JPS58208108A - 光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法 - Google Patents
光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法Info
- Publication number
- JPS58208108A JPS58208108A JP57090772A JP9077282A JPS58208108A JP S58208108 A JPS58208108 A JP S58208108A JP 57090772 A JP57090772 A JP 57090772A JP 9077282 A JP9077282 A JP 9077282A JP S58208108 A JPS58208108 A JP S58208108A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flux
- cadmium
- particles
- mixture
- manufacture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法に
関するもので、特に非常に結晶性が高く、かつ、均一な
粒子を製造するための硫セレン化カドミウムの製造方法
に関するものである。
関するもので、特に非常に結晶性が高く、かつ、均一な
粒子を製造するための硫セレン化カドミウムの製造方法
に関するものである。
電子写真感光材料を代表例として用いられる光導電性硫
セレン化カドミウム(0d88e )の最も一般的な製
造方法は、硫酸カドミウム、塩化カドミウム硝酸カドミ
ウムなどのカドミウムの水溶性塩に硫化水素を作用させ
て、硫化カドミウム粒子の沈澱を得、次いでこの硫化カ
ドミウム粒子とセレン化カドミウム粒子を混合し、硫セ
レン化カドミウム固溶体を作成するためK。
セレン化カドミウム(0d88e )の最も一般的な製
造方法は、硫酸カドミウム、塩化カドミウム硝酸カドミ
ウムなどのカドミウムの水溶性塩に硫化水素を作用させ
て、硫化カドミウム粒子の沈澱を得、次いでこの硫化カ
ドミウム粒子とセレン化カドミウム粒子を混合し、硫セ
レン化カドミウム固溶体を作成するためK。
該混合物を高温焼成して得るものである。即ち、光導電
性硫セレン化カドミウムは、硫化カドミウム粒子とセレ
ン化カドミウム粒子の混合物に、融剤としてCdC4、
ZnO1t等のハロゲン化@全混入して焼成を行なうこ
とにより、硫化カドミウムとセレンを固溶体化し、製造
するのが一般的である。しかしながら、このような従来
の方法においては、焼成工程を経て生・成された0dS
Seは表面付近に非常に多くの欠陥を有している。
性硫セレン化カドミウムは、硫化カドミウム粒子とセレ
ン化カドミウム粒子の混合物に、融剤としてCdC4、
ZnO1t等のハロゲン化@全混入して焼成を行なうこ
とにより、硫化カドミウムとセレンを固溶体化し、製造
するのが一般的である。しかしながら、このような従来
の方法においては、焼成工程を経て生・成された0dS
Seは表面付近に非常に多くの欠陥を有している。
この表面欠陥は、光キャリアーのトラップ準位となるた
め、 0d88eの光メモリーを増大し、即ち、光応答
速度を遅くシ、この様な0dSSeを用いて作成される
感光体を高速の複写機に適用すると、BA部と暗部の静
電コントラストが不十分となる。
め、 0d88eの光メモリーを増大し、即ち、光応答
速度を遅くシ、この様な0dSSeを用いて作成される
感光体を高速の複写機に適用すると、BA部と暗部の静
電コントラストが不十分となる。
また、上記の様な方法で製造された0dSSeの粒子形
状は粒子が互いに集合し合って形成された強い凝集体で
ある2次粒子からなっており、この2次粒子は3次元的
に集合して団塊状であったり、あるいは2次元的に集合
して平板状であったり様々であるが、その中には大きな
ものはlO数ミクロンから数10ミクロンに及ぶものが
ある。
状は粒子が互いに集合し合って形成された強い凝集体で
ある2次粒子からなっており、この2次粒子は3次元的
に集合して団塊状であったり、あるいは2次元的に集合
して平板状であったり様々であるが、その中には大きな
ものはlO数ミクロンから数10ミクロンに及ぶものが
ある。
この様な粗大粒子を多数含む0dSSe を用いて作成
される感光体は、その表面状態が劣悪となり、その結果
得られる画像はガサつきが激しく解像力も不十分となる
。また、さらに絶縁層を設ける感光体の場合には、絶縁
層の0dSSe層へのしみ込み等が起こり、良好な感光
体を得ることが困難となる。
される感光体は、その表面状態が劣悪となり、その結果
