DE2522921A1 - Molekularstrahl-epitaxie - Google Patents
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Description
DR. BERG DIPL.-iNÜ. STAPF
DIPL.-ING. SCHWABE DR. DR. SANDMAIR 9 C O O Q O
PATENTANWÄLTE
8 MÜNCHEN 86, POSTFACH 8602 45
Anwaltsakte 26 094 23. M/W 1975
Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. Osaka / Japan
Molekularstrahl-Epitaxie
Die Erfindung betrifft eine Molekularstrahl-Epitaxie zum Aufwachsen dünner epitaxialer Schichten aus chemischen
Halbleiterverbindungen und deren Mischkristallen,
Es ist ein Molekularstrahl-Epitaxieverfahren bekannt,
bei welchem ein erster Molekularstrahl oder Strahlen der Verbindungselemente bzw. Komponenten der geforderten
Schicht auf ein Trägermaterial bzw. ein Substrat (im folgenden wird nur noch von Substrat gesprochen)
gerichtet sind, welches auf eine vorbestimmte Temperatur vorerwärmt und auf einem unter dem atmosphärischen
Druck liegenden Druck gehalten ist. Dieses Verfahren
- 2 VII/XX/ha
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987043 Telegramme: BERGSTAPFPATENT München Hypo-Bank München 3892623
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ist zum Aufwachsen von dünnen epitaxialen Schichten von Verbindungen
der Gruppen III und V, sogenannter III-V-Halblei terverbindungen
und deren Mischkristallen verwendet worden. Im allgemeinen sind die III-Halbleiterverbindungen Al, Ga
und In und die V-Halbleiterverbindungen P, As und Sb.
Im Unterschied zu den im Gleichgewicht befindlichen flüssigen und Gasphasen-Epitaxieverfahren ist das Molekularstrahl-Epitaxieverfahren
ein nicht im Gleichgewicht liegendes in stabiles Epitaxieverfahren , so daß die Kristall-Aufwachsgeschwindigkeit
bzw. die -Wachstumsrate unabhängig von der Substrattemperatur ist. Infolgedessen werden vorzugsweise
Elemente der Gruppe III und der Gruppe V mit einem verhältnismäßig niedrigen Dampfdruck zum Aufwachsen einer dünnen
epitaxialen Schicht auf einem Ga-Substrat verwendet, dessen Haftkoeffizient beinahe eins ist. Die Elemente der Gruppe IV,
deren Haftkoeffizient ebenfalls beinahe eins ist und deren
Dampfdruck verhältnismäßig niedrig ist, können ohne weiteres unabhängig von der Oberflächenstruktur der aufzuwachsenden
Schicht dotiert werden. Das heißt, Si und Sn sind n-leiten- de Dotierungsmittel, während Ge ein amphoterisch.es Do tie rungsmittel
ist. Wenn Ge bei dem epitaxialen Molekularstrahl-Wachsen
hinzugefügt wird, bei welchem die Oberflächenstruktur
hinsichtlich As stabilisiert ist, ist Ge ein η-leitendes Dotierungsmittel; bei einem epitaxialen Molekularstrahl-Wachsen, um eine Ga-stabilisierte Oberflächenstruktur zu erhalten,
wird Ge ein p-leitendes Dotierungsmittel.
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Während des epitaxialen An- oder Aufwachsens ist die Oberflächenstruktur
eine Funktion der Substrattemperatur und des Intensitätsverhältnisses des Molekularstrahls von Elementen
der Gruppe III zu dem Molekularstrahl von Elementen der Gruppe V.
Bei dem üblichen, herkömmlichen Molekularstrahl-Epitaxieverfahren zum Aufwachsen einer GaAs-Schicht werden Ga- und As-Molekularstrahlen
auf die atomarpaubere Oberfläche eines Substrats gerichtet, das auf eine vorbestimmte Temperatur
vorerwärmt und auf einem unter dem atmosphärischen Druck liegenden Druck gehalten ist. Beinahe alle Ga-Atome, welche
einen niedrigen Dampfdruck besitzen, haften an dem Substrat (da der Haftkoeffizient 1 ist). Während mit Ga kombiniertes
bzw. verbundenes As an der Substratoberfläche haften kann,
wird das nicht mit Ga kombinierte bzw. verbundene As von dem Substrat reflektiert bzw. abgewiesen . Wenn daher das Verhältnis
der Intensität des As-Molekularstrahls zu der des Ga-Molekularstrahls höher als eins ist, dann wird das stöchiometrische
Kristallwachsen bewirkt. Da das Substrat auf einem unter dem atmosphärischen Druck liegenden Druck gehalten und
erwärmt wird, wird es verdampft, jedoch infolge d«r Verdampfung des Substrats können die Wirkungen falsch eingeschätzt
werden, wenn die Menge bzw. Anzahl der auf die Substratoberfläche auftreffenden Atome größer als die Verdampfung ist.
