JPH03209738A - プローブカード - Google Patents

プローブカード

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JPH03209738A
JPH03209738A JP2004880A JP488090A JPH03209738A JP H03209738 A JPH03209738 A JP H03209738A JP 2004880 A JP2004880 A JP 2004880A JP 488090 A JP488090 A JP 488090A JP H03209738 A JPH03209738 A JP H03209738A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe
probe pin
tip
contact
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP2004880A
Other languages
English (en)
Inventor
Satoru Yamashita
山下 知
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2004880A priority Critical patent/JPH03209738A/ja
Publication of JPH03209738A publication Critical patent/JPH03209738A/ja
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  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、プローブカードに関する。
(従来の技術) ICチップやLSIチップ等の半導体素子の製造工程に
おいては、一般に半導体ウェハに多数のチップが形成さ
れた段階で電気的な試験測定が行われている。このよう
な試験n1定においては、半導体ウェハ上各チップとテ
スタ装置例えばウェハテスタとの電気的な接続を、多数
の探針(プローブビン)がチップ側の電極端子の形状に
応じて植設されたプローブカードと呼ばれる接続端子で
行われている。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、半導体チップに形成された電極パッドは
、配線時や検査時の接触抵抗を極力小さくするためにA
uの電極が多用されている。このように、接触抵抗の小
さいAuを電極パッドとして用いても、この電極パッド
に接触するプローブピンがν、Pd−Ag合金、Be−
Cυ合金等の材質であり、この材質を上記電極パッドに
直接接触させていた。
しかし、接触抵抗を増大させ測定精度を低下させてしま
うという問題があった。
本発明は、このような課題に対処するためになされたも
ので、被検査体側の測定用端子との接触抵抗を長期間に
わたって低く維持することを可能にしたプローブカード
を提供することを目的とするものである。
[発明の構成コ (課題を解決するための手段) すなわち本発明のプローブカードは、複数の探針の少な
くとも被検査体の測定用端子に接触する部分を金メッキ
したことを特徴とするものである。
(作 用) 本発明のプローブカードにおいては、探針の少なくとも
接触部となる一方の端部に金メッキを施すことによって
、被検査体の測定用端子との接触抵抗を減少させている
。また、被検査体側に適度な針圧を加える構造として、
垂直方向に伸縮可能なバネ機能を有する探針を用いるこ
とにより、接触時における探針の先端と被検査体のtl
lj定用端定色端子動が防止される。このため、上記探
針の先端に施した金メッキの剥がれが防止できる。よっ
て、極めて小さい接触抵抗を長期間にわたって維持する
ことが可能となる。
(実施例) 以下、本発明のプローブカードの実施例に付いて図面を
参照して説明する。
樹脂等からなるプリント基板によって構成された基板1
には、その中央部に円形の開口部1aが設けられており
、基板1の下面側には上記開口部1aと同心状に円板状
の固定用ブロック2か固着されている。この固定用ブロ
ック2はその下面が水平基準面となると共に、測定装置
側への固定部となるものであり、その中央部には上記基
板1の開口部1aと同心状に設けられ、外周側から内周
側に向けて下り傾斜された傾斜面2aを有する円形の開
口部2bを有している。
上記固定用ブロック2の下部には、プローブピン3側の
接触部となる下方に突出された一端部3aの配列位置を
規制し、中央部に上記基板1の開口部1aと同心状の開
口部4aを有するガイド部4が固着配置されている。プ
ローブピン3は、他端部3bか上記基板1の図示しない
配線層に電気的に接続されており、基板1の上面および
固定用ブロック2の開口部2a内の傾斜面2bに沿って
、上記ガイド部4の開口部4a内に多数垂設されている
。なお、上記基板1の配線層は、図示しない測定機器側
の接続用端子に接続されている。
ここで、上記プローブカード3は、第2図に示すように
、W SPd−Ag 、 Be−Cu等からなる芯線3
1の外周上に導体抵抗低減のための例えば銅からなる良
導体層32と絶縁体層33とが順に積層形成された配線
部34と、上記芯線31の外周上に絶縁体層33のみが
形成された屈曲可能な座屈部35と、上記芯線31が露
出された先端部36とから構成されている。そして、上
記座屈部35がプローブピン3にバネ機能を付与してお
り、これにより先端部36か垂直方向に対して伸縮可能
とされている。また、上記プローブピンの先端部36は
、第3図に示すように、例えば90度程度の頂角を有す
る円錐状37とされており、その先端中心には直径10
〜20μl程度の平坦部38が設けられている。そして
、上記平坦部38および円錐部37から芯線31の立上
がり部にかけて、例えばNi等からなる厚さ 0.5μ
m程度の下地メッキ層39を介して、厚さ 0.5μm
程度の^Uメッキ層40が形成されている。
上記ガイド部4は、上部ガイドブロック5、中間部ガイ
ドブロック6および下部ガイドブロック7から主として
構成されており、これらガイドブロック5.6.7はそ
れぞれ円形の開口部5a、6a、7aを有する円板体に
よって形成されている。上部ガイドブロック5と中間部
