JPH1141010A - ストリップ線路−導波管変換器 - Google Patents
ストリップ線路−導波管変換器Info
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- JPH1141010A JPH1141010A JP9190332A JP19033297A JPH1141010A JP H1141010 A JPH1141010 A JP H1141010A JP 9190332 A JP9190332 A JP 9190332A JP 19033297 A JP19033297 A JP 19033297A JP H1141010 A JPH1141010 A JP H1141010A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マイクロストリップ線路と導波管との接続を
簡単に行い、誘電体多層基板だけで構成可能とし、気密
封止が可能なマイクロストリップ線路−導波管変換器を
提供する。 【解決手段】 誘電体多層基板1には最上層パターン2
と、内層パターン3と、最下層パターン4と、最上層−
最下層間ビア6と、最上層−内層ビア6aと、内層−最
下層ビア6bとが形成されている。最上層パターン2に
はマイクロストリップ線路11と、一端がマイクロスト
リップ線路11に接続されかつ他端がグランドに短絡さ
れたアンテナプローブ5と、周波数調整用パターン9と
が形成されており、最上層パターン2上のマイクロスト
リップ線路11及び導波管開口部7に対向する領域上が
導体キャップ10で覆われている。
簡単に行い、誘電体多層基板だけで構成可能とし、気密
封止が可能なマイクロストリップ線路−導波管変換器を
提供する。 【解決手段】 誘電体多層基板1には最上層パターン2
と、内層パターン3と、最下層パターン4と、最上層−
最下層間ビア6と、最上層−内層ビア6aと、内層−最
下層ビア6bとが形成されている。最上層パターン2に
はマイクロストリップ線路11と、一端がマイクロスト
リップ線路11に接続されかつ他端がグランドに短絡さ
れたアンテナプローブ5と、周波数調整用パターン9と
が形成されており、最上層パターン2上のマイクロスト
リップ線路11及び導波管開口部7に対向する領域上が
導体キャップ10で覆われている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はマイクロストリップ
線路と導波管変換器に関し、特に誘電体多層基板を用い
たストリップ線路またはマイクロストリップ線路等のマ
イクロ波回路と導波管との変換器に関する。
線路と導波管変換器に関し、特に誘電体多層基板を用い
たストリップ線路またはマイクロストリップ線路等のマ
イクロ波回路と導波管との変換器に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種のストリップ線路−導波管
変換器においては、図5に示すように、誘電体多層基板
21,22と、銅箔23,24と、マイクロストリップ
線路25と、スルーホール26と、スロット27と、同
軸コネクタ28とから構成されている。
変換器においては、図5に示すように、誘電体多層基板
21,22と、銅箔23,24と、マイクロストリップ
線路25と、スルーホール26と、スロット27と、同
軸コネクタ28とから構成されている。
【0003】この構成において、同軸コネクタ28から
入力された電磁波はマイクロストリップ線路25を伝送
し、スロット27を励振する。これによって、スロット
27から図示せぬ導波管内に電磁波が放射される。
入力された電磁波はマイクロストリップ線路25を伝送
し、スロット27を励振する。これによって、スロット
27から図示せぬ導波管内に電磁波が放射される。
【0004】これに対し、導波管から入力された電磁波
は上記とは逆の順序で、つまりスロット27からマイク
ロストリップ線路25を通って同軸コネクタ28に伝送
される。この技術については、特開平3−79104号
公報に開示されている。
は上記とは逆の順序で、つまりスロット27からマイク
ロストリップ線路25を通って同軸コネクタ28に伝送
される。この技術については、特開平3−79104号
公報に開示されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のストリ
ップ線路−導波管変換器では、その構造上、マイクロス
トリップ線路と導波管との接続面にスロットを必要とす
る。また、外部のマイクロ波回路との接続に、構造が複
雑な同軸コネクタを用いているため、誘電体多層基板上
に半導体素子を搭載したマルチチップモジュールと呼ば
れる薄型のHIC(Hybrid Integrate
d Circuit:混成集積回路)形状に適用するこ
とが困難である。
ップ線路−導波管変換器では、その構造上、マイクロス
トリップ線路と導波管との接続面にスロットを必要とす
る。また、外部のマイクロ波回路との接続に、構造が複
雑な同軸コネクタを用いているため、誘電体多層基板上
に半導体素子を搭載したマルチチップモジュールと呼ば
れる薄型のHIC(Hybrid Integrate
d Circuit:混成集積回路)形状に適用するこ
とが困難である。
【0006】そこで、本発明の目的は上記の問題点を解
消し、マイクロストリップ線路と導波管との接続を簡単
に行うことができ、誘電体多層基板だけで構成すること
ができるとともに、気密封止が可能なストリップ線路−
導波管変換器を提供することにある。
消し、マイクロストリップ線路と導波管との接続を簡単
に行うことができ、誘電体多層基板だけで構成すること
ができるとともに、気密封止が可能なストリップ線路−
導波管変換器を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明によるストリップ
線路−導波管変換器は、ストリップ線路と導波管とを変
換を行うストリップ線路−導波管変換器であって、一端
が前記ストリップ線路に接続されかつ前記導波管から伝
送されてくる電磁波を受信するアンテナプローブと、前
記アンテナプローブの他端に接続されかつ前記アンテナ
プローブの他端をグランドに短絡する誘電体多層基板
と、前記ストリップ線路及び前記導波管の開口面に対向
する領域各々の周囲を囲むように前記誘電体多層基板に
配設されかつ前記ストリップ線路及び前記開口面に対向
