JPH075435B2 - 超電導薄膜の製造方法及び装置 - Google Patents

超電導薄膜の製造方法及び装置

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JPH075435B2 JP62080027A JP8002787A JPH075435B2 JP H075435 B2 JPH075435 B2 JP H075435B2 JP 62080027 A JP62080027 A JP 62080027A JP 8002787 A JP8002787 A JP 8002787A JP H075435 B2 JPH075435 B2 JP H075435B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、種々の用途に用いられるBa1-xYxCuOy等の
超電導薄膜の製造方法及び装置に関する。
〔従来の技術〕
超電導薄膜材としては既に種々のものが知られている。
これら超電導薄膜材は、例えばジョセフソン素子等のデ
バイスその他種々の用途に用いられ、極めて重要なもの
である。
上記超電導薄膜材は一般に酸化物、炭酸塩から成り、従
来はこれら酸化物、炭酸塩の粉末を焼結あるいは加圧成
形して製造されていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、上記構成元素の酸化物は融点がいずれも
高く、薄膜成形が困難であり、このため各酸化物あるい
は炭酸塩を焼結あるいは加圧成形してそれを板状とする
のが現状であった。従ってこのような製造方法では結晶
性、密着性等に優れた超電導薄膜を得ることは困難であ
り、薄膜化技術の他の方法としてスパッタリング法、MB
E（Moleculan Beam Epitaxitial）法が検討されてい
るが、上記組成の超電導薄膜化技術としては満足すべき
ものが得られていない。
この発明は、上記のような超電導薄膜化技術の現状に鑑
みてなされたものであり、その目的は高融点の酸化物を
用いずに構成元素の金属単体から製造でき、しかもこれ
を対象物に薄膜としてコーティングしたときの密着力に
優れた超電導薄膜の製造方法及び装置を提供するにあ
る。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点を解決するための手段としてこの発明では、
圧力を少なくとも10-2torr以下に保持した真空容器で、
形成しようとする超電導薄膜の構成元素の金属をそれぞ
れ単体としてルツボに充填加熱してそのルツボから蒸発
金属をクラスタビームとして噴出させ、この噴出された
蒸発金属を電子ビームによりイオン化させ、さらにこれ
を電界により加熱して基板に射突させるとともに酸素ガ
スを基板に向け噴出させつつそれぞれの金属蒸着量が所
定のモル比となるようにルツボの加熱を制御して超電導
薄膜を形成する方法を採用したのである。
さらにこの発明では、上記製造方法を実施するための装
置として、圧力を少なくとも10-2torr以下に保持した真
空容器と、その内部に設けられ、形成使用とする超電導
薄膜の構成元素の金属をそれぞれ単体として充填した、
加熱装置を有する密閉形ルツボと、そのルツボの１つの
又は複数個のノズルからクラスタビームとして噴出され
る蒸発金属をイオン化する熱電子ビーム発生器と、イオ
ン化したクラスタビームを加速するための加速板と、こ
のイオン化した蒸気流に酸素を供給するノズル装置とを
備えた構成を採用したのである。
〔作用〕
前記ルツボにそれぞれに充填された各金属元素の単体は
ルツボの加熱装置により加熱、蒸発させる。このルツボ
における蒸発速度は、ルツボの加熱温度及びルツボのノ
ズル出口で絞られた状態でその噴出間隔を調節し、蒸発
した金属元素が基板に蒸着してできる超電導薄膜の金属
の組成比が所定のモル比、例えば超電導薄膜の金属元素
がBa、Ｙ、CuであるときはBa1-xYxCu1となるように制御
する。
ルツボからクラスタビームとして噴出された蒸気流は、
熱電子ビーム発生器により熱電子を放射されその一部が
イオン化される。
イオン化された蒸気流は、直ちに加速板により負電圧が
印加され加速される。加速電圧は印加しない場合でも安
定な蒸着速度が得られる程度の電圧を選ぶ。
こうして加速された蒸気流に対して、この蒸気流が基板
に蒸着される前にノズル装置から酸素が供給される。こ
の酸素の供給は、真空容器内の圧力が少なくとも10-2to
rr以下、特に10-3torr以下となるようにするのが好まし
い。また、このように保持された真空容器内の圧力Poに
対してルツボ内の蒸気圧Ｐは、P/Po≧102、好ましくは
≧104となるようにルツボの加熱装置による加熱温度を
制御することによって得られ、これによりルツボから噴
出する蒸気流はクラスタビームとして形成することがで
