JPH04100021A - 液晶表示用電極基板の製造方法 - Google Patents
液晶表示用電極基板の製造方法Info
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- JPH04100021A JPH04100021A JP2217724A JP21772490A JPH04100021A JP H04100021 A JPH04100021 A JP H04100021A JP 2217724 A JP2217724 A JP 2217724A JP 21772490 A JP21772490 A JP 21772490A JP H04100021 A JPH04100021 A JP H04100021A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 13
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 abstract description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 abstract description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 abstract 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 47
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000012860 organic pigment Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M lithium bromide Chemical compound [Li+].[Br-] AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
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- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
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- G02F2201/506—Repairing, e.g. with redundant arrangement against defective part
- G02F2201/508—Pseudo repairing, e.g. a defective part is brought into a condition in which it does not disturb the functioning of the device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は液晶表示体に用いる電極基板の製造方法に関す
る。
る。
［従来の技術］
液晶テレビなどに用いられるアクティブマトリクスカラ
ー液晶パネルは、−４に色調のよいノマリーホワイト表
示が多く採用されている。すなわち液晶に電圧が印加さ
れていない状態で白表示がなされ、電圧が印加された状
態で黒表示がなされるものである。
ー液晶パネルは、−４に色調のよいノマリーホワイト表
示が多く採用されている。すなわち液晶に電圧が印加さ
れていない状態で白表示がなされ、電圧が印加された状
態で黒表示がなされるものである。
ところが、このノーマリ−ホワイト表示において、アク
ティブマトリクス素子に欠陥があるなどの理由で特定の
画素電極に所定の電圧が印加されない場合、その画素は
常に液晶がＯＦＦ状態となり、常時光が透過する点燈状
態となるため暗い色調の表示状態においては非常に目立
ち易い点欠陥となり見映えの悪さが問題となっていた。
ティブマトリクス素子に欠陥があるなどの理由で特定の
画素電極に所定の電圧が印加されない場合、その画素は
常に液晶がＯＦＦ状態となり、常時光が透過する点燈状
態となるため暗い色調の表示状態においては非常に目立
ち易い点欠陥となり見映えの悪さが問題となっていた。
一方、その声、欠陥が約十万個前後の画素中、数カ所に
発生することは製造工程上、ダスト等の影響により避け
られない問題であるが、液晶パネルを作成後初めて見い
出される欠陥であり、パネル組立て前に見い出すことは
極めて困難なものであった。従って、あらかじめ欠陥画
