JPH07221071A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH07221071A JPH07221071A JP900994A JP900994A JPH07221071A JP H07221071 A JPH07221071 A JP H07221071A JP 900994 A JP900994 A JP 900994A JP 900994 A JP900994 A JP 900994A JP H07221071 A JPH07221071 A JP H07221071A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- dry etching
- semiconductor substrate
- chamber
- cathode electrode
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ドライエッチング工程における半導体基板表面
への反応生成物の剥離による付着や電極で発生する粒子
の付着を防止し安価に製品の歩留を向上できるドライエ
ッチング装置を提供する。 【構成】チャンバ１内にカソード電極３とアノード電極
４を上下に相対向するように配置し上部電極となるカソ
ード電極３にクランプ７により半導体基板２を下向きに
支持させる。この状態でガス導入口９より反応ガスを導
入しチャンバ１内を所定のガス圧にした後、高周波電源
６によりブロッキングコンデンサ５を介して高周波電圧
を印加しプラズマ雰囲気Ａを発生させて半導体基板２の
ドライエッチングを行う。
への反応生成物の剥離による付着や電極で発生する粒子
の付着を防止し安価に製品の歩留を向上できるドライエ
ッチング装置を提供する。 【構成】チャンバ１内にカソード電極３とアノード電極
４を上下に相対向するように配置し上部電極となるカソ
ード電極３にクランプ７により半導体基板２を下向きに
支持させる。この状態でガス導入口９より反応ガスを導
入しチャンバ１内を所定のガス圧にした後、高周波電源
６によりブロッキングコンデンサ５を介して高周波電圧
を印加しプラズマ雰囲気Ａを発生させて半導体基板２の
ドライエッチングを行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はドライエッチング装置に
関し、特に半導体基板又は基板上に形成した膜のエッチ
ングに用いるドライエッチング装置に関する。
関し、特に半導体基板又は基板上に形成した膜のエッチ
ングに用いるドライエッチング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のドライエッチング装置
は、図２に示すように、真空に保持したチャンバ１内に
カソード電極３とアノード電極４の一対の電極を上下に
対向するように配置し、下部電極であるカソード電極３
上に被エッチング材である半導体基板２を支持させてガ
ス導入口９よりガスを導入し、上部電極であるアノード
電極４との間に高電圧を印加してプラズマ雰囲気Ａを発
生させ、発生したイオンや分子を半導体基板２の表面に
衝突させてエッチングを行う構成となっている。
は、図２に示すように、真空に保持したチャンバ１内に
カソード電極３とアノード電極４の一対の電極を上下に
対向するように配置し、下部電極であるカソード電極３
上に被エッチング材である半導体基板２を支持させてガ
ス導入口９よりガスを導入し、上部電極であるアノード
電極４との間に高電圧を印加してプラズマ雰囲気Ａを発
生させ、発生したイオンや分子を半導体基板２の表面に
衝突させてエッチングを行う構成となっている。
【０００３】このような構成のドライエッチング装置で
は、ドライエッチング時に生成した反応生成物がチャン
バ１内で被着しこれが剥離して発塵したり、上部電極と
イオンや分子がスパッタすることにより発塵した粒子が
落下して下部電極に支持された半導体基板２表面に付着
し、半導体装置としての製品の歩留を低下させるという
問題点がある。
は、ドライエッチング時に生成した反応生成物がチャン
バ１内で被着しこれが剥離して発塵したり、上部電極と
イオンや分子がスパッタすることにより発塵した粒子が
落下して下部電極に支持された半導体基板２表面に付着
し、半導体装置としての製品の歩留を低下させるという
問題点がある。
【０００４】この上部電極のスパッタによる発塵防止対
策として上部電極の少くとも被エッチング材と対向する
側の面を炭化シリコンで形成するドラリエッチング装置
が特開昭６３−１３８７３７号公報明細書に開示されて
いる。
策として上部電極の少くとも被エッチング材と対向する
側の面を炭化シリコンで形成するドラリエッチング装置
が特開昭６３−１３８７３７号公報明細書に開示されて
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来の上部電極の
少くとも被エッチング材と対向する側の面を炭化シリコ
ンで形成するドライエッチング装置では、チャンバ内の
上部電極以外の部分に付着した反応生成物からの発塵に
は防止対策が施されていないので発塵防止対策が不十分
であるという問題点がある。
少くとも被エッチング材と対向する側の面を炭化シリコ
