JPS58121622A - イオンビ−ム発生装置 - Google Patents
イオンビ−ム発生装置Info
- Publication number
- JPS58121622A JPS58121622A JP278482A JP278482A JPS58121622A JP S58121622 A JPS58121622 A JP S58121622A JP 278482 A JP278482 A JP 278482A JP 278482 A JP278482 A JP 278482A JP S58121622 A JPS58121622 A JP S58121622A
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- JP
- Japan
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- ions
- ion
- separating section
- state
- ion source
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はイオン源に連るイオン光学系に所定のイオンを
選別する質量分離部を介在させてその前方（該選別され
たイオンのビームを得るようにした装置に関する。
選別する質量分離部を介在させてその前方（該選別され
たイオンのビームを得るようにした装置に関する。
本願出願人は先ｔ、＝ｘ−ＶＪＩ化合物の牛導体をエピ
タキシャル成長さ曾て得る手段として、成長室内の基板
上に、■族の元素の蒸気を＄Ｖｍ蒸着させてこれに該元
素の育聾″ｍヘイ寒青智（製１１斃按膜を形成させる一
方翫譲被膜にＶ族の元素の蒸気をイオン化してイオンビ
ームとして打込んでその内部に蒙元素の打込層なエピタ
キシャル成長させ、かくて験打込層内は両元素の化合物
のエピタキシャル威長蓋の牛導体に得られるようにした
式のものを提案したが１この場合、該ｖｌＩの元素とし
て例えばム虐と２との２種頭を使用し、これらを各イオ
ンビームとして該被膜上に打込み、膝半導体ｔ−５元素
とし、或は更に１ｌｌｌ！！夏族の元素として例えばＩ
ｎとＧａとの２１１１１を使用し、これらの番蒸気を各
分子ＩＩ蒸着して該被膜を形成させ、該牛導体を４元素
とするようなことが考えられ、か−る作業に際し、該ｖ
ｍの２種間の元素の各イオン−ビームは共通１個のイオ
ンビーム発生装置により得られるが好ましい◎ 本発明はか−る要求に適合する装置を得ることをその目
的としたもので、イオン源に遺るイオン光学系に、所定
のイオンを選別する（ＩＭ場型その他の質量分離部を介
在させてその前方に該選別されたイオンのビームな得る
ようニシタ式のものにおいて、該イオン源に少くとも２
種類の元素のイオンを生じさせると共に該質量分１１部
を一方のイオンを選別する第１状態と、他方のイオンを
選別する第２状腺とに適宜のパルス幅に交互に切換える
ことによりその前方に該一方のイオンのビームと、該他
方のイオンのビームとを交互に切換えて得るようにして
成る。
タキシャル成長さ曾て得る手段として、成長室内の基板
上に、■族の元素の蒸気を＄Ｖｍ蒸着させてこれに該元
素の育聾″ｍヘイ寒青智（製１１斃按膜を形成させる一
方翫譲被膜にＶ族の元素の蒸気をイオン化してイオンビ
ームとして打込んでその内部に蒙元素の打込層なエピタ
キシャル成長させ、かくて験打込層内は両元素の化合物
のエピタキシャル威長蓋の牛導体に得られるようにした
式のものを提案したが１この場合、該ｖｌＩの元素とし
て例えばム虐と２との２種頭を使用し、これらを各イオ
ンビームとして該被膜上に打込み、膝半導体ｔ−５元素
とし、或は更に１ｌｌｌ！！夏族の元素として例えばＩ
ｎとＧａとの２１１１１を使用し、これらの番蒸気を各
分子ＩＩ蒸着して該被膜を形成させ、該牛導体を４元素
とするようなことが考えられ、か−る作業に際し、該ｖ
ｍの２種間の元素の各イオン−ビームは共通１個のイオ
ンビーム発生装置により得られるが好ましい◎ 本発明はか−る要求に適合する装置を得ることをその目
的としたもので、イオン源に遺るイオン光学系に、所定
のイオンを選別する（ＩＭ場型その他の質量分離部を介
在させてその前方に該選別されたイオンのビームな得る
ようニシタ式のものにおいて、該イオン源に少くとも２
種類の元素のイオンを生じさせると共に該質量分１１部
を一方のイオンを選別する第１状態と、他方のイオンを
選別する第２状腺とに適宜のパルス幅に交互に切換える
ことによりその前方に該一方のイオンのビームと、該他
方のイオンのビームとを交互に切換えて得るようにして
成る。
本発明実施の１例を別紙図面に付説明する。
第１図は本発明装置な使用する牛導体ＩＩ造装置の１例
を示すもので、（１）は成長型、１２）はその内部の基
板を示し、該成長１！ １１）内は真空ポンプにより排
気されて高真空に保たれるようにした。
を示すもので、（１）は成長型、１２）はその内部の基
板を示し、該成長１！ １１）内は真空ポンプにより排
気されて高真空に保たれるようにした。
図面で（３）はその一方の蒸発源を示し、これに■族の
元素の２１１ａ％例えば、工鳳とＧ＆との各蒸気を生じ
させ、これらを該基板（２）上に夫々％峯ｍ１ｌ１着し
