JPH1187284A - 半導体ウェハ研磨装置及び研磨方法 - Google Patents
半導体ウェハ研磨装置及び研磨方法Info
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- JPH1187284A JPH1187284A JP23949697A JP23949697A JPH1187284A JP H1187284 A JPH1187284 A JP H1187284A JP 23949697 A JP23949697 A JP 23949697A JP 23949697 A JP23949697 A JP 23949697A JP H1187284 A JPH1187284 A JP H1187284A
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Abstract
安定した研磨特性で半導体ウェハを研磨できる半導体ウ
ェハ研磨装置を提供する。 【解決手段】 半導体ウェハ研磨装置に、研磨スラリー
2Aを貯留するためのスラリー供給タンク1と、スラリ
ー供給配管4を経由してスラリー吐出口5に研磨スラリ
ー2Aを圧送するためのスラリー送出ポンプ3と、スラ
リー供給配管4に超音波を伝搬させるための超音波伝搬
装置20と、スラリー吐出口5から吐出された研磨スラ
リー2Bが塗布されるための研磨布7と、半導体ウェハ
9を保持し、研磨スラリー2Bが塗布された研磨布7の
表面に該半導体ウェハ9の表面を圧接し、かつ該研磨布
7に対して該半導体ウェハ9を相対運動させるためのウ
ェハキャリア8と、研磨布7の表面から流出したスラリ
ー排液を排出するためのスラリー排液配管11とを備え
る。
Description
半導体ウェハ上へ形成された半導体集積回路を製造する
際の平坦化工程における、化学的機械研磨を行うための
半導体ウェハ研磨装置及び研磨方法に関するものであ
る。
発生するウェハ表面の凹凸や、半導体集積回路の製造工
程において発生する回路パターンの凹凸を平坦化するた
めに、化学的機械研磨(Chemical Mecha
nical Polishing;以下、CMPと記
す)が用いられる。CMPを用いた従来の半導体ウェハ
研磨装置を、図7を参照して説明する。図7は、従来の
半導体ウェハ研磨装置の構成図である。スラリー供給タ
ンク1は、研磨砥粒を溶液中に含む遊離砥粒型研磨液で
ある研磨スラリー2Aを貯留する。該貯留された研磨ス
ラリー2Aは、スラリー送出ポンプ3によりスラリー供
給配管4を経由して圧送され、スラリー吐出口5から吐
出される。該吐出された研磨スラリー2Bは、研磨定盤
6の平滑面へ貼られた研磨布7の表面に塗布される。ウ
ェハキャリア8によって保持された半導体ウェハ9の表
面を研磨布7の表面に圧接し、かつウェハキャリア8と
研磨定盤6との間において回転、並進等の相対運動を行
う。このことにより、半導体ウェハ9の表面が研磨され
る。研磨中に研磨布7の表面から排出された、研磨スラ
リーを含むスラリー排液は、スラリー排液受け10によ
って集められ、スラリー排液配管11によって排出され
る。
来の構成によれば、研磨スラリーが有する研磨砥粒が大
きくなるという問題が発生する。研磨スラリーが有する
研磨砥粒は、一定のpHのもとではその表面が同一の極
性に帯電するので、静電斥力により砥粒同士が反発して
研磨スラリー中で一様に分散浮遊する。ところが、圧送
時における研磨スラリー2Aとスラリー供給配管4の内
壁との摩擦、研磨時における研磨スラリー2Bと研磨布
7の表面との摩擦、研磨布7の水洗時における急激なp
Hの変化等によって、研磨砥粒の表面における帯電状態
が変化する。該変化後の帯電状態によって、研磨砥粒同
士に静電引力が作用する場合には、該研磨砥粒同士が凝
集することにより粒子径が増大することがある。
0を参照して説明する。図8は、図7のスラリー供給タ
ンク1に投入された研磨スラリー2Aが有する、研磨砥
粒の粒子径分布、すなわち初期分布を示す分布図であ
る。該研磨スラリー2Aは、市販のコロイダル・シリカ
を研磨砥粒とする。図9は、図7のスラリー吐出口5か
ら採取した研磨スラリー2Bが有する、研磨砥粒の粒子
径分布を示す分布図である。図10は、図7の半導体ウ
ェハ研磨装置によって複数枚の酸化膜付シリコンウェハ
を研磨した後に、研磨布7の表面に残留した研磨砥粒の
粒子径分布を示す分布図である。図8〜図10に示され
た粒子径分布から、以下のことが見出された。すなわ
ち、図8及び図9からは、スラリー供給タンク1からス
ラリー供給配管4を経由して吐出された研磨スラリー2
Bは、初期分布よりも大きい粒子径の側へ分布する研磨
