JPH11242233A - 水平電界型の液晶表示装置 - Google Patents
水平電界型の液晶表示装置Info
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- JPH11242233A JPH11242233A JP10343289A JP34328998A JPH11242233A JP H11242233 A JPH11242233 A JP H11242233A JP 10343289 A JP10343289 A JP 10343289A JP 34328998 A JP34328998 A JP 34328998A JP H11242233 A JPH11242233 A JP H11242233A
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 カラーシフト現象を防止して画質特性を改善
させることができる液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 平行な多数個のデータバスラインと、デ
ータバスラインとマトリックス形状の単位画素を形成す
るように平行に配列された多数個のゲートバスライン
と、各単位画素内のゲートバスラインとデータバスライ
ンとの交点に提供される薄膜トランジスタと、薄膜トラ
ンジスタに接続される画素電極及びカウンタ電極とを含
む下部基板；下部基板と所定距離をおいて対向する上部
基板；下部基板及び上部基板間に介在される数個の液晶
分子を含む液晶層；及び、下部基板の外側面及び上部基
板の外側面に各々取り付ける偏光板を含み、隣接した二
つの信号線と隣接した二つの走査線で限定されるそれぞ
れの単位画素はカウンタ電極及び画素電極によって数個
の電界形成空間に分けて電界形成空間に形成される電界
は前記ゲートバスライン及びデータバスラインに対して
斜線形態で形成されながら、隣接した電界形成空間に形
成される電界と対称をなす構成とする。
させることができる液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 平行な多数個のデータバスラインと、デ
ータバスラインとマトリックス形状の単位画素を形成す
るように平行に配列された多数個のゲートバスライン
と、各単位画素内のゲートバスラインとデータバスライ
ンとの交点に提供される薄膜トランジスタと、薄膜トラ
ンジスタに接続される画素電極及びカウンタ電極とを含
む下部基板；下部基板と所定距離をおいて対向する上部
基板；下部基板及び上部基板間に介在される数個の液晶
分子を含む液晶層；及び、下部基板の外側面及び上部基
板の外側面に各々取り付ける偏光板を含み、隣接した二
つの信号線と隣接した二つの走査線で限定されるそれぞ
れの単位画素はカウンタ電極及び画素電極によって数個
の電界形成空間に分けて電界形成空間に形成される電界
は前記ゲートバスライン及びデータバスラインに対して
斜線形態で形成されながら、隣接した電界形成空間に形
成される電界と対称をなす構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置(liqui
d crystal display；ＬＣＤ)に関し、より具体的には、
基板表面と水平な電界を有する液晶表示装置に関する。
d crystal display；ＬＣＤ)に関し、より具体的には、
基板表面と水平な電界を有する液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＣＤは、軽量、薄型、低消費電
力等の特性を持ち、各種情報機器の端末機またはビデオ
機器等に使用されている。このようなＬＣＤの代表的な
駆動方式には、ＴＮ(twisted nematic)、ＳＴＮ(super
twisted nematic)モードの駆動方式がある。しかし、現
在、実用化されているＴＮ−ＬＣＤ、ＳＴＮ−ＬＣＤ
は、視野角が非常に狭いという問題点を有する。このよ
うな問題点を解決するために、次に説明するＩＰＳ−Ｌ
ＣＤが提案されている。
力等の特性を持ち、各種情報機器の端末機またはビデオ
機器等に使用されている。このようなＬＣＤの代表的な
駆動方式には、ＴＮ(twisted nematic)、ＳＴＮ(super
twisted nematic)モードの駆動方式がある。しかし、現
在、実用化されているＴＮ−ＬＣＤ、ＳＴＮ−ＬＣＤ
は、視野角が非常に狭いという問題点を有する。このよ
うな問題点を解決するために、次に説明するＩＰＳ−Ｌ
ＣＤが提案されている。
【０００３】このＩＰＳ−ＬＣＤは、図１に示すように
多数のゲートバスライン１１は、下部絶縁基板１０上
に、図のｘ方向に相互平行に配列され、多数のデータバ
スライン１５はｘ方向と実質的に垂直であるｙ方向に相
互平行に配列されて単位画素空間を限定する。この時、
図では一つの単位画素空間を示すために、一対のゲート
バスライン１１と一対のデータバスライン１５を示して
いる。ここで、ゲートバスライン１１とデータバスライ
ン１５はゲート絶縁膜(図示せず)を挟んで絶縁されてい
る。
多数のゲートバスライン１１は、下部絶縁基板１０上
に、図のｘ方向に相互平行に配列され、多数のデータバ
スライン１５はｘ方向と実質的に垂直であるｙ方向に相
互平行に配列されて単位画素空間を限定する。この時、
図では一つの単位画素空間を示すために、一対のゲート
バスライン１１と一対のデータバスライン１５を示して
いる。ここで、ゲートバスライン１１とデータバスライ
ン１５はゲート絶縁膜(図示せず)を挟んで絶縁されてい
る。
【０００４】カウンタ電極１２は、単位画素空間内に、
例えば直四角枠状を有するようにそれぞれ形成される。
カウンタ電極１２は、ゲートバスライン１１と同じ平面
に配置される。
例えば直四角枠状を有するようにそれぞれ形成される。
カウンタ電極１２は、ゲートバスライン１１と同じ平面
に配置される。
【０００５】画素電極１４はカウンタ電極１２の形成さ
れた各単位画素空間に形成される。画素電極１４は、四
角枠状のカウンタ電極１２で囲まれている領域をｙ方向
に分けるウェブ(web)部分１４ａと、ウェブ部分１４ａ
の一端と連結されてｘ方向のカウンタ電極１２部分とオ
ーバーラップする第１フランジ部分１４ｂと、第１フラ