ブロック6との間には固定板8が固定配置されており、
この固定板8には被検査体である半導体素子の電極バッ
トの配列形状に応じたプローブピン固定孔8aが多数穿
設されている。また、中間部ガイドブロック6と下部ガ
イドブロック7間には上部案内板9が、下部ガイドブロ
ック7の下面側には下部案内板10がそれぞれ固定配置
されており、これら案内板9.10には上記プローブピ
ン固定孔8aの形成位置に対応したプローブピン挿通孔
9a110aが多数穿設されている。
そして、基板1および固定用ブロック2の開口部1a、
2bを介してガイド部4の開口部4a内に垂設されたプ
ローブピン3は、まず上記固定板8のプローブピン固定
孔8a内に植設され、このプローブビン固定孔8a位置
で座屈部35の上部位置が固定されており、この座屈部
35は中間部ブロック6の開口部6a内に位置している
。さらにプローブピン3は、上部および下部案内板9.
10のプローブビン挿通孔9 as 10 aまで導か
れ、その先端部36が下部案内板10の下面10bから
突出するように挿通されており、これら案内板9.10
によって垂直方向のみに伸縮するよう動作方向か規制さ
れている。
上記構成のプローブカードでは、第4図に示すように、
このプローブカード11の下部に半導体素子が多数形成
された半導体ウェハ12を配置しく第4図−a)、半導
体ウェハ12を徐々に上昇させて素子側の電極パッド、
例えばAuパッドとプローブピン3の先端部36とが当
接した後に、適度な針圧を付加するために、さらに所定
のオーバードライブ分例えば20μm〜40μm程度余
分に上昇させる。
ここで、このオーバードライブによるプローブビン31
の伸縮は、第4図(b)に示すように、金属線(芯線3
1)の座屈を利用するものであり、オーバードライブ量
に応じて先端部36が垂直方向に伸縮する如く座屈部3
5か屈曲し、かつ上部および下部案内板9.10によっ
てプローブピン3の横方向の動きが規制されていること
から、垂直方向のみに移動する。これによって、プロー
ブピン3の先端部36と電極パッドとを摺動させること
なく、適正な針圧でプローブピン3と電極パッドとの電
気的な接続が実現される。
また、プローブピン3の少な(とも被測定チップの電極
パッドとの接触部即ち先端部36には、^Uメッキ層4
0が形成されているため、上記プローブピン3と電極パ
ッドとの接触部における接触抵抗を極めて小さく保つこ
とが可能となり、かつ上述したようにプローブピン3の
先端部36と電極パッドとの摺動がほとんどないため、
Auメッキ層40の優れた耐久性の確保、すなわち長期
間にわたってAuメッキ層40の剥がれ等を防止するこ
とができる。したがって、上記接触部における極めて小
さい接触抵抗を長期間に渡って維持することが可能とな
る。
この接触部における極めて小さい接触抵抗は、特に半導
体素子側の電極パッドをAuで構成した場合に顕著であ
る。これは、半導体素子のAu7[S極表面に存在する
異種物質や、この異種物質かプローブピン3の先端部3
6側に移行することによって、電気的な接触か妨げられ
たとしても、Auメッキ層と^U電極との接触であるた
め、極一部の微小面積であってもAuとうじが直接接触
することによって、良好な低接触抵抗が実現される。
このように極めて小さい接触抵抗を維持することによっ
て、検査精度が大幅に向上する。これは、例えばVcc
のように出力のインピーダンスが数100mΩと小さい
場合には、接触抵抗の僅かな上昇によっても良品を不良
と判断する場合かあるためである。
また、上記構成のプローブカードを用い、Au電極を有
する半導体素子による耐久性試験を行ったところ、70
万回の接触試験後においても数10iΩ以下という極め
て小さい接触抵抗が維持されていることを確認した。こ
れに対し、先端部にAuメ・ツキを施していない従来の
プローブピンによる接触試験では、約100回の接触試
験後において、約略5Ω以上接触抵抗が上昇することを
確認した。
なお、上記実施例ではプローブピン3として座屈部35
によってバネ機能を付与したものを用いたが、本発明は
これに限定されるものではなく、例えばスプリングプロ
ーブビンのように垂直方向に対してバネ機能を有するも
のであれば、各種のプローブピンを用いることか可能で
ある。
また、検査対象としても半導体ウェハに限らず、パッケ
ージング後のICチップ、LCD基板等、測定用端子に
プローブピンを当接させて電気的試験測定を行うものに
対して使用可能である。
〔発明の効果コ 以上説明したように本発明のプローブカードによれば、
探針の先端に施した金メッキが、垂直方向にプローブピ
ンを伸縮させることによって安定して保持されることか
ら、接触抵抗を長期間にわたって低く維持することが可
能となる。よって、検査精度の向上および安定化を図る
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例によるプローブカードの構成
を示す図、第2図はそれに用いたプローブピンの構成を
示す図、第3図はその先端部を拡大して示す断面図、第
4図(a)および(b)は第1図に示すプローブカード
の動作を説明するための図である。 1・・・・・・基板、las 2as 4as 5as
 6as7a・・・・・・開口部、2・・・・・・固定
用ブロック、3・・・・・・プローブピン、4・・・・
・・ガイド部、5・・・・・・上部ガイドブロック、6
・・・・・・中間部ガイドブロック、7・・・・・・下
部ガイドブロック、8・・・・・・固定板、9・・・・
・・上部案内板、10・・・・・・下部案内板、11・
・・・・・プローブカード、12・・・・・・半導体ウ
ェハ、31・・・・・・芯線、32・・・・・・配線部
、35・・・・・・座屈部、36・・・・・・先端部、
39・・・・・・下地メッキ層、40・・・・・・Au
メッキ層。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  複数の探針の少なくとも被検査体の測定用端子に接触
    する部分を金メッキしたことを特徴とするプローブカー
    ド。
JP2004880A 1990-01-11 1990-01-11 プローブカード Pending JPH03209738A (ja)

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