砥粒を含むことが見出された。このことは、スラリー供
給配管4の内部を流れる間に、研磨砥粒の凝集が発生し
始めることを示す。また、図9及び図10からは、吐出
された研磨スラリー2Bにおける粒子径の分布に比較し
て、研磨布7の表面に残留した研磨砥粒はさらに大きい
粒子径の側へ分布する研磨砥粒を含むこと、及び該大き
い粒子径を有する研磨砥粒の数が増加していることが見
出された。このことは、研磨中において、新たに凝集が
発生し、かつ、研磨前に発生した凝集も含めてそれらの
凝集が進行することを示す。
なった研磨砥粒は、研磨レート等の研磨特性を不安定に
させるだけではなく、研磨対象である半導体ウェハ9の
表面に研磨傷を発生させる。該研磨傷は、CMP工程後
の回路パターン形成工程におけるパターン不良の原因に
なるので、半導体ウェハや半導体集積回路の歩留り低下
をもたらす。 本発明は、上記従来の問題に鑑み、研磨スラリーが有す
る研磨砥粒が大きくなった場合において、半導体ウェハ
表面へ傷をつけず、かつ所望の研磨特性を維持する半導
体ウェハ研磨装置及び研磨方法を提供することを目的と
する。
めに、本発明は、半導体ウェハ研磨装置を、スラリー吐
出口へ研磨スラリーを供給するためのスラリー供給配管
と、該スラリー吐出口から吐出された研磨スラリーが塗
布された状態で半導体ウェハを研磨するための研磨布
と、半導体ウェハを保持し、かつ研磨スラリーが塗布さ
れた研磨布の表面に該保持された半導体ウェハの表面を
押し付けて該半導体ウェハを運動させるためのウェハキ
ャリアと、研磨布の表面から流出したスラリー排液を排
出するためのスラリー排液配管と、スラリー供給配管か
らスラリー排液配管に至るまでの経路において該経路に
超音波振動を伝搬させるための1つ又は複数の超音波伝
搬装置とを備えた構成としたものである。
しくは研磨布表面における研磨スラリー中、又は研磨布
表面に、凝集して粒子径が大きくなった研磨砥粒が存在
する場合において、超音波振動を用いて該研磨砥粒を再
分散することによって、粒子径が小さい研磨砥粒にする
ことができる。
を、研磨布の表面に研磨スラリーを塗布する塗布工程
と、研磨布の研磨スラリーが塗布された表面に半導体ウ
ェハの表面を押し付け、かつ該半導体ウェハを運動させ
てその表面を研磨する研磨工程と、該研磨工程中、研磨
工程前又は研磨工程後のうち少なくとも1つの時点で、
研磨布への供給から排出に至る経路のうち少なくとも1
個所において、該経路に超音波振動を伝搬させる振動工
程とを備えた構成としたものである。
しくは研磨布表面における研磨スラリー中、又は研磨布
表面に、凝集して粒子径が大きくなった研磨砥粒が存在
する場合において、研磨工程中又は次の研磨工程前に、
超音波振動を用いて該研磨砥粒を再分散することによっ
て、粒子径が小さい研磨砥粒にすることができる。
置及び研磨方法の第1の実施形態を、図1と図2とを参
照して説明する。図1は、第1の実施形態に係る半導体
ウェハ研磨装置の構成図である。従来の半導体ウェハ研
磨装置と同一の構成要素には、同一の符号を付してその
説明を省略する。図1において、模式的に示された超音
波伝搬装置20は、スラリー供給配管4の一部へ設けら
れた超音波伝搬手段である。超音波伝搬装置20は、超
音波を発生させ、かつ、スラリー供給配管4を介して、
該スラリー供給配管4の内部を圧送される研磨スラリー
2Aに該発生された超音波を伝搬させる。
図である。図2において、スラリー供給配管4は、水槽
30へ満たされた純水31の中を通過するように配管さ
れる。超音波振動子40は、超音波を発生させる。該発
生された超音波は、水槽30と純水31とスラリー供給
配管4とを順次介して、該スラリー供給配管4の内部を
圧送される研磨スラリー2Aに伝搬される。スラリー流
量が200mL/分、超音波パワーが100Wである場
合において、水槽30におけるスラリー供給配管4の中
を研磨スラリー2Aが約1分で通過するように、該スラ
リー供給配管4の配管容積を調整した。このことによ
り、研磨スラリー2Aが有する凝集した研磨砥粒を再分
散する効果が得られた。なお、以上の説明においては、
水槽30と純水31とを介して超音波をスラリー供給配
管4に伝搬させた。これに限らず、例えばスラリー供給
配管4へ超音波振動子40を直接設置してもよい。
れば、スラリー供給配管4の内部を圧送される研磨スラ
リー2Aに超音波を伝搬させる。このことによって、研
磨スラリー2Aが有する凝集した研磨砥粒は、スラリー
吐出口5から吐出されるまでに充分再分散されるので、
研磨前において該研磨砥粒の粒子径が小さくなる。した
がって、半導体ウェハ9の表面へ研磨傷がつくことを抑
