JP3011156B2 - Ｃｍｐ研磨装置 - Google Patents
Ｃｍｐ研磨装置Info
- Publication number
- JP3011156B2 JP3011156B2 JP29848997A JP29848997A JP3011156B2 JP 3011156 B2 JP3011156 B2 JP 3011156B2 JP 29848997 A JP29848997 A JP 29848997A JP 29848997 A JP29848997 A JP 29848997A JP 3011156 B2 JP3011156 B2 JP 3011156B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- conditioning
- pure water
- brush
- disk
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
分野において、半導体基板上に形成された酸化シリコン
系材料層及び金属層（ＡＩ，ＡｌＳｉ，ＡＩＳｉＣｕ，
ＡＩＣｕ，Ｃｕ，Ｗ等）等のＣＭＰ研磨を行うＣＭＰ研
磨装置に関する。
分野において、半導体基板上に形成された酸化シリコン
系材料層及び金属層（ＡＩ，ＡｌＳｉ，ＡＩＳｉＣｕ，
ＡＩＣｕ，Ｃｕ，Ｗ等）等のＣＭＰ研磨を行うＣＭＰ研
磨装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近時、半導体デバイスの高集積化に伴
い、半導体回路基板の多層化が進んでいる。半導体回路
基板の多層化に伴い、層間絶縁膜を中心として平坦化技
術が重要になっている。層間絶縁膜の平坦化技術には種
々の方法が知られているが、半導体デバイスの高集積化
が進むにつれてＣＭＰによる平坦化技術が注目されてい
る。
い、半導体回路基板の多層化が進んでいる。半導体回路
基板の多層化に伴い、層間絶縁膜を中心として平坦化技
術が重要になっている。層間絶縁膜の平坦化技術には種
々の方法が知られているが、半導体デバイスの高集積化
が進むにつれてＣＭＰによる平坦化技術が注目されてい
る。
【０００３】図４（ａ）は従来のＣＭＰ研磨装置を示す
平面図、図４（ｂ）は同じくその正面図である。図４に
示すように、研磨テーブルは、垂直の回転軸１２上に円
盤状の研磨プレート１１がその中心を一致させて固定さ
れており、回転軸１２の回転により、研磨プレート１１
は回転軸１２を回転中心として回転するようになってい
る。研磨プレート１１上には、多孔質で連続孔を有する
材料で形成されている研磨パッド３が装着される。
平面図、図４（ｂ）は同じくその正面図である。図４に
示すように、研磨テーブルは、垂直の回転軸１２上に円
盤状の研磨プレート１１がその中心を一致させて固定さ
れており、回転軸１２の回転により、研磨プレート１１
は回転軸１２を回転中心として回転するようになってい
る。研磨プレート１１上には、多孔質で連続孔を有する
材料で形成されている研磨パッド３が装着される。
【０００４】被研磨ウエハ１３はウエハキャリア４の下
面に保持され、ウエハキャリア４は回転軸５により回転
可能に支持されるようになっている。被研磨ウエハ１３
は回転軸５を介して研磨プレート１１上の研磨パッド３
に押し付けられる。スラリー供給装置１からスラリー供
給口２を介して研磨剤であるスラリー１０が研磨プレー
ト１１上の被研磨ウエハ１３の周辺部に供給される。
面に保持され、ウエハキャリア４は回転軸５により回転
可能に支持されるようになっている。被研磨ウエハ１３
は回転軸５を介して研磨プレート１１上の研磨パッド３
に押し付けられる。スラリー供給装置１からスラリー供
給口２を介して研磨剤であるスラリー１０が研磨プレー
ト１１上の被研磨ウエハ１３の周辺部に供給される。
【０００５】コンディショニングディスク６はその表面
にダイヤモンド等の砥粒を埋め込んだものであり、研磨
パッド３の表面を目立てすることにより、研磨パッド３
を再生するものである。このコンディショニングディス
ク６は駆動装置８に連結された回転アーム７の先端に回
転可能に支持されており、駆動装置８によりアーム７を
揺動させることにより、コンディショニングディスク６
を研磨パッド３上で移動させることができる。
にダイヤモンド等の砥粒を埋め込んだものであり、研磨
パッド３の表面を目立てすることにより、研磨パッド３
を再生するものである。このコンディショニングディス
ク６は駆動装置８に連結された回転アーム７の先端に回
転可能に支持されており、駆動装置８によりアーム７を
揺動させることにより、コンディショニングディスク６
を研磨パッド３上で移動させることができる。
【０００６】図５は待機中のコンディショニングディス
ク６を保持するためのコンディショニングディスク用プ
ール槽９を示す。コンディショニングディスク用プール
槽９には純水導入配管１６と純水排水配管１７とが連結
されており、純水導入配管１６から純水がコンディショ
ニングディスク用プール槽９内に供給され、この純水は
コンディショニングディスク用プール槽９内を満たした