Infolgedessen ist im Unterschied zum epitaxialen, flüssigen und Gasphasen-Wachsen die Kristall-Wachstumsrate von der
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Substrattemperatur und von der Anzahl der auf die Substratoberfläche
auftreffenden Ga-Atome unabhängig. Das epitaxiale
Wachsen einer GaAs-Schicht kann weitergehen, wenn die Sub strattemperatur
in dem Bereich zwischen 450 C und 65O C gehalten
wird.
Die Oberflächenstruktur ist eine Funktion von zwei Parame tern,
(l) des Verhältnisses (C=I /I) der Intensität I^ des
As2-Molekularstrahls zu der Intensität I2 des Ga-Molekularstrahls
und (2) der Substrattermperatur (Ts). Wenn die Substrattemperatur (Ts) gesenkt wird, wenn das Intensitätsverhältnis
(C) auf einem konstanten Wert gehalten wird, dann
ist die Substratstruktur bzw. -oberfläche hinsichtlich des
As stabilisiert. Wenn andererseits die Substrattemperatur
(Ts) erhöht wird, ist die Substratoberfläche hinsichtlich
des Ga stabilisiert. Wenn das Intensitätsverhältnis (C) erhöht wird, wenn die Substrattemperatur (Ts) auf einem vorbestimmten Wert gehalten wird, dann ist die Substratoberfläche hinsichtlich des As stabilisiert. Wenn sich das Intensitätsverhältnis (C) eins nähert, dann ist die Substratoberfläche hinsichtlich des Ga stabilisiert. Freie Ga-Atome sind sehr
wenige an der hinsichtlich As stabilisierten Oberfläche vorhanden, welche im wesentlichen mit As-Atomen bedeckt ist.
Die hinsichtlich Ga stabilisierte Oberfläche ist dann im
wesentlichen mit Ga-Atomen bedeckt. Die vorerwähnte Tatsache, daß die Oberflächenstruktur entsprechend der Substrattemperaturänderung geändert werden kann, zeigt, daß die thermische
ist die Substratstruktur bzw. -oberfläche hinsichtlich des
As stabilisiert. Wenn andererseits die Substrattemperatur
(Ts) erhöht wird, ist die Substratoberfläche hinsichtlich
des Ga stabilisiert. Wenn das Intensitätsverhältnis (C) erhöht wird, wenn die Substrattemperatur (Ts) auf einem vorbestimmten Wert gehalten wird, dann ist die Substratoberfläche hinsichtlich des As stabilisiert. Wenn sich das Intensitätsverhältnis (C) eins nähert, dann ist die Substratoberfläche hinsichtlich des Ga stabilisiert. Freie Ga-Atome sind sehr
wenige an der hinsichtlich As stabilisierten Oberfläche vorhanden, welche im wesentlichen mit As-Atomen bedeckt ist.
Die hinsichtlich Ga stabilisierte Oberfläche ist dann im
wesentlichen mit Ga-Atomen bedeckt. Die vorerwähnte Tatsache, daß die Oberflächenstruktur entsprechend der Substrattemperaturänderung geändert werden kann, zeigt, daß die thermische
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Verbindung von As- und Ga-Atomen auf der äußersten Oberfläche
des Substrats nicht ausreichend stabilisiert ist, so daß As-Atome immer von der hinsichtlich As stabilisierten Oberfläche
emittiert bzw. abgegeben und mit dem As-Molekularstrahl, welcher auf die Substratoberfläche aufgetroffen ist, ausge tauscht
werden.
Bei der Herstellung von Halbleitern ist es wesentlich, bei den Verbindungshalbleiter-Kristallschichten die Dotierungskonzentration
oder den Leitfähigkeitstyp und bei den Schichten aus Mischkristallen die Zusammensetzung des Mischkristalls
zu steuern. In der US-PS 3 76l 310 sind mittels des
Molekularstrahlverfahrens Germanium dotierte, epitaxiale Schichten offenbart, wobei durch Steuern der zwei Parameter,
nämlich des Molekularstrahl-Intensitätsverhältnisses (C) und der Substrattemperatur (Ts) es möglich ist, eine einzige Dotierquelle
zu verwenden, um sowohl eine n- als auch eine ρ -Leitfähigkeit in einander abwechselnden, benachbarten
Schichten zu schaffen, ohne daß das System abgeschaltet werden muß. Jedoch können entweder eine n- oder eine p-Leitfähigkeit
nur in Richtung der Stärke der dünnen epitaxialen Schicht geschaffen werden; jedoch weist eine Kristallebene
immer dieselbe Leitfähigkeit auf. Mit anderen Worten die Kristallstruktur kann nur in Richtung der Schichtstärke geändert
werden und bleibt dieselbe in derselben Kristallebene. Infolgedessen ist es gemäß diesem Verfahren möglich, nur
zwei dimensionale Halbleiter herzustellen.
