JPH0936089A - アッシング方法及びその装置 - Google Patents
アッシング方法及びその装置Info
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- JPH0936089A JPH0936089A JP18255395A JP18255395A JPH0936089A JP H0936089 A JPH0936089 A JP H0936089A JP 18255395 A JP18255395 A JP 18255395A JP 18255395 A JP18255395 A JP 18255395A JP H0936089 A JPH0936089 A JP H0936089A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、有機薄膜を下地膜に対して選択比を
高くして除去する。 【解決手段】Ｏ2 ガスとＣＨＦ3 ガスにＮＨ3 ガスを混
合したアッシング用ガスをプラズマ発生室９に導入し、
マイクロ波を導入してプラズマを発生させ、このプラズ
マにより生じた活性種により被処理体３上の下地膜とし
てのａ−Ｓｉ膜５上に形成された有機薄膜（レジスト）
６を除去する。このときａ−Ｓｉ膜５上にアンモニウム
塩が形成され、ａ−Ｓｉ膜５に対するエッチングが阻止
される。
高くして除去する。 【解決手段】Ｏ2 ガスとＣＨＦ3 ガスにＮＨ3 ガスを混
合したアッシング用ガスをプラズマ発生室９に導入し、
マイクロ波を導入してプラズマを発生させ、このプラズ
マにより生じた活性種により被処理体３上の下地膜とし
てのａ−Ｓｉ膜５上に形成された有機薄膜（レジスト）
６を除去する。このときａ−Ｓｉ膜５上にアンモニウム
塩が形成され、ａ−Ｓｉ膜５に対するエッチングが阻止
される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造プロセ
スや液晶製造プロセス、又はその他の分野の表面処理プ
ロセスにおいて、シリコン系の下地膜上に形成されたフ
ォトレジスト等の有機薄膜を混合ガスを用いて下地膜に
対して選択的に除去するアッシング方法及びその装置に
関する。
スや液晶製造プロセス、又はその他の分野の表面処理プ
ロセスにおいて、シリコン系の下地膜上に形成されたフ
ォトレジスト等の有機薄膜を混合ガスを用いて下地膜に
対して選択的に除去するアッシング方法及びその装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造プロセス、液晶プロセスにお
ける微細加工技術、又はその他の分野の加工技術、例え
ばプリント基板加工、コンパクトディスク、レーザディ
スク等の加工プロセスにおいては、有機化合物をマスク
として加工を行うエッチングプロセスが重要かつ必須の
プロセスとなっている。
ける微細加工技術、又はその他の分野の加工技術、例え
ばプリント基板加工、コンパクトディスク、レーザディ
スク等の加工プロセスにおいては、有機化合物をマスク
として加工を行うエッチングプロセスが重要かつ必須の
プロセスとなっている。
【０００３】この有機化合物は、半導体製造の微細加工
で用いられるフォトレジストのように下地膜を加工処理
するときのマスクとして用いられ、この下地膜の処理が
終わった段階で取り除かれるものである。
で用いられるフォトレジストのように下地膜を加工処理
するときのマスクとして用いられ、この下地膜の処理が
終わった段階で取り除かれるものである。
【０００４】この有機化合物の除去方法としては、例え
ばアルカリ系のレジスト剥離液、Ｈ2 ＳＯ4 とＨ2 Ｏの
混合溶液、或いはこれらに水を加えた溶液で除去する方
法がある。なお、これらの溶液を用いた除去方法は、例
えば液晶製造プロセスで用いられている。
ばアルカリ系のレジスト剥離液、Ｈ2 ＳＯ4 とＨ2 Ｏの
混合溶液、或いはこれらに水を加えた溶液で除去する方
法がある。なお、これらの溶液を用いた除去方法は、例
えば液晶製造プロセスで用いられている。
【０００５】又、これらの溶液を用いずに、Ｏ2 ガスを
反応容器内に導入し、高周波Ｒ．Ｆ又はマイクロ波等に
よりプラズマを発生させ、その活性酸素で有機薄膜を灰
化（アッシング）により除去する方法がある。
反応容器内に導入し、高周波Ｒ．Ｆ又はマイクロ波等に
よりプラズマを発生させ、その活性酸素で有機薄膜を灰
化（アッシング）により除去する方法がある。
【０００６】このアッシングによる除去方法は、Ｓ，Ｍ
Ｉrving,”Ａ Ｐlasma Ｏxidation Ｐrocess for
Ｒemoving Ｐhotoresist Ｆilms”，Ｓolid Ｓtate
Ｔechnol.,Ｖol．14 June,pp. 47〜51,1971 に記載され
ている技術であり、例えば半導体製造工程に用いられ
る。
Ｉrving,”Ａ Ｐlasma Ｏxidation Ｐrocess for
Ｒemoving Ｐhotoresist Ｆilms”，Ｓolid Ｓtate
Ｔechnol.,Ｖol．14 June,pp. 47〜51,1971 に記載され
ている技術であり、例えば半導体製造工程に用いられ
る。
【０００７】又、上記の如くＯ2 ガスを反応容器内に導
入してプラズマを発生し、その活性酸素で有機薄膜をア
ッシングにより除去する方法において、Ｏ2 ガスの代わ
りにＯ2 ガスとフッ素ガス（ＣＦ4 など）の混合ガスを
用い、有機薄膜をアッシングにより除去する方法があ
る。
入してプラズマを発生し、その活性酸素で有機薄膜をア
ッシングにより除去する方法において、Ｏ2 ガスの代わ
りにＯ2 ガスとフッ素ガス（ＣＦ4 など）の混合ガスを
用い、有機薄膜をアッシングにより除去する方法があ
る。
【０００８】このアッシングによる除去方法は、Ｒ．
Ｇ．Ｐoulsen：Ｊ．Ｖac．Ｓci．Ｔechnol．14(1977) 2
66に記載されている技術である。しかしながら、溶液を
用いた除去方法では、これら溶液が高価かつ廃液処理に
手間がかかり、そのうえ高温で使用する場合が多く作業
の安全性において問題がある。
Ｇ．Ｐoulsen：Ｊ．Ｖac．Ｓci．Ｔechnol．14(1977) 2
66に記載されている技術である。しかしながら、溶液を
