JPH11231300A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents

液晶表示装置およびその製造方法

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JPH11231300A
JPH11231300A JP7116695A JP11669595A JPH11231300A JP H11231300 A JPH11231300 A JP H11231300A JP 7116695 A JP7116695 A JP 7116695A JP 11669595 A JP11669595 A JP 11669595A JP H11231300 A JPH11231300 A JP H11231300A
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JP
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substrate
liquid crystal
crystal display
display device
electrode
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JP7116695A
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Takao Ishida
崇雄 石田
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Citizen Watch Co Ltd
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Publication date
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    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 基板１０上に色材を含むネガ型感光性樹脂か
らなる遮光パターンを有する液晶表示装置であって、遮
光パターン２４はスイッチング素子を有する基板上の金
属電極と画素電極１９の非形成部に設ける液晶表示装置
およびその製造方法。 【効果】 隣接する表示用電極が遮光パターンを介する
電気的短絡不良のない液晶表示装置の製造が可能とな
る。さらには、本発明の遮光パターンは表示に利用する
電極の非形成部に形成するために、開口率の大きい明る
い表示品質の液晶表示装置を製造可能とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、遮光パターンを有する
液晶表示装置の構造とその製造方法に関し、さらに詳し
くはそれぞれの画素に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や薄
膜ダイオード（ＴＦＤ）からなるスイッチング素子を有
する基板に遮光パターンを有するアクティブマトリクス
型液晶表示装置や、一対の対向する透明基板の双方に遮
光パターンを有する単純マトリクス型液晶表示装置およ
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置には大別して２種類ある。
その１つは薄膜トランジスタや薄膜ダイオード構造から
なるスイッチング素子を有するアクティブマトリクス型
液晶表示装置であり、もう１つはスーパーツイスト（Ｓ
ＴＮ）型液晶表示装置や強誘電性液晶表示装置などの単
純マトリクス型液晶表示装置である。
【０００３】液晶表示装置は対向する表示電極間に挟持
する液晶を光シャッターとして利用する装置であり、こ
の液晶に表示電極を介して電圧を印加することで表示電
極部が明暗２種の状態となる。
【０００４】しかしながら表示電極部の周囲領域に明る
い部分があると、その明るい部分の影響によって液晶表
示装置全体としては、表示電極部本来の暗状態より明る
めの暗状態しか得られない。液晶表示装置の明状態と暗
状態のときの輝度比をコントラストというが、表示電極
部の周囲領域にこのような明るい部分があると液晶表示
装置のコントラストは低下する。
【０００５】アクティブマトリクス型液晶表示装置の場
合には、画素電極と金属電極との間隙からの光漏れは、
液晶表示装置のコントラスト低下をもたらすので電極間
隙からの光漏れを防ぐための遮光膜が必要である。さら
に同様に、単純マトリクス型液晶表示装置においても、
透明電極の間隙からの光漏れは液晶表示装置のコントラ
スト低下をもたらすため、電極間隙からの光漏れを防ぐ
ための遮光膜が必要である。
【０００６】液晶表示装置における光漏れを防止する遮
光膜は、遮光特性やベース基板であるガラスとの密着特
性の優位性から、一般に金属クロム（Ｃｒ）薄膜を用い
る。そしてこの金属クロム（Ｃｒ）薄膜を格子状にパタ
ーン形成したものを、遮光膜として利用している。
【０００７】その液晶表示装置における遮光膜の製造方
法としては、クロム薄膜をスパッタリング方法により形
成した後に、レジストをクロム薄膜上に形成し、フォト
マスクを介して露光処理と現像処理により形成するレジ
ストパターンをエッチングレジストとしてクロム薄膜を
エッチングし、レジストパターンを除去して所望の格子
状の遮光膜を得ている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たクロム薄膜からなる遮光膜においては以下に述べるい
くつかの問題点がある。以下図面を用いて本発明が解決
しようとする課題について説明する。
【０００９】図２５は従来技術における第１の問題点を
説明するための図面であり、従来の薄膜ダイオード構造
のスイッチング素子をもつアクティブマトリクス型液晶
表示装置と、単純マトリクス型液晶表示装置との基板の
クロム薄膜を格子状に形成した遮光膜を有する基板１０
を示す断面図である。
【００１０】薄膜ダイオード構造のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置と単純マトリクス型液晶表示装置とに
おいては、複数の透明電極は互いに電気的に独立である
必要がある。
【００１１】このために図２５に示すように、クロム薄
膜からなり格子状の遮光膜３０上にオーバーコート層３
１を基板１０上に設ける。そして、オーバーコート層３
１により、このオーバーコート層３１上に設ける透明電
極１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄと、遮光膜３０とを
電気的に絶縁するとともに、隣接する透明電極と透明電
極との電気的独立性をも確保している。
【００１２】従来技術における遮光膜３０を有する液晶
表示装置の第１の問題点は、図２５に示すように、オー
バーコート層３１の一部に目視では視認できない大き
さ、およそ直径５０μｍ以下の大きさの微少なオーバー
コート層３２材料の形成されないピンホール３２欠陥で
ある。
【００１３】このようなピンホール３２欠陥がある場合
には、そのピンホール３２欠陥部分で、隣接する透明電
極１７ｃと透明電極１７ｄとは、導電性のある遮光膜３
０を介して電気的に短絡してしまう。
【００１４】その結果、透明電極１７ｃには短絡した透
明電極１７ｄに印加する電気信号が混入し、液晶表示装