制でき、かつ研磨レート等の研磨特性を安定化できる。
磨方法の第2の実施形態を、図3と図4とを参照して説
明する。図3は、第2の実施形態に係る半導体ウェハ研
磨装置の構成図である。従来の半導体ウェハ研磨装置と
同一の構成要素には、同一の符号を付してその説明を省
略する。図3において、模式的に示された超音波伝搬装
置21は、研磨布7の表面へ設けられた超音波伝搬手段
である。超音波伝搬装置21は、超音波を発生させ、か
つ、研磨布7の表面に該発生された超音波を伝搬させ
る。
図である。図4において、超音波振動子41は、超音波
を発生させる。該発生された超音波は、研磨スラリー2
Bが塗布された、又は純水によって湿らされた研磨布7
に伝搬される。超音波振動子41へ100W程度の超音
波パワーを印加した場合において、該超音波振動子41
を、研磨布7の表面に研磨スラリー2Bを吐出するのと
同時に作用させても、研磨布7を純水などで洗浄するの
と同時に作用させても、凝集した研磨砥粒を再分散させ
る効果が認められた。また、図4に示すように、超音波
振動子41が研磨布7の表面を一定の速度で掃引する構
成にすることによって、凝集した研磨砥粒をより効果的
に再分散できる。なお、以上の説明においては、研磨ス
ラリー2Bが塗布された、又は純水によって湿らされた
研磨布7の表面に、超音波を直接伝搬させた。これに限
らず、例えば、超音波振動子を設けたノズルから研磨ス
ラリー又は純水を噴出させ、該噴出された研磨スラリー
又は純水を介して研磨布7の表面に超音波を伝搬させて
もよい。
れば、超音波を研磨布7の表面に伝搬させる。このこと
により、該研磨布7の表面に塗布された研磨スラリー2
Bが有する凝集した研磨砥粒、又は該研磨布7の表面に
残留する凝集した研磨砥粒は効果的に再分散されるの
で、研磨前、研磨中又は研磨後において該研磨砥粒の粒
子径が小さくなる。したがって、半導体ウェハ9の表面
へ研磨傷がつくことを抑制でき、かつ研磨レート等の研
磨特性を安定化できる。
磨方法の第3の実施形態を、図5と図6とを参照して説
明する。図5は、第3の実施形態に係る半導体ウェハ研
磨装置の構成図である。従来の半導体ウェハ研磨装置と
同一の構成要素には、同一の符号を付してその説明を省
略する。図5において、模式的に示された超音波伝搬装
置22は、スラリー排液配管11の一部へ設けられた超
音波伝搬手段である。排出用バルブ12は、スラリー排
液配管11を流れる、研磨スラリー2Bを含むスラリー
排液の経路を、排出経路と回収経路とのいずれかに切り
換えるためのバルブである。回収用バルブ13,14
は、スラリー回収配管15とスラリー回収ポンプ16と
を介してスラリー排液をスラリー送出ポンプ3に還流さ
せるか、又は該還流を遮断するかのいずれかに切り換え
るためのバルブである。スラリー回収ポンプ16は、回
収用バルブ13を介して供給されたスラリー排液を、回
収用バルブ14を介してスラリー送出ポンプ3に圧送す
るためのポンプである。送出用バルブ17は、スラリー
供給タンク1に貯留された研磨スラリー2Aを、スラリ
ー送出ポンプ3へ供給するか、又は遮断するかのいずれ
かに切り換えるためのバルブである。
する。超音波伝搬装置22は、超音波を発生させ、か
つ、スラリー排液配管11を介して、該スラリー排液配
管11の内部を流れるスラリー排液に該発生された超音
波を伝搬させる。排出用バルブ12と送出用バルブ17
とを閉じ、かつ、回収用バルブ13,14を開くことに
より、スラリー排液配管11からスラリー送出ポンプ3
への回収経路であるスラリー回収配管15が開通する。
該開通されたスラリー回収配管15において、スラリー
回収ポンプ16は、研磨スラリー2Bを含むスラリー排
液を圧送してスラリー送出ポンプ3に供給する。なお、
以上の説明においては、回収された研磨スラリーはスラ
リー回収配管15を介して直接スラリー送出ポンプ3に
供給された。これに限らず、例えば、スラリー回収配管
15の一部へ研磨スラリーを溜めるための貯留槽を設け
てもよい。
図である。図6において、スラリー排液配管11は、水
槽50へ満たされた純水51の中を通過するように配管
される。超音波振動子42は、超音波を発生させる。該
発生された超音波は、水槽50と純水51とスラリー排
液配管11とを順次介して、該スラリー排液配管11の
内部を流れるスラリー排液に伝搬される。スラリー流量
が200mL/分、超音波パワーが100Wである場合
において、水槽50におけるスラリー排液配管11の中
をスラリー排液が約1分で通過するように、該スラリー
排液配管11の配管容積を調整した。このことにより、
スラリー排液が有する凝集した研磨砥粒を再分散する効