する領域各々の周囲をシールドするための複数のビアホ
ールと、前記開口面に対向する領域及び前記ストリップ
線路各々の少なくとも一方に対応する空間を含みかつ前
記ストリップ線路及び前記導波管からなる伝送路をシー
ルドする導体キャップとを備えている。
線路−導波管変換器は、ストリップ線路と導波管とを変
換を行うストリップ線路−導波管変換器であって、一端
が前記ストリップ線路に接続されかつ前記導波管から伝
送されてくる電磁波を受信するアンテナプローブと、前
記アンテナプローブの他端に接続されかつ前記アンテナ
プローブの他端をグランドに短絡する誘電体多層基板
と、前記ストリップ線路及び前記導波管の開口面に対向
する領域各々の周囲を囲むように前記誘電体多層基板に
配設されかつ前記ストリップ線路及び前記開口面に対向
する領域各々の周囲をシールドするための複数のビアホ
ールと、前記開口面に対向する領域及び前記ストリップ
線路各々の少なくとも一方に対応する空間を含みかつ前
記ストリップ線路及び前記導波管からなる伝送路をシー
ルドする導体キャップとを備えている。
【0008】すなわち、本発明のストリップ線路−導波
管変換器はマイクロストリップ線路に接続されかつ先端
が短絡されたアンテナプローブを誘電体多層基板上に形
成し、導波管及びマイクロストリップ線路の周囲をスル
ーホールで囲んでシールドするとともに、マイクロスト
リップ線路と導波管との間の変換周波数を調整するため
の周波数調整用パターンをアンテナプローブの周囲に配
設し、それらの上方を導体(例えば,金属製)キャップ
で覆っている。
管変換器はマイクロストリップ線路に接続されかつ先端
が短絡されたアンテナプローブを誘電体多層基板上に形
成し、導波管及びマイクロストリップ線路の周囲をスル
ーホールで囲んでシールドするとともに、マイクロスト
リップ線路と導波管との間の変換周波数を調整するため
の周波数調整用パターンをアンテナプローブの周囲に配
設し、それらの上方を導体(例えば,金属製)キャップ
で覆っている。
【0009】これによって、誘電体多層基板中に変換構
造を構成することができるので、小型化及び薄型化が可
能である。また、誘電体多層基板の上下層を接続するス
ルーホールを階段状とすることで、マイクロストリップ
線路と導波管とのインピーダンス整合が容易になり、周
波数特性が広帯域になる。
造を構成することができるので、小型化及び薄型化が可
能である。また、誘電体多層基板の上下層を接続するス
ルーホールを階段状とすることで、マイクロストリップ
線路と導波管とのインピーダンス整合が容易になり、周
波数特性が広帯域になる。
【0010】したがって、マイクロストリップ線路と導
波管との接続を簡単に行うことができ、ストリップ線路
−導波管変換器を誘電体多層基板だけで構成することが
できるとともに、ストリップ線路−導波管変換器を気密
封止することが可能となる。
波管との接続を簡単に行うことができ、ストリップ線路
−導波管変換器を誘電体多層基板だけで構成することが
できるとともに、ストリップ線路−導波管変換器を気密
封止することが可能となる。
【0011】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施例について図
面を参照して説明する。図1(a)は本発明の一実施例
の断面図であり、図1(b)は本発明の一実施例による
導体キャップの斜視図であり、図1(c)は本発明の一
実施例による誘電体多層基板の最上層のパターンを示す
断面図であり、図1(d)は本発明の一実施例による誘
電体多層基板の内層のパターンを示す断面図であり、図
1(e)は本発明の一実施例による誘電体多層基板の最
下層のパターンを示す断面図である。
面を参照して説明する。図1(a)は本発明の一実施例
の断面図であり、図1(b)は本発明の一実施例による
導体キャップの斜視図であり、図1(c)は本発明の一
実施例による誘電体多層基板の最上層のパターンを示す
断面図であり、図1(d)は本発明の一実施例による誘
電体多層基板の内層のパターンを示す断面図であり、図
1(e)は本発明の一実施例による誘電体多層基板の最
下層のパターンを示す断面図である。
【0012】これらの図において、誘電体多層基板1に
は最上層パターン2と、内層パターン3と、最下層パタ
ーン4と、最上層−最下層間ビア6と、最上層−内層ビ
ア6aと、内層−最下層ビア6bとが形成されている。
は最上層パターン2と、内層パターン3と、最下層パタ
ーン4と、最上層−最下層間ビア6と、最上層−内層ビ
ア6aと、内層−最下層ビア6bとが形成されている。
【0013】最上層パターン2にはマイクロストリップ
線路11と、一端がマイクロストリップ線路11に接続
されかつ他端(先端)がグランド(GND)に短絡され
たアンテナプローブ5と、周波数調整用パターン9とが
形成されており、最上層パターン2上のマイクロストリ
ップ線路11及び導波管開口部7に対向する領域上が導
体(例えば、金属製)キャップ10で覆われている[図
1(a)及び図1(c)参照]。
線路11と、一端がマイクロストリップ線路11に接続
されかつ他端(先端)がグランド(GND)に短絡され
たアンテナプローブ5と、周波数調整用パターン9とが
形成されており、最上層パターン2上のマイクロストリ
ップ線路11及び導波管開口部7に対向する領域上が導
体(例えば、金属製)キャップ10で覆われている[図
1(a)及び図1(c)参照]。
【0014】ここで、アンテナプローブ5は導波管8か
ら伝送されてくる電磁波を受信するためのものであり、
周波数調整用パターン9はマイクロストリップ線路11
と導波管8との間の変換周波数を調整するためのもので
ある。
ら伝送されてくる電磁波を受信するためのものであり、
周波数調整用パターン9はマイクロストリップ線路11
と導波管8との間の変換周波数を調整するためのもので
ある。
【0015】導体キャップ10には導波管開口部7に対
向する領域に対応する空間10aと、マイクロストリッ
プ線路11に対応する空間10bとが形成されている。
空間10a,10bはマイクロストリップ線路11及び
導波管8からなる伝送路を空間10a,10b以外の部
分でシールドするように形成されている[図1(a)及
び図1(b)参照]。
向する領域に対応する空間10aと、マイクロストリッ
プ線路11に対応する空間10bとが形成されている。
空間10a,10bはマイクロストリップ線路11及び
導波管8からなる伝送路を空間10a,10b以外の部
