JPH1190827A - サンドブラスト方法 - Google Patents
サンドブラスト方法Info
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- JPH1190827A JPH1190827A JP25023997A JP25023997A JPH1190827A JP H1190827 A JPH1190827 A JP H1190827A JP 25023997 A JP25023997 A JP 25023997A JP 25023997 A JP25023997 A JP 25023997A JP H1190827 A JPH1190827 A JP H1190827A
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- resist layer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、プラズマディスプレイパネルの隔
壁などを形成するサンドブラスト方法に関し、微細パタ
ーンを形成することが可能となるサンドブラスト方法を
提供することを目的としている。 【解決手段】 研削領域を画定するマスクを介して、被
処理体に切削粒子を吹き付けることにより、前記研削領
域を研削除去して、非研削領域に構造体を形成するサン
ドブラスト方法において、前記切削粒子に対する耐久性
を有する上層マスク6aと、該上層マスク6aに対して
幅の狭い下層マスク5aとからなる多層マスクを介して
前記被処理体4に切削粒子を吹き付ける構成としてい
る。
壁などを形成するサンドブラスト方法に関し、微細パタ
ーンを形成することが可能となるサンドブラスト方法を
提供することを目的としている。 【解決手段】 研削領域を画定するマスクを介して、被
処理体に切削粒子を吹き付けることにより、前記研削領
域を研削除去して、非研削領域に構造体を形成するサン
ドブラスト方法において、前記切削粒子に対する耐久性
を有する上層マスク6aと、該上層マスク6aに対して
幅の狭い下層マスク5aとからなる多層マスクを介して
前記被処理体4に切削粒子を吹き付ける構成としてい
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、切削粒子を高速で
吹き付けることにより、不要部分の研削除去を行なっ
て、残りの部分に構造体を形成するサンドブラスト方法
に関する。
吹き付けることにより、不要部分の研削除去を行なっ
て、残りの部分に構造体を形成するサンドブラスト方法
に関する。
【0002】サンドブラスト方法は、比較的厚みのある
構造体を簡単且つ精度良く形成することができることか
ら、プラズマディスプレイパネルの放電領域画定用隔壁
の形成などに利用されている。
構造体を簡単且つ精度良く形成することができることか
ら、プラズマディスプレイパネルの放電領域画定用隔壁
の形成などに利用されている。
【0003】プラズマディスプレイパネルなどの表示装
置は、画質向上のために高精細化が求められており、隔
壁を形成するためのサンドブラスト方法においても、微
細幅のパターン形成を可能にすることが必要とされてい
る。
置は、画質向上のために高精細化が求められており、隔
壁を形成するためのサンドブラスト方法においても、微
細幅のパターン形成を可能にすることが必要とされてい
る。
【0004】
【従来の技術】以下、従来の技術をプラズマディスプレ
イパネル(以下PDPと称する)における隔壁形成を例
にして説明する。
イパネル(以下PDPと称する)における隔壁形成を例
にして説明する。
【0005】図6は、AC駆動で3電極構造の面放電型
PDPの一部を切り出した状態の斜視図を示すものであ
る。前面ガラス基板21の内面には、基板面に沿った面
放電を生じさせるための直線状の表示電極X,Yが、マ
トリクス表示のラインL毎に一対ずつ配列されている。
表示電極X,Yは、それぞれがITO(Indium Tin Oxi
de)薄膜からなる幅の広い直線状の透明電極23と多層
構造(Cr/Cu/Cr)の金属薄膜からなる幅の狭い直線状のバ
ス電極24とから構成されている。
PDPの一部を切り出した状態の斜視図を示すものであ
る。前面ガラス基板21の内面には、基板面に沿った面
放電を生じさせるための直線状の表示電極X,Yが、マ
トリクス表示のラインL毎に一対ずつ配列されている。
表示電極X,Yは、それぞれがITO(Indium Tin Oxi
de)薄膜からなる幅の広い直線状の透明電極23と多層
構造(Cr/Cu/Cr)の金属薄膜からなる幅の狭い直線状のバ
ス電極24とから構成されている。
【0006】また、表示電極X,Yを放電空間に対して
被覆するように、AC駆動のためのPbO系の低融点ガ
ラスからなる誘電体層25が設けられている。そして、
誘電体層25の表面には、MgO(酸化マグネシウム)