てこれに該元素の９に％纏蔦鵞（１極鴬〜成長被膜を作
るようにした。
元素の２１１ａ％例えば、工鳳とＧ＆との各蒸気を生じ
させ、これらを該基板（２）上に夫々％峯ｍ１ｌ１着し
てこれに該元素の９に％纏蔦鵞（１極鴬〜成長被膜を作
るようにした。
図面で（４）は該成長型（１）に用意される本発明装置
の１例のイオンビ一本発生装置を示し、該装置（４）は
例えば第２図に明示するようにイオン源（５）に連るイ
オン光学系通路（６）に、所定のイオンを選別するｍ１
ｉｉ場型の質量分離部（７）を介入させて成り、かくて
その前方には該選別されたイオンのビーム（８）が得ら
れるようにし、これを前記した被膜上に作用させて該イ
オンをこれに打込むようにしたが、この場合該イオン源
（５）には■族の元素の２種類、例えばム−とＰとの混
合蒸気を導いてこれらの各イオンを混合状態に得るよう
にし、この［１該質量分離部（７）については、これを
制御回路（９）で制御して一方のイオンを選別するｉｌ
ｌ状態と、他方のイオンを選別する第２状態とに適宜の
パルス幅をもって交互に切換制御されるようにし、かく
てその前方には該一方の例えばム１のイオンのビームと
、該他方の例えばＰのイオンビームとが交互に選択して
得られるようにした。該制御回路（９）は該分離部（７
）が偏向磁場振の場合その磁場強さを２段に切換制御し
、或は加速電圧を２段に切換制御すべきもので、その周
期は例えば１０ Ｈｚ程度とする。
の１例のイオンビ一本発生装置を示し、該装置（４）は
例えば第２図に明示するようにイオン源（５）に連るイ
オン光学系通路（６）に、所定のイオンを選別するｍ１
ｉｉ場型の質量分離部（７）を介入させて成り、かくて
その前方には該選別されたイオンのビーム（８）が得ら
れるようにし、これを前記した被膜上に作用させて該イ
オンをこれに打込むようにしたが、この場合該イオン源
（５）には■族の元素の２種類、例えばム−とＰとの混
合蒸気を導いてこれらの各イオンを混合状態に得るよう
にし、この［１該質量分離部（７）については、これを
制御回路（９）で制御して一方のイオンを選別するｉｌ
ｌ状態と、他方のイオンを選別する第２状態とに適宜の
パルス幅をもって交互に切換制御されるようにし、かく
てその前方には該一方の例えばム１のイオンのビームと
、該他方の例えばＰのイオンビームとが交互に選択して
得られるようにした。該制御回路（９）は該分離部（７
）が偏向磁場振の場合その磁場強さを２段に切換制御し
、或は加速電圧を２段に切換制御すべきもので、その周
期は例えば１０ Ｈｚ程度とする。
この状態は例えば第５図示の通りで１あり１上段に第１
状態と下段に第２状態とが示される。
状態と下段に第２状態とが示される。
かくて前記したビーム（８）は一方のイオンのビームと
、他方のイオンのビームとに交互に切換えられて前記し
た被膜内に各イオンの打込みを生じ１その内部には各元
素の打込層が夫々エビタ、キシャル成長し、これはその
ま−４元素の半導体製品となる。この場合−該製品にお
ける前記した２種類の元素即ちム１とＰとの混合比はｙ
Ｓ図の上段と下段との各パルス幅を適宜に加減して所望
のものに自在に得られる。これを更に具体的な実施例に
つき説明すれば成長１ｉ！（υ内にＧａＡｇの基板（２
）を用意し、これに対向する２つの蒸発源からＧ＆とＸ
ｎの各蒸気を作用させてこれらの混合被膜を形成させた
。これらの析出速度計は５ム／Ｓであった。この被膜が
肉厚５０１になった時ム１とＰとの各イオンビームを夫
々最高２５原子噂の濃度になる如く交互に打込した。こ
の場合その切換えは磁場強さを加減して行わせるように
した。
、他方のイオンのビームとに交互に切換えられて前記し
た被膜内に各イオンの打込みを生じ１その内部には各元
素の打込層が夫々エビタ、キシャル成長し、これはその
ま−４元素の半導体製品となる。この場合−該製品にお
ける前記した２種類の元素即ちム１とＰとの混合比はｙ
Ｓ図の上段と下段との各パルス幅を適宜に加減して所望
のものに自在に得られる。これを更に具体的な実施例に
つき説明すれば成長１ｉ！（υ内にＧａＡｇの基板（２
）を用意し、これに対向する２つの蒸発源からＧ＆とＸ
ｎの各蒸気を作用させてこれらの混合被膜を形成させた
。これらの析出速度計は５ム／Ｓであった。この被膜が
肉厚５０１になった時ム１とＰとの各イオンビームを夫
々最高２５原子噂の濃度になる如く交互に打込した。こ
の場合その切換えは磁場強さを加減して行わせるように
した。
このように本発明によるときはイオン源に少くとも２種
類のイオンを用意し、これらを質量分離部において適宜
のパルス幅に交互に選別してその前方に導かせるもので
、共通１個の装置により２種類のイオンビームを得るこ
とが出来、各別の装置を備える式のものに比し全体とし
てその構成を簡単且廉価にすることが出来、例えば５元
素或は４元素等の半導体製品、を得べく有利に使用され
得る等の効果を有する。
類のイオンを用意し、これらを質量分離部において適宜
のパルス幅に交互に選別してその前方に導かせるもので
、共通１個の装置により２種類のイオンビームを得るこ
とが出来、各別の装置を備える式のものに比し全体とし
てその構成を簡単且廉価にすることが出来、例えば５元
素或は４元素等の半導体製品、を得べく有利に使用され