ンジ部分１４ｂと平行しながらウェブ部分１４ａの他端
と連結され、ｘ方向のカウンタ電極１２部分とオーバー
ラップする第２フランジ部分１４ｃとからなる。すなわ
ち、画素電極１４は、 "Ｉ"字形状である。ここで、画
素電極１４及びカウンタ電極１２はゲート絶縁膜(図示
せず)によって絶縁される。
れた各単位画素空間に形成される。画素電極１４は、四
角枠状のカウンタ電極１２で囲まれている領域をｙ方向
に分けるウェブ(web)部分１４ａと、ウェブ部分１４ａ
の一端と連結されてｘ方向のカウンタ電極１２部分とオ
ーバーラップする第１フランジ部分１４ｂと、第１フラ
ンジ部分１４ｂと平行しながらウェブ部分１４ａの他端
と連結され、ｘ方向のカウンタ電極１２部分とオーバー
ラップする第２フランジ部分１４ｃとからなる。すなわ
ち、画素電極１４は、 "Ｉ"字形状である。ここで、画
素電極１４及びカウンタ電極１２はゲート絶縁膜(図示
せず)によって絶縁される。
【０００６】薄膜トランジスタ１６は、ゲートバスライ
ン１１とデータバスライン１２との交叉部分に配置され
る。この薄膜トランジスタ１６は、ゲートバスライン１
１から延びたゲート電極と、データバスライン１５から
延びて形成されたドレイン電極と、画素電極１４から延
びたソース電極と、ゲート電極の上部に形成されたチャ
ンネル層１７とを含む。補助容量キャパシタ(Cst)は、
カウンタ電極１２と画素電極１４がオーバーラップする
部分に形成される。
ン１１とデータバスライン１２との交叉部分に配置され
る。この薄膜トランジスタ１６は、ゲートバスライン１
１から延びたゲート電極と、データバスライン１５から
延びて形成されたドレイン電極と、画素電極１４から延
びたソース電極と、ゲート電極の上部に形成されたチャ
ンネル層１７とを含む。補助容量キャパシタ(Cst)は、
カウンタ電極１２と画素電極１４がオーバーラップする
部分に形成される。
【０００７】そして、図１には示していないが、カラー
フィルタを備えた上部基板は、下部基板１０上に所定距
離を有しながら対向、配置される。また、下部基板１０
及び上部基板間には液晶分子を含む液晶層が介在され
る。
フィルタを備えた上部基板は、下部基板１０上に所定距
離を有しながら対向、配置される。また、下部基板１０
及び上部基板間には液晶分子を含む液晶層が介在され
る。
【０００８】また、水平配向膜(図示せず)は、下部基板
の結果物の上部及び上部基板の内側面にそれぞれ形成さ
れ、カウンタ電極１２及び画素電極１４間に電界が形成
される前に、液晶分子１９は、基板と平行に配列されな
がら、その配列方向を決定する。図から、"Ｒ"方向は下
部基板に形成された水平配向膜のラビング軸方向であ
る。
の結果物の上部及び上部基板の内側面にそれぞれ形成さ
れ、カウンタ電極１２及び画素電極１４間に電界が形成
される前に、液晶分子１９は、基板と平行に配列されな
がら、その配列方向を決定する。図から、"Ｒ"方向は下
部基板に形成された水平配向膜のラビング軸方向であ
る。
【０００９】下部基板１０の外側面に第１偏光板(図示
せず)が配置され、上部基板(図示せず)の外側面に第２
偏光板(図示せず)が配置される。ここで、第１偏光板の
偏光軸は、図から、"Ｐ"方向と平行に配置される。すな
わち、配向膜のラビング軸方向(Ｒ)と偏光軸(Ｐ）は互
いに平行する。一方、第２偏光板の偏光軸は、第１偏光
板の偏光軸と実質的に垂直である"Ｑ"方向と平行に配置
される。
せず)が配置され、上部基板(図示せず)の外側面に第２
偏光板(図示せず)が配置される。ここで、第１偏光板の
偏光軸は、図から、"Ｐ"方向と平行に配置される。すな
わち、配向膜のラビング軸方向(Ｒ)と偏光軸(Ｐ）は互
いに平行する。一方、第２偏光板の偏光軸は、第１偏光
板の偏光軸と実質的に垂直である"Ｑ"方向と平行に配置
される。
【００１０】このようなＩＰＳ-ＬＣＤは、選択された
ゲートバスライン１１に走査信号が印加され、データバ
スライン１５にディスプレイ信号が印加されると、走査
信号の印加されたゲートバスライン１１とディスプレイ
信号の印加されたデータバスライン１５との交叉部分の
薄膜トランジスタ１６がターンオンする。これによりデ
ータバスライン１５のディスプレイ信号は、薄膜トラン
ジスタ１６を通じて画素電極１４に伝達される。したが
って、共通信号が印加されるカウンタ電極１２及び画素
電極１４間に電界(Ｅ)が発生する。この時、電界(Ｅ)
は、図の如く"ｘ"方向であるため、ラビング軸(Ｒ)とは
所定の角度をなすことになる。
ゲートバスライン１１に走査信号が印加され、データバ
スライン１５にディスプレイ信号が印加されると、走査
信号の印加されたゲートバスライン１１とディスプレイ
信号の印加されたデータバスライン１５との交叉部分の
薄膜トランジスタ１６がターンオンする。これによりデ
ータバスライン１５のディスプレイ信号は、薄膜トラン
ジスタ１６を通じて画素電極１４に伝達される。したが
って、共通信号が印加されるカウンタ電極１２及び画素
電極１４間に電界(Ｅ)が発生する。この時、電界(Ｅ)
は、図の如く"ｘ"方向であるため、ラビング軸(Ｒ)とは
所定の角度をなすことになる。
【００１１】従って、液晶層内の分子は、電界が形成さ
れる前にその長軸が基板表面と平行しながらラビング方
向(Ｒ)の長軸とは一致するように配列される。これによ
り、第１偏光板及び液晶層を通過した光は、第２偏光板
が通過できず、画面はダーク状態となる。
れる前にその長軸が基板表面と平行しながらラビング方
向(Ｒ)の長軸とは一致するように配列される。これによ
り、第１偏光板及び液晶層を通過した光は、第２偏光板
が通過できず、画面はダーク状態となる。
【００１２】一方、電界(Ｅ)が形成されると、液晶分子
の長軸(または光軸)が電界(Ｅ)と平行に再配列され、入
射光が第２偏光板を通過する。したがって、画面はホワ
イト状態となる。
の長軸(または光軸)が電界(Ｅ)と平行に再配列され、入
射光が第２偏光板を通過する。したがって、画面はホワ
イト状態となる。
【００１３】この時、液晶分子は電界形成の可否によっ
て、基板表面と平行をなしながら、液晶分子の長軸の方
向だけ変化するので、視野角が改善される。
て、基板表面と平行をなしながら、液晶分子の長軸の方