からなる保護膜26が蒸着されている。
被覆するように、AC駆動のためのPbO系の低融点ガ
ラスからなる誘電体層25が設けられている。そして、
誘電体層25の表面には、MgO(酸化マグネシウム)
からなる保護膜26が蒸着されている。
【0007】一方、背面ガラス基板22の内面は、表示
電極X,Yと直交するように一定ピッチでアドレス電極
27が配列されている。このアドレス電極27は、表示
電極のバス電極24と同じ Cr/Cu/Cr 或いは銀の金属膜
により構成されている。
電極X,Yと直交するように一定ピッチでアドレス電極
27が配列されている。このアドレス電極27は、表示
電極のバス電極24と同じ Cr/Cu/Cr 或いは銀の金属膜
により構成されている。
【0008】アドレス電極27の上面全体を覆うように
配設された誘電体層28の上には、高さが150μm程
度のストライプ状の複数の隔壁29が、各アドレス電極
27の間に一つずつ設けられている。隔壁29の主材料
も低融点ガラスである。
配設された誘電体層28の上には、高さが150μm程
度のストライプ状の複数の隔壁29が、各アドレス電極
27の間に一つずつ設けられている。隔壁29の主材料
も低融点ガラスである。
【0009】このような隔壁29は、放電空間30をラ
イン方向(表示電極X,Yと平行な画素配列方向)に単
位発光領域毎に区画すると共に、上下方向の放電ギャッ
プを規定している。
イン方向(表示電極X,Yと平行な画素配列方向)に単
位発光領域毎に区画すると共に、上下方向の放電ギャッ
プを規定している。
【0010】そして、アドレス電極27の上部を含め
て、誘電体層28の表面及び隔壁29の側面を被覆する
ように、フルカラー表示のためのR(赤)、G(緑)、
B(青)の3原色の蛍光体31が設けられている。
て、誘電体層28の表面及び隔壁29の側面を被覆する
ように、フルカラー表示のためのR(赤)、G(緑)、
B(青)の3原色の蛍光体31が設けられている。
【0011】また、放電空間30中には、放電時に紫外
線を照射して蛍光体励起するNe−Xe(NeとXeの
混合ガス)等の放電ガスが数百torr程度の圧力で封入さ
れている。
線を照射して蛍光体励起するNe−Xe(NeとXeの
混合ガス)等の放電ガスが数百torr程度の圧力で封入さ
れている。
【0012】上記構造のPDPにおいて、隔壁を形成す
るための従来のサンドブラスト方法を以下に説明する。
図7(a)〜(d)は、従来のサンドブラスト方法を説
明するための工程毎の断面図である。
るための従来のサンドブラスト方法を以下に説明する。
図7(a)〜(d)は、従来のサンドブラスト方法を説
明するための工程毎の断面図である。
【0013】まず、表示用の電極(図6のアドレス電
極)42とそれを覆う誘電体層43が形成されたガラス
基板(図6の背面ガラス基板)41の前記誘電体層上
に、ガラスペーストをスクリーン印刷により塗布させた
後、乾燥させて隔壁用膜44を形成する。(図7
(a)) 次に、隔壁用膜44上に、ネガティブ型の感光性樹脂か
らなるレジスト層45を形成する。(図7(b)) レジスト層45は、アルミナ等の切削粒子( 研磨材) に
よる研削に耐え得る耐久性を有する層である必要がある
ため、材料やその分子量、膜厚等を選択することによ
り、柔軟性や隔壁用膜44との密着性を満足するものに
している。また、大画面の場合にも厚く均一な層を容易
に得るために、ドライフィルムとした感光性レジストを
圧着する方法により形成している。
極)42とそれを覆う誘電体層43が形成されたガラス
基板(図6の背面ガラス基板)41の前記誘電体層上
に、ガラスペーストをスクリーン印刷により塗布させた
後、乾燥させて隔壁用膜44を形成する。(図7
(a)) 次に、隔壁用膜44上に、ネガティブ型の感光性樹脂か
らなるレジスト層45を形成する。(図7(b)) レジスト層45は、アルミナ等の切削粒子( 研磨材) に
よる研削に耐え得る耐久性を有する層である必要がある
ため、材料やその分子量、膜厚等を選択することによ
り、柔軟性や隔壁用膜44との密着性を満足するものに
している。また、大画面の場合にも厚く均一な層を容易
に得るために、ドライフィルムとした感光性レジストを
圧着する方法により形成している。
【0014】そして、レジスト層45を部分的に露光し
た後、現像することにより、研削用のマスク45aを得
る。(図7(c)) レジスト層45としてネガティブ型の感光性樹脂を使用
しているため、現像した場合に露光した部分が残りマス
ク45aとなる。
た後、現像することにより、研削用のマスク45aを得
る。(図7(c)) レジスト層45としてネガティブ型の感光性樹脂を使用
しているため、現像した場合に露光した部分が残りマス
ク45aとなる。
【0015】その後、図7(c)の如く隔壁用膜44を
部分的にマスク45aで覆った状態で、図示せぬ噴射ノ
ズル等を用いて、切削粒子を高速で一面に吹き付けるサ