分でシールドするように形成されている[図1(a)及
び図1(b)参照]。
【0016】内層パターン3は導波管開口部7に相当す
る部分の金属パターンが除かれている[図1(d)参
照]。最下層パターン4は導波管開口部7の金属パター
ンが除かれている[図1(e)参照]。
る部分の金属パターンが除かれている[図1(d)参
照]。最下層パターン4は導波管開口部7の金属パター
ンが除かれている[図1(e)参照]。
【0017】誘電体多層基板1の導波管開口部7に対向
する領域の周囲及びマイクロストリップ線路11の周囲
は最上層−最下層間ビア6と最上層−内層ビア6aと内
層−最下層ビア6bとで囲まれている[図1(c)、図
1(d)、図1(e)参照]。最上層−最下層間ビア6
と最上層−内層ビア6aと内層−最下層ビア6bとは夫
々上下層のグランドに接続されており、これらのビア
6,6a,6bによって誘電体多層基板1の導波管開口
部7に対向する領域の周囲及びマイクロストリップ線路
11の周囲が他の領域からシールドされている。
する領域の周囲及びマイクロストリップ線路11の周囲
は最上層−最下層間ビア6と最上層−内層ビア6aと内
層−最下層ビア6bとで囲まれている[図1(c)、図
1(d)、図1(e)参照]。最上層−最下層間ビア6
と最上層−内層ビア6aと内層−最下層ビア6bとは夫
々上下層のグランドに接続されており、これらのビア
6,6a,6bによって誘電体多層基板1の導波管開口
部7に対向する領域の周囲及びマイクロストリップ線路
11の周囲が他の領域からシールドされている。
【0018】図2は図1の誘電体多層基板1上への半導
体素子の搭載例を示す断面図である。図において、半導
体素子12は誘電体多層基板1に設けた凹部に載置さ
れ、最上層パターン2に配設された任意のパターンにワ
イヤ14で接続されるとともに、最下層パターン4に配
設された任意のパターンにスルーホール13a〜13e
を通して接続されている。
体素子の搭載例を示す断面図である。図において、半導
体素子12は誘電体多層基板1に設けた凹部に載置さ
れ、最上層パターン2に配設された任意のパターンにワ
イヤ14で接続されるとともに、最下層パターン4に配
設された任意のパターンにスルーホール13a〜13e
を通して接続されている。
【0019】図3(a)は本発明の他の実施例の断面図
であり、図3(b)は本発明の他の実施例による誘電体
多層基板の最上層のパターンを示す断面図である。これ
らの図において、本発明の他の実施例によるストリップ
線路−導波管変換器はマイクロストリップ線路11及び
アンテナプローブ5を誘電体多層基板1の最上層から内
層に移し、最上層パターン2には周波数調整用パターン
9を設ける構造としている。
であり、図3(b)は本発明の他の実施例による誘電体
多層基板の最上層のパターンを示す断面図である。これ
らの図において、本発明の他の実施例によるストリップ
線路−導波管変換器はマイクロストリップ線路11及び
アンテナプローブ5を誘電体多層基板1の最上層から内
層に移し、最上層パターン2には周波数調整用パターン
9を設ける構造としている。
【0020】この場合、導体キャップ10には導波管開
口部7に対向する領域に対応する空間10aのみが形成
されていればよく、マイクロストリップ線路11に対応
する空間10bは不要となる。すなわち、マイクロスト
リップ線路11は最上層パターン2側の誘電体でシール
ドされるので、導体キャップ10によるシールドは不要
となる。
口部7に対向する領域に対応する空間10aのみが形成
されていればよく、マイクロストリップ線路11に対応
する空間10bは不要となる。すなわち、マイクロスト
リップ線路11は最上層パターン2側の誘電体でシール
ドされるので、導体キャップ10によるシールドは不要
となる。
【0021】図4(a)は本発明の別の実施例の最上層
のパターンを示す断面図であり、図4(b)は本発明の
さらに別の実施例による誘電体多層基板の最上層のパタ
ーンを示す断面図である。
のパターンを示す断面図であり、図4(b)は本発明の
さらに別の実施例による誘電体多層基板の最上層のパタ
ーンを示す断面図である。
【0022】図において、本発明の別の実施例によるス
トリップ線路−導波管変換器ではアンテナプローブ5と
マイクロストリップ線路11との間に高インピーダンス
変換回路15を設け、所要周波数帯においてマイクロス
トリップ線路11及び導波管8のインピーダンス整合を
とっている[図4(a)参照]。
トリップ線路−導波管変換器ではアンテナプローブ5と
マイクロストリップ線路11との間に高インピーダンス
変換回路15を設け、所要周波数帯においてマイクロス
トリップ線路11及び導波管8のインピーダンス整合を
とっている[図4(a)参照]。
【0023】図において、本発明のさらに別の実施例に
よるストリップ線路−導波管変換器ではアンテナプロー
ブ5とマイクロストリップ線路11との間に低インピー
ダンス変換回路16を設け、所要周波数帯においてマイ
クロストリップ線路11及び導波管8のインピーダンス
整合をとっている[図4(b)参照]。
よるストリップ線路−導波管変換器ではアンテナプロー
ブ5とマイクロストリップ線路11との間に低インピー
ダンス変換回路16を設け、所要周波数帯においてマイ
クロストリップ線路11及び導波管8のインピーダンス
整合をとっている[図4(b)参照]。
【0024】導波管8及びマイクロストリップ線路11
のインピーダンスを比較すると、一般的には導波管8の
インピーダンスは約370Ω、マイクロストリップ線路
11のインピーダンスは約50Ωとなっており、導波管
8及びマイクロストリップ線路11を直接接続するとイ
ンピーダンス不整合によって損失が大きくなる。
のインピーダンスを比較すると、一般的には導波管8の
インピーダンスは約370Ω、マイクロストリップ線路
11のインピーダンスは約50Ωとなっており、導波管
8及びマイクロストリップ線路11を直接接続するとイ
ンピーダンス不整合によって損失が大きくなる。
【0025】そのため、本発明の別の実施例及びさらに
別の実施例では、アンテナプローブ5とマイクロストリ
ップ線路11との間に、使用周波数帯における電気長が
1/4λのインピーダンス変換回路(高インピーダンス
変換回路15や低インピーダンス変換回路16等)を設
け、インピーダンス整合をとっている。
別の実施例では、アンテナプローブ5とマイクロストリ
