JP2005333161A - 荷電粒子ビームを用いた検査装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体ウエハ18に荷電粒子ビーム34を照射することによって、検査を行う領域を帯電させる。上記領域を所望の帯電電圧にするために、荷電粒子ビームの照射条件を変化させ、帯電電圧が上記所望の値に等しいか否かの確認を行うために帯電電圧の測定を行う。上記所望の帯電電圧にした後、電位コントラスト像を取得し、その像の信号から電気抵抗値の算出を行う。
【選択図】図1
Description
(1) 電位コントラスト像の信号から抵抗値を算出する方法
電子ビームがウエハに入射すると、二次電子および後方散乱電子が放出する。これら放出電子の量によって、電子ビーム照射領域は、正もしくは負に帯電することとなる。詳細は、参考文献;L. Reimer、 ”Scanning Electron Microscopy、” Springer-Verlag Berlin Heidelberg、 1998を参照されたい。その帯電の程度によって、放出電子数は変化し、電位コントラスト像が得られる。電位コントラスト像には、正帯電のもの(PVC、 positive voltage contrast)、負帯電のもの(NVC、 negative voltage contrast)があり、以下、これらを利用した方法について述べる。
・PVC
正帯電の電位コントラスト像から抵抗値を算出する方法の詳細は、Proceedings of SPIE Vol. 4344 (2001) P12を参照されたい。以下、簡単にこの説明を行う。入射電子数に対する放出電子数(二次電子数および後方散乱電子数の和)の割合である電子放出効率の入射電子ビームエネルギーEPE依存性を図2に示す。
・NVC
EPEがある程度大きい場合、例えば図2でEPEがE3の場合、電子放出効率をσとすればσ<1であり、電子ビーム照射領域は負に帯電する。この負の帯電によりEPEは低減し、EPEはE2に、電子放出効率は1に近づく。抵抗が十分大きい場合、電子放出効率が1となる状態、すなわち帯電電圧がE2−E3[V]で安定する。抵抗が小さい場合、リーク電流が発生するため、電圧はE2−E3[V]になる前に安定し、電子放出効率は1より小さくσより大きくなる。このように、高抵抗で放出電子数が多く、低抵抗で放出電子数が少なくなる。すなわち、電位コントラスト像の信号で、高抵抗部が大きく、低抵抗部が小さくなる。
(2)帯電電圧を測定する方法
帯電電圧の測定は、例えば、エネルギーフィルター(エネルギー分析器と言う場合もある)を用い、二次電子もしくは後方散乱電子のエネルギーを測定することによって実現される。ウエハが正もしくは負に帯電されると、二次電子および後方散乱電子のエネルギーも帯電電圧の分だけ変化するためである。エネルギーフィルターの詳細は、参考文献;L. Reimer、 ”Scanning Electron Microscopy、” Springer-Verlag Berlin Heidelberg、 1998、 P197 に記載してある。その一例は、二次電子および後方散乱電子を検出する検出器の前面にエネルギーフィルターの役目を果す、金属メッシュの板を設置するものである。エネルギーフィルターである金属メッシュに電圧を与え、その電圧を変化させると、二次電子および後方散乱電子の金属メッシュを通過する確率が変化する。その変化を検出器を用いて測定することによって、ウエハの帯電電圧が測定可能である。
(3)帯電電圧を変化および制御させる方法
電子ビーム照射条件(ビームの照射面積、ビームエネルギー、ウエハ近傍の電位分布)を変えることにより、帯電電圧を変化させることが可能になる。例えば、入射エネルギー500eVの電子ビームを用いた場合、ビームの照射面積(FOV、 field of view)、およびウエハ近傍の電場を変えることによって、図5および6に示すように、帯電電圧を変化させることが可能になることがわかった。帯電電圧の値に幅があるのは、電子ビーム照射範囲で帯電電圧にばらつきがあることを示している。
本実施例では、試料の抵抗―電圧特性を非接触で高速に測定し、欠陥の種類を判別した方法について述べる。ここで用いたウエハの断面構造を図7に示す。これは、Si基板701、SiO2膜702、poly−Siプラグを埋め込んだビアホール703、ビアホールの直下のn拡散層704、この拡散層704により形成されるpn接合706から成る。また、部分的に導通不良欠陥705も存在する。