きる。
上述したファンデルワールス力によってゆるく結合した
クラスターは１価のイオンとして作用し、薄膜形成にお
いて結晶性の向上に有効となる。また、イオンは加速板
によって電界加速され、運動量が増大して基板に衝突す
るので付着力が向上する。
〔実施例〕
以下この発明による超電導薄膜の製造方法を実施する装
置について添付図を参照して詳細に説明する。
図はこの発明による超電導薄膜の製造方法を応用してBa
1-xYxCuOyの超電導薄膜を形成する装置の全体概略図で
ある。
１、２、３は原料金属であり、この実施例ではそれぞれ
Ba、Ｙ、Cuの各金属元素を粉末状、フレーク状あるいは
ペレット状としたものである。これらの各金属元素はそ
れぞれ単体で密閉形ルツボ11、12、13に充填されてい
る。この密閉形ルツボには上記各金属元素を噴射するた
めの0.5〜2.0mm程度の直径の１個または複数個のノズル
21、22、23をそれぞれ有し、このノズルには流出量調節
するためのシャッタ（図示省略）が備えられている。さ
らに上記各ルツボは各金属元素を加熱、噴射するための
加熱装置31、32、33を備えている。この加熱装置に用い
られる加熱方法としては、抵抗加熱方法あるいは電子衝
撃法のいずれかの方法は用いてもよい。
さらに、この装置は、上記ルツボから噴出した各金属元
素の蒸気流に対し熱電子を放射してその一部をイオン化
するための熱電子ビーム発生器41、42、43と、このイオ
ン化された蒸気流に負電圧を印加してこれを基板５に射
突させる加速板51、52、53を備えている。
上記加速板51、52、53により蒸気流が基板５に蒸着（ク
ラスター状の金属粒子が基板壁面に衝突してそこに積層
状に密着される）される前に、蒸気流に対して酸素を供
給するため、基板５を保持する保持部６の手前に酸素ガ
スを供給するノズル装置７が設けられている。
なお、以上の各構成部材は、図示省略したが全て真空容
器内に設けられている。また、基板材質は石英ガラス、
サファイヤ、シリコン、アルミナ又は金属酸化物のいず
れかを用いることができ、この実施例では石英ガラスを
採用した。以上のように構成したこの実施例の作用につ
いて説明する。
前記ルツボ11、12、13のそれぞれに充填されたBa、Ｙ、
Cuの各金属元素を加熱装置31、32、33により加熱し、こ
れら金属元素を蒸発させる。このルツボにおける蒸発速
度は、ルツボの加熱温度及びノズル21、22、23のシャッ
タ開閉間隔を調節し、得られる超電導薄膜の金属の組成
比がBa0.6Ｙ0.4Cu1となるように制御する。
ルツボ11、12、13から噴出された蒸気流に対して、各元
素のイオン化電流を100〜300mAとして、熱電子ビーム発
生器41、42、43により熱電子を放射し、その一部をイオ
ン化する。
次にイオン化した蒸気流を加速板51、52、53により負電
圧を印加して加速する。加速電圧は、印加しない場合即
ち0KV〜10KVで安定な蒸着速度が得られる電圧を選ぶ。
こうして加速された蒸気流が基板５に蒸着される前にノ
ズル装置７により酸素を基板５に向けて供給する。この
酸素圧力はこの実施例では５×10-4torrとした。さらに
基板５は200〜300℃に保持している。
このような状態で蒸着された超電導薄膜は1.2μｍのも
のが得られた。得られたこの薄膜はTC（臨界温度）80K
で完全な超電導を示した。
以上この実施例ではBa1-xYxCuOyの酸化物系超電導膜を
製造する場合を例として説明したが、その他の組成物例
えばBaLaCuOなどの系にもこの発明による超電動薄膜の
製造方法及び装置を適用することができることは勿論で
ある。その場合、上記実施例の金属元素Ba、Ｙはそれぞ
れ一部もしくは全部を同族の元素、例えば周期表でII a
族のBaをCa、St、Mgのいずれかに、III a族のＹをラン
タン族Ｌ、Sr、Nd、Gd、Scで置き替えることができる。
〔効果〕
以上詳述したように、この発明による超電導薄膜の製造
方法及び装置によると、高融点の酸化物を用いずに金属
単体を蒸発させ、イオン化し、加速するようにしたか
ら、得られた超電導薄膜は結晶性がよく、密着力がよ
く、従って安定した超電導薄膜が得られ、しかもTCの特
性が向上する。
【図面の簡単な説明】
図はこの発明による超電導薄膜の製造装置の全体概略図
である。 １、２、３……原料金属、５……基板、７……ノズル装
置、11、12、13……密閉形ルツボ、21、22、23……ノズ
ル、31、32、33……加熱装置、41、42、43……熱電子ビ
ーム発生器、51、52、53……加速板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｂ 12/06 7244−5Ｇ 13/00 ５６５ Ｄ 7244−5Ｇ Ｈ０１Ｌ 39/12 Ｃ 9276−4Ｍ