素に選択的に遮光膜を設けるなどして、点欠陥として目
立たなくする手段を講しることは不可能に近かった。
発生することは製造工程上、ダスト等の影響により避け
られない問題であるが、液晶パネルを作成後初めて見い
出される欠陥であり、パネル組立て前に見い出すことは
極めて困難なものであった。従って、あらかじめ欠陥画
素に選択的に遮光膜を設けるなどして、点欠陥として目
立たなくする手段を講しることは不可能に近かった。
従来、例えば当社のＭＩＭアクティブマトリクスパネル
においては、上述のような点欠陥が主にＭＩＭ素子のＣ
ｒ電極の断線により一画面中に少なくとも数画素程度発
生する場合が多く、カラー表示として色調のよいノーマ
リ−ホワイト表示を行なう際には、たとえ十万個前後の
画素中の数画素とは言え、視覚的に目立ち易い欠陥とし
て問題となっていた。
においては、上述のような点欠陥が主にＭＩＭ素子のＣ
ｒ電極の断線により一画面中に少なくとも数画素程度発
生する場合が多く、カラー表示として色調のよいノーマ
リ−ホワイト表示を行なう際には、たとえ十万個前後の
画素中の数画素とは言え、視覚的に目立ち易い欠陥とし
て問題となっていた。
［発明が解決しようとする課題］
上述のように従来液晶カラーテレビ等のアクティブマト
リクスカラー液晶パネルにおいては、ノーマリ−ホワイ
ト表示において上述のような点欠陥が発生し、画像品質
上問題となっていた。そこで本発明の目的とするところ
は、パネル組立て前にあらかしめアクティブマトリクス
素子基板上の欠陥画素電極上に選択的に遮光膜を形成す
る方法を提供し、数カ所程度の画素欠陥発生にとどまっ
ているレベルのパネルについては、それを目立たなくシ
、パネルとしての画像品質を改善するところにある。
リクスカラー液晶パネルにおいては、ノーマリ−ホワイ
ト表示において上述のような点欠陥が発生し、画像品質
上問題となっていた。そこで本発明の目的とするところ
は、パネル組立て前にあらかしめアクティブマトリクス
素子基板上の欠陥画素電極上に選択的に遮光膜を形成す
る方法を提供し、数カ所程度の画素欠陥発生にとどまっ
ているレベルのパネルについては、それを目立たなくシ
、パネルとしての画像品質を改善するところにある。
〔課題を解決するための手段］
本発明の液晶表示用電極基板の製造方法は、アクティブ
マトリクス素子を形成した透明基板において画素透明電
極上に第１の工程として、所定の分光特性を持つ顔料膜
を湿式電解法により形成した後、第２の工程として遮光
性を有する黒色ネガ型レジストを該アクティブマトリク
ス素子および顔料膜を形成した面上に塗布し、塗布面の
裏面側から露光することによりブラックマトリクスを形
成することを特徴とする。
マトリクス素子を形成した透明基板において画素透明電
極上に第１の工程として、所定の分光特性を持つ顔料膜
を湿式電解法により形成した後、第２の工程として遮光
性を有する黒色ネガ型レジストを該アクティブマトリク
ス素子および顔料膜を形成した面上に塗布し、塗布面の
裏面側から露光することによりブラックマトリクスを形
成することを特徴とする。
以下に本発明の製造方法について、ポイントを要約して
説明する。
説明する。
アクティブマトリクス素子を形成した基板の各の画素透
明電極上に湿式の電解法でカラーフィルター層となる顔
料膜を形成するわけであるが、この時、画素電極にはア
クティブ素子を介して通電され電解が行なわれるため、
アクティブ素子が欠陥である画素については顔料膜が形
成されないことになる。この結果、欠陥素子を持った画
素が検出されるわけである。
明電極上に湿式の電解法でカラーフィルター層となる顔
料膜を形成するわけであるが、この時、画素電極にはア
クティブ素子を介して通電され電解が行なわれるため、
アクティブ素子が欠陥である画素については顔料膜が形
成されないことになる。この結果、欠陥素子を持った画
素が検出されるわけである。
次に全面に黒色のネガ型レジストが塗布されて裏面側か
ら露光されるわけであるが、このとき、顔料膜によるカ
ラーフィルター層は、露光時にネガレジストの感光波長
を吸収するマスクの役目をはたす。一方、アクティブマ
トリクス基板上の配線等も露光時の光を遮光するマスク
の役目をはだすため、結果的に基板上に検出された欠陥
画素部および、画素電極と配線の隙間等にはすべてくま
なく、自己整合的に黒色のレジスト層が形成されること
になる。従って、液晶パネル化した際に、欠陥画素が光
を透過しないことにより、目立たなくなるとともにカラ
ーフィルター層以外は全く可視光を通さないため、極で
容易に高コントラストが確保できることになる。
