JPS60258468A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPS60258468A JPS60258468A JP11350984A JP11350984A JPS60258468A JP S60258468 A JPS60258468 A JP S60258468A JP 11350984 A JP11350984 A JP 11350984A JP 11350984 A JP11350984 A JP 11350984A JP S60258468 A JPS60258468 A JP S60258468A
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- JP
- Japan
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- ions
- ion
- base material
- thin film
- irradiation
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/221—Ion beam deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の分野）
この発明は、薄膜形成装置に関し、特に、イオン照射と
真空蒸着とを併用した薄膜形成装置に関する。
真空蒸着とを併用した薄膜形成装置に関する。
（先行技術の説明）
一般に、真空中において基月上に薄膜を形成する方法と
しては、蒸発材料を蒸発さｕで、保持された基材表面に
それを蒸着させる方法（これを真空蒸着方法と呼ぶ）や
、蒸発材料にスパッタイオンを投射し、スパッタされた
材料を基材表面に付着さける方法（これをスパッタリン
グ方法と貯ぶ）が広く使用されている。
しては、蒸発材料を蒸発さｕで、保持された基材表面に
それを蒸着させる方法（これを真空蒸着方法と呼ぶ）や
、蒸発材料にスパッタイオンを投射し、スパッタされた
材料を基材表面に付着さける方法（これをスパッタリン
グ方法と貯ぶ）が広く使用されている。
一方、基材の表層の電気的・物理的・化学的特性を改善
する方法として、高エネルギーのイオンを基材に注入す
る方法（これをイオン注入方法と呼ぶ）が広く使用され
ている。また、低エネルギ−のイオンを基材表面に照射
して基材上にイオンにより薄膜を形成する方法（イオン
・ビー・ム・デポジション方法）も最近使用されつつあ
る。
する方法として、高エネルギーのイオンを基材に注入す
る方法（これをイオン注入方法と呼ぶ）が広く使用され
ている。また、低エネルギ−のイオンを基材表面に照射
して基材上にイオンにより薄膜を形成する方法（イオン
・ビー・ム・デポジション方法）も最近使用されつつあ
る。
前記真空蒸着方法Ｊｊよびスパッタリング方法によれば
、基材に輸送できる蒸着物質の量を大きくづることがで
きるがイ」着力の強い薄膜が得られないという面がある
。これに対し、イオン注入方法およびイオン・ビーム・
デポジション方法によれば、付着ノｊの強い薄膜が得ら
れるが、基材に輸送できる物質の１ｆ１ｃよ少ないとい
う而がある。イオン・ビーム・デポジション方法によっ
て付着力の強い特性が得られる理由は、次のように考え
られる。
、基材に輸送できる蒸着物質の量を大きくづることがで
きるがイ」着力の強い薄膜が得られないという面がある
。これに対し、イオン注入方法およびイオン・ビーム・
デポジション方法によれば、付着ノｊの強い薄膜が得ら
れるが、基材に輸送できる物質の１ｆ１ｃよ少ないとい
う而がある。イオン・ビーム・デポジション方法によっ
て付着力の強い特性が得られる理由は、次のように考え
られる。
すなわち、基材にイオン照射を行うと、照射イオンの一
部は基材表面の物質を衝突によってはね飛ばすために使
われる。この時、基材表面に付着していた不純物（膜形
成に悪影響を及ぼす物質）もはね飛ばされ、基材表面の
清浄化が行われるからである。また、照射イオンの持つ
エネルギーは数ｅｖから数百ｅＶに及び、基材を構成す
る原子、分子の結合エネルギー（数ｅＶ）より大きいた
め、照射イオンは基材の表面よりも深い所にまで入り込
む。これにより、照射イオンは基材の深い位置から表面
まで分布するようになるため、基材を構成する結晶が連
続して変化させられ、丁度杭打ちのような効果が得られ
るからである。
部は基材表面の物質を衝突によってはね飛ばすために使
われる。この時、基材表面に付着していた不純物（膜形
成に悪影響を及ぼす物質）もはね飛ばされ、基材表面の
清浄化が行われるからである。また、照射イオンの持つ