得られる画像はガサつきが激しく解像力も不十分となる
。また、さらに絶縁層を設ける感光体の場合には、絶縁
層の0dSSe層へのしみ込み等が起こり、良好な感光
体を得ることが困難となる。
また、 Cd8粒子と0dSte粒子との混合状態を微
視的に見ると、不均一な部分が存在する事は該粒子が共
に固有の粒度分布をもっている点から、本質的に避は得
ないものである。この混合の不均一性が最終的には、生
成する0d88eの電子写真特性の不安定性を増大し、
かつ、塗面性、塗工性の劣った粒子をもたらすのである
。
視的に見ると、不均一な部分が存在する事は該粒子が共
に固有の粒度分布をもっている点から、本質的に避は得
ないものである。この混合の不均一性が最終的には、生
成する0d88eの電子写真特性の不安定性を増大し、
かつ、塗面性、塗工性の劣った粒子をもたらすのである
。
面し−C本発明は、このような従来方法の欠点を解決す
るものであ!l)、(1)画像形成の初期から。
るものであ!l)、(1)画像形成の初期から。
高コントラストの画像が形成できる。 (2+i セv
ン化カドミウゐの粒子形状がそろっていて、また単一粒
子のため解像性が良く、また塗工性にも優れる、(3)
湿度や温度の影響を受けにくい。
ン化カドミウゐの粒子形状がそろっていて、また単一粒
子のため解像性が良く、また塗工性にも優れる、(3)
湿度や温度の影響を受けにくい。
(4)くり返しの電子写真プロセスによる劣化か少なく
、耐久性に優れる等の良好な特性?!−有する光導電性
硫セレン化カドミウムの製造方法を提供することを目的
とする。
、耐久性に優れる等の良好な特性?!−有する光導電性
硫セレン化カドミウムの製造方法を提供することを目的
とする。
本発明による値セレン化カドミウムの製造方法は、カド
ミウム塩の水溶液に硫化水素と酸性亜セレン酸アンモニ
ウムを同時に加゛え−ご得らnる硫化カドミウムと、セ
レン化カドミウムの混合物100重量部に対して20重
承部以上の融剤を添υ口し−C,融剤の融点よりも50
゛C以上置い温度で焼成処理を行なうことを特徴とする
ものでるる。
ミウム塩の水溶液に硫化水素と酸性亜セレン酸アンモニ
ウムを同時に加゛え−ご得らnる硫化カドミウムと、セ
レン化カドミウムの混合物100重量部に対して20重
承部以上の融剤を添υ口し−C,融剤の融点よりも50
゛C以上置い温度で焼成処理を行なうことを特徴とする
ものでるる。
本発明により製造される値セレン化カドミウムは結晶性
が高く、また、走査型電子顕微鏡による形状観察では粒
子が互いに凝集していない単粒子であり、かつその表面
が滑らかになっている。そこで、このような共沈澱、焼
成工程を経て製造された硫セレン化カドミウムは、その
表面付近の光キャリヤーのトラップ準位と々りうる結晶
欠陥が極めて少なく、電子写真用樹脂バインl゛−甲に
分散させ、支持体に塗布し、光導電層を作成し、更に必
要に応じてその上Oて絶縁層を形成し−C感光板を作成
して高速度複写機に適用する(−とにより、高い静電コ
ントラストが得られることが認められる。また、本発明
により得られた硫セレン化カドミウム粉体に粒子形状が
均一で、かつ粒径がそろっているため、作成された光導
電層の塗面は密で平滑なため、非常に良質の画像が得ら
れるものである。
が高く、また、走査型電子顕微鏡による形状観察では粒
子が互いに凝集していない単粒子であり、かつその表面
が滑らかになっている。そこで、このような共沈澱、焼
成工程を経て製造された硫セレン化カドミウムは、その
表面付近の光キャリヤーのトラップ準位と々りうる結晶
欠陥が極めて少なく、電子写真用樹脂バインl゛−甲に
分散させ、支持体に塗布し、光導電層を作成し、更に必
要に応じてその上Oて絶縁層を形成し−C感光板を作成
して高速度複写機に適用する(−とにより、高い静電コ
ントラストが得られることが認められる。また、本発明
により得られた硫セレン化カドミウム粉体に粒子形状が
均一で、かつ粒径がそろっているため、作成された光導
電層の塗面は密で平滑なため、非常に良質の画像が得ら
れるものである。
また、低湿度雰囲気での画偉安定注や、熱帯地方の温湿
度条件、例えば、気温35℃相対湿度85%の環境下で
の静電コントラストの値についても高品質の電子写真用
感光体としての性能を備えることができるものである。
度条件、例えば、気温35℃相対湿度85%の環境下で
の静電コントラストの値についても高品質の電子写真用
感光体としての性能を備えることができるものである。
また、硯セレン化カドミウムハ硫化カドミウムに較べて
高感度であり、且つ分光感度域も長波長1則に姑ひてい
る。
高感度であり、且つ分光感度域も長波長1則に姑ひてい
る。
不発明において使用される水溶性のカドミウム塩は、0
dUA、 、 0dSO,、Cd (1%’0s)2.