ンドブラスト処理を施す。このサンドブラスト処理によ
り、マスク45aのない露出される隔壁用膜44は切削
粒子により研削( 切削) され、マスク45a下層に隔壁
44aが形成される。(図7(d)) 尚、マスク45aは、上述した如く所定の柔軟性を備え
ていることから切削粒子による研削は行なわれない。
部分的にマスク45aで覆った状態で、図示せぬ噴射ノ
ズル等を用いて、切削粒子を高速で一面に吹き付けるサ
ンドブラスト処理を施す。このサンドブラスト処理によ
り、マスク45aのない露出される隔壁用膜44は切削
粒子により研削( 切削) され、マスク45a下層に隔壁
44aが形成される。(図7(d)) 尚、マスク45aは、上述した如く所定の柔軟性を備え
ていることから切削粒子による研削は行なわれない。
【0016】このように隔壁44aを形成した後、マス
ク45aを剥離し、次工程へと進められる。
ク45aを剥離し、次工程へと進められる。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のサンドブラ
スト方法で使用するマスク45aは、前述したように、
切削粒子に対する耐久性を確保するために、材料や分子
量及び膜厚が適宜選択された柔軟性を有するレジスト層
45により形成されている。
スト方法で使用するマスク45aは、前述したように、
切削粒子に対する耐久性を確保するために、材料や分子
量及び膜厚が適宜選択された柔軟性を有するレジスト層
45により形成されている。
【0018】一般にレジスト材において、サンドブラス
ト処理の切削粒子に対する耐久性を高めると、露光現像
による解像度は悪くなる傾向にあり、十分な耐久性を確
保するためには解像度の悪い材料を使用しなければなら
ない。そのため、50μm程度のパターン形成が限界と
されている。
ト処理の切削粒子に対する耐久性を高めると、露光現像
による解像度は悪くなる傾向にあり、十分な耐久性を確
保するためには解像度の悪い材料を使用しなければなら
ない。そのため、50μm程度のパターン形成が限界と
されている。
【0019】従って、このマスクを用いたサンドブラス
ト処理により得られる隔壁も、マスクパターンと同程度
の幅の広いものとなり、近年求められている高精細化に
対応することが困難である。
ト処理により得られる隔壁も、マスクパターンと同程度
の幅の広いものとなり、近年求められている高精細化に
対応することが困難である。
【0020】本発明は、上記課題を解決して、微細パタ
ーンを形成することが可能となるサンドブラスト方法を
提供することを目的としている。
ーンを形成することが可能となるサンドブラスト方法を
提供することを目的としている。
【0021】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明は、研削領域を画定するマスクを介して、被処
理体に切削粒子を吹き付けることにより、前記研削領域
を研削除去して、非研削領域に構造体を形成するサンド
ブラスト方法において、前記切削粒子に対する耐久性を
有する上層マスクと、該上層マスクに対して幅の狭い下
層マスクとからなる多層マスクを介して前記被処理体に
切削粒子を吹き付けることを特徴としている。
の本発明は、研削領域を画定するマスクを介して、被処
理体に切削粒子を吹き付けることにより、前記研削領域
を研削除去して、非研削領域に構造体を形成するサンド
ブラスト方法において、前記切削粒子に対する耐久性を
有する上層マスクと、該上層マスクに対して幅の狭い下
層マスクとからなる多層マスクを介して前記被処理体に
切削粒子を吹き付けることを特徴としている。
【0022】上記本発明のサンドブラスト方法によれ
ば、切削粒子に対する耐久性を有する上層マスクと幅の
狭い下層マスクとを用いているため、吹き付けられる切
削粒子は上層マスクの下側に回り込み、下層マスクで規
定される幅の狭い構造体を形成することが可能となる。
ば、切削粒子に対する耐久性を有する上層マスクと幅の
狭い下層マスクとを用いているため、吹き付けられる切
削粒子は上層マスクの下側に回り込み、下層マスクで規
定される幅の狭い構造体を形成することが可能となる。
【0023】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を参
照しながら詳細に説明する。図1〜図2は、本発明をP
DPの隔壁形成に適用した第1実施例を説明するため工
程断面図である。
照しながら詳細に説明する。図1〜図2は、本発明をP
DPの隔壁形成に適用した第1実施例を説明するため工
程断面図である。
【0024】PDPは、図6で説明したとおりの構成で
あり、その隔壁の形成工程を以下に説明していく。ま
ず、ガラス基板( 背面基板) 1上に、紙面垂直方向にス
トライプ状に延びる電極( アドレス電極) 2を所定間隔
で複数形成し、この電極2を覆うように誘電体層3を形
成する。電極2はCr/Cu/Crをフォトリソグラフィ技術に