果が得られた。
れば、研磨スラリー2Bを含むスラリー排液に超音波を
伝搬させた後に、スラリー回収配管15を経由して該ス
ラリー排液をスラリー送出ポンプ3に供給する。このこ
とにより、スラリー排液が有する凝集した研磨砥粒は研
磨後において充分に再分散されて、かつ、該スラリー排
液を研磨に再利用できる。したがって、半導体ウェハ9
の表面へ研磨傷がつくことを抑制でき、研磨レート等の
研磨特性を安定化でき、かつ、スラリー排液を有効に利
用して研磨スラリーの消費量と排出量とを削減できる。
形態は、例えばシリコンよりなる半導体ウェハの製造工
程においても、該半導体ウェハの上へ形成される半導体
集積回路の製造工程においても使用できる。また、第1
〜第3の実施形態を適宜組み合わせて使用できることは
いうまでもない。
におけるスラリー供給配管からスラリー排液配管に至る
研磨スラリーの経路において、該経路に超音波を伝搬さ
せるための超音波伝搬装置を設け、研磨前、研磨中又は
研磨後において、該経路に超音波を伝搬させる。このこ
とにより、該経路における研磨スラリーが有する、又は
研磨布表面へ存在する、凝集によって大きい粒子径を持
つ研磨砥粒を再分散できる。したがって、凝集によって
大きくなった研磨砥粒が半導体ウェハ表面に研磨傷をつ
けることを抑制でき、かつ、研磨レート等の研磨特性を
安定化できる。
音波を伝播させた後、該スラリー排液を研磨スラリーと
して再利用する。このことにより、スラリー排液が有す
る、凝集によって大きい粒子径を持つ研磨砥粒を再分散
した後に、該スラリー排液を研磨スラリーとして再利用
できる。したがって、半導体ウェハの表面へ研磨傷がつ
くことを抑制でき、研磨レート等の研磨特性を安定化で
き、かつ、研磨スラリーの消費量と排出量とを削減でき
る。
磨装置の構成図である。
磨装置の構成図である。
磨装置の構成図である。
ンクに投入された研磨スラリーが有する、研磨砥粒の粒
子径分布図である。
から採取した研磨スラリーが有する、研磨砥粒の粒子径
分布図である。
の酸化膜付シリコンウェハを研磨した後に、研磨布の表
面に残留した研磨砥粒の粒子径分布図である。
Claims (9)
- 【請求項1】 研磨砥粒を含む研磨スラリーを使用して
半導体ウェハを研磨するための半導体ウェハ研磨装置で
あって、 スラリー吐出口へ前記研磨スラリーを供給するためのス
ラリー供給配管と、 前記スラリー吐出口から吐出された研磨スラリーが塗布
された状態で前記半導体ウェハを研磨するための研磨布
と、 前記半導体ウェハを保持し、前記研磨布の前記研磨スラ
リーが塗布された表面に該保持された半導体ウェハの表
面を押し付け、かつ該半導体ウェハが該研磨布に対して
相対速度を有するように該半導体ウェハを運動させるた
めのウェハキャリアと、 前記研磨布の表面から流出した研磨スラリーを含むスラ
リー排液を排出するためのスラリー排液配管と、 前記スラリー供給配管から前記スラリー排液配管に至る
までの経路において、該経路に超音波振動を伝搬させる
ための1つ又は複数の超音波伝搬装置とを備えたことを
特徴とする半導体ウェハ研磨装置。 - 【請求項2】 請求項1記載の半導体ウェハ研磨装置で
あって、 前記超音波伝搬装置は、前記スラリー供給配管に超音波
を伝搬させるための超音波振動装置を備えたことを特徴
とする半導体ウェハ研磨装置。 - 【請求項3】 請求項1記載の半導体ウェハ研磨装置で
あって、 前記超音波伝搬装置は、前記研磨布の表面に超音波を伝
搬させるための超音波振動装置を備えたことを特徴とす
る半導体ウェハ研磨装置。 - 【請求項4】 請求項1記載の半導体ウェハ研磨装置で
あって、 前記スラリー排液の少なくとも一部を、前記スラリー供
給配管に還流させるためのスラリー回収配管を更に備え
たことを特徴とする半導体ウェハ研磨装置。 - 【請求項5】 請求項4記載の半導体ウェハ研磨装置で
あって、 前記超音波伝搬装置は、前記スラリー排液配管に超音波
を伝搬させるための超音波振動装置を備えたことを特徴
とする半導体ウェハ研磨装置。 - 【請求項6】 研磨砥粒を含む研磨スラリーを使用して
半導体ウェハを研磨する半導体ウェハ研磨方法であっ
て、 研磨布の表面に前記研磨スラリーを塗布する塗布工程
と、 前記研磨布の前記研磨スラリーが塗布された表面に前記
半導体ウェハの表面を押し付け、かつ該半導体ウェハが
該研磨布に対して相対速度を有するように該半導体ウェ
ハを運動させて該半導体ウェハの表面を研磨する研磨工
程と、 前記研磨工程中、研磨工程前又は研磨工程後のうち少な
くとも1つの時点で、前記研磨布への供給から排出に至
る前記研磨スラリーの経路のうち少なくとも1個所にお
