JPH10337666A - 化学的機械研磨装置 - Google Patents
化学的機械研磨装置Info
- Publication number
- JPH10337666A JPH10337666A JP14967297A JP14967297A JPH10337666A JP H10337666 A JPH10337666 A JP H10337666A JP 14967297 A JP14967297 A JP 14967297A JP 14967297 A JP14967297 A JP 14967297A JP H10337666 A JPH10337666 A JP H10337666A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- slurry
- particles
- trap
- chemical mechanical
- mechanical polishing
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 スラリ中の大径凝集研磨粒子を効果的に除去
しながら、装置の安定稼働を維持することができる化学
的機械研磨装置を提供すること。 【解決手段】 スラリ供給装置7側の配管19aとノズ
ル8側の配管19bとの間に、密閉箱型容器26で成る
沈降ボックス20を設ける。沈降ボックス20の底部は
配管19a、19bよりも下方に位置させることによ
り、トラップすなわち落とし穴の原理で、配管19aの
下壁面に沿って流れる研磨粒子の大径凝集粒子を内部に
沈降させる。これにより、ノズル8から被処理基板5へ
供給されるスラリから大径凝集粒子を効果的に除去する
ことができ、被処理基板に対するマイクロスクラッチの
発生の原因を大幅に低減することができる。また、沈降
ボックス20のメンテナンスも頻繁に行う必要ななく、
装置の安定稼働を維持することができる。
しながら、装置の安定稼働を維持することができる化学
的機械研磨装置を提供すること。 【解決手段】 スラリ供給装置7側の配管19aとノズ
ル8側の配管19bとの間に、密閉箱型容器26で成る
沈降ボックス20を設ける。沈降ボックス20の底部は
配管19a、19bよりも下方に位置させることによ
り、トラップすなわち落とし穴の原理で、配管19aの
下壁面に沿って流れる研磨粒子の大径凝集粒子を内部に
沈降させる。これにより、ノズル8から被処理基板5へ
供給されるスラリから大径凝集粒子を効果的に除去する
ことができ、被処理基板に対するマイクロスクラッチの
発生の原因を大幅に低減することができる。また、沈降
ボックス20のメンテナンスも頻繁に行う必要ななく、
装置の安定稼働を維持することができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
工程において被処理基板の層間絶縁膜等の段差を平坦化
するのに用いられる化学的機械研磨装置に関する。
工程において被処理基板の層間絶縁膜等の段差を平坦化
するのに用いられる化学的機械研磨装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年のLSIの高集積化に伴い、積層配
線構造のデバイスの層間を平坦化するのに、化学反応と
機械的研磨とを併用した化学的機械研磨方法、いわゆる
CMP(Chemical−Mechanical P
olishing)法が用いられている。この化学的機
械研磨方法は、被処理基板表面の各種段差を一括して平
坦化することができる方法として有望視されている。
線構造のデバイスの層間を平坦化するのに、化学反応と
機械的研磨とを併用した化学的機械研磨方法、いわゆる
CMP(Chemical−Mechanical P
olishing)法が用いられている。この化学的機
械研磨方法は、被処理基板表面の各種段差を一括して平
坦化することができる方法として有望視されている。
【0003】図4はこの種の従来技術として特開平8−
255774号公報に記載された化学的機械研磨装置を
示す概略断面図である。鉛直方向に配設された回転軸1
の上端部には研磨定盤として、上面に研磨布3を有した
定盤2が設けられている。半導体基板の一表面上に配線
層や層間絶縁膜等が形成されて成る被処理基板5は、回
転軸10を備えるマウント板6に吸着されてその被処理
面を研磨布3と対向するように配置される。そして、研
磨剤であるスラリ4をスラリ供給装置7から配管9及び
ノズル8を介して研磨布3に供給し、定盤2及びマウン
