JPH1190365A - 部品の洗浄方法 - Google Patents
部品の洗浄方法Info
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- JPH1190365A JPH1190365A JP26925097A JP26925097A JPH1190365A JP H1190365 A JPH1190365 A JP H1190365A JP 26925097 A JP26925097 A JP 26925097A JP 26925097 A JP26925097 A JP 26925097A JP H1190365 A JPH1190365 A JP H1190365A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 炭素およびフッ素を含むガス環境下でのプラ
ズマの生成により生じた炭素およびフッ素を含む重合体
を効果的に除去し得る洗浄方法を提供する。 【解決手段】 Ｃ4Ｆ9ＯＣＨ3 を含むエーテル液１２を
前記重合体の洗浄液として用いる。
ズマの生成により生じた炭素およびフッ素を含む重合体
を効果的に除去し得る洗浄方法を提供する。 【解決手段】 Ｃ4Ｆ9ＯＣＨ3 を含むエーテル液１２を
前記重合体の洗浄液として用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体製造
装置のような機械装置の部品の洗浄方法に関し、特に、
炭素およびフッ素を含む重合体付着物を部品から除去す
る洗浄方法に関する。
装置のような機械装置の部品の洗浄方法に関し、特に、
炭素およびフッ素を含む重合体付着物を部品から除去す
る洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程に使用される装置
に、薄膜形成のための化学気相堆積（ＣＶＤ）装置、エ
ッチング処理のためのエッチング装置あるいはエッチン
グマスクの除去のためのアッシング装置がある。これら
の装置には、炭素およびフッ素を含むガス環境下でのプ
ラズマを利用したものがある。
に、薄膜形成のための化学気相堆積（ＣＶＤ）装置、エ
ッチング処理のためのエッチング装置あるいはエッチン
グマスクの除去のためのアッシング装置がある。これら
の装置には、炭素およびフッ素を含むガス環境下でのプ
ラズマを利用したものがある。
【０００３】炭素およびフッ素を含むガス環境下でのプ
ラズマを利用した前記装置では、そのプラズマ反応によ
り生成された炭素およびフッ素を含む重合体が、反応室
内の部品に付着する。この重合体の付着物は、汚染の原
因となることから、定期的に反応室内の前記重合体を除
去する必要がある。
ラズマを利用した前記装置では、そのプラズマ反応によ
り生成された炭素およびフッ素を含む重合体が、反応室
内の部品に付着する。この重合体の付着物は、汚染の原
因となることから、定期的に反応室内の前記重合体を除
去する必要がある。
【０００４】この重合体の除去方法の１つに、（Ｃ
3Ｆ7）3Ｎを主成分とする洗浄液を用い、この洗浄液に
部品を浸す方法がある。この従来方法によれば、洗浄液
が部品と前記重合体との界面に浸透することにより、前
記重合体が付着した部品から剥離され、これにより部品
から前記重合体が除去される。
3Ｆ7）3Ｎを主成分とする洗浄液を用い、この洗浄液に
部品を浸す方法がある。この従来方法によれば、洗浄液
が部品と前記重合体との界面に浸透することにより、前
記重合体が付着した部品から剥離され、これにより部品
から前記重合体が除去される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
前記洗浄液では、界面への浸透度は低く、前記した重合
体を部品から除去するために洗浄液に浸す所要時間は、
２週間を越える極めて長い処理時間を必要とした。この
ような長い処理は、装置の稼働率の低下の原因となるこ
とから、効率的な洗浄方法が望まれていた。
前記洗浄液では、界面への浸透度は低く、前記した重合
体を部品から除去するために洗浄液に浸す所要時間は、
２週間を越える極めて長い処理時間を必要とした。この
ような長い処理は、装置の稼働率の低下の原因となるこ
とから、効率的な洗浄方法が望まれていた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、以上の点を解
決するために、次の構成を採用する。 〈構成〉本発明は、炭素およびフッ素を含むガス環境下
でのプラズマの生成により生じた炭素およびフッ素を含
