JPS58217407A - 光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法 - Google Patents
光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法Info
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- JPS58217407A JPS58217407A JP9805082A JP9805082A JPS58217407A JP S58217407 A JPS58217407 A JP S58217407A JP 9805082 A JP9805082 A JP 9805082A JP 9805082 A JP9805082 A JP 9805082A JP S58217407 A JPS58217407 A JP S58217407A
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- particles
- sulfide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法に
関するもので、特に非常に結晶性が高く、かつ、均一な
粒子を製造するための硫セレン化カドミウムの製造方法
に関するものである○ 電子写真感光材料を代表例として用いられる光導電性硫
セレン化カドミウム（Ｃｄ５Ｓｅ ）の最も一般的な製
造方法は、硫酸カドミウム、塩化カドミウム、硝酸カド
ミウムなどのカドミウムの水溶性塩に硫化水素を作用さ
せて、硫化カドミウム粒子の沈澱を得、次いでこの硫化
カドミウム粒子とセレン化カドミウム粒子を混合し、硫
セレン化カドミウム固溶体を作成するために、該混合物
を高温焼成して得るものである。即ち、光導電性硫セレ
ン化カドミウムは、硫化カドミウム粒子とセレン化カド
ミウム粒子の混合物に、融剤としてＣｄＣ１ｘ、 Ｚｎ
Ｃ１ｔ等のハロゲン化物を混入して焼成を行なうことに
よシ硫化カドミウムとセレンを固溶体化し、製造するの
が一般的である。しかしながら、このような従来の方法
においては、焼成工程を経て生成されたＣｄ５Ｓｅは表
面付近に非常に多くの欠陥を有している。との表面欠陥
は、光キャリアーのトラップ準位となるため、Ｃｄ５Ｓ
ｅの光メモリーを増大し、即ち、光応答速度を遅くし、
この様なＣｄ５Ｓｅを用いて作成される感光体を高速の
複写機に適用すると明部と暗部の静電コントラストが不
十分と々る。
関するもので、特に非常に結晶性が高く、かつ、均一な
粒子を製造するための硫セレン化カドミウムの製造方法
に関するものである○ 電子写真感光材料を代表例として用いられる光導電性硫
セレン化カドミウム（Ｃｄ５Ｓｅ ）の最も一般的な製
造方法は、硫酸カドミウム、塩化カドミウム、硝酸カド
ミウムなどのカドミウムの水溶性塩に硫化水素を作用さ
せて、硫化カドミウム粒子の沈澱を得、次いでこの硫化
カドミウム粒子とセレン化カドミウム粒子を混合し、硫
セレン化カドミウム固溶体を作成するために、該混合物
を高温焼成して得るものである。即ち、光導電性硫セレ
ン化カドミウムは、硫化カドミウム粒子とセレン化カド
ミウム粒子の混合物に、融剤としてＣｄＣ１ｘ、 Ｚｎ
Ｃ１ｔ等のハロゲン化物を混入して焼成を行なうことに
よシ硫化カドミウムとセレンを固溶体化し、製造するの
が一般的である。しかしながら、このような従来の方法
においては、焼成工程を経て生成されたＣｄ５Ｓｅは表
面付近に非常に多くの欠陥を有している。との表面欠陥