よりパターニングして、また誘電体層3はガラスペース
トをスクリーン印刷し、これを焼成することによりそれ
ぞれ形成している。
あり、その隔壁の形成工程を以下に説明していく。ま
ず、ガラス基板( 背面基板) 1上に、紙面垂直方向にス
トライプ状に延びる電極( アドレス電極) 2を所定間隔
で複数形成し、この電極2を覆うように誘電体層3を形
成する。電極2はCr/Cu/Crをフォトリソグラフィ技術に
よりパターニングして、また誘電体層3はガラスペース
トをスクリーン印刷し、これを焼成することによりそれ
ぞれ形成している。
【0025】そして、誘電体層3上に、150μm程度
の厚い隔壁用膜4をスクリーン印刷により形成する。
(図1(a)) 次に、感光性樹脂をロールコーター等を用いて塗布し、
これを乾燥することにより十数μmの薄い第1レジスト
層5を形成する。この第1レジスト層5は、解像度の良
い材料により構成される高感度のポジティブ型感光性樹
脂である。
の厚い隔壁用膜4をスクリーン印刷により形成する。
(図1(a)) 次に、感光性樹脂をロールコーター等を用いて塗布し、
これを乾燥することにより十数μmの薄い第1レジスト
層5を形成する。この第1レジスト層5は、解像度の良
い材料により構成される高感度のポジティブ型感光性樹
脂である。
【0026】その後、第1レジスト層5上に、予めドラ
イフィルムとした感光性樹脂をラミネートすることによ
り、数十μm程度の厚い第2レジスト層6を形成する。
(図1(b)) この第2レジスト層6は、柔軟性を得るために材料や厚
み、分子量を選択した低感度のポジティブ型感光性樹脂
であり、微粒子の衝突に対する耐久性を備えている。
イフィルムとした感光性樹脂をラミネートすることによ
り、数十μm程度の厚い第2レジスト層6を形成する。
(図1(b)) この第2レジスト層6は、柔軟性を得るために材料や厚
み、分子量を選択した低感度のポジティブ型感光性樹脂
であり、微粒子の衝突に対する耐久性を備えている。
【0027】以上のように2層からなるレジスト層5,
6を形成した状態において、その上方に所定の開口パタ
ーンを有する露光用マスク7を設置して、紫外線等の光
を照射することで、レジスト層5,6の露光を行なう。
(図1(c)) 所定のエネルギーでの露光を行なうと、高感度の第1レ
ジスト層5は低感度の第2レジスト層6に比べて重合が
速く進むため、その露光領域が広くなる。従って、図1
(c)の細斜線で示すように、露光領域幅が第1,第2
レジスト層5,6で異なることになる。
6を形成した状態において、その上方に所定の開口パタ
ーンを有する露光用マスク7を設置して、紫外線等の光
を照射することで、レジスト層5,6の露光を行なう。
(図1(c)) 所定のエネルギーでの露光を行なうと、高感度の第1レ
ジスト層5は低感度の第2レジスト層6に比べて重合が
速く進むため、その露光領域が広くなる。従って、図1
(c)の細斜線で示すように、露光領域幅が第1,第2
レジスト層5,6で異なることになる。
【0028】露光終了後、露光用マスク7を除去して、
第2レジスト層6用の現像液を用いて現像を行なうこと
により、上層マスク6aを形成する。本実施例の場合、
ポジティブ型レジストを使用していることから、露光さ
れた部分が除去される。(図2(d)) 次に第1レジスト層5用の現像液を用いて現像を行なう
ことにより、下層マスク5aを形成する。第1レジスト
層5においてもポジティブ型レジストを使用しているこ
とから、露光部分が除去され、それ以外の部分にマスク
5aが形成される。(図2(e)) 本実施例によれば、図2(e)に示すように、解像度の
悪いレジストを用いた太い上層マスク6aに対して、解
像度が良く、高感度のレジストを用いた下層マスク5a
を細く形成することができる。
第2レジスト層6用の現像液を用いて現像を行なうこと
により、上層マスク6aを形成する。本実施例の場合、
ポジティブ型レジストを使用していることから、露光さ
れた部分が除去される。(図2(d)) 次に第1レジスト層5用の現像液を用いて現像を行なう
ことにより、下層マスク5aを形成する。第1レジスト
層5においてもポジティブ型レジストを使用しているこ
とから、露光部分が除去され、それ以外の部分にマスク
5aが形成される。(図2(e)) 本実施例によれば、図2(e)に示すように、解像度の
悪いレジストを用いた太い上層マスク6aに対して、解
像度が良く、高感度のレジストを用いた下層マスク5a
を細く形成することができる。
【0029】このような2層のマスク5a,6bを介し
て、隔壁用膜4に微粒子を高速で吹き付ける所謂サンド
ブラスト処理を実施する。上層マスク6aは、サンドブ
ラスト処理に対する耐久性を有しているが、幅の狭い下
層マスク5aが存在することから、上層マスク6aの下
側に空間が形成されており、この空間にサンドブラスト
処理における切削粒子が入り込み、下層マスク5aで規