ら露光されるわけであるが、このとき、顔料膜によるカ
ラーフィルター層は、露光時にネガレジストの感光波長
を吸収するマスクの役目をはたす。一方、アクティブマ
トリクス基板上の配線等も露光時の光を遮光するマスク
の役目をはだすため、結果的に基板上に検出された欠陥
画素部および、画素電極と配線の隙間等にはすべてくま
なく、自己整合的に黒色のレジスト層が形成されること
になる。従って、液晶パネル化した際に、欠陥画素が光
を透過しないことにより、目立たなくなるとともにカラ
ーフィルター層以外は全く可視光を通さないため、極で
容易に高コントラストが確保できることになる。
さらに本発明の顔料膜によるカラーフィルターの形成法
は、すでに我々が特開平２−２４６０３により提案した
方法であるが、レドックス反応性を有する界面活性剤の
ミセル水溶液中に顔料を分散した後、該ミセル水滴液中
で電解を行なうことにより顔料膜を形成するものであり
、Ｒ，Ｇ、Ｂ３原色の顔料膜を形成できる。また、この
電解は通常＋０．３〜０．５Ｖ （Ｖ、、Ｓ、Ｃ，Ｅ）
（７）低電位で可能であるため、アクティブ素子を形成
した基板をアノード電極として膜形成に用いても、少な
くともアクティブ素子における電解液に接する金属は０
．５Ｖ以下の電位に保持できるためその溶解は極めて起
こりにくい、この方法にょり形成される顔料膜からなる
カラーフィルター層は通常１０μｍ以下の膜厚で十分な
分光特性を得ることができる。
は、すでに我々が特開平２−２４６０３により提案した
方法であるが、レドックス反応性を有する界面活性剤の
ミセル水溶液中に顔料を分散した後、該ミセル水滴液中
で電解を行なうことにより顔料膜を形成するものであり
、Ｒ，Ｇ、Ｂ３原色の顔料膜を形成できる。また、この
電解は通常＋０．３〜０．５Ｖ （Ｖ、、Ｓ、Ｃ，Ｅ）
（７）低電位で可能であるため、アクティブ素子を形成
した基板をアノード電極として膜形成に用いても、少な
くともアクティブ素子における電解液に接する金属は０
．５Ｖ以下の電位に保持できるためその溶解は極めて起
こりにくい、この方法にょり形成される顔料膜からなる
カラーフィルター層は通常１０μｍ以下の膜厚で十分な
分光特性を得ることができる。
通常、ノーマリ−ホワイト表示を行なう際には、液晶パ
ネルの上下基板間には液晶と配向膜以外の層（例えばカ
ラーフィルター層）が介在するとその層による電圧ロス
が発生するため液晶が十分に立ち上がらなくなる。従っ
て、透過率の十分に低い黒色が得られず、結果的に高コ
ントラストが得られないことになる。本発明の場合アク
ティブマトリクス基板の画素電極上にカラーフィルタ層
が形成されるため、結果的に対向基板との間には液晶と
配向膜以外にカラーフィルター層が存在することになる
が、該カラーフィルター層は前述のように１μｍ以下の
薄い膜厚であるため、印加電圧のロスは極めて低く、ノ
ーマリ−ホワイト表示には支障をきたさないという大き
なメリットがある。
ネルの上下基板間には液晶と配向膜以外の層（例えばカ
ラーフィルター層）が介在するとその層による電圧ロス
が発生するため液晶が十分に立ち上がらなくなる。従っ
て、透過率の十分に低い黒色が得られず、結果的に高コ
ントラストが得られないことになる。本発明の場合アク
ティブマトリクス基板の画素電極上にカラーフィルタ層
が形成されるため、結果的に対向基板との間には液晶と
配向膜以外にカラーフィルター層が存在することになる
が、該カラーフィルター層は前述のように１μｍ以下の
薄い膜厚であるため、印加電圧のロスは極めて低く、ノ
ーマリ−ホワイト表示には支障をきたさないという大き
なメリットがある。
［実 施 例］
対角２６インチのガラス基板上にＴ ａ ／ Ｔａ２０
５／Ｃｒの薄膜の積層構造からなるＭ Ｉ ｌｔ１素子
をマトリクス状に２３０Ｘ３３０個形成しさらに各Ｍ
Ｉ Ｍ素子にＩＴＯによる透明画素電極をあわせて形成
した。第１図ａ、ｂに画素平面図と断面図を示した。Ｔ
ａの膜厚は３０００人であり、その上に形成されたＴａ
ｘ ＯｓはＴａの陽極酸化により形成し、６００人の膜
厚をもつ。さらにＴａ２ｅ５の上に膜厚１５００人のＣ
ｒをＴａ／ Ｔ ａ ２０．の積層パターンと交さする
ように所定のパターンに形成した。交さ部の面積は５×
４μｍとした。この交さ部がＭＩＭ素子としての機能を
はたす。ＩＴＯによる透明画素電極はＭ Ｉ Ｌ】素子
のＣｒとのみ電気的にコンタクトするように所定のパタ
ーンに加工した。
５／Ｃｒの薄膜の積層構造からなるＭ Ｉ ｌｔ１素子
をマトリクス状に２３０Ｘ３３０個形成しさらに各Ｍ
Ｉ Ｍ素子にＩＴＯによる透明画素電極をあわせて形成
