JPS6146017A - 薄膜生成装置 - Google Patents
薄膜生成装置Info
- Publication number
- JPS6146017A JPS6146017A JP59168037A JP16803784A JPS6146017A JP S6146017 A JPS6146017 A JP S6146017A JP 59168037 A JP59168037 A JP 59168037A JP 16803784 A JP16803784 A JP 16803784A JP S6146017 A JPS6146017 A JP S6146017A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- mask
- thin film
- magnets
- shutter plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、例えばプラズマＣＶＤ法により非晶質ン１１
コンな！ｉの反応止成吻を加熱される基板上に成膜する
薄膜生成装置に関する。
コンな！ｉの反応止成吻を加熱される基板上に成膜する
薄膜生成装置に関する。
太陽電池の光電変換領域として広く用いられている非晶
質シリコン（以下ａ−５ｉと記す）膜は、シランガスを
導入した真空槽内にグロー放電を発生させ、シランガス
の分解により生ずるシリコンを基板上に堆積せしめるプ
ラズマＣＶＤ法により生成する。太陽電池の低価格化の
ために基板として安価なガラスを用い、加熱は一面に均
熱板として鉄板、ステンレスｍ板あるいはアルミニウム
板を重ねて輻射熱により行う、一方、ａ −Ｓ＋膜は基
板上にパターンとして形成されることが多いため、基板
の他面にステンレス鋼などからなる金属マスクを用いて
選択的に膜付けする。しかし、この場合マスクが厚いと
パターンの精度が悪くなるので、薄い金属マスクを使用
するためマスクが軽くなり、ＣＶＤ法の過程中にマスク
が基板から浮きやすく、また加熱によりマスクにそりが
出やすいためマスクと基板が密着せず、ａ−５ｔ膜が望
ましくない個所にまで付着してしまう欠点があった。
質シリコン（以下ａ−５ｉと記す）膜は、シランガスを
導入した真空槽内にグロー放電を発生させ、シランガス
の分解により生ずるシリコンを基板上に堆積せしめるプ
ラズマＣＶＤ法により生成する。太陽電池の低価格化の
ために基板として安価なガラスを用い、加熱は一面に均
熱板として鉄板、ステンレスｍ板あるいはアルミニウム
板を重ねて輻射熱により行う、一方、ａ −Ｓ＋膜は基
板上にパターンとして形成されることが多いため、基板
の他面にステンレス鋼などからなる金属マスクを用いて
選択的に膜付けする。しかし、この場合マスクが厚いと
パターンの精度が悪くなるので、薄い金属マスクを使用
するためマスクが軽くなり、ＣＶＤ法の過程中にマスク
が基板から浮きやすく、また加熱によりマスクにそりが
出やすいためマスクと基板が密着せず、ａ−５ｔ膜が望
ましくない個所にまで付着してしまう欠点があった。
本発明は、基板上に薄膜を選択的に生成させるために用
いる金属マスクがｙＩ膜生成工程時に基板上に密着し、
精度のよいｙｉ膜パターンを形成することができる装置
を提供することを目的とする。
いる金属マスクがｙＩ膜生成工程時に基板上に密着し、
精度のよいｙｉ膜パターンを形成することができる装置
を提供することを目的とする。
本発明によれば基板の一面に重ねられるマスクが強磁性
体からなり、基板の他面に重ねられる均熱板は非磁性材
料からなって磁石が埋設され、その磁石の基板側に広が
って均熱板面に平行な空隙が設けられ、その空隙内には
磁石の基板側を覆う位置と覆わない位置との間に移動可
能な強磁性体からなるシャッタ板が挿入されることによ
って上記の目的が達成される。
体からなり、基板の他面に重ねられる均熱板は非磁性材
料からなって磁石が埋設され、その磁石の基板側に広が
って均熱板面に平行な空隙が設けられ、その空隙内には
磁石の基板側を覆う位置と覆わない位置との間に移動可
能な強磁性体からなるシャッタ板が挿入されることによ
って上記の目的が達成される。
以下図を引用して本発明の実施例について述べる。第１
図においてａ −５ｉ薄膜生成のための基板１は下面に
金属マスク、上面に均熱［３を重ねて、ステンレス鋼製
の支持枠４の開口部に嵌められており、上部からの図示
しないヒータによる輻射熱５により均熱板３を介して基
板１を２００〜３００℃に加熱しながら基板の下方に発
生させたグロー放電により、シランガスが分解してシリ
コン６がマスク２の開口部を通じて基板ｌの下面に被着
し、ａ−５ｉ薄膜を形成する０本発明により、金属マス
ク２は磁性ステンレス鋼あるいは鉄のような強磁性体か
らなり、一方均熱板３は熱伝導性の良好で非磁性のアル
ミニウムからなり、その中に稀土類磁石７が６個埋め込
まれている。均熱板３の磁石７と基板に接する面の間に
は空隙８が形成されていて、この空隙の中にＳ Ｕ Ｓ
４３０のような磁性ステンレス鋼あるいは鉄からなる
強磁性体シャッタ板９が挿入されている。このシャッタ
板・９は薄膜生成時には第２図に示すように磁石７の下
方でない位置に配置されているので、マスク９は磁石７
に吸引されて基板面に密着する。従ってａ −５ｉ膜は
マスク９のパターン通りに精度よく形成される。 薄膜生成が終了してマスクを取り外すときには、第３図
に示すようにシャッタ板９を磁石７の下方に移動させ、
磁気回路を磁石と基板の間に形成してマスクの吸着を減
少させ、取外しを容易にする。 【発明の効果］ 本発明によれば、基板上に選択的に薄膜を形成する際に
、基体加熱のための均熱板に磁石を埋め込んで強磁性体
よりなる金属マスクを基板面に密着させて膜生成物が所
望の領域以外に付着することのないようにすると共に、
均熱体の基板側に面に平行な空隙を設けて磁石による磁
気回路を短絡する強磁性体シャッタ板を移動可能に挿入
することにより、金属マスクの取外しを容易にするもの
である。従って加熱される基板上に′ｆＲ膜を生成する
場合には、太陽電池用ａ−ｓｔｌｌＱ生成のプラズマＣ
ＶＤ法に限らず他のＣＶＤ法あるいはスパッタリングな
どのＰＶＤ法の装置にも適用でき、取扱いが簡単で得ら
れる効果は大きい。
図においてａ −５ｉ薄膜生成のための基板１は下面に