Gds (P 04)2 。
dUA、 、 0dSO,、Cd (1%’0s)2.
Gds (P 04)2 。
OdJ’、0.、Cd(B(j、)2.Ud(HrO,
)2.UdBr、、UdOO,、ud(C1lυ5)t
−(−’altなとの無機塩類と酢飯カドミウム。
)2.UdBr、、UdOO,、ud(C1lυ5)t
−(−’altなとの無機塩類と酢飯カドミウム。
シュウ酸カドミウムなどの有機塩類である。該水溶性カ
ドミウム塩類から選はれるーないし二種類以上の水溶性
カドミウム塩の水溶gを攪拌しながら、酸性亜セレン酸
アンモニウム〔化学式(Ni(、)(H)SeOl)水
溶液と硫化水素カス管同時に投入して硫化カドミウム(
化学式OdS )とセレン化カドミウム(化学式0dS
e)を共沈澱させる。このときの水溶性カドミウム塩水
溶液の濃度はO,1〜3 maVl、%には0.5〜2
maVlが好ましい。該水溶液のpHFi5以下の酸
性で、反応温度は95℃以下、脣には60〜80℃が好
ましい。全反応時間は、酸性亜七Vン酸アンモニウム水
溶液と硫化水素ガスの投入速度によって決定されるが、
生産性の点から1〜3時間で反応が終了するように投入
することが好ましい。
ドミウム塩類から選はれるーないし二種類以上の水溶性
カドミウム塩の水溶gを攪拌しながら、酸性亜セレン酸
アンモニウム〔化学式(Ni(、)(H)SeOl)水
溶液と硫化水素カス管同時に投入して硫化カドミウム(
化学式OdS )とセレン化カドミウム(化学式0dS
e)を共沈澱させる。このときの水溶性カドミウム塩水
溶液の濃度はO,1〜3 maVl、%には0.5〜2
maVlが好ましい。該水溶液のpHFi5以下の酸
性で、反応温度は95℃以下、脣には60〜80℃が好
ましい。全反応時間は、酸性亜七Vン酸アンモニウム水
溶液と硫化水素ガスの投入速度によって決定されるが、
生産性の点から1〜3時間で反応が終了するように投入
することが好ましい。
このよう(して共沈澱したOdSと0d8eの混合物を
洗浄、脱水、乾保する。乾燥は250℃以下で5〜20
時間行なう。次いで、該混合物と融剤とをよく混合した
後に石英ルツボに入れて焼成面溶体化し、光導電性の0
dS8eを得る。
洗浄、脱水、乾保する。乾燥は250℃以下で5〜20
時間行なう。次いで、該混合物と融剤とをよく混合した
後に石英ルツボに入れて焼成面溶体化し、光導電性の0
dS8eを得る。
本発明に使用する融剤は、活性剤10dScpに拡散す
る際に一般的に用いられている融剤で、0d04 、
ZnO/i、 、 KOI 、 Na1l 、 N)(
4(1、cctso、等の1つあるいは数種類を適当な
比率に混合したものである。混合して用いる場合の好適
例として、OdO#、とアルカリ金属の塩化物との混合
物が挙けられる。アルカリ金属の塩化物としてはNa1
j/!とKOIが代表的なものである。アルカリ金属の
塩化物の融剤全体における含有量は90モルチ以下でl
Oモルチ以上が好適である。
る際に一般的に用いられている融剤で、0d04 、
ZnO/i、 、 KOI 、 Na1l 、 N)(
4(1、cctso、等の1つあるいは数種類を適当な
比率に混合したものである。混合して用いる場合の好適
例として、OdO#、とアルカリ金属の塩化物との混合
物が挙けられる。アルカリ金属の塩化物としてはNa1
j/!とKOIが代表的なものである。アルカリ金属の
塩化物の融剤全体における含有量は90モルチ以下でl
Oモルチ以上が好適である。
本発明においては、第1回目の焼成工程の融剤量はOd
S粒子とセレン化カドミウム粒子の混合物100重重部
VC−灯し20.ML ’fff Uβ以よ、丑に好ま
しくは30〜50重奮部が好捷しい。
S粒子とセレン化カドミウム粒子の混合物100重重部
VC−灯し20.ML ’fff Uβ以よ、丑に好ま
しくは30〜50重奮部が好捷しい。
20重紙部す、下テju b mさ1する0dSSc
y子は・焼結して粗大粒子になり、′!iた表面形状も
不均一で、電位保持性も十分で’c < s ま友、房
像性に欠ける悪いCd5Se Vcなる。また、″焼成
を融剤○1応よりも50′C高い温度に及ばない温度で
行なった場合には、製造されるact S8e粒子は粒
径が犬きく解像性や塗工性が悪く、また、肖初形成され
る画像の静電コントラストに1広くなる。
y子は・焼結して粗大粒子になり、′!iた表面形状も
不均一で、電位保持性も十分で’c < s ま友、房
像性に欠ける悪いCd5Se Vcなる。また、″焼成
を融剤○1応よりも50′C高い温度に及ばない温度で
行なった場合には、製造されるact S8e粒子は粒
径が犬きく解像性や塗工性が悪く、また、肖初形成され
る画像の静電コントラストに1広くなる。