した。第１図ａ、ｂに画素平面図と断面図を示した。Ｔ
ａの膜厚は３０００人であり、その上に形成されたＴａ
ｘ ＯｓはＴａの陽極酸化により形成し、６００人の膜
厚をもつ。さらにＴａ２ｅ５の上に膜厚１５００人のＣ
ｒをＴａ／ Ｔ ａ ２０．の積層パターンと交さする
ように所定のパターンに形成した。交さ部の面積は５×
４μｍとした。この交さ部がＭＩＭ素子としての機能を
はたす。ＩＴＯによる透明画素電極はＭ Ｉ Ｌ】素子
のＣｒとのみ電気的にコンタクトするように所定のパタ
ーンに加工した。
次にこの基板のＩＴＯ画素電極上に電解により有機顔料
膜を形成した。電解はＴａライン電極（第１図ａの３）
を導通し、そのラインに接続された画素電極について、
各々のＭＩＭ素子を通して通電することにより行なった
。この時、アクティブマトリクス基板はアノードとし、
カリードとしてはｐｔ板を用いた。Ｔａライン電極は多
数のラインのうち所定のラインを選択的に通電し、電解
した。すなわち、通電したライン電極上に配列された画
素電極上にはすべて同一色の有機顔料膜が形成されるよ
うにし、Ｒ，Ｇ、Ｈの３原色の有機作科膜が２ラインお
きに連続的にくり返し配列されるようにＴａラインを選
択し合計３回電解成膜した。なお、ＴａラインはＴ ａ
２０５が積層された構造となっているが末端の通電部
はＴａが露出し、電気に容易にコンタクトがとれるよう
にした。電解条件を以下に記す。Ｒ，Ｇ、Ｈの各顔料膜
の形成に用いた電解液の組成を第１表に示す。
膜を形成した。電解はＴａライン電極（第１図ａの３）
を導通し、そのラインに接続された画素電極について、
各々のＭＩＭ素子を通して通電することにより行なった
。この時、アクティブマトリクス基板はアノードとし、
カリードとしてはｐｔ板を用いた。Ｔａライン電極は多
数のラインのうち所定のラインを選択的に通電し、電解
した。すなわち、通電したライン電極上に配列された画
素電極上にはすべて同一色の有機顔料膜が形成されるよ
うにし、Ｒ，Ｇ、Ｈの３原色の有機作科膜が２ラインお
きに連続的にくり返し配列されるようにＴａラインを選
択し合計３回電解成膜した。なお、ＴａラインはＴ ａ
２０５が積層された構造となっているが末端の通電部
はＴａが露出し、電気に容易にコンタクトがとれるよう
にした。電解条件を以下に記す。Ｒ，Ｇ、Ｈの各顔料膜
の形成に用いた電解液の組成を第１表に示す。
第１表
＊ １
フェロセニルＰＥＧ （同口化学製）
＊２ ＬｉＢｒ
電解液は酸化還元できる界面活性剤のミセル水溶液中に
支持塩を溶解し、さらに有機顔料を加えた後超音波ホモ
ジナイザーで有機顔料を分散し、コロイド化して作成し
た。この電解液中で電解を行なえばアノード電極として
用いた基板上に有機那料微料子による薄膜が形成できる
ものである。
支持塩を溶解し、さらに有機顔料を加えた後超音波ホモ
ジナイザーで有機顔料を分散し、コロイド化して作成し
た。この電解液中で電解を行なえばアノード電極として
用いた基板上に有機那料微料子による薄膜が形成できる
ものである。
最初にＲの顔料膜を所定のＴａライン電極を通電し電解
形成した。電解は１．５Ｖ （ｖｓ、Ｓ、Ｃ，Ｅ）で行
ない成膜厚が０８μｍとなるよう通電量を調整した。成
膜後は水洗した後、２００°Ｃて２０分焼成した。
形成した。電解は１．５Ｖ （ｖｓ、Ｓ、Ｃ，Ｅ）で行
ない成膜厚が０８μｍとなるよう通電量を調整した。成
膜後は水洗した後、２００°Ｃて２０分焼成した。
続いてＧ、Ｂの順に同様の操作により所定のＴａライン
電極を選択的に通電し成膜した。膜厚は各々０８．０７
μｍとした。以上の操作によりアクティブマトリクス基
板上にＲ，Ｇ、Ｈのカラーフィルター層が第２図のよう
に形成された。
電極を選択的に通電し成膜した。膜厚は各々０８．０７
μｍとした。以上の操作によりアクティブマトリクス基
板上にＲ，Ｇ、Ｈのカラーフィルター層が第２図のよう
に形成された。
結果として、２３０Ｘ３３０ （７５９００）個の画素
中の１０画素電極上に顔料膜が形成されなかった。原因
は主にＭ Ｉ Ｍ素子のＣｒパターン断線によるものと
判明した。これらの１０画素は液晶パネル化しても液晶
駆動が行なわれないことになる。
中の１０画素電極上に顔料膜が形成されなかった。原因
は主にＭ Ｉ Ｍ素子のＣｒパターン断線によるものと
判明した。これらの１０画素は液晶パネル化しても液晶
駆動が行なわれないことになる。
次にこの顔料膜を形成した基板上全面に透明アクリル系
樹脂膜を０２μｍ形成し、顔料膜の保護膜とした。
樹脂膜を０２μｍ形成し、顔料膜の保護膜とした。
続いて黒色ネガレジスト（富士ハントテクノロジー社製