向だけ変化するので、視野角が改善される。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記液
晶内の液晶分子は、周知のように、長軸と短縮の長さが
相異して屈折率異方性(Δｎ)を有することから、見る方
向によって屈折率異方性(Δｎ）が変化する。これによ
り、極角が０゜付近で、方位角が０゜、９０゜、１８０
゜、２７０゜付近では、ホワイト状態であるにも係わら
ず所定の色相が見えるようになる。このような現象をカ
ラーシフトといい、このカラーシフトは次の式１から説
明できる。 Ｔ: 透過率 Ｔ０： 参照(reference)光に対する透過率 χ: 液晶分子の光軸と偏光板の偏光軸がなす角 Δｎ: 屈折率異方性 ｄ: 上下基板間の距離またはギャップ(液晶層厚) λ: 入射される光波長 前記式１によれば、最大透過率(Ｔ)を得るために、χが
π/４であるか、あるいはΔｎｄ/λがπ/２となるべき
である。この時、Δｎｄが変化すると(液晶分子の屈折
率異方性値は見る方向によって変化されるためであ
る)、λ値はπ/２を満足させる為に変化する。これによ
って、変化した光波長(λ)に該当する色相が画面に現れ
る。
晶内の液晶分子は、周知のように、長軸と短縮の長さが
相異して屈折率異方性(Δｎ)を有することから、見る方
向によって屈折率異方性(Δｎ）が変化する。これによ
り、極角が０゜付近で、方位角が０゜、９０゜、１８０
゜、２７０゜付近では、ホワイト状態であるにも係わら
ず所定の色相が見えるようになる。このような現象をカ
ラーシフトといい、このカラーシフトは次の式１から説
明できる。 Ｔ: 透過率 Ｔ０： 参照(reference)光に対する透過率 χ: 液晶分子の光軸と偏光板の偏光軸がなす角 Δｎ: 屈折率異方性 ｄ: 上下基板間の距離またはギャップ(液晶層厚) λ: 入射される光波長 前記式１によれば、最大透過率(Ｔ)を得るために、χが
π/４であるか、あるいはΔｎｄ/λがπ/２となるべき
である。この時、Δｎｄが変化すると(液晶分子の屈折
率異方性値は見る方向によって変化されるためであ
る)、λ値はπ/２を満足させる為に変化する。これによ
って、変化した光波長(λ)に該当する色相が画面に現れ
る。
【００１５】したがって、液晶分子の短縮に向かって見
る方向(ａ、ｃ)では、Δｎが減少するにつれて、最大透
過率に至るための入射光の波長は相対的に短くなる。こ
れにより、使用者は、ホワイトの波長より短い波長を有
する青色を見ることになる。
る方向(ａ、ｃ)では、Δｎが減少するにつれて、最大透
過率に至るための入射光の波長は相対的に短くなる。こ
れにより、使用者は、ホワイトの波長より短い波長を有
する青色を見ることになる。
【００１６】一方、 液晶分子の長縮に向かって見る方
向(ｂ、ｄ)では、Δｎが増大するにつれて、入射光の波
長は相対的に長くなる。これにより、使用者はホワイト
の波長より長い波長を有する黄色を見ることになる。こ
のために、ＩＰＳ−ＬＣＤの画質特性が低下する。
向(ｂ、ｄ)では、Δｎが増大するにつれて、入射光の波
長は相対的に長くなる。これにより、使用者はホワイト
の波長より長い波長を有する黄色を見ることになる。こ
のために、ＩＰＳ−ＬＣＤの画質特性が低下する。
【００１７】本発明は前記のような問題を解決するため
に創案されたものであり、本発明の目的は、前記カラー
シフト現象を防止して画質特性を改善させることができ
る液晶表示装置を提供することにある。
に創案されたものであり、本発明の目的は、前記カラー
シフト現象を防止して画質特性を改善させることができ
る液晶表示装置を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】前記した本発明の目的を
達成するために、本発明は平行な多数のデータバスライ
ンと、このデータバスラインとマトリックス形状の単位
画素を形成するように平行に配列された多数のゲートバ
スラインと、前記各単位画素内のゲートバスラインとデ
ータバスラインとの交点に提供される薄膜トランジスタ
と、前記薄膜トランジスタに接続される画素電極と、カ
ウンタ電極とを含む下部基板；前記下部基板と所定距離
をおいて対向する上部基板；前記下部基板及び上部基板
間に介在される数個の、液晶分子を含む液晶層；及び前
記下部基板の外側面及び上部基板の外側面に各々取り付
ける偏光板を含み、前記隣接した二つのゲートバスライ
ンと隣接した二つのデータバスラインで限定されるそれ
ぞれの単位画素はカウンタ電極及び画素電極によって数
個の電界形成空間に分けて、前記電界形成空間に形成さ
れる電界は前記ゲートバスライン及びデータバスライン
に対して斜線形態で形成されながら、隣接した電界形成
空間に形成される電界と対称をなすことを特徴とする。
達成するために、本発明は平行な多数のデータバスライ
ンと、このデータバスラインとマトリックス形状の単位
画素を形成するように平行に配列された多数のゲートバ
スラインと、前記各単位画素内のゲートバスラインとデ
ータバスラインとの交点に提供される薄膜トランジスタ
と、前記薄膜トランジスタに接続される画素電極と、カ
ウンタ電極とを含む下部基板；前記下部基板と所定距離
をおいて対向する上部基板；前記下部基板及び上部基板
間に介在される数個の、液晶分子を含む液晶層；及び前
記下部基板の外側面及び上部基板の外側面に各々取り付
ける偏光板を含み、前記隣接した二つのゲートバスライ
ンと隣接した二つのデータバスラインで限定されるそれ
ぞれの単位画素はカウンタ電極及び画素電極によって数
個の電界形成空間に分けて、前記電界形成空間に形成さ
れる電界は前記ゲートバスライン及びデータバスライン
に対して斜線形態で形成されながら、隣接した電界形成
空間に形成される電界と対称をなすことを特徴とする。
【００１９】また、本発明は平行な多数のデータバスラ
インと、データバスラインとマトリックス形状の単位画
素を形成するように平行に配列された多数のゲートバス
ラインと、前記各単位画素内のゲートバスラインとデー
タバスラインとの交点に提供される薄膜トランジスタ
と、前記薄膜トランジスタに接続される画素電極と、カ
ウンタ電極とを含む下部基板；前記下部基板と所定距離
をおいて対向する上部基板；前記下部基板及び上部基板