エネルギーは数ｅｖから数百ｅＶに及び、基材を構成す
る原子、分子の結合エネルギー（数ｅＶ）より大きいた
め、照射イオンは基材の表面よりも深い所にまで入り込
む。これにより、照射イオンは基材の深い位置から表面
まで分布するようになるため、基材を構成する結晶が連
続して変化させられ、丁度杭打ちのような効果が得られ
るからである。
一方、イオン注入方法では、基本的には新しく薄膜を形
成覆るものではないため付着力の問題は発生しないが、
通常用いられる数ＫｅＶから数十ＫｅＶのエネルギーで
は、注入イオンが効果を発生する深さは、数白人程度と
、極めで浅い領域に限られる。但し、この程度の厚みの
薄膜を形成した基材にイオン注入を行なった場合、前記
のイオン・ビーム・デポジション方法の場合と同様に杭
打ちのような効果が得られる。
成覆るものではないため付着力の問題は発生しないが、
通常用いられる数ＫｅＶから数十ＫｅＶのエネルギーで
は、注入イオンが効果を発生する深さは、数白人程度と
、極めで浅い領域に限られる。但し、この程度の厚みの
薄膜を形成した基材にイオン注入を行なった場合、前記
のイオン・ビーム・デポジション方法の場合と同様に杭
打ちのような効果が得られる。
このようなイオン照射より生じる効果に着目して、真空
蒸着方法により蒸着薄膜を形成する際、蒸着と同時また
は交互に、質量選別したイオンを照射することにより、
イオン・ビーム・デポジション方法単独によっては不足
していた薄膜形成速度を補うことができ、かつ、付着力
特性が良い薄膜形成方法が既に提案されている。しかし
ながら、従来のこの方法では、イオン照射と真空蒸着に
より２元系の薄膜を形成することはできるが、照射イオ
ンが単一種類であるため３元系以上の複合薄膜を形成す
ることはできなかった。更に、多層薄膜を形成するため
にはイオン源物質をその都度取り替えなＩプればならず
非常に面倒であった。
蒸着方法により蒸着薄膜を形成する際、蒸着と同時また
は交互に、質量選別したイオンを照射することにより、
イオン・ビーム・デポジション方法単独によっては不足
していた薄膜形成速度を補うことができ、かつ、付着力
特性が良い薄膜形成方法が既に提案されている。しかし
ながら、従来のこの方法では、イオン照射と真空蒸着に
より２元系の薄膜を形成することはできるが、照射イオ
ンが単一種類であるため３元系以上の複合薄膜を形成す
ることはできなかった。更に、多層薄膜を形成するため
にはイオン源物質をその都度取り替えなＩプればならず
非常に面倒であった。
（発明の目的）
この発明は、３元系以上の複合薄膜を形成することがで
き、史に容易に多層薄膜を形成することができる薄膜形
成装置を提供することを目的とする。
き、史に容易に多層薄膜を形成することができる薄膜形
成装置を提供することを目的とする。
（実施例の説明）
この発明は、真空中で基材に対してイオンを照射するイ
オン照射手段と前記基材に対して蒸発物質を蒸着させる
真空蒸着手段とを備える薄膜形成装置であって、前記イ
オン照射手段は、照射に用いる複数種類のイオンを同時
に発生させかつ加速するイオン発生手段と、磁界の強さ
を調整することにより前記複数種類のイオンの内の所定
のイオンを抽出して前記基材に照射する質量分析手段と
、質量分析手段の磁界の強さを切替えることにより質量
分析手段によって抽出するイオンの種類を自動的に切替
える制御手段とを備えることを特徴とする。以下、この
発明を実施例に基づいＣ説明する。
オン照射手段と前記基材に対して蒸発物質を蒸着させる
真空蒸着手段とを備える薄膜形成装置であって、前記イ
オン照射手段は、照射に用いる複数種類のイオンを同時
に発生させかつ加速するイオン発生手段と、磁界の強さ
を調整することにより前記複数種類のイオンの内の所定
のイオンを抽出して前記基材に照射する質量分析手段と
、質量分析手段の磁界の強さを切替えることにより質量
分析手段によって抽出するイオンの種類を自動的に切替
える制御手段とを備えることを特徴とする。以下、この
発明を実施例に基づいＣ説明する。
第１図は、この発明の一実施例を示す概略図である。こ
の実施例に係る薄膜形成装置は、真空槽９中の基材８に
対してイオンを照射するイオン照射手段と、基材８に対
して蒸発物質を蒸着させる真空蒸着手段とを備える。
の実施例に係る薄膜形成装置は、真空槽９中の基材８に
対してイオンを照射するイオン照射手段と、基材８に対
して蒸発物質を蒸着させる真空蒸着手段とを備える。
イオン照射手段は、照射に用いる複数種類のイオンを同
時に発生さＵるイオン源１と、イオン源１からのイオン
ビームを加速および減速づる加速・減速電極２と、加速
・減速電極２からのイオンビームを質量分析する質量分
