JP2798070B2 - 複合マイクロ波集積回路 - Google Patents
複合マイクロ波集積回路Info
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- JP2798070B2 JP2798070B2 JP26108796A JP26108796A JP2798070B2 JP 2798070 B2 JP2798070 B2 JP 2798070B2 JP 26108796 A JP26108796 A JP 26108796A JP 26108796 A JP26108796 A JP 26108796A JP 2798070 B2 JP2798070 B2 JP 2798070B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はマイクロ波集積回路
に関し、特に誘電体多層基板を用いた複数の半導体チッ
プを搭載したマイクロ波およびミリ波等の通信機などに
使用される複合マイクロ波集積回路に関する。
に関し、特に誘電体多層基板を用いた複数の半導体チッ
プを搭載したマイクロ波およびミリ波等の通信機などに
使用される複合マイクロ波集積回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】通信機等に使用されるマイクロ波複合集
積回路は、金属のベースプレートに、誘電体基板が溶接
されていた。そして、誘電体基板上に半導体素子等を搭
載しパッケージに組み立て、導波管や同軸線路等のイン
ターフェースを介してアンテナまで構成していた。
積回路は、金属のベースプレートに、誘電体基板が溶接
されていた。そして、誘電体基板上に半導体素子等を搭
載しパッケージに組み立て、導波管や同軸線路等のイン
ターフェースを介してアンテナまで構成していた。
【０００３】このようなマイクロ波複合集積回路の従来
の外観図を図４に示す。図４は、マイクロ波帯等の送信
用高周波回路を実装した場合の構成を示している。
の外観図を図４に示す。図４は、マイクロ波帯等の送信
用高周波回路を実装した場合の構成を示している。
【０００４】ここで、１は誘電体多層基板、２は誘電体
多層基板１に溶接した金属のベースプレートである。ま
た、誘電体多層基板１は、最上層と最下層は導体層とな
っている。そして、中層に高周波回路の発振器４、増幅
器６、ミキサー１２、帯域ろ波器１３を形成している。
さらに、帯域ろ波器１３の出力は、減衰器（ＡＴＴ）１
４を介して高周波電力増幅器（ＰＡ）６に入力される。
そして、ＰＡ６の出力は、マイクロストリップラインを
通って出力端子部１５に接続されている。
多層基板１に溶接した金属のベースプレートである。ま
た、誘電体多層基板１は、最上層と最下層は導体層とな
っている。そして、中層に高周波回路の発振器４、増幅
器６、ミキサー１２、帯域ろ波器１３を形成している。
さらに、帯域ろ波器１３の出力は、減衰器（ＡＴＴ）１
４を介して高周波電力増幅器（ＰＡ）６に入力される。
そして、ＰＡ６の出力は、マイクロストリップラインを
通って出力端子部１５に接続されている。
【０００５】以上説明した発振回路４、増幅器６、ミキ
サー１２、減衰器１４、ＰＡ６は全て誘電体層の中層に
実装されている。また、表面層から該中層まで切削して
穴を形成し、各高周波部品の実装、調整の容易性が図ら
れている。さらに、これら穴には金属性キャップ１０に
よって電気的シールドがとられていた。
サー１２、減衰器１４、ＰＡ６は全て誘電体層の中層に
実装されている。また、表面層から該中層まで切削して
穴を形成し、各高周波部品の実装、調整の容易性が図ら
れている。さらに、これら穴には金属性キャップ１０に
よって電気的シールドがとられていた。
【０００６】出力端子部１５から出力された高周波信号
は、誘電体多層基板１上に設けられたアンテナに接続さ
れる。
は、誘電体多層基板１上に設けられたアンテナに接続さ
れる。
【０００７】ここで、図５は、出力端子部１５からアン
テナ接続までの構造を示す断面図である。ＰＡ６を経た
信号は図５に示すように出力端子部１５の同軸−ストリ
ップライン変換回路を通して同軸線路に供給される。最