用いた除去方法では、これら溶液が高価かつ廃液処理に
手間がかかり、そのうえ高温で使用する場合が多く作業
の安全性において問題がある。
【０００９】又、下地膜にアルミニウム等の金属がある
場合、溶液によりこれら金属が腐食してしまい、溶液を
使用する際の用途が限定されてしまう。一方、Ｏ2 ガス
を用いたアッシングでは、溶液を用いる除去方法に比べ
て、コストが低くかつ安全であるが、実用的な除去速度
を得るためには、有機薄膜の形成された下地膜等の処理
対象物を高温、例えば２００℃以上に加熱しなければな
らない。
場合、溶液によりこれら金属が腐食してしまい、溶液を
使用する際の用途が限定されてしまう。一方、Ｏ2 ガス
を用いたアッシングでは、溶液を用いる除去方法に比べ
て、コストが低くかつ安全であるが、実用的な除去速度
を得るためには、有機薄膜の形成された下地膜等の処理
対象物を高温、例えば２００℃以上に加熱しなければな
らない。
【００１０】ところが、液晶プロセス等では、処理対象
物を高温処理すると、下地膜が熱により劣化してしまう
ため、Ｏ2 ガスのみを用いたアッシングは好ましくない
場合がある。
物を高温処理すると、下地膜が熱により劣化してしまう
ため、Ｏ2 ガスのみを用いたアッシングは好ましくない
場合がある。
【００１１】又、Ｏ2 ガスとフッ素ガスの混合ガスを用
いたアッシングでは、常温でも実用的な除去速度を得る
ことができるが、下地膜がアルモファスシリコン（ａ−
Ｓｉ）等のシリコン系の膜の場合、活性フッ素により下
地膜がエッチングされてしまう。
いたアッシングでは、常温でも実用的な除去速度を得る
ことができるが、下地膜がアルモファスシリコン（ａ−
Ｓｉ）等のシリコン系の膜の場合、活性フッ素により下
地膜がエッチングされてしまう。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】以上のように溶液を用
いた除去方法では、溶液のコスト高、廃液処理の手間、
作業の安全性において問題があるばかりでなく、溶液の
用途が限定される。一方、Ｏ2 ガスを用いたアッシング
では、処理対象物を高温に加熱しなければならず、液晶
プロセス等には適さない。
いた除去方法では、溶液のコスト高、廃液処理の手間、
作業の安全性において問題があるばかりでなく、溶液の
用途が限定される。一方、Ｏ2 ガスを用いたアッシング
では、処理対象物を高温に加熱しなければならず、液晶
プロセス等には適さない。
【００１３】又、Ｏ2 ガスとフッ素ガスの混合ガスを用
いたアッシングでは、下地膜がアモルファスシリコン
（ａ−Ｓｉ）等のシリコン系の膜の場合、活性フッ素に
より下地膜がエッチングされてしまう。
いたアッシングでは、下地膜がアモルファスシリコン
（ａ−Ｓｉ）等のシリコン系の膜の場合、活性フッ素に
より下地膜がエッチングされてしまう。
【００１４】そこで本発明は、有機薄膜を下地膜に対し
て選択比を高くして除去できるアッシング方法を提供す
ることを目的とする。又、本発明は、有機薄膜を下地膜
に対して選択比を高くして除去できるアッシング装置を
提供することを目的とする。
て選択比を高くして除去できるアッシング方法を提供す
ることを目的とする。又、本発明は、有機薄膜を下地膜
に対して選択比を高くして除去できるアッシング装置を
提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】請求項１によれば、反応
容器内にアッシング用ガスを導入してプラズマを発生さ
せ、このプラズマにより生じた活性種によりシリコン系
の下地膜上に形成された有機薄膜を除去するアッシング
方法において、アッシング用ガスとして酸素を含むガス
及びフッ素系ガスに、少なくとも窒素及び水素を含むガ
スを混合した混合ガスを用いて上記目的を達成しようと
するアッシング方法である。
容器内にアッシング用ガスを導入してプラズマを発生さ
せ、このプラズマにより生じた活性種によりシリコン系
の下地膜上に形成された有機薄膜を除去するアッシング
方法において、アッシング用ガスとして酸素を含むガス
及びフッ素系ガスに、少なくとも窒素及び水素を含むガ
スを混合した混合ガスを用いて上記目的を達成しようと
するアッシング方法である。
【００１６】請求項２によれば、シリコン系の下地膜
は、アモルファスシリコンであるアッシング方法であ
る。請求項３によれば、フッ素系ガスは、ＣＨＦ3 を含
むガス、ＣＦ4 を含むガス、ＳＦ6 を含むガス、ＮＦ3
を含むガスのうちいずれかのガスであるアッシング方法
である。
は、アモルファスシリコンであるアッシング方法であ
る。請求項３によれば、フッ素系ガスは、ＣＨＦ3 を含
むガス、ＣＦ4 を含むガス、ＳＦ6 を含むガス、ＮＦ3
を含むガスのうちいずれかのガスであるアッシング方法
である。
【００１７】請求項４によれば、少なくとも窒素及び水
素を含むガスは、ＮＨ3 を含むガス、ＨＮ3 を含むガ
ス、ＮＦ3 を含むガス及びＨ2 を含むガスの混合ガス、
Ｈ2 を含むガス及びＮ2 を含むガスの混合ガスのうちい
ずれかのガスであるアッシング方法ある。
素を含むガスは、ＮＨ3 を含むガス、ＨＮ3 を含むガ
ス、ＮＦ3 を含むガス及びＨ2 を含むガスの混合ガス、
Ｈ2 を含むガス及びＮ2 を含むガスの混合ガスのうちい
ずれかのガスであるアッシング方法ある。
【００１８】請求項５によれば、アッシング用ガスは、
Ｏ2 を含むガス及びＣＨＦ3 を含むガスに、ＮＨ3 を含
むガスを添加した混合ガスであるアッシング方法であ
る。請求項６によれば、アッシング用ガスは、Ｏ2 を含
むガス及びＣＨＦ3 を含むガスを１００に対し、ＮＨ3
を含むガスを０．５〜３の割合に混合するアッシング方
法である。
Ｏ2 を含むガス及びＣＨＦ3 を含むガスに、ＮＨ3 を含
むガスを添加した混合ガスであるアッシング方法であ
る。請求項６によれば、アッシング用ガスは、Ｏ2 を含
むガス及びＣＨＦ3 を含むガスを１００に対し、ＮＨ3
を含むガスを０．５〜３の割合に混合するアッシング方
法である。
【００１９】請求項７によれば、アッシング用ガスは、
Ｏ2 を含むガス及びＣＨＦ3 を含むガスを１００に対
し、ＮＨ3 を含むガスを１．５の割合に混合するアッシ
ング方法である。