む重合体付着物への浸透力が従来の前記洗浄液に比較し
て高い特性を示すＣ4Ｆ9ＯＣＨ3 を含むエーテル液を前
記重合体の洗浄液として、用いることを特徴とする。
決するために、次の構成を採用する。 〈構成〉本発明は、炭素およびフッ素を含むガス環境下
でのプラズマの生成により生じた炭素およびフッ素を含
む重合体付着物への浸透力が従来の前記洗浄液に比較し
て高い特性を示すＣ4Ｆ9ＯＣＨ3 を含むエーテル液を前
記重合体の洗浄液として、用いることを特徴とする。
【０００７】〈作用〉前記エーテル液は、従来の洗浄液
に比較して、炭素およびフッ素を含む前記重合体に対
し、ほぼ２倍の浸透力を示すことから、この重合物の付
着物からの剥離が促進される。そのため、従来の前記洗
浄液を用いた洗浄方法に比較して約半分の処理時間で前
記重合物を除去することが可能となる。
に比較して、炭素およびフッ素を含む前記重合体に対
し、ほぼ２倍の浸透力を示すことから、この重合物の付
着物からの剥離が促進される。そのため、従来の前記洗
浄液を用いた洗浄方法に比較して約半分の処理時間で前
記重合物を除去することが可能となる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図示の実施の形態
について詳細に説明する。 〈具体例の構成〉図１は、本発明に係る洗浄方法を実施
する一具体例を示す。本発明に係る洗浄方法では、洗浄
を受ける部品１０は、例えば筒状の容器１１に収容され
たＣ4Ｆ9ＯＣＨ3 を含むエーテル液１２に浸される。
について詳細に説明する。 〈具体例の構成〉図１は、本発明に係る洗浄方法を実施
する一具体例を示す。本発明に係る洗浄方法では、洗浄
を受ける部品１０は、例えば筒状の容器１１に収容され
たＣ4Ｆ9ＯＣＨ3 を含むエーテル液１２に浸される。
【０００９】部品１０は、図１に示す例では、半導体装
置の製造に使用されるエッチング装置の部品である。図
２は、反応性イオンエッチングのための平行平型エッチ
ング装置を概略的に示す断面図である。
置の製造に使用されるエッチング装置の部品である。図
２は、反応性イオンエッチングのための平行平型エッチ
ング装置を概略的に示す断面図である。
【００１０】平行平型エッチング装置１３は、図２に示
されているように、炭素およびフッ素を含む例えばＣＦ
4 のような反応性ガスがガス導入管１４を経て導入され
る反応室１５を規定する放電管１６を備える。反応室１
５は、従来よく知られているように、図示しない負圧源
から伸びる排気管１７を経て、負圧が導入されている。
放電管１６には、反応室１５内に導入された前記反応性
ガスをプラズマ化するための一対の電極１８および１９
が配置されている。この両電極１８および１９間には、
高周波電源２０により、高周波電圧が印加される。
されているように、炭素およびフッ素を含む例えばＣＦ
4 のような反応性ガスがガス導入管１４を経て導入され
る反応室１５を規定する放電管１６を備える。反応室１
５は、従来よく知られているように、図示しない負圧源
から伸びる排気管１７を経て、負圧が導入されている。
放電管１６には、反応室１５内に導入された前記反応性
ガスをプラズマ化するための一対の電極１８および１９
が配置されている。この両電極１８および１９間には、
高周波電源２０により、高周波電圧が印加される。
【００１１】下方の電極１９上には、取り外し可能の石
英製のリング部材１０を介して、被加工物２１が配置さ
れる。エッチング処理を受ける被加工物２１は、例えば
エッチングを受けるシリコン酸化膜２１ａが表面に形成
されたシリコンからなる半導体ウエハ２１である。半導
体ウエハ２１は、その表面に形成されたシリコン酸化膜
２１ａの除去のために、このシリコン酸化膜２１ａを上
方の電極１８へ向けて、リング部材１０上に配置されて
いる。
英製のリング部材１０を介して、被加工物２１が配置さ
れる。エッチング処理を受ける被加工物２１は、例えば
エッチングを受けるシリコン酸化膜２１ａが表面に形成
されたシリコンからなる半導体ウエハ２１である。半導
体ウエハ２１は、その表面に形成されたシリコン酸化膜
２１ａの除去のために、このシリコン酸化膜２１ａを上
方の電極１８へ向けて、リング部材１０上に配置されて
いる。
【００１２】前記エッチング装置１３によれは、従来よ
く知られているように、一対の電極１８および１９間で
生成されたプラズマに含まれる反応性イオンの化学反応
により、リング部材１０上の半導体ウエハ２１のシリコ
ン酸化膜２１ａが除去される。半導体ウエハ２１が載せ
れられるリング部材１０は、この反応性イオンによるエ