ト板6の最適な回転数の下、被処理基板5を所定の圧力
で研磨布3に押し付けて研磨するように構成されてい
る。なお、図においてスラリ4は概略的に示されてい
る。
255774号公報に記載された化学的機械研磨装置を
示す概略断面図である。鉛直方向に配設された回転軸1
の上端部には研磨定盤として、上面に研磨布3を有した
定盤2が設けられている。半導体基板の一表面上に配線
層や層間絶縁膜等が形成されて成る被処理基板5は、回
転軸10を備えるマウント板6に吸着されてその被処理
面を研磨布3と対向するように配置される。そして、研
磨剤であるスラリ4をスラリ供給装置7から配管9及び
ノズル8を介して研磨布3に供給し、定盤2及びマウン
ト板6の最適な回転数の下、被処理基板5を所定の圧力
で研磨布3に押し付けて研磨するように構成されてい
る。なお、図においてスラリ4は概略的に示されてい
る。
【0004】スラリは被処理基板に応じて適用され、例
えば酸化珪素系の層間絶縁膜を研磨する場合には研磨粒
子としてシリカ(SiO2 )微粒子を分散させたKOH
(水酸化カリウム)水溶液等の塩基性スラリが用いられ
る。更に詳しく説明すると、このシリカの一次粒子は2
0〜30nmの大きさであるが、この粒度では上述した
被処理基板5の研磨を行うには不十分であるので、KO
Hを調整剤として用いることにより一次粒子を連ならせ
て0.1μm程度の大きさの二次粒子とし、これでもっ
て主な研磨作用を行わせるようにしている。図5はシリ
カ粒子の水素結合を模式的に示すもので、シリカ一次粒
子Paの表面に存在する例えば2.4〜3.2×104
個/cm2 の水酸基がスラリ中の水分子と水素結合する
ことにより二次粒子Pを生成する様子を示している。こ
の二次粒子Pの粒度は、研磨を行う上で重要なパラメー
タであり、上述したようにKOH濃度によって調整され
る。
えば酸化珪素系の層間絶縁膜を研磨する場合には研磨粒
子としてシリカ(SiO2 )微粒子を分散させたKOH
(水酸化カリウム)水溶液等の塩基性スラリが用いられ
る。更に詳しく説明すると、このシリカの一次粒子は2
0〜30nmの大きさであるが、この粒度では上述した
被処理基板5の研磨を行うには不十分であるので、KO
Hを調整剤として用いることにより一次粒子を連ならせ
て0.1μm程度の大きさの二次粒子とし、これでもっ
て主な研磨作用を行わせるようにしている。図5はシリ
カ粒子の水素結合を模式的に示すもので、シリカ一次粒
子Paの表面に存在する例えば2.4〜3.2×104
個/cm2 の水酸基がスラリ中の水分子と水素結合する
ことにより二次粒子Pを生成する様子を示している。こ
の二次粒子Pの粒度は、研磨を行う上で重要なパラメー
タであり、上述したようにKOH濃度によって調整され
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら実際は、
スラリには粒度が1μmを越えるシリカの大径凝集粒子
が含まれている。これは、配管やスラリ供給タンクの液
面以上に付着したスラリが乾燥し、更に脱水縮合反応に
よりシロキサン結合して粒度が増大して再びスラリ内に
混入するのが原因である。このとき、この1μm以上の
シリカ凝集粒子で研磨を行うと基板5の表面にマイクロ
スクラッチを発生させ、層間膜下の配線に傷をつけ不良
にしてしまうという問題がある。
スラリには粒度が1μmを越えるシリカの大径凝集粒子
が含まれている。これは、配管やスラリ供給タンクの液
面以上に付着したスラリが乾燥し、更に脱水縮合反応に
よりシロキサン結合して粒度が増大して再びスラリ内に
混入するのが原因である。このとき、この1μm以上の
シリカ凝集粒子で研磨を行うと基板5の表面にマイクロ
スクラッチを発生させ、層間膜下の配線に傷をつけ不良
にしてしまうという問題がある。
【0006】これを防ぐために、従来より配管9(図4
参照)の内部にフィルタを取り付けて1μm以上のシリ
カの大径凝集粒子を取り除くといった対応策が採られて
いる。しかしながら、フィルタの目づまりのため、この
フィルタのメンテナンス及び交換が必要となり、その間
における装置のダウンタイムとコストが発生するという
新たな問題を引き起こす。
参照)の内部にフィルタを取り付けて1μm以上のシリ
カの大径凝集粒子を取り除くといった対応策が採られて
いる。しかしながら、フィルタの目づまりのため、この
フィルタのメンテナンス及び交換が必要となり、その間
における装置のダウンタイムとコストが発生するという
新たな問題を引き起こす。
【0007】そこで本発明は上述の問題に鑑みてなさ