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Bei dem herkömmlichen selektiven Aufwachsverfahren unter Anwendung
der Lithographietechniken ist der Verfahrensschritt zum Abdecken der Substratoberfläche für selektives, epitaxiales
Aufwachsen verschieden von dem Verfahrensschritt des
epitaxialen Aufwachsens. Infolgedessen sind die selektiven epitaxialen Aufwachsverfahren sehr kompliziert und weisen
den Nachteil auf, daß die Komponenten des Photolacks oder der Abdeckschicht in der epitaxialen Schicht gelöst werden,
welche eine andere Zusammensetzung aufweist, so daß die epitaxiale
Schicht verschmutzt wird. Infolgedessen wachsen die epitaxialen Schichten nur an vorher ausgewählten Flächenbereichen,
so daß zwischen den epitaxialen Schichten und den während des epitaxialen Aufwachsens abgedeckten Flächenbereichen
bestimmte Verfahrensschritte durchgeführt werden. Es ist daher äußerst schwierig, mehrschichtige Halbleiter
herzustellen.
Bei den herkömmlichen Molekularstrahl-Epitaxieverfahren werden
die Substrattemperatur und/oder das Intensitätsverhältnis während des epitaxialen Aufwachsens geändert, so daß die Zusammensetzung
des Mischkristalls in Richtung des Kristallaufwachsens, jedoch nicht in derselben Ebene geändert werden
kann.
Gemäß der Erfindung soll daher eine Molekularstrahl-Epitaxie bzw. ein Epitaxieverfahren geschaffen werden, bei welchem
eine ebene Verbindungshalblexterschicht gleichzeitig mit
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derselben Geschwindigkeit über einer Kristallebene aufwachsen kann, wenn die vorher ausgewählte Zone oder die Zonen,
geändert werden, damit sie eine Leitfähigkeit aufweisen, welche
der des übrigen Bereichs entgegengesetzt ist. Ferner soll eine Molekularstrahl-Epitaxie geschaffen werden, bei welcher
Kristallschichten auf der Kristall-Substratoberfläche mit derselben Geschwindigkeit sowohl in den vorher ausgewählten
Zonen als auch in der Restzone aufgewachsen sind, so daß mehrschichtige Halbleiter mit einer ebenen Oberfläche hergestellt
werden können.
Ferner soll eine Molekularstrahl-Epitaxie zum Aufwachsen der Schichten von Mischkristallen aus Halbleiterverbindungen geschaffen
werden, bei welcher die vorher ausgewählte Zone oder die Zonen einem konzentrierten Energiebeschuß, bei spielsweise
mit Elektronen- oder Laserstrahlen ausgesetzt werden, wobei die vorher ausgewählten Zonen die Zusammensetzungen
aufweisen können, welche sich von denen des Restbe reichs unterscheiden, welcher keinem Beschüß mit Elektronenoder
Laserstrahlen ausgesetzt worden ist.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsfor<m der Erfindung sind die Substrattemperatur (Ts) und das Molekularstrahl-Intensität
sverhältnis (C) so gewählt, daß die Oberflächenstruktur
hinsichtlich des Elements der Gruppe V während des epitaxialen Aufwachsens der Schichten aus Elementen der Gruppe III
und der Gruppe V, der sogenannten III-V Elemente, stabili -
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siert ist, und daß der Molekularstrahl eines araopheteren Dotierungsmittels
auf die Substratoberfläche gerichtet wird, so daß der Kristall mit einer n-Leitfähigkeit aufwachsen
kann. Gleichzeitig wird die vorher ausgewählte Zone dem konzentrierten Energiebeschuß, beispielsweise mittels Elektronen-
und Laserstrahlen ausgesetzt, um die Oberflächenstruktur
an der Oberfläche, struktur zu ändern, welche hinsieht lieh
des Elementes der Gruppe V stabilisiert ist. Infolgedessen ist das amophetere Dotierungsmittel ein n-leitendes
Dotierungsmittel an der hinsichtlich des Elementes der Gruppe V stabilisierten Oberflächensturktur, welche nicht dem
Elektronen- oder Laserstrahlbeschuß ausgesetzt ist; es ist jedoch ein p-leitendes Dotierungsmittel an der Oberflächenstruktur,
welche hinsichtlich des Elements der Gruppe III stabilisiert und dem Elektronen- oder Laserstrahlbeschuß
ausgesetzt ist. Zusätzlich zu den Molekularstrahlen aus Elementen der Gruppe III und der Gruppe V, der sogenannten III-V-Elemente,
wird ein zusätzlicher Molekularstrahl, welcher ein Dotiermittel der Gruppe IV, ein sogenanntes IV-Dotiermittel
aufweist, gleichzeitig auf die Substratoberfläche gerichtet,
wenn der vorher ausgewählte Bereich dem Elektronenoder Laserstrahlbeschuß ausgesetzt ist, und das Intensitätsverhältnis (C) der Molekularstrahlen aus Elementen der Gruppe
III und der Gruppe V, der sogenannten III-V-Molekularstrahlen,
wird entsprechend gesteuert, so daß die voher ausgewählte Zone die Leitfähigkeit aufweisen kann, welcher der des
übrigen Bereichs entgegengesetzt ist.