後、純水排水配管１７から排出されるようになってい
る。コンディショニングディスク６は回転アーム７を駆
動装置８から分離することにより研磨装置から外し、回
転アーム７に支持された状態でコンディショニングディ
スク用プール槽９内に保持されるようになっている。
ク６を保持するためのコンディショニングディスク用プ
ール槽９を示す。コンディショニングディスク用プール
槽９には純水導入配管１６と純水排水配管１７とが連結
されており、純水導入配管１６から純水がコンディショ
ニングディスク用プール槽９内に供給され、この純水は
コンディショニングディスク用プール槽９内を満たした
後、純水排水配管１７から排出されるようになってい
る。コンディショニングディスク６は回転アーム７を駆
動装置８から分離することにより研磨装置から外し、回
転アーム７に支持された状態でコンディショニングディ
スク用プール槽９内に保持されるようになっている。
【０００７】このように構成された研磨装置において、
層間絶縁膜等が成膜された被研磨ウエハ１３は微細なホ
ールを有する研磨パッド３に押し付けられ、両者間にス
ラリー１０が供給されて、被研磨ウエハ１３が研磨され
る。研磨中は、研磨パッド３に存在する微細なホールに
はスラリー１０がトラップされ、ホールは被研磨ウエハ
１３に接触して押し付けられる。このため、微細なホー
ルがつぶれたり、ホール内に研磨で発生した研磨層が詰
まる。これにより、研磨パッド３の微細なホールにトラ
ップされるスラリー１０が減少し研磨速度が低下する。
層間絶縁膜等が成膜された被研磨ウエハ１３は微細なホ
ールを有する研磨パッド３に押し付けられ、両者間にス
ラリー１０が供給されて、被研磨ウエハ１３が研磨され
る。研磨中は、研磨パッド３に存在する微細なホールに
はスラリー１０がトラップされ、ホールは被研磨ウエハ
１３に接触して押し付けられる。このため、微細なホー
ルがつぶれたり、ホール内に研磨で発生した研磨層が詰
まる。これにより、研磨パッド３の微細なホールにトラ
ップされるスラリー１０が減少し研磨速度が低下する。
【０００８】そこで、研磨パッド３の微細なホールを再
生又は維持させるため、研磨終了後、又は研磨開始前、
又は研磨中に、研磨パッド３を、コンディショニングデ
ィスク６により目立て（コンディショニング）する。こ
のコンディショニングにより、研磨パッド３の表層のつ
ぶれたホールは除去され、微細なホールが復活し、安定
した研磨レートが得られる。コンディショニングに使用
されたコンディショニングディスク６は、コンディショ
ニングディスク用プール槽９内の純水中に浸漬され、次
順のコンディショニングまで待機する。
生又は維持させるため、研磨終了後、又は研磨開始前、
又は研磨中に、研磨パッド３を、コンディショニングデ
ィスク６により目立て（コンディショニング）する。こ
のコンディショニングにより、研磨パッド３の表層のつ
ぶれたホールは除去され、微細なホールが復活し、安定
した研磨レートが得られる。コンディショニングに使用
されたコンディショニングディスク６は、コンディショ
ニングディスク用プール槽９内の純水中に浸漬され、次
順のコンディショニングまで待機する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、コンデ
ィショニングディスク６をコンディショニングディスク
用プール漕９内の純水に浸潰するだけでは、コンディシ
ョニングディスク６の表面に、研磨で発生した研磨屑及
びコンディショニングで発生した研磨パッド屑が蓄積さ
れてしまうという欠点がある。このため、コンディショ
ニングディスク６に埋め込まれているダイヤモンド砥粒
の突出量が低下して研磨レートが低下したり、目立て中
にコンディショニングディスク６の表面から研磨屑及び
研磨パッド屑の付着層が剥がれ、これらの屑が研磨パッ
ド３上に落下して被研磨ウェハ１３にスクラッチ（傷）
を発生させるという問題点がある。
ィショニングディスク６をコンディショニングディスク
用プール漕９内の純水に浸潰するだけでは、コンディシ
ョニングディスク６の表面に、研磨で発生した研磨屑及
びコンディショニングで発生した研磨パッド屑が蓄積さ
れてしまうという欠点がある。このため、コンディショ
ニングディスク６に埋め込まれているダイヤモンド砥粒
の突出量が低下して研磨レートが低下したり、目立て中
にコンディショニングディスク６の表面から研磨屑及び
研磨パッド屑の付着層が剥がれ、これらの屑が研磨パッ
ド３上に落下して被研磨ウェハ１３にスクラッチ（傷）
を発生させるという問題点がある。
【００１０】このように、従来のＣＭＰ研磨装置におい
ては、第１に、コンディショニングディスク６に研磨後
の研磨屑及び研磨パッド屑が付着し、蓄積することによ
り、コンディショニングによる研磨パッド３の目立て再
現性が低下するため、研磨レートが安定しないという欠
点がある。
ては、第１に、コンディショニングディスク６に研磨後
の研磨屑及び研磨パッド屑が付着し、蓄積することによ
り、コンディショニングによる研磨パッド３の目立て再