なお、本発明の製造方法において、焼成温度は6 c
(1’C以下が好適である。また、融剤&、 OdS粒
子とセレン化カドミウム粒子の混合物100重量6Bに
対する添加量は、収率の点からは65重量部以下が好適
である。
(1’C以下が好適である。また、融剤&、 OdS粒
子とセレン化カドミウム粒子の混合物100重量6Bに
対する添加量は、収率の点からは65重量部以下が好適
である。
このようにして製造した0dSSeを更に結晶性を向上
させるために、再度焼成することも有効である。
させるために、再度焼成することも有効である。
第2回目の焼成(再焼成)工程の融剤量は硫セレン化カ
ドミウム粒子10.0重量部に対し20重′i部以下、
特に好ましくtriO〜IO重量都が好ましい。20重
i′部以上では製造される0dSSeの結晶成長が過度
となり、解偉力、塗面性に劣るものとなってしまう。ま
た、第2回目の焼成工程の焼成温度は400〜500℃
が好ましい。
ドミウム粒子10.0重量部に対し20重′i部以下、
特に好ましくtriO〜IO重量都が好ましい。20重
i′部以上では製造される0dSSeの結晶成長が過度
となり、解偉力、塗面性に劣るものとなってしまう。ま
た、第2回目の焼成工程の焼成温度は400〜500℃
が好ましい。
実うイロfシリ l
Cd 804を7.5 mol) 、 &硫酸(98%
>をil。
>をil。
0uS04f 7.5 x 10−3molを脱イオン
蒸留水に溶解し、全液量を141にする。該調合液を8
0−G K保ち攪拌しながら、(NH4) (H)Se
O,の30チ水溶液を毎分14.0mAの速度で投入す
る。同時にH,Sガスを1.5気圧で毎分11の速度で
投入する。 (NH4)(H)SeOgの投入は78分
間、H,8ガスの投入は90分間継続する。その後、反
応溶液を80℃て攪拌しながら30分間放置し、次いで
攪拌を停止して30分間靜直重る。
蒸留水に溶解し、全液量を141にする。該調合液を8
0−G K保ち攪拌しながら、(NH4) (H)Se
O,の30チ水溶液を毎分14.0mAの速度で投入す
る。同時にH,Sガスを1.5気圧で毎分11の速度で
投入する。 (NH4)(H)SeOgの投入は78分
間、H,8ガスの投入は90分間継続する。その後、反
応溶液を80℃て攪拌しながら30分間放置し、次いで
攪拌を停止して30分間靜直重る。
次に上澄み液を排出し、新規の脱イオン蒸留水151を
加えて15分間攪拌する。その後、攪拌を停止して30
分間靜直重る。上澄み液を排出し、新規の脱イオン蒸留
水15Jを加える。
加えて15分間攪拌する。その後、攪拌を停止して30
分間靜直重る。上澄み液を排出し、新規の脱イオン蒸留
水15Jを加える。
この洗浄工程を合計で5回縛り返した後に、沈澱を1過
、脱水し、150℃で12時間乾燥した0 該乾燥粒子400 g [Cd0480 g、 Na0
1120gを添カロし、よく混合した上で石英ルツボに
充填し、530℃で30分間焼成した(なお、Cd04
とNaC7の混合融剤の融点は状態図から、 OdC
,、、・2NaO/の融点の426℃に相当する)。こ
のようにして得られた0d88eの粒子表面は、1万倍
の電子顕微鏡写真によれば、非常に滑らがで、かつ、・
各粒子は3〜7 am の径の単一粒子となっているの
が認められた。
、脱水し、150℃で12時間乾燥した0 該乾燥粒子400 g [Cd0480 g、 Na0
1120gを添カロし、よく混合した上で石英ルツボに
充填し、530℃で30分間焼成した(なお、Cd04
とNaC7の混合融剤の融点は状態図から、 OdC
,、、・2NaO/の融点の426℃に相当する)。こ
のようにして得られた0d88eの粒子表面は、1万倍
の電子顕微鏡写真によれば、非常に滑らがで、かつ、・
各粒子は3〜7 am の径の単一粒子となっているの
が認められた。
この0d88eの粒子を塩化ビニル/酢酸ビニル共重合
体中に分散させた後、アルミニウム基板上に40 am
の厚さに塗布乾燥させて得た感光板K 15 am厚の
ポリエステルフイルムヲ貼すつけ三層構成の感光体を得
たところ1表面が非常に平滑であった。この感光板に一
次帯電、次いで光像露光AC@電、次いで全面露光の高
速電子写真プロセスを適用したところ、高い静電コント
ラストと、充分な解像力に基く良質な画像が得られた。
体中に分散させた後、アルミニウム基板上に40 am
の厚さに塗布乾燥させて得た感光板K 15 am厚の
ポリエステルフイルムヲ貼すつけ三層構成の感光体を得
たところ1表面が非常に平滑であった。この感光板に一
次帯電、次いで光像露光AC@電、次いで全面露光の高
速電子写真プロセスを適用したところ、高い静電コント