間に介在される数個の、液晶分子を含む液晶層；前記下
部基板の内側面及び上部基板の内側面に各々形成される
水平配向膜；及び、前記下部基板の外側面及び上部基板
の外側面に各々取り付ける偏光板を含み、前記下部基板
のカウンタ電極は、四角枠状の第１電極と、前記第１電
極で囲まれる空間を数個の正四角形の開口空間に分け
る、ゲートバスラインと平行な多数の第２電極と、前記
第１電極に共通信号を伝達する共通信号線とを含み、前
記下部基板の画素電極は、前記第１電極で囲まれる空間
を分けるデータバスラインと平行な第１ブランチと、前
記第１ブランチと交叉しながら前記それぞれの開口空間
を４個の正四角形の電界形成空間に分ける数個の第２ブ
ランチとを含み、前記電界形成空間に形成される電界は
前記ゲートバスライン及びデータバスラインに対して斜
線形態で形成されながら、隣接した電界形成空間に形成
される電界と対称をなすことを特徴とする。
インと、データバスラインとマトリックス形状の単位画
素を形成するように平行に配列された多数のゲートバス
ラインと、前記各単位画素内のゲートバスラインとデー
タバスラインとの交点に提供される薄膜トランジスタ
と、前記薄膜トランジスタに接続される画素電極と、カ
ウンタ電極とを含む下部基板；前記下部基板と所定距離
をおいて対向する上部基板；前記下部基板及び上部基板
間に介在される数個の、液晶分子を含む液晶層；前記下
部基板の内側面及び上部基板の内側面に各々形成される
水平配向膜；及び、前記下部基板の外側面及び上部基板
の外側面に各々取り付ける偏光板を含み、前記下部基板
のカウンタ電極は、四角枠状の第１電極と、前記第１電
極で囲まれる空間を数個の正四角形の開口空間に分け
る、ゲートバスラインと平行な多数の第２電極と、前記
第１電極に共通信号を伝達する共通信号線とを含み、前
記下部基板の画素電極は、前記第１電極で囲まれる空間
を分けるデータバスラインと平行な第１ブランチと、前
記第１ブランチと交叉しながら前記それぞれの開口空間
を４個の正四角形の電界形成空間に分ける数個の第２ブ
ランチとを含み、前記電界形成空間に形成される電界は
前記ゲートバスライン及びデータバスラインに対して斜
線形態で形成されながら、隣接した電界形成空間に形成
される電界と対称をなすことを特徴とする。
【００２０】さらに、本発明は平行な多数のデータバス
ラインと、データバスラインとマトリックス形状の単位
画素を形成するように平行に配列された多数のゲートバ
スラインと、前記各単位画素内のゲートバスラインとデ
ータバスラインとの交点に提供される薄膜トランジスタ
と、前記薄膜トランジスタに接続される画素電極及びカ
ウンタ電極とを含む下部基板；前記下部基板と所定距離
をおいて対向する上部基板；前記下部基板及び上部基板
間に介在される数個の、液晶分子を含む液晶層；前記下
部基板の内側面に形成され、前記ゲートバスライン（又
はデータバスライン）と平行なラビング軸を有する第１
水平配向膜；前記上部基板の内側面に形成され、前記第
１水平配向膜のラビング軸と１８０゜をなすラビング軸
を有する第２水平配向膜；前記下部基板の外側面に配置
され、前記第１水平配向膜のラビング軸と平行な偏光軸
を有する第１偏光板；及び前記上部基板の外側面に配置
され、前記第１偏光板の偏光軸と交叉する偏光軸を有す
る第２偏光板を含み、前記下部基板のカウンタ電極は、
四角枠状の第１電極と、前記第１電極で囲まれる空間を
数個の正四角形の開口空間に分ける、ゲートバスライン
と平行な多数の第２電極と、前記第１電極に共通信号を
伝達する共通信号線とを含み、前記下部基板の画素電極
は、前記第１電極で囲まれる空間を分けるデータバスラ
インと平行な第１ブランチと、前記第１ブランチと交叉
しながら前記それぞれの開口空間を４個の正四角形の電
界形成空間に分ける数個の第２ブランチとを含み、前記
電界形成空間に形成される電界は前記ゲートバスライン
及びデータバスラインに対して斜線形態で形成されなが
ら、隣接した電界形成空間に形成される電界と対称をな
すことを特徴とする。
ラインと、データバスラインとマトリックス形状の単位
画素を形成するように平行に配列された多数のゲートバ
スラインと、前記各単位画素内のゲートバスラインとデ
ータバスラインとの交点に提供される薄膜トランジスタ
と、前記薄膜トランジスタに接続される画素電極及びカ
ウンタ電極とを含む下部基板；前記下部基板と所定距離
をおいて対向する上部基板；前記下部基板及び上部基板
間に介在される数個の、液晶分子を含む液晶層；前記下
部基板の内側面に形成され、前記ゲートバスライン（又
はデータバスライン）と平行なラビング軸を有する第１
水平配向膜；前記上部基板の内側面に形成され、前記第
１水平配向膜のラビング軸と１８０゜をなすラビング軸
を有する第２水平配向膜；前記下部基板の外側面に配置
され、前記第１水平配向膜のラビング軸と平行な偏光軸
を有する第１偏光板；及び前記上部基板の外側面に配置
され、前記第１偏光板の偏光軸と交叉する偏光軸を有す
る第２偏光板を含み、前記下部基板のカウンタ電極は、
四角枠状の第１電極と、前記第１電極で囲まれる空間を
数個の正四角形の開口空間に分ける、ゲートバスライン
と平行な多数の第２電極と、前記第１電極に共通信号を
伝達する共通信号線とを含み、前記下部基板の画素電極
は、前記第１電極で囲まれる空間を分けるデータバスラ
インと平行な第１ブランチと、前記第１ブランチと交叉
しながら前記それぞれの開口空間を４個の正四角形の電
界形成空間に分ける数個の第２ブランチとを含み、前記
電界形成空間に形成される電界は前記ゲートバスライン
及びデータバスラインに対して斜線形態で形成されなが
ら、隣接した電界形成空間に形成される電界と対称をな
すことを特徴とする。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、添付の図面に基づいて本発
明の好適な実施の形態を詳細に説明する。まず、図２及
び図３を参照して、下部基板２０と上部基板４０は、所
定距離(ｄ:以下セルギャップ)をおいて対向する。この
下部基板２０と上部基板４０は透明な素材の絶縁基板
で、セルギャップ(ｄ)は６μｍ以下、望ましくは４〜
４.５μｍ程度である。下部基板２０及び上部基板４０
間には、数個の、液晶分子５０ａを含む液晶層５０が介