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Gemäß der Erfindung wird somit mit einem Molekularstrahl-Epitaxieverfahren,
wenn epitaxiale Schichten der III-V-Halb-1exterverbindungen
oder Mischkristalle hieraus an einer Kristall-Substratoberfläche aufwachsen, um durch das Molekularstrahl-Epitaxieverfahren
eine hinsichtlich des Elements der Gruppe V stabilisierte Oberflächenstruktur zu erhalten, eine
ausgewählte Stelle oder eine ausgewählte Zone auf der Sub stratoberflache
örtlich auf eine Temperatur, welche höher als die Substrattemperatur ist, mittels konzentrierter Energie,
beispielsweise mittels eines Elektronen- oder Laserstrahls^ erhitzt. Die ausgewählte, dem Beschüß durch einen Elektro nen-
oder Laserstrahl ausgesetzte Stelle oder diese Zone wird dann η-leitend, während der übrige Bereich p-leitend
ist. Bei einer epitaxialen Schicht eines Mischkristalls weist
die ausgewählte Stelle oder die Zone, welche dem Beschüß durch einen Elektronen- oder Laserstrahl ausgesetzt sind,
einen Komponentenzusammensetzung auf, welche sich von der des übrigen Bereichs unterscheidet. Hierdurch wird es möglich,
eine Stelle oder eine Zone mit der entgegengesetzten Leitfähigkeit, einer n-Leitfähigkeit oder einer Zusammensetzung
auszuwählen, welche sich von der des übrigen Bereichs unterscheidet, und um gleichzeitig eine derartige Stelle oder
eine derartige Zone zu bilden, wenn der übrige Bereich der epitaxialen Schicht aufwächst.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand von bevorzugten Aus führungsformen
unter Bezugnahme auf die anliegenden Zeichnun-
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gen im einzelnen erläutert. Es zeigen:
Fig.l eine schaubildliche Darstellung einer Einrichtung
zur Durchführung des Molekularstrahl-Epitaxieverfahrens gemäß der Erfindung;
Fig. 2 eine schematische, perspektivische Darstellung eines Substrats, auf dessen Oberfläche epitaxial
Schichten aufgewachsen sind, wobei die Darstellung zur Erläuterung einer Ausführungsform der Erfin dung
verwendet ist;
Fig.3 in vergrößertem Maßstab eine Schnittansicht durch
die Fig.2;
Fig.4 eine schaubildliche Darstellung einer weiteren Ausführungsform
zur Durchführung des Molekularstrahl-Epitaxieverfahrens
gemäß der Erfindung; und
Fig. 5 eine schematische Darstellung, anhand welcher ein
weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung erläutert wird.
In den Figuren sind die gleichen bzw. einander entsprechende Teile mit denselben Bezugszeichen bezeichnet.
In Fig.l ist eine schaubildliche Darstellung einer Einrich-
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tung zur Durchführung des Molekularstrahl-Epitaxieverfahrens
gemäß der Erfindung dargestellt. Hierbei weist die Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens folgende Einrichtungen
auf: eine Vakuumkammer 1, welche auf eine Temperatur in der Größenordnung von etwa 350 C erhitzt wird, um die Gase aus
ihrer Innenwand zu entfernen, und welche dann auf ein sehr hohes Vakuum in der Größenordnung von 10 Torr gebracht
wird; ein Substrat 2,auf dessen Hauptoberfläche eine epitaxiale
Schicht aufwächst, und welche an einem Halter 3 angebracht ist, der innen eine Heizeinrichtung zum Vorerwärmen des Substrats
2 auf eine vorbestimmte Temperatur aufweist; eine Art von außerhalb der Kammer 1 betätigbarer. Revolverkopf 4,
um das Substrat 2 in die Stellung für das epitaxiale Aufwachsen und in die Stellung zu bringen, in welcher das Substrat
eingebracht bzw. herausgenommen werden kann; eine Ionenzerstäubungseinrichtung 5 zur Schaffung der atomar reinen Aufwachsoberfläche
des Substrats 2; ein Vierpol-Massenspektrometer
6 zum Überwachen der von den Molekularstrahlkanonen oder Quellen 7a oder 7b abgegebenen Molekularstrahlen und
zum Analysieren der Restgase; Molekularstrahlkanonen 7a und
7b in Form von Knudsen-Elementen, welche die geforderten Kristallkomponenten aufweisen und unabhängig voneinander erwärmt
werden, um die Molekularstrahlen mit der geforderten Intensität zu erzeugen; ein Gefäß bzw. eine Abschirmung 8,
welche flüssigen Stickstoff enthält, welches nicht nur zum Aufnehmen und Absorbieren von unerwünschten Molekülen durch
Abkühlung, sondern auch dazu verwendet wird, die Abnahme des
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Vakuums in der Vakuumkammer 1 zu verhindern, wenn die Molekularstrahlquellen
7a und 7b erwärmt sind; eine Elektronenkanone
9» um den energiereichen oder Elektronenstrahl auf eine vorher ausgewählte Stelle oder Zone auf der Substratoberfläche
zu konzentrieren, um diese dann auf eine höhere Temperatur als den übrigen Bereich zu erwärmen. Der von der
Elektronenkanone 9 abgegebene Elektronenstrahl ist unter einem rechten Winkel auf die ausgewählte Stelle oder Zone
gerichtet, wodurch die hinsichtlich des Elementes der Gruppe V stabilisierte Oberflächenstruktur während des epitaxtalen
Schichtaufwachsens in eine hinsichtlich des Elementes
Gruppe III stabilisierte Oberflächenstruktur geändert werden kann. Ferner ist noch ein Sekundärelektronen-Vervielfacher
zum Fühlen der Stelle oder Zone vorgesehen, welche dem Elektronenstrahlbeschuß ausgesetzt ist, wobei die durch den
Elektronenstrahlbeschuß abgegebenen Sekundärelektronen ge fühlt
werden. Eine energiereiche Elektronenkanone 11 ist vorgesehen, um den Elektronenstrdi1 unter einem kleinen Einfallswinkel
auf die Oberfläche des Substrats 2 zu richten, so daß die Oberflächenstruktur anhand desBildes beobachtet
werden kann, das durch die gebeugten Elektroden auf einem Leuchtschirm 12 geschaffen wird. Schließlich ist noch ein
zylindrischer Spiegel-Elektronenanalysator 13 zum Überwa chen der Verschmutzung der Substratoberfläche und ein Verschluß
Ik für den Molekularstrahl vorgesehen.