現性が低下するため、研磨レートが安定しないという欠
点がある。
【００１１】また、第２に、コンディショニングディス
ク６に研磨後の研磨屑及び研磨バッド屑が付着したまま
コンディショニングを行うことにより、研磨パッド３の
表面上にコンディショニングディスク６に付着していた
研磨屑及び研磨パッド屑が剥れ落ちるため、被研磨ウエ
ハ１３にスクラッチ（傷）が発生するという欠点があ
る。
ク６に研磨後の研磨屑及び研磨バッド屑が付着したまま
コンディショニングを行うことにより、研磨パッド３の
表面上にコンディショニングディスク６に付着していた
研磨屑及び研磨パッド屑が剥れ落ちるため、被研磨ウエ
ハ１３にスクラッチ（傷）が発生するという欠点があ
る。
【００１２】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、半導体基板上に形成された材料層をＣＭＰ
研磨する際に、研磨レートの変動がないと共に、研磨中
に被研磨ウエハにスクラッチ（傷）が発生することがな
く、信頼性及び生産性が向上したＣＭＰ研磨装置を提供
することを目的とする。
のであって、半導体基板上に形成された材料層をＣＭＰ
研磨する際に、研磨レートの変動がないと共に、研磨中
に被研磨ウエハにスクラッチ（傷）が発生することがな
く、信頼性及び生産性が向上したＣＭＰ研磨装置を提供
することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明に係るＣＭＰ研磨
装置は、研磨パッドが貼られた研磨テーブルと、この研
磨テーブルを回転させる回転装置と、回転する研磨テー
ブル上の前記研磨パッド表面にウエハをあてがって研磨
する研磨手段と、回転する研磨テーブル上の前記研磨パ
ッド表面にコンディショニングディスクをあてがって前
記研磨パッドをコンディショニングするコンディショニ
ング手段と、ブラシにより前記コンディショニングディ
スクの表面を強制的に洗浄する洗浄装置と、純水を貯留
する槽と、前記コンディショニングディスクを前記槽中
の純水に浸漬する手段とを有し、前記ブラシは前記槽内
の底部にその刷毛を上方に向けて配置されていることを
特徴とする。
装置は、研磨パッドが貼られた研磨テーブルと、この研
磨テーブルを回転させる回転装置と、回転する研磨テー
ブル上の前記研磨パッド表面にウエハをあてがって研磨
する研磨手段と、回転する研磨テーブル上の前記研磨パ
ッド表面にコンディショニングディスクをあてがって前
記研磨パッドをコンディショニングするコンディショニ
ング手段と、ブラシにより前記コンディショニングディ
スクの表面を強制的に洗浄する洗浄装置と、純水を貯留
する槽と、前記コンディショニングディスクを前記槽中
の純水に浸漬する手段とを有し、前記ブラシは前記槽内
の底部にその刷毛を上方に向けて配置されていることを
特徴とする。
【００１４】このＣＭＰ研磨装置において、前記洗浄装
置は、ブラシにより前記コンディショニングディスクを
洗浄する。
置は、ブラシにより前記コンディショニングディスクを
洗浄する。
【００１５】この場合、純水を貯留する槽と、前記コン
ディショニングディスクを前記槽中の純水に浸漬する手
段と、を有し、前記ブラシを前記槽内の底部にその刷毛
を上方に向けて配置されている。更に、前記ブラシを回
転駆動する駆動装置を有してもよい。更にまた、前記コ
ンディショニングディスクを回転可能に支持するアーム
と、前記コンディショニングディスクを前記アームに対
して相対的に回転駆動する駆動装置とを有し、前記アー
ムを介して前記コンディショニングディスクを槽内の純
水中に浸漬するようにすることができる。更にまた、前
記槽内の純水に超音波振動を付与する手段を設けてもよ
い。
ディショニングディスクを前記槽中の純水に浸漬する手
段と、を有し、前記ブラシを前記槽内の底部にその刷毛
を上方に向けて配置されている。更に、前記ブラシを回
転駆動する駆動装置を有してもよい。更にまた、前記コ
ンディショニングディスクを回転可能に支持するアーム
と、前記コンディショニングディスクを前記アームに対
して相対的に回転駆動する駆動装置とを有し、前記アー
ムを介して前記コンディショニングディスクを槽内の純
水中に浸漬するようにすることができる。更にまた、前
記槽内の純水に超音波振動を付与する手段を設けてもよ
い。
【００１６】本発明においては、コンディショニングデ
ィスクを単に純水に浸漬するのではなく、コンディショ
ニングディスクの表面を、ブラシにより強制的に洗浄し
ている。このように、コンディショニングディスクの表
面を積極的に洗浄しているため、コンディショニングデ
ィスクに付着した研磨屑及び研磨パッド屑が確実に除去
され、コンディショニングディスクに埋め込まれている
ダイヤモンド砥粒の突出量が低下することがなく、安定
してコンディショニングを行うことができ、研磨レート
の安定性が向上する。また、再生後のコンディショニン
グディスクには、研磨屑及び研磨パッド屑が付着してい
ないので、それが剥がれ落ちて研磨パッド表面に異物
（研磨屑及び研磨パッド屑）が付着するというようなこ