Ｏ2 を含むガス及びＣＨＦ3 を含むガスを１００に対
し、ＮＨ3 を含むガスを１．５の割合に混合するアッシ
ング方法である。
【００２０】請求項８によれば、アッシング用ガスは、
Ｏ2 を含むガス及びＣＦ4 を含むガスに、ＮＨ3 を含む
ガスを添加した混合ガスであるアッシング方法である。
請求項９によれば、アッシング用ガスは、Ｏ2 を含むガ
ス及びＣＦ4 を含むガスを１００に対し、ＮＨ3 を含む
ガスを０．５〜３の割合に混合するアッシング方法であ
る。
Ｏ2 を含むガス及びＣＦ4 を含むガスに、ＮＨ3 を含む
ガスを添加した混合ガスであるアッシング方法である。
請求項９によれば、アッシング用ガスは、Ｏ2 を含むガ
ス及びＣＦ4 を含むガスを１００に対し、ＮＨ3 を含む
ガスを０．５〜３の割合に混合するアッシング方法であ
る。
【００２１】請求項１０によれば、アッシング用ガス
は、Ｏ2 を含むガス及びＣＦ4 を含むガスを１００に対
し、ＮＨ3 を含むガスを１．５の割合に混合するアッシ
ング方法である。
は、Ｏ2 を含むガス及びＣＦ4 を含むガスを１００に対
し、ＮＨ3 を含むガスを１．５の割合に混合するアッシ
ング方法である。
【００２２】請求項１１によれば、反応容器内にシリコ
ン系の下地膜上に有機薄膜を形成した被処理体を配置
し、この反応容器内にプラズマを発生させ、このプラズ
マにより生じた活性種により下地膜上に形成された有機
薄膜を除去するアッシング装置において、反応容器内に
導入する酸素を含むガス及びフッ素系ガスに、少なくと
も窒素及び水素を含むガスを混合したアッシング用ガス
と、反応容器内に導入されたアッシング用ガスを励起し
てプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、を備えて
上記目的を達成しようとするアッシング装置である。
ン系の下地膜上に有機薄膜を形成した被処理体を配置
し、この反応容器内にプラズマを発生させ、このプラズ
マにより生じた活性種により下地膜上に形成された有機
薄膜を除去するアッシング装置において、反応容器内に
導入する酸素を含むガス及びフッ素系ガスに、少なくと
も窒素及び水素を含むガスを混合したアッシング用ガス
と、反応容器内に導入されたアッシング用ガスを励起し
てプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、を備えて
上記目的を達成しようとするアッシング装置である。
【００２３】上記の如く請求項１によれば、反応容器内
に酸素を含むガス及びフッ素系ガスに、少なくとも窒素
及び水素を含むガスを混合したアッシング用ガスを導入
し、プラズマを発生させる。このプラズマにより生じた
活性種によりシリコン系の下地膜上に形成された有機薄
膜は除去される。
に酸素を含むガス及びフッ素系ガスに、少なくとも窒素
及び水素を含むガスを混合したアッシング用ガスを導入
し、プラズマを発生させる。このプラズマにより生じた
活性種によりシリコン系の下地膜上に形成された有機薄
膜は除去される。
【００２４】このとき、下地膜の上には、アンモニウム
塩が形成され、このアンモニウム塩により下地膜のエッ
チングが抑制される。これにより、有機薄膜は、下地膜
に対して選択比高く除去される。
塩が形成され、このアンモニウム塩により下地膜のエッ
チングが抑制される。これにより、有機薄膜は、下地膜
に対して選択比高く除去される。
【００２５】請求項２によれば、処理室内に酸素を含む
ガス及びフッ素系ガスに、少なくとも窒素及び水素を含
むガスを混合したアッシング用ガスを導入してプラズマ
を発生させ、このプラズマにより生じた活性種によりａ
−Ｓｉ膜の下地膜上に形成された有機薄膜を除去すると
き、このときａ−Ｓｉ膜上には、アンモニウム塩が形成
され、このアンモニウム塩によりａ−Ｓｉ膜のエッチン
グが抑制される。
ガス及びフッ素系ガスに、少なくとも窒素及び水素を含
むガスを混合したアッシング用ガスを導入してプラズマ
を発生させ、このプラズマにより生じた活性種によりａ
−Ｓｉ膜の下地膜上に形成された有機薄膜を除去すると
き、このときａ−Ｓｉ膜上には、アンモニウム塩が形成
され、このアンモニウム塩によりａ−Ｓｉ膜のエッチン
グが抑制される。
【００２６】このようなアッシングにおいて、請求項３
によれば、フッ素系ガスとしてＣＨＦ3 を含むガス、Ｃ
Ｆ4 を含むガス、ＳＦ6 を含むガス、ＮＦ3 を含むガス
のうちいずれかのガスを用いることにより、ａ−Ｓｉ等
の下地膜上にアンモニウム塩が形成され、このアンモニ
ウム塩によりａ−Ｓｉのエッチングが抑制される。
によれば、フッ素系ガスとしてＣＨＦ3 を含むガス、Ｃ
Ｆ4 を含むガス、ＳＦ6 を含むガス、ＮＦ3 を含むガス
のうちいずれかのガスを用いることにより、ａ−Ｓｉ等
の下地膜上にアンモニウム塩が形成され、このアンモニ
ウム塩によりａ−Ｓｉのエッチングが抑制される。
【００２７】又、請求項４によれば、少なくとも窒素及
び水素を含むガスとして、ＮＨ3 を含むガス、ＮＦ3 を
含むガス及びＨ2 を含むガスの混合ガス、Ｈ2 を含むガ
ス及びＮ2 を含むガスの混合ガスのうちいずれかのガス
を用いることにより、ａ−Ｓｉ等の下地膜上にアンモニ
ウム塩が形成され、このアンモニウム塩によりａ−Ｓｉ
のエッチングが抑制される。
び水素を含むガスとして、ＮＨ3 を含むガス、ＮＦ3 を
含むガス及びＨ2 を含むガスの混合ガス、Ｈ2 を含むガ
ス及びＮ2 を含むガスの混合ガスのうちいずれかのガス
を用いることにより、ａ−Ｓｉ等の下地膜上にアンモニ
ウム塩が形成され、このアンモニウム塩によりａ−Ｓｉ
のエッチングが抑制される。
【００２８】請求項５によれば、アッシング用ガスとし
て、Ｏ2 を含むガス及びＣＨＦ3 を含むガスにＮＨ3 を
含むガスを添加した混合ガスを用いることにより、ａ−
Ｓｉ等の下地膜上にアンモニウム塩が形成され、このア
ンモニウム塩によりａ−Ｓｉのエッチングが抑制され
る。
て、Ｏ2 を含むガス及びＣＨＦ3 を含むガスにＮＨ3 を
含むガスを添加した混合ガスを用いることにより、ａ−
Ｓｉ等の下地膜上にアンモニウム塩が形成され、このア
ンモニウム塩によりａ−Ｓｉのエッチングが抑制され
る。
【００２９】請求項６によれば、アッシング用ガスにお