Zusätzlich zu den vorbeschriebenen Einrichtungen weist die
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in Fig.l dargestellte Einrichtung noch eine nicht dargestellte
Elektronenstrahl-Steuereinrichtung, um nicht nur die Elektronenstrahlablenkung,
sondern auch dessen Intensität zu steuern, und eine (ebenfalls nicht dargestellte) Anzeigeeinrichtung
auf, um nicht nur die dem Elektronenstrahlbeschuß ausgesetzte Stelle oder Zone, sondern auch deren Intensität
wiederzugeben und anzuzeigen. Die letzterwähnte Steuerschaltung weist eine Kathodenstrahlröhre auf und lenkt deren Elektrodenstrahl
synchron mit dem Elektrodenstrahl-Ablenksignal ab, welches in der ersterwähnten Steuerschaltung erzeugt
wird, und moduliert die Elektronenstrahlintensität in der Kathodenstrahlröhre entsprechend dem Ausgang von dem Sekundärelektronen-Vervielfacher
10, wodurch ein eins-eins-Verhältnis zwischen der dem Elektronenbeschuß ausgesetzten
Stelle des Substrats 2 und dem Lichtfleck auf dem Schirmträger der Kathodenstrahlröhre und zwischen der Intensität des
Elektronenstrahlbeschusses und der des Lichtflecks auf dem Schirmträger der Kathodenstrahlröhre gebildet werden kann.
Nachstehend wird nunmehr ein Beispiel für das Aufwachsen einer amphoteren IV-Verunreinigung bzw. Störstelle oder einer
mit Ga-As dotierten Ge epitaxialen Schicht auf einer Haupt fläche eines entlang der (001)-Ebene durchgeschnittenen Ga-As-Substrats
beschrieben.
Als erstes wurde hierzu, wie in Fig.2 dargestellt, ein rechteckiges
Ga-As-Substrat vorbereitet, welches entlang der (001)-
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Ebene geschnitten ist, welche in den 110- und 110-Richtungen
ausgerichtet ist. Die Oberfläche des Substrats 2 wurde mit Oiamantpaste poliert und dann mit einer Brom-Methanol-Lösung
geätzt, bevor das Substratplättchen 2 an dem Revolverkopf 4
angebracht wurde. Hierauf wurde Ge in die Molekularstrahlkanone "]&. und GaAs in die Kanone 7b gefüllt. Nachdem die Vakuumkammer
zur Desorption etwa zehn Stunden lang erhitzt worden war, wurde die Kammer 1 auf ein sehr hohes Vakuum in der Größenordnung
von 10" Torr gebracht. Die Oberfläche des Sub strats wurde dann für einen Ätzvorgang auf 63O C erhitzt und
wurde dann mit der Ionenzerstäubungseinrichtung 5 besprüht. Ob die Substratoberfläche atomar rein war oder nicht, wurde
dann mittels des Auger-Analysators 13 festgestellt.
Danach wurde das Substratplättchen 2 auf 530 C erhitzt, und
es wurde dann flüssiger Stickstoff in das Gefäß bzw. die Abschirmung 8 eingebracht. Nachdem die GaAs-Molekularstrahlquelle
oder -kanone 7a auf 83O C und die Ge-Molekularstrahlquelle
oder -kanone 7b auf 78O C erhitzt war, wurde der Verschluß
l4 geöffnet, um die Malekularstrahlen auf das Substrat
2 zum Aufwachsen einer ersten epitaxialen Schicht 20 zu richten. Zum Aufwachsen einer zweiten epitaxialen Schicht 21 unter
denselben Bedingungen wurde mittels des Elektronenstrahls 30 mit einer Geschwindigkeit von 3^eV und mit einem Durchmesser
von etwa 200,uin in der (HO-) Richtung eine vorher ausgewählte
Stelle oder Zone 22 abgetastet. Die dem Elektronenstrahl beschuß
ausgesetzte, vorher ausgewählte Stelle oder Zone wur-
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de p-leitend, während der übrige Bereich 21, der nicht dem
Elektronenstrahlbeschuß ausgesetzt war, η-leitend wurde. In diesem Beispiel wurde nur eine Elektronenkanone für eine
fortlaufende Abstrahlung des Elektronenstrahls verwendet; selbstverständlich können jedoch auch eine Anzahl Elektronenkanonen
verwendet werden, um eine Anzahl Stellen oder Zonen gleichzeitig zu bombardieren und dies kann auch mit impulsförmigen
Elektronenstrahlbeschüssen erreicht werden.