とがなく、被研磨ウエハに異物によりスクラッチ（傷）
が発生することを防止できる。このため、ＣＭＰ研磨装
置の信頼性及び生産性が向上する。
ィスクを単に純水に浸漬するのではなく、コンディショ
ニングディスクの表面を、ブラシにより強制的に洗浄し
ている。このように、コンディショニングディスクの表
面を積極的に洗浄しているため、コンディショニングデ
ィスクに付着した研磨屑及び研磨パッド屑が確実に除去
され、コンディショニングディスクに埋め込まれている
ダイヤモンド砥粒の突出量が低下することがなく、安定
してコンディショニングを行うことができ、研磨レート
の安定性が向上する。また、再生後のコンディショニン
グディスクには、研磨屑及び研磨パッド屑が付着してい
ないので、それが剥がれ落ちて研磨パッド表面に異物
（研磨屑及び研磨パッド屑）が付着するというようなこ
とがなく、被研磨ウエハに異物によりスクラッチ（傷）
が発生することを防止できる。このため、ＣＭＰ研磨装
置の信頼性及び生産性が向上する。
【００１７】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施例について、
添付の図面を参照して具体的に説明する。図１は本発明
の第１実施例に係るＣＭＰ研磨装置のコンディショニン
グディスク洗浄装置を示す模式図である。図１におい
て、図５と同一構成物には同一符号を付してその詳細な
説明は省略する。本実施例においては、回転アーム７の
コンディショニングディスク支持部には、コンディショ
ニングディスク６を回転させる駆動部（図示せず）が設
けられており、洗浄中にディスク６を回転させるように
なっている。コンディショニングディスク用プール槽９
内には、ブラシ１４がその刷毛を上向きにして設置され
ている。このブラシ１４は適宜の駆動手段により垂直中
心軸を回転中心として回転駆動されるようになってい
る。なお、このブラシ１４はその刷毛面積がコンディシ
ョニングディスク６より大きいことが好ましい。また、
コンディショニングディスク用プール槽９の底部には、
乾燥空気導入配管１５が設置されており、コンディショ
ニングディスク用プール槽９内の純水中に乾燥空気を吹
き込み、気泡を発生させるようになっている。
添付の図面を参照して具体的に説明する。図１は本発明
の第１実施例に係るＣＭＰ研磨装置のコンディショニン
グディスク洗浄装置を示す模式図である。図１におい
て、図５と同一構成物には同一符号を付してその詳細な
説明は省略する。本実施例においては、回転アーム７の
コンディショニングディスク支持部には、コンディショ
ニングディスク６を回転させる駆動部（図示せず）が設
けられており、洗浄中にディスク６を回転させるように
なっている。コンディショニングディスク用プール槽９
内には、ブラシ１４がその刷毛を上向きにして設置され
ている。このブラシ１４は適宜の駆動手段により垂直中
心軸を回転中心として回転駆動されるようになってい
る。なお、このブラシ１４はその刷毛面積がコンディシ
ョニングディスク６より大きいことが好ましい。また、
コンディショニングディスク用プール槽９の底部には、
乾燥空気導入配管１５が設置されており、コンディショ
ニングディスク用プール槽９内の純水中に乾燥空気を吹
き込み、気泡を発生させるようになっている。
【００１８】このように構成された本実施例装置におい
ては、図４に示すような研磨装置において、研磨パッド
３をコンディショニングした後のコンディショニングデ
ィスク６は、その回転アーム７に支持されてコンディシ
ョニングディスク用プール槽９内に設置される。そし
て、純水導入配管１６から純水をコンディショニングデ
ィスク用プール槽９内に供給し、純水排水配管１７から
排出することにより、コンディショニングディスク用プ
ール槽９内を純水で満たし、コンディショニングディス
ク６を純水中に浸漬させる。そして、コンディショニン
グディスク６をブラシ１４に接触させ、回転アーム７の
支持部に設けられた駆動部によりコンディショニングデ
ィスク６を回転駆動すると共に、好ましくはブラシ１４
を回転駆動することにより、コンディショニングディス
ク６の表面を摺刷し、表面に付着した研磨屑及び研磨パ
ッド屑を強制的に除去する。また、このブラシ１４によ
る屑除去の際、乾燥空気導入配管１５から乾燥空気をコ
ンディショニングディスク用プール槽９内の純水中に吹
き込むことにより、純水中に気泡を発生させ、この気泡
により、コンディショニングディスク６から離脱した屑
をまきあげ、純水排水配管１７から排出される純水と共
に外部に排出する。
ては、図４に示すような研磨装置において、研磨パッド
３をコンディショニングした後のコンディショニングデ
ィスク６は、その回転アーム７に支持されてコンディシ
ョニングディスク用プール槽９内に設置される。そし
て、純水導入配管１６から純水をコンディショニングデ
ィスク用プール槽９内に供給し、純水排水配管１７から
排出することにより、コンディショニングディスク用プ
ール槽９内を純水で満たし、コンディショニングディス