ける混合の割合を、Ｏ2 を含むガス及びＣＨＦ3 を含む
ガスを１００に対し、ＮＨ3 を含むガスを０．５〜３と
することにより、有機薄膜のアッシング量を下地膜のア
ッシング量により除算した選択比を最適にできる。
ける混合の割合を、Ｏ2 を含むガス及びＣＨＦ3 を含む
ガスを１００に対し、ＮＨ3 を含むガスを０．５〜３と
することにより、有機薄膜のアッシング量を下地膜のア
ッシング量により除算した選択比を最適にできる。
【００３０】請求項７によれば、アッシング用ガスにお
ける混合の割合を、Ｏ2 を含むガス及びＣＨＦ3 を含む
ガスを１００に対し、ＮＨ3 を含むガスを１．５とする
ことにより、有機薄膜のアッシング量を下地膜のアッシ
ング量により除算した選択比を最も高くできる。
ける混合の割合を、Ｏ2 を含むガス及びＣＨＦ3 を含む
ガスを１００に対し、ＮＨ3 を含むガスを１．５とする
ことにより、有機薄膜のアッシング量を下地膜のアッシ
ング量により除算した選択比を最も高くできる。
【００３１】請求項８によれば、アッシング用ガスとし
て、Ｏ2 を含むガス及びＣＦ4 を含むガスにＮＨ3 を含
むガスを添加した混合ガスを用いることにより、ａ−Ｓ
ｉ等の下地膜上にアンモニウム塩が形成され、このアン
モニウム塩によりａ−Ｓｉのエッチングが抑制される。
て、Ｏ2 を含むガス及びＣＦ4 を含むガスにＮＨ3 を含
むガスを添加した混合ガスを用いることにより、ａ−Ｓ
ｉ等の下地膜上にアンモニウム塩が形成され、このアン
モニウム塩によりａ−Ｓｉのエッチングが抑制される。
【００３２】請求項９によれば、アッシング用ガスにお
ける混合の割合を、Ｏ2 を含むガス及びＣＦ4 を含むガ
スを１００に対し、ＮＨ3 を含むガスを０．５〜３とす
ることにより、有機薄膜のアッシング量を下地膜のアッ
シング量により除算した選択比を最適にできる。
ける混合の割合を、Ｏ2 を含むガス及びＣＦ4 を含むガ
スを１００に対し、ＮＨ3 を含むガスを０．５〜３とす
ることにより、有機薄膜のアッシング量を下地膜のアッ
シング量により除算した選択比を最適にできる。
【００３３】請求項１０によれば、アッシング用ガスに
おける混合の割合を、Ｏ2 を含むガス及びＣＦ4 を含む
ガスを１００に対し、ＮＨ3 を含むガスを１．５とする
ことにより、有機薄膜のアッシング量を下地膜のアッシ
ング量により除算した選択比を最も高くできる。
おける混合の割合を、Ｏ2 を含むガス及びＣＦ4 を含む
ガスを１００に対し、ＮＨ3 を含むガスを１．５とする
ことにより、有機薄膜のアッシング量を下地膜のアッシ
ング量により除算した選択比を最も高くできる。
【００３４】請求項１１によれば、反応容器内にシリコ
ン系の下地膜上に有機薄膜を形成した被処理体を配置
し、この反応容器内に酸素を含むガス及びフッ素系ガス
に少なくとも窒素及び水素を含むガスを混合したアッシ
ング用ガスを導入し、かつこのアッシング用ガスをプラ
ズマ発生手段により励起してプラズマを発生させる。
ン系の下地膜上に有機薄膜を形成した被処理体を配置
し、この反応容器内に酸素を含むガス及びフッ素系ガス
に少なくとも窒素及び水素を含むガスを混合したアッシ
ング用ガスを導入し、かつこのアッシング用ガスをプラ
ズマ発生手段により励起してプラズマを発生させる。
【００３５】これにより、このプラズマにより生じた活
性種によりシリコン系の下地膜上に形成された有機薄膜
は除去される。このとき、下地膜の上には、アンモニウ
ム塩が形成され、このアンモニウム塩により下地膜のエ
ッチングが抑制される。
性種によりシリコン系の下地膜上に形成された有機薄膜
は除去される。このとき、下地膜の上には、アンモニウ
ム塩が形成され、このアンモニウム塩により下地膜のエ
ッチングが抑制される。
【００３６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。本発明の請求項１に対応
するアッシング方法は、反応容器内にアッシング用ガス
を導入してプラズマを発生させ、このプラズマにより生
じた活性種によりａ−Ｓｉ膜の下地膜上に形成された有
機薄膜（レジスト）を除去する場合、アッシング用ガス
として酸素を含むガス及びフッ素系ガスに、少なくとも
窒素及び水素を含むガスを混合した混合ガスを用いるも
のとなっている。
いて図面を参照して説明する。本発明の請求項１に対応
するアッシング方法は、反応容器内にアッシング用ガス
を導入してプラズマを発生させ、このプラズマにより生
じた活性種によりａ−Ｓｉ膜の下地膜上に形成された有
機薄膜（レジスト）を除去する場合、アッシング用ガス
として酸素を含むガス及びフッ素系ガスに、少なくとも
窒素及び水素を含むガスを混合した混合ガスを用いるも
のとなっている。
【００３７】図１は本発明の請求項１１に対応するダウ
ンフロー型アッシング装置の構成図である。なお、この
アッシング装置は、本発明の請求項１〜１０のアッシン
グ方法を適用している。
ンフロー型アッシング装置の構成図である。なお、この
アッシング装置は、本発明の請求項１〜１０のアッシン
グ方法を適用している。
【００３８】反応容器１の内部には、ステージ２が設け
られ、このステージ２上に被処理体３が載置されてい
る。この被処理体３は、図２に示すようにガラス基板又
はＳｉ基板４の上に下地膜としてのａ−Ｓｉ膜５を形成
し、その上に有機薄膜であるレジスト６がパターニング
されている。
られ、このステージ２上に被処理体３が載置されてい
る。この被処理体３は、図２に示すようにガラス基板又
はＳｉ基板４の上に下地膜としてのａ−Ｓｉ膜５を形成
し、その上に有機薄膜であるレジスト６がパターニング
されている。
【００３９】なお、この下地膜は、ａ−Ｓｉ膜５に限ら
ず、ｐ−Ｓｉ膜や単結晶シリコンでも適用できるもので
ある。この反応容器１内には拡散板７が設けられ、かつ
反応容器１の底部には各排気口８が設けられている。
ず、ｐ−Ｓｉ膜や単結晶シリコンでも適用できるもので
ある。この反応容器１内には拡散板７が設けられ、かつ
反応容器１の底部には各排気口８が設けられている。
【００４０】又、反応容器１の上部には、プラズマを発
生するための領域を形成するプラズマ発生室９が形成さ
れている。このプラズマ発生室９は、反応容器１に連通
しており、その側壁にはガス導入管１０が接続されてい