在される。ここで、液晶層５０内の液晶分子５０ａは、
誘電率異方性（Δε）及び屈折率異方性（Δｎ）を有
し、誘電率異方性（Δε）は、正または負の物質が選択
的に使用され、屈折率異方性（Δｎ）は正の物質が使用
される。この時、液晶分子の屈折率異方性(Δｎ）はセ
ルギャップ（ｄ）を考慮した値が選定され、液晶分子５
０ａの屈折率異方性(Δｎ)とセルギャップ(ｄ）との積
(位相遅延値)は０.２〜０.６となるようにする。
明の好適な実施の形態を詳細に説明する。まず、図２及
び図３を参照して、下部基板２０と上部基板４０は、所
定距離(ｄ:以下セルギャップ)をおいて対向する。この
下部基板２０と上部基板４０は透明な素材の絶縁基板
で、セルギャップ(ｄ)は６μｍ以下、望ましくは４〜
４.５μｍ程度である。下部基板２０及び上部基板４０
間には、数個の、液晶分子５０ａを含む液晶層５０が介
在される。ここで、液晶層５０内の液晶分子５０ａは、
誘電率異方性（Δε）及び屈折率異方性（Δｎ）を有
し、誘電率異方性（Δε）は、正または負の物質が選択
的に使用され、屈折率異方性（Δｎ）は正の物質が使用
される。この時、液晶分子の屈折率異方性(Δｎ）はセ
ルギャップ（ｄ）を考慮した値が選定され、液晶分子５
０ａの屈折率異方性(Δｎ)とセルギャップ(ｄ）との積
(位相遅延値)は０.２〜０.６となるようにする。
【００２２】図３に示したように、下部基板２０の上部
に、ｘ方向に延長される多数のゲートバスライン２１
と、ｙ方向に延長される多数のデータバスライン２２と
が相互に交叉して、単位画素(sub pixel:ｐ)を限定す
る。図では一対のゲートバスライン２１と一対のデータ
バスライン２２のみを示している。ゲートバスライン２
１とデータバスライン２２にはゲート絶縁膜(図示せず)
を挟んで絶縁している。
に、ｘ方向に延長される多数のゲートバスライン２１
と、ｙ方向に延長される多数のデータバスライン２２と
が相互に交叉して、単位画素(sub pixel:ｐ)を限定す
る。図では一対のゲートバスライン２１と一対のデータ
バスライン２２のみを示している。ゲートバスライン２
１とデータバスライン２２にはゲート絶縁膜(図示せず)
を挟んで絶縁している。
【００２３】カウンタ電極２４は下部基板２０の各単位
画素（sub pixel）にそれぞれ配置される。この時、カ
ウンタ電極２４は単位画素（Ｐ）に対して縮少型の同じ
形状を有する第１電極２４ａと、この第１電極２４ａで
囲まれる空間を所定個に分ける多数の第２電極２４ｂと
を含む。ここで、第２電極２４ｂは、第１電極２４ａで
囲まれる空間を数個の正四角形の空間に分ける。尚、第
１及び第２電極２４ｂによって限定される正四角形の空
間を、開口空間(ａｐ)という。本実施の形態では、第２
電極２４ｂの数は２個、開口空間（ａｐ）は３個とな
る。また、共通信号線２４０はカウンタ電極２４の第１
電極２４ａの所定部分とコンタクトされて共通信号をカ
ウンタ電極２４に伝達する。
画素（sub pixel）にそれぞれ配置される。この時、カ
ウンタ電極２４は単位画素（Ｐ）に対して縮少型の同じ
形状を有する第１電極２４ａと、この第１電極２４ａで
囲まれる空間を所定個に分ける多数の第２電極２４ｂと
を含む。ここで、第２電極２４ｂは、第１電極２４ａで
囲まれる空間を数個の正四角形の空間に分ける。尚、第
１及び第２電極２４ｂによって限定される正四角形の空
間を、開口空間(ａｐ)という。本実施の形態では、第２
電極２４ｂの数は２個、開口空間（ａｐ）は３個とな
る。また、共通信号線２４０はカウンタ電極２４の第１
電極２４ａの所定部分とコンタクトされて共通信号をカ
ウンタ電極２４に伝達する。
【００２４】画素電極２５は、やはり下部基板２０の単
位画素（Ｐ）に配置される。この画素電極２５は、開口
空間（ａｐ）をデータバスライン１５と平行するにｙ方
向に二等分するｙ方向の第１ブランチ２５ａと、第１ブ
ランチ２５ａと交叉してｘ方向を取る第２ブランチ２５
ｂとを含む。ここで、第１及び第２ブランチ２５ａ、２
５ｂは、一つの開口空間（ａｐ）が数個の正四角形の電
界形成空間に分けるように配置される。本実施の形態で
は、第１及び第２ブランチ２５ａ、２５ｂのように、一
つの開口空間（ａｐ）は４個の正四角形を有する電界形
成空間（ＡＰ）に分けられる。したがって、前記画素電
極２５の配置により、第１電極２４ａで囲まれる空間は
１２個の正四角形を有する電界形成空間（ＡＰ）に分け
られる。
位画素（Ｐ）に配置される。この画素電極２５は、開口
空間（ａｐ）をデータバスライン１５と平行するにｙ方
向に二等分するｙ方向の第１ブランチ２５ａと、第１ブ
ランチ２５ａと交叉してｘ方向を取る第２ブランチ２５
ｂとを含む。ここで、第１及び第２ブランチ２５ａ、２
５ｂは、一つの開口空間（ａｐ）が数個の正四角形の電
界形成空間に分けるように配置される。本実施の形態で
は、第１及び第２ブランチ２５ａ、２５ｂのように、一
つの開口空間（ａｐ）は４個の正四角形を有する電界形
成空間（ＡＰ）に分けられる。したがって、前記画素電
極２５の配置により、第１電極２４ａで囲まれる空間は
１２個の正四角形を有する電界形成空間（ＡＰ）に分け
られる。
【００２５】ここで、カウンタ電極２４及び画素電極２
５間には、ゲート絶縁膜が介在されている。この時、カ
ウンタ電極２４と画素電極２５がオーバーラップする部
分で補助容量キャパシタンスが形成される。
５間には、ゲート絶縁膜が介在されている。この時、カ
ウンタ電極２４と画素電極２５がオーバーラップする部
分で補助容量キャパシタンスが形成される。
【００２６】ゲートバスライン２１とデータバスライン
２２との交点部分にはスイッチングデバイスとして薄膜
トランジスタ２７が具備される。ここで、薄膜トランジ
スタ２７はゲートバスライン２１のゲート電極と、デー
タバスライン２２から所定部分延びたドレイン電極と、
画素電極２５から延びたソース電極と、ゲートバスライ
ン２１の上部に配置されたチャンネル層２７ａとを含
む。
２２との交点部分にはスイッチングデバイスとして薄膜
トランジスタ２７が具備される。ここで、薄膜トランジ
スタ２７はゲートバスライン２１のゲート電極と、デー
タバスライン２２から所定部分延びたドレイン電極と、
画素電極２５から延びたソース電極と、ゲートバスライ
