JPH04124261A - 化合物薄膜製造装置 - Google Patents
化合物薄膜製造装置Info
- Publication number
- JPH04124261A JPH04124261A JP2243787A JP24378790A JPH04124261A JP H04124261 A JPH04124261 A JP H04124261A JP 2243787 A JP2243787 A JP 2243787A JP 24378790 A JP24378790 A JP 24378790A JP H04124261 A JPH04124261 A JP H04124261A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- evaporating
- thin film
- crucible
- evaporation
- ionization
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 11
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 66
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 52
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［ａ業上の利用分野］
本発明は、複数の金属元素を含む化合物薄膜の製造装置
に関するものである。
に関するものである。
［従来の技術］
近年、ＹＩＢａ２ Ｃｕ３０ｔ−６（ｏ＜δ＜ ０．５
）等の高温超伝導体、Ｂ１４ＴｉｓＯ＋ｚ等の強誘電体
、ＩＴＯ等の透明導電体、ＰＺＴ等の圧電体等、複数の
金属元素を含む、＃！能性化合物が注目を集めており、
その素子化のための薄膜形成法が検討されている。
）等の高温超伝導体、Ｂ１４ＴｉｓＯ＋ｚ等の強誘電体
、ＩＴＯ等の透明導電体、ＰＺＴ等の圧電体等、複数の
金属元素を含む、＃！能性化合物が注目を集めており、
その素子化のための薄膜形成法が検討されている。
薄膜形成法としては、スパッタ法、ＣＶＤ法、レーザー
アブレーション等と共に、特に良質な薄膜を形成する方
法として、真空蒸着法及びそのバリエーションとしての
クラスター・イオンビーム蒸着法、イオンブレーティン
グ、ＭＢＥ法、反応性蒸着法等が用いられている。これ
らの真空蒸着法及びそのバリエーションに属する方法で
、複数の金属元素を含む機能性化合物を成膜するために
は、以下のような装置が用いられていた。
アブレーション等と共に、特に良質な薄膜を形成する方
法として、真空蒸着法及びそのバリエーションとしての
クラスター・イオンビーム蒸着法、イオンブレーティン
グ、ＭＢＥ法、反応性蒸着法等が用いられている。これ
らの真空蒸着法及びそのバリエーションに属する方法で
、複数の金属元素を含む機能性化合物を成膜するために
は、以下のような装置が用いられていた。
■ １つのるつぼに、複数の金属元素を混合した合金、
又は化合物を混合したものを充てんして、１つの蒸発源
より複数の金属元素を同時に混合して蒸発させる１元蒸
着装置、 ■ 複数の金属元素を、各々独立の蒸発源から蒸発させ
る多元蒸着装置、 ■ 上記■、■を適宜組み合わせた装置［発明が解決し
ようとする課題］ しかしながら、上記従来例の、１元蒸着装置及び多元蒸
着装置には、以下の様な問題点かあフた。
又は化合物を混合したものを充てんして、１つの蒸発源
より複数の金属元素を同時に混合して蒸発させる１元蒸
着装置、 ■ 複数の金属元素を、各々独立の蒸発源から蒸発させ
る多元蒸着装置、 ■ 上記■、■を適宜組み合わせた装置［発明が解決し
ようとする課題］ しかしながら、上記従来例の、１元蒸着装置及び多元蒸
着装置には、以下の様な問題点かあフた。
■ １元蒸着装置では、１つのるつぼに混合して充てん
した、各々蒸気圧の異なる複数の金属又は化合物を同時
に蒸発させるために、成膜した薄膜の深さ方向に大きな
組成分布を示す。−例として第４図に、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ
−０を成膜する際に、ＢａＣＯ３とＣｕＯを混合して１
つの蒸発源から蒸着した場合の、ＢａとＣｕの深さ方向