は、光キャリアーのトラップ準位となるため、Ｃｄ５Ｓ
ｅの光メモリーを増大し、即ち、光応答速度を遅くし、
この様なＣｄ５Ｓｅを用いて作成される感光体を高速の
複写機に適用すると明部と暗部の静電コントラストが不
十分と々る。
また、上記の様な方法で製造されたＣｄ５Ｓｅの粒子形
状は粒子が互いに集合し合って形成された強い凝集体で
ある２次粒子からなっており、この２次粒子は３次元的
に集合して団塊状であっだり帝るいは２次元的に集合し
て平板状であったり様々であるがその中には大きなもの
はｌ。
状は粒子が互いに集合し合って形成された強い凝集体で
ある２次粒子からなっており、この２次粒子は３次元的
に集合して団塊状であっだり帝るいは２次元的に集合し
て平板状であったり様々であるがその中には大きなもの
はｌ。
数ミグロンから数１０ミクロンに及ぶものがある。
この様な粗大粒子を多数含むＣｄ５Ｓｅを用いて作成さ
れる感光体は、その表面状態が劣悪となり、その結果得
られる画像はガサつきが激しく解像力も不十分となる。
れる感光体は、その表面状態が劣悪となり、その結果得
られる画像はガサつきが激しく解像力も不十分となる。
また、さらに絶縁層を設ける感光体の、鳴合には、絶縁
層のＣｄ５Ｓｅ層へのしみ込み等がおこり、良好な感光
体を得ることが困難となる。
層のＣｄ５Ｓｅ層へのしみ込み等がおこり、良好な感光
体を得ることが困難となる。
また、ＣｄＳ粒子とＣｄＳｅ粒子との混合状態を微視的
に見ると、不均一な部分が存在する事は該粒子が共に固
有の粒度分布をもっている点から、本質的に避は得ない
ものである。この混合の不均一性が、最終的には、生成
するＣｄ５Ｓｅの電子写真特性の不安定性を増大し、か
つ、塗面性。
に見ると、不均一な部分が存在する事は該粒子が共に固
有の粒度分布をもっている点から、本質的に避は得ない
ものである。この混合の不均一性が、最終的には、生成
するＣｄ５Ｓｅの電子写真特性の不安定性を増大し、か
つ、塗面性。
塗工性の劣った粒子をもたらすのである。
而して本発明は、このような従来方法の欠点を解決する
ものであり、（１）画像形成の初期から、高コントラス
トの画像が形成できる、（２）硫セレン化カドミウムの
粒子形状がそろっていて、捷た単一粒子のため解像性が
良く、また塗工性にも優れる、（３）湿度や温度の影響
を受けにくい、（４）くり返しの電子写真プロセスによ
る劣化が少なく、耐久性に優れる等の良好な特性を有す
る光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法を提供する
ことを目的とする。
ものであり、（１）画像形成の初期から、高コントラス
トの画像が形成できる、（２）硫セレン化カドミウムの
粒子形状がそろっていて、捷た単一粒子のため解像性が
良く、また塗工性にも優れる、（３）湿度や温度の影響
を受けにくい、（４）くり返しの電子写真プロセスによ
る劣化が少なく、耐久性に優れる等の良好な特性を有す
る光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法を提供する
ことを目的とする。
本発明による光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法
はカドミウム塩水溶液に硫化水素およびセレン化水素を
同時に加えて得られる硫化カドミウムとセレン化カドミ
ウムの混合物１００重量部に対して１５重量部以上の融
剤を添加して、核融剤の融点よシも５０℃以上高い温度
で焼成することを特徴とするものである。
はカドミウム塩水溶液に硫化水素およびセレン化水素を
同時に加えて得られる硫化カドミウムとセレン化カドミ