置においては本来の電気信号による表示でない表示がな
されてしまうという表示不良となる。
【００１５】従来の液晶表示装置における第２の問題点
を、単純マトリクス型液晶表示装置を例にして、図２６
と図２７を用いて説明する。図２６と図２７とは、従来
技術における単純マトリクス型液晶表示装置を示す断面
図である。以下、図２６と図２７とを交互に用いて説明
する。
【００１６】液晶表示装置は、基板１０ａと基板１０ｂ
との２枚の基板から構成する。ここで、図２６は遮光膜
３０を有する基板１０ａ上のストライプ状に形成する透
明電極１７ｅに対して直交方向に切断した状態を示す断
面図であり、図２７は透明電極１７ａに平行方向に切断
した状態を示す断面図である。
【００１７】この基板１０ａには、格子状に形成する遮
光膜３０と、遮光膜３０上面に設けるオーバーコート層
３１と、オーバーコート層３１上面にストライプ状に形
成する複数の透明電極１７ｅとを有する。
【００１８】基板１０ｂには、ストライプ状に形成する
複数の透明電極１７ｆを有する。そして基板１０ａと基
板１０ｂとを、それぞれの透明電極１７ｅと透明電極１
７ｆとが直交するように基板を重ね合わせる。
【００１９】このとき遮光膜３０は、オーバーコート層
３１を介し設ける透明電極１７ｅと対向する基板１０ｂ
の透明電極１７ｆの間隙からの光漏れを防ぐために透明
電極１７ｅの間の間隙を覆い隠す大きさの寸法でなけれ
ばならない。
【００２０】そして、この透明電極１７ｅの間の間隙を
覆い隠す大きさの遮光膜３０の大きさ寸法を設計すると
きには、以下の２種類のアライメント誤差を考慮するこ
とが必要である。
【００２１】そのひとつは、遮光膜を有する基板１０ｅ
内での遮光膜３０と透明電極１７ｅとの形成時のアライ
メント誤差である。
【００２２】遮光膜３０と透明電極１７ｅとを形成する
ときには、はじめに遮光膜３０を形成し、その後、この
遮光膜３０の位置に合わせて透明電極１７ｅを形成する
工程を採用する。
【００２３】図２６に示すように、遮光膜３０に対する
透明電極１７ｅの位置合わせ誤差であるアライメント誤
差４１は、透明電極１７ｅを形成するときの露光装置の
アライナー性能にもよるが、左右それぞれ２μｍ程度生
じる。
【００２４】つまり、遮光膜３０が透明電極１７ｅ間の
間隙を確実に被覆するために遮光膜３０は、透明電極１
７ｅ間の間隙寸法より４μｍ大きな設計寸法でつくる必
要がある。
【００２５】ふたつめは、遮光膜３０を有する基板１０
ａと、対向する基板１０ｂとの重ね合わせ工程における
アライメント誤差である。
【００２６】図２７に示すように、対向する２枚の基板
１０ａと基板１０ｂとを重ね合わせるときは、遮光膜３
０を有する基板１０ａの遮光膜３０は、対向する基板１
０ｂの透明電極１７ｆ間の間隙を覆い隠すように重ね合
わせる必要がある。
【００２７】この基板１０ａと基板１０ｂとの重ね合わ
せ時のアライメント誤差４２は、それぞれの基板の反り
や、重ね合わせた基板同士を接着剤で加圧熱硬化して固
定するまでの間の基板のズレに起因する。そのために、
一辺が３００ｍｍ程度のガラス基板から形成する２枚の
基板１０ａと基板１０ｂでは、左右それぞれ２μｍ程度
のアライメント誤差４２が生じる。
【００２８】このように遮光膜３０は、遮光膜３０を有
する基板１０ａの透明電極１７ｅと対向する基板１０ｂ
の透明電極１７ｆとの双方の透明電極間の間隙を完全に
覆って透明電極間の間隙からの光漏れを防ぐためには、
遮光膜３０の寸法は透明電極１７ｆ間の間隙より４μｍ
程度以上大きく形成するように設計する必要がある。
【００２９】液晶表示装置は前述したように、透明電極
間に電圧を印加し、この透明電極間に挟持する液晶状態
を明暗２種類の状態にすることで種々の表示をおこなう
装置である。したがって液晶表示装置は、液晶を挟持し
ている透明電極の面積が大きいほど明るさのある表示と
なる。
【００３０】ところが透明電極１７ｅや透明電極１７ｆ
間の間隙からの光漏れを防ぐための遮光膜３０は、前述
のように透明電極間の間隙より大きく形成する必要があ
る。このために、遮光膜３０が透明電極１７ｅ、１７ｆ
の一部領域をも遮光することになる。その結果、実際の
表示を行う有効透明電極の面積は、遮光膜３０に覆われ
てしまうため小さくなってしまう。
【００３１】ここで液晶表示装置の画面面積と、この実
際に表示を行う透明電極の有効面積との比を開口率とい
う。このように図２６と図２７とを用いて説明した２種
のアライメント誤差４１、４２を補償する大きさの遮光
膜３０を形成する液晶表示装置の開口率は小さくなる。
したがって、従来の液晶表示装置の表示は、その明るさ
が低下するとういう問題点がある。
【００３２】これらのピンホール３２欠陥とアライメン
ト誤差４１、４２に起因する開口率が小さくなることに
よる明るさの低下との問題点は、アクティブマトリクス
型液晶表示装置においてもまったく同様に発生する。
【００３３】とくに開口率が小さくなる不具合は、アク
ティブマトリクス型液晶表示装置においてはより顕著に
現れる。このアクティブマトリクス型液晶表示装置にお
ける開口率の問題点を図２８を用いて説明する。図２８
は薄膜ダイオード（ＴＦＤ）構造のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置を示す平面図である。
【００３４】図２８に示すように、薄膜ダイオード構造
のスイッチング素子をもつ液晶表示装置は、スイッチン
グ素子３５と信号電極１３とを形成するために、本質的
に前述の単純マトリクス型液晶表示装置と比らべて開口
率は小さくなる。
【００３５】表示の明るさに関係するこの開口率は、さ
らにスイッチング素子３５と信号電極１３とを形成する
基板に対向する基板に形成する遮光膜開口部３０Ｒは、
透明電極の形成時のアライメント誤差と基板重ね合わせ
工程のアライメント誤差により画素電極１９を平面的に
覆い隠して、画素電極１９の有効表示面積を小さくす
る。その結果、表示の明るさの点で問題点がある。
【００３６】ここでたとえば図２８のＣ−Ｃ線における
寸法でいうと、信号電極１３ａの幅寸法を８μｍで形成
し、画素電極１９ａの寸法を１２μｍとし、画素電極１
９ａを左右の信号電極から５μｍ離れた位置に形成した
場合、遮光膜３０ａの設計寸法としては、前述した理由
により、画素電極１９ａを左右各２μｍ覆うように設計
する必要がある。
【００３７】その結果、繰り返しパターンピッチが３０
μｍの液晶表示装置おいては、画素電極１９ａの寸法が
１２μｍあっても、実際の表示に寄与する実効的な画素
電極１９ｂ寸法、すなわち遮光膜開口部３０Ｒの開口寸
法は８μｍとなり、開口率の小さい液晶表示装置となっ
てしまう。
【００３８】つぎに薄膜トランジスタ構造のスイッチン
グ素子をもつアクティブマトリクス型液晶表示装置につ
いて説明する。図２９は薄膜トランジスタ構造のスイッ
チング素子をもつアクティブマトリクス型液晶表示装置
を示す平面図である。
【００３９】図２９に示すように、スイッチング素子を
有する基板には、画素電極１９と薄膜トランジスタから
なるスイッチング素子３５とドレイン電極線３３とゲー
ト電極線３４とを備えている。
【００４０】さらにスイッチング素子３５を有する基板
と対向する基板には、遮光膜開口部３０Ｒを有する遮光
膜と透明電極（図示せず）とを備える。
【００４１】この図２９に示す薄膜トランジスタからな
るスイッチング素子３５をもつ液晶表示装置において