定される範囲を研削して、隔壁4aを形成する。(図2
(f)) 尚、この隔壁4aが形成されるまでの研削状態について
は、従来技術との比較をしながら図3により後で説明す
る。
て、隔壁用膜4に微粒子を高速で吹き付ける所謂サンド
ブラスト処理を実施する。上層マスク6aは、サンドブ
ラスト処理に対する耐久性を有しているが、幅の狭い下
層マスク5aが存在することから、上層マスク6aの下
側に空間が形成されており、この空間にサンドブラスト
処理における切削粒子が入り込み、下層マスク5aで規
定される範囲を研削して、隔壁4aを形成する。(図2
(f)) 尚、この隔壁4aが形成されるまでの研削状態について
は、従来技術との比較をしながら図3により後で説明す
る。
【0030】その後、上層マスク6a及び下層マスク5
aを除去することにより、隔壁4aの形成工程を終了す
る。図3は、時間経過に伴う研削状態を概略的に示す断
面図であり、図3(a)は従来方法によるもの、図3
(b)は本発明第1実施例のものである。
aを除去することにより、隔壁4aの形成工程を終了す
る。図3は、時間経過に伴う研削状態を概略的に示す断
面図であり、図3(a)は従来方法によるもの、図3
(b)は本発明第1実施例のものである。
【0031】図3(a)に示すように、一層のマスク4
5aを用いる場合、時間の経過に伴い破線t1,t2で
示す如く隔壁用膜44が研削されていく。破線t1,t
2のように、時間経過に従って下側への研削が進むと共
に、若干内側へも研削されるが、マスク45aと隔壁用
膜44表面が密着しているため、その研削量は限られた
ものである。
5aを用いる場合、時間の経過に伴い破線t1,t2で
示す如く隔壁用膜44が研削されていく。破線t1,t
2のように、時間経過に従って下側への研削が進むと共
に、若干内側へも研削されるが、マスク45aと隔壁用
膜44表面が密着しているため、その研削量は限られた
ものである。
【0032】これに対して、図3(b)に示すように、
上層マスク6aとこれより幅の狭い下層マスク5aを用
いる場合、下層マスク5aが存在することにより形成さ
れる空間に矢印で示すように切削粒子が入り込んで、破
線t1,t2の如く隔壁用膜4が研削されていく。
上層マスク6aとこれより幅の狭い下層マスク5aを用
いる場合、下層マスク5aが存在することにより形成さ
れる空間に矢印で示すように切削粒子が入り込んで、破
線t1,t2の如く隔壁用膜4が研削されていく。
【0033】従って、図3(a)に示す従来の方法によ
るものに比べて、内側への研削量が多くなり、結果的に
下層マスク5aの幅程度の隔壁4aを形成することが可
能となる。
るものに比べて、内側への研削量が多くなり、結果的に
下層マスク5aの幅程度の隔壁4aを形成することが可
能となる。
【0034】尚、図では下層マスク5aの幅と同じ幅の
隔壁4aが形成されているが、内側への研削量は下層マ
スク5aの幅及び厚さにより異なるものであり、図では
内側へ入り込んでくる切削粒子の圧力が弱くなることに
より、切削粒子に対する耐久性の弱い下層マスク5aが
研削されることなく、これにより規定される隔壁4aが
形成されることを示している。
隔壁4aが形成されているが、内側への研削量は下層マ
スク5aの幅及び厚さにより異なるものであり、図では
内側へ入り込んでくる切削粒子の圧力が弱くなることに
より、切削粒子に対する耐久性の弱い下層マスク5aが
研削されることなく、これにより規定される隔壁4aが
形成されることを示している。
【0035】以上の原理からこの第1実施例のサンドブ
ラスト方法によれば、サンドブラスト処理後に残される
隔壁4aを細くすることができるため、これに合わせて
電極2のピッチも狭くすることが可能となり、高精細化
に対応することができる。
ラスト方法によれば、サンドブラスト処理後に残される
隔壁4aを細くすることができるため、これに合わせて
電極2のピッチも狭くすることが可能となり、高精細化
に対応することができる。
【0036】図4〜図5は、本発明の第2実施例を説明
するための工程断面図であり、第1実施例と同一部分に
は同一符号を付している。第1実施例がポジティブ型の
レジストを用いたのに対して、本実施例はネガティブ型
のレジストを用いる場合の例を示している。
するための工程断面図であり、第1実施例と同一部分に
は同一符号を付している。第1実施例がポジティブ型の
レジストを用いたのに対して、本実施例はネガティブ型
のレジストを用いる場合の例を示している。
【0037】ガラス基板1上に紙面垂直方向にストライ
プ状に延びる電極2を所定間隔で複数形成し、この電極
2を覆うように誘電体層3を形成した後、誘電体層3上
に隔壁用膜4をスクリーン印刷により形成するまでは、
第1実施例と何ら変わりがない。(図4(a)) 次に、感光性樹脂をロールコーター等を用いて塗布し、
これを乾燥することにより十数μmの薄い第1レジスト
層15を形成する。第1レジスト層15は、特定波長の