ウムの混合物１００重量部に対して１５重量部以上の融
剤を添加して、核融剤の融点よシも５０℃以上高い温度
で焼成することを特徴とするものである。
本発明により製造される硫セレン化カドミウムは結晶性
が高く、また、走査型電子顕１鏡による形状観察では粒
子が互いに凝集していない単粒子であり、かつその表面
が滑らかになっている。そこで、このような共沈澱、焼
成工程を経て製、造された硫セレン化カドミウムは、そ
の表面付近の光キャリヤーのトラップ準位となりうる結
晶欠陥が、極めて少なく、電子写真用樹脂バインダー中
に分散させ、支持体に塗布し、光導電層を作成し、更に
必要に応じてその上に絶縁層を形成して感光板を作成し
て高速度複写機に適用することにより、高い静電コント
ラストが得られることが認められる。また、本発明によ
り得られた硫セレン化カドミウム粉体は粒子形状が均一
でかつ粒径がそろっているため、作成された光導電層の
塗面は密で平滑なため、非常に良質の画像が得られるも
のである。
が高く、また、走査型電子顕１鏡による形状観察では粒
子が互いに凝集していない単粒子であり、かつその表面
が滑らかになっている。そこで、このような共沈澱、焼
成工程を経て製、造された硫セレン化カドミウムは、そ
の表面付近の光キャリヤーのトラップ準位となりうる結
晶欠陥が、極めて少なく、電子写真用樹脂バインダー中
に分散させ、支持体に塗布し、光導電層を作成し、更に
必要に応じてその上に絶縁層を形成して感光板を作成し
て高速度複写機に適用することにより、高い静電コント
ラストが得られることが認められる。また、本発明によ
り得られた硫セレン化カドミウム粉体は粒子形状が均一
でかつ粒径がそろっているため、作成された光導電層の
塗面は密で平滑なため、非常に良質の画像が得られるも
のである。
また、低湿度雰囲気での画像安定性や、熱帯地方の温湿
・度条件、例えば、気温３５°Ｃ相対湿度８５チの環境
下での静電コントラストの値についても高品質の電子写
真用感光体としての性能を備えることができるものであ
る。
・度条件、例えば、気温３５°Ｃ相対湿度８５チの環境
下での静電コントラストの値についても高品質の電子写
真用感光体としての性能を備えることができるものであ
る。
まだ、硫セレン化カドミウムは硫化カドミウムに較べ′
て高感度であり、且つ分光感度域も長波長側に延びてい
る。
て高感度であり、且つ分光感度域も長波長側に延びてい
る。
本−発明において使用される水溶性のカドミウム塩は、
ＣｄＣＴｏ 、 Ｃｄ５０．− Ｃｄ（ＮＯ３）２．
Ｃｄ５（ＰＯ４）ｔ −ＣｄｚＰ２０ｒ ＋ Ｃｄ（Ｂ
Ｏｓ）ｔ ＊ Ｃｄ（Ｂｒ０３）２ 、 ＣｄＢｒ２
、 ＣｄＣＯ３＋Ｃｄ（ＣＩＯｓ）２− ＣｄＩｔ 、
などの無機塩類と酢酸カドミウム、シュウ酸カドミウム
などの有機塩類である。該水溶性カドミウム塩類から選
ばれるーないし二種類以上の水溶性カドミウム塩の水溶
液を攪拌しながら、セレン化水素〔化学式Ｈ２Ｓｅ ）
ガスと硫化水素ガスを同時に投入して硫化カドミウム（
化学式ＣｄＳ ）とセレン化カドミウム（化学式ＣｄＳ
ｅ、）を共沈澱させる。このときの水溶性カドミウム塩
水溶液の濃度は０．１〜３ ｍｏｌ／／。
ＣｄＣＴｏ 、 Ｃｄ５０．− Ｃｄ（ＮＯ３）２．
Ｃｄ５（ＰＯ４）ｔ −ＣｄｚＰ２０ｒ ＋ Ｃｄ（Ｂ
Ｏｓ）ｔ ＊ Ｃｄ（Ｂｒ０３）２ 、 ＣｄＢｒ２
、 ＣｄＣＯ３＋Ｃｄ（ＣＩＯｓ）２− ＣｄＩｔ 、
などの無機塩類と酢酸カドミウム、シュウ酸カドミウム
などの有機塩類である。該水溶性カドミウム塩類から選
ばれるーないし二種類以上の水溶性カドミウム塩の水溶