ン２１の上部に配置されたチャンネル層２７ａとを含
む。
【００２７】第１及び第２配向膜３０、４２は、下部基
板２０の内側面及び上部基板４０の内側面にそれぞれ形
成される。ここで、第１及び第２配向膜３０、４２は、
６゜以下のプレティルト角を有する水平配向膜である。
下部基板２０に形成される第１配向膜３０のラビング軸
（ｒ１）は、ｘ方向あるいはｙ方向と平行する。本実施
の形態では、第１配向膜３０のラビング軸（ｒ１）はｘ
方向をとる。一方、上部基板４０に形成された第２配向
膜４２のラビング軸(ｒ２)は第１配向膜３０のラビング
軸(ｒ１)と約１８０゜の角度をなす。
板２０の内側面及び上部基板４０の内側面にそれぞれ形
成される。ここで、第１及び第２配向膜３０、４２は、
６゜以下のプレティルト角を有する水平配向膜である。
下部基板２０に形成される第１配向膜３０のラビング軸
（ｒ１）は、ｘ方向あるいはｙ方向と平行する。本実施
の形態では、第１配向膜３０のラビング軸（ｒ１）はｘ
方向をとる。一方、上部基板４０に形成された第２配向
膜４２のラビング軸(ｒ２)は第１配向膜３０のラビング
軸(ｒ１)と約１８０゜の角度をなす。
【００２８】また、第１偏光板３５は下部基板２０の外
側面に配置され、第２偏光板４５は上部基板４０の外側
面に配置される。第１偏光板３５の偏光軸は第１配向膜
のラビング軸(ｒ１)と平行に配置され、第２偏光板４５
の偏光軸は第１偏光板３５の偏光軸と垂直をなすように
配置される。
側面に配置され、第２偏光板４５は上部基板４０の外側
面に配置される。第１偏光板３５の偏光軸は第１配向膜
のラビング軸(ｒ１)と平行に配置され、第２偏光板４５
の偏光軸は第１偏光板３５の偏光軸と垂直をなすように
配置される。
【００２９】前記の構成を有する本発明による液晶表示
素子の動作を説明する。まず、カウンタ電極２４及び画
素電極２５間に電界が形成される前に、液晶分子の長軸
は、第１及び第２配向膜３０、４２の影響のため、上下
部基板２０、４０の表面と平行に配列される。この時、
液晶分子５０ａの長軸は、第１配向膜３０のラビング軸
（ｒ１）と平行する。これにより、バックライトから第
１偏光板３５を通過した光は、液晶層５０を通過しなが
ら偏光状態が変化されない。したがって、液晶層５０を
通過した光は第１偏光板３５の偏光軸と直交する偏光軸
を有する第２偏光板４５によって吸収されて画面はダー
ク状態となる。
素子の動作を説明する。まず、カウンタ電極２４及び画
素電極２５間に電界が形成される前に、液晶分子の長軸
は、第１及び第２配向膜３０、４２の影響のため、上下
部基板２０、４０の表面と平行に配列される。この時、
液晶分子５０ａの長軸は、第１配向膜３０のラビング軸
（ｒ１）と平行する。これにより、バックライトから第
１偏光板３５を通過した光は、液晶層５０を通過しなが
ら偏光状態が変化されない。したがって、液晶層５０を
通過した光は第１偏光板３５の偏光軸と直交する偏光軸
を有する第２偏光板４５によって吸収されて画面はダー
ク状態となる。
【００３０】一方、 ゲートバスライン２１が選択され
てデータバスライン２２にディスプレイ信号が伝達され
ると、ゲートバスライン２１とデータバスライン２２と
の交叉部に位置した薄膜トランジスタ２７がターンオン
する。これにより、データバスライン２２のディスプレ
イ信号が画素電極２５に伝達され、共通信号を印加され
るカウンタ電極２４及び画素電極２５間に電界（Ｅ）が
形成される。
てデータバスライン２２にディスプレイ信号が伝達され
ると、ゲートバスライン２１とデータバスライン２２と
の交叉部に位置した薄膜トランジスタ２７がターンオン
する。これにより、データバスライン２２のディスプレ
イ信号が画素電極２５に伝達され、共通信号を印加され
るカウンタ電極２４及び画素電極２５間に電界（Ｅ）が
形成される。
【００３１】この時の電界（Ｅ）は、図３及び図４に示
した如く、正四角形の開口空間(ＡＰ)内に斜線形態で形
成され、このような電界類型を有効電界(effectivefiel
d)といい、最も近距離に位置する電極間に形成される電
界を意味する。すなわち、図４に示すように、有効電界
は、カウンタ電極２４の第１電極２４ａと画素電極２５
の第１または第２ブランチ２５ａ、２５ｂとがなす稜部
分で斜線形態で順次形成される。
した如く、正四角形の開口空間(ＡＰ)内に斜線形態で形
成され、このような電界類型を有効電界(effectivefiel
d)といい、最も近距離に位置する電極間に形成される電
界を意味する。すなわち、図４に示すように、有効電界
は、カウンタ電極２４の第１電極２４ａと画素電極２５
の第１または第２ブランチ２５ａ、２５ｂとがなす稜部
分で斜線形態で順次形成される。
【００３２】この時、電界形成空間(ＡＰ）は正四角形
であるため、有効電界（Ｅ）は、ｙ方向(またはｘ方向)
と約±４５゜の角度をなす斜線形態を有する。これによ
り、液晶表示装置は最大透過率となる。即ち、前記、式
１によれば、χがπ/４(４５゜)で、Δｎｄ/λが１/２
である時に最大透過率となる。この時、本実施の形態で
は、Δｎｄ/λは、液晶分子の種類及びセルギャップを
調節して１/２となるようにし、χはｙ軸（偏光軸の方
向）と電界方向が±４５゜をなすようにカウンタ電極２
４及びカウンタ電極２５を設計することにより最大透過
率が得られる。
であるため、有効電界（Ｅ）は、ｙ方向(またはｘ方向)
と約±４５゜の角度をなす斜線形態を有する。これによ
り、液晶表示装置は最大透過率となる。即ち、前記、式
１によれば、χがπ/４(４５゜)で、Δｎｄ/λが１/２
である時に最大透過率となる。この時、本実施の形態で
は、Δｎｄ/λは、液晶分子の種類及びセルギャップを
調節して１/２となるようにし、χはｙ軸（偏光軸の方
向）と電界方向が±４５゜をなすようにカウンタ電極２
４及びカウンタ電極２５を設計することにより最大透過
率が得られる。
【００３３】すなわち、前記電界（Ｅ）によって液晶分
子５０ａが配列されると、バックライトから入射した光
は、第１偏光板３５の偏光軸を通過しながら、直線偏光
される。続いて、液晶層５０を過ぎながら直線偏光され
た光と液晶分子の光軸とが所定角度をなすことになり、
偏光状態は変化する。したがって、偏光状態が変化した
光は、第２偏光板４５の偏光軸を通過することになるこ