る。
生するための領域を形成するプラズマ発生室９が形成さ
れている。このプラズマ発生室９は、反応容器１に連通
しており、その側壁にはガス導入管１０が接続されてい
る。
【００４１】このガス導入管１０は、アッシング用ガス
をプラズマ発生室９の内部に導入するためのものであ
る。ここで、アッシング用ガスは、酸素を含むガス及び
フッ素系ガスに、少なくとも窒素及び水素を含むガスを
混合した混合ガスである。
をプラズマ発生室９の内部に導入するためのものであ
る。ここで、アッシング用ガスは、酸素を含むガス及び
フッ素系ガスに、少なくとも窒素及び水素を含むガスを
混合した混合ガスである。
【００４２】具体的に酸素を含むガスはＯ2 を含むガス
であり、フッ素系ガスはＣＨＦ3 を含むガス、ＣＦ4 を
含むガス、ＳＦ6 を含むガス、ＮＦ3 を含むガスのうち
いずれか１つのガスを用いている。
であり、フッ素系ガスはＣＨＦ3 を含むガス、ＣＦ4 を
含むガス、ＳＦ6 を含むガス、ＮＦ3 を含むガスのうち
いずれか１つのガスを用いている。
【００４３】又、少なくとも窒素及び水素を含むガス
は、ＮＨ3 を含むガス、ＮＦ3 を含むガス及びＨ2 を含
むガスの混合ガス、Ｈ2 を含むガス及びＮ2 を含むガス
の混合ガスのうちいずれか１つのガスを用いている。
は、ＮＨ3 を含むガス、ＮＦ3 を含むガス及びＨ2 を含
むガスの混合ガス、Ｈ2 を含むガス及びＮ2 を含むガス
の混合ガスのうちいずれか１つのガスを用いている。
【００４４】具体的なアッシング用ガスを挙げると、例
えばＯ2 ガス及びＣＨＦ3 を含むガスに、ＮＨ3 を含む
ガスを添加した混合ガスである。このアッシング用ガス
は、Ｏ2 を含むガス及びＣＨＦ3 を含むガスを１００に
対し、ＮＨ3 を含むガスを０．５〜３の割合に混合した
ものである。
えばＯ2 ガス及びＣＨＦ3 を含むガスに、ＮＨ3 を含む
ガスを添加した混合ガスである。このアッシング用ガス
は、Ｏ2 を含むガス及びＣＨＦ3 を含むガスを１００に
対し、ＮＨ3 を含むガスを０．５〜３の割合に混合した
ものである。
【００４５】なお、最適なアッシング用ガスにおける混
合の割合は、Ｏ2 を含むガス及びＣＨＦ3 を含むガスを
１００に対し、ＮＨ3 を含むガスを１．５の割合に混合
することである。
合の割合は、Ｏ2 を含むガス及びＣＨＦ3 を含むガスを
１００に対し、ＮＨ3 を含むガスを１．５の割合に混合
することである。
【００４６】プラズマ発生室９の開口部には、石英板１
１が配置され、かつプラズマ導波管１２を介してマイク
ロ波発振器１３が接続されている。次に上記の如く構成
された装置のアッシング作用について説明する。
１が配置され、かつプラズマ導波管１２を介してマイク
ロ波発振器１３が接続されている。次に上記の如く構成
された装置のアッシング作用について説明する。
【００４７】マイクロ波発振器１３でマイクロ波が発生
すると、このマイクロ波はプラズマ導波管１２により導
かれ、石英板１１を介してプラズマ発生室９内のプラズ
マ発生領域に導かれる。
すると、このマイクロ波はプラズマ導波管１２により導
かれ、石英板１１を介してプラズマ発生室９内のプラズ
マ発生領域に導かれる。
【００４８】この際に、ガス導入管１０からプラズマ発
生室９内にアッシング用ガス、例えばＯ2 ガス及びＣＨ
Ｆ3 ガスにＮＨ3 ガスを添加した混合ガスが導入される
と、マイクロ波により励起されてプラズマが発生する。
生室９内にアッシング用ガス、例えばＯ2 ガス及びＣＨ
Ｆ3 ガスにＮＨ3 ガスを添加した混合ガスが導入される
と、マイクロ波により励起されてプラズマが発生する。
【００４９】このプラズマにより生じた活性種は、拡散
板７を通して反応容器１内の処理室１ａに入り、被処理
体３に対するアッシングを行う。すなわち、ａ−Ｓｉ膜
５上の有機薄膜６が除去される。
板７を通して反応容器１内の処理室１ａに入り、被処理
体３に対するアッシングを行う。すなわち、ａ−Ｓｉ膜
５上の有機薄膜６が除去される。
【００５０】なお、処理室１ａは、各排気口８から真空
ポンプ等により排気される。このようにＯ2 ガス及びＣ
ＨＦ3 ガスにＮＨ3 ガスを添加した混合ガスを用いて、
ａ−Ｓｉ膜５上に有機薄膜６の形成された被処理体３の
アッシングを行うと、ａ−Ｓｉ膜５上にアンモニウム塩
が形成され、ａ−Ｓｉ膜５に対するエッチングが阻止さ
れる。
ポンプ等により排気される。このようにＯ2 ガス及びＣ
ＨＦ3 ガスにＮＨ3 ガスを添加した混合ガスを用いて、
ａ−Ｓｉ膜５上に有機薄膜６の形成された被処理体３の
アッシングを行うと、ａ−Ｓｉ膜５上にアンモニウム塩
が形成され、ａ−Ｓｉ膜５に対するエッチングが阻止さ
れる。
【００５１】すなわち、被処理体３の表面では、 ＮＨ3 ＋ＨＦ → ＮＨ4 Ｆ Ｓｉ＋ＣＦ4 → ＳｉＦ4 ↑ ２ＮＨ4 Ｆ＋ＳｉＦ4 → （ＮＨ4 ）2 ＳｉＦ6 の反応が進行する。
【００５２】しかるに、この反応式からアンモニウム塩
（ＮＨ4 ）2 ＳｉＦ6 が生成されることが分かる。従っ
て、このアンモニウム塩（ＮＨ4 ）2 ＳｉＦ6 によりａ
−Ｓｉ膜５に対するエッチングが阻止され、有機薄膜６
のみが除去される。
（ＮＨ4 ）2 ＳｉＦ6 が生成されることが分かる。従っ
て、このアンモニウム塩（ＮＨ4 ）2 ＳｉＦ6 によりａ
−Ｓｉ膜５に対するエッチングが阻止され、有機薄膜６
のみが除去される。
【００５３】図３はＯ2 ガスとＣＨＦ3 ガスにＮＨ3 ガ
スを添加した混合ガスを使用してアッシングした後、ａ
−Ｓｉ膜５上に形成された生成膜を赤外分光法（ＦＴ−
ＩＲ）で分析したときの結果を示す。この分析結果に示
すようにＮ−Ｈのピークが現われ、アンモニウム塩が形
成されていることが確認できる。
スを添加した混合ガスを使用してアッシングした後、ａ
−Ｓｉ膜５上に形成された生成膜を赤外分光法（ＦＴ−
ＩＲ）で分析したときの結果を示す。この分析結果に示
すようにＮ−Ｈのピークが現われ、アンモニウム塩が形
成されていることが確認できる。
【００５４】一方、図４は有機薄膜６をＯ2 ガスとＣＨ
Ｆ3 ガスにＮＨ3 ガスを添加した混合ガスでアッシング
したときのアッシングレート、ａ−Ｓｉ膜５のエッチン
グレート、及び選択比の実験結果を示す。