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】圧力を少なくとも10-2torr以下に保持した
    真空容器内で、形成しようとする超電導薄膜の構成元素
    の金属をそれぞれ単体としてルツボに充填加熱してその
    ルツボから蒸発金属をクラスタービームとして噴出さ
    せ、この噴出された蒸発金属を電子ビームによりイオン
    化させ、さらにこれを電界により加速して基板に射突さ
    せるとともに酸素ガスを基板に向け噴出させつつそれぞ
    れの金属蒸着量が所定のモル比となるようにルツボの加
    熱を制御して超電導薄膜を形成することを特徴とする超
    電導薄膜の製造方法。
  2. 【請求項２】前記超電導薄膜の構成元素としてBa、Ｙ、
    Cuを選択したことを特徴とする特許請求の範囲第１項に
    記載の超電導薄膜の製造方法。
  3. 【請求項３】前記構成元素のうちBa、Ｙをそれぞれ１部
    もしくは全部を同族の元素で置換したことを特徴とする
    特許請求の範囲第２項に記載の超電導薄膜の製造方法。
  4. 【請求項４】前記所定のモル比を、Ba、Ｙ、Cuの構成元
    素に対してそれぞれ１−ｘ、ｘ、１となるように制御し
    て蒸着させることを特徴とする特許請求の範囲第２項又
    は第３項に記載の超電導薄膜の製造方法。
  5. 【請求項５】圧力を少なくとも10-2torr以下に保持した
    真空容器と、その内部に設けられ、形成しようとする超
    電導薄膜の構成元素の金属をそれぞれ単体として充填し
    た、加熱装置を有する密閉形ルツボと、そのルツボの１
    つ又は複数個のノズルからクラスタビームとして噴出さ
    れる蒸発金属をイオン化する熱電子ビーム発生器と、イ
    オン化したクラスタビームを加速するための加速板と、
    このイオン化した蒸気流に酸素を供給するノズル装置と
    を備えたことを特徴とする超電導薄膜の製造装置。
  6. 【請求項６】前記酸素の供給を、真空容器内の圧力が少
    なくとも10-2torr以下で、特に10-3torr以下となるよう
    にすることを特徴とする特許請求の範囲第５項記載の超
    電導薄膜の製造装置。
  7. 【請求項７】前記真空容器内の圧力Poに対してルツボ内
    の蒸気圧ＰがP/Po≧102、好ましくは≧104となるように
    加熱装置により加熱温度を制御できるようにしたことを
    特徴とする特許請求の範囲第６項に記載の超電導薄膜の
    製造装置。
  8. 【請求項８】前記ルツボを超電導薄膜を構成する金属元
    素Ba、Ｙ、Cuに対応してそれぞれ設けたことを特徴とす
    る特許請求の範囲第５項乃至第７項のいずれかに記載の
    超電導薄膜の製造装置。
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EP88105180A EP0285999B2 (en) 1987-03-31 1988-03-30 A production method of superconductive thin film and a device thereof
DE8888105180T DE3864056D1 (de) 1987-03-31 1988-03-30 Verfahren zur herstellung eines supraleitenden duennen films und vorrichtung hierfuer.
US07/598,754 US5079224A (en) 1987-03-31 1990-10-15 Production method of superconductive thin film and a device thereof
SG111093A SG111093G (en) 1987-03-31 1993-10-02 A production method of superconductive thin film and a device thereof
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5175140A (en) * 1987-03-19 1992-12-29 Sumitomo Electric Industries, Ltd. High Tc superconducting material
US4861750A (en) * 1987-04-20 1989-08-29 Nissin Electric Co., Ltd. Process for producing superconducting thin film
EP0630422B1 (en) * 1992-03-13 1996-05-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Process for producing thin films of inorganic oxides of controlled stoichiometry
CA2093729C (en) * 1992-04-10 2001-01-02 Takao Nakamura Process for preparing superconducting thin film formed of oxide superconductor material
DE69422666T2 (de) * 1993-07-02 2000-07-27 Sumitomo Electric Industries Verfahren zur Herstellung eines hochkristallinen, dünnen SrTiO3 Oxidfilms
GB9323033D0 (en) * 1993-11-09 1994-01-05 Gen Vacuum Equip Ltd Evaporator for vacuum web coating
JP3768547B2 (ja) * 1993-12-17 2006-04-19 キヤノン株式会社 両面成膜方法
US6370405B1 (en) 1997-07-29 2002-04-09 American Superconductor Corporation Fine uniform filament superconductors
US6007880A (en) * 1998-07-17 1999-12-28 United Technologies Corporation Method for generating a ceramic coating
JP3910466B2 (ja) * 2002-02-26 2007-04-25 独立行政法人科学技術振興機構 半導体又は絶縁体／金属・層状複合クラスタの作製方法及び製造装置
JP4181332B2 (ja) * 2002-03-26 2008-11-12 松下電器産業株式会社 薄膜の製造方法及び製造装置
KR100772014B1 (ko) * 2006-07-14 2007-10-31 한국전기연구원 보조 클러스트빔 분사에 의한 고온 초전도막 제조방법,제조장치, 이 방법에 의해 제조되는 고온 초전도막