液を攪拌しながら、セレン化水素〔化学式Ｈ２Ｓｅ ）
ガスと硫化水素ガスを同時に投入して硫化カドミウム（
化学式ＣｄＳ ）とセレン化カドミウム（化学式ＣｄＳ
ｅ、）を共沈澱させる。このときの水溶性カドミウム塩
水溶液の濃度は０．１〜３ ｍｏｌ／／。
特には０．５〜２ ｍｏｌ／Ａ’が好せしい。該水溶液
のＰＨは５以下の酸性で反応温度は９５°Ｃ以下、特に
は６０〜８０°Ｃが好ましい。全反応時間は、セレン化
水素ガスと硫化水素ガスの投入速度によって決定される
が、生産性の点から１〜３時間で反応が終了するように
投入することが好ましい。このようにして共沈殿したＣ
ｄＳとＣｄＳｅの混合物を洗浄、脱水、乾燥する。乾燥
は２５０°Ｃ以下で５〜２０時間行なう。次いで該混合
物と融剤とをより温治した後に石英ルツボに入れて焼成
固溶体化し光導電性のＣｄ５Ｓｅを得る。
のＰＨは５以下の酸性で反応温度は９５°Ｃ以下、特に
は６０〜８０°Ｃが好ましい。全反応時間は、セレン化
水素ガスと硫化水素ガスの投入速度によって決定される
が、生産性の点から１〜３時間で反応が終了するように
投入することが好ましい。このようにして共沈殿したＣ
ｄＳとＣｄＳｅの混合物を洗浄、脱水、乾燥する。乾燥
は２５０°Ｃ以下で５〜２０時間行なう。次いで該混合
物と融剤とをより温治した後に石英ルツボに入れて焼成
固溶体化し光導電性のＣｄ５Ｓｅを得る。
本発明に使用する融剤ば、活生剤をＣｄＳ中に拡散する
際に一般的に用いられている融剤で、ＣｄＣ１１’２
、 ＺｎＣＴｏ 、 ＫＣｌ 、 ＮａＣ／ 、 ＮＨ
４Ｃｌ 、 Ｃｄ５０＋等の１つあるいは数種類を適当
な比率に混合したものである。混合して用いる場合の好
適例としてＣｄＣ／２とアルカリ金属の塩化物との混合
物が挙げられる。アルカリ金属の塩化物としては、Ｎａ
ｃｌとＫＣｌが代表的なものである。アルカリ金属の塩
化物の融剤全体における含有量は９０モルチ以下で１０
モルチ以上が好適である。
際に一般的に用いられている融剤で、ＣｄＣ１１’２
、 ＺｎＣＴｏ 、 ＫＣｌ 、 ＮａＣ／ 、 ＮＨ
４Ｃｌ 、 Ｃｄ５０＋等の１つあるいは数種類を適当
な比率に混合したものである。混合して用いる場合の好
適例としてＣｄＣ／２とアルカリ金属の塩化物との混合
物が挙げられる。アルカリ金属の塩化物としては、Ｎａ
ｃｌとＫＣｌが代表的なものである。アルカリ金属の塩
化物の融剤全体における含有量は９０モルチ以下で１０
モルチ以上が好適である。
本発明においては、第１回目の焼成工程の融剤量はＣｄ
Ｓ粒子とセレン化カドミウム粒子の混合物１００重量部
に対し１５重量部以上、特に好ましくは２０〜５０重量
部が好ましい。
Ｓ粒子とセレン化カドミウム粒子の混合物１００重量部
に対し１５重量部以上、特に好ましくは２０〜５０重量
部が好ましい。
１５重量部以下では製造されるＣｄ５Ｓｅ粒子は焼結し
て粗大粒子になり、また表面形状も不均一で、電位保持
性も十分でなく、また、解像性に欠ける悪いＣｄ５Ｓｅ
になる。また、焼成を、融剤の融点よりも５０゛Ｃ以上
高い温度に及ばない温度で行った場合には、製造される
Ｃｄ５Ｓｅ粒子は粒径が大きく解像性や塗工性が悪く、
また、当初形成される画像の静電コントラストは低くな
る。なお、本発明の製造方法において、焼成温度は６０
０°Ｃ以下が好適である。また、融剤のＣｄＳ粒子とセ
レン化カドミウム粒子の混合物１００重量部に対する添
加量は、収率の点からは６５重量部以下が好適である。
て粗大粒子になり、また表面形状も不均一で、電位保持
性も十分でなく、また、解像性に欠ける悪いＣｄ５Ｓｅ
になる。また、焼成を、融剤の融点よりも５０゛Ｃ以上