とから画面はホワイト状態となる。この時、第１及び第
２偏光板３５、４５の偏光軸と液晶分子５０の長軸とは
それぞれ±４５゜の角度をなすので最大透過率が得られ
る。
子５０ａが配列されると、バックライトから入射した光
は、第１偏光板３５の偏光軸を通過しながら、直線偏光
される。続いて、液晶層５０を過ぎながら直線偏光され
た光と液晶分子の光軸とが所定角度をなすことになり、
偏光状態は変化する。したがって、偏光状態が変化した
光は、第２偏光板４５の偏光軸を通過することになるこ
とから画面はホワイト状態となる。この時、第１及び第
２偏光板３５、４５の偏光軸と液晶分子５０の長軸とは
それぞれ±４５゜の角度をなすので最大透過率が得られ
る。
【００３４】また、前記のような電極２４、２５の配置
によって、一つの開口空間(ａｐ)にはそれぞれ対称をな
す４方向の斜線形電界が形成されるので、液晶分子は一
つの開口空間（ａｐ）で４群に分けて配列される。した
がって、単位画素（Ｐ）に液晶分子の４−ドメインが構
築される。
によって、一つの開口空間(ａｐ)にはそれぞれ対称をな
す４方向の斜線形電界が形成されるので、液晶分子は一
つの開口空間（ａｐ）で４群に分けて配列される。した
がって、単位画素（Ｐ）に液晶分子の４−ドメインが構
築される。
【００３５】これにより、ホワイト状態において、使用
者がある方位角で画面を見ても、液晶分子の長軸及び短
縮は同時に見える。したがって、液晶分子の屈折率異方
性が補償されて前記カラーシフトが発生しない。
者がある方位角で画面を見ても、液晶分子の長軸及び短
縮は同時に見える。したがって、液晶分子の屈折率異方
性が補償されて前記カラーシフトが発生しない。
【００３６】図５は本発明の液晶表示装置の視野角によ
るコントラスト比を示すもので、本発明の液晶分子は平
行場によって駆動されるので、大部分の方位角でコント
ラスト比(ＣＲ)が５０以上を示し、コントラスト比が５
０以上の領域は鏡面対称をなす。また、偏光軸と一致す
る方向、すなわち０゜、９０゜、１８０゜、２７０゜で
の視野角特性は一層優秀である。
るコントラスト比を示すもので、本発明の液晶分子は平
行場によって駆動されるので、大部分の方位角でコント
ラスト比(ＣＲ)が５０以上を示し、コントラスト比が５
０以上の領域は鏡面対称をなす。また、偏光軸と一致す
る方向、すなわち０゜、９０゜、１８０゜、２７０゜で
の視野角特性は一層優秀である。
【００３７】なお、本発明は、その要旨を逸脱しない範
囲で多様に変更して実施できるのは当然である。
囲で多様に変更して実施できるのは当然である。
【００３８】
【発明の効果】以上説明のように本発明は、単位画素空
間に、偏光軸野に対して斜線、より望ましく対角線形態
を有する電界が形成されるようにカウンタ電極と画素電
極を配置する構成としたことにより、液晶分子のマルチ
ドメインが形成されて、ＩＰＳ−ＬＣＤのカラーシフト
現象が改善される。
間に、偏光軸野に対して斜線、より望ましく対角線形態
を有する電界が形成されるようにカウンタ電極と画素電
極を配置する構成としたことにより、液晶分子のマルチ
ドメインが形成されて、ＩＰＳ−ＬＣＤのカラーシフト
現象が改善される。
【００３９】また、平行場によって液晶分子が動作する
ので、視野角の特性が優秀で、特に偏光板の偏光軸は０
゜(１８０゜)及び９０゜(２７０゜)方向をとるので、０
゜、９０゜、１８０゜、２７０゜方位角での視野角は非
常に優秀である。
ので、視野角の特性が優秀で、特に偏光板の偏光軸は０
゜(１８０゜)及び９０゜(２７０゜)方向をとるので、０
゜、９０゜、１８０゜、２７０゜方位角での視野角は非
常に優秀である。
【図１】従来のＩＰＳ−ＬＣＤの平面図である。
【図２】本発明の一実施の形態による水平電界型の液晶
表示装置の斜視図である。
表示装置の斜視図である。
【図３】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の下
部基板平面図である。
部基板平面図である。
【図４】図３の電界形成空間を示す平面図である。
【図５】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の視
野角によるコントラスト比を表すカーブを示す図であ
る。
野角によるコントラスト比を表すカーブを示す図であ
る。
１０、２０ 下部基板 １１、２１ ゲートバスライン １２、２４ カウンタ電極 １４、２５ 画素電極 １５、２２ データバスライン １６、２７ 薄膜トランジスタ １７、２７ａ チャンネル層 ２４ａ カウンタ電極の第１電極 ２４ｂ カウンタ電極の第２電極 ２５ａ 画素電極の第１ブランチ ２５ｂ 画素電極の第２ブランチ ３０ 第１配向膜 ３５ 第１偏光板 ４０ 上部基板 ４２ 第２配向膜 ４５ 第２偏光板 ２４０ 共通電極線
Claims (14)
- 【請求項１】 平行な多数のデータバスラインと、この
データバスラインとマトリックス形状の単位画素を形成
するように平行に配列された多数のゲートバスライン
と、前記各単位画素内のゲートバスラインとデータバス
ラインとの交点に提供される薄膜トランジスタと、前記
薄膜トランジスタに接続される画素電極と、カウンタ電
極とを含む下部基板；前記下部基板と所定距離をおいて
対向する上部基板；前記下部基板及び上部基板間に介在
される数個の、液晶分子を含む液晶層；及び、前記下部
基板の外側面及び上部基板の外側面に各々取り付ける偏
光板を含み、 前記隣接した二つのゲートバスラインと隣接した二つの
データバスラインで限定されるそれぞれの単位画素はカ
ウンタ電極及び画素電極によって数個の電界形成空間に
分けて、 前記電界形成空間に形成される電界は前記ゲートバスラ
イン及びデータバスラインに対して斜線形態で形成され
ながら、隣接した電界形成空間に形成される電界と対称
をなすことを特徴とする水平電界型の液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記カウンタ電極及び画素電極間に電界
が形成されない場合、前記液晶分子の長軸は、下部基板
表面に平行に配列されながら、前記ゲートバスラインと
平行に配列されることを特徴とする請求項１記載の水平
