JPH11171994A - ポリベンゾオキサゾール前駆体およびポリベンゾチアゾール前駆体 - Google Patents
ポリベンゾオキサゾール前駆体およびポリベンゾチアゾール前駆体Info
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Classifications
-
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
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- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G75/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing sulfur with or without nitrogen, oxygen, or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G75/32—Polythiazoles; Polythiadiazoles
Abstract
ルカリ現像剤に良好に溶解でき、光感性組成物に適し、
遠心技術によって加工できるポリベンゾオキサゾール前
駆体およびポリベンゾチアゾール前駆体を提供する。 【解決手段】下記の部分構造式 【化1】 を含むポリベンゾオキサゾール前駆体およびポリベンゾ
チアゾール前駆体を製造する。この場合、下記が成立す
る:A1 〜A6 は、相互に無関係であり、H,F,CH
3 ,CF3 ,OCH3 ,OCF3 ,CH2 CH3 、CF
2 CF3 、OCH2 CH3 またはOCF2 CF3 を表
し;Tは、OまたはSを表し,mは、0または1を表
し;Zは、芳香族基または複素環基を表す。
Description
オキサゾール前駆体およびポリベンゾチアゾール前駆体
ならびに上記前駆体を含むフォトレジスト溶液に関す
る。
および絶縁層として高温安定のポリマーが必要である。
この種のポリマーは、2つの金属平面(例えばマルチチ
ップ・モジュール、メモリチップ、論理チップ)の間の
誘電体として且つまたチップとそのケースとの間のバッ
ファ層(“バッファコート”)として使用できる。上記
ポリマーの若干(例えば芳香族ポリイミド(PI)の前
駆体およびポリベンズオキサゾール(PBO)の前駆
体)は、有機溶媒中で良好な溶解性およびフィルム形成
性を示し、経費的に妥当な遠心技術によって電子デバイ
ス上に施すことができる。次いで熱処理によって前駆体
を環化し、即ち対応するポリマーに移行させ、このよう
にして、その最終特性が得られる。
の影響を与える極性、親水性基(OH,NHおよびC
O)が消失する。これは、例えば、ポリイミド(特に、
ヒドロキシポリイミド)に対するポリベンゾオキサゾー
ルの重要な利点である。しかも環化は、良好な誘電性お
よび低い吸水性にとって重要であるのみならず、その高
い温度安定性にとっても重要である。
めて高い。即ち、例えば、できる限り低い誘電率および
高い熱的安定性の外に、低い吸湿性が必要である。即
ち、吸収された水分は、電気的性質を劣化するのみなら
ず、金属導体路の腐食を助成し、高温では気泡形成およ
び剥離を誘起する。
は、他の多くの高温安定ポリマーに比して下記の利点を
有する。 −ポリイミドおよびポリベンゾオキサゾールは、環化さ
れた最終生成品に比して、可溶の前駆体として基板上に
施し、次いで環化することができ、この場合溶解性が著
しく減少し、このようにして、溶媒および他の処理化学
品に対する感度が著しく減少する。この理由から例えば
前環化されたポリベンゾオキサゾールの加工は困難であ
る。 ー前駆体に適切な光活性成分を添加して光感性組成物を
製造でき、このようにして、コスト的に妥当な直接的な
誘電体の構造化が可能である。ポリベンゾオキサゾール
は、ポリイミドに比して、ポジモードで構造化でき且つ
アルカリ水溶液で現像できるという利点を有する(ヨー
ロッパ特許EP0023662B1、EP026467
8BおよびEP0291779B1参照)。このため、
使用するPBO前駆体は、好ましくは金属イオンを含ま
ないアルカリ現像剤に可溶でなければならない。 ー同様に加工できネガ構造化できるベンゾシクロブテン
(BCB)は、ポリイミドおよびポリベンゾオキサゾー
ルよりも著しく低い温度安定性を示す。
ト的に妥当な製造に関連する他の重要な要求は、誘電体
のプレーナ形成能である。即ち、このようなデバイスの
製造の場合、各種の層の形成中に高低差が生じ、以降の
処理(例えば微細構造のリソグラフ形成)を困難とす
る。これに反して、フォトリソグラフ処理は、平坦化し
た基板おいてより良い寸法精度およびより大きい公差で
実施できる。プレーナ形成能の良い誘電体を使用すれ