れ、スラリ中の大径凝集粒子を効果的に除去しながら、
装置の安定稼働を維持することができる化学的機械研磨
装置を提供することを課題とする。
れ、スラリ中の大径凝集粒子を効果的に除去しながら、
装置の安定稼働を維持することができる化学的機械研磨
装置を提供することを課題とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、スラリ供給装
置とノズルの間を連絡する配管の一部の下面に、研磨粒
子の大径凝集粒子を沈降させるトラップを設け、配管の
下壁面に沿って流れる研磨粒子の大径凝集粒子を落とし
穴である上記トラップに沈降させることによってスラリ
から研磨粒子の大径凝集粒子を除去し、所定の粒度以下
の研磨粒子を有するスラリを研磨定盤に供給するように
している。したがって、被処理基板へ品質的なダメージ
を与えのを大幅に低減することができる。また、メンテ
ナンスに必要な交換部品を抑制しながら、装置を安定に
稼働させることができると共にスループットの向上を図
ることができる。
置とノズルの間を連絡する配管の一部の下面に、研磨粒
子の大径凝集粒子を沈降させるトラップを設け、配管の
下壁面に沿って流れる研磨粒子の大径凝集粒子を落とし
穴である上記トラップに沈降させることによってスラリ
から研磨粒子の大径凝集粒子を除去し、所定の粒度以下
の研磨粒子を有するスラリを研磨定盤に供給するように
している。したがって、被処理基板へ品質的なダメージ
を与えのを大幅に低減することができる。また、メンテ
ナンスに必要な交換部品を抑制しながら、装置を安定に
稼働させることができると共にスループットの向上を図
ることができる。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【0010】図1は本発明の実施の形態による化学的機
械研磨装置を示し、全体として15で示される。なお図
4と対応する部分については同一の符号を付すものと
し、その詳細な説明は省略する。
械研磨装置を示し、全体として15で示される。なお図
4と対応する部分については同一の符号を付すものと
し、その詳細な説明は省略する。
【0011】本実施の形態では、被処理基板5として表
面に酸化珪素系で成る層間絶縁膜を形成した半導体基板
(ウェーハ)を適用し、この層間絶縁膜を研磨するスラ
リ4としてKOH水溶液にシリカ(SiO2 )の微粒子
を分散させた、上述の塩基性スラリを適用している。シ
リカ粒子は1.16前後の比重を有し、その一次粒子P
aや二次粒子P(図5参照)の場合は水中で分散され沈
降しにくいが、それよりも大きな粒度をもつ凝集粒子と
なると、水中で分散しにくくなり沈降しやすくなる。
面に酸化珪素系で成る層間絶縁膜を形成した半導体基板
(ウェーハ)を適用し、この層間絶縁膜を研磨するスラ
リ4としてKOH水溶液にシリカ(SiO2 )の微粒子
を分散させた、上述の塩基性スラリを適用している。シ
リカ粒子は1.16前後の比重を有し、その一次粒子P
aや二次粒子P(図5参照)の場合は水中で分散され沈
降しにくいが、それよりも大きな粒度をもつ凝集粒子と
なると、水中で分散しにくくなり沈降しやすくなる。
【0012】そこで本実施の形態では、スラリ供給装置
7とノズル8を連絡する配管19の途中に、図2に示す
ような沈降ボックス20を設けている。沈降ボックス2
0は密閉箱型容器26で成り、対向する両側壁面上部
に、上流側であるスラリ供給装置7側の配管19a及び
下流側であるノズル8側の配管19bがそれぞれ接続さ
れ、その底部をこれら配管19a及び19bよりも下方
に位置させている。すなわち、沈降ボックス20でもっ
て配管19の下面に設けたトラップ(落とし穴)を形成
し、ここにシリカの大径凝集粒子を沈降させるようにし
ている。また、沈降した凝集粒子が沈降ボックス20内
のスラリの流動による影響で再び上昇するのを防止すべ
く、断面円弧状の上昇防止板24a及び24bを設けて
いる。
7とノズル8を連絡する配管19の途中に、図2に示す
ような沈降ボックス20を設けている。沈降ボックス2
0は密閉箱型容器26で成り、対向する両側壁面上部
に、上流側であるスラリ供給装置7側の配管19a及び
下流側であるノズル8側の配管19bがそれぞれ接続さ
れ、その底部をこれら配管19a及び19bよりも下方
に位置させている。すなわち、沈降ボックス20でもっ
て配管19の下面に設けたトラップ(落とし穴)を形成
し、ここにシリカの大径凝集粒子を沈降させるようにし
ている。また、沈降した凝集粒子が沈降ボックス20内
のスラリの流動による影響で再び上昇するのを防止すべ