Bei dem Beispiel ist somit, wie in Fig.3 dargestellt, die
erste η-leitende epitaxiale Schicht 20 auf dem Substrat 2 unter den vorbeschriebenen Bedingungen aufgewachsen, und danach
ist dann die zweite η-leitende Schicht 21 unter den gleichen Bedingungen aufgewachsen, wobei mittels des Elektronenstrahls
gleichzeitig die geforderte Zone 22 beschossen worden ist. Nur die vorher ausgewählte Zone 22 wird auf eine höhere Temperatur
erhitzt und wird dadurch p-leitend. In ähnlicher Weise können aufeinander eine Anzahl epitaxialer Schichten auf wachsen.
Gemäß der Erfindung kann eine epitaxiale Schicht einer bestimmten Leitfähigkeit und mit einer gleichmäßigen Stärke
zusammen mit vorher ausgewählten Stellen oder Zonen der entgegengesetzten Leitfähigkeit aufwachsen und es können ferner
nacheinander eine Anzahl epitaxialer Schichten übereinander auf der Substratoberfläche aufwachsen. Dps heißtfdurch ein
einziges Verfahren kann eine epitaxiale Schicht der einen
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Leitfähigkeit zusammen mit einer oder einer Anzahl vorher
ausgewählter Stellen oder Zonen des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps
aufwachsen. Die Stellen oder Zonen der ent gegengesetzten Leitfähigkeit können frei gewählt werden, so
daß die dreidimensionalen Halbleiter frei bemessen und hergestellt werden können.
Die zweite, in Fig.k dargestellte Ausführungsform weist im
wesentlichen den in Fig.l dargestellten Aufbau auf, außer daß statt des Elektronenstrahls ein Laserstrahl auf die Substratoberfläche
gerichtet wird. In dieser Ausführungsförm wird der von einem Argonlaser 15 abgegebene Laserstrahl 16
mittels eines Spiegels 17 durch einen Laserstrahldurchgang 19 auf die Substratoberfläche gerichtet, um eine bestimmte
Stelle örtlich zu erwärmen. In dieser Einrichtung wächst die erste η-leitende Schicht 20 auf dem Substrat 2 unter denselben
Bedingungen wie die bei dem in Verbindung mit der in Fig, 1 dargestellten Einrichtung beschriebenen Beispiel; danach
wächst die zweite η-leitende epitaxiale Schicht 21 unter denselben Bedingungen bei einem Beschüß in der (110)-Richtung
durch den Laserstrahl 16 auf. Die dem Laserstrahlbeschuß
ausgesetzte Stelle oder Zone wird dann p-leitend.
Anhand von Fig.5 wird ein Beispiel zum Ändern des Verhältnisses
zwischen den III-V-Verbindungen bei Verwendung der in
Fig.l dargestellten Einrichtung beschrieben. Bei den epitaxialen Aufwachsen des Mischkristalls GaAs P1 mittels der
Ji X ^ Ji
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GaP- und GaAs-Molekularstrahlen ist es bekannt, daß die folgende
Beziehung einzuhalten ist:
ι - χ
wobei k/l-x gleich dem Verhältnis As zu Pn in der epitaxialen
Schicht, P. /P13 das Verhältnis der Intensität des As0-
AS2 F2 2
Molekülarstrahls zu der Intensität des P0-Molekularstrahls
ist und K = k,2 ist.
Versuche haben gezeigt, daß die Substratoberfläche bezüglich
des Elements der Gruppe V stabilisiert ist, wenn die epitaxialen Schichten unter den vorbeschriebenen Bedingungen aufgewachsen
sind. Wenn jedoch der Ga-Molekularstrahl zusätzlich
verwendet wurde, wurde die Proportionalitätskonstante K verkleinert. Insbesondere wurden die Temperatur des Substrats
und die Intensität der III-V-Molekularstrahlen so festgelegt,
daß das Substrat bezüglich des Elements der Gruppe V stabilisiert,
war. Danach wurde die geforderte Stelle oder Zone auf der Substratoberfläche dem Elektronenbeschuß ausgesetzt, so
daß sie bezüglich des Elements der Gruppe III stabilisiert wir de. Das Verhältnis (x) der hinsichtlich des Elements der
Gruppe V stabilisierten, epitaxialen Schicht unterscheidet sich von dem Verhältnis der bezüglich des Elements der Gruppe III
stabilisierten, epitaxialen Schicht. Dies ist im einzelnen in Verbindung mit dem Aufwachsen der epitaxialen Schicht aus
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GaAs P1 auf der (OOl)-Oberflache des GaAs-Substrats beschrieben.