ク６を純水中に浸漬させる。そして、コンディショニン
グディスク６をブラシ１４に接触させ、回転アーム７の
支持部に設けられた駆動部によりコンディショニングデ
ィスク６を回転駆動すると共に、好ましくはブラシ１４
を回転駆動することにより、コンディショニングディス
ク６の表面を摺刷し、表面に付着した研磨屑及び研磨パ
ッド屑を強制的に除去する。また、このブラシ１４によ
る屑除去の際、乾燥空気導入配管１５から乾燥空気をコ
ンディショニングディスク用プール槽９内の純水中に吹
き込むことにより、純水中に気泡を発生させ、この気泡
により、コンディショニングディスク６から離脱した屑
をまきあげ、純水排水配管１７から排出される純水と共
に外部に排出する。
【００１９】このようにして、コンディショニングディ
スク６を機械的に洗浄するから、研磨屑及び研磨パッド
屑を確実に除去することができ、コンディショニングデ
ィスク６に埋め込まれているダイヤモンド砥粒の突出量
の低下を回避することができる。その結果、研磨パッド
３を常に安定してコンディショニングすることが可能と
なり、研磨レートの安定性が向上する。また、コンディ
ショニングディスク６に付着した研磨屑及び研磨パッド
屑を確実に除去することができるため、研磨装置の研磨
パッド３上にコンディショニングディスク６からの研磨
屑及び研磨パッド屑が剥れ落ちることが防止される。そ
の結果、研磨パッド３表面には異物（研磨屑や研磨パッ
ド屑）が存在せず、被研磨ウエハ１３に異物によるスク
ラッチ（傷）が発生することが防止される。
スク６を機械的に洗浄するから、研磨屑及び研磨パッド
屑を確実に除去することができ、コンディショニングデ
ィスク６に埋め込まれているダイヤモンド砥粒の突出量
の低下を回避することができる。その結果、研磨パッド
３を常に安定してコンディショニングすることが可能と
なり、研磨レートの安定性が向上する。また、コンディ
ショニングディスク６に付着した研磨屑及び研磨パッド
屑を確実に除去することができるため、研磨装置の研磨
パッド３上にコンディショニングディスク６からの研磨
屑及び研磨パッド屑が剥れ落ちることが防止される。そ
の結果、研磨パッド３表面には異物（研磨屑や研磨パッ
ド屑）が存在せず、被研磨ウエハ１３に異物によるスク
ラッチ（傷）が発生することが防止される。
【００２０】次に、本発明の第２の実施例について図２
を参照して具体的に説明する。図２において、図１と同
一物には同一符号を付してその詳細な説明は省略する。
本実施例は第１の実施例に対し、コンディショニングデ
ィスク用プール漕９内の純水に超音波振動を付与する超
音波発生器１８を設けている点が異なる。この超音波発
生器１８から発信した超音波は、超音波導入管１９を介
してコンディショニングディスク用プール槽９内の純水
に導入され、純水が超音波振動する。
を参照して具体的に説明する。図２において、図１と同
一物には同一符号を付してその詳細な説明は省略する。
本実施例は第１の実施例に対し、コンディショニングデ
ィスク用プール漕９内の純水に超音波振動を付与する超
音波発生器１８を設けている点が異なる。この超音波発
生器１８から発信した超音波は、超音波導入管１９を介
してコンディショニングディスク用プール槽９内の純水
に導入され、純水が超音波振動する。
【００２１】このように、純水を超音波振動させること
により、コンディショニングディスク６のブラシ１４に
よる洗浄効果が向上する。
により、コンディショニングディスク６のブラシ１４に
よる洗浄効果が向上する。
【００２２】図３は本発明の参考例を示す模式図であ
る。本参考例においては、コンディショニングディスク
用プール槽９の代わりに、洗浄チャンバ９ａを設けてい
る。このチャンバ９ａの側壁下部に純水排水配管１７ａ
が連結されており、チャンバ９ａ内の底部に複数個の純
水噴射ノズル２１がその噴出方向を上方に向けて配置さ
れている。この純水噴射ノズル２１は純水供給配管２０
に連結されており、この純水供給配管２０を介して純水
が純水噴射ノズル２１に供給され、チャンバ内に上方に
向けて純水が噴出される。
る。本参考例においては、コンディショニングディスク
用プール槽９の代わりに、洗浄チャンバ９ａを設けてい
る。このチャンバ９ａの側壁下部に純水排水配管１７ａ
が連結されており、チャンバ９ａ内の底部に複数個の純
水噴射ノズル２１がその噴出方向を上方に向けて配置さ
れている。この純水噴射ノズル２１は純水供給配管２０
に連結されており、この純水供給配管２０を介して純水
が純水噴射ノズル２１に供給され、チャンバ内に上方に
向けて純水が噴出される。
【００２３】本参考例においては、コンディショニング
に供したコンディショニングディスク６を回転アーム７
に支持された状態でチャンバ９ａ内に装入し、次いで、
純水噴射ノズル２１から純水を上方のコンディショニン
グディスク６に向けて噴出する。これにより、コンディ
ショニングディスク６は純水の噴射を受けて強制的に洗
浄され、その表面に付着している研磨屑及び研磨パッド
屑が確実に除去される。従って、本実施例においても、