）を上述のアクリル樹脂膜上にスビンコトにより、膜厚
２．！５ｕｍとなるよう塗布した。９０°Ｃでプリベー
クした後、塗布面の裏面ｆｕｌｌから水銀ランプにより
ＵＶ露光した。この時Ｂの顔料膜はレジスト感光波長の
一部を透過するため、その波長のカットフィルターを用
いて露光した。現像により顔料膜形成部およびＭＩＭ素
子の形成部、Ｔ ａ ／ Ｔ ａ ２０ ｓライン部以
外のすべての部分に遮光膜としての黒色レジスト膜、す
なわちブラックマトリクスが形成された。もちろん、電
解により顔料膜が形成されなかった画素電極上にも同様
にブラックマトリクスとしての黒色レジスト膜が形成さ
れた。この様子を第３図に示した。
）を上述のアクリル樹脂膜上にスビンコトにより、膜厚
２．！５ｕｍとなるよう塗布した。９０°Ｃでプリベー
クした後、塗布面の裏面ｆｕｌｌから水銀ランプにより
ＵＶ露光した。この時Ｂの顔料膜はレジスト感光波長の
一部を透過するため、その波長のカットフィルターを用
いて露光した。現像により顔料膜形成部およびＭＩＭ素
子の形成部、Ｔ ａ ／ Ｔ ａ ２０ ｓライン部以
外のすべての部分に遮光膜としての黒色レジスト膜、す
なわちブラックマトリクスが形成された。もちろん、電
解により顔料膜が形成されなかった画素電極上にも同様
にブラックマトリクスとしての黒色レジスト膜が形成さ
れた。この様子を第３図に示した。
この結果、液晶が駆動されない不良画素はすべて黒色レ
ジストにより遮光された。
ジストにより遮光された。
最終的にＴＮ型液晶を用いパネル化し、ノーマノ−ホワ
イト表示状態をチエツクした結果、不良画素は黒色レジ
スト膜の形成により、はとんど目立たず、ＴＶ画像とし
て悪影響を及ぼさないことがわかった。従って、欠陥の
目立たない高コントラストのカラー画像が得られた。
イト表示状態をチエツクした結果、不良画素は黒色レジ
スト膜の形成により、はとんど目立たず、ＴＶ画像とし
て悪影響を及ぼさないことがわかった。従って、欠陥の
目立たない高コントラストのカラー画像が得られた。
［発明の効果１
以上のように本発明により、湿式電解法によりアクティ
ブマトリクス基板上にカラーフィルターを形成すること
により、不良画素が検出され、さらにそのカラーフィル
ターを露光マスクとして用いることでカラーフィルター
層の形成されない不良画素は自己整合的にブラックマト
リクスが形成されるため、ノーマリ−ホワイト表示で欠
陥画素を目立たなくする顕著な効果が見い出された。
ブマトリクス基板上にカラーフィルターを形成すること
により、不良画素が検出され、さらにそのカラーフィル
ターを露光マスクとして用いることでカラーフィルター
層の形成されない不良画素は自己整合的にブラックマト
リクスが形成されるため、ノーマリ−ホワイト表示で欠
陥画素を目立たなくする顕著な効果が見い出された。
第１図（ａ）は本発明を説明する実施例で用いたアクテ
ィブマトリクス基板の一部の平面を示す図。 透明画素電極 ２・・・ＭＩＭ素子 ・・Ｔａライン電極 第１図（ｂ）は本発明を説明する実施例で用いたアクテ
ィブマトリクス基板の一画素のＭＩＭ素子部の断面を示
す図。 透明画素電極 Ｃｒ電極 Ｔａ２’。 Ｔａ電極 ガラス基板 第２図は、実施例において、顔料膜（カラーフィルター
層）を形成した状態を示す図。 １・・・顔料膜が形成された画素電極 （斜線のある画素） ２・・・顔料膜が形成されなかった画素電極３・・・Ｍ
ＩＭ素子 第３図は実施例においてブラックマトリクス（黒色レジ
スト膜） を形成した状態を示す図。 ブラックマト ノクス 不良画素上に形成されたブラノクマ ト ノクス 以 上
ィブマトリクス基板の一部の平面を示す図。 透明画素電極 ２・・・ＭＩＭ素子 ・・Ｔａライン電極 第１図（ｂ）は本発明を説明する実施例で用いたアクテ
ィブマトリクス基板の一画素のＭＩＭ素子部の断面を示
す図。 透明画素電極 Ｃｒ電極 Ｔａ２’。 Ｔａ電極 ガラス基板 第２図は、実施例において、顔料膜（カラーフィルター
層）を形成した状態を示す図。 １・・・顔料膜が形成された画素電極 （斜線のある画素） ２・・・顔料膜が形成されなかった画素電極３・・・Ｍ
ＩＭ素子 第３図は実施例においてブラックマトリクス（黒色レジ
スト膜） を形成した状態を示す図。 ブラックマト ノクス 不良画素上に形成されたブラノクマ ト ノクス 以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）アクティブマトリクス素子を形成した透明基板にお
いて画素透明電極上に第１の工程として所定の分光特性
を持つ顔料膜を湿式電解法により形成した後、第２の工