Ｆ3 ガスにＮＨ3 ガスを添加した混合ガスでアッシング
したときのアッシングレート、ａ−Ｓｉ膜５のエッチン
グレート、及び選択比の実験結果を示す。
【００５５】このアッシングの条件は、ガス流量Ｏ2 ／
ＣＨＦ3 ＝９７０／３０sccm、圧力４７Ｐａ、マイクロ
波出力１ｋｗ、温度を有機薄膜６において室温Ｒ．Ｔ、
ａ−Ｓｉ膜５において８０℃としている。
ＣＨＦ3 ＝９７０／３０sccm、圧力４７Ｐａ、マイクロ
波出力１ｋｗ、温度を有機薄膜６において室温Ｒ．Ｔ、
ａ−Ｓｉ膜５において８０℃としている。
【００５６】このような条件下において、ＮＨ3 ガスの
流量を変化させ、このＮＨ3 流量を１０sccm添加した場
合、ＮＨ3 ガスを添加したかった場合（ＮＨ3 流量０sc
cm）に比べて選択比が２倍以上に向上している。
流量を変化させ、このＮＨ3 流量を１０sccm添加した場
合、ＮＨ3 ガスを添加したかった場合（ＮＨ3 流量０sc
cm）に比べて選択比が２倍以上に向上している。
【００５７】なお、この選択比は、有機薄膜６のアッシ
ング量をａ−Ｓｉ膜５のアッシング量で除算した値であ
り、この値が大きい程ａ−Ｓｉ膜５に対して有機薄膜６
が除去されていることを示す。
ング量をａ−Ｓｉ膜５のアッシング量で除算した値であ
り、この値が大きい程ａ−Ｓｉ膜５に対して有機薄膜６
が除去されていることを示す。
【００５８】そして、アッシング用ガスは、Ｏ2 を含む
ガス及びＣＨＦ3 を含むガスを１００に対し、ＮＨ3 を
含むガスを０．５〜３の割合で混合するのが最適である
ことが分かる。
ガス及びＣＨＦ3 を含むガスを１００に対し、ＮＨ3 を
含むガスを０．５〜３の割合で混合するのが最適である
ことが分かる。
【００５９】特にＯ2 を含むガス及びＣＨＦ3 を含むガ
スを１００に対しＮＨ3 を含むガスを１．５の割合に混
合することで、ａ−Ｓｉ膜５に対して選択性高く有機薄
膜６を除去できる。
スを１００に対しＮＨ3 を含むガスを１．５の割合に混
合することで、ａ−Ｓｉ膜５に対して選択性高く有機薄
膜６を除去できる。
【００６０】なお、この実験結果からＮＨ3 ガスを１５
sccm以上添加すると、選択比が無限大になることが予測
される。以上のように被処理体３の有機薄膜６をＯ2 ガ
スとＣＨＦ3 ガスにＮＨ3 ガスを添加した混合ガスでア
ッシングし、この後、被処理体３に対して水で２分間超
音波洗浄が行われる。
sccm以上添加すると、選択比が無限大になることが予測
される。以上のように被処理体３の有機薄膜６をＯ2 ガ
スとＣＨＦ3 ガスにＮＨ3 ガスを添加した混合ガスでア
ッシングし、この後、被処理体３に対して水で２分間超
音波洗浄が行われる。
【００６１】図５はアッシング後においてａ−Ｓｉ膜５
をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）で分析した結果を示し、
図６は超音波洗浄後のａ−Ｓｉ膜５をＸ線光電子分光法
（ＸＰＳ）で分析した結果を示す。これらのＸＰＳ分析
結果から分かるように超音波洗浄後はＮのピークが消滅
しており、アンモニウム塩が除去されたことが確認でき
る。
をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）で分析した結果を示し、
図６は超音波洗浄後のａ−Ｓｉ膜５をＸ線光電子分光法
（ＸＰＳ）で分析した結果を示す。これらのＸＰＳ分析
結果から分かるように超音波洗浄後はＮのピークが消滅
しており、アンモニウム塩が除去されたことが確認でき
る。
【００６２】次に別の条件下での実験結果について説明
する。図７は有機薄膜６をＯ2 ガスとＣＨＦ3 ガスにＮ
Ｈ3 ガスを添加した混合ガスでアッシングしたときのア
ッシングレート、ａ−Ｓｉ膜５のエッチングレート、及
び選択比の実験結果を示す。
する。図７は有機薄膜６をＯ2 ガスとＣＨＦ3 ガスにＮ
Ｈ3 ガスを添加した混合ガスでアッシングしたときのア
ッシングレート、ａ−Ｓｉ膜５のエッチングレート、及
び選択比の実験結果を示す。
【００６３】このアッシングの条件は、ガス流量Ｏ2 ／
ＣＨＦ3 ＝９７０／３０sccm、圧力４７Ｐａ、マイクロ
波出力１ｋｗ、室温Ｒ．Ｔとしている。このような条件
下において、ＮＨ3 流量を５sccm添加した場合、ＮＨ3
ガスを添加しなかった場合（ＮＨ3 流量０sccm）に比べ
て選択比が向上していることが分かる。
ＣＨＦ3 ＝９７０／３０sccm、圧力４７Ｐａ、マイクロ
波出力１ｋｗ、室温Ｒ．Ｔとしている。このような条件
下において、ＮＨ3 流量を５sccm添加した場合、ＮＨ3
ガスを添加しなかった場合（ＮＨ3 流量０sccm）に比べ
て選択比が向上していることが分かる。
【００６４】図８はフッ素系のガスをＣＦ4 ガスに代
え、有機薄膜６をＯ2 ガスとＣＦ4 ガスにＮＨ3 ガスを
添加した混合ガスでアッシングしたときのアッシングレ
ート、ａ−Ｓｉ膜５のエッチングレート、及び選択比の
実験結果を示す。
え、有機薄膜６をＯ2 ガスとＣＦ4 ガスにＮＨ3 ガスを
添加した混合ガスでアッシングしたときのアッシングレ
ート、ａ−Ｓｉ膜５のエッチングレート、及び選択比の
実験結果を示す。
【００６５】このアッシングの条件は、ガス流量Ｏ2 ／
ＣＦ4 ＝８５０／１５０sccm、圧力４７Ｐａ、マイクロ
波出力１ｋｗ、室温Ｒ．Ｔとしている。なお、アッシン
グ用ガスは、Ｏ2 を含むガス及びＣＦ4 を含むガスを１
００に対し、ＮＨ3 を含むガスを０．５〜３の割合に混
合したものである。
ＣＦ4 ＝８５０／１５０sccm、圧力４７Ｐａ、マイクロ
波出力１ｋｗ、室温Ｒ．Ｔとしている。なお、アッシン
グ用ガスは、Ｏ2 を含むガス及びＣＦ4 を含むガスを１
００に対し、ＮＨ3 を含むガスを０．５〜３の割合に混
合したものである。
【００６６】なお、最適なアッシング用ガスにおける混
合の割合は、Ｏ2 を含むガス及びＣＦ4 を含むガスを１
００に対し、ＮＨ3 を含むガスを１．５の割合に混合す
ることである。
合の割合は、Ｏ2 を含むガス及びＣＦ4 を含むガスを１
００に対し、ＮＨ3 を含むガスを１．５の割合に混合す
ることである。
【００６７】このような条件下においてでも、例えばＮ
Ｈ3 流量を１０sccm添加した場合、ＮＨ3 ガスを添加し