く、断面円弧状の上昇防止板24a及び24bを設けて
いる。
【0013】また、沈降ボックス20の底部には開閉バ
ルブ23を備えた排出管18を接続し、定期メンテナン
スにおいて内部に沈降させたシリカの凝集粒子を排出孔
25を介して外部へ排出することが可能なようになって
いる。さらに配管19a、19bにもそれぞれ開閉バル
ブ21、22を設けている。
ルブ23を備えた排出管18を接続し、定期メンテナン
スにおいて内部に沈降させたシリカの凝集粒子を排出孔
25を介して外部へ排出することが可能なようになって
いる。さらに配管19a、19bにもそれぞれ開閉バル
ブ21、22を設けている。
【0014】次にこの作用について説明する。配管19
a及び19bの開閉バルブ21、22は共に開状態にあ
り、排出管18の開閉バルブ23は閉状態にある。スラ
リ供給装置7から供給されるスラリは配管19a、沈降
ボックス20及び配管19bを介してノズル8に至る。
この沈降ボックス20内において、スラリ中の1μm以
上の大きな粒度をもつシリカの凝集粒子は、上昇防止板
24aの上面に沿って沈降ボックス20の底部に沈降す
る。上昇防止板24a、24bはまた、沈降ボックス2
0内のスラリの流動によって沈降したシリカ凝集粒子が
上昇するのを防止する。さらに下流側の上昇防止板24
bによってスラリの流路抵抗を低減するようにしてい
る。以上のようにして、スラリに含まれる大きな粒度を
有したシリカの凝集粒子が除去される。
a及び19bの開閉バルブ21、22は共に開状態にあ
り、排出管18の開閉バルブ23は閉状態にある。スラ
リ供給装置7から供給されるスラリは配管19a、沈降
ボックス20及び配管19bを介してノズル8に至る。
この沈降ボックス20内において、スラリ中の1μm以
上の大きな粒度をもつシリカの凝集粒子は、上昇防止板
24aの上面に沿って沈降ボックス20の底部に沈降す
る。上昇防止板24a、24bはまた、沈降ボックス2
0内のスラリの流動によって沈降したシリカ凝集粒子が
上昇するのを防止する。さらに下流側の上昇防止板24
bによってスラリの流路抵抗を低減するようにしてい
る。以上のようにして、スラリに含まれる大きな粒度を
有したシリカの凝集粒子が除去される。
【0015】図1を参照して、ノズル8から定盤2の研
磨布3にスラリ4が所定の流量で供給される。被処理基
板5は、所定の圧力で研磨布3に押し付けられながら定
盤2およびマウント板6の最適な回転数の下で研磨され
る。所定時間の研磨作用の後、被処理基板5の表面は平
坦化される。
磨布3にスラリ4が所定の流量で供給される。被処理基
板5は、所定の圧力で研磨布3に押し付けられながら定
盤2およびマウント板6の最適な回転数の下で研磨され
る。所定時間の研磨作用の後、被処理基板5の表面は平
坦化される。
【0016】沈降ボックス20内に沈降したシリカの大
径凝集粒子は、装置の定期的なメンテナンス時に外部へ
排出される。これは配管19a及び19bの開閉バルブ
21、22を閉状態にし排出管18の開閉バルブ23を
開状態とすることにより行われる。そして、装置の再稼
働時には開閉バルブ21、22を開状態に、開閉バルブ
23を閉状態にそれぞれ切り換えられ、上述と同様な作
用が行われる。
径凝集粒子は、装置の定期的なメンテナンス時に外部へ
排出される。これは配管19a及び19bの開閉バルブ
21、22を閉状態にし排出管18の開閉バルブ23を
開状態とすることにより行われる。そして、装置の再稼
働時には開閉バルブ21、22を開状態に、開閉バルブ
23を閉状態にそれぞれ切り換えられ、上述と同様な作
用が行われる。
【0017】したがって本実施の形態によれば、スラリ
供給装置7とノズル8の間の配管途中に設けた沈降ボッ
クス20によって、スラリ4に混入した1μm以上の粒
度をもつシリカ凝集粒子を効果的に除去することがで
き、よって被処理基板5の表面にマイクロスクラッチを
発生させるのを大幅に低減することができる。また、従
来のようにフィルタの目づまりによる交換作業を行う必
要がないので、装置のダウンタイムを抑制して装置の安
定稼働が得られ、スループットを大幅に向上させること
ができる。
供給装置7とノズル8の間の配管途中に設けた沈降ボッ
クス20によって、スラリ4に混入した1μm以上の粒
度をもつシリカ凝集粒子を効果的に除去することがで
き、よって被処理基板5の表面にマイクロスクラッチを
発生させるのを大幅に低減することができる。また、従
来のようにフィルタの目づまりによる交換作業を行う必
要がないので、装置のダウンタイムを抑制して装置の安