いて、該経路に超音波振動を伝搬させる振動工程とを備
えたことを特徴とする半導体ウェハ研磨方法。 - 【請求項7】 請求項6記載の半導体ウェハ研磨方法で
あって、 前記振動工程は、前記研磨工程中の一部又はすべての期
間において、前記研磨布の前記研磨スラリーが塗布され
た表面に超音波振動を伝搬させることを特徴とする半導
体ウェハ研磨方法。 - 【請求項8】 請求項6記載の半導体ウェハ研磨方法で
あって、 前記振動工程は、前記研磨工程が終了した後次の半導体
ウェハに対する研磨工程が開始されるまでの一部又はす
べての期間において、前記研磨布の表面に超音波振動を
伝搬させることを特徴とする半導体ウェハ研磨方法。 - 【請求項9】 請求項6記載の半導体ウェハ研磨方法で
あって、 前記研磨布から排出された研磨スラリーを含むスラリー
排液の少なくとも一部を、該研磨布への供給側へ還流さ
せる工程を更に備えたことを特徴とする半導体ウェハ研
磨方法。
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JP23949697A JP3130000B2 (ja) | 1997-09-04 | 1997-09-04 | 半導体ウェハ研磨装置及び研磨方法 |
US09/127,819 US6291350B1 (en) | 1997-04-09 | 1998-08-03 | Method of polishing semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
JP23949697A JP3130000B2 (ja) | 1997-09-04 | 1997-09-04 | 半導体ウェハ研磨装置及び研磨方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1187284A true JPH1187284A (ja) | 1999-03-30 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country | Link |
---|---|
US (1) | US6291350B1 (ja) |
JP (1) | JP3130000B2 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000031100A (ja) * | 1998-06-23 | 2000-01-28 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体cmp工程のスラリ供給システム |
JP2000288914A (ja) * | 1999-04-01 | 2000-10-17 | Tama Kagaku Kogyo Kk | 半導体製造用研磨剤の供給装置及び供給方法 |
JP2000308967A (ja) * | 1999-04-23 | 2000-11-07 | Matsushita Electronics Industry Corp | 研磨剤の再生装置および研磨剤の再生方法 |
JP2000343418A (ja) * | 1999-06-07 | 2000-12-12 | Promos Technol Inc | スラリー供給装置とその方法 |
JP2001162534A (ja) * | 1999-12-10 | 2001-06-19 | Lsi Logic Corp | Cmpスラリー循環装置及び方法 |
JP2001300844A (ja) * | 2000-04-21 | 2001-10-30 | Nec Corp | スラリー供給装置及びその供給方法 |
US6318436B1 (en) | 1996-09-16 | 2001-11-20 | Avery Dennison Corporation | Optical disc adhesive label applicator |
JP2002047482A (ja) * | 2000-08-01 | 2002-02-12 | Rodel Nitta Co | 研磨スラリーの製造方法 |
US6750145B2 (en) | 1998-05-21 | 2004-06-15 | Agere Systems Inc. | Method of eliminating agglomerate particles in a polishing slurry |