高い温度に及ばない温度で行った場合には、製造される
Ｃｄ５Ｓｅ粒子は粒径が大きく解像性や塗工性が悪く、
また、当初形成される画像の静電コントラストは低くな
る。なお、本発明の製造方法において、焼成温度は６０
０°Ｃ以下が好適である。また、融剤のＣｄＳ粒子とセ
レン化カドミウム粒子の混合物１００重量部に対する添
加量は、収率の点からは６５重量部以下が好適である。
このようにして製造しだＣｄ５Ｓｅを更に結晶性を向上
させるために、再度焼成することも有効である。
させるために、再度焼成することも有効である。
第２回目の焼成（再焼成）工程の融剤量は硫セレン化カ
ドミウム粒子１００重量部に対し２０重量部以下、特に
好ましくは０〜１０重量部が好ましい。２０重量部以上
では製造されるＣｄ５Ｓｅの結晶成長が過度となり、解
像力、塗面性に劣るものとなってしまう。また、第２回
目の焼成工程の焼成温度は４００〜５００°ｄが好オし
い。
ドミウム粒子１００重量部に対し２０重量部以下、特に
好ましくは０〜１０重量部が好ましい。２０重量部以上
では製造されるＣｄ５Ｓｅの結晶成長が過度となり、解
像力、塗面性に劣るものとなってしまう。また、第２回
目の焼成工程の焼成温度は４００〜５００°ｄが好オし
い。
実施例１゜
ＣｄＳＯ４を７．５ ｍｏｌ ｅ濃硫酸（９８％）を１
７゜Ｃｕ５Ｏ，＋ ｆ ７．５ Ｘ １０−３ｍｏｌを
脱イオン蒸留水に溶解し全液量を１４１にする。該調合
液を８０℃に保ち攪拌しなからＨ２Ｓｅガスを１．５気
圧で毎分０．５１の速度で投入する。同時にＨ２Ｓガス
を１．５気圧で毎分１１の速度で投入する。Ｈ２Ｓｅガ
スの投入は６７分間、ＨｔＳガスの投入は９０分間継続
する。その凄、反応溶液を８０℃で攪拌しながら５分間
放置し、次いで攪拌を停止して３０分間静置する。
７゜Ｃｕ５Ｏ，＋ ｆ ７．５ Ｘ １０−３ｍｏｌを
脱イオン蒸留水に溶解し全液量を１４１にする。該調合
液を８０℃に保ち攪拌しなからＨ２Ｓｅガスを１．５気
圧で毎分０．５１の速度で投入する。同時にＨ２Ｓガス
を１．５気圧で毎分１１の速度で投入する。Ｈ２Ｓｅガ
スの投入は６７分間、ＨｔＳガスの投入は９０分間継続
する。その凄、反応溶液を８０℃で攪拌しながら５分間
放置し、次いで攪拌を停止して３０分間静置する。
次に上澄み液を排出し、新規の脱イオン蒸留水１５１を
加えて１５分間攪拌する。そ−の後、攪拌を停止、して
３０分間静置する。上澄み液を排出１〜、新規の脱イオ
ン蒸留水１５１！を加える。
加えて１５分間攪拌する。そ−の後、攪拌を停止、して
３０分間静置する。上澄み液を排出１〜、新規の脱イオ
ン蒸留水１５１！を加える。
この洗浄工程を合計で５回くり返した後に、沈澱を濾過
、脱水し１５０℃で１２時間乾燥した。
、脱水し１５０℃で１２時間乾燥した。
該乾燥粒子４００ｙにＣｄＣｌ２８０り＋’ ＮａＣ１
１２０Ｆを添加しよく混合した上で石英ルツボに充填し
、５３０℃で３０分間焼成した。（なお、Ｃｄ（Ｊ’２
とＮａ（Ｊの混合融剤の融点は状態図から、ＣｄＣｌ２
・２ＮａＣｌの融点の４２６°Ｃに相当する。）このよ
うＫして得られたＣｄ５Ｓｅの粒子表面は１万倍の電子
顕微鏡写真によれば、非常に滑らかで、かつ、各粒子は
３〜７μｍの径の単一粒子となっているのが認められた
。
１２０Ｆを添加しよく混合した上で石英ルツボに充填し
、５３０℃で３０分間焼成した。（なお、Ｃｄ（Ｊ’２
とＮａ（Ｊの混合融剤の融点は状態図から、ＣｄＣｌ２
・２ＮａＣｌの融点の４２６°Ｃに相当する。）このよ
うＫして得られたＣｄ５Ｓｅの粒子表面は１万倍の電子
顕微鏡写真によれば、非常に滑らかで、かつ、各粒子は