ップ線路11との間に、使用周波数帯における電気長が
1/4λのインピーダンス変換回路(高インピーダンス
変換回路15や低インピーダンス変換回路16等)を設
け、インピーダンス整合をとっている。
【0026】尚、本発明の一実施例及び他の実施例にお
いては周波数調整用パターン9をすべて取り去った構造
としてもよい。また、上記の各実施例においては誘電体
多層基板1を3層構造としているが、それ以上に多層に
してもよく、各層に誘電率の異なる材料を用いてもよ
い。さらに、誘電体多層基板1の厚みを変えても、層間
を接続するビアを階段状にしてもよい。さらにまた、導
波管8を囲むビアを2重以上に配列し、より電気シール
ドを強力にしてもよい。
いては周波数調整用パターン9をすべて取り去った構造
としてもよい。また、上記の各実施例においては誘電体
多層基板1を3層構造としているが、それ以上に多層に
してもよく、各層に誘電率の異なる材料を用いてもよ
い。さらに、誘電体多層基板1の厚みを変えても、層間
を接続するビアを階段状にしてもよい。さらにまた、導
波管8を囲むビアを2重以上に配列し、より電気シール
ドを強力にしてもよい。
【0027】このように、ストリップ線路−導波管変換
器が、マイクロストリップ線路11と、一端がマイクロ
ストリップ線路11に接続されかつその他端がグランド
に短絡されたアンテナプローブ5とが形成された誘電体
多層基板1を有し、導波管8の導波管開口部7に対向す
る領域及びマイクロストリップ線路11の周囲をビアホ
ール(最上層−最下層間ビア6、最上層−内層ビア6
a、内層−最下層ビア6b等)で囲み、アンテナプロー
ブ5の周囲に周波数調整用パターン9を持ち、導波管開
口部7に対向する領域及びマイクロストリップ線路11
の上方を覆いかつそれらをシールドする導体キャップ1
0を配設することによって、小型化及び薄型化が可能と
ある。特に、誘電体多層基板1上に半導体素子12を搭
載したマルチチップモジュールと呼ばれる薄型のMIC
形状のストリップ線路−導波管変換器に適用可能とな
る。
器が、マイクロストリップ線路11と、一端がマイクロ
ストリップ線路11に接続されかつその他端がグランド
に短絡されたアンテナプローブ5とが形成された誘電体
多層基板1を有し、導波管8の導波管開口部7に対向す
る領域及びマイクロストリップ線路11の周囲をビアホ
ール(最上層−最下層間ビア6、最上層−内層ビア6
a、内層−最下層ビア6b等)で囲み、アンテナプロー
ブ5の周囲に周波数調整用パターン9を持ち、導波管開
口部7に対向する領域及びマイクロストリップ線路11
の上方を覆いかつそれらをシールドする導体キャップ1
0を配設することによって、小型化及び薄型化が可能と
ある。特に、誘電体多層基板1上に半導体素子12を搭
載したマルチチップモジュールと呼ばれる薄型のMIC
形状のストリップ線路−導波管変換器に適用可能とな
る。
【0028】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、マ
イクロストリップ線路と導波管とを変換を行うストリッ
プ線路−導波管変換器において、一端がマイクロストリ
ップ線路に接続されかつ導波管から伝送されてくる電磁
波を受信するアンテナプローブと、アンテナプローブの
他端に接続されかつアンテナプローブの他端をグランド
に短絡する誘電体多層基板と、マイクロストリップ線路
及び導波管の開口面に対向する領域各々の周囲を囲むよ
うに誘電体多層基板に配設されかつマイクロストリップ
線路及び開口面に対向する領域各々の周囲をシールドす
るための複数のビアホールと、開口面に対向する領域及
びマイクロストリップ線路各々の少なくとも一方に対応
する空間を含みかつマイクロストリップ線路及び導波管
からなる伝送路をシールドする導体キャップとを備える
ことによって、マイクロストリップ線路と導波管との接
続を簡単に行うことができ、誘電体多層基板だけで構成
することができるとともに、気密封止を可能とすること
ができるという効果がある。
イクロストリップ線路と導波管とを変換を行うストリッ
プ線路−導波管変換器において、一端がマイクロストリ
ップ線路に接続されかつ導波管から伝送されてくる電磁
波を受信するアンテナプローブと、アンテナプローブの
他端に接続されかつアンテナプローブの他端をグランド
に短絡する誘電体多層基板と、マイクロストリップ線路
及び導波管の開口面に対向する領域各々の周囲を囲むよ
うに誘電体多層基板に配設されかつマイクロストリップ
線路及び開口面に対向する領域各々の周囲をシールドす
るための複数のビアホールと、開口面に対向する領域及
びマイクロストリップ線路各々の少なくとも一方に対応
する空間を含みかつマイクロストリップ線路及び導波管
からなる伝送路をシールドする導体キャップとを備える
ことによって、マイクロストリップ線路と導波管との接
続を簡単に行うことができ、誘電体多層基板だけで構成
することができるとともに、気密封止を可能とすること
ができるという効果がある。
【図1】(a)は本発明の一実施例の断面図、(b)は
本発明の一実施例による導体キャップの斜視図、(c)
は本発明の一実施例による誘電体多層基板の最上層のパ
ターンを示す断面図、(d)は本発明の一実施例による
誘電体多層基板の内層のパターンを示す断面図、(e)
は本発明の一実施例による誘電体多層基板の最下層のパ
ターンを示す断面図である。
本発明の一実施例による導体キャップの斜視図、(c)
は本発明の一実施例による誘電体多層基板の最上層のパ
ターンを示す断面図、(d)は本発明の一実施例による
誘電体多層基板の内層のパターンを示す断面図、(e)
は本発明の一実施例による誘電体多層基板の最下層のパ
ターンを示す断面図である。
【図2】図1の誘電体多層基板1上への半導体素子の搭
載例を示す断面図である。
載例を示す断面図である。
【図3】(a)は本発明の他の実施例の断面図、(b)
は本発明の他の実施例による誘電体多層基板の最上層の
パターンを示す断面図である。
は本発明の他の実施例による誘電体多層基板の最上層の
パターンを示す断面図である。
【図4】(a)は本発明の別の実施例の最上層のパター
ンを示す断面図、(b)は本発明のさらに別の実施例に
よる誘電体多層基板の最上層のパターンを示す断面図で
ある。
ンを示す断面図、(b)は本発明のさらに別の実施例に
よる誘電体多層基板の最上層のパターンを示す断面図で
ある。
【図5】従来例によるストリップ線路−導波管変換器の