終的なアンテナ部までには同軸−導波管変換回路を有す
る筐体１７からなる導波管１６を経てインターフェース
される。
テナ接続までの構造を示す断面図である。ＰＡ６を経た
信号は図５に示すように出力端子部１５の同軸−ストリ
ップライン変換回路を通して同軸線路に供給される。最
終的なアンテナ部までには同軸−導波管変換回路を有す
る筐体１７からなる導波管１６を経てインターフェース
される。
【０００８】なお、同図における２はベースプレート、
１９は同軸中心導体の支持用誘電体、２０は同軸線路の
中心導体、１８は同軸導波管変換アンテナ、２１はグラ
ンド接触用金属板である。
１９は同軸中心導体の支持用誘電体、２０は同軸線路の
中心導体、１８は同軸導波管変換アンテナ、２１はグラ
ンド接触用金属板である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】マイクロ波複合集積回
路は導体層で囲まれた誘電体多層基板内に高周波回路を
形成しており、また裏面に放熱をかねた補強板を取り付
けられる。本構造において、図５のように高周波回路と
アンテナ間にストリップライン−同軸変換及び同軸−導
波管変換等の複雑な構造を必要とするのみならず、特性
上もモード変換等の影響を受け良好な特性確保が困難で
あるという問題点があった。
路は導体層で囲まれた誘電体多層基板内に高周波回路を
形成しており、また裏面に放熱をかねた補強板を取り付
けられる。本構造において、図５のように高周波回路と
アンテナ間にストリップライン−同軸変換及び同軸−導
波管変換等の複雑な構造を必要とするのみならず、特性
上もモード変換等の影響を受け良好な特性確保が困難で
あるという問題点があった。
【００１０】高周波数回路とアンテナのインターフェー
スの構成に関し、図５のようにストリップライン−同軸
変換及び同軸−導波管変換を用いない方法も知られてい
る。
スの構成に関し、図５のようにストリップライン−同軸
変換及び同軸−導波管変換を用いない方法も知られてい
る。
【００１１】例えば、セラミック多層基板の両面を用い
てアンテナと増幅器等を一体化したものがアクティブフ
ェイズドアレイアンテナのアンテナ装置として特開平５
−１６０６３５号公報に記載されている。
てアンテナと増幅器等を一体化したものがアクティブフ
ェイズドアレイアンテナのアンテナ装置として特開平５
−１６０６３５号公報に記載されている。
【００１２】このアンテナ装置は、低温焼成セラミック
の多層基板の一方の表面に高周波増幅用ＩＣチップ等の
増幅器を搭載する。また多層基板の他方の表面にビアホ
ールを介して前記増幅器と接続されたアンテナパターン
の導体層とを備え、多層基板の一方の側をマザーボード
に取り付ける構成を有する。
の多層基板の一方の表面に高周波増幅用ＩＣチップ等の
増幅器を搭載する。また多層基板の他方の表面にビアホ
ールを介して前記増幅器と接続されたアンテナパターン
の導体層とを備え、多層基板の一方の側をマザーボード
に取り付ける構成を有する。
【００１３】しかし、上記特開平５−１６０６３５号公
報記載の構造では、アンテナは反対面からビアホールを
介して増幅器等の接続された信号回路から給電する必要
がある。そのため、ミリ波の様な高周波ではビアホール
による給電ではモード変換等の現象が起こり、特性確保
が困難である。さらにミリ波では波長が短いために層間
の位置ずれ等の影響も顕著にあらわれ、アンテナを反対
面に形成するのは製造上でも困難である。
報記載の構造では、アンテナは反対面からビアホールを
介して増幅器等の接続された信号回路から給電する必要
がある。そのため、ミリ波の様な高周波ではビアホール
による給電ではモード変換等の現象が起こり、特性確保
が困難である。さらにミリ波では波長が短いために層間
の位置ずれ等の影響も顕著にあらわれ、アンテナを反対
面に形成するのは製造上でも困難である。
【００１４】さらに、上記特開平５−１６０６３５号公
報に示された構造では、低温焼成セラミックは一般に熱
抵抗が高く、半導体素子を実装する場合放熱を考慮した
構造にする必要があるため、放熱に難点がある。また気
密封止構造となっていないため高周波数用途のＩＣチッ
プを搭載するには、信頼度上も問題がある。