ラストと、充分な解像力に基く良質な画像が得られた。
解像力は6本/amTあった。
この感光板を温度35℃、湿度85qbの高温、高湿中
に24時間放置後、再び複写機において画像出しを行っ
た結果、明暗部のコントラストの低下および感度の低下
も認められず、良質の画像が得られた。また、温度5℃
、湿度lOチの低温低湿雰囲気におかれた複写機中に、
この感光体を12時間放置後、暗部電位を測定したとこ
ろ、1枚目が480V% 50枚目が485Vとその差
はほとんど無い。また5℃と50℃において測定した電
位−ントラストの変化は20■と小さかった。更に、温
度23℃湿度55チの雰囲気で複写機実機を用いてA3
サイズ5万枚の耐久テストをしたところ電位コントラス
トの低下は25Vで、優れた安定性を示した。
に24時間放置後、再び複写機において画像出しを行っ
た結果、明暗部のコントラストの低下および感度の低下
も認められず、良質の画像が得られた。また、温度5℃
、湿度lOチの低温低湿雰囲気におかれた複写機中に、
この感光体を12時間放置後、暗部電位を測定したとこ
ろ、1枚目が480V% 50枚目が485Vとその差
はほとんど無い。また5℃と50℃において測定した電
位−ントラストの変化は20■と小さかった。更に、温
度23℃湿度55チの雰囲気で複写機実機を用いてA3
サイズ5万枚の耐久テストをしたところ電位コントラス
トの低下は25Vで、優れた安定性を示した。
実施例2
0d04をlomol、濃硫酸(98%)の0.61を
脱イオン蒸留水に溶解し、全液量を146にする、該−
合液を75℃に保ち、攪拌しながら(NH4) (H)
Sea、の30%水溶液を毎分12.3rtJの速度で
投入する。同時にH,8ガスを1.5気圧で毎分1.5
1の速度で投入する。 (NK)(H)SeOsの投入
は80分間、 H,Sガスの投入は90分間駐続する。
脱イオン蒸留水に溶解し、全液量を146にする、該−
合液を75℃に保ち、攪拌しながら(NH4) (H)
Sea、の30%水溶液を毎分12.3rtJの速度で
投入する。同時にH,8ガスを1.5気圧で毎分1.5
1の速度で投入する。 (NK)(H)SeOsの投入
は80分間、 H,Sガスの投入は90分間駐続する。
その後、反応溶液’1i75Gで攪拌しながら30分間
放置し、次いで攪拌を停止して30分間靜直重る。次い
で実施例1と同僚の方法で脱イオン蒸留水によ!lls
回洗浄した後に、 Pl!脱水し、200℃で10時間
乾燥した。該乾燥粒子400 glcc3u041cc
i K対しモル比5X10″添加した後、史にOd04
120gとKOl 80 gの混合融剤を混入し充分混
合後、石英ルツボに充填し、470℃で60分間焼成し
た。
放置し、次いで攪拌を停止して30分間靜直重る。次い
で実施例1と同僚の方法で脱イオン蒸留水によ!lls
回洗浄した後に、 Pl!脱水し、200℃で10時間
乾燥した。該乾燥粒子400 glcc3u041cc
i K対しモル比5X10″添加した後、史にOd04
120gとKOl 80 gの混合融剤を混入し充分混
合後、石英ルツボに充填し、470℃で60分間焼成し
た。
次に、この焼成したものを洗浄、乾詠し、(支)SSe
粒子を単離する。この0dS8e粒子を石英ルツボに充
填し、450℃で60分間焼成した。このようにして得
られた0dS8eの粒子表面は1万倍の電子顕微鏡写真
によれば、非常に滑らかで、かつ、各粒子は3〜7μm
の径の単一粒子となっているのが認められた。
粒子を単離する。この0dS8e粒子を石英ルツボに充
填し、450℃で60分間焼成した。このようにして得
られた0dS8eの粒子表面は1万倍の電子顕微鏡写真
によれば、非常に滑らかで、かつ、各粒子は3〜7μm
の径の単一粒子となっているのが認められた。
その後、実施例1と同様の工程により得られfc 0d
SSe粒子を感光体化して評価したところ。
SSe粒子を感光体化して評価したところ。
実施例1と同様の良好な結果を得た(なお、(支)C&
とKObの混合融剤の融点は状態図からKOdCA3の
融点390℃に相当する)。
とKObの混合融剤の融点は状態図からKOdCA3の
融点390℃に相当する)。
出願人 キャノン株式会社
代理人 丸 島 蛾 −
Claims (1)
- 1、) カドミウム塩の水溶液に硫化水素と酸性亜セ
レン酸アンモニウムを同時に加えて得られる硫化カドミ
ウムとセレン化カドミウムの混合物100重量部に対し
て20重量部以上の融剤を添加して、融剤の融点よりも
50℃以上高い温度で焼成処理を行うことを特徴とする