ッチングの均一性を高めるために用いられており、この
リング部材１０の表面には、前記したプラズマの生成に
起因した炭素およびフッ素を含む、例えばＣ2Ｆ6の分子
式で代表されるような、-(ＣＦ2)n-重合体が付着する。
この重合体の付着力は、反応ガス中の炭素／フッ素比が
高くなるほど強固となる。
く知られているように、一対の電極１８および１９間で
生成されたプラズマに含まれる反応性イオンの化学反応
により、リング部材１０上の半導体ウエハ２１のシリコ
ン酸化膜２１ａが除去される。半導体ウエハ２１が載せ
れられるリング部材１０は、この反応性イオンによるエ
ッチングの均一性を高めるために用いられており、この
リング部材１０の表面には、前記したプラズマの生成に
起因した炭素およびフッ素を含む、例えばＣ2Ｆ6の分子
式で代表されるような、-(ＣＦ2)n-重合体が付着する。
この重合体の付着力は、反応ガス中の炭素／フッ素比が
高くなるほど強固となる。
【００１３】このリング部材１０に付着した前記重合体
の除去のために、このリング部材１０が図１に示したよ
うに、前記したＣ4Ｆ9ＯＣＨ3 を含むエーテル液１２に
浸される。前記エーテル液１２は、前記重合体と洗浄を
受ける部品であるリング部材１０との界面に浸透するこ
とにより、前記重合体をリング部材１０の表面から剥離
させる。
の除去のために、このリング部材１０が図１に示したよ
うに、前記したＣ4Ｆ9ＯＣＨ3 を含むエーテル液１２に
浸される。前記エーテル液１２は、前記重合体と洗浄を
受ける部品であるリング部材１０との界面に浸透するこ
とにより、前記重合体をリング部材１０の表面から剥離
させる。
【００１４】この剥離状態を、例えば図２に示したエッ
チング装置１３を用いたコンタクトホールエッチング工
程での同一条件での運転後のリング部材１０について観
察した。エッチング装置１３の運転条件は、次の通りで
ある。反応ガスとして、Ａｒ／ＣＨＦ３／ＣＦ４（流量
比４００／２０／２０sccm）の混合ガスが使用され、反
応室１５内圧力は２５０ｍ Torrに保持され、高周波電
源２０の電力は８００ｗに保持された。また、被加工物
として、６インチのサイズの半導体ウエハ２１が用いら
れ、下方電極１９の温度は−１０℃に保持された。
チング装置１３を用いたコンタクトホールエッチング工
程での同一条件での運転後のリング部材１０について観
察した。エッチング装置１３の運転条件は、次の通りで
ある。反応ガスとして、Ａｒ／ＣＨＦ３／ＣＦ４（流量
比４００／２０／２０sccm）の混合ガスが使用され、反
応室１５内圧力は２５０ｍ Torrに保持され、高周波電
源２０の電力は８００ｗに保持された。また、被加工物
として、６インチのサイズの半導体ウエハ２１が用いら
れ、下方電極１９の温度は−１０℃に保持された。
【００１５】このようなエッチング運転条件で、１回の
エッチング処理時間が６０秒のエッチング処理を繰り返
し、その総エッチング処理時間が約２０時間に達した後
の同条件でのリング部材１０をそれぞれ従来方法と本願
方法とで、比較した。
エッチング処理時間が６０秒のエッチング処理を繰り返
し、その総エッチング処理時間が約２０時間に達した後
の同条件でのリング部材１０をそれぞれ従来方法と本願
方法とで、比較した。
【００１６】従来方法では、洗浄液として、（Ｃ3Ｆ7）
3Ｎを主成分とする洗浄液を用い、この洗浄液に部品１
０を浸し続け、その間、約２４時間毎にリング部材１０
表面からの前記重合体の剥離状態を２０倍の倍率のマイ
クロスコープで目視により観察した。この従来の洗浄方
法では、前記重合体の剥離による除去に、約２週間を要
し、しかもそれ以上の処理では、洗浄効果に飽和現象が
見られ、十分な洗浄効果が見られなかった。
3Ｎを主成分とする洗浄液を用い、この洗浄液に部品１
０を浸し続け、その間、約２４時間毎にリング部材１０
表面からの前記重合体の剥離状態を２０倍の倍率のマイ
クロスコープで目視により観察した。この従来の洗浄方
法では、前記重合体の剥離による除去に、約２週間を要
し、しかもそれ以上の処理では、洗浄効果に飽和現象が
見られ、十分な洗浄効果が見られなかった。
【００１７】他方、洗浄液として、前記したＣ4Ｆ9ＯＣ
Ｈ3 を含むエーテル液１２を用いた本願洗浄方法では、
前記したと同様な観察により、従来に比較して約半分の
処理時間である１週間の処理で、従来と同等の洗浄効果
が見られた。しかも、その洗浄効果は、１週間を越える
処理でも飽和することはなかった。
Ｈ3 を含むエーテル液１２を用いた本願洗浄方法では、
前記したと同様な観察により、従来に比較して約半分の