の組成分布を示す。
した、各々蒸気圧の異なる複数の金属又は化合物を同時
に蒸発させるために、成膜した薄膜の深さ方向に大きな
組成分布を示す。−例として第４図に、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ
−０を成膜する際に、ＢａＣＯ３とＣｕＯを混合して１
つの蒸発源から蒸着した場合の、ＢａとＣｕの深さ方向
の組成分布を示す。
■ 多元蒸着装置では、複数の蒸発源からの蒸発レート
を各々独立に制御する必要があり、得られた膜組成の再
現性が良くない。ざらにクラスター・イオンビーム蒸着
法として蒸発物質のイオン化、加速を行う装置とすると
、複数の蒸発源で別々にイオン化、加速を行うため、蒸
発物質の付着による汚れなどによる実効的なイオン化条
件の変動率が各蒸発源毎に大きく異なり、イオン化条件
の制御が困難で、再現性はさらに悪化する。
を各々独立に制御する必要があり、得られた膜組成の再
現性が良くない。ざらにクラスター・イオンビーム蒸着
法として蒸発物質のイオン化、加速を行う装置とすると
、複数の蒸発源で別々にイオン化、加速を行うため、蒸
発物質の付着による汚れなどによる実効的なイオン化条
件の変動率が各蒸発源毎に大きく異なり、イオン化条件
の制御が困難で、再現性はさらに悪化する。
［課題を解決するための手段及び作用］本発明において
は、るつぼ内に各々独立した開口部を有する複数個の蒸
発室を持つことを特徴とする化合物薄膜の製造装置とす
ることで、前述の問題点を解決することができる。
は、るつぼ内に各々独立した開口部を有する複数個の蒸
発室を持つことを特徴とする化合物薄膜の製造装置とす
ることで、前述の問題点を解決することができる。
本発明の装置を第１図を用いて説明する。第１図（ａ）
に、本発明の装置の蒸発源部の断面図を、第１図（ｂ）
にその上面図を示す。本発明においては、るつぼを第１
蒸発室１と、第２蒸発室２に分け、るつぼ全体をヒータ
ー３で加熱することで、各々の蒸発室に充てんした蒸発
物質を、いずれも上方を向いた各蒸発室の開口部４，５
より同時に噴出させることによって、単一の蒸発源より
複数の金属元素あるいは金属化合物を各々一定の速度で
蒸発させることができるようにしたものである。さらに
本発明においては、開口部４．５にノズルを設け、その
ｄ／λを適当に選ぶことで、組成の制御性を更に向上さ
せることができると共に、蒸発物質をクラスター化する
こともできる。
に、本発明の装置の蒸発源部の断面図を、第１図（ｂ）
にその上面図を示す。本発明においては、るつぼを第１
蒸発室１と、第２蒸発室２に分け、るつぼ全体をヒータ
ー３で加熱することで、各々の蒸発室に充てんした蒸発
物質を、いずれも上方を向いた各蒸発室の開口部４，５
より同時に噴出させることによって、単一の蒸発源より
複数の金属元素あるいは金属化合物を各々一定の速度で
蒸発させることができるようにしたものである。さらに
本発明においては、開口部４．５にノズルを設け、その
ｄ／λを適当に選ぶことで、組成の制御性を更に向上さ
せることができると共に、蒸発物質をクラスター化する
こともできる。
更に本発明においては蒸発物質のイオン化、加速を行う
場合でも複数の蒸発物質に対して、１ケ所で同時にイオ
ン化、加速を行うことができる。
場合でも複数の蒸発物質に対して、１ケ所で同時にイオ
ン化、加速を行うことができる。
本発明においては、るつぼの材質は、蒸発源との組み合
わせで相性の良いものを適当に選ぶことができ、第１蒸
発室１と第２蒸発室２に充てんする蒸発物質の組み合わ
せによって、３４１蒸発室１と第２蒸発Ｎ２を同一の材
質で構成することが困難な場合は、各々別の材料を用い
て構成することができる。また、各蒸発室に充てんする
蒸発物質の蒸気圧が異る場合、るつぼ内での各蒸発室の
位置を適当に選んで構成することで、各蒸発物質問に適
当な温度分布を持たせて、各蒸発物質の蒸発速度を制御
することもできる。
わせで相性の良いものを適当に選ぶことができ、第１蒸
発室１と第２蒸発室２に充てんする蒸発物質の組み合わ
せによって、３４１蒸発室１と第２蒸発Ｎ２を同一の材
質で構成することが困難な場合は、各々別の材料を用い
て構成することができる。また、各蒸発室に充てんする
蒸発物質の蒸気圧が異る場合、るつぼ内での各蒸発室の