斜視図である。
斜視図である。
1 誘電体多層基板 2 最上層パターン 3 内層パターン 4 最下層パターン 5 アンテナプローブ 6 最上層−最下層間ビア 6a 最上層−内層ビア 6b 内層−最下層ビア 7 導波管開口部 8 導波管 9 周波数調整用パターン9 10 導体キャップ 10a 導波管開口部に対向する領域に対応する空間 10b マイクロストリップ線路に対応する空間 11 マイクロストリップ線路 12 半導体素子 13a〜13e スルーホール 14 ワイヤ 15 高インピーダンス変換回路 16 低インピーダンス変換回路
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成10年10月19日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0007
【補正方法】変更
【補正内容】
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明によるストリップ
線路−導波管変換器は、ストリップ線路と導波管とを変
換を行うストリップ線路−導波管変換器であって、一端
が前記ストリップ線路に接続されかつ前記導波管から伝
送されてくる電磁波を受信するアンテナプローブと、前
記アンテナプローブの他端に接続されかつ前記アンテナ
プローブの他端をグランドに短絡する誘電体多層基板
と、前記ストリップ線路及び前記導波管の開口面に対向
する領域各々の周囲を囲むように前記誘電体多層基板に
配設されかつ前記ストリップ線路及び前記開口面に対向
する領域各々の周囲をシールドするための複数のビアホ
ールと、前記開口面に対向する領域及び前記ストリップ
線路各々の少なくとも一方に対応する空間を含みかつ前
記ストリップ線路及び前記導波管からなる伝送路をシー
ルドする導体キャップとを備え、前記複数のビアホール
は前記ストリップ線路と前記導波管とのインピーダンス
整合を容易化するために前記誘電体多層基板の上下層を
接続しかつ階段状に配設している。
線路−導波管変換器は、ストリップ線路と導波管とを変
換を行うストリップ線路−導波管変換器であって、一端
が前記ストリップ線路に接続されかつ前記導波管から伝
送されてくる電磁波を受信するアンテナプローブと、前
記アンテナプローブの他端に接続されかつ前記アンテナ
プローブの他端をグランドに短絡する誘電体多層基板
と、前記ストリップ線路及び前記導波管の開口面に対向
する領域各々の周囲を囲むように前記誘電体多層基板に
配設されかつ前記ストリップ線路及び前記開口面に対向
する領域各々の周囲をシールドするための複数のビアホ
ールと、前記開口面に対向する領域及び前記ストリップ
線路各々の少なくとも一方に対応する空間を含みかつ前
記ストリップ線路及び前記導波管からなる伝送路をシー
ルドする導体キャップとを備え、前記複数のビアホール
は前記ストリップ線路と前記導波管とのインピーダンス
整合を容易化するために前記誘電体多層基板の上下層を
接続しかつ階段状に配設している。
Claims (5)
- 【請求項1】 ストリップ線路と導波管とを変換を行う
ストリップ線路−導波管変換器であって、一端が前記ス
トリップ線路に接続されかつ前記導波管から伝送されて
くる電磁波を受信するアンテナプローブと、前記アンテ
ナプローブの他端に接続されかつ前記アンテナプローブ
の他端をグランドに短絡する誘電体多層基板と、前記ス
トリップ線路及び前記導波管の開口面に対向する領域各
々の周囲を囲むように前記誘電体多層基板に配設されか
つ前記ストリップ線路及び前記開口面に対向する領域各
々の周囲をシールドするための複数のビアホールと、前
記開口面に対向する領域及び前記ストリップ線路各々の
少なくとも一方に対応する空間を含みかつ前記ストリッ
プ線路及び前記導波管からなる伝送路をシールドする導
体キャップとを有することを特徴とするストリップ線路
−導波管変換器。 - 【請求項2】 前記アンテナプローブ近傍に配設されか
つ前記ストリップ線路及び前記導波管各々の変換周波数
を調整するための周波数調整用パターンを含むことを特
徴とする請求項1記載のストリップ線路−導波管変換
器。 - 【請求項3】 前記周波数調整用パターンを前記誘電体
多層基板の最上層に配設したことを特徴とする請求項2
記載のストリップ線路−導波管変換器。 - 【請求項4】 前記複数のビアホールは、前記誘電体多
層基板の上下層を接続しかつ階段状に配設されることを
特徴とする請求項1から請求項3のいずれか記載のスト
リップ線路−導波管変換器。 - 【請求項5】 前記アンテナプローブと前記ストリップ
線路との間に配設されかつ前記ストリップ線路と前記導
波管とのインピーダンス整合をとるためのインピーダン
ス変換回路を含むことを特徴とする請求項1から請求項
4のいずれ特徴とするストリップ線路−導波管変換器。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9190332A JP2910736B2 (ja) | 1997-07-16 | 1997-07-16 | ストリップ線路−導波管変換器 |
US09/116,349 US6060959A (en) | 1997-07-16 | 1998-07-16 | Small transducer connected between strip line and waveguide tube and available for hybrid integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9190332A JP2910736B2 (ja) | 1997-07-16 | 1997-07-16 | ストリップ線路−導波管変換器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1141010A true JPH1141010A (ja) | 1999-02-12 |
JP2910736B2 JP2910736B2 (ja) | 1999-06-23 |
Family
ID=16256438
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9190332A Expired - Lifetime JP2910736B2 (ja) | 1997-07-16 | 1997-07-16 | ストリップ線路−導波管変換器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6060959A (ja) |