図１及び図２に示す実施例と同様の効果を奏する。
に供したコンディショニングディスク６を回転アーム７
に支持された状態でチャンバ９ａ内に装入し、次いで、
純水噴射ノズル２１から純水を上方のコンディショニン
グディスク６に向けて噴出する。これにより、コンディ
ショニングディスク６は純水の噴射を受けて強制的に洗
浄され、その表面に付着している研磨屑及び研磨パッド
屑が確実に除去される。従って、本実施例においても、
図１及び図２に示す実施例と同様の効果を奏する。
【００２４】
【実施例】次に、本発明の実施例装置により実際にコン
ディショニングディスクを洗浄した結果について説明す
る。
ディショニングディスクを洗浄した結果について説明す
る。
【００２５】実施例１ 図１に示す本発明の第１の実施例装置によりコンディシ
ョニングディスクを洗浄した。研磨条件及び洗浄条件は
以下のとおりである。研磨対象はウエハ上にＣＶＤ法に
より形成したＰ−ＳｉＯ2膜である。 ＜研磨条件＞ 研磨プレート回転数：２０ｒｐｍウエハ キャリア回転数：２０ｒｐｍ 研磨圧力：７ｐｓｉ スラリー流量：１００ｃｃ／ｍｉｎ 純水シャワー流量：４００リットル／ｍｉｎ 研磨パッド温度：２５℃ ＜コンディショニングディスク洗浄条件＞ コンディショニングディスク回転数：６０ｒｐｍ 純水流量：２リットル／ｍｉｎ 乾燥空気流量：７リットル／ｍｉｎ この結果、Ｐ−ＳｉＯ2膜の研磨レートが安定し、研磨
均一性も向上した。また、Ｐ−ＳｉＯ2膜上のスクラッ
チ（傷）も大幅に減少した。
ョニングディスクを洗浄した。研磨条件及び洗浄条件は
以下のとおりである。研磨対象はウエハ上にＣＶＤ法に
より形成したＰ−ＳｉＯ2膜である。 ＜研磨条件＞ 研磨プレート回転数：２０ｒｐｍウエハ キャリア回転数：２０ｒｐｍ 研磨圧力：７ｐｓｉ スラリー流量：１００ｃｃ／ｍｉｎ 純水シャワー流量：４００リットル／ｍｉｎ 研磨パッド温度：２５℃ ＜コンディショニングディスク洗浄条件＞ コンディショニングディスク回転数：６０ｒｐｍ 純水流量：２リットル／ｍｉｎ 乾燥空気流量：７リットル／ｍｉｎ この結果、Ｐ−ＳｉＯ2膜の研磨レートが安定し、研磨
均一性も向上した。また、Ｐ−ＳｉＯ2膜上のスクラッ
チ（傷）も大幅に減少した。
【００２６】実施例２ 図２に示す本発明の第２の実施例装置により、被研磨ウ
エハ上にＣＶＤ法で形成したＰ−ＳｉＯ2膜の研磨を実
施例１と同様の条件にて行い、コンディショニングディ
スクを下記条件にて洗浄した。 ＜コンディショニングディスク洗浄条件＞ コンディショニングデイスク回転数：６０ｒｐｍ 純水流量：２リットル／ｍｉｎ 乾燥空気流量：７リットル／ｍｉｎ 超音波発生器：１ＭＨｚ、１００Ｗ この結果、実施例１と同様に研磨レートが安定し、研磨
均一性が向上すると共に、ウエハのスクラッチ疵も著し
く減少した。
エハ上にＣＶＤ法で形成したＰ−ＳｉＯ2膜の研磨を実
施例１と同様の条件にて行い、コンディショニングディ
スクを下記条件にて洗浄した。 ＜コンディショニングディスク洗浄条件＞ コンディショニングデイスク回転数：６０ｒｐｍ 純水流量：２リットル／ｍｉｎ 乾燥空気流量：７リットル／ｍｉｎ 超音波発生器：１ＭＨｚ、１００Ｗ この結果、実施例１と同様に研磨レートが安定し、研磨
均一性が向上すると共に、ウエハのスクラッチ疵も著し
く減少した。
【００２７】参考例 図３に示す本発明の参考例装置を使用し、ウエハ上にＣ
ＶＤ法で形成したＰ−ＳｉＯ2膜の研磨を実施例１と同
様の条件にて行い、コンディショニングディスクを下記
条件にて洗浄した。 ＜コンディショニングディスク洗浄条件＞ コンディショニングディスク回転数：６０ｒｐｍ 純水シャワー流量：５リットル／ｍｉｎ この結果、実施例１と同様に、研磨レートが安定し、研
磨均一性が向上すると共に、ウエハのスクラッチ疵も著
しく減少するという良好な結果が得られた。
ＶＤ法で形成したＰ−ＳｉＯ2膜の研磨を実施例１と同
様の条件にて行い、コンディショニングディスクを下記
条件にて洗浄した。 ＜コンディショニングディスク洗浄条件＞ コンディショニングディスク回転数：６０ｒｐｍ 純水シャワー流量：５リットル／ｍｉｎ この結果、実施例１と同様に、研磨レートが安定し、研
磨均一性が向上すると共に、ウエハのスクラッチ疵も著
しく減少するという良好な結果が得られた。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
コンディショニング後のコンディショニングディスクを
純水中に浸漬し、ブラシにより強制的に洗浄する洗浄装
置を設けたので、待機中にコンディショニングディスク
を洗浄してその表面に付着している研磨屑及び研磨パッ
ド屑を除去することができる。これにより、コンディシ
ョニングディスクに埋め込まれているダイヤモンド砥粒
の突出量の低下が防止され、研磨パッドの目立て再現性
が向上し、研磨レートを安定させることができる。
コンディショニング後のコンディショニングディスクを
純水中に浸漬し、ブラシにより強制的に洗浄する洗浄装
置を設けたので、待機中にコンディショニングディスク