電界型の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記下部基板の外側面に配置される偏光
板の偏光軸は、前記ゲートバスラインと平行に配置さ
れ、前記上部基板の外側面に配置される偏光板の偏光軸
は、前記下部基板の外側面に配置される偏光軸と交叉す
るように配置されることを特徴とする請求項２記載の水
平電界型の液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記カウンタ電極及び画素電極間に電界
が形成されない場合、前記液晶分子の長軸は、下部基板
表面に平行に配列されながら、前記データバスラインと
平行に配列されることを特徴とする請求項１記載の水平
電界型の液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記下部基板の外側面に配置される偏光
板の偏光軸は、前記データバスラインと平行に配置さ
れ、前記上部基板の外側面に配置される偏光板の偏光軸
は、前記下部基板の外側面に配置される偏光軸と交叉す
るように配置されることを特徴とする請求項２記載の水
平電界型の液晶表示装置。 - 【請求項６】 平行な多数のデータバスラインと、この
データバスラインとマトリックス形状の単位画素を形成
するように平行に配列された多数のゲートバスライン
と、前記各単位画素内のゲートバスラインとデータバス
ラインとの交点に提供される薄膜トランジスタと、前記
薄膜トランジスタに接続される画素電極及びカウンタ電
極とを含む下部基板；前記下部基板と所定距離をおいて
対向する上部基板；前記下部基板及び上部基板間に介在
される数個の、液晶分子を含む液晶層；前記下部基板の
内側面及び上部基板の内側面に各々形成される水平配向
膜；及び、前記下部基板の外側面及び上部基板の外側面
に各々取り付ける偏光板を含み、 前記下部基板のカウンタ電極は、直四角枠状の第１電極
と、前記第１電極で囲まれる空間を数個の正四角形の開
口空間に分ける、ゲートバスラインと平行な多数の第２
電極と、前記第１電極に共通信号を伝達する共通信号線
とを含み、 前記下部基板の画素電極は、前記第１電極で囲まれる空
間を分けるデータバスラインと平行な第１ブランチと、
前記第１ブランチと交叉しながら前記それぞれの正四角
形の開口空間を４個の正四角形の電界形成空間に分ける
数個の第２ブランチとを含み、 前記電界形成空間に形成される電界は、前記ゲートバス
ライン及びデータバスラインに対して斜線形態で形成さ
れながら、隣接した電界形成空間に形成される電界と対
称をなすことを特徴とする水平電界型の液晶表示装置。 - 【請求項７】 前記下部基板の水平配向膜は、ゲートバ
スラインと平行なラビング軸を有し、上部基板の水平配
向膜は前記下部基板の水平配向膜のラビング軸と１８０
゜をなすラビング軸を有することを特徴とする請求項６
記載の水平電界型の液晶表示装置。 - 【請求項８】 前記下部基板の外側面に配置される偏光
板の偏光軸は、前記下部基板の水平配向膜のラビング軸
と平行に配置され、前記上部基板の外側面に配置される
偏光板の偏光軸は、前記下部基板の外側面に配置される
偏光軸と交叉するように配置されることを特徴とする請
求項７記載の水平電界型の液晶表示装置。 - 【請求項９】 前記下部基板の水平配向膜は、データバ
スラインと平行なラビング軸を有し、上部基板の水平配
向膜は、前記下部基板の水平配向膜のラビング軸と１８
０゜をなすラビング軸を有することを特徴とする請求項
６記載の水平電界型の液晶表示装置。 - 【請求項１０】 前記下部基板の外側面に配置される偏
光板の偏光軸は、前記下部基板の水平配向膜のラビング
軸と平行に配置され、前記上部基板の外側面に配置され
る偏光板の偏光軸は前記下部基板の外側面に配置される
偏光軸と交叉するように配置されることを特徴とする請
求項９記載の水平電界型の液晶表示装置。 - 【請求項１１】 前記カウンタ電極の第１電極は、前記
単位画素に対して縮小型の同じ形状を有することを特徴
とする請求項６記載の水平電界型の液晶表示装置。 - 【請求項１２】 前記液晶分子の屈折率異方性と液晶層
厚との積は、０.２乃至０.６μｍであることを特徴とす
る請求項６記載の水平電界型の液晶表示装置。 - 【請求項１３】 平行な多数のデータバスラインと、こ
のデータバスラインとマトリックス形状の単位画素を形
成するように平行に配列された多数のゲートバスライン
と、前記各単位画素内のゲートバスラインとデータバス
ラインとの交点に提供される薄膜トランジスタと、前記
薄膜トランジスタに接続される画素電極及びカウンタ電
極とを含む下部基板；前記下部基板と所定距離をおいて
対向する上部基板；前記下部基板及び上部基板間に介在
される数個の、液晶分子を含む液晶層；前記下部基板の
内側面に形成され、前記ゲートバスライン（又はデータ
バスライン）と平行なラビング軸を有する第１水平配向
膜；前記上部基板の内側面に形成され、前記第１水平配
向膜のラビング軸と１８０゜をなすラビング軸を有する
第２水平配向膜；前記下部基板の外側面に配置され、前
記第１水平配向膜のラビング軸と平行な偏光軸を有する
第１偏光板；及び、前記上部基板の外側面に配置され、
前記第１偏光板の偏光軸と交叉する偏光軸を有する第２
偏光板を含み、 前記下部基板のカウンタ電極は、直四角枠状の第１電極
と、前記第１電極で囲まれる空間を数個の正四角形の開
口空間に分ける、ゲートバスラインと平行な多数の第２
電極と、前記第１電極に共通信号を伝達する共通信号線
とを含み、 前記下部基板の画素電極は、前記第１電極で囲まれる空
間を分けるデータバスラインと平行な第１ブランチと、
前記第１ブランチと交叉しながら前記それぞれの開口空
間を４個の正四角形の電界形成空間に分ける数個の第２
ブランチとを含み、 前記電界形成空間に形成される電界は、前記ゲートバス
ライン及びデータバスラインに対して斜線形態で形成さ
れながら、隣接した電界形成空間に形成される電界と対
称をなすことを特徴とする水平電界型の液晶表示装置。 - 【請求項１４】 前記液晶分子の屈折率異方性と液晶層
厚との積は、０.２乃至０.６μｍであることを特徴とす
る請求項１３記載の水平電界型の液晶表示装置。
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