析電磁石３ Ｊ３よび分析スリット４と、質量分析電磁
石３へ励磁電流を供給する電［５と、電源５から供給す
る励磁電流を制御する制御回路６とを備える。
時に発生さＵるイオン源１と、イオン源１からのイオン
ビームを加速および減速づる加速・減速電極２と、加速
・減速電極２からのイオンビームを質量分析する質量分
析電磁石３ Ｊ３よび分析スリット４と、質量分析電磁
石３へ励磁電流を供給する電［５と、電源５から供給す
る励磁電流を制御する制御回路６とを備える。
イオン源１は、複数種類のイオン源物質を同時に導入す
ることができ、これにより照射に用いる複数種類のイオ
ンを同時に発生させることができる。イオン源１から複
数種類のイオン、例えばＵいに質量の異なるイオンビー
ムＢ１〜Ｂ３が加速・減速電極２により引出され、質量
分析電磁石３により所定質量のイオンビームＢ１を抽出
し、これが分析スリット４を通過して基材８に照射され
る。図中Ｂ およびＢ３は、それぞれ、所定の貿量より
も軽いイオンビーｌ＼および重いイオンビームを示す。
ることができ、これにより照射に用いる複数種類のイオ
ンを同時に発生させることができる。イオン源１から複
数種類のイオン、例えばＵいに質量の異なるイオンビー
ムＢ１〜Ｂ３が加速・減速電極２により引出され、質量
分析電磁石３により所定質量のイオンビームＢ１を抽出
し、これが分析スリット４を通過して基材８に照射され
る。図中Ｂ およびＢ３は、それぞれ、所定の貿量より
も軽いイオンビーｌ＼および重いイオンビームを示す。
基材８に照射されるイオンのエネルギーは、加速・減速
電極２により調整される。また、質量分析型１ｉ ｌｉ
３の磁界の強さを切替えることにより、即ち、電源５か
ら質量分析電磁石３に供給づる励１１電流Ｉの大きさを
制御回路６によって切替えることにより、質量分析電磁
石３によって抽出するイオンの種類を切替えることがで
きる。これによって、不要のイオン種を除去しつつ、所
望の複数種類のイオン種を順次切替えて基材８に照射す
ることができる。
電極２により調整される。また、質量分析型１ｉ ｌｉ
３の磁界の強さを切替えることにより、即ち、電源５か
ら質量分析電磁石３に供給づる励１１電流Ｉの大きさを
制御回路６によって切替えることにより、質量分析電磁
石３によって抽出するイオンの種類を切替えることがで
きる。これによって、不要のイオン種を除去しつつ、所
望の複数種類のイオン種を順次切替えて基材８に照射す
ることができる。
制御回路６の主な例としては、次の二つのものがある。
−・つは、第２図に示すように磁気レンυを用いるもの
である。即ち、質量分析電磁も３内にホール素子等の磁
気センサ６１を設けて、質量分析電磁６３の磁界の強さ
を検出し、これに対応した信号を比較回路６３に与える
。一方、基準信号発生回路６２を設けて、質量分析電磁
石３内に所定の強さの磁界を発生させるのに基準となる
信号を比較回路６３に与える。比較回路６３は、入力さ
れた両信号の比較を行い、その差が零となるように電源
５から質量分析磁石３に供給される励磁電流Ｉを制御す
る。これにより、質量分析電磁石３内の磁場の履歴を考
慮することなく、それの磁界の強さを所定のものに制御
することがぐきる。
である。即ち、質量分析電磁も３内にホール素子等の磁
気センサ６１を設けて、質量分析電磁６３の磁界の強さ
を検出し、これに対応した信号を比較回路６３に与える
。一方、基準信号発生回路６２を設けて、質量分析電磁
石３内に所定の強さの磁界を発生させるのに基準となる
信号を比較回路６３に与える。比較回路６３は、入力さ
れた両信号の比較を行い、その差が零となるように電源
５から質量分析磁石３に供給される励磁電流Ｉを制御す
る。これにより、質量分析電磁石３内の磁場の履歴を考
慮することなく、それの磁界の強さを所定のものに制御
することがぐきる。
更に第３図に示すように、基１（３号を所定のパターン
で切替えることにより、質量分析電磁石３の磁界の強さ
を切替えることができ、従って基材８に照射されるイオ
ンの種類を所定のパターンで切替えることができる。
で切替えることにより、質量分析電磁石３の磁界の強さ
を切替えることができ、従って基材８に照射されるイオ
ンの種類を所定のパターンで切替えることができる。
制御回路６のもう一つの例は、前述したような磁気セン
勺を用いないものである。即ち、マイクロコンピュータ
を用い、これに質量分析電磁ｌＪ３の励磁電流の変化に
対する磁界の強さの変化を示す履歴曲線を予め記憶さけ
ておく。そしてこの履歴曲線により、所定の磁界の強さ
に必要な励磁電流をめ、電源５を制御する。更に、プロ
グラムににり励磁電流を所定のパターンで切替えること
により、前述と同様に基材８に照射されるイオンの種類