光にのみ感光する解像度の良い材料により構成されるネ
ガティブ型感光性樹脂である。
プ状に延びる電極2を所定間隔で複数形成し、この電極
2を覆うように誘電体層3を形成した後、誘電体層3上
に隔壁用膜4をスクリーン印刷により形成するまでは、
第1実施例と何ら変わりがない。(図4(a)) 次に、感光性樹脂をロールコーター等を用いて塗布し、
これを乾燥することにより十数μmの薄い第1レジスト
層15を形成する。第1レジスト層15は、特定波長の
光にのみ感光する解像度の良い材料により構成されるネ
ガティブ型感光性樹脂である。
【0038】その後、第1レジスト層15上に、予めド
ライフィルムとした感光性樹脂をラミネートすることに
より、数十μm程度の厚い第2レジスト層16を形成す
る。(図4(b)) この第2レジスト層16は、柔軟性を得るために材料や
厚み、分子量を選択したものであるとともに、第1レジ
スト層15を感光させる光とは異なる波長の光にのみ感
光するネガティブ型感光性樹脂であり、微粒子の衝突に
対する耐久性を備えている。
ライフィルムとした感光性樹脂をラミネートすることに
より、数十μm程度の厚い第2レジスト層16を形成す
る。(図4(b)) この第2レジスト層16は、柔軟性を得るために材料や
厚み、分子量を選択したものであるとともに、第1レジ
スト層15を感光させる光とは異なる波長の光にのみ感
光するネガティブ型感光性樹脂であり、微粒子の衝突に
対する耐久性を備えている。
【0039】以上のように第1レジスト層15及び第2
レジスト層16を形成した状態において、その上方に第
1レジスト層15のための開口パターンを有する第1露
光用マスク17を設置して、第1レジスト15を感光さ
せる波長の光を照射する。
レジスト層16を形成した状態において、その上方に第
1レジスト層15のための開口パターンを有する第1露
光用マスク17を設置して、第1レジスト15を感光さ
せる波長の光を照射する。
【0040】この照射により、第1レジスト層15の第
1露光用マスク17の開口部に対応する細斜線で示す部
分が感光する。(図4(c)) その後、第1露光用マスク17に代えて、第2レジスト
層16のための開口パターンを有する第2露光用マスク
18を設置して、第2レジスト16を感光させる波長の
光を照射する。
1露光用マスク17の開口部に対応する細斜線で示す部
分が感光する。(図4(c)) その後、第1露光用マスク17に代えて、第2レジスト
層16のための開口パターンを有する第2露光用マスク
18を設置して、第2レジスト16を感光させる波長の
光を照射する。
【0041】この照射により、第2レジスト層16の第
1露光用マスク18の開口部に対応する細斜線で示す部
分が感光する。(図5(d)) 露光終了後、第2露光用マスク18を除去して、第2レ
ジスト層16用の現像液による現像、第1レジスト層1
5用の現像液による現像を順次行なうことにより、上層
マスク16a及び幅の狭い下層マスク15aを形成す
る。本実施例の場合、ネガティブ型レジストを使用して
いることから、露光されていない部分が除去される。
(図5(e)) このような2層のマスク15a,16aを介して、隔壁
用膜4に微粒子を高速で吹き付ける所謂サンドブラスト
処理を実施する。
1露光用マスク18の開口部に対応する細斜線で示す部
分が感光する。(図5(d)) 露光終了後、第2露光用マスク18を除去して、第2レ
ジスト層16用の現像液による現像、第1レジスト層1
5用の現像液による現像を順次行なうことにより、上層
マスク16a及び幅の狭い下層マスク15aを形成す
る。本実施例の場合、ネガティブ型レジストを使用して
いることから、露光されていない部分が除去される。
(図5(e)) このような2層のマスク15a,16aを介して、隔壁
用膜4に微粒子を高速で吹き付ける所謂サンドブラスト
処理を実施する。
【0042】マスク15a,16aは、第1実施例と同
様な状態であり、上層マスク16aの下側に空間が形成
されているため、この空間にサンドブラスト処理におけ
る切削粒子が入り込み、下層マスク15aで規定される
範囲を研削して、隔壁4aを形成する。(図5(f)) このサンドブラスト処理では、図3(b)で説明したと
同様な研削が行なわれており、幅の狭い隔壁の形成が可
能となっている。
様な状態であり、上層マスク16aの下側に空間が形成
されているため、この空間にサンドブラスト処理におけ
る切削粒子が入り込み、下層マスク15aで規定される
範囲を研削して、隔壁4aを形成する。(図5(f)) このサンドブラスト処理では、図3(b)で説明したと
同様な研削が行なわれており、幅の狭い隔壁の形成が可
能となっている。
【0043】第1,第2実施例共、第1レジスト層をコ
ーターによる塗布して、第2レジスト層をドライフィル
ムのラミネートで形成したが、本発明はこの組合せに限
定されるものではない。つまり、第1レジスト層及び第