位置を適当に選んで構成することで、各蒸発物質問に適
当な温度分布を持たせて、各蒸発物質の蒸発速度を制御
することもできる。
本発明においては、各蒸発室、及びその開口部の大きさ
、数、方向、形状は任意に選ぶことができる。
、数、方向、形状は任意に選ぶことができる。
［実施例］
［実施例１コ
本発明の第１の実施例の装置の概略を第１図に示す。図
中１は第１蒸発室、２は第２蒸発室、３は抵抗加熱用ヒ
ーター、４は第１蒸発室の開口部、５は第２蒸発室の開
口部、６はるつぼの支持棒である。
中１は第１蒸発室、２は第２蒸発室、３は抵抗加熱用ヒ
ーター、４は第１蒸発室の開口部、５は第２蒸発室の開
口部、６はるつぼの支持棒である。
るつぼは、全体をＷで作製し、ヒーター３、支持棒６は
Ｃで作製した。尚、図では省略しているが、開口部４．
５から２５ｃｍの距離に基板を置き、さらに装置全体を
排気し、基板付近にはｏ２ガスを吹きつけることができ
るようにした。
Ｃで作製した。尚、図では省略しているが、開口部４．
５から２５ｃｍの距離に基板を置き、さらに装置全体を
排気し、基板付近にはｏ２ガスを吹きつけることができ
るようにした。
この装置の第１蒸発室１にＢａＯを、第２蒸発室２にＴ
ｉＯ２を各々充てんし、基板温度を６００℃とし、基板
付近に３Ｘ１０−’Ｔｏｒｒの０２ガスを吹きつけなが
ら蒸着を行ったところ、強認電性を示すペロブスカイト
型化合物であるＢａＴｉ０．の良質なｆｉｇが、再現性
良く得られた。この薄膜の深さ方向の組成分布をＳＩＭ
Ｓを用いて分析したところ、非常に平坦な組成分布であ
ることがわかった。
ｉＯ２を各々充てんし、基板温度を６００℃とし、基板
付近に３Ｘ１０−’Ｔｏｒｒの０２ガスを吹きつけなが
ら蒸着を行ったところ、強認電性を示すペロブスカイト
型化合物であるＢａＴｉ０．の良質なｆｉｇが、再現性
良く得られた。この薄膜の深さ方向の組成分布をＳＩＭ
Ｓを用いて分析したところ、非常に平坦な組成分布であ
ることがわかった。
［実施例２］
本発明の第２の実施例の装置の概略図を第２図（ａ）〜
（ｃ）に示す。１は第１蒸発室、２は第２蒸発室、３は
抵抗加熱用ヒーター、４は第１蒸発室１の開口部、５は
第２蒸発室２の開口部、６はるつぼの支持棒である。本
実施例では、開口部４及び５をノズル状とし、蒸気圧の
大きく異なる蒸発物質を用いた場合でも、組成の制御を
正確に行えるようにしたと同時に、蒸発物質をクラスタ
ー化できるようにした。また、第２図（Ｃ）に示すよう
に、開口部４及び５の上部に、電子線放出フィラメント
７、電子引き出し用グリッド８、加速電極９を設け、イ
オン化、加速を行えるようにした。尚、イオン化電流は
最大３００ ｍＡ、加速電圧は最大５ＫＶまで印加でき
るようにした。
（ｃ）に示す。１は第１蒸発室、２は第２蒸発室、３は
抵抗加熱用ヒーター、４は第１蒸発室１の開口部、５は
第２蒸発室２の開口部、６はるつぼの支持棒である。本
実施例では、開口部４及び５をノズル状とし、蒸気圧の
大きく異なる蒸発物質を用いた場合でも、組成の制御を
正確に行えるようにしたと同時に、蒸発物質をクラスタ
ー化できるようにした。また、第２図（Ｃ）に示すよう
に、開口部４及び５の上部に、電子線放出フィラメント
７、電子引き出し用グリッド８、加速電極９を設け、イ
オン化、加速を行えるようにした。尚、イオン化電流は
最大３００ ｍＡ、加速電圧は最大５ＫＶまで印加でき
るようにした。
また、本実施例では、るつぼは全体をＷで作製し、ヒー
ター３、支持棒６はＣで作製した。
ター３、支持棒６はＣで作製した。
尚、図では省略しているが、開口部４及び５から２５ｃ
ｍの距離に基板を置き、さらに装置全体を排気し、基板
付近には０２ガスを吹きつけることができるようにした
。
ｍの距離に基板を置き、さらに装置全体を排気し、基板
付近には０２ガスを吹きつけることができるようにした
。
この装置を用いて、Ｂ ｉ −Ｔ ｉ −０薄膜を作成
した例について述べる。この装置の第１蒸発室１ニＴ
ｉ Ｏ２を、Ｎ２蒸発室２にＢｉを各々充てんし、基板
温度を３００ｔとし、基板付近に３×１０”′４Ｔｏｒ
ｒのｏ２ガスを吹きつけながら蒸着を行った。
した例について述べる。この装置の第１蒸発室１ニＴ
ｉ Ｏ２を、Ｎ２蒸発室２にＢｉを各々充てんし、基板
温度を３００ｔとし、基板付近に３×１０”′４Ｔｏｒ