を所定のパター・ンで切替える。
勺を用いないものである。即ち、マイクロコンピュータ
を用い、これに質量分析電磁ｌＪ３の励磁電流の変化に
対する磁界の強さの変化を示す履歴曲線を予め記憶さけ
ておく。そしてこの履歴曲線により、所定の磁界の強さ
に必要な励磁電流をめ、電源５を制御する。更に、プロ
グラムににり励磁電流を所定のパターンで切替えること
により、前述と同様に基材８に照射されるイオンの種類
を所定のパター・ンで切替える。
真空蒸着手段は、真空槽９内に設【ブられていて、蒸発
物質を基材８に向けて蒸発させる蒸発装置７を備える。
物質を基材８に向けて蒸発させる蒸発装置７を備える。
この蒸発装置７としては、抵抗加熱式蒸発源、電子ビー
ム加熱式蒸発源の他、イオンビームスパッタ蒸発源を用
いることができる。また、それらの蒸発源を併用しても
よい。
ム加熱式蒸発源の他、イオンビームスパッタ蒸発源を用
いることができる。また、それらの蒸発源を併用しても
よい。
以上のような装置椛成により、基材８に対してイオンビ
ーム照射と真空蒸着とを同時に行ってもよく、あるいは
、イオンビーム照射と真空蒸着とを交互に行ってもよい
。
ーム照射と真空蒸着とを同時に行ってもよく、あるいは
、イオンビーム照射と真空蒸着とを交互に行ってもよい
。
この場合、前述したように、イオン源１からは照射に用
いる複数種類のイオンが同時に発生されており、それら
を制御回路６によつＣ短時間（例えば、５秒以下）で切
替えＣ暴利８に照射することができるので、３元系以上
の複合薄膜を形成することができる。更に、多層薄膜を
形成する場合でもイオン源物質をその都度取り替える必
要はなく非常に容易である。
いる複数種類のイオンが同時に発生されており、それら
を制御回路６によつＣ短時間（例えば、５秒以下）で切
替えＣ暴利８に照射することができるので、３元系以上
の複合薄膜を形成することができる。更に、多層薄膜を
形成する場合でもイオン源物質をその都度取り替える必
要はなく非常に容易である。
薄膜形成時の照射イオン堡は、電流計または電流積算計
（図示省略）でモニタすることができ、真空蒸着の厚み
は膜厚計（図示省略）ぐモニタすることができる。また
、薄膜形成時におりるイオン照射量および真空蒸着膜厚
を予め設定しておき、それぞれが設定値に達するとイオ
ン照射および真空蒸着を停止させる自動操作機構を本装
圓に更に付加してもよい。
（図示省略）でモニタすることができ、真空蒸着の厚み
は膜厚計（図示省略）ぐモニタすることができる。また
、薄膜形成時におりるイオン照射量および真空蒸着膜厚
を予め設定しておき、それぞれが設定値に達するとイオ
ン照射および真空蒸着を停止させる自動操作機構を本装
圓に更に付加してもよい。
基材８へ照射されるイオン種としては、基材表面の清浄
化および付着特性改善のためには、アルゴンイオンなど
の不活性ガスイオンあるいは蒸着物質と同一種類の元素
が用いられる。化合物薄膜形成のためには、その化合物
を構成する元素のイオンが用いられる。
化および付着特性改善のためには、アルゴンイオンなど
の不活性ガスイオンあるいは蒸着物質と同一種類の元素
が用いられる。化合物薄膜形成のためには、その化合物
を構成する元素のイオンが用いられる。
最後に、本装置による薄膜形成の例を以下に示す。
Ｌｌ（ステンレス基材表面に窒化チタン薄膜を形成）
まず、イオン源でアルゴンイオンと窒素イオンを同時に
発生させる。アルゴンイオンで基材表面を清浄化した後
、質量分析電磁石により窒素イオンに切替え、同時に電
子ビーム加熱式蒸発装置より焼結体窒化チタン塊を溶融
蒸発させることにより、強固に付着した窒化チタン薄膜
を形成することができた。
発生させる。アルゴンイオンで基材表面を清浄化した後
、質量分析電磁石により窒素イオンに切替え、同時に電
子ビーム加熱式蒸発装置より焼結体窒化チタン塊を溶融
蒸発させることにより、強固に付着した窒化チタン薄膜
を形成することができた。
性λ（鉄基材表面にチタン−窒素−炭素系高硬度合金を
形成） イオン源でアルゴンイオンを発生させ、これを基材に照
射して基材表面の清浄化を行なった後、イオン源で窒素
イオンと炭素イオンとを同時に発生させ、質量分析電磁
石による切替えでこれらを交互に基材表面に照射すると
同時に、電子ビーム加熱式蒸発装置によりチタンを蒸発
させ基材にイ」ける。これにより、鉄基材上に付着力の
優れた高硬度合金を形成することができた。
形成） イオン源でアルゴンイオンを発生させ、これを基材に照
射して基材表面の清浄化を行なった後、イオン源で窒素
イオンと炭素イオンとを同時に発生させ、質量分析電磁
石による切替えでこれらを交互に基材表面に照射すると
