JP5663412B2 - 荷電粒子線装置 - Google Patents
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Description
d:静電偏向器の電極間の距離
L1:偏向始点と、電子が偏向量y分偏向される位置との距離
VEXB:静電偏向器に印加する電圧
B:電子の電荷(1.6021×10-19C)
lB:磁界範囲
2 電子源
3 引出電極
4 加速電極
5 レンズ制御電源
6 電界制御部
7,8 集束レンズ
9 対物レンズ
10 クロスオーバ
11 位置モニター用測定装置
12 試料ステージ
13 試料
14 可変減速電源
15 絞り
16a,16b 偏向器
17,18 電極
19 電圧制御部
20 直交電磁界偏向器
21 検出器
22,31,41 制御部
23 ステージ駆動装置
24 走査信号発生器
27 記憶部
32 像表示装置
33,34 情報信号
36 電子ビーム
37 画像処理部
40 非点収差補正器
43 光軸
44 照射領域
Claims (7)
- 荷電粒子源と試料に対する当該荷電粒子源から放出されるビームの照射に基づいて得られる荷電粒子を検出する検出器と、前記試料から放出される荷電粒子をエネルギーフィルタリングするエネルギーフィルタを備えた荷電粒子線装置において、
前記試料から放出される荷電粒子の前記エネルギーフィルタへの入射方向を調整する偏向素子を備え、前記検出器は、当該偏向素子の異なる偏向条件ごとに、前記荷電粒子を検出することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1において、
前記偏向素子は、前記試料から放出される荷電粒子を偏向する偏向器、或いは前記試料から放出される荷電粒子を集束する集束素子であることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項2において、
前記偏向器は、直交電磁界発生器であることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項2において、
前記偏向器、或いは集束素子の偏向条件ごとに、前記エネルギーフィルタに印加する電圧、或いは荷電粒子線装置の光学条件を変化させる制御装置を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項4において、
前記制御装置は、前記エネルギーフィルタへの印加電圧ごと、或いは前記光学条件ごとに前記検出器の信号量を検出することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項5において、
前記制御装置は、前記エネルギーフィルタへの印加電圧、或いは光学条件を変化させたときの前記信号量の変化が、所定の条件を満たす前記偏向条件、或いは当該信号量の変化が最も急峻な偏向条件を前記偏向器、或いは集束素子の条件として選択することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 荷電粒子源と試料に対する当該荷電粒子源から放出されるビームの照射に基づいて得られる荷電粒子を検出する検出器と、前記試料から放出される荷電粒子をエネルギーフィルタリングするエネルギーフィルタを備えた荷電粒子線装置において、
前記試料に負電位を印加する負電圧印加電源と、
前記試料から放出される荷電粒子の前記エネルギーフィルタへの入射方向を調整する偏向素子を備え、
前記偏向素子による偏向条件ごとに、前記負電圧を変化させたときの信号量の変化を検出し、当該変化が所定の条件を満たす前記偏向条件を、前記偏向素子の偏向条件として選択する制御装置を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。
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