処理時間である１週間の処理で、従来と同等の洗浄効果
が見られた。しかも、その洗浄効果は、１週間を越える
処理でも飽和することはなかった。
【００１８】このように、本発明に係る洗浄方法によれ
ば、従来の約半分の処理時間で前記重合体を効果的に除
去することができる。前記洗浄液での処理後、従来にお
けると同様に、リング部材１０は、エタノール、アセト
ンあるいはイソプロピルアルコールのようなリンス液で
洗浄を受けた後、乾燥保存される。
ば、従来の約半分の処理時間で前記重合体を効果的に除
去することができる。前記洗浄液での処理後、従来にお
けると同様に、リング部材１０は、エタノール、アセト
ンあるいはイソプロピルアルコールのようなリンス液で
洗浄を受けた後、乾燥保存される。
【００１９】洗浄を受ける部品１０を浸すエーテル液１
２は、ステンレス製とすることが望ましい。ステンレス
製の容器１１は、洗浄を受ける部品１０から剥離した前
記重合物が付着し難い。そのため、容器１１の洗浄作業
を容易かつ迅速に行うことができ、この容器１１の内壁
に付着した前記重合物の洗浄を受ける部品１０への再付
着を確実に防止することができる。
２は、ステンレス製とすることが望ましい。ステンレス
製の容器１１は、洗浄を受ける部品１０から剥離した前
記重合物が付着し難い。そのため、容器１１の洗浄作業
を容易かつ迅速に行うことができ、この容器１１の内壁
に付着した前記重合物の洗浄を受ける部品１０への再付
着を確実に防止することができる。
【００２０】また、前記したＣ4Ｆ9ＯＣＨ3 を含むエー
テル液１２の容器１１からの蒸発に伴う洗浄液の成分の
変動あるいは洗浄効果の劣化を防止するために、容器１
１として密閉型の容器を用いることが望ましい。
テル液１２の容器１１からの蒸発に伴う洗浄液の成分の
変動あるいは洗浄効果の劣化を防止するために、容器１
１として密閉型の容器を用いることが望ましい。
【００２１】この容器１１の密閉手段として、図１に示
すように、エーテル液１２の液面１２ａ上に、純水２２
を数１０mmの高さで張ることができる。エーテル液１２
の液面１２ａ上に張られた純水２２は、エーテル液１２
と混ざり合うことなく、該エーテル液の蒸発を効果的に
防止する。
すように、エーテル液１２の液面１２ａ上に、純水２２
を数１０mmの高さで張ることができる。エーテル液１２
の液面１２ａ上に張られた純水２２は、エーテル液１２
と混ざり合うことなく、該エーテル液の蒸発を効果的に
防止する。
【００２２】さらに、前記したＣ4Ｆ9ＯＣＨ3 を含むエ
ーテル液１２の前記した剥離作用を促進するために、容
器１１内のエーテル液１２に超音波洗浄装置を用いて超
音波を付加することができる。この超音波の付加によ
り、洗浄を受ける部品１０の前記重合体の除去効果をさ
らに高めることができる。この超音波の付加は、特に、
エーテル液１２での処理の仕上げ工程として、洗浄を受
ける部品１０に残留しようとする微細な重合体残留物の
除去に、極めて有効である。
ーテル液１２の前記した剥離作用を促進するために、容
器１１内のエーテル液１２に超音波洗浄装置を用いて超
音波を付加することができる。この超音波の付加によ
り、洗浄を受ける部品１０の前記重合体の除去効果をさ
らに高めることができる。この超音波の付加は、特に、
エーテル液１２での処理の仕上げ工程として、洗浄を受
ける部品１０に残留しようとする微細な重合体残留物の
除去に、極めて有効である。
【００２３】前記したところでは、本発明を半導体装置
の製造に使用されるエッチング装置の取り外し可能の一
部品である石英製のリング部材１０の洗浄に適用した例
について説明したが、その他、エッチング装置の、例え
ば、放電管、被加工物を保持するためのクランプ部材の
ような反応室内で前記重合体の汚染を受ける種々の取り
外し可能な部品の洗浄に適用することができる。
の製造に使用されるエッチング装置の取り外し可能の一
部品である石英製のリング部材１０の洗浄に適用した例
について説明したが、その他、エッチング装置の、例え
ば、放電管、被加工物を保持するためのクランプ部材の
ような反応室内で前記重合体の汚染を受ける種々の取り
外し可能な部品の洗浄に適用することができる。
【００２４】また、本発明は、薄膜形成のための化学気
相堆積（ＣＶＤ）装置あるいはエッチングマスクの除去
のためのアッシング装置の他、半導体の製造装置に限ら
ず、炭素およびフッ素を含むガス環境下でのプラズマを
利用した装置で、炭素およびフッ素の重合体を除去する
ために種々の部品の洗浄に適用することができる。
相堆積（ＣＶＤ）装置あるいはエッチングマスクの除去