を洗浄してその表面に付着している研磨屑及び研磨パッ
ド屑を除去することができる。これにより、コンディシ
ョニングディスクに埋め込まれているダイヤモンド砥粒
の突出量の低下が防止され、研磨パッドの目立て再現性
が向上し、研磨レートを安定させることができる。
【００２９】また、常にコンディショニングディスクの
表面の清浄度が保たれ、コンディショニング中にコンデ
ィショニングディスクから研磨パッド表面に研磨屑及び
研磨パッド屑が剥れ落ちることが防止されるので、被研
磨ウエハにスクラッチ（傷）が発生することを防止でき
る。
表面の清浄度が保たれ、コンディショニング中にコンデ
ィショニングディスクから研磨パッド表面に研磨屑及び
研磨パッド屑が剥れ落ちることが防止されるので、被研
磨ウエハにスクラッチ（傷）が発生することを防止でき
る。
【図１】本発明の第１の実施例に係るＣＭＰ研磨装置の
コンディショニングディスク洗浄部を示す図である。
コンディショニングディスク洗浄部を示す図である。
【図２】本発明の第２の実施例に係るＣＭＰ研磨装置の
コンディショニングディスク洗浄部を示す図である。
コンディショニングディスク洗浄部を示す図である。
【図３】本発明の参考例に係るＣＭＰ研磨装置のコンデ
ィショニングディスク洗浄部を示す図である。
ィショニングディスク洗浄部を示す図である。
【図４】従来のＣＭＰ研磨装置の一例を示す概略図であ
り、（ａ）は平面図を示し、（ｂ）は正面図である。
り、（ａ）は平面図を示し、（ｂ）は正面図である。
【図５】従来のＣＭＰ研磨装置のコンディショニングデ
ィスク洗浄部の一例を示す図である。
ィスク洗浄部の一例を示す図である。
１：スラリー供給装置 ２：スラリー供給口 ３：研磨パッド ４：ウエハキャリア ５：回転軸 ６：コンディショニングディスク ７：回転アーム ８：駆動装置 ９：コンディショニングディスク用プール槽 ９ａ：洗浄チャンバ １０：スラリー（研磨剤） １１：研磨プレート １２：回転軸 １３：被研磨ウエハ １４：ブラシ １５：乾燥空気導入配管 １６：純水導入配管 １７、１７ａ：純水排水配管 １８：超音波発生器 １９：超音波導入管 ２０：純水供給配管 ２１：純水噴射ノズル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B24B 37/00 - 37/04 H01L 21/304 622
Claims (4)
- 【請求項１】 研磨パッドが貼られた研磨テーブルと、
この研磨テーブルを回転させる回転装置と、回転する研
磨テーブル上の前記研磨パッド表面にウエハをあてがっ
て研磨する研磨手段と、回転する研磨テーブル上の前記
研磨パッド表面にコンディショニングディスクをあてが
って前記研磨パッドをコンディショニングするコンディ
ショニング手段と、ブラシにより前記コンディショニン
グディスクの表面を強制的に洗浄する洗浄装置と、純水
を貯留する槽と、前記コンディショニングディスクを前
記槽中の純水に浸漬する手段とを有し、前記ブラシは前
記槽内の底部にその刷毛を上方に向けて配置されている
ことを特徴とするＣＭＰ研磨装置。 - 【請求項２】 前記ブラシを回転駆動する駆動装置を有
することを特徴とする請求項１に記載のＣＭＰ研磨装
置。 - 【請求項３】 前記コンディショニングディスクを回転
可能に支持するアームと、前記コンディショニングディ
スクを前記アームに対して相対的に回転駆動する駆動装
置とを有し、前記アームを介して前記コンディショニン
グディスクを槽内の純水中に浸漬することを特徴とする
請求項１に記載のＣＭＰ研磨装置。 - 【請求項４】 前記槽内の純水に超音波振動を付与する
手段を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれ
か１項に記載のＣＭＰ研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29848997A JP3011156B2 (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | Ｃｍｐ研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29848997A JP3011156B2 (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | Ｃｍｐ研磨装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11129153A JPH11129153A (ja) | 1999-05-18 |
| JP3011156B2 true JP3011156B2 (ja) | 2000-02-21 |
Family