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3326718A (en) * 1963-12-30 1967-06-20 Hughes Aircraft Co Method for making an electrical capacitor
US3549416A (en) * 1965-06-01 1970-12-22 Gulf Energy & Environ Systems Process for forming superconductive materials
JPS5399762A (en) * 1977-02-12 1978-08-31 Futaba Denshi Kogyo Kk Device for producing compound semiconductor film
US4129166A (en) * 1977-07-18 1978-12-12 General Electric Company Nb3 Ge superconductive films grown with air
JPS581186B2 (ja) * 1977-12-13 1983-01-10 双葉電子工業株式会社 イオンプレ−テイング装置
US4197573A (en) * 1978-07-17 1980-04-08 Thatch Stephen M Size adjustable drop light construction
US4258091A (en) * 1979-02-06 1981-03-24 Dudko Daniil A Method for coating
JPS61238958A (ja) * 1985-04-15 1986-10-24 Hitachi Ltd 複合薄膜形成法及び装置
US4793908A (en) * 1986-12-29 1988-12-27 Rockwell International Corporation Multiple ion source method and apparatus for fabricating multilayer optical films
US4861750A (en) * 1987-04-20 1989-08-29 Nissin Electric Co., Ltd. Process for producing superconducting thin film
KR910007382B1 (ko) * 1987-08-07 1991-09-25 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 초전도 재료 및 초전도 박막의 제조방법
US4882023A (en) * 1988-03-14 1989-11-21 Motorola, Inc. Method and system for producing thin films

Also Published As

Publication number Publication date
JPS63245828A (ja) 1988-10-12
DE3864056D1 (de) 1991-09-12
EP0285999B2 (en) 1999-06-16
EP0285999B1 (en) 1991-08-07
EP0285999A1 (en) 1988-10-12
US5079224A (en) 1992-01-07
HK120493A (en) 1993-11-12
CA1287527C (en) 1991-08-13

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