報に示された構造では、低温焼成セラミックは一般に熱
抵抗が高く、半導体素子を実装する場合放熱を考慮した
構造にする必要があるため、放熱に難点がある。また気
密封止構造となっていないため高周波数用途のＩＣチッ
プを搭載するには、信頼度上も問題がある。
【００１５】また、他のアンテナの例としては図６に示
すようなＭＭＩＣ（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ ｍｉｃｒｏ
ｗａｖｅ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｖｉｔ）ア
ンテナが知られている。
すようなＭＭＩＣ（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ ｍｉｃｒｏ
ｗａｖｅ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｖｉｔ）ア
ンテナが知られている。
【００１６】本図において、ＧａＡｓ基板４３の下層に
マイクロストリップ線路４１を設け、ＧａＡｓ基板４３
の上層にマイクロストリップ線４１とクロスするスロッ
ト４２を設ける。そして、ＧａＡｓ基板４３の上に低い
誘電率の基板４４を取り付けその上部にアンテナパッチ
４５が設けられる構造をしている。
マイクロストリップ線路４１を設け、ＧａＡｓ基板４３
の上層にマイクロストリップ線４１とクロスするスロッ
ト４２を設ける。そして、ＧａＡｓ基板４３の上に低い
誘電率の基板４４を取り付けその上部にアンテナパッチ
４５が設けられる構造をしている。
【００１７】本アンテナもストリップライン−同軸変換
及び同軸−導波管変換等を用いずに構成できる利点はあ
る。
及び同軸−導波管変換等を用いずに構成できる利点はあ
る。
【００１８】しかし、本アンテナはＭＭＩＣに使用され
るものであるため、多層基板と一体的にアンテナを構成
するものではない。また、マイクロストリップライン４
１やパッチ４５が基板４３，４４の表面に表われるた
め、高周波シールドをとるのが難しい。さらに、放熱を
とることも難しい。
るものであるため、多層基板と一体的にアンテナを構成
するものではない。また、マイクロストリップライン４
１やパッチ４５が基板４３，４４の表面に表われるた
め、高周波シールドをとるのが難しい。さらに、放熱を
とることも難しい。
【００１９】また、本アンテナで最も問題となるのは、
ＧａＡｓ基板４３と誘電体基板４４とを取り付ける必要
があるため、それらの取り付け精度がとれないことにあ
る。その結果、ＧａＡｓ基板４３のスロット４２の中心
と誘電体基板４４の中心との位置ズレは、アンテナの給
電損失の増大やアンテナ放射特性の劣化が生ずる問題が
ある。
ＧａＡｓ基板４３と誘電体基板４４とを取り付ける必要
があるため、それらの取り付け精度がとれないことにあ
る。その結果、ＧａＡｓ基板４３のスロット４２の中心
と誘電体基板４４の中心との位置ズレは、アンテナの給
電損失の増大やアンテナ放射特性の劣化が生ずる問題が
ある。
【００２０】以上詳述したように、本発明の目的は、従
来のアンテナ構成における問題を解決し、導波管等を使
用せずに高周波回路を構成する多層基板と一体的にアン
テナを構成し、且つ、気密、干渉及び放熱を考慮し、更
に特性の改善を図ることができるマイクロ波複合集積回
路を提供するにある。
来のアンテナ構成における問題を解決し、導波管等を使
用せずに高周波回路を構成する多層基板と一体的にアン
テナを構成し、且つ、気密、干渉及び放熱を考慮し、更
に特性の改善を図ることができるマイクロ波複合集積回
路を提供するにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、誘電体多層基板の内層に複数の高周波回
路を搭載した複合マイクロ波集積回路において、前記誘
電体多層基板にグランド用導体層を最上層と最下層に形
成し、前記２つのグランド層をビアホールで接続して一
体化構造とし、前記最上層に平面アンテナ用基板を装着
してアンテナを形成し、前記最下層にベースプレートを
取り付ける。また、前記アンテナは、前記平面アンテナ
用基板の下側にて前記誘電体多層基板の最上層にスロッ
