散す
る際に一般的に用いられている融剤で、(tlcj、、
 ZnCl2. KCl、 Na0j、 MH4C4,
Cd804等の1つあるいは数?1類を適当な比率に混
合したものである。混合して用いる場合の好適例として
eac12とアルカリ金属の塩化物との混合物が挙げら
れる。アルカリ金属の塩化物としては、1iaOjとx
c4が代表的なものである。アルカリ金属の塩化物の融
剤全体における含有量は90モル−以下で10モル−以
上が好適である。
本発明においては、焼成工程の融剤量はCaS粒子とセ
レン化カドミウム粒子の混合物100重量11に対し2
0重量部以上、特に好ましくは30〜50重量部が好ま
しい。焼成温度は600℃以下が好適である。を九、融
剤のCaS粒子とセレン化カドミウム粒子の混合物10
0重量部に対するm加量は、収率の点からは65重量部
以下が好適である。
実施例1 純度99,999 % OIJ8e粒子100jlヲ5
009のペン(ン中に分散懸濁させる。液温20’Cで
40分間撹拌し先後K 0(18・粒子を戸別し、50
0gの新規のベンゼン中に分散懸濁し、20分間撹拌す
る。次いで再び06B・粒子を戸別し、新規のベンゼン
5oa11中に分散層濁し、20分間攪拌する。続いて
、C!(18・粒?−を戸別し、70℃で12時間屹燥
する。
次に1紋精製0d8s粒子51.20jlと、沈殿生成
し九不純物添加のないCaS粒子548,8.9の混合
物K 0uOj、をoa6(対しモル比I X 10−
’添加後、更K 0dOj2を80.9と磯acJを1
20fl添加し、よく混合した後に、石英ルツ&i充填
し550℃で50分間焼成した。(なお、0dOj、と
NaCjの混合融剤の融点は、状態図から、Cd(42
・2Mailの融点の426℃に相当する。)このよう
にして得られたcass・の粒子表面は、1万倍の電子
顕微鏡写真によれば、非常に清らかで、かつ各粒子は3
〜7 fiTnの径の単一粒子となっているのが嘘めら
れた。
とのCd88eの粒子を塩化ビニル/酢酸ビニル共重合
体中に分散させた後、アルミニウム基板上に40μmの
厚さKlkl乾布させて得た感覚板に15JImi!I
tのポリエステルフィルムを貼りつけ三層構成の感光体
を得たところ、表面が非常に平滑であった。この感光板
に一次帯電、次いで光儂露元ムC除電、次いで全面露光
の高速電子写真プロセスを適用したところ、高い静電コ
ントラストと、充分な解像力に基〈良質な画情が得られ
た。解像力は6本/鵡であつ友。この感覚板を温度55
℃、湿度85−の高温、高温中に24時間放置後、再び
複写機においてiii偉出しを行なり九結果、明暗部の
コントラストの低下および感度の低下も認められず、良
質の#i僧が得られた。を九、温度5℃、湿度10嗟の
低温低湿11囲気におかれ九複写機中に、この感光体を
12時間放置後、暗部電位を測定したところ、1枚目が
510v、500枚目515vと、その差はほとんど無
い。また5℃と50℃において測定し九電位コントテス
トの変化は10Vと小さかつ友。 −に1温度25℃湿
度55−の雰囲気で複写機集機を用いてムSナイズ5万
枚の耐久テストをし九ところ電位コントラストの低下は
SOWで、優れた安定性を示した。
実施例2 CaS・粒子の精製処理を以下の表のように行なったと
ころ、実施例1と同様の効果が得られ九。
、/−=−= 比較例 Cd8・粒子の生産ロットが異なるもの40ツトについ
て、ベンゼンで精製処理をしないときの電子写真特性を
下に示す。いずれのロットについても実施例1.2の処
理をすれば、実施例1と同様の良好な電子写真特性が得
られるものである。
本温度5℃、温度1o91の雰囲気下で複写機実機中に
12時間放置した後の500枚目1枚目の暗部電位の差

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. t べ/ゼンで前処理し九七しン化カドミウム粒子を硫
    化カドミウム粒子と共に焼成することを特徴とする光導
    電性硫セレン化カドミウムの製造方法。
JP57076898A 1982-05-07 1982-05-07 光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法 Pending JPS58194716A (ja)

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JP57076898A JPS58194716A (ja) 1982-05-07 1982-05-07 光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法

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JP57076898A JPS58194716A (ja) 1982-05-07 1982-05-07 光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法

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JPS58194716A true JPS58194716A (ja) 1983-11-12

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ID=13618469

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JP57076898A Pending JPS58194716A (ja) 1982-05-07 1982-05-07 光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6110011A (ja) * 1984-06-25 1986-01-17 Dainichi Seika Kogyo Kk 光導電性セレン化カドミウムの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6110011A (ja) * 1984-06-25 1986-01-17 Dainichi Seika Kogyo Kk 光導電性セレン化カドミウムの製造方法

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