程として遮光性を有する黒色ネガ型レジストを該アクテ
ィブマトリクス素子および顔料膜を形成した面上に塗布
し、塗布面の裏面側から露光することによりブラックマ
トリクスを形成することを特徴とする液晶表示用電極基
板の製造方法。 ２）請求項１記載の液晶表示用電極基板の製造方法にお
いて、第１の工程の顔料膜を、レドックス反応性を有す
る界面活性剤のミセル水溶液中に顔料を分散した後、該
ミセル水溶液中に該アクティブマトリクス素子を形成し
た透明基板を電解用電極として浸漬し、電解することに
より該基板上の所定の位置に形成することを特徴とする
液晶表示用電極基板の製造方法。 ３）請求項１記載のアクティブマトリクス素子がＭＩＭ
（金属−絶縁体−金属）素子であることを特徴とする液
晶表示用電極基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2217724A JPH04100021A (ja) | 1990-08-18 | 1990-08-18 | 液晶表示用電極基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2217724A JPH04100021A (ja) | 1990-08-18 | 1990-08-18 | 液晶表示用電極基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04100021A true JPH04100021A (ja) | 1992-04-02 |
Family
ID=16708748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2217724A Pending JPH04100021A (ja) | 1990-08-18 | 1990-08-18 | 液晶表示用電極基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04100021A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996036903A1 (fr) * | 1995-05-16 | 1996-11-21 | Citizen Watch Co., Ltd. | Affichage a cristaux liquides, procede de fabrication de substrat actif et procede de fabrication de substrat a filtre colore |
| JP2001222020A (ja) * | 2000-12-14 | 2001-08-17 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及び電子機器 |
| KR101272895B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2013-06-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 일렉트로 웨팅 디스플레이 소자 |
-
1990
- 1990-08-18 JP JP2217724A patent/JPH04100021A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996036903A1 (fr) * | 1995-05-16 | 1996-11-21 | Citizen Watch Co., Ltd. | Affichage a cristaux liquides, procede de fabrication de substrat actif et procede de fabrication de substrat a filtre colore |
| JP2001222020A (ja) * | 2000-12-14 | 2001-08-17 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及び電子機器 |
| KR101272895B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2013-06-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 일렉트로 웨팅 디스플레이 소자 |
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