US6872280B2 (en) | 2002-03-01 | 2005-03-29 | International Business Machines Corporation | Slurry collection device and method |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100393204B1 (ko) * | 2000-05-16 | 2003-07-31 | 삼성전자주식회사 | 씨엠피용 슬러리의 공급 방법 및 장치 |
WO2002015261A2 (en) * | 2000-08-11 | 2002-02-21 | Sensys Instruments Corporation | Bathless wafer measurement apparatus and method |
US6558238B1 (en) * | 2000-09-19 | 2003-05-06 | Agere Systems Inc. | Apparatus and method for reclamation of used polishing slurry |
US6939203B2 (en) * | 2002-04-18 | 2005-09-06 | Asm Nutool, Inc. | Fluid bearing slide assembly for workpiece polishing |
US8801496B2 (en) * | 2006-04-28 | 2014-08-12 | HGST Netherlands B.V. | Reducing agglomeration of particles while manufacturing a lapping plate using oil-based slurry |
JP2010179407A (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Elpida Memory Inc | Cmp装置 |
US20100206818A1 (en) * | 2009-02-19 | 2010-08-19 | Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. | Ultrasonic filtration for cmp slurry |
US20120264303A1 (en) * | 2011-04-15 | 2012-10-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chemical mechanical polishing slurry, system and method |
KR101626844B1 (ko) * | 2015-11-03 | 2016-06-03 | (주)새마 | 로프 스톱퍼 및 이의 제조 방법 |
JP6844970B2 (ja) * | 2016-08-18 | 2021-03-17 | 株式会社ディスコ | 研磨装置 |
CN108927735B (zh) * | 2017-05-23 | 2023-08-15 | 天津滨海光热反射技术有限公司 | 一种节能型抛光装置及抛光粉溶液循环使用方法 |
CN109333175B (zh) * | 2018-11-08 | 2020-11-24 | 太原理工大学 | 一种圆管内壁超声振动辅助磨料流精密光整加工方法 |
CN112701180B (zh) * | 2020-12-30 | 2022-07-29 | 晶澳(扬州)新能源有限公司 | 一种三角焊带及其制作方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5035363A (en) * | 1990-07-06 | 1991-07-30 | Thiokol Corporation | Ultrasonic grinding of explosives |
US5245796A (en) | 1992-04-02 | 1993-09-21 | At&T Bell Laboratories | Slurry polisher using ultrasonic agitation |
US5399234A (en) * | 1993-09-29 | 1995-03-21 | Motorola Inc. | Acoustically regulated polishing process |
JP3438388B2 (ja) | 1995-03-16 | 2003-08-18 | ソニー株式会社 | 化学的機械研磨方法および化学的機械研磨装置 |
US5664990A (en) * | 1996-07-29 | 1997-09-09 | Integrated Process Equipment Corp. | Slurry recycling in CMP apparatus |