たかった場合（ＮＨ3 流量０sccm）に比べて選択比が２
倍以上向上していることが分かる。
Ｈ3 流量を１０sccm添加した場合、ＮＨ3 ガスを添加し
たかった場合（ＮＨ3 流量０sccm）に比べて選択比が２
倍以上向上していることが分かる。
【００６８】図９は下地膜をｎ+ａ−Ｓｉとしたとき
の、有機薄膜６をＯ2 ガスとＣＦ4 ガスにＮＨ3 ガスを
添加した混合ガスでアッシングしたときのアッシングレ
ート、ａ−Ｓｉ膜５のエッチングレート、及び選択比の
実験結果を示す。
の、有機薄膜６をＯ2 ガスとＣＦ4 ガスにＮＨ3 ガスを
添加した混合ガスでアッシングしたときのアッシングレ
ート、ａ−Ｓｉ膜５のエッチングレート、及び選択比の
実験結果を示す。
【００６９】このアッシングの条件は、ガス流量Ｏ2 ／
ＣＦ4 ＝８５０／１５０sccm、圧力４７Ｐａ、マイクロ
波出力１ｋｗ、室温Ｒ．Ｔとしている。下地膜をｎ+ａ
−Ｓｉとした場合でも、例えばＮＨ3 流量を１０sccm添
加した場合、ＮＨ3 ガスを添加したかった場合（ＮＨ3
流量０sccm）に比べて選択比が２倍以上向上しているこ
とが分かる。
ＣＦ4 ＝８５０／１５０sccm、圧力４７Ｐａ、マイクロ
波出力１ｋｗ、室温Ｒ．Ｔとしている。下地膜をｎ+ａ
−Ｓｉとした場合でも、例えばＮＨ3 流量を１０sccm添
加した場合、ＮＨ3 ガスを添加したかった場合（ＮＨ3
流量０sccm）に比べて選択比が２倍以上向上しているこ
とが分かる。
【００７０】このように上記一実施の形態においては、
Ｏ2 ガスとＣＨＦ3 ガスにＮＨ3 ガスを混合したアッシ
ング用ガスを導入し、マイクロ波を導入してプラズマを
発生させ、このプラズマにより生じた活性種により下地
膜としてのａ−Ｓｉ膜５上に形成された有機薄膜（レジ
スト）６を除去するようにしたので、ａ−Ｓｉ膜５の上
には、アンモニウム塩（ＮＨ4 ）2 ＳｉＦ6 が形成さ
れ、このアンモニウム塩によりａ−Ｓｉ膜５のエッチン
グが抑制され、有機薄膜６をａ−Ｓｉ膜５に対して選択
比高く除去できる。
Ｏ2 ガスとＣＨＦ3 ガスにＮＨ3 ガスを混合したアッシ
ング用ガスを導入し、マイクロ波を導入してプラズマを
発生させ、このプラズマにより生じた活性種により下地
膜としてのａ−Ｓｉ膜５上に形成された有機薄膜（レジ
スト）６を除去するようにしたので、ａ−Ｓｉ膜５の上
には、アンモニウム塩（ＮＨ4 ）2 ＳｉＦ6 が形成さ
れ、このアンモニウム塩によりａ−Ｓｉ膜５のエッチン
グが抑制され、有機薄膜６をａ−Ｓｉ膜５に対して選択
比高く除去できる。
【００７１】この場合、Ｏ2 を含むガス及びＣＨＦ3 を
含むガスを１００に対し、ＮＨ3 を含むガスを０．５〜
３の割合で混合するのが最適であり、特にＯ2 を含むガ
ス及びＣＨＦ3 を含むガスを１００に対しＮＨ3 を含む
ガスを１．５の割合に混合することで、ａ−Ｓｉ膜５に
対して選択性高く有機薄膜６を除去できる。
含むガスを１００に対し、ＮＨ3 を含むガスを０．５〜
３の割合で混合するのが最適であり、特にＯ2 を含むガ
ス及びＣＨＦ3 を含むガスを１００に対しＮＨ3 を含む
ガスを１．５の割合に混合することで、ａ−Ｓｉ膜５に
対して選択性高く有機薄膜６を除去できる。
【００７２】又、フッ素系ガスとしては、ＣＨＦ3 を含
むガス、ＣＦ4 を含むガス、ＳＦ6を含むガス、ＮＦ3
を含むガスのうちいずれか１つのガスを用いても、ａ−
Ｓｉ膜５の上にアンモニウム塩を形成し、このアンモニ
ウム塩によりａ−Ｓｉ膜５のエッチングを抑制して、有
機薄膜６をａ−Ｓｉ膜５に対して選択比高く除去でき
る。
むガス、ＣＦ4 を含むガス、ＳＦ6を含むガス、ＮＦ3
を含むガスのうちいずれか１つのガスを用いても、ａ−
Ｓｉ膜５の上にアンモニウム塩を形成し、このアンモニ
ウム塩によりａ−Ｓｉ膜５のエッチングを抑制して、有
機薄膜６をａ−Ｓｉ膜５に対して選択比高く除去でき
る。
【００７３】一方、アンモニウム塩は、水洗い等により
容易に除去できるので、後工程に影響を与えることはな
い。なお、本発明は、上記一実施の形態に限定されるも
のでなく次の通り変形してもよい。
容易に除去できるので、後工程に影響を与えることはな
い。なお、本発明は、上記一実施の形態に限定されるも
のでなく次の通り変形してもよい。
【００７４】上記一実施の形態では、ダウンフロー型ア
ッシング装置に適用した場合について説明したが、これ
に限らずバレル型、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）
スパッタ装置、平行平板型プラズマアッシング装置に適
用してもよい。又、プラズマを発生させる手段として
は、マイクロ波に限らず、高周波Ｒ．Ｆを用いてもよ
い。
ッシング装置に適用した場合について説明したが、これ
に限らずバレル型、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）
スパッタ装置、平行平板型プラズマアッシング装置に適
用してもよい。又、プラズマを発生させる手段として
は、マイクロ波に限らず、高周波Ｒ．Ｆを用いてもよ
い。
【００７５】
【発明の効果】以上詳記したように本発明の請求項１〜
１０によれば、有機薄膜を下地膜に対して選択比を高く
して除去できるアッシング方法を提供できる。又、本発
明の請求項２によれば、有機薄膜（レジスト）を下地膜
としてのａ−Ｓｉ膜に対して選択比を高くして除去でき
るアッシング方法を提供できる。
１０によれば、有機薄膜を下地膜に対して選択比を高く
して除去できるアッシング方法を提供できる。又、本発
明の請求項２によれば、有機薄膜（レジスト）を下地膜
としてのａ−Ｓｉ膜に対して選択比を高くして除去でき
るアッシング方法を提供できる。
【００７６】又、本発明の請求項７によれば、Ｏ2 を含
むガス及びＣＨＦ3 を含むガスを１００に対し、ＮＨ3
を含むガスを１．５の割合に混合することにより最適な
選択比で有機薄膜を下地膜としてのａ−Ｓｉ膜に対して
選択比を高くして除去できるアッシング方法を提供でき
る。又、本発明の請求項１１によれば、有機薄膜を下地
膜に対して選択比を高くして除去できるアッシング装置
を提供できる。
むガス及びＣＨＦ3 を含むガスを１００に対し、ＮＨ3
を含むガスを１．５の割合に混合することにより最適な