光学顕微鏡6は、検査室2の室内に設置してある。XYステージ16を用いることによって電子光学系2からウエハを移動させ、光学顕微鏡6による観察が可能になっている。
第二の実施例では、第一の実施例で説明した検査装置を用いて、所望の帯電電圧における各素子の抵抗値を測定し、その抵抗値が所定の値と異なった場合に該箇所を欠陥として認識し、該欠陥位置を表示する。帯電電圧の制御は、エネルギーフィルター36を用いて測定した帯電電圧の情報を計算部29へ送り、計算部29で所望の帯電電圧にするための電子ビーム照射条件を決定し、その情報を制御部7を送ることにより行う。電子ビーム照射条件の設定が上手くいかず、帯電電圧が所望の値にならなかった場合は、再度、この方法を繰り返す。装置の詳細な説明は第一の実施例で述べているので省略する。
第三の実施例では、第一の実施例で説明した検査装置を用いて、ウエハに加工されたCMOSのpn接合検査を行った。抵抗−電圧測定を行うことによって、pn接合の方向、導通不良欠陥、リーク欠陥の判別が可能になった。検査結果の例を図12に示す。ウエハ表面がn拡散層であるpn接合が1201、ウエハ表面がp拡散層であるpn接合が1202、導通不良欠陥が1203、リーク欠陥が1204である。また、帯電電圧を制御し、ブレークダウンが起こらない条件で検査を行えば、単に、NVC、およびPVCの電位コントラスト像の信号変化を見るだけで、その判断を行うことが可能になった。図13にその結果を示す。
第四の実施例は、第一の実施例で述べた装置を用い、検査用の電位コントラスト像の信号を取得しながら、もしくはその前に、抵抗値が既知の素子の電位コントラスト像の信号を取得し、電位コントラスト像の信号と抵抗値の関係を校正する検査方法および装置である。
第五の実施例は、第一の実施例で述べた装置を用い、帯電電圧を変化させるために、ウエハ18前面に設置した帯電制御電極38を用いるものである。図15に示すように、この帯電制御電極には電圧を印加可能である。ウエハに対して電圧Vccを印加すると帯電電圧値が図16のようになった。この方法によって、帯電電圧を正から負へ、もしくは負から正へと容易に連続変化させることが可能になった。また、帯電電圧の変化を高速に行うためには、ウエハに垂直に磁場を印加する方法が有効である。
第六の実施例は、第一の実施例で説明した検査装置を用いて、比較検査を行うことにより、欠陥を検出するものである。まず、第一の領域において、所望の帯電電圧における各素子の抵抗値を測定、もしくは所望の帯電電圧範囲における各素子の抵抗値を測定した。つぎに、第二の領域においても同様に抵抗値の測定を行った。第一の領域、および第二の領域の抵抗値を比較することで、異なる部分を判定し、その部分を欠陥と認識することができた。
Claims (3)
- 試料を載置する試料台と、
一次荷電粒子ビームを前記試料台上の試料の所定の領域に照射するための対物レンズと、
一次荷電粒子ビームを照射した領域の帯電電圧を測定する測定部と、
該帯電電圧を決定するための一次荷電粒子ビームの照射条件を決定する制御部と、
試料から発生する二次電子や後方散乱電子を検出する検出器と、
前記検出器からの信号を用いて、検査されるべき領域の電位コントラスト像の信号を記憶するための記憶部と、
前記記憶部からの信号で電位コントラスト像を形成する画像処理部と、
前記電位コントラスト像信号から該試料の部位の電気抵抗対電圧の関係を算出する演算部と、
を具備してなることを特徴とする荷電粒子ビームを用いた検査装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子ビームを用いた検査装置において、
前記測定部として試料面に電圧を印加することのできる電極を具備してなることを特徴とする荷電粒子ビームを用いた検査装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子ビームを用いた検査装置において、
前記測定部として試料に垂直方向に磁場を印加することを特徴とする荷電粒子ビームを用いた検査装置。
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