ンで形成するドライエッチング装置では、チャンバ内の
上部電極以外の部分に付着した反応生成物からの発塵に
は防止対策が施されていないので発塵防止対策が不十分
であるという問題点がある。
【０００６】また、炭化シリコン電極はアルミニウム電
極にくらべ高価であるという問題点もある。
極にくらべ高価であるという問題点もある。
【０００７】本発明の目的は、半導体基板への反応生成
物の付着がなく、安価で歩留の高い半導体装置が得られ
るドライエッチング装置を提供することにある。
物の付着がなく、安価で歩留の高い半導体装置が得られ
るドライエッチング装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、チャンバ内に
カソード電極とアノード電極を上下に相対向するように
配置し、このアノード電極と前記カソード電極とのうち
のいずれか一方に被エッチング材を支持させ、前記カソ
ード電極と前記アノード電極間に高周波電圧を印加して
エッチングを行うドライエッチング装置において、前記
被エッチング材を上部電極に下向きに支持させることを
特徴とする。
カソード電極とアノード電極を上下に相対向するように
配置し、このアノード電極と前記カソード電極とのうち
のいずれか一方に被エッチング材を支持させ、前記カソ
ード電極と前記アノード電極間に高周波電圧を印加して
エッチングを行うドライエッチング装置において、前記
被エッチング材を上部電極に下向きに支持させることを
特徴とする。
【０００９】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１０】図１は本発明の一実施例の概略の構成を示
す断面図である。本発明の一実施例は、図１に示すよう
に、外囲器となる金属製のチャンバ１と、チャンバ１内
に収容され半導体基板２を支持し上部電極となるカソー
ド電極３と、このカソード電極３に対向するように配置
され下部電極となるアノード電極４と、ブロッキングコ
ンデンサ５を介してカソード電極３に接続し高周波を発
生する高周波電源６と、半導体基板２をカソード電極に
押えられた状態で保持するクランプ７と、チャンバ１内
を真空に吸引する排気口８と、チャンバ１内に反応ガス
を導入するガス導入口９を主な構成要素として構成さ
れ、アノード電極４はチャンバ１を通して接地状態に保
持されている。
す断面図である。本発明の一実施例は、図１に示すよう
に、外囲器となる金属製のチャンバ１と、チャンバ１内
に収容され半導体基板２を支持し上部電極となるカソー
ド電極３と、このカソード電極３に対向するように配置
され下部電極となるアノード電極４と、ブロッキングコ
ンデンサ５を介してカソード電極３に接続し高周波を発
生する高周波電源６と、半導体基板２をカソード電極に
押えられた状態で保持するクランプ７と、チャンバ１内
を真空に吸引する排気口８と、チャンバ１内に反応ガス
を導入するガス導入口９を主な構成要素として構成さ
れ、アノード電極４はチャンバ１を通して接地状態に保
持されている。
【００１１】このように構成されたドライエッチング装
置を用いて半導体基板２のエッチングを行う。まず、排
気口８より真空引きしチャンバ１内を真空にした後ガス
導入口９より反応ガスを導入し所定の真空度に保持す
る。次に、高周波電源６から高周波を印加するとチャン
バ１内にプラズマ雰囲気Ａが発生し、半導体基板２が支
持されているカソード電極３側にイオンや分子が吸引さ
れて表面に衝突しエッチングが行われる。このとき、半
導体基板２は上部電極のカソード電極３に支持されその
表面は下向きになっているので、エッチング時に生成し
た反応生成物の粒子やチャンバ１内に付着した付着物が
剥離して生じた粒子やカソード電極３をスパッタするこ
とにより発生した粒子等が落下しても半導体基板２に付
着し汚染することはない。次に、チャンバ１内を大気圧
に戻し所定の工程を経て半導体基板２のエッチングは完
了する。
置を用いて半導体基板２のエッチングを行う。まず、排
気口８より真空引きしチャンバ１内を真空にした後ガス
導入口９より反応ガスを導入し所定の真空度に保持す
る。次に、高周波電源６から高周波を印加するとチャン
バ１内にプラズマ雰囲気Ａが発生し、半導体基板２が支
持されているカソード電極３側にイオンや分子が吸引さ
れて表面に衝突しエッチングが行われる。このとき、半
導体基板２は上部電極のカソード電極３に支持されその
表面は下向きになっているので、エッチング時に生成し
た反応生成物の粒子やチャンバ１内に付着した付着物が
剥離して生じた粒子やカソード電極３をスパッタするこ
とにより発生した粒子等が落下しても半導体基板２に付
着し汚染することはない。次に、チャンバ１内を大気圧
に戻し所定の工程を経て半導体基板２のエッチングは完
了する。
【００１２】以上、本実施例では、カソード側に高周波
を印加するカソードカップル型のドライエッチング装置
について説明したがアノード側に高周波を印加するアノ
ードカップリング型についても適用でき、アノード電極
を上部電極としクランプにて半導体基板を下向きに支持
することによっても同様の効果が得られる。
を印加するカソードカップル型のドライエッチング装置
について説明したがアノード側に高周波を印加するアノ
ードカップリング型についても適用でき、アノード電極