も、図２８に示す薄膜ダイオードからなるスイッチング
素子をもつ液晶表示装置について説明した問題点と同様
に、ドレイン電極線３３とゲート電極線３４とを形成す
る必要がある。このために、液晶表示装置の開口率はよ
り小さくなる問題点がある。
【００４２】つぎに従来技術の液晶表示装置の製造方法
における問題点について、図面を使用して説明する。
【００４３】従来技術の液晶表示装置の製造方法におけ
る第１の問題点は、図２５に示すように、遮光膜３０に
形成するオーバーコート層３１に視認できない微小な大
きさのピンホール３２欠陥が発生することである。
【００４４】このピンホール３２欠陥の発生により透明
電極の電気的短絡不良が発生する結果、液晶表示装置は
不良となってしまう欠点である。しかもそのピンホール
３２欠陥不良は視認できない。したがって液晶表示装置
の最終工程の電気特性検査でしか、ピンホール３２欠陥
が発見できないという問題点である。
【００４５】従来の液晶表示装置の製造方法における第
２の問題点は、小さい大きさの液晶表示装置を製造する
場合には良品率が低下する問題がある。
【００４６】たとえば３０μｍ程度の小さい繰り返しパ
ターンピッチの液晶表示装置を製造する場合には、上述
した理由によりできるだけ開口率を大きくする必要があ
る。このために、対向する基板を重ね合わせる工程にお
いてアライメント誤差の許容範囲を通常の２μｍ程度以
下にする必要がある。
【００４７】その結果、製造装置の精度を超えるアライ
メント精度以内の製品の良品率は低下してしまう問題点
がある。
【００４８】本発明の目的は、上記課題を解決して、表
示画素面積を最大限有効に利用することにより液晶表示
品質を向上した液晶表示装置およびその製造方法を提供
することを目的とするものである。
【００４９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の液晶表示装置およびその製造方法は、下記
記載の手段を採用する。
【００５０】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示
装置は、スイッチング素子を有する基板の下部電極パタ
ーンと画素電極との非形成部に遮光パターンを設け、遮
光パターンは色材を含むネガ型感光性樹脂からなること
を特徴とする。
【００５１】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示
装置の製造方法は、基板上にスイッチング素子と下部電
極パターンと画素電極とを形成する工程と、画素電極上
にメッキ被膜を形成する工程と、ネガ型感光性樹脂を形
成する工程と、メッキ被膜と下部電極電極パターンをフ
ォトマスクとしてスイッチング素子を有する基板の裏面
よりネガ型感光性樹脂を露光しネガ型感光性樹脂を硬化
させる工程と、未露光部のネガ型感光性樹脂を現像処理
により除去する工程と、メッキ被膜をエッチング除去し
て遮光パターンを下部電極パターンと画素電極との非形
成部に形成する工程とを有することを特徴とする。
【００５２】本発明の単純マトリクス型液晶表示装置
は、透明電極を有する基板と透明電極を有する基板との
透明電極を直交させて液晶表示装置を構成する液晶表示
装置にあって、基板の透明電極の非形成領域に遮光パタ
ーンを設け、遮光パターンは色材を含むネガ型感光性樹
脂からなることを特徴とする。
【００５３】本発明の液晶表示装置の製造方法は、透明
電極を有する基板と透明電極を有する基板との透明電極
を直交させて液晶表示装置を構成する液晶表示装置の製
造方法は、基板上に透明電極を形成する工程と、透明電
極上にメッキ被膜を形成する工程と、ネガ型感光性樹脂
を形成する工程と、メッキ被膜をフォトマスクとして基
板の裏面よりネガ型感光性樹脂を露光硬化する工程と、
未露光部のネガ型感光性樹脂を現像除去する工程と、メ
ッキ被膜をエッチング除去して遮光パターンを透明電極
の非形成部に形成する工程とを有することを特徴とす
る。
【００５４】
【作用】本発明における液晶表示装置およびその製造方
法においては、以下の点が特徴点である。アクティブマ
トリクス型液晶表示装置においては、アクティブ素子を
有する基板の画素電極間間隙と金属電極の非形成部に遮
光パターンを備える。さらに単純マトリクス型液晶表示
装置においては、透明電極間間隙に遮光パターンを備え
る。
【００５５】この遮光パターンの形成方法は、アクティ
ブマトリクス型液晶表示装置においては画素電極上に、
メッキ被膜を形成した上に遮光パターンを構成するネガ
型感光性樹脂を形成し、先に形成したメッキ被膜をフォ
トマスクとして基板裏面よりネガ型感光性樹脂を露光硬
化する。単純マトリクス型液晶表示装置においては、透
明電極上に、メッキ被膜を形成した上に遮光パターンを
構成するネガ型感光性樹脂を形成し、先に形成したメッ
キ被膜をフォトマスクとして基板裏面よりネガ型感光性
樹脂を露光硬化する。
【００５６】そしてネガ型感光性樹脂の未露光部を現像
除去後に、先にフォトマスクとして利用したメッキ被膜
をエッチング除去する。
【００５７】このようにして遮光パターンをアクティブ
マトリクス型液晶表示装置においては画素電極と金属電
極との間隙に形成し、単純マトリクス型液晶表示装置に
おいては透明電極間間隙に形成する。その結果、本発明
の液晶表示装置においては、遮光パターンは表示に利用
する電極を覆って表示電極面積を減少することなく形成
することができる。
【００５８】このように、本発明の液晶表示装置は、遮
光パターンは表示に利用する電極を覆わないような配置
を採用するとともに、対向する基板との重ね合わせ工程
時のアライメント誤差による表示に利用する電極面積を
減少することがない。
【００５９】したがって本発明の液晶表示装置において
は、開口率のおおきな明るい表示品質をもつ液晶表示装
置を得ることができる。
【００６０】
【実施例】以下、本発明の実施例における液晶表示装置
およびその製造方法について図面を用いて詳細に説明す
る。
【００６１】はじめに本発明の実施例におけるアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置の構造を、薄膜ダイオード
構造のスイッチング素子を有する液晶表示装置について
説明する。図１は本発明の実施例における薄膜ダイオー
ドからなるスイッチング素子をもつアクティブマトリク
ス型液晶表示装置を示す断面図であり、図２は本発明の
実施例における薄膜ダイオードからなるスイッチング素
子をもつアクティブマトリクス型液晶表示装置を示す平
面図でる。なお、図１は図２のＡ−Ａ線における断面に
対応する。以下、図１と図２とを交互に参照して説明す
る。
【００６２】図１と図２に示すように、ガラスからなる
基板１０ａ上に、金属電極からなり信号電極１３と薄膜
ダイオード素子の下部電極１４とを兼ねる下部電極パタ
ーン１１ａを設ける。さらにこの下部電極パターン１１
ａの表面に陽極酸化膜１５を設ける。
【００６３】さらにこの陽極酸化膜１５の上に薄膜ダイ
オード素子の上部電極２０を設け、さらに基板１０ａ上
に画素電極１９を設ける。薄膜ダイオード素子からなる
スイッチング素子３５は、下部電極１４と陽極酸化膜１
５と上部電極２０とから構成する。
【００６４】さらに下部電極パターン１１ａと上部電極
２０と画素電極１９とを形成していない非形成部に、色
材を含む遮光パターン２４を設ける。この遮光パターン