ば、デバイスの製造時、経費のかかる研磨プロセス(化
学的機械的研磨=CMP)を回避できる。
のPBO前駆体は、例えば、ヨーロッパ特許EP002
3662B1、EP0264678B1、EP0291
779B1およびドイツ特許DE716629C2から
公知である。上前駆体は、基板上で環化できる(これに
関してはヨーロッパ特許EP0291778B1参
照)。しかしながら、公知のポリマーは、環化(ポリベ
ンゾオキサゾールへの移行)後、比較的大きい吸湿性
(例えば、1.7%)を示す(ヨーロッパ特許EP02
91779B1参照)。製造されたポリマーのプレーナ
形成能に関する指示はない。
溶媒および金属イオンを含まない水性アルカリ現像剤に
良好に溶解でき、感光組成物に適し、遠心技術によって
加工できるポリベンゾオキサゾール前駆体およびポリベ
ンゾチアゾール前駆体を提供することにある。更に、前
駆体は、基板上で問題なく環化できなければならず、環
化後、高い温度安定性以のに特に極めて低い吸湿性およ
び高いプレーナ形成度を有していなければならない。
とづき、下記の部分構造式
チアゾール前駆体によって解決される。この場合、下記
が成立する:A1 〜A6 は、相互に無関係であり、H,
F,CH3 ,CF3 ,OCH3 ,OCF3 ,CH2 CH
3 、CF2 CF3 、OCH2 CH3 またはOCF2 CF
3 を表し;TはOまたはSを表し,mは0または1を表
し;Zは下記の基の1つを表す:
(CH2 )p CH3 、(CF2 )p CF3 ,O(C
H2 )p CH3 、O(CF2 )p CF3 、CO(C
H 2 )p CH3 、CO(CF2 )p CF3 (ここで、p
=0〜8)(直鎖または分岐),OC(CH3 )3 ,O
C(CF3 )3 ,C6 H5 、C6 F5 ,OC6 H5、O
C6 F5 ,シクロペンチル、ペルフルオルシクロペンチ
ル、シクロヘキシルまたはペルフルオルシクロヘキシル
であり、ここで、分離された芳香族環には、環当り最大
3つのN原子が存在でき、2つのN原子は隣接してよ
く、多環系には、環当り最大2つのN原子が存在でき、 M=単一結合、(CH2 )n ,(CF2 )n ,CH(C
H3 ),CH(CF3 ),CF(CH3 ),CF(CF
3 ),C(CH3 )2 ,C(CF3 )2 ,CH(C6 H
5 )、CH(C6 F5 ),CF(C6 H5 )、CF(C
6 F5 ),C(CH3 )(C6 H5 )、C(CH3 )
(C6 F5 )、C(CF3 )(C6 H5 )、C(C
F3 )(C6 F5 )、C(C6 H5 )2 、C(C
6 F5 )2 、CO,SO 2 ,
の最初の3つはQ=C−Aである)またはm=0の場
合、基A1 〜A7 の少なくとも1つは、≠Hでなければ
ならず、Z=
ポリベンゾオキサゾールの部分構造式のNH−CO基
は、O−ブリッジに対してo−位置またはp−位置を取
らなければならない。
ビス−o−アミノフェノールまたはビスーo−アミノチ
オフェノールと1つまたは複数の適切なジカルボン酸ま
たはジカルボン酸誘導体(特に活性なエステルおよび塩
化物)との重合によって製造される。この場合、有機溶
媒中で、−20〜150℃の温度において、ビスo−ア
ミノフェノールまたはビスo−アミノチオフェノールお
よびジカルボン酸またはジカルボン酸誘導体を反応さ
せ、次いで、適切な沈殿剤を反応溶液に滴下してポリマ
ーを沈殿させる。沈殿したポリマーは、濾過、乾燥すれ
ば直ちに使用できる。ポリマーの沈殿前にそのアミノ末
端基は無水ジカルボン酸で隠す、即ち阻止できる。
体およびポリベンゾチアゾール前駆体の製造に使用する
ビス−o−アミノフェノールおよびビスーo−アミノチ
オフェノールは、下記の構造式を有する。
対象である。 −出願番号19742195.4−“ビスーo−アミノ
(チオ)フェノールおよびその製造方法”; ー出願番号19742196.2−“ビスーo−アミノ
(チオ)フェノールおよびその製造方法”
“A4 〜A6 ”は、アミノフェニル基が基A1 、A2 お
よびA3 またはA4 ,A5 およびA6 を有することを意
味する。
を以下に示す。 4,4’−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェノキ
シ)オクタフルオロビフェニル
シ)オクタフルオロベンゾフェノン
シ)トリフルオロピリジン
シ)−1−トリフルオロメチル−3,5,6−トリフル
オロベンゾール
2,5,6−トリフルオロフェノキシ)フェニル]ヘキ
サフルオロプロパン
6−トリフルオロフェノキシ)テトラフルオロベンゾー
ル
6−トリフルオロフェノキシ)ピリミジン
5,6−トリフルオロフェノキシ)オクタフルオロピフ
ェニル
4,4’−オキシビス安息香酸、2,2−ビス(4−カ
ルボキシフェニル)ペルフルオロプロパン、イソフタル
酸)が特に好適である。しかしながら、基本的に、最大