ｒのｏ２ガスを吹きつけながら蒸着を行った。
このような成膜条件で開口部４のノズルをノズル径ｄ＝
０．８ｍｍ、ノズル長さｌ１＝１． ５ｍｍ、開口部５
のノズルをノズル径ｄ＝１．５ｍｍ、ノズル長さＪｌ＝
１．５ｍｍとして蒸着を行うと、Ｂｉ＋ｚＴｉＯｚ。薄
膜がエピタキシャル成長した。ざらに、開口部４及び５
のノズルをいずれもノズル径ｄ＝１．５ｍｍ、ノズル長
さ孟＝１．５ｍｍとして蒸着を行うと、Ｂｆ４Ｔｉ３０
１２薄膜がエピタキシャル成長した。いずれの場合もノ
ズルの個数は、開口部４が４個、開口部５が１個であり
、イオン化電流Ｉ １ ＝１５０ ｍ Ａ ％加速電圧
Ｖａ＝５ＫＶとしてイオン化、加速を行った。膜質の再
現性は非常に良好であり、これらいずれの薄膜において
も、蒸気圧の大きく異なる蒸発物質を用いたにもかかわ
らず、薄膜の深さ方向の組成分布は非常に平坦であった
。
０．８ｍｍ、ノズル長さｌ１＝１． ５ｍｍ、開口部５
のノズルをノズル径ｄ＝１．５ｍｍ、ノズル長さＪｌ＝
１．５ｍｍとして蒸着を行うと、Ｂｉ＋ｚＴｉＯｚ。薄
膜がエピタキシャル成長した。ざらに、開口部４及び５
のノズルをいずれもノズル径ｄ＝１．５ｍｍ、ノズル長
さ孟＝１．５ｍｍとして蒸着を行うと、Ｂｆ４Ｔｉ３０
１２薄膜がエピタキシャル成長した。いずれの場合もノ
ズルの個数は、開口部４が４個、開口部５が１個であり
、イオン化電流Ｉ １ ＝１５０ ｍ Ａ ％加速電圧
Ｖａ＝５ＫＶとしてイオン化、加速を行った。膜質の再
現性は非常に良好であり、これらいずれの薄膜において
も、蒸気圧の大きく異なる蒸発物質を用いたにもかかわ
らず、薄膜の深さ方向の組成分布は非常に平坦であった
。
［実施例３］
本発明の第３の実施例の装置の概略図を第３図（ａ）〜
（ｃ）に示す。本実施例においては、第１蒸発室１をＣ
，第２蒸発室２をＷと、異った材料で構成し、さらに開
口部４のみをノズル状としている。また実施例２と同様
に、イオン化、加速を行えるようにした。尚、実施例２
と同様に図では省略しているが、開口部４及び５から２
５ｃｍの距離に基板を置き、さらに装置全体を排気し、
基板付近には０２ガスを吹きつけることができるように
した。また、更に図では省略しているが、第３図で示し
た蒸発源とは別に、電子ビームによる蒸発源を１個設け
た。
（ｃ）に示す。本実施例においては、第１蒸発室１をＣ
，第２蒸発室２をＷと、異った材料で構成し、さらに開
口部４のみをノズル状としている。また実施例２と同様
に、イオン化、加速を行えるようにした。尚、実施例２
と同様に図では省略しているが、開口部４及び５から２
５ｃｍの距離に基板を置き、さらに装置全体を排気し、
基板付近には０２ガスを吹きつけることができるように
した。また、更に図では省略しているが、第３図で示し
た蒸発源とは別に、電子ビームによる蒸発源を１個設け
た。
この装置を用いて、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０薄膜を作成した
例について述べる。開口部４のノズルは、ノズル径ｄ＝
１ｍｍ、ノズル長さｆＬ−１，５ｍｍとして、４個設け
た。この装置の、第１蒸発室１にはＣｕを、第２蒸発室
２にはＢａＯを、さらに図示していない電子ビームによ
る蒸発源にはＹを各々充てんし、基板温度を４００ｔと
し、基板付近に、３ｘｔｏ−”ｒｏｒｒの０２ガスを吹
きつけながら蒸着を行った。尚、イオン化電流Ｉｉ＝２
００ｍＡ、加速電圧Ｖａ＝３ＫＶとして、イオン化、加
速を行った。
例について述べる。開口部４のノズルは、ノズル径ｄ＝
１ｍｍ、ノズル長さｆＬ−１，５ｍｍとして、４個設け
た。この装置の、第１蒸発室１にはＣｕを、第２蒸発室
２にはＢａＯを、さらに図示していない電子ビームによ
る蒸発源にはＹを各々充てんし、基板温度を４００ｔと
し、基板付近に、３ｘｔｏ−”ｒｏｒｒの０２ガスを吹
きつけながら蒸着を行った。尚、イオン化電流Ｉｉ＝２
００ｍＡ、加速電圧Ｖａ＝３ＫＶとして、イオン化、加
速を行った。
このようにして作成したＹ、Ｂａ、Ｃｕ５０７−１５（
０＜δ＜０．５）薄膜は、Ｔｃ＝８５に、Ｊｃ＝５ｘ
１０’ Ａ／Ｃｍ” （７７Ｋ）と、良好な超伝導特
性が、極めて再現性良く得られ、薄膜の深さ方向の組成
分布は非常に平坦であった。
０＜δ＜０．５）薄膜は、Ｔｃ＝８５に、Ｊｃ＝５ｘ
１０’ Ａ／Ｃｍ” （７７Ｋ）と、良好な超伝導特