２４は図２に示すように格子状の平面パターン形状とす
る。
【００６５】一方、薄膜ダイオード素子からなるスイッ
チング素子３５を形成する基板１０ａに対向する基板１
０ｂには、透明電極１７を設ける。基板１０ｂも基板１
０ａと同様にガラスから構成する。
【００６６】さらに図１と図２には図示は省略するが、
基板１０ａと基板１０ｂにはポリイミドからなる配向膜
を設ける。さらに一方の基板にはシリカ球からなるスペ
ーサーを設け、他方の基板にはエポキシ樹脂からなるシ
ール材を設ける。さらに２枚の基板１０ａ、１０ｂ間に
封入する液晶を備える。
【００６７】つぎに単純マトリクス型液晶表示装置に本
発明の構造を適用する実施例を、図３と図４とを用いて
説明する。図３は本発明の実施例における単純マトリク
ス型液晶表示装置を示す断面図であり、図４は本発明の
実施例における単純マトリクス型液晶表示装置を示す平
面図である。なお、図３は図４のＢ−Ｂ線における断面
に対応する。以下、図３と図４とを交互に参照して説明
する。
【００６８】本発明の単純マトリクス型液晶表示装置
は、図３と図４に示すように、対向する２つのガラスか
らなる基板１０ａと基板１０ｂとの上に、透明電極１７
ａと透明電極１７ｂとをそれぞれ設ける。
【００６９】さらに基板１０ａ上の透明電極１７ａを形
成していない非形成部に色材を含む遮光パターン２４を
設ける。さらにまた基板１０ｂの透明電極１７ｂを形成
していない非形成部に色材を含む遮光パターン２４を設
ける。
【００７０】さらに図３と図４には図示は省略するが、
基板１０ａと基板１０ｂにはポリイミドからなる配向膜
を設ける。さらに一方の基板にはシリカ球からなるスペ
ーサーを設け、他方の基板にはエポキシ樹脂からなるシ
ール材を設ける。そして透明電極１７ａと透明電極１７
ｂとが直交するように２枚の基板１０ａ、１０ｂを張り
合わせ、基板間に封入する液晶を備える。
【００７１】つぎに以上説明した本発明の実施例におけ
る液晶表示装置を形成するたの製造方法における実施例
について説明する。
【００７２】まずアクティブマトリクス型液晶表示装置
の製造方法の実施例について、薄膜ダイオードからなる
スイッチング素子を有する液晶表示装置の製造方法を、
図５から図１３を用いて説明する。図５〜図１３は本発
明の実施例におけるアクティブマトリクス型液晶表示装
置の製造方法を説明する液晶表示装置の基板を示す断面
図である。なおこの図５から図１３の断面図は、図１の
Ａ−Ａ線における断面に対応する。
【００７３】はじめに図５に示すように、ガラスからな
る基板１０ａ上に、下部電極１１材料としてタンタル
（Ｔａ）をスパッタリング法によりおよそ１００ｎｍの
膜厚に形成する。
【００７４】つぎにポジ型レジストを回転塗布法により
形成し、第１のフォトマスクを用いてポジ型レジストを
露光し現像処理を行い、露光部を現像除去して第１のレ
ジストパターン１２を形成する。この第１のレジストパ
ターン１２は下部電極パターン１１ａに対応するパター
ン形状に形成する。
【００７５】つぎに図６に示すように、平行平板型電極
構造のエッチング装置内にエッチングガスをとして六フ
ッ化イオウ（ＳＦ6 ）を２００ｃｃ／分とヘリウム（Ｈ
ｅ）を２０ｃｃ／分と酸素を３０ｃｃ／分の流量を導入
し、エッチング装置内圧力を６．５Ｐａとし、高周波電
力を１ｋＷの条件で第１のレジストパターン１２をエッ
チングマスクとして下部電極層材料であるタンタルをエ
ッチングして、信号電極１３と薄膜ダイオード素子の下
部電極１４とを兼ねる下部電極パターン１１ａを形成す
る。
【００７６】その後、第１のレジストパターン１２を湿
式剥離法により除去する。その後、図７に示すように、
下部電極パターン１１ａを０．１％クエン酸溶液中で陽
極酸化電圧３５Ｖの条件で陽極酸化処理を行い、下部電
極パターン１１ａの表面に約７０ｎｍの厚さの陽極酸化
膜１５を形成する。
【００７７】つぎに図８に示すように、スパッタリング
装置内に酸素（Ｏ2 ）をＯ．５から１％含むアルゴン
（Ａｒ）ガスを導入し、スパッタリング圧力を１．５Ｐ
ａの条件で酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）からなる透明
電極膜１６を約１００ｎｍの厚さで形成する。
【００７８】つぎにポジ型レジストを回転塗布法により
透明電極膜１６上に形成し、露光光源と第２のフォトマ
スクとを用いて露光処理と現像処理とを行い、未露光部
のポジ型レジストの現像除去をおこなって第２のレジス
トパターン１８を形成する。この第２のレジストパター
ン１８は上部電極１４と画素電極１９とに対応するパタ
ーン形状に形成する。
【００７９】つぎに図９に示すように、第２のレジスト
パターン１８をエッチングマスクとして、透明電極膜１
８を塩化第二鉄（ＦｅＣｌ3 ）と塩酸（ＨＣｌ）との混
合液でエッチングして、画素電極１９と薄膜ダイオード
素子の上部電極２０とを形成する。その後に第２のレジ
ストパターン１８を湿式剥離法により除去する。
【００８０】つぎに遮光パターン２４の製造方法につい
て説明する。スイッチング素子を有する基板を以下に記
載する方法によって前処理して、メッキ被膜が付着しや
すい状態にする。
【００８１】まず、画素電極１９を構成する酸化インジ
ウムスズ上に表面がスズ（Ｓｎ）被膜で覆われたパラジ
ウム（Ｐｄ）微粒子層を形成する。以下、この処理材料
をアクチベータと呼ぶ。
【００８２】すなわち、スイッチング素子を有する基板
を、アクチベータの塩酸溶液として日立化成株式会社製
商品名 ＨＳ−１０１Ｂに、温度２５℃で、時間２分
の条件で浸漬処理して、パラジウム微粒子層を酸化イン
ジウムスズからなる上部電極２０と画素電極１９との上
面に付着するように形成する。
【００８３】つぎにパラジウム微粒子層の表面を覆うス
ズ被膜の表面側のスズを溶解してパラジウムを露出した
層を形成する。以下、この処理材料をアクセレータと呼
ぶ。
【００８４】すなわち、パラジウム微粒子層を形成した
基板を、アクセレータ溶液として日立化成株式会社製
商品名 ＡＤＰ−２０１に、温度２５℃で、時間３分の
条件で浸漬処理して、表面側のスズを溶解し、内部のパ
ラジウムを露出した層を形成する。
【００８５】以下、上記の前処理を活性化処理と呼び、
活性化したパラジウム微粒子層を活性層と呼ぶ。この活
性化処理により形成する活性層にメッキ被膜２１が付着
形成しやすい状態となる。
【００８６】つぎに図１０に示すように、活性化処理し
た基板を、メッキ液として日本カニゼン株式会社製 商
品名 シューマー溶液に温度８５℃で、時間２分の条件
で浸漬する。
【００８７】この結果、活性層を形成した酸化インジウ
ムスズ、すなわち画素電極１９と、薄膜ダイオード素子
からなるスイッチング素子の上部電極２０との上面に、
メッキ被膜２１としてニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）被膜
を約０．１μｍの厚さに形成する。なお、図１０におい
ては活性化処理によるパラジウム微粒子層の図示は省略
してある。
【００８８】つぎに図１１に示すように、ネガ型感光性
樹脂２２としてカラーレジスト、富士ハントエレクトロ
ニクステクノロジー株式会社製 商品名 ＣＫ−Ｓ１７
１を回転塗布法により約１．５μｍの厚さに形成する。
【００８９】このネガ型感光性樹脂２２は紫外波長部に
吸収感度をもち、黒色の色材として黒色の顔料微粒子を