定稼働が得られ、スループットを大幅に向上させること
ができる。
【0018】更に本実施の形態によれば、スラリ供給装
置7とノズル8の間の配管途中に、上述した沈降ボック
ス20を設けただけの簡単な装置構成で上述した効果を
得ることができ、しかも、沈降ボックス20のメンテナ
ンス時間も最小限で行うことができる。
置7とノズル8の間の配管途中に、上述した沈降ボック
ス20を設けただけの簡単な装置構成で上述した効果を
得ることができ、しかも、沈降ボックス20のメンテナ
ンス時間も最小限で行うことができる。
【0019】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、勿論、本発明はこれに限られることなく、本発明
の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
たが、勿論、本発明はこれに限られることなく、本発明
の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【0020】例えば以上の実施の形態では、沈降ボック
ス20の上昇防止板24a、24bを共に断面円弧状に
形成したが、図3に示すように上流側の上昇防止板34
aの端部のみを断面円弧状に形成し下流側の上昇防止板
34bを配管19a、19bの延在方向に沿って形成さ
せた沈降ボックス30として構成することも可能であ
る。また、沈降ボックス30の底部両側に図示するよう
な斜面37a及び37bを形成するようにすれば、沈降
した凝集粒子を内部に残存させることなく外部へ確実に
排出することができる。
ス20の上昇防止板24a、24bを共に断面円弧状に
形成したが、図3に示すように上流側の上昇防止板34
aの端部のみを断面円弧状に形成し下流側の上昇防止板
34bを配管19a、19bの延在方向に沿って形成さ
せた沈降ボックス30として構成することも可能であ
る。また、沈降ボックス30の底部両側に図示するよう
な斜面37a及び37bを形成するようにすれば、沈降
した凝集粒子を内部に残存させることなく外部へ確実に
排出することができる。
【0021】また以上の実施の形態では、凝集粒子を沈
降させるトラップとして、密閉箱型容器26の両側壁面
上部に配管19a及び19bを接続した沈降ボックス2
0を設けたが、これに限らず、単に配管19の下壁部に
沿って開口を形成し、この開口の下部に凝集粒子を収容
する沈降箱あるいは沈降袋などを取り付けるようにして
もよい。
降させるトラップとして、密閉箱型容器26の両側壁面
上部に配管19a及び19bを接続した沈降ボックス2
0を設けたが、これに限らず、単に配管19の下壁部に
沿って開口を形成し、この開口の下部に凝集粒子を収容
する沈降箱あるいは沈降袋などを取り付けるようにして
もよい。
【0022】また以上の実施の形態では、研磨粒子とし
てシリカ(SiO2 )粒子を適用したが、これに限ら
ず、アルミニウムやタングステンなどの金属層の平坦化
に用いられるアルミナ(Al2 O3 )粒子等の他の研磨
粒子を適用することも可能である。この場合、硝酸第二
鉄やH2 O2 /KOH系等の他の溶媒が用いられるが、
これによっても本発明は適用可能である。
てシリカ(SiO2 )粒子を適用したが、これに限ら
ず、アルミニウムやタングステンなどの金属層の平坦化
に用いられるアルミナ(Al2 O3 )粒子等の他の研磨
粒子を適用することも可能である。この場合、硝酸第二
鉄やH2 O2 /KOH系等の他の溶媒が用いられるが、
これによっても本発明は適用可能である。
【0023】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の化学的機械
研磨装置によれば、スラリ中の大径凝集研磨粒子を簡単
な構成で効果的に除去することができ、これにより被処
理基板へ品質的ダメージを与えるのを大幅に低減するこ
とができる。また、装置の安定稼働を実現してスループ
ットを向上させることができる。
研磨装置によれば、スラリ中の大径凝集研磨粒子を簡単
な構成で効果的に除去することができ、これにより被処
理基板へ品質的ダメージを与えるのを大幅に低減するこ
とができる。また、装置の安定稼働を実現してスループ
ットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態による化学的機械研磨装置
の構成を示す概略断面図である。
の構成を示す概略断面図である。
【図2】本発明に係るトラップである沈降ボックスの全