３〜７μｍの径の単一粒子となっているのが認められた
。
このＣｄ５Ｓｅの粒子を塩化ビニル／酢酸ビニル共重合
体中に分散させた後、アルミニウム基板上に４０μｍの
厚さに塗布乾燥させて得た感光板に１５μｍ厚のポリエ
ステルフィルムを貼りつけ三層構成の感光体を得たとこ
ろ、表面が非常に平滑であった。この感光板に一次帯電
、次いで光像露光、ＡＣ除電、次いで全面露光の高速電
子写真プロセスを適用したところ、高い静電コントラス
トと、充分な解像力に基く良質な画像が得られた。解像
力は６本／酵であった。この感光板を温度３５℃、湿度
８５％の高温、高湿中に２４時間放置後、再び複写機に
おいて画像出しを行なった結果、明暗部のコントラスト
の低下および感度の低下も認められず、良質の画像が得
られた。また、温度５℃、湿度１０チの低温低湿雰囲気
におかれた複写機中に１この感光体を１２時間放置後、
暗部電位を測定したところ、１枚目が４８０Ｖ、５０枚
目が４８５ｖとその差はほとんど無い。また５℃と５０
℃において測定した電位コントラストの変化は２０Ｖと
小さかった。更に、温度２３°０、湿度５５％の雰囲気
で複写機実機を用いてＡ３サイズ５万枚の耐久テストを
したところ電位コントラストの低下は２５Ｖで、優れた
安定性を示した。
体中に分散させた後、アルミニウム基板上に４０μｍの
厚さに塗布乾燥させて得た感光板に１５μｍ厚のポリエ
ステルフィルムを貼りつけ三層構成の感光体を得たとこ
ろ、表面が非常に平滑であった。この感光板に一次帯電
、次いで光像露光、ＡＣ除電、次いで全面露光の高速電
子写真プロセスを適用したところ、高い静電コントラス
トと、充分な解像力に基く良質な画像が得られた。解像
力は６本／酵であった。この感光板を温度３５℃、湿度
８５％の高温、高湿中に２４時間放置後、再び複写機に
おいて画像出しを行なった結果、明暗部のコントラスト
の低下および感度の低下も認められず、良質の画像が得
られた。また、温度５℃、湿度１０チの低温低湿雰囲気
におかれた複写機中に１この感光体を１２時間放置後、
暗部電位を測定したところ、１枚目が４８０Ｖ、５０枚
目が４８５ｖとその差はほとんど無い。また５℃と５０
℃において測定した電位コントラストの変化は２０Ｖと
小さかった。更に、温度２３°０、湿度５５％の雰囲気
で複写機実機を用いてＡ３サイズ５万枚の耐久テストを
したところ電位コントラストの低下は２５Ｖで、優れた
安定性を示した。
実施例２゜
ＣｄＣ１ｔをｌ Ｏｍｏｌ ＋濃硫酸（９８％）の０．
６１を脱イオン蒸留水に溶解し全液量を１４１！にする
。該調合液を７５°Ｃに保ち攪拌しながら、Ｈ２Ｓ ｅ
ガスを１．５気圧で毎分０．２１の速度で投入する。同
時にＨｔＳガスを１．５気圧で毎分１．５１の速度で投
入する。Ｈ２Ｓｅガスの投入は７５分間、Ｈ，Ｓガスの
投入は９０分間継続する。その後、反応溶液を７５°Ｃ
で攪拌しながら５分間放置し次いで攪拌を停止して３０
分間静置する。次いで実施例１と同様の方法で脱イオン
蒸留水によ９５回洗浄した後に、ｒ過脱水し、２００℃
で１０時間乾燥した。該乾燥粒子４００ｆにＣｕＣＴ。
６１を脱イオン蒸留水に溶解し全液量を１４１！にする
。該調合液を７５°Ｃに保ち攪拌しながら、Ｈ２Ｓ ｅ
ガスを１．５気圧で毎分０．２１の速度で投入する。同
時にＨｔＳガスを１．５気圧で毎分１．５１の速度で投
入する。Ｈ２Ｓｅガスの投入は７５分間、Ｈ，Ｓガスの
投入は９０分間継続する。その後、反応溶液を７５°Ｃ
で攪拌しながら５分間放置し次いで攪拌を停止して３０
分間静置する。次いで実施例１と同様の方法で脱イオン
蒸留水によ９５回洗浄した後に、ｒ過脱水し、２００℃