JP (1) | JP2910736B2 (ja) |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000052566A (ko) * | 1998-12-25 | 2000-08-25 | 무라타 야스타카 | 유전체 도파관과 도파관간의 선로 변환 장치, 및 이를이용한 발진기 및 송신장치 |
WO2005078854A1 (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-25 | Tdk Corporation | 高周波モジュール |
JP2006287579A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Denso Corp | 高周波モジュールおよび高周波モジュール群 |
JP2006311408A (ja) * | 2005-05-02 | 2006-11-09 | Yokowo Co Ltd | 広帯域アンテナ |
US7295169B2 (en) | 2005-02-25 | 2007-11-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Antenna probe having antenna portion, low noise converter with antenna probe and method of connecting antenna probe having antenna portion |
JP2008510425A (ja) * | 2004-08-18 | 2008-04-03 | テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン(パブル) | 導波管ノッチアンテナ |
JP2008193162A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | マイクロストリップ線路−導波管変換器 |
JP2011505093A (ja) * | 2007-11-30 | 2011-02-17 | テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン(パブル) | マイクロストリップ‐導波管変換構成 |
CN102117968A (zh) * | 2010-12-28 | 2011-07-06 | 中国兵器工业第二○六研究所 | 复合材料带状线波导阵列天线 |
KR101119354B1 (ko) * | 2010-04-13 | 2012-03-07 | 고려대학교 산학협력단 | 대역폭 향상을 위한 다층 기판에 내장된 유전체 공진기 안테나 |
KR101119267B1 (ko) | 2010-04-13 | 2012-03-16 | 고려대학교 산학협력단 | 매칭 기판을 이용한 유전체 공진기 안테나 |
JP2012094639A (ja) * | 2010-10-26 | 2012-05-17 | Kyocera Corp | 回路基板、電子部品収納用パッケージおよび電子装置 |
JP2014187424A (ja) * | 2013-03-21 | 2014-10-02 | Fujikura Ltd | 伝送路 |
KR20190006410A (ko) * | 2017-07-10 | 2019-01-18 | (주)지에쓰씨 | 마이크로 스트립 투 웨이브가이드 변환 구조체 |
CN113454842A (zh) * | 2019-05-10 | 2021-09-28 | 株式会社藤仓 | 模式转换器 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE60009962T2 (de) * | 2000-10-18 | 2004-09-02 | Nokia Corp. | Hohlleiter-streifenleiter-übergang |
JP3828438B2 (ja) * | 2002-03-13 | 2006-10-04 | 三菱電機株式会社 | 導波管/マイクロストリップ線路変換器 |
JP4109039B2 (ja) * | 2002-08-28 | 2008-06-25 | 株式会社ルネサステクノロジ | 電子タグ用インレットおよびその製造方法 |
JP2004096206A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Fujitsu Ten Ltd | 導波管・平面線路変換器、及び高周波回路装置 |
KR100472681B1 (ko) * | 2002-10-21 | 2005-03-10 | 한국전자통신연구원 | 도파관 구조의 패키지 및 그 제조 방법 |
US7276987B2 (en) * | 2002-10-29 | 2007-10-02 | Kyocera Corporation | High frequency line-to-waveguide converter and high frequency package |
DE602004022994D1 (de) * | 2004-02-27 | 2009-10-15 | Mitsubishi Electric Corp | Wandlerschaltung |
US7479841B2 (en) * | 2005-02-15 | 2009-01-20 | Northrop Grumman Corporation | Transmission line to waveguide interconnect and method of forming same including a heat spreader |
JP4375310B2 (ja) * | 2005-09-07 | 2009-12-02 | 株式会社デンソー | 導波管・ストリップ線路変換器 |
JP4568235B2 (ja) * | 2006-02-08 | 2010-10-27 | 株式会社デンソー | 伝送路変換器 |
JP4622954B2 (ja) * | 2006-08-01 | 2011-02-02 | 株式会社デンソー | 線路導波管変換器および無線通信装置 |