Wie in Fig.5 dargestellt, wurde ein rechteckiges GaAs-Substratplättchen
vorbereitet, welches entlang der (001)-Ebene geschnitten worden ist, wobei die Schnittflächen in den (110)·
und den (110)-Richtungen verlaufen. Die Substratoberfläche
wurde mit Diamantpaste poliert, mit einer Brom-Methanol-Lösung geätzt und dann an dem Revolverkopf k angebracht. Hierauf
wurde GaP in die Molekularstrahlkanone 7a und GaAs in die
Kanone 7b gefüllt. Die in Fig.1 dargestellte Vakuumkammer 1
wurde auf ein entsprechendes Vakuum gebracht und dann zehn Stunden lang erhitzt, um Gase zu beseitigen. Danach wurde die
Substraoberflache einer Argonbesprühung ausgesetzt, und die
Vakuumkammer 1 wurde auf ein hohes Vakuum gebracht. Das Substrat 2 wurde dann zum Ätzen seiner Oberfläche auf 630 C gebracht.
Danach wurde die Substratoberfläche mittels der Ionenzerstäubungseinrichtung
5 einer Ionenätzung ausgesetzt. Die atomar reine Substratoberfläche wurde dann mittels des Analysators
13 bestätigt. Das Substrat 2 wurde dann auf 63O C
gehalten und es wurde flüssiger Stickstoff eingebracht. Die GaAs-Molekularstrahlkanone wurde auf 83O C und die GaP-MoIekularStrahlkanone
auf 800°C erhitzt. Der Verschluß Ik wurde dann geöffnet, um die GaAs- und die GaP- Molekularstrahlen
auf die Substratoberfläche zu richten, damit eine epitaxiale Schicht kO aufwächst. Danach wurden die GaAs- und Ga-P3-MoIekularstrahlen
gleichzeitig auf die Substratoberfläche gerich-
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tet, wenn mittels des Elektronenstrahls mit einer Geschwindigkeit von 3keV und einem Durchmesser von etwa 200 ,um eine
ausgewählte Stelle k2 in der (110)-Richtung beschossen wurde.
Die dem Elektronenstrahlbeschuß ausgesetzte Stelle oder Zone enthielt mehr P als die Zone, welche dem Elektronenstrahlbeschuß
nicht ausgesetzt war. In diesem Beispiel wurde der Elektronenstrahl
30 getastet,· selbstverständlich kann aber auch die Elektronenstrahlkanone so angeordnet sein, daß nur eine
ausgewählte feste Stelle beschossen wird, und es können auch impulsförmige Elektronenstrahlbeschüsse vorgesehen sein. Zusätzlich
zu den Ga-As- und Ga-P-Molekularstrahlen wurde ein
Al-Molekularstrahl zum Aufwachsen der epitaxialen Schicht von vier Elementen verwendet. Die Ga-As- und Ga-P-MolekularstrahL-kanonen
wurden auf die vorbeschriebenen Temperaturen erwärmt, und eine Al-MolekularStrahlkanone wurde auf 96O C erwärmt.
/Gruppe
Die hinsichtlich des Elements der V stabilisierte Substratoberfläche
wurde dann dadurch erhalten. Wenn die Elektronenstrahlintensität so gesteuert wurde, daß die hinsichtlich des
Elements der Gruppe III stabilisierte Oberfläche erhalten wurde, dann wurde festgestellt, daß der Gehalt an P in der
dem Elektronenstrahlbeschuß ausgesetzten Zone größer ist als der Gehalt der Zone, welche dem Elektronenstrahlbeschuß nicht
ausgesetzt war.
Wie vorbeschrieben, können gemäß der Erfindung durch eine epitaxiales
Aufwachsen epitaxiale Schichten mit einer Zone oder einer Anzahl Zonen mit verschiednen Zusammensetzungsverhält-
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nissen aufwachsen, und die Zone oder die Zonen mit verschiedenen Zusammensetzungsverhältnissen können frei in dem dreidimensionalen
Raum gewählt werden. Bei den herkömmlichen lithographischen Verfahren, bei welchen eine Schicht nur in
einer vorher ausgewählten zweidimensionalen Zone aufwächst, wird die Schichtoberfläche unvermeidlich abgestuft. Bei dem
erfindungsgemäßen Verfahren kann jedoch eine epitaxiale
Schicht mit ebener Oberfläche aufwachsen, und es kann eine mehrlagige epitaxiale Schicht erhalten werden, in welcher eine
oder eine Anzahl epitaxialer Schichten mit verschiedenen Zusammensetzungsverhältnissen
an irgendwelchen geforderten Stellen und in einer geforderten Stärke frei aufwachsen können.
Infolgedessen können dreidimensionale Halbleiter geplant und hergestellt werden, so daß hierdurch neue und verbesserte
elektronische Einrichtungen geschaffen werden können.