得る等の効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第１ＷＡは本発明装置を備えた半導体製造手段の１例の
平面１Ｉｌ１図、１ｇ２図はその要部の截断側面１１Ｗ
Ｊｓ第５図はその切換状態の説明線図である。 （５）・・・イオン源 （６）・・・イオン光学系通路 （７）・・・質量分離部 （８）・・・イオンビーム （９）・・・制御回路 特許出願人 日本真空技術株式金社
平面１Ｉｌ１図、１ｇ２図はその要部の截断側面１１Ｗ
Ｊｓ第５図はその切換状態の説明線図である。 （５）・・・イオン源 （６）・・・イオン光学系通路 （７）・・・質量分離部 （８）・・・イオンビーム （９）・・・制御回路 特許出願人 日本真空技術株式金社
Claims (1)
- イオン源に連るイオン光学系に、所定のイオンを選別す
ｗｓｍその他の質量分離部を介在させてその前方に験遷
ｊｌされたイオンのビームを得るようにした式のものに
おいて、該イオン源に少くとも２種類の元素のイオンを
生じさせると共に該質量分離部を一方のイオンを選別す
る第１状態と、他方のイオンを選別する＄２状態とに適
宜のパルス輻に交互にｇＪ換えること（よりその前方に
鋏一方のイオンのビームと、該他方のイオンのビームと
を交互に切換えて得るようにして成るイオンビーム発生
装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP278482A JPS58121622A (ja) | 1982-01-13 | 1982-01-13 | イオンビ−ム発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP278482A JPS58121622A (ja) | 1982-01-13 | 1982-01-13 | イオンビ−ム発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58121622A true JPS58121622A (ja) | 1983-07-20 |
Family
ID=11538964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP278482A Pending JPS58121622A (ja) | 1982-01-13 | 1982-01-13 | イオンビ−ム発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58121622A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60100421A (ja) * | 1983-11-07 | 1985-06-04 | Hitachi Ltd | イオンビ−ム装置 |
| JPS60137012A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-20 | Ulvac Corp | イオンビ−ムエピタキシヤル成長装置 |
| JPS60183720A (ja) * | 1984-03-01 | 1985-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜蒸着装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54121056A (en) * | 1978-03-13 | 1979-09-19 | Nec Corp | Manufacture of binary compound semiconductor thin film |
-
1982
- 1982-01-13 JP JP278482A patent/JPS58121622A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54121056A (en) * | 1978-03-13 | 1979-09-19 | Nec Corp | Manufacture of binary compound semiconductor thin film |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60100421A (ja) * | 1983-11-07 | 1985-06-04 | Hitachi Ltd | イオンビ−ム装置 |
| JPS60137012A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-20 | Ulvac Corp | イオンビ−ムエピタキシヤル成長装置 |
| JPH0211010B2 (ja) * | 1983-12-26 | 1990-03-12 | Ulvac Corp | |
| JPS60183720A (ja) * | 1984-03-01 | 1985-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜蒸着装置 |
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