金属マスク、上面に均熱［３を重ねて、ステンレス鋼製
の支持枠４の開口部に嵌められており、上部からの図示
しないヒータによる輻射熱５により均熱板３を介して基
板１を２００〜３００℃に加熱しながら基板の下方に発
生させたグロー放電により、シランガスが分解してシリ
コン６がマスク２の開口部を通じて基板ｌの下面に被着
し、ａ−５ｉ薄膜を形成する０本発明により、金属マス
ク２は磁性ステンレス鋼あるいは鉄のような強磁性体か
らなり、一方均熱板３は熱伝導性の良好で非磁性のアル
ミニウムからなり、その中に稀土類磁石７が６個埋め込
まれている。均熱板３の磁石７と基板に接する面の間に
は空隙８が形成されていて、この空隙の中にＳ Ｕ Ｓ
４３０のような磁性ステンレス鋼あるいは鉄からなる
強磁性体シャッタ板９が挿入されている。このシャッタ
板・９は薄膜生成時には第２図に示すように磁石７の下
方でない位置に配置されているので、マスク９は磁石７
に吸引されて基板面に密着する。従ってａ −５ｉ膜は
マスク９のパターン通りに精度よく形成される。 薄膜生成が終了してマスクを取り外すときには、第３図
に示すようにシャッタ板９を磁石７の下方に移動させ、
磁気回路を磁石と基板の間に形成してマスクの吸着を減
少させ、取外しを容易にする。 【発明の効果］ 本発明によれば、基板上に選択的に薄膜を形成する際に
、基体加熱のための均熱板に磁石を埋め込んで強磁性体
よりなる金属マスクを基板面に密着させて膜生成物が所
望の領域以外に付着することのないようにすると共に、
均熱体の基板側に面に平行な空隙を設けて磁石による磁
気回路を短絡する強磁性体シャッタ板を移動可能に挿入
することにより、金属マスクの取外しを容易にするもの
である。従って加熱される基板上に′ｆＲ膜を生成する
場合には、太陽電池用ａ−ｓｔｌｌＱ生成のプラズマＣ
ＶＤ法に限らず他のＣＶＤ法あるいはスパッタリングな
どのＰＶＤ法の装置にも適用でき、取扱いが簡単で得ら
れる効果は大きい。
第１図は本発明の一実施例の要部断面図、第２図は薄膜
生成工程時の均熱体の平面図、第３図はマスク取外し時
の均熱体の平面図である。 に基板、２：金属マスク、３・均熱板、７！磁石、８：
空隙、９：シャッタ板。 第２囚 第３図
生成工程時の均熱体の平面図、第３図はマスク取外し時
の均熱体の平面図である。 に基板、２：金属マスク、３・均熱板、７！磁石、８：
空隙、９：シャッタ板。 第２囚 第３図
Claims (1)
- １）一方の面に重ねられた均熱板を介して加熱される基
板の他方の面にマスクを重ねて基板上の所定の領域に選
択的に薄膜を生成するものにおいて、マスクが強磁性体
からなり、均熱板は非磁性材料からなって磁石が埋設さ
れ、該磁石の基板側に広がって均熱板面に平行な空隙が
設けられ、該空隙内に磁石の基板側を遮蔽する位置と遮
蔽しない位置との間に移動可能な強磁性体からなるシャ
ッタ板が挿入されたことを特徴とする薄膜生成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59168037A JPS6146017A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 薄膜生成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59168037A JPS6146017A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 薄膜生成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6146017A true JPS6146017A (ja) | 1986-03-06 |
Family
ID=15860645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59168037A Pending JPS6146017A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 薄膜生成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6146017A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02218732A (ja) * | 1989-02-20 | 1990-08-31 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 難燃性塩化ビニル系樹脂組成物及び該組成物を保護層材とする難燃性電線・ケーブル |
| JP2008294154A (ja) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Sharp Corp | Ｃｖｄ装置 |
| US10431779B2 (en) | 2012-07-10 | 2019-10-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method |
-
1984
- 1984-08-10 JP JP59168037A patent/JPS6146017A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02218732A (ja) * | 1989-02-20 | 1990-08-31 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 難燃性塩化ビニル系樹脂組成物及び該組成物を保護層材とする難燃性電線・ケーブル |
| JP2008294154A (ja) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Sharp Corp | Ｃｖｄ装置 |
| US10431779B2 (en) | 2012-07-10 | 2019-10-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method |
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