このネガ型感光性樹脂２２中に含有している。
【００９０】つぎに下部電極パターン１１ａとメッキ被
膜２１とをフォトマスクとして、基板裏面より露光光源
２３で露光して、露光光源２３により光照射された領域
の下部電極パターン１１ａとメッキ被膜２１との非形成
部のネガ型感光性樹脂２２を露光硬化させる。
【００９１】つぎに図１２に示すように、未露光部のネ
ガ型感光樹脂２２を０．１％テトラメチルアンモニウム
ハイドロキサイド（ＴＭＡＨ）を用いる現像処理によっ
て除去する。この結果、画素電極１９と下部電極パター
ン１１ａを形成していない非形成部に遮光パターン２４
を形成することができる。
【００９２】つぎに画素電極１９と上部電極２０上面の
メッキ被膜２１をエッチング除去する。すなわちエッチ
ング液としてリン酸（Ｈ3 ＰＯ3 ）と硝酸（ＨＮＯ3 ）
との混合溶液で、温度４０℃で、時間３分条件でメッキ
被膜２１をエッチング除去する。この結果、メッキ被膜
２１で覆われていた画素電極１９と上部電極２０との酸
化インジウムスズ表面を露出させることができる。
【００９３】この結果、図１３に示すように、薄膜ダイ
オード素子からなるスイッチング素子３５を有する基板
１０ａ上に、信号電極１３とスイッチング素子３５の下
部電極１４とを兼ねる下部電極パターン１１ａと画素電
極１９とを形成していない非形成部に遮光パターン２４
を形成することができる。
【００９４】以下の処理工程の図示は省略するが、薄膜
ダイオード素子構造のスイッチング素子３５を有する基
板１０ａと対向する基板１０ｂとにポリイミドからなる
配向膜を形成し、一方の基板にはシリカ球からなるスペ
ーサーを水に分散した溶液を噴霧法により形成し、他方
の基板にはエポキシ樹脂からなるシール材をスクリーン
印刷法により形成する。さらに２枚の基板をシール材を
用いて張り合わせ、さらに基板間に液晶を注入して、ア
クティブマトリクス型液晶表示装置を得ることができ
る。
【００９５】つぎに単純マトリクス型液晶表示装置の製
造方法における実施例について、図１４から図１８を用
いて説明する。図１４から図１８は本発明の実施例にお
ける単純マトリクス型液晶表示装置の製造方法を説明す
る液晶表示装置を示す断面図である。
【００９６】まずはじめに図１４に示すように、いずれ
もガラスからなる基板１０ａと基板１０ｂ上に、透明電
極膜１６材料である酸化インジウムスズをスパッタリン
グ法によりおよそ２００ｎｍの膜厚にそれぞれ形成す
る。
【００９７】つぎに基板１０ａの透明電極膜１６上にポ
ジ型レジストを回転塗布法により形成し、フォトマスク
を用いてポジ型レジストを露光し、さらに露光部を現像
除去してレジストパターン２６ａを形成する。同様に１
０ｂの透明電極膜１６上にポジ型レジストを回転塗布法
で形成し、フォトマスクを用いてポジ型レジストを露光
処理と現像処理とを行い、露光部を現像除去してレジス
トパターン２６ｂを形成する。
【００９８】つぎに図１５に示すように、レジストパタ
ーン２６ａをエッチングマスクとして透明電極膜１６を
塩化第二鉄と塩酸の混合液でエッチングした後に、湿式
法によりレジストパターンを剥離して透明電極１７ａを
形成する。同様にレジストパターン２６ｂをエッチング
マスクとして透明電極膜１６を塩化第二鉄と塩酸の混合
液でエッチングした後に、湿式法によりレジストパター
ンを剥離して透明電極１７ｂを形成する。
【００９９】つぎに図１６に示すように、先の実施例と
同様の処理工程を行って基板１０ａと基板１０ｂとの透
明電極１７ａと透明電極１７ｂとを活性化処理を行う。
さらにその後に、ニッケル−リン被膜からなるメッキ被
膜２１を約０．１μｍの厚さに、透明電極１７ａと透明
電極１７ｂとの上面に形成する。
【０１００】つぎにネガ型感光性樹脂２２としてカラー
レジスト、富士ハントエレクトロニクステクノロジ株式
会社製 商品名 ＣＫ−Ｓ１７１を回転塗布法によっ
て、基板１０ａと基板１０ｂとに約１．５μｍの厚さに
それぞれ形成する。
【０１０１】つぎに透明電極１７ａ上面に形成したメッ
キ被膜２１をフォトマスクとして、基板１０ａの裏面よ
り露光光源２３で露光し、メッキ被膜２１を形成してい
ない非形成部のネガ型感光性樹脂２２を露光硬化させ
る。
【０１０２】同様に透明電極１７ｂ上面に形成したメッ
キ被膜２１をフォトマスクとして、基板１０ｂの裏面よ
り露光光源２３で露光し、メッキ被膜２１を形成してい
ない非形成部のネガ型感光性樹脂２２を露光硬化させ
る。
【０１０３】つぎに図１７に示すように、透明電極１７
ａと透明電極１７ｂとの上面の未露光部のネガ型感光性
樹脂２２を０．１％テトラメチルアンモニウムハイドロ
キサイドで現像除去する。
【０１０４】この結果、基板１０ａのネガ型感光性樹脂
２２の露光硬化部にである透明電極１７ａの非形成部に
遮光パターン２４を形成することができる。同じように
基板１０ｂのネガ型感光性樹脂２２の露光硬化部にであ
る透明電極１７ｂの非形成部に遮光パターン２４を形成
することができる。
【０１０５】つぎに透明電極１７ａと透明電極１７ｂと
の上面のメッキ被膜２１をエッチング処理によってそれ
ぞれ除去する。メッキ被膜２１のエッチング液としては
リン酸と硝酸の混合溶液を使用する。
【０１０６】メッキ被膜２１をエッチング除去した結
果、メッキ被膜２１で覆われていた透明電極１７ａと透
明電極１７ｂとの酸化インジウムスズ表面を露出させる
ことができる。
【０１０７】この結果、図１８に示すように、基板１０
ａの透明電極１７ａを形成していない非形成部に遮光パ
ターン２４を形成することができる。同様に基板１０ｂ
の透明電極１７ｂを形成していない非形成部に遮光パタ
ーン２４を形成することができる。
【０１０８】以下の処理工程の図示は省略するが、透明
電極１７ａを有する基板１０ａと対向する基板１０ｂと
にポリイミドからなる配向膜を形成し、一方の基板には
シリカ球からなるスペーサーを水に分散した溶液を噴霧
法により形成し、他方の基板にはエポキシ樹脂からなる
シール材をスクリーン印刷法により形成する。さらに２
枚の基板をシール材を用いて張り合わせ、さらに基板間
に液晶を注入して、単純マトリクス型液晶表示装置を得
る。
【０１０９】つぎに遮光パターンを形成する樹脂が可染
性のネガ型感光性樹脂であり、露光硬化したネガ型感光
性樹脂パターンを黒色に染色する遮光パターンの製造方
法について、薄膜ダイオード構造のスイッチング素子を
有するアクティブマトリクス型液晶表示装置について説
明する。
【０１１０】図５から図９を用いて説明した方法と同様
な処理工程によって、スイッチング素子３５と、信号電
極１３と、画素電極１９とを形成する。
【０１１１】すなわち、基板１０ａ上にスパッタリング
法によりタンタル膜を形成し、このタンタル膜上に形成
する第１のレジストパターン１２をエッチングマスクと
してタンタル膜を乾式法によりエッチングして、薄膜ダ
イオード素子の下部電極１４と信号電極１３とを形成す
る。
【０１１２】つぎに陽極酸化法により薄膜ダイオード素
子の下部電極１４と信号電極１３との表面に陽極酸化膜
１５を形成する。
【０１１３】つぎにスパッタリング法により酸化インジ
ウムスズを形成し、この酸化インジウムスズ膜上に形成
する第２のレジストパターン１８をエッチングマスクと
して酸化インジウムスズ膜を湿式法によりエッチングし
て、画素電極１９と薄膜ダイオード素子３５の上部電極
２０とを形成する。
【０１１４】つぎに可染性のネガ型感光性樹脂を硬化