2レジスト層共、膜厚や得ようとする幅に応じて、コー
ターでの塗布、ドライフィルムのラミネートを適宜選択
すればよい。
ーターによる塗布して、第2レジスト層をドライフィル
ムのラミネートで形成したが、本発明はこの組合せに限
定されるものではない。つまり、第1レジスト層及び第
2レジスト層共、膜厚や得ようとする幅に応じて、コー
ターでの塗布、ドライフィルムのラミネートを適宜選択
すればよい。
【0044】また、使用するレジスト材においても実施
例に限定されることはなく、ポジティブ型レジスト及び
ネガティブ型のレジストを適宜選択すればよい。
例に限定されることはなく、ポジティブ型レジスト及び
ネガティブ型のレジストを適宜選択すればよい。
【0045】
【発明の効果】本発明のサンドブラスト方法によれば、
切削粒子に対する耐久性を有する上層マスク6aと幅の
狭い下層マスク5aとを用いているため、吹き付けられ
る切削粒子は上層マスク6aの下側に回り込み、下層マ
スク5aで規定される幅の狭い構造体を形成することが
可能となる。
切削粒子に対する耐久性を有する上層マスク6aと幅の
狭い下層マスク5aとを用いているため、吹き付けられ
る切削粒子は上層マスク6aの下側に回り込み、下層マ
スク5aで規定される幅の狭い構造体を形成することが
可能となる。
【0046】従って、表示装置であるプラズマディスプ
レイパネルの隔壁形成等に適用すれば、細くピッチの狭
い高精細の隔壁を得ることができる。
レイパネルの隔壁形成等に適用すれば、細くピッチの狭
い高精細の隔壁を得ることができる。
【図1】本発明の第1実施例を説明するための工程断面
図(1)である。
図(1)である。
【図2】本発明の第1実施例を説明するための工程断面
図(2)である。
図(2)である。
【図3】従来と本発明を比較して研削状態を概略的に示
す断面図である。
す断面図である。
【図4】本発明の第2実施例を説明するための工程断面
図(1)である。
図(1)である。
【図5】本発明の第2実施例を説明するための工程断面
図(2)である。
図(2)である。
【図6】面放電型PDPの一部を切り出した状態の斜視
図である。
図である。
【図7】従来のサンドブラスト方法を説明するための工
程毎の断面図である。
程毎の断面図である。
1 ガラス基板 2 電極 3 誘電体層 4 隔壁用膜 4a 隔壁 5,15 第1レジスト層 5a,15a 下層マスク 6,16 第2レジスト層 6a,16a 上層マスク 7 露光用マスク 17 第1露光用マスク 18 第2露光用マスク
Claims (5)
- 【請求項1】 研削領域を画定するマスクを介して、被
処理体に切削粒子を吹き付けることにより、前記研削領
域を研削除去して、非研削領域に構造体を形成するサン
ドブラスト方法において、 前記切削粒子に対する耐久性を有する上層マスクと、該
上層マスクに対して幅の狭い下層マスクとからなる多層
マスクを介して前記被処理体に切削粒子を吹きつけるこ
とを特徴とするサンドブラスト方法。 - 【請求項2】 露光感度の異なる第1レジスト層、第2
レジスト層を順次形成した後、該レジスト層の上方から
規定領域に光を照射して、2層のレジスト層を同時に露
光し、その後それぞれのレジスト層を現像することによ
り、前記上層マスク及び下層マスクを形成していること
を特徴とする請求項1記載のサンドブラスト方法。 - 【請求項3】 感光波長域の異なる第1レジスト層、第
2レジスト層を順次形成した後、所定波長の光を第1露
光用マスクを介して照射することで前記第1レジスト層
を露光する工程、前記第1レジスト層の露光とは異なる
波長の光を第2露光用マスクを介して照射することで前
記第2レジスト層を露光する工程を経て、その後それぞ
れのレジスト層を現像することにより、前記上層マスク
及び下層マスクを形成していることを特徴とする請求項
1記載のサンドブラスト方法。 - 【請求項4】 前記上層マスクと下層マスクの少なくと
も一方を、フィルム状の感光性レジストをパターニング
することで形成していることを特徴とする請求項1乃至
3のいずれかに記載のサンドブラスト方法。 - 【請求項5】 プラズマディスプレイパネルの隔壁をサ
ンドブラスト加工により形成する際に使用する2層構造
のマスクであって、 隔壁材料膜の表面に接して設けられ当該隔壁の形状に対
応するパターンの下層マスクと、その下層マスク上に積
み重ねられ該下層マスクよりも大きいパターンを有する
とともにサンドブラスト耐性を有する上層マスクとから
なることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの隔