のためのアッシング装置の他、半導体の製造装置に限ら
ず、炭素およびフッ素を含むガス環境下でのプラズマを
利用した装置で、炭素およびフッ素の重合体を除去する
ために種々の部品の洗浄に適用することができる。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、前記したように、炭素
およびフッ素を含むガス環境下でのプラズマの生成によ
り生じた炭素およびフッ素を含む重合体に対して高い浸
透力を示すＣ4Ｆ9ＯＣＨ3 を含むエーテル液を前記重合
体の洗浄液として用いることにより、従来の約半値の処
理時間により、前記重合体を除去することができ、洗浄
処理に要する所要時間の大幅な短縮が可能となる。
およびフッ素を含むガス環境下でのプラズマの生成によ
り生じた炭素およびフッ素を含む重合体に対して高い浸
透力を示すＣ4Ｆ9ＯＣＨ3 を含むエーテル液を前記重合
体の洗浄液として用いることにより、従来の約半値の処
理時間により、前記重合体を除去することができ、洗浄
処理に要する所要時間の大幅な短縮が可能となる。
【図１】本発明に係る洗浄方法を模式的に示す透視図で
ある。
ある。
【図２】本発明に係る洗浄方法を受ける部品が組み込ま
れたエッチング装置を概略的に示す断面図である。
れたエッチング装置を概略的に示す断面図である。
【符号の説明】 １０ 洗浄を受ける部品（リング部材） １２ Ｃ4Ｆ9ＯＣＨ3 を含むエーテル液
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ１１Ｄ 7:28）
Claims (5)
- 【請求項１】 炭素およびフッ素を含むガス環境下での
プラズマの生成により生じた炭素およびフッ素を含む重
合体付着物を部品から除去する方法であって、洗浄液と
して、Ｃ4Ｆ9ＯＣＨ3 を含むエーテル液を用いたことを
特徴とする、部品の洗浄方法。 - 【請求項２】 前記エーテル液をステンレス製容器に収
容し、該容器内の前記エーテル液に前記部品を浸すこと
を特徴とする請求項１記載の洗浄方法。 - 【請求項３】 前記容器を密閉状態に保持することを特
徴とする請求項２記載の洗浄方法。 - 【請求項４】 前記容器の密閉手段として、該容器の前
記エーテル液の上面に純水を張ることを特徴とする請求
項３記載の洗浄方法。 - 【請求項５】 前記部品を前記エーテル液中に浸した状
態で、該エーテル液に超音波を与えることを特徴とする
請求項１記載の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26925097A JPH1190365A (ja) | 1997-09-16 | 1997-09-16 | 部品の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26925097A JPH1190365A (ja) | 1997-09-16 | 1997-09-16 | 部品の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1190365A true JPH1190365A (ja) | 1999-04-06 |
Family
ID=17469746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26925097A Pending JPH1190365A (ja) | 1997-09-16 | 1997-09-16 | 部品の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1190365A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113414178A (zh) * | 2021-06-29 | 2021-09-21 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 陶瓷件清洗方法 |
-
1997
- 1997-09-16 JP JP26925097A patent/JPH1190365A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113414178A (zh) * | 2021-06-29 | 2021-09-21 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 陶瓷件清洗方法 |
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