性が、極めて再現性良く得られ、薄膜の深さ方向の組成
分布は非常に平坦であった。
［発明の効果］
本発明の装置によれば、複数の金属元素を含む化合物薄
膜を、深さ方向に均一な組成分布をもち、かつ良好な特
性で成膜することができる。また、本発明の装置によれ
ば、複数の金属元素を１個の蒸発源より蒸発させること
ができるため、装置構成が単純となり、安定性が向上し
、薄膜の特性の再現性が向上する。さらに、クラスター
イオンビーム蒸着法として、蒸発物質のイオン化。
膜を、深さ方向に均一な組成分布をもち、かつ良好な特
性で成膜することができる。また、本発明の装置によれ
ば、複数の金属元素を１個の蒸発源より蒸発させること
ができるため、装置構成が単純となり、安定性が向上し
、薄膜の特性の再現性が向上する。さらに、クラスター
イオンビーム蒸着法として、蒸発物質のイオン化。
加速を行う場合でも、複数の蒸発物質に対して１ケ所で
同時にイオン化、加速を行えるため、安定性が向上し、
薄膜の特性の再現性が向上する。
同時にイオン化、加速を行えるため、安定性が向上し、
薄膜の特性の再現性が向上する。
第１図は、本発明の第１の実施例を示す概略図で、第１
図（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図である。 第２図は、本発明の第２の実施例を示す概略図で、第２
図（ａ）はるつぼヒータ一部の断面図、（ｂ）はるつぼ
ヒータ一部の上面図、（Ｃ）はイオン化、加速部まで含
めた全体図である。 第３図は、本発明の第３の実施例を示す概略図で、第３
図（ａ）はるつぼヒータ一部の断面図、（ｂ）はるつぼ
ヒータ一部の上面図、（Ｃ）はイオン化、加速部まで含
めた全体図である。 第４図は、従来例の一元蒸着法における薄膜の深さ方向
の組成分布を示す一例である。 第１蒸発室 ２．第２蒸発室 抵抗加熱ヒーター 第１蒸発室の開口部 第２蒸発室の開口部 るつぼの支持棒 電子線放出フィラメント 電子引籾出し用グリッド 加速電極
図（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図である。 第２図は、本発明の第２の実施例を示す概略図で、第２
図（ａ）はるつぼヒータ一部の断面図、（ｂ）はるつぼ
ヒータ一部の上面図、（Ｃ）はイオン化、加速部まで含
めた全体図である。 第３図は、本発明の第３の実施例を示す概略図で、第３
図（ａ）はるつぼヒータ一部の断面図、（ｂ）はるつぼ
ヒータ一部の上面図、（Ｃ）はイオン化、加速部まで含
めた全体図である。 第４図は、従来例の一元蒸着法における薄膜の深さ方向
の組成分布を示す一例である。 第１蒸発室 ２．第２蒸発室 抵抗加熱ヒーター 第１蒸発室の開口部 第２蒸発室の開口部 るつぼの支持棒 電子線放出フィラメント 電子引籾出し用グリッド 加速電極
Claims (3)
- １．るつぼ内に、各々独立した開口部を有する複数個の
蒸発室を持つことを特徴とする、化合物薄膜製造装置。 - ２．各蒸発室の開口部の一部又は全部をノズル状とした
ことを特徴とする、特許請求の範囲第１項記載の化合物
薄膜製造装置。 - ３．蒸発室開口部の上部に蒸発物質のイオン化加速を行
う手段を備えたことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の化合物薄膜製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2243787A JPH04124261A (ja) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | 化合物薄膜製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2243787A JPH04124261A (ja) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | 化合物薄膜製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04124261A true JPH04124261A (ja) | 1992-04-24 |
Family