し、黒色に染色して形成する遮光パターンの製造方法の
実施例について、図１９から図２２を用いて説明する。
図１９から図２２は本発明の実施例における可染性ネガ
型感光性樹脂からなる遮光パターンを形成するアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置の製造方法を説明する液晶
表示装置の基板の断面図である。なお図１９から図２２
は図２のＡ−Ａ線における断面を示す断面図である。
【０１１５】図１９に示すように、薄膜ダイオードから
なる素子スイッチング素子３５を有する基板１０ａ上の
画素電極１９と薄膜ダイオード素子の上部電極２０とを
活性化処理を行う。その後に、画素電極１９と上部電極
２０の上面にメッキ被膜２１を形成する。
【０１１６】つぎに可染性ネガ型感光性樹脂２７として
ゼラチン、富士薬品株式会社製 商品名 ＦＣＲ−５０
０と、重クロム酸アンモニウム（（ＮＨ4 ）2 Ｃｒ2 Ｏ
7 ）との混合溶液を、回転塗布法により１．５μｍの厚
さに形成する。
【０１１７】つぎに信号電極と薄膜ダイオード素子の下
部電極とを兼ねる下部電極パターン１１ａとメッキ被膜
２１と画素電極１９上のメッキ被膜２１をフォトマスク
として、基板１０ａ裏面より露光光源２３で露光処理す
る。この結果、下部電極パターン１１ａとメッキ被膜２
１とを形成しない非形成部の可染性ネガ型感光性樹脂２
７を露光硬化する。
【０１１８】つぎに図２０に示すように、画素電極１９
と下部電極パターン１１ａ上面の未露光部の可染性ネガ
型感光性樹脂２７を酢酸（ＣＨ3 ＣＯＯＨ）水溶液で現
像除去して、可染性樹脂パターン２８を形成する。この
結果、可染性樹脂パターン２８は、画素電極１９と下部
電極パターン１１ａとを形成しない、非形成部に形成す
ることができる。
【０１１９】つぎに可染性樹脂パターン２８を、染料と
して日本化薬株式会社製 商品名ＢＫ１８１を用いて、
濃度０．５％で、水素イオン濃度（ペーハ：ＰＨ）３
で、温度７０℃で、時間１０分の条件で黒色に染色す
る。
【０１２０】つぎに図２１に示すように、染色した可染
性樹脂パターン２８をタンニン酸と吐酒石の０．０１％
溶液で、それぞれ温度７０℃で、時間５分の条件で浸漬
し、染色した可染性樹脂パターンを防染処理して遮光パ
ターン２４を形成する。
【０１２１】つぎにメッキ被膜２１をリン酸と硝酸の混
合溶液でエッチング除去してメッキ被膜２１で覆われて
いた画素電極１９と上部電極２０との酸化インジウムス
ズ表面を露出させる。
【０１２２】この結果、図２２に示す薄膜ダイオード構
造のスイッチング素子３５を有する基板１０ａに、信号
電極と薄膜ダイオード素子の下部電極とを兼ねる下部電
極パターン１１ａと画素電極１９とを形成していない非
形成部に遮光パターン２４を形成することができる。
【０１２３】以下の処理工程の図示は省略するが、薄膜
ダイオード素子構造のスイッチング素子３５を有する基
板１０ａと対向する基板１０ｂとにポリイミドからなる
配向膜を形成し、一方の基板にはシリカ球からなるスペ
ーサーを水に分散した溶液を噴霧法により形成し、他方
の基板にはエポキシ樹脂からなるシール材をスクリーン
印刷法により形成する。さらに２枚の基板をシール材を
用いて張り合わせ、さらに基板間に液晶を注入して、ア
クティブマトリクス型液晶表示装置を得る。
【０１２４】つぎにフォトマスクを基板と露光光源の間
に設置して基板裏面より露光して遮光パターンを形成す
る液晶表示装置の製造方法について、薄膜ダイオード構
造のスイッチング素子を有するアクティブマトリクス型
液晶表示装置における実施例を説明する。
【０１２５】図５から図９を用いて説明した方法と同様
な処理工程によって、スイッチング素子３５と、信号電
極１３と、画素電極１９とを形成する。
【０１２６】すなわち、基板１０ａ上にスパッタリング
法によりタンタル膜を形成し、このタンタル膜上に形成
する第１のレジストパターン１２をエッチングマスクと
してタンタル膜を乾式法によりエッチングして、薄膜ダ
イオード素子の下部電極１４と信号電極１３とを形成す
る。
【０１２７】つぎに陽極酸化法により薄膜ダイオード素
子の下部電極１４と信号電極１３との表面に陽極酸化膜
１５を形成する。
【０１２８】つぎにスパッタリング法により酸化インジ
ウムスズを形成し、この酸化インジウムスズ膜上に形成
する第２のレジストパターン１８をエッチングマスクと
して酸化インジウムスズ膜を湿式法によりエッチングし
て、画素電極１９と薄膜ダイオード素子３５の上部電極
２０とを形成する。
【０１２９】つぎに基板と露光光源との間にフォトマス
クを設置し基板裏面より露光して遮光パターンを形成す
る方法について、図２３と図２４を用いて説明する。図
２３と図２４は本発明の実施例におけるフォトマスクを
基板と露光光源との間に設置して基板裏面より露光して
遮光パターンを形成するアクティブマトリクス型液晶表
示装置の製造方法を説明する液晶表示装置の基板を示す
断面図である。なお、図２３と図２４とは、図２のＣ−
Ｃ線における断面に対応する。
【０１３０】図２３に示すように、スイッチング素子３
５を有する基板１０ａ上の画素電極１９と薄膜ダイオー
ド素子の上部電極２０とを活性化処理する。その後に、
画素電極１９と上部電極２０との上面にメッキ被膜２１
を形成する。
【０１３１】その後、全面に黒色色材を含むネガ型感光
性樹脂２２を回転塗布法によって、１．５μｍの厚さに
形成する。
【０１３２】その後、スイッチング素子３５を有する基
板１０ａと露光光源２３との間に、第３のフォトマスク
２５を設置して基板１０ａ裏面より露光処理する。
【０１３３】このときネガ型感光性樹脂２２は、第３の
フォトマスク２５と下部電極１１ａとメッキ被膜２１と
をフォトマスクとして露光処理を行い、露光光源２３の
光照射されない領域が硬化する。
【０１３４】この結果、図２４に示すように、第３のフ
ォトマスク２５の開口部のうち、信号電極と薄膜ダイオ
ード素子の下部電極とを兼ねる下部電極１１ａパターン
と、画素電極１９とを形成していない、非形成部に遮光
パターン２４を形成する。
【０１３５】つぎにメッキ被膜２１をリン酸と硝酸の混
合溶液でエッチング除去してメッキ被膜２１で覆われて
いた画素電極１９と上部電極２０との酸化インジウムス
ズ表面を露出して、遮光パターン２４を有する基板１０
ａを形成する。
【０１３６】以下の処理工程の図示は省略するが、薄膜
ダイオード素子構造のスイッチング素子３５を有する基
板１０ａと対向する基板１０ｂとにポリイミドからなる
配向膜を形成し、一方の基板にはシリカ球からなるスペ
ーサーを水に分散した溶液を噴霧法により形成し、他方
の基板にはエポキシ樹脂からなるシール材をスクリーン
印刷法により形成する。さらに２枚の基板をシール材を
用いて張り合わせ、さらに基板間に液晶を注入して、ア
クティブマトリクス型液晶表示装置を得る。
【０１３７】本発明の液晶表示装置の縦横の繰り返しピ
ッチ寸法をそれぞれ６１μｍ、３３μｍとし、縦横の電
極数をそれぞれ２４０本、６４０本とし、隣接する電極
間間隙を５μｍの条件で形成した。さらに、薄膜ダイオ
ード構造のスイッチング素子３５を有するアクティブマ
トリクス型液晶表示装置においては、信号電極１３の電
極寸法を８μｍとした。
【０１３８】本発明による液晶表示装置との比較のため
に、従来の液晶表示装置も同じ設計寸法で製造した。さ
らに露光装置のアライメント誤差を２μｍとし、対向す