壁形成用マスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25023997A JPH1190827A (ja) | 1997-09-16 | 1997-09-16 | サンドブラスト方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25023997A JPH1190827A (ja) | 1997-09-16 | 1997-09-16 | サンドブラスト方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1190827A true JPH1190827A (ja) | 1999-04-06 |
Family
ID=17204914
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25023997A Withdrawn JPH1190827A (ja) | 1997-09-16 | 1997-09-16 | サンドブラスト方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1190827A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2831710A1 (fr) * | 2001-10-22 | 2003-05-02 | Nec Corp | Masque a espaces multiples, procede de fabrication du susdit et procede de fabrication d'une partie de composant en utilisant le susdit |
EP1318027A2 (en) | 2001-12-07 | 2003-06-11 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Planographic printing plate precursor |
JP2005149832A (ja) * | 2003-11-13 | 2005-06-09 | Toray Ind Inc | プラズマディスプレイ用部材の製造方法およびプラズマディスプレイ |
JP2009297871A (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-24 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 被研削品の製造方法 |
US8865261B2 (en) | 2012-12-06 | 2014-10-21 | Eastman Chemical Company | Extrusion coating of elongated substrates |
US9604251B2 (en) | 2008-07-16 | 2017-03-28 | Eastman Chemical Company | Thermoplastic formulations for enhanced paintability, toughness and melt processability |
US9616457B2 (en) | 2012-04-30 | 2017-04-11 | Innovative Coatings, Inc. | Pressurization coating systems, methods, and apparatuses |
US9744707B2 (en) | 2013-10-18 | 2017-08-29 | Eastman Chemical Company | Extrusion-coated structural members having extruded profile members |
US9920526B2 (en) | 2013-10-18 | 2018-03-20 | Eastman Chemical Company | Coated structural members having improved resistance to cracking |
US10576491B2 (en) | 2008-07-01 | 2020-03-03 | Precision Coating Innovations, Llc | Pressurization coating systems, methods, and apparatuses |
-
1997
- 1997-09-16 JP JP25023997A patent/JPH1190827A/ja not_active Withdrawn
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100499760B1 (ko) * | 2001-10-22 | 2005-07-07 | 파이오니아 플라즈마 디스플레이 가부시키가이샤 | 멀티갭마스크, 그 제조방법 및 이를 이용하여 구성부품을제조하는 방법 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20041207 |