トを設け、前記スロットとストリップ−スロット結合す
るマイクロストリップラインを前記内層に設けている。
め、本発明は、誘電体多層基板の内層に複数の高周波回
路を搭載した複合マイクロ波集積回路において、前記誘
電体多層基板にグランド用導体層を最上層と最下層に形
成し、前記２つのグランド層をビアホールで接続して一
体化構造とし、前記最上層に平面アンテナ用基板を装着
してアンテナを形成し、前記最下層にベースプレートを
取り付ける。また、前記アンテナは、前記平面アンテナ
用基板の下側にて前記誘電体多層基板の最上層にスロッ
トを設け、前記スロットとストリップ−スロット結合す
るマイクロストリップラインを前記内層に設けている。
【００２２】更に、前記アンテナの構成としては、前記
平面アンテナ用基板の下側にて前記誘電体多層基板に開
口を設け、前記平面アンテナ用基板の下面に設けられた
スロットと前記開口下部の内層面に設けられたマイクロ
ストリップラインとによりストリップ−スロット結合す
る。この場合、前記アンテナ基板は透光性基板とし、前
記内層面に設けられた前記位置決め表示位置に対応する
開口を設けると好適である。
平面アンテナ用基板の下側にて前記誘電体多層基板に開
口を設け、前記平面アンテナ用基板の下面に設けられた
スロットと前記開口下部の内層面に設けられたマイクロ
ストリップラインとによりストリップ−スロット結合す
る。この場合、前記アンテナ基板は透光性基板とし、前
記内層面に設けられた前記位置決め表示位置に対応する
開口を設けると好適である。
【００２３】互いの２層短絡した導体層に囲まれた誘電
体多層基板内に高周波回路をモジュール部、アンテナ部
を一体化することにより電気的なシールドをとることが
できるため、外部からの干渉を防ぐことができる。基本
的に半導体搭載面にアンテナを配しているため、裏面に
放熱を兼ねた補強板をつけることができるため低熱抵抗
となり、消費電力の大きい部品を搭載することも可能に
なる。半導体搭載面にアンテナをつけることにより、中
層の信号回路と上層にアンテナパターンの精度の出る位
置合わせをおこなうことが可能となる。
体多層基板内に高周波回路をモジュール部、アンテナ部
を一体化することにより電気的なシールドをとることが
できるため、外部からの干渉を防ぐことができる。基本
的に半導体搭載面にアンテナを配しているため、裏面に
放熱を兼ねた補強板をつけることができるため低熱抵抗
となり、消費電力の大きい部品を搭載することも可能に
なる。半導体搭載面にアンテナをつけることにより、中
層の信号回路と上層にアンテナパターンの精度の出る位
置合わせをおこなうことが可能となる。
【００２４】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１の実施の形
態を示す複合マイクロ波集積回路の外観図である。図１
は、図４で示した構造と類似の構造をしており、相違す
る点は、主にアンテナ接続構造にある。
態を示す複合マイクロ波集積回路の外観図である。図１
は、図４で示した構造と類似の構造をしており、相違す
る点は、主にアンテナ接続構造にある。
【００２５】多層に重ね合わせた誘電体基板１の二つの
層、例えば最上層と最下層のそれぞれの上面と下面にグ
ランド用の導体層を形成する。この誘電体基板の上層と
下層の間の中層部に信号伝送のためマイクロストリップ
ライン２２を１つ以上の導体層を利用して形成する。ま
た、後述するように信号回路は、ほぼこれに沿って信号
回路の両側を挟むように２つのグランド用導体層間にビ
アホールを配しシールド及びアンテナ給電特性を向上す
るように構成する。
層、例えば最上層と最下層のそれぞれの上面と下面にグ
ランド用の導体層を形成する。この誘電体基板の上層と
下層の間の中層部に信号伝送のためマイクロストリップ
ライン２２を１つ以上の導体層を利用して形成する。ま
た、後述するように信号回路は、ほぼこれに沿って信号
回路の両側を挟むように２つのグランド用導体層間にビ
アホールを配しシールド及びアンテナ給電特性を向上す
るように構成する。
【００２６】また、信号の伝送のための中層より上の誘
電体層には穴２３を穿ち、信号伝送部に対応する位置に