体を示す部分破断斜視図である。
体を示す部分破断斜視図である。
【図3】同変形例を示す部分破断側面図である。
【図4】従来の化学的機械研磨装置の構成を示す概略断
面図である。
面図である。
【図5】スラリ中のシリカ粒子の水素結合を示す模式図
である。
である。
1………回転軸、2………定盤、3………研磨布、4…
……スラリ、5………被処理基板、7………スラリ供給
装置、8………ノズル、15………化学的機械研磨装
置、18………排出管、19………配管、20………沈
降ボックス、21、22、23………開閉バルブ、24
a、24b………上昇防止板。
……スラリ、5………被処理基板、7………スラリ供給
装置、8………ノズル、15………化学的機械研磨装
置、18………排出管、19………配管、20………沈
降ボックス、21、22、23………開閉バルブ、24
a、24b………上昇防止板。
Claims (4)
- 【請求項1】 鉛直方向に配設される回転軸と、この回
転軸の上端に設けられる研磨定盤と、ノズルを介して研
磨粒子を分散させたスラリを前記研磨定盤上に供給する
スラリ供給装置とを備え、前記研磨定盤上に被処理基板
の表面を押し付けて前記表面を研磨する化学的機械研磨
装置において、 前記スラリ供給装置と前記ノズルの間を連絡する配管の
一部の下面に、前記研磨粒子の大径凝集粒子を沈降させ
るトラップを設けたことを特徴とする化学的機械研磨装
置。 - 【請求項2】 前記トラップは密閉箱型容器で成り、そ
の底部が前記配管よりも下方に位置することを特徴とす
る請求項1に記載の化学的機械研磨装置。 - 【請求項3】 前記トラップの内部には、沈降した前記
大径凝集粒子が上昇するのを防止する上昇防止板が設け
られることを特徴とする請求項2に記載の化学的機械研
磨装置。 - 【請求項4】 前記トラップの底部に沈降した前記大径
凝集粒子を外部へ排出する排出管を接続し、 この排出管と、前記トラップに関し前記スラリ供給装置
側および前記ノズル側のそれぞれの配管とに、開閉バル
ブを設けたことを特徴とする請求項1から請求項3のい
ずれかに記載の化学的機械研磨装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14967297A JPH10337666A (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | 化学的機械研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14967297A JPH10337666A (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | 化学的機械研磨装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10337666A true JPH10337666A (ja) | 1998-12-22 |
Family
ID=15480318
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14967297A Pending JPH10337666A (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | 化学的機械研磨装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10337666A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2358153A (en) * | 1999-11-25 | 2001-07-18 | Nec Corp | Slurry feed device |
KR100598084B1 (ko) * | 1999-01-26 | 2006-07-07 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 연마용 약액의 안정화 장치 |
JP2008028232A (ja) * | 2006-07-24 | 2008-02-07 | Sharp Corp | 半導体基板研磨装置および半導体基板研磨方法、半導体装置の製造方法 |
-
1997
- 1997-06-06 JP JP14967297A patent/JPH10337666A/ja active Pending
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