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Claims (12)
- Patentansprüche{ 1.j Molekularstrahl-Epitaxie, dadurch gekennzeichnet, daß auf eine Hauptoberfläche eines KristallsubstratSj welches im Vakuum auf eine vorbestimmte Temperatur erwärmt ist, ein erster Molekularstrahl, welcher Elemente aufweist, die eine Verbindungshalbleiterschicht bilden, und ein zweiter Molekularstrahl gerichtet werden, welcher ein Dotierelement aufweist, wobei eine ausgewählte Zone der einen Hauptebene des Substrats durch die konzentrierte Energie erhitzt wird, wodurch die ausgewählte Zone eine Leitfähigkeit haben kann, welche der des übrigen Bereichs entgegengesetzt ist.
- 2. Molekularstrahl-Epitaxie nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindungshalbleiterschicht eine III-V-Halbleiterschicht aufweist.
- 3. Molekularstrahl-Epitaxie nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dall die Elemente, welche die Verbindungshalbleiterschicht bilden, 6a und As sind.
- 4. Molekularstrahl-Epitaxie nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Kristallsubstrat ein 6a-As-Kristallsubstrat aufweist.- 22 -509848/0877
- 5· Molekularstrahl-Epitaxie nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet» daß die konzentrierte Energie ein Elektronenstrahl ist.
- 6. Molekularstrahl-Epitaxie nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die konzentrierte Energie ein Laserstrahl ist.
- 7. Molekularstrahl-Epitaxie nach Anspruch 1, dadurch g e kennz ei chn e t, daß die ausgewählte Zone p-leitend ist, während der übrige Bereich η-leitend ist.
- 8. Molekularstrahl-Epitaxie nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Dotierelement Ge ist.
- 9. Molekularstrahl-Epitaxie, insbesondere nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf eine Hauptfläche eines Kristallsubstrats, welches auf eine vorbestimmte Temperatur vorerwärmt ist, eine Anzahl Molekularstrahlen gerichtet werden, welche eine Anzahl Elemente aufweisen, um eine Verbindungshalbleiter-Mischkristallschicht zu bilden, während eine vorher ausgewählte Zone einer Hauptfläche mittels konzentrierter Energie erwärmt wird, wodurch die vorher ausgewählte Zone eine Mischkristallzusanunensetzung aufweist, welche von der des übrigen Bereichs verschieden ist.
- 10.Molekularstrahl-Epitaxie nach Anspruch 9» dadurch g e -- 23 -60984Θ/0877k e η η ζ eichnet, daß die chemische, halbleitende Mischkristallschicht eine chemische, halbleitende III-V-Mischkristallschicht aufweist.
- 11. Molekularstrahl-Epitaxie nach Anspruch 9i dadurch gekennzeichnet, daß die chemische Halbleiterschicht GaAs P. aufweist, und daß die Größe χ in der vorher ausgewählten Zone kleiner als die Größe χ in dem übrigen Bereich ist.
- 12. Molekularstrahl-Epitaxie nach Anspruch 9i dadurch gekennzeichnet, daß das Kristallsubstrat ein GaAs-Kristallsubstret aufweist.13· Molekularstrahl-Epitaxie nach Anspruch 9» dadurch g ekennzeichnet, daß die konzentrierte Energie ein Elektronenstrahl ist.1^. Molekularstrahl-Epitaxie nach Anspruch 9i dadurch gekennzeichnet, daß die konzentrierte Energie ein Laserstrahl ist.509848/0877
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5859374A JPS5516451B2 (de) | 1974-05-23 | 1974-05-23 | |
JP6529974A JPS5516452B2 (de) | 1974-06-07 | 1974-06-07 | |
JP6530074A JPS55901B2 (de) | 1974-06-07 | 1974-06-07 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2522921A1 true DE2522921A1 (de) | 1975-11-27 |
DE2522921B2 DE2522921B2 (de) | 1979-06-07 |
DE2522921C3 DE2522921C3 (de) | 1983-12-15 |
Family
ID=27296632
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2522921A Expired DE2522921C3 (de) | 1974-05-23 | 1975-05-23 | Verfahren zur epitaktischen Abscheidung dotierter III-V-Verbindungshalbleiter-Schichten |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
CA (1) | CA1011885A (de) |
DE (1) | DE2522921C3 (de) |
FR (1) | FR2272488B1 (de) |
GB (1) | GB1515571A (de) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3126050A1 (de) * | 1981-07-02 | 1983-01-13 | Hanno Prof. Dr. 2000 Hamburg Schaumburg | Verfahren zur erzeugung monokristalliner oder grobpolykristalliner schichten |
JPH0669025B2 (ja) * | 1984-12-07 | 1994-08-31 | シャープ株式会社 | 半導体結晶成長装置 |
JPS61177366A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-09 | Sharp Corp | 超微粒子分散基板の製造装置 |
JPS62222633A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-09-30 | Sharp Corp | 半導体素子の製造方法 |
GB2204066A (en) * | 1987-04-06 | 1988-11-02 | Philips Electronic Associated | A method for manufacturing a semiconductor device having a layered structure |
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CN111415858A (zh) * | 2020-03-12 | 2020-07-14 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | AlN或AlGaN薄膜材料的制备方法及应用 |
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