発振回路４、周波数逓倍器５、増幅器６等を構成するＭ
ＭＩＣ等の半導体素子を内部に実装し、穿った穴の部分
は半導体素子の実装後に導体板（キャップ）１０を用い
て覆う。
電体層には穴２３を穿ち、信号伝送部に対応する位置に
発振回路４、周波数逓倍器５、増幅器６等を構成するＭ
ＭＩＣ等の半導体素子を内部に実装し、穿った穴の部分
は半導体素子の実装後に導体板（キャップ）１０を用い
て覆う。
【００２７】半導体素子を搭載する方向のグランド面に
マイクロストリップライン２２にクロスする方向のスロ
ット８を形成してアンテナ給電回路を構成する。
マイクロストリップライン２２にクロスする方向のスロ
ット８を形成してアンテナ給電回路を構成する。
【００２８】また、スロット８は、そのままスロットア
ンテナとしてのアンテナを構成して出力とする。
ンテナとしてのアンテナを構成して出力とする。
【００２９】更に、スロット８を給電回路とするため、
スロット８上にアンテナパターンを設けた低誘電率の平
面アンテナ用基板７を装着する。
スロット８上にアンテナパターンを設けた低誘電率の平
面アンテナ用基板７を装着する。
【００３０】前記グランド面に前記スロット８を形成し
たり、アンテナパターンを有する基板７を取り付ける等
の製造においては、正確な位置決めが必要となる。その
ため、前記多層基板には中層の信号回路のマイクロスト
リップライン２２の層に目合わせ（位置決め）用のマー
ク９を形成し、その上層の誘電体基板１には穴３１を穿
ってパターニングする際の目合わせにする。
たり、アンテナパターンを有する基板７を取り付ける等
の製造においては、正確な位置決めが必要となる。その
ため、前記多層基板には中層の信号回路のマイクロスト
リップライン２２の層に目合わせ（位置決め）用のマー
ク９を形成し、その上層の誘電体基板１には穴３１を穿
ってパターニングする際の目合わせにする。
【００３１】本実施の形態では上述のように、主要な高
周波回路部は誘電体多層基板上に構成され、シールドさ
れるアンテナ給電部は基本的にグランド面に形成されて
いる。従って、インターフェース部のアンテナ以外はシ
ールドされており、外部からの干渉等を受けにくくなっ
ている。さらに、反対面は放熱と補強のための板をつけ
ることができ、気密封止構造とすることが可能であるた
め、ベアチップを使用することができる。また、アンテ
ナ給電部では上層と中層は位置合わせの精度がいるた
め、上層は下層のパターンに目合わせすることで位置合
わせの精度を出す。
周波回路部は誘電体多層基板上に構成され、シールドさ
れるアンテナ給電部は基本的にグランド面に形成されて
いる。従って、インターフェース部のアンテナ以外はシ
ールドされており、外部からの干渉等を受けにくくなっ
ている。さらに、反対面は放熱と補強のための板をつけ
ることができ、気密封止構造とすることが可能であるた
め、ベアチップを使用することができる。また、アンテ
ナ給電部では上層と中層は位置合わせの精度がいるた
め、上層は下層のパターンに目合わせすることで位置合
わせの精度を出す。
【００３２】図２は、図１のアンテナ給電回路について
具体的にビアホール２４を配置、形成した複合マイクロ
波集積回路の構成を示す図である。
具体的にビアホール２４を配置、形成した複合マイクロ
波集積回路の構成を示す図である。
【００３３】同図の複合マイクロ波集積回路は、誘電体
多層基板１の一部にコープレート線路を採用したマイク
ロストリップ線路を採用している。ビアホール２４は誘
電体多層基板１の上面及び下面導体間を接続するように
設ける。前記ビアホール２４はマイクロストリップ線路
２２及びコープレート線路等のマイクロストリップライ
ンに沿った位置及びその周囲に配置する。これにより、
回路ブロック及び配線パターン等の相互の信号の結合を
減少させる効果がある。
多層基板１の一部にコープレート線路を採用したマイク
ロストリップ線路を採用している。ビアホール２４は誘
電体多層基板１の上面及び下面導体間を接続するように
設ける。前記ビアホール２４はマイクロストリップ線路
２２及びコープレート線路等のマイクロストリップライ
ンに沿った位置及びその周囲に配置する。これにより、
回路ブロック及び配線パターン等の相互の信号の結合を