JP4648292B2 (ja) * | 2006-11-30 | 2011-03-09 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | ミリ波帯送受信機及びそれを用いた車載レーダ |
JP4365852B2 (ja) | 2006-11-30 | 2009-11-18 | 株式会社日立製作所 | 導波管構造 |
US8022784B2 (en) * | 2008-07-07 | 2011-09-20 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology (Kaist) | Planar transmission line-to-waveguide transition apparatus having an embedded bent stub |
US8536954B2 (en) * | 2010-06-02 | 2013-09-17 | Siklu Communication ltd. | Millimeter wave multi-layer packaging including an RFIC cavity and a radiating cavity therein |
WO2013140840A1 (ja) * | 2012-03-19 | 2013-09-26 | 三菱電機株式会社 | 平面回路-導波管変換器 |
US20240222871A1 (en) * | 2022-12-29 | 2024-07-04 | Analog Devices International Unlimited Company | Electronic device package with waveguide interface |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61143305U (ja) * | 1985-02-26 | 1986-09-04 | ||
JPS6448502A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-23 | Fujitsu Ltd | Microstrip line-waveguide converter |
JPH0237803A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-07 | Fujitsu Ltd | 導波管−ストリップ線路変換器 |
JPH0262103A (ja) * | 1988-08-26 | 1990-03-02 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ増幅器 |
JPH05259715A (ja) * | 1992-03-09 | 1993-10-08 | Fujitsu Ltd | 導波管−ストリップ線路変換器 |
JPH06112708A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-04-22 | Fujitsu Ltd | 導波管・平面線路変換器 |
JPH06140815A (ja) * | 1992-10-01 | 1994-05-20 | Fujitsu Ltd | 導波管・ストリップ線路変換器 |
JPH08139504A (ja) * | 1994-11-14 | 1996-05-31 | Nec Corp | 導波管・平面線路変換器 |
JPH08162810A (ja) * | 1994-12-08 | 1996-06-21 | Nec Corp | ストリップライン導波管変換回路 |
JPH08274513A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-10-18 | Nec Corp | 複合マイクロ波回路モジュール及びその製造方法 |
JPH10135714A (ja) * | 1996-10-31 | 1998-05-22 | Kyocera Corp | 積層型導波管線路の結合構造 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4716386A (en) * | 1986-06-10 | 1987-12-29 | Canadian Marconi Company | Waveguide to stripline transition |
JPH07221223A (ja) * | 1994-02-03 | 1995-08-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置,及び混成集積回路装置 |
US5912598A (en) * | 1997-07-01 | 1999-06-15 | Trw Inc. | Waveguide-to-microstrip transition for mmwave and MMIC applications |
-
1997
- 1997-07-16 JP JP9190332A patent/JP2910736B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-07-16 US US09/116,349 patent/US6060959A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61143305U (ja) * | 1985-02-26 | 1986-09-04 | ||
JPS6448502A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-23 | Fujitsu Ltd | Microstrip line-waveguide converter |
JPH0237803A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-07 | Fujitsu Ltd | 導波管−ストリップ線路変換器 |
JPH0262103A (ja) * | 1988-08-26 | 1990-03-02 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ増幅器 |