光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57090772A JPS58208108A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57090772A JPS58208108A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58208108A true JPS58208108A (ja) | 1983-12-03 |
Family
ID=14007890
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57090772A Pending JPS58208108A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58208108A (ja) |
-
1982
- 1982-05-28 JP JP57090772A patent/JPS58208108A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS58208108A (ja) | 光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法 | |
JPS58217407A (ja) | 光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法 | |
JPS58208109A (ja) | 光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法 | |
JPS58213605A (ja) | 光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法 | |
JPS59162137A (ja) | 光導電性硫化カドミウムの製造方法 | |
JPS58217408A (ja) | 光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法 | |
JPS58217411A (ja) | 光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法 | |
JPS58217410A (ja) | 光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法 | |
JPS59232918A (ja) | 光導電性硫化カドミウムの製造方法 | |
JPS58223607A (ja) | 光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法 | |
JPS5849618A (ja) | 光導電性硫化カドミウムの製造方法 | |
JPS58223608A (ja) | 光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法 | |
JPS60161333A (ja) | 電子写真用硫セレン化カドミウムの製造方法 | |
JPS5874524A (ja) | 光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法 | |
JPS60133454A (ja) | 光導電性硫化カドミウムの製造方法 | |
JPS5893061A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS59232917A (ja) | 電子写真用硫化カドミウムの製造方法 | |
JPS5869722A (ja) | 光導電性硫化カドミウムの製造方法 | |
JPS59192253A (ja) | 電子写真用硫化カドミウムの製造方法 | |
JPS58217406A (ja) | 光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法 | |
JPS59191064A (ja) | 電子写真用硫化カドミウムの製造方法 | |
JPS5879815A (ja) | 電子写真用感光体の製造法 | |
JPS58213604A (ja) | 光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法 | |
JPS58194715A (ja) | 光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法 | |
JPS60133455A (ja) | 光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法 |