DE19732433A1 (de) * | 1996-07-29 | 1998-02-12 | Mitsubishi Material Silicon | Verfahren und Gerät zum Polieren von Schrägkanten von Halbleiterwafern |
US5895550A (en) * | 1996-12-16 | 1999-04-20 | Micron Technology, Inc. | Ultrasonic processing of chemical mechanical polishing slurries |
-
1997
- 1997-09-04 JP JP23949697A patent/JP3130000B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-08-03 US US09/127,819 patent/US6291350B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6318436B1 (en) | 1996-09-16 | 2001-11-20 | Avery Dennison Corporation | Optical disc adhesive label applicator |
US6750145B2 (en) | 1998-05-21 | 2004-06-15 | Agere Systems Inc. | Method of eliminating agglomerate particles in a polishing slurry |
JP2000031100A (ja) * | 1998-06-23 | 2000-01-28 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体cmp工程のスラリ供給システム |
JP2000288914A (ja) * | 1999-04-01 | 2000-10-17 | Tama Kagaku Kogyo Kk | 半導体製造用研磨剤の供給装置及び供給方法 |
JP2000308967A (ja) * | 1999-04-23 | 2000-11-07 | Matsushita Electronics Industry Corp | 研磨剤の再生装置および研磨剤の再生方法 |
US6527969B1 (en) | 1999-04-23 | 2003-03-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus for rejuvenating polishing slurry |
KR100742887B1 (ko) * | 1999-04-23 | 2007-07-25 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 연마제 재생방법 및 연마제 재생장치 |
JP2000343418A (ja) * | 1999-06-07 | 2000-12-12 | Promos Technol Inc | スラリー供給装置とその方法 |
JP2001162534A (ja) * | 1999-12-10 | 2001-06-19 | Lsi Logic Corp | Cmpスラリー循環装置及び方法 |
JP4657412B2 (ja) * | 1999-12-10 | 2011-03-23 | エルエスアイ コーポレーション | 半導体ウェハを研磨する装置及び方法 |
JP2001300844A (ja) * | 2000-04-21 | 2001-10-30 | Nec Corp | スラリー供給装置及びその供給方法 |
JP2002047482A (ja) * | 2000-08-01 | 2002-02-12 | Rodel Nitta Co | 研磨スラリーの製造方法 |
US6872280B2 (en) | 2002-03-01 | 2005-03-29 | International Business Machines Corporation | Slurry collection device and method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6291350B1 (en) | 2001-09-18 |
JP3130000B2 (ja) | 2001-01-31 |
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