減少させる効果がある。
【００３４】特に、アンテナ給電スロット８部分を包囲
するように配置することにより、ストリップ−スロット
結合を良好にし効率を向上させるとともに、この結合部
分で発生しやすい不要高周波の影響を効果的に抑制する
効果もある。
するように配置することにより、ストリップ−スロット
結合を良好にし効率を向上させるとともに、この結合部
分で発生しやすい不要高周波の影響を効果的に抑制する
効果もある。
【００３５】本発明の第２の実施の形態に係る外観図を
図３に示す。本実施の形態においてはアンテナ部を上面
グランドのスロットとせずに、マイクロストリップライ
ンのある中層の誘電体まで穴３２を穿ち、下面にスロッ
ト３３を設けた導体面と上面にアンテナパターンを設け
たアンテナ基板１１を用いる。アンテナ基板１１は、前
記穴３２を覆うようにその下面を多層基板１の上面グラ
ンドに接続する。この場合、前記平面アンテナを設けた
基板１１は石英その他の透明な材料を用い、前記中層基
板と前記基板１１の下面の導体面にそれぞれ目合わせ９
と開孔３４を設けることでパターン同士の位置合わせを
可能とする。
図３に示す。本実施の形態においてはアンテナ部を上面
グランドのスロットとせずに、マイクロストリップライ
ンのある中層の誘電体まで穴３２を穿ち、下面にスロッ
ト３３を設けた導体面と上面にアンテナパターンを設け
たアンテナ基板１１を用いる。アンテナ基板１１は、前
記穴３２を覆うようにその下面を多層基板１の上面グラ
ンドに接続する。この場合、前記平面アンテナを設けた
基板１１は石英その他の透明な材料を用い、前記中層基
板と前記基板１１の下面の導体面にそれぞれ目合わせ９
と開孔３４を設けることでパターン同士の位置合わせを
可能とする。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、ビアホ
ールにより互いの２層短絡した導体層に囲まれた誘電体
多層基板内に高周波回路をモジュール部、アンテナ部を
一体化することにより、これまで必要だった導波管接続
を省く効果を有する。
ールにより互いの２層短絡した導体層に囲まれた誘電体
多層基板内に高周波回路をモジュール部、アンテナ部を
一体化することにより、これまで必要だった導波管接続
を省く効果を有する。
【００３７】また、電気的なシールドをとることができ
るため、外部からの干渉を防ぐ効果もある。また基本的
に半導体搭載面にアンテナを配しているため、放熱を兼
ねた補強板をつけることができるため低熱抵抗となり、
消費電力の大きい部品を搭載することも可能な気密封止
構造になり信頼性向上を図る効果もある。
るため、外部からの干渉を防ぐ効果もある。また基本的
に半導体搭載面にアンテナを配しているため、放熱を兼
ねた補強板をつけることができるため低熱抵抗となり、
消費電力の大きい部品を搭載することも可能な気密封止
構造になり信頼性向上を図る効果もある。
【００３８】さらに、上層と中層の位置合わせ精度が必
要なところで中層にアライメントしながらパターニング
またはマウントすることにより特性確保も図る効果を有
する。
要なところで中層にアライメントしながらパターニング
またはマウントすることにより特性確保も図る効果を有
する。
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す図である。
【図２】図１のアンテナ給電回路の構成を示す図であ
る。
る。
【図３】本発明の第２の実施の形態を示す図である。
【図４】従来のマイクロ波複合集積回路の外観図を示
す。
す。
【図５】図４の出力端子部からアンテナ接続までの構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図６】従来のＭＭＩＣ用アンテナの構造を示す図であ
る。
る。
１ 誘電体多層基板 ２ ベースプレート（放熱板） ３ 電源用コネクタ ４ 電圧制御発振器（ＶＣＯ） ５ 周波数逓倍器（ＭＵＬＴ） ６ 増幅器 ７ アンテナ基板 ８ アンテナ給電用スロット ９ 中層−上層目合わせパターン １０ キャップ（ＣＡＰ） １１ アンテナ基板（透光性基板） １２ ミキサー（ＭＩＸ） １３ バンドパスフィルタ（ＢＰＦ） １４ アッテネータ（ＡＴＴ） １５ 出力端子部 １６ アンテナフィード導波管部 １７ 筐体 １８ 同軸導波管変換アンテナ １９ 支持用誘電体 ２０ ばね性中心導体 ２１ グランド接触用金属板 ２２ 信号回路 ２３ 穴 ２４ ビアホール