同時に、電子ビーム加熱式蒸発装置によりチタンを蒸発
させ基材にイ」ける。これにより、鉄基材上に付着力の
優れた高硬度合金を形成することができた。
（発明の効果）
以上説明したように、この発明によれば、３元系以上の
複合薄膜を形成することができ、更に多層簿膜を容易に
形成することができる。
複合薄膜を形成することができ、更に多層簿膜を容易に
形成することができる。
第１図は、この発明の一実施例を示す概略図である。第
２図は、制御回路の−・例を示ずブ［ｌツク図である。 第３図は、基準信号と質量分析電磁もの磁界の強さの切
替を示す図である。 １・・・イオン源、３・・・質量分析電磁石、５・・・
電源、６・・・制御回路、７・・・蒸発製向、８・・・
基材、９・・・真空槽 代理人 弁理士 山本恵二 弁理士 告田茂明 弁理士 有田肖弘
２図は、制御回路の−・例を示ずブ［ｌツク図である。 第３図は、基準信号と質量分析電磁もの磁界の強さの切
替を示す図である。 １・・・イオン源、３・・・質量分析電磁石、５・・・
電源、６・・・制御回路、７・・・蒸発製向、８・・・
基材、９・・・真空槽 代理人 弁理士 山本恵二 弁理士 告田茂明 弁理士 有田肖弘
Claims (2)
- （１） 真空中で基材に対してイオンを照射するイオン
照射手段と前記基材に対して蒸発物質を蒸着させる真空
蒸着手段とを備える薄膜形成装置であって、前記イオン
照射手段【よ、 照射に用いる複数種類のイオンを同時に発生させかつ加
速するイオン発生手段と、 前記イオン発生手段によって加速されたイオンの経路上
に設けられでいて、磁界の強さを調整することにより前
記複数種類のイオンの内の所定のイオンを抽出して前記
基材に照射する質量分析手段と、 前記質量分析手段に接続されていて、質量分析手段の磁
界の強さを切替えることにより、質量分析手段によって
抽出するイオンの種類を自動的に切替える制御手段とを
備える、薄膜形成装置。 - （２） 前記制御手段は、予め定められたパターンに従
つ−（、質量分析手段によって抽出するイオンの種類を
切替える、特許請求の範囲第１項記載の薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11350984A JPS60258468A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11350984A JPS60258468A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60258468A true JPS60258468A (ja) | 1985-12-20 |
Family
ID=14614133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11350984A Pending JPS60258468A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60258468A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62255137A (ja) * | 1986-04-28 | 1987-11-06 | 日新電機株式会社 | フイルムキヤリヤ形基板とその製造方法 |
| JPH01215966A (ja) * | 1988-02-23 | 1989-08-29 | Nissin Electric Co Ltd | 高硬度ＴｉＮ膜の製造方法 |
| JPH01215965A (ja) * | 1988-02-23 | 1989-08-29 | Nissin Electric Co Ltd | ＴｉＮ膜の製造方法 |
-
1984
- 1984-06-01 JP JP11350984A patent/JPS60258468A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62255137A (ja) * | 1986-04-28 | 1987-11-06 | 日新電機株式会社 | フイルムキヤリヤ形基板とその製造方法 |
| JPH01215966A (ja) * | 1988-02-23 | 1989-08-29 | Nissin Electric Co Ltd | 高硬度ＴｉＮ膜の製造方法 |
| JPH01215965A (ja) * | 1988-02-23 | 1989-08-29 | Nissin Electric Co Ltd | ＴｉＮ膜の製造方法 |
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