JPS58134431A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents

プラズマｃｖｄ装置

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JPS58134431A
JPS58134431A JP1690982A JP1690982A JPS58134431A JP S58134431 A JPS58134431 A JP S58134431A JP 1690982 A JP1690982 A JP 1690982A JP 1690982 A JP1690982 A JP 1690982A JP S58134431 A JPS58134431 A JP S58134431A
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JP
Japan
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electrode
substrate
plasma cvd
heater
vapor deposition
Prior art date
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Granted
Application number
JP1690982A
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English (en)
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JPH029446B2 (ja
Inventor
Yoshimi Shiotani
喜美 塩谷
Yasushi Ooyama
泰 大山
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPH029446B2 publication Critical patent/JPH029446B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
    • C23C16/5096—Flat-bed apparatus

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体製造プロセスの薄膜形成工程で用いられ
るプラズマＯＶＤ、３！ｉ置の改良に関する。
フラスマＣＶＤｄ７’バイスのパッシペ・−ジョンａｇ
等に低温で形成する為に用いられる。
プラズマ０ＶＤ装置は、プラズマ発生部、ガス導入部、
真空排気系、治具、電源系、制御系等から構成される。
従来の一４ｉｔ結合型プラズマＣＶＤは第１図に示す如
き構成であり、基板電極１と高周波電極２から構成δれ
、図示しない排気系でガス排気口３からベルジャ４内を
排気しながら、ガス導入口５よりガス會尋入し、基板電
極１と高周波電極２との１−に−周波を印加し、プラズ
マを発生させ、基板電極ｌ上の基＆６ｔ−ヒータ７で加
熱しつつ、基板上に薄膜を形成するものである。
ところで従来の方法は基板電極１Ｆ部に設けたヒータフ
で加熱する為、第２図に要部を示す如く、ウェハの表面
温度が下部表［ｉｉ湿温度り下りウェハがそり大きなス
トレスが生じ、かつウェハ鳩辺がヒータエり離れる７′
ｃめウェハ内のｇ貫が一様でなくなるという欠点があっ
友。
本発明は上述の点に１みてなされたもので、基板を支持
する支持電極と他方の対向゛−極とに基板加熱用ヒータ
部ｔ″設けたことｔ−％黴とするプラズマＯＶＤ装置ｔ
−提供するものである。
第３図は本発明の一実施例でるる平行平板型プラズマ０
ＶＤ装置の断面図である。
Ａｉｍ波゛−極２の裏面に高周波ＩＥ他極加熱ヒータ８
ｔ−設け、高周波電極を加熱し、間撤的に基板６を加熱
するものである本発明により、基板は基板の支持電極側
と対向する高周波電極側とから加熱されるので、ウェハ
にそりが生ずることが少ない。
第４図は本開明の他の実施例で、基板ＩＩＬ極１０に−
周波がｌ：ｌＪ加され、対向電極１１がベルジャ１２に
接続され接地電極となっている。また対向電極１１はガ
ス導入管１３となっており、′電極面ムに多数の小孔１
１’が設けられ均一なガス供給を行う。
そして、この対向電極１１には、加熱用のヒータ１４が
設けられている。１５．１６はベルジャ１２と基板電極
１０との絶縁を行う絶縁物である。
な２ヒータ用の電源には４周波がかからないように、ヒ
ータ部と電源との接続は高インピーダンスのコイル等を
介して高周波ｔカットして行う。
本発明によれば、ウェハにそりを生ずることなくプラズ
マＣＶＤ膜の形成を行、うことができ、ウェハを装置か
ら取出す時にも否が生じない。
また、ウェハのそりを生ずること吃ないので、歩′ｆｉ
Ｉり同上に畜与すること大である。
【図面の簡単な説明】
霧甲 ｉａ１図は従来のプラズマＣＶＤ装置の断面図、ｗ！、
２図は従来装置を用いた時の要部断面図、第３図は本発
明のプラズマＣＶＤ装置の断面図、第４図は本発明の他
の実施例を示す図である。 ｌ：基板電極、２：対向電極、６：ウエハ、７゜８．１
４ニヒータ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基板全支持する支持電極と他方の対向電極とに基板加熱
    用ヒータ部を設けたことを４Ｉ砿とするプラズマ０ＶＤ
    装置。
JP1690982A 1982-02-04 1982-02-04 プラズマｃｖｄ装置 Granted JPS58134431A (ja)

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JP1690982A JPS58134431A (ja) 1982-02-04 1982-02-04 プラズマｃｖｄ装置

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JP1690982A JPS58134431A (ja) 1982-02-04 1982-02-04 プラズマｃｖｄ装置

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JPS58134431A true JPS58134431A (ja) 1983-08-10
JPH029446B2 JPH029446B2 (ja) 1990-03-02

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ID=11929257

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60182131A (ja) * 1984-02-28 1985-09-17 Sumitomo Electric Ind Ltd 薄膜製造装置
JPS62165910A (ja) * 1986-01-17 1987-07-22 Hitachi Ltd 半導体製造装置
US6450803B2 (en) 1998-01-12 2002-09-17 Tokyo Electron Limited Heat treatment apparatus

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50748A (ja) * 1973-05-02 1975-01-07
JPS5559727A (en) * 1978-10-27 1980-05-06 Hitachi Ltd Plasma deposition device

Patent Citations (2)

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US6450803B2 (en) 1998-01-12 2002-09-17 Tokyo Electron Limited Heat treatment apparatus

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Publication number Publication date
JPH029446B2 (ja) 1990-03-02

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