る基板のアライメント誤差を３μｍとした。
【０１３９】従来のクロム金属からなる遮光膜と、本発
明のネガ型感光性樹脂からなる遮光パターンを有する単
純マトリクス型液晶表示装置をそれぞれ１００ケ製造し
た。その結果、遮光膜と遮光パターンを有する基板の遮
光膜を介しての電気的短絡不良が原因と思われる不良
が、従来の液晶表示装置においては３％であり、本発明
の液晶表示装置においては０％であった。すなわち、遮
光パターン２４を介しての電気的短絡不良のない液晶表
示装置の製造が可能となった。
【０１４０】従来のクロム金属からなる遮光膜と本発明
のネガ型感光性樹脂からなる遮光パターンを有する薄膜
ダイオード構造のアクティブマトリクス型液晶表示装置
をそれぞれ５０ケ製造した。
【０１４１】その結果、液晶表示装置の開口率は、従来
の液晶表示装置ではおよそ３２％であり、本発明の開口
率はおよそ５１％となって、明るい表示品質の液晶表示
装置の製造が可能となる。
【０１４２】
【発明の効果】以上述べたように本発明の液晶表示装置
によれば、遮光パターンは電気的絶縁性のあるネガ型感
光性樹脂からなる。このために、隣接する画素電極が遮
光パターンを介する電気的短絡不良のない液晶表示装置
の提供が可能となる。
【０１４３】さらには、本発明の遮光パターンは表示に
利用する画素電極や透明電極の非形成部に形成する。こ
のために、開口率の大きい明るい表示品質の液晶表示装
置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例における薄膜ダイオード素子か
らなるスイッチング素子をもつアクティブマトリクス型
液晶表示装置を示す断面図である。
【図２】本発明の実施例における薄膜ダイオード素子か
らなるスイッチング素子をもつアクティブマトリクス型
液晶表示装置を示す平面図であり、図２のＡ−Ａ線にお
ける断面が図１に対応する。
【図３】本発明の実施例における単純マトリクス型液晶
表示装置を示す断面図である。
【図４】本発明の実施例における単純マトリクス型液晶
表示装置を示す平面図であり、図４のＢ−Ｂ線における
断面が図３に対応する。
【図５】本発明の実施例における薄膜ダイオード素子か
らなるスイッチング素子をもつアクティブマトリクス型
液晶表示装置の製造方法を説明する液晶表示装置の基板
を示す断面図である。
【図６】本発明の実施例における薄膜ダイオード素子か
らなるスイッチング素子をもつアクティブマトリクス型
液晶表示装置の製造方法を説明する液晶表示装置の基板
を示す断面図である。
【図７】本発明の実施例における薄膜ダイオード素子か
らなるスイッチング素子をもつアクティブマトリクス型
液晶表示装置の製造方法を説明する液晶表示装置の基板
を示す断面図である。
【図８】本発明の実施例における薄膜ダイオード素子か
らなるスイッチング素子をもつアクティブマトリクス型
液晶表示装置の製造方法を説明する液晶表示装置の基板
を示す断面図である。
【図９】本発明の実施例における薄膜ダイオード素子か
らなるスイッチング素子をもつアクティブマトリクス型
液晶表示装置の製造方法を説明する液晶表示装置の基板
を示す断面図である。
【図１０】本発明の実施例における薄膜ダイオード素子
からなるスイッチング素子をもつアクティブマトリクス
型液晶表示装置の製造方法を説明する液晶表示装置の基
板を示す断面図である。
【図１１】本発明の実施例における薄膜ダイオード素子
からなるスイッチング素子をもつアクティブマトリクス
型液晶表示装置の製造方法を説明する液晶表示装置の基
板を示す断面図である。
【図１２】本発明の実施例における薄膜ダイオード素子
からなるスイッチング素子をもつアクティブマトリクス
型液晶表示装置の製造方法を説明する液晶表示装置の基
板を示す断面図である。
【図１３】本発明の実施例における薄膜ダイオード素子
からなるスイッチング素子をもつアクティブマトリクス
型液晶表示装置の製造方法を説明する液晶表示装置の基
板を示す断面図である。
【図１４】本発明の実施例における単純マトリクス型液
晶表示装置の製造方法を説明する液晶表示装置を示す断
面図である。
【図１５】発明の実施例における単純マトリクス型液晶
表示装置の製造方法を説明する液晶表示装置を示す断面
図である。
【図１６】発明の実施例における単純マトリクス型液晶
表示装置の製造方法を説明する液晶表示装置を示す断面
図である。
【図１７】発明の実施例における単純マトリクス型液晶
表示装置の製造方法を説明する液晶表示装置を示す断面
図である。
【図１８】発明の実施例における単純マトリクス型液晶
表示装置の製造方法を説明する液晶表示装置を示す断面
図である。
【図１９】本発明の実施例における可染性ネガ型感光性
樹脂からなる遮光パターンを形成し薄膜ダイオード素子
からなるスイッチング素子をもつアクティブマトリクス
型液晶表示装置の製造方法を説明する液晶表示装置の基
板を示す断面図である。
【図２０】本発明の実施例における可染性ネガ型感光性
樹脂からなる遮光パターンを形成し薄膜ダイオード素子
からなるスイッチング素子をもつアクティブマトリクス
型液晶表示装置の製造方法を説明する液晶表示装置の基
板を示す断面図である。
【図２１】本発明の実施例における可染性ネガ型感光性
樹脂からなる遮光パターンを形成し薄膜ダイオード素子
からなるスイッチング素子をもつアクティブマトリクス
型液晶表示装置の製造方法を説明する液晶表示装置の基
板を示す断面図である。
【図２２】本発明の実施例における可染性ネガ型感光性
樹脂からなる遮光パターンを形成し薄膜ダイオード素子
からなるスイッチング素子をもつアクティブマトリクス
型液晶表示装置の製造方法を説明する液晶表示装置の基
板を示す断面図である。
【図２３】本発明の実施例におけるフォトマスクを基板
と露光光源との間に設置して基板裏面より露光して遮光
パターンを形成し薄膜ダイオード素子からなるスイッチ
ング素子をもつアクティブマトリクス型液晶表示装置の
製造方法を説明する液晶表示装置の基板を示す断面図で
ある。
【図２４】本発明の実施例におけるフォトマスクを基板
と露光光源との間に設置して基板裏面より露光して遮光
パターンを形成し薄膜ダイオード素子からなるスイッチ
ング素子をもつアクティブマトリクス型液晶表示装置の
製造方法を説明する液晶表示装置の基板を示す断面図で
ある。
【図２５】従来の液晶表示装置における第１の問題点を
説明するための図面であり、従来の薄膜ダイオード構造
のスイッチング素子をもつアクティブマトリクス型液晶
表示装置および単純マトリクス型液晶表示装置の基板の
クロム薄膜を格子状に形成した遮光膜を有する基板を示
す断面図である。
【図２６】従来の液晶表示装置における第２の問題点を
説明するための図面であり、単純マトリクス型液晶表示
装置を示す断面図である。
【図２７】従来の液晶表示装置における第２の問題点を
説明するための図面であり、単純マトリクス型液晶表示
装置を示す断面図である。
【図２８】従来の液晶表示装置における問題点を説明す
るための図面であり、薄膜ダイオード構造のスイッチン
グ素子を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置を
示す平面図である。
【図２９】従来の液晶表示装置における問題点を説明す
るための図面であり、薄膜トランジスタ構造のスイッチ
ング素子を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置