選択比で有機薄膜を下地膜としてのａ−Ｓｉ膜に対して
選択比を高くして除去できるアッシング方法を提供でき
る。又、本発明の請求項１１によれば、有機薄膜を下地
膜に対して選択比を高くして除去できるアッシング装置
を提供できる。
【図１】本発明に係わるアッシング装置の一実施の形態
を示す構成図。
を示す構成図。
【図２】被処理体の構造図。
【図３】ａ−Ｓｉ膜上に形成された生成膜の赤外分光法
の分析結果を示す図。
の分析結果を示す図。
【図４】Ｏ2 ／ＣＨＦ3 にＮＨ3 を添加したときのアッ
シングによる選択比などの実験結果を示す図。
シングによる選択比などの実験結果を示す図。
【図５】アッシング後のＸＰＳの分析結果を示す図。
【図６】水の超音波洗浄後のＸＰＳの分析結果を示す
図。
図。
【図７】アッシングによる選択比などの実験結果を示す
図。
図。
【図８】Ｏ2 ／ＣＦ4 にＮＨ3 を添加したときのアッシ
ングによる選択比などの実験結果を示す図。
ングによる選択比などの実験結果を示す図。
【図９】ｎ+ａ−Ｓｉ膜に対するアッシングによる選択
比などの実験結果を示す図。
比などの実験結果を示す図。
１…反応容器、２…ステージ、３…被処理体、４…Ｓｉ
基板、５…ａ−Ｓｉ膜、６…有機薄膜（レジスト）、７
…拡散板、９…プラズマ発生室、１０…ガス導入管、１
２…プラズマ導波管、１３…マイクロ波発振器。
基板、５…ａ−Ｓｉ膜、６…有機薄膜（レジスト）、７
…拡散板、９…プラズマ発生室、１０…ガス導入管、１
２…プラズマ導波管、１３…マイクロ波発振器。
Claims (11)
- 【請求項１】 反応容器内にアッシング用ガスを導入し
てプラズマを発生させ、このプラズマにより生じた活性
種によりシリコン系の下地膜上に形成された有機薄膜を
除去するアッシング方法において、 前記アッシング用ガスとして酸素を含むガス及びフッ素
系ガスに、少なくとも窒素及び水素を含むガスを混合し
た混合ガスを用いる、ことを特徴とするアッシング方
法。 - 【請求項２】 前記シリコン系の下地膜は、アモルファ
スシリコンであることを特徴とする請求項１記載のアッ
シング方法。 - 【請求項３】 前記フッ素系ガスは、ＣＨＦ3 を含むガ
ス、ＣＦ4 を含むガス、ＳＦ6 を含むガス、ＮＦ3 を含
むガスのうちいずれかのガスであることを特徴とする請
求項１記載のアッシング方法。 - 【請求項４】 少なくとも窒素及び水素を含むガスは、
ＮＨ3 を含むガス、ＨＮ3 を含むガス、ＮＦ3 を含むガ
ス及びＨ2 を含むガスの混合ガス、Ｈ2 を含むガス及び
Ｎ2 を含むガスの混合ガスのうちいずれかのガスである
ことを特徴とする請求項１記載のアッシング方法。 - 【請求項５】 前記アッシング用ガスは、Ｏ2 を含むガ
ス及びＣＨＦ3 を含むガスに、ＮＨ3 を含むガスを添加
した混合ガスであることを特徴とする請求項１記載のア
ッシング方法。 - 【請求項６】 前記アッシング用ガスは、Ｏ2 を含むガ
ス及びＣＨＦ3 を含むガスを１００に対し、ＮＨ3 を含
むガスを０．５〜３の割合に混合することを特徴とする
請求項５記載のアッシング方法。 - 【請求項７】 前記アッシング用ガスは、Ｏ2 を含むガ
ス及びＣＨＦ3 を含むガスを１００に対し、ＮＨ3 を含
むガスを１．５の割合に混合することを特徴とする請求
項５記載のアッシング方法。 - 【請求項８】 前記アッシング用ガスは、Ｏ2 を含むガ
ス及びＣＦ4 を含むガスに、ＮＨ3 を含むガスを添加し
た混合ガスであることを特徴とする請求項１記載のアッ
シング方法。 - 【請求項９】 前記アッシング用ガスは、Ｏ2 を含むガ
ス及びＣＦ4 を含むガスを１００に対し、ＮＨ3 を含む
ガスを０．５〜３の割合に混合することを特徴とする請
求項５記載のアッシング方法。 - 【請求項１０】 前記アッシング用ガスは、Ｏ2 を含む
ガス及びＣＦ4 を含むガスを１００に対し、ＮＨ3 を含
むガスを１．５の割合に混合することを特徴とする請求
項５記載のアッシング方法。 - 【請求項１１】 反応容器内にシリコン系の下地膜上に
有機薄膜を形成した被処理体を配置し、この反応容器内
にプラズマを発生させ、このプラズマにより生じた活性
種により前記下地膜上に形成された前記有機薄膜を除去
するアッシング装置において、 前記反応容器内に導入する酸素を含むガス及びフッ素系
ガスに、少なくとも窒素及び水素を含むガスを混合した
アッシング用ガスと、 前記反応容器内に導入された前記アッシング用ガスを励
起してプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、を具
備したことを特徴とするアッシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18255395A JPH0936089A (ja) | 1995-07-19 | 1995-07-19 | アッシング方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18255395A JPH0936089A (ja) | 1995-07-19 | 1995-07-19 | アッシング方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0936089A true JPH0936089A (ja) | 1997-02-07 |
Family
ID=16120295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18255395A Pending JPH0936089A (ja) | 1995-07-19 | 1995-07-19 | アッシング方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0936089A (ja) |
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-
1995
- 1995-07-19 JP JP18255395A patent/JPH0936089A/ja active Pending
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