3つの芳香族核を有するすべてのジカルボン酸を使用で
きる。重合時にジカルボン酸塩化物を使用する場合は、
酸捕捉塩基を使用すれば有利である。この種の酸捕捉剤
として、ピリジン、トリエチルアミン、ジアゾビシクロ
オクタンおよびポリビニルピリジンを使用すれば好まし
い。しかしながら、他の酸捕捉塩基も使用できる。この
場合特に、合成に使用する溶媒(例えば、N−メチルピ
ロリドン)および水または水とアルコールの混合物(沈
殿剤)に良好に溶解する塩基および溶媒に全く不溶な塩
基 (例えば、ポリビニルピリジン)が好ましい。
アミド、γーブチロラクトン、N−メチルピロリドンで
ある。しかしながら、出発材料を良好に溶解するすべて
の溶媒を使用できる。特に好適な沈殿剤は、水および水
と各種アルコール(例えば、エタノール、イソプロパノ
ール)の混合物である。
機溶媒(例えば、アセトン、シクロヘキサノン、ジエチ
レングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコ
ールジエチルエーテル、N−メチルピロリドン、γ−ブ
チロラクトン、乳酸エチル、テトラヒドロフラン、酢酸
エチルエステル)および金属イオンを含まない水性アル
カリ現像液に良好に溶解し、遠心技術によって問題なく
加工できる。基板上の環化後、このようにして得られた
ポリベンゾオキサゾールおよびポリベンゾチアゾール
は、極めて低い吸湿性、高いプレーナ形成度および高い
温度安定性を有する。
トンと共存でき、従って溶媒に溶解したポリベンゾオキ
サゾール前駆体またはポリベンゾチアゾール前駆体およ
びジアゾケトン・ベースの光活性成分を有するフォトレ
ジスト溶液として好適である。この種の光活性組成物
は、驚くべきことには、大きい分解能および極めて良い
フィルム品質を示す。フォトレジスト溶液において、ポ
リベンゾオキサゾール前駆体またはポリベンゾチアゾー
ル前駆体とジアゾキノンとの重量比は、1:20〜2
0:1であれば有利であり、1:10〜10:1であれ
ば好ましい。
詳細に説明する。
シ)オクタフルオロビフェニル 還流冷却器、撹拌器および窒素導入管を備えた三つ口フ
ラスコにおいて、5−ヒドロキシ−2−ニトロフェニル
ベンジルエーテル24.5g(0.1モル)およびデカ
フルオロビフェニル16.7g(0.05モル)を無水
のジメチルスルホキシド270mlに溶解した。炭酸カ
リウム30g(0.22モル)の添加後、調節可能な油
浴において溶液を100℃に4h加熱し、次いで、反応
溶液を室温に冷却し、残渣を折畳濾紙で濾別した。次い
で溶液に水500mlを加え、酸反応が起きるまで濃塩
酸と混合した。この際に沈殿した黄色の反応生成物をブ
フナー濾斗で濾別し、3回水洗し、次いでメタノールと
塩化メチレンの混合物(容積比1:1)中で再結晶させ
た。次いで、反応生成物を真空ボックス内で40℃/1
0mbarの窒素ガス中で48h乾燥した。このように
して製造した4,4’−ビス(4−ニトロ−3−ベンジ
ルオキシフェノキシ)オクタフルオロビフェニル72g
(0.09モル)をテトラヒドロフランと酢酸エチルエ
ステルの混合物600mlに溶解し、溶液にPd/C
(パラジウム/炭素)7gを加えた。次いで、オートク
レーブ中で室温において、強く撹拌しながら、圧力1b
arの水素を使用して水素添加した。7日後、反応が終
了した。黄色の溶液を回転蒸発器において1/2に濃縮
し、室温に一晩放置した。この際、反応生成物の結晶が
沈殿した。次いで反応生成物を真空ボックス内で40℃
/10mbarの窒素ガス中で48h乾燥した。
−3−ヒドロキシフェノキシ)オクタフルオロビフェニ
ル54.4g(0.1モル)を、蒸留したN−メチルピ
ロリドン300mlに溶解した。10℃において、この
溶液に、γ−ブチロラクトン150mlに塩化オキシベ
ンゾ安息香酸29.5g(0.1モル)を溶解した溶液
を撹拌しながら滴下し、反応溶液を16h撹拌した。次
いで、反応溶液に、γ−ブチロラクトン80mlにピリ
ジン17.4g(0.22モル)を溶解した溶液をゆっ
くり滴下し、得られた反応溶液を室温において2h撹拌
した。イソプロパノールと水の混合物(容積比1:3)
を反応溶液に滴下して、生じたポリマーを沈殿させ、新
鮮な沈殿剤で3回洗浄し、ポリマーを真空ボックス内で
40℃/10mbarの窒素ガス中で72h乾燥した。
このようにして製造したPBO前駆体は、溶媒(例えば
N−メチルピロリドン、γ−ブチロラクトン、アセト
ン、テトラヒドロフラン、シクロペンタノン、ジエチレ
ングリコールモノエチルエーテル、乳酸エチル、エタノ
ール)および金属イオンを含まない市販の水性アルカリ
現像液(例えばNMD−W(東京応化社製))に良好に
溶解する。
O前駆体4gを溶解した。前置フィルタを備えたプラス
チック製噴射器によって、洗浄、乾燥し正確に秤量した
シリコン板(ウエハ)の形の基板上に溶液を塗