を示す平面図である。
【符号の説明】
１１ａ 下部電極パターン １３ 信号電極 １９ 画素電極 ２１ メッキ被膜 ２２ ネガ型感光性樹脂 ２４ 遮光パターン ２７ 可染性ネガ型感光性樹脂 ３５ スイッチング素子

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 スイッチング素子を有する基板の下部電
    極パターンと画素電極との非形成部に遮光パターンを設
    け、遮光パターンは色材を含むネガ型感光性樹脂からな
    ることを特徴とする液晶表示装置。
  2. 【請求項２】 基板上にスイッチング素子と下部電極パ
    ターンと画素電極とを形成する工程と、画素電極上にメ
    ッキ被膜を形成する工程と、ネガ型感光性樹脂を形成す
    る工程と、メッキ被膜と下部電極電極パターンをフォト
    マスクとしてスイッチング素子を有する基板の裏面より
    ネガ型感光性樹脂を露光しネガ型感光性樹脂を硬化させ
    る工程と、未露光部のネガ型感光性樹脂を現像処理によ
    り除去する工程と、メッキ被膜をエッチング除去して遮
    光パターンを下部電極パターンと画素電極との非形成部
    に形成する工程とを有することを特徴とする液晶表示装
    置の製造方法。
  3. 【請求項３】 基板上にスイッチング素子と下部電極パ
    ターンと画素電極とを形成する工程と、画素電極上にメ
    ッキ被膜を形成する工程と、黒色の色材を含むネガ型感
    光性樹脂を形成する工程と、メッキ被膜と下部電極電極
    パターンをフォトマスクとしてスイッチング素子を有す
    る基板の裏面よりネガ型感光性樹脂を露光しネガ型感光
    性樹脂を硬化させる工程と、未露光部のネガ型感光性樹
    脂を現像処理により除去する工程と、メッキ被膜をエッ
    チング除去して遮光パターンを下部電極パターンと画素
    電極との非形成部に形成する工程とを有することを特徴
    とする液晶表示装置の製造方法。
  4. 【請求項４】 基板上にスイッチング素子と下部電極パ
    ターンと画素電極とを形成する工程と、画素電極上にメ
    ッキ被膜を形成する工程と、可染性樹脂からなるネガ型
    感光性樹脂を形成し黒色に染色する工程と、メッキ被膜
    と下部電極電極パターンをフォトマスクとしてスイッチ
    ング素子を有する基板の裏面よりネガ型感光性樹脂を露
    光しネガ型感光性樹脂を硬化させる工程と、未露光部の
    ネガ型感光性樹脂を現像処理により除去する工程と、メ
    ッキ被膜をエッチング除去して遮光パターンを下部電極
    パターンと画素電極との非形成部に形成する工程とを有
    することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 基板上にスイッチング素子と下部電極パ
    ターンと画素電極とを形成する工程と、画素電極上にメ
    ッキ被膜を形成する工程と、ネガ型感光性樹脂を形成す
    る工程と、フォトマスクを露光光源とスイッチング素子
    を有する基板との間に設置しさらにメッキ被膜と下部電
    極電極パターンをフォトマスクとしてスイッチング素子
    を有する基板の裏面よりネガ型感光性樹脂を露光しネガ
    型感光性樹脂を硬化させる工程と、未露光部のネガ型感
    光性樹脂を現像処理により除去する工程と、メッキ被膜
    をエッチング除去して遮光パターンを下部電極パターン
    と画素電極との非形成部に形成する工程とを有すること
    を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
  6. 【請求項６】 透明電極を有する基板と透明電極を有す
    る基板との透明電極を直交させて液晶表示装置を構成す
    る液晶表示装置にあって、基板の透明電極の非形成領域
    に遮光パターンを設け、遮光パターンは色材を含むネガ
    型感光性樹脂からなることを特徴とする液晶表示装置。
  7. 【請求項７】 透明電極を有する基板と透明電極を有す
    る基板との透明電極を直交させて液晶表示装置を構成す
    る液晶表示装置の製造方法は、基板上に透明電極を形成
    する工程と、透明電極上にメッキ被膜を形成する工程
    と、ネガ型感光性樹脂を形成する工程と、メッキ被膜を
    フォトマスクとして基板の裏面よりネガ型感光性樹脂を
    露光硬化する工程と、未露光部のネガ型感光性樹脂を現
    像除去する工程と、メッキ被膜をエッチング除去して遮
    光パターンを透明電極の非形成部に形成する工程とを有
    することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 透明電極を有する基板と透明電極を有す
    る基板との透明電極を直交させて液晶表示装置を構成す
    る液晶表示装置の製造方法は、基板上に透明電極を形成
    する工程と、透明電極上にメッキ被膜を形成する工程
    と、黒色の色材を含むネガ型感光性樹脂を形成する工程
    と、メッキ被膜をフォトマスクとして基板の裏面よりネ
    ガ型感光性樹脂を露光硬化する工程と、未露光部のネガ
    型感光性樹脂を現像除去する工程と、メッキ被膜をエッ
    チング除去して遮光パターンを透明電極の非形成部に形
    成する工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の
    製造方法。
  9. 【請求項９】 透明電極を有する基板と透明電極を有す
    る基板との透明電極を直交させて液晶表示装置を構成す
    る液晶表示装置の製造方法は、基板上に透明電極を形成
    する工程と、透明電極上にメッキ被膜を形成する工程
    と、可染性樹脂からなるネガ型感光性樹脂を形成し、さ
    らに露光硬化した可染性樹脂を黒色に染色する工程と、
    メッキ被膜をフォトマスクとして基板の裏面よりネガ型
    感光性樹脂を露光硬化する工程と、未露光部のネガ型感
    光性樹脂を現像除去する工程と、メッキ被膜をエッチン
    グ除去して遮光パターンを透明電極の非形成部に形成す
    る工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造
    方法。
  10. 【請求項１０】 透明電極を有する基板と透明電極を有
    する基板との透明電極を直交させて液晶表示装置を構成
    する液晶表示装置の製造方法は、基板上に透明電極を形
    成する工程と、透明電極上にメッキ被膜を形成する工程
    と、ネガ型感光性樹脂を形成する工程と、フォトマスク
    を露光光源と基板との間に設置し、さらにメッキ被膜を
    フォトマスクとして基板の裏面よりネガ型感光性樹脂を
    露光硬化する工程と、未露光部のネガ型感光性樹脂を現
    像除去する工程と、メッキ被膜をエッチング除去して遮
    光パターンを透明電極の非形成部に形成する工程とを有
    することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
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