Claims (6)
- 【請求項１】 誘電体多層基板の内層に複数の高周波回
路を搭載した複合マイクロ波集積回路において、前記誘
電体多層基板にグランド用導体層を最上層と最下層に形
成し、前記２つのグランド用導体層をビアホールで接続
して一体化構造とし、前記最上層に平面アンテナ用基板
を装着してアンテナを形成し、前記最下層にベースプレ
ートを取り付けたことを特徴とする複合マイクロ波集積
回路。 - 【請求項２】 前記アンテナは前記平面アンテナ用基板
の下側にて前記誘電体多層基板の最上層にスロットを設
け、前記スロットとストリップ−スロット結合するマイ
クロストリップラインを前記内層に設けたことを特徴と
する請求項１記載の複合マイクロ波集積回路。 - 【請求項３】 前記誘電体多層基板の内層面に位置決め
表示を設け、前記位置決め表示に対応して前記誘電体多
層基板の最上層から内層面まで第１の開口を設けたこと
を特徴とする請求項１記載の複合マイクロ波集積回路。 - 【請求項４】 前記アンテナは、前記平面アンテナ用基
板の下側にて前記誘電体多層基板に第２の開口を設け、
前記平面アンテナ用基板の下面に設けられたスロットと
前記第２の開口下部の内層面に設けられたマイクロスト
リップラインとによりストリップ−スロット結合するこ
とを特徴とする請求項１記載の複合マイクロ波集積回
路。 - 【請求項５】 前記平面アンテナ基板は透光性基板と
し、前記内層面に設けられた前記位置決め表示位置に対
応して第３の開口を設けたことを特徴とする請求項４記
載の複合マイクロ波集積回路。 - 【請求項６】 前記ビアホールは前記マイクロストリッ
プラインの両側に沿って複数個設けたことを特徴とする
請求項１記載の複合マイクロ波集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26108796A JP2798070B2 (ja) | 1995-10-11 | 1996-10-02 | 複合マイクロ波集積回路 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-263008 | 1995-10-11 | ||
| JP26300895 | 1995-10-11 | ||
| JP26108796A JP2798070B2 (ja) | 1995-10-11 | 1996-10-02 | 複合マイクロ波集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09167825A JPH09167825A (ja) | 1997-06-24 |
| JP2798070B2 true JP2798070B2 (ja) | 1998-09-17 |
Family
ID=26544894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26108796A Expired - Fee Related JP2798070B2 (ja) | 1995-10-11 | 1996-10-02 | 複合マイクロ波集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2798070B2 (ja) |
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-
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- 1996-10-02 JP JP26108796A patent/JP2798070B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09167825A (ja) | 1997-06-24 |
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