JPH05259715A (ja) * | 1992-03-09 | 1993-10-08 | Fujitsu Ltd | 導波管−ストリップ線路変換器 |
JPH06112708A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-04-22 | Fujitsu Ltd | 導波管・平面線路変換器 |
JPH06140815A (ja) * | 1992-10-01 | 1994-05-20 | Fujitsu Ltd | 導波管・ストリップ線路変換器 |
JPH08139504A (ja) * | 1994-11-14 | 1996-05-31 | Nec Corp | 導波管・平面線路変換器 |
JPH08162810A (ja) * | 1994-12-08 | 1996-06-21 | Nec Corp | ストリップライン導波管変換回路 |
JPH08274513A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-10-18 | Nec Corp | 複合マイクロ波回路モジュール及びその製造方法 |
JPH10135714A (ja) * | 1996-10-31 | 1998-05-22 | Kyocera Corp | 積層型導波管線路の結合構造 |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000052566A (ko) * | 1998-12-25 | 2000-08-25 | 무라타 야스타카 | 유전체 도파관과 도파관간의 선로 변환 장치, 및 이를이용한 발진기 및 송신장치 |
WO2005078854A1 (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-25 | Tdk Corporation | 高周波モジュール |
JP2008510425A (ja) * | 2004-08-18 | 2008-04-03 | テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン(パブル) | 導波管ノッチアンテナ |
US7295169B2 (en) | 2005-02-25 | 2007-11-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Antenna probe having antenna portion, low noise converter with antenna probe and method of connecting antenna probe having antenna portion |
JP2006287579A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Denso Corp | 高周波モジュールおよび高周波モジュール群 |
JP4511406B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2010-07-28 | 株式会社デンソー | 空中線装置 |
JP2006311408A (ja) * | 2005-05-02 | 2006-11-09 | Yokowo Co Ltd | 広帯域アンテナ |
JP2008193162A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | マイクロストリップ線路−導波管変換器 |
JP2011505093A (ja) * | 2007-11-30 | 2011-02-17 | テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン(パブル) | マイクロストリップ‐導波管変換構成 |
KR101119354B1 (ko) * | 2010-04-13 | 2012-03-07 | 고려대학교 산학협력단 | 대역폭 향상을 위한 다층 기판에 내장된 유전체 공진기 안테나 |
KR101119267B1 (ko) | 2010-04-13 | 2012-03-16 | 고려대학교 산학협력단 | 매칭 기판을 이용한 유전체 공진기 안테나 |
US8723732B2 (en) | 2010-04-13 | 2014-05-13 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Dielectric resonator antenna embedded in multilayer substrate for enhancing bandwidth |
JP2012094639A (ja) * | 2010-10-26 | 2012-05-17 | Kyocera Corp | 回路基板、電子部品収納用パッケージおよび電子装置 |
CN102117968A (zh) * | 2010-12-28 | 2011-07-06 | 中国兵器工业第二○六研究所 | 复合材料带状线波导阵列天线 |
JP2014187424A (ja) * | 2013-03-21 | 2014-10-02 | Fujikura Ltd | 伝送路 |
KR20190006410A (ko) * | 2017-07-10 | 2019-01-18 | (주)지에쓰씨 | 마이크로 스트립 투 웨이브가이드 변환 구조체 |
CN113454842A (zh) * | 2019-05-10 | 2021-09-28 | 株式会社藤仓 | 模式转换器 |
US11843157B2 (en) | 2019-05-10 | 2023-12-12 | Fujikura Ltd. | Mode converter for converting modes between a post-wall waveguide and a microstrip line using an excitation pin and anti-pads |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6060959A (en) | 2000-05-09 |
JP2910736B2 (ja) | 1999-06-23 |
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