で１０時間乾燥した。該乾燥粒子４００ｆにＣｕＣＴ。
をＣｄに対しモル比５ Ｘ １０−’添加した後、更Ｋ
ＣｄＣｂ １２０りとＫＣＩ ８０ Ｆ （７）混合融
剤を混入し充分混合後、石英ルツボに充填し、５１０℃
で６０分間焼成した。
ＣｄＣｂ １２０りとＫＣＩ ８０ Ｆ （７）混合融
剤を混入し充分混合後、石英ルツボに充填し、５１０℃
で６０分間焼成した。
次に、この焼成したものを洗浄、乾燥し、ケ
Ｃｄ５Ｓｅ粒子を〆離する。このＣｄ５Ｓｅ粒子を石英
ルツボに充填し、４５０℃で６０分間焼成した。
ルツボに充填し、４５０℃で６０分間焼成した。
このようにして得られたＣｄ５Ｓｅの粒子表面は１万倍
の電子顕微鏡写真によれば、非常圧滑らかで、かつ、各
粒子は３〜７μｍの径の単一粒子と寿っているのが認め
られた。
の電子顕微鏡写真によれば、非常圧滑らかで、かつ、各
粒子は３〜７μｍの径の単一粒子と寿っているのが認め
られた。
Claims (1)
- １、 カドミウム塩水溶液に硫化水素およびセレン゛化
水素を同時に加えて得られる硫化カドミウムとセレン化
カドミウムの混合物１００重量部に対して１５重量部以
上の融剤を添加して、該融剤の融点よりも５０℃以上高
い温度で焼成することを特徴とする光導電性硫セレン化
カドミウムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9805082A JPS58217407A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | 光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9805082A JPS58217407A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | 光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58217407A true JPS58217407A (ja) | 1983-12-17 |
Family
ID=14209371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9805082A Pending JPS58217407A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | 光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58217407A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995013891A1 (en) * | 1993-11-15 | 1995-05-26 | Isis Innovation Limited | Making quantum dot particles of uniform size |
-
1982
- 1982-06-08 JP JP9805082A patent/JPS58217407A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995013891A1 (en) * | 1993-11-15 | 1995-05-26 | Isis Innovation Limited | Making quantum dot particles of uniform size |
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