を上部電極としクランプにて半導体基板を下向きに支持
することによっても同様の効果が得られる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、被エッチ
ング材である半導体基板を上下に相対向する上部電極と
下部電極のうちの上部電極に支持させてドライエッチン
グ処理を行うので、チャンバ内部に付着した反応生成物
の剥離によって生ずる粒子や電極で発生する粒子等が落
下して半導体基板へ付着し、汚染するのを防止でき、安
価に製品歩留を向上できる効果がある。
ング材である半導体基板を上下に相対向する上部電極と
下部電極のうちの上部電極に支持させてドライエッチン
グ処理を行うので、チャンバ内部に付着した反応生成物
の剥離によって生ずる粒子や電極で発生する粒子等が落
下して半導体基板へ付着し、汚染するのを防止でき、安
価に製品歩留を向上できる効果がある。
【図１】本発明の一実施例の構成を示す断面図である。
【図２】従来のドライエッチング装置の一例の構成を示
す断面図である。
す断面図である。
１ チャンバ ２ 半導体基板 ３ カソード電極 ４ アノード電極 ５ ブロッキングコンデンサ ６ 高周波電源 ７ クランプ ８ 排気口 ９ ガス導入口
Claims (3)
- 【請求項１】 チャンバ内にカソード電極とアノード電
極を上下に相対向するように配置し、このアノード電極
と前記カソード電極とのうちのいずれか一方に被エッチ
ング材を支持させ、前記カソード電極と前記アノード電
極間に高周波電圧を印加してエッチングを行うドライエ
ッチング装置において、前記被エッチング材を上部電極
に下向きに支持させることを特徴とするドライエッチン
グ装置。 - 【請求項２】 前記上部電極がカソード電極であること
を特徴とする請求項１記載のドライエッチング装置。 - 【請求項３】 前記上部電極がアノード電極であること
を特徴とする請求項１記載のドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP900994A JPH07221071A (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP900994A JPH07221071A (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07221071A true JPH07221071A (ja) | 1995-08-18 |
Family
ID=11708658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP900994A Pending JPH07221071A (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07221071A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1143034A1 (de) * | 2000-04-06 | 2001-10-10 | Angewandte Solarenergie - ASE GmbH | Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten und/oder Behandeln eines Substrates |
| CN109075107A (zh) * | 2016-04-18 | 2018-12-21 | 库库创作股份有限公司 | 干式蚀刻装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62290133A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-17 | Fujitsu Ltd | ドライエツチング方法 |
-
1994
- 1994-01-31 JP JP900994A patent/JPH07221071A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62290133A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-17 | Fujitsu Ltd | ドライエツチング方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1143034A1 (de) * | 2000-04-06 | 2001-10-10 | Angewandte Solarenergie - ASE GmbH | Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten und/oder Behandeln eines Substrates |
| CN109075107A (zh) * | 2016-04-18 | 2018-12-21 | 库库创作股份有限公司 | 干式蚀刻装置 |
| CN109075107B (zh) * | 2016-04-18 | 2022-04-12 | 库库创作股份有限公司 | 干式蚀刻装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19971224 |