ID=17108957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2243787A Pending JPH04124261A (ja) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | 化合物薄膜製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04124261A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8051371B2 (en) | 2004-10-25 | 2011-11-01 | Nec Corporation | Document analysis system and document adaptation system |
-
1990
- 1990-09-17 JP JP2243787A patent/JPH04124261A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8051371B2 (en) | 2004-10-25 | 2011-11-01 | Nec Corporation | Document analysis system and document adaptation system |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5344352A (en) | Method of manufacturing a pointed electrode, and device for using said method | |
| US4082636A (en) | Ion plating method | |
| KR890004447A (ko) | 초전도 재료 및 초전도박막의 제조방법 | |
| DE2807803A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von aus verbindungen bestehenden duennschichten | |
| JPS581186B2 (ja) | イオンプレ−テイング装置 | |
| EP0285999A1 (en) | A production method of superconductive thin film and a device thereof | |
| JPH04124261A (ja) | 化合物薄膜製造装置 | |
| JPH0372067A (ja) | 複数の蒸発ルツボを備えたアーク放電型蒸発器 | |
| JPH04124262A (ja) | 化合物薄膜製造装置 | |
| JPS584920A (ja) | 半導体の製造方法 | |
| JPS63114966A (ja) | 薄膜製造装置 | |
| JPH01290758A (ja) | 酸化物薄膜の製造方法 | |
| JPH01115014A (ja) | 超電導薄膜の製造方法 | |
| JPS59217332A (ja) | 二酸化硅素膜の製造方法 | |
| JP3187043B2 (ja) | 物理蒸着法による酸化物超電導導体の製造方法 | |
| JP2736062B2 (ja) | 酸化物超電導体薄膜の製造方法 | |
| JPH0753638B2 (ja) | 超電導薄膜の形成方法 | |
| JPS59134821A (ja) | 薄膜の製造方法及び製造装置 | |
| JPH0778000B2 (ja) | 酸化物超電導薄膜の製造方法 | |
| JP3169278B2 (ja) | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
| JPH01240649A (ja) | 超伝導体薄膜の製造方法 | |
| JPH0459605A (ja) | 超電導体薄膜の製造方法 | |
| JPH01222046A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP2774541B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0387364A (ja) | 薄膜形成方法およびその装置 |