ID=17860376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29848997A Expired - Lifetime JP3011156B2 (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | Ｃｍｐ研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3011156B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001260024A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-25 | Mitsubishi Materials Corp | ドレッサー装置用洗浄装置 |
| CN1122591C (zh) * | 1999-12-23 | 2003-10-01 | 财团法人工业技术研究院 | 抛光后线上清洗方法 |
| US6554951B1 (en) * | 2000-10-16 | 2003-04-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | Chemical-mechanical polishing pad conditioning system and method |
| KR20020044737A (ko) | 2000-12-06 | 2002-06-19 | 윤종용 | 컨디셔닝 클리너를 포함하는 씨엠피 설비 |
| JP5887227B2 (ja) | 2012-08-07 | 2016-03-16 | 株式会社荏原製作所 | ドレッサーディスク洗浄用ブラシ、洗浄装置及び洗浄方法 |
| CN106272076A (zh) * | 2016-08-26 | 2017-01-04 | 张振堂 | 一种磨床的整形装置 |
| KR102465486B1 (ko) * | 2021-10-19 | 2022-11-11 | (주)퓨렉스 | 폴리싱 패드용 세정 장치 |
-
1997
- 1997-10-30 JP JP29848997A patent/JP3011156B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11129153A (ja) | 1999-05-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2800802B2 (ja) | 半導体ウェハーのｃｍｐ装置 | |
| JP4709346B2 (ja) | ウェーハエッジの洗浄装置 | |
| JP3278590B2 (ja) | 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法 | |
| US6202658B1 (en) | Method and apparatus for cleaning the edge of a thin disc | |
| JP3778594B2 (ja) | ドレッシング方法 | |
| JP4481394B2 (ja) | 半導体基板の洗浄装置及びその洗浄方法 | |
| US6669538B2 (en) | Pad cleaning for a CMP system | |
| JPH08238463A (ja) | 洗浄方法及び洗浄装置 | |
| JPH08267354A (ja) | ウェハ研磨装置 | |
| JP2003229393A (ja) | スラリディスペンサとリンスアームの組み合わせ、および操作方法 | |
| JP2003211355A (ja) | ポリッシング装置及びドレッシング方法 | |
| JP2002043267A (ja) | 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び基板処理装置 | |
| JP2003151943A (ja) | スクラブ洗浄装置 | |
| JP3011156B2 (ja) | Ｃｍｐ研磨装置 | |
| JP2001237204A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3708740B2 (ja) | 研磨装置および研磨方法 | |
| KR20050068038A (ko) | Ｃｍｐ 장치의 컨디셔너의 클리닝 컵과 ｃｍｐ 장치의컨디셔너의 클리닝 방법 | |
| KR20100005474A (ko) | Ｃｍｐ 장치의 폴리싱패드 컨디셔닝 드레서 세정장치 | |
| JP7249373B2 (ja) | 研磨パッド洗浄装置 | |
| JP3528411B2 (ja) | 研磨装置の洗浄方法と洗浄装置 | |
| JPH11244795A (ja) | 基板洗浄装置 | |
| KR100523623B1 (ko) | Ｃｍｐ 장비의 다이아몬드 디스크의 클리닝 드레서 | |
| JPH08153695A (ja) | 研磨方法およびこれに用いる研磨装置並びに研磨仕上げ装置 | |
| JP2004273530A (ja) | 洗浄装置およびその方法 | |
| TWI823171B (zh) | 基板邊緣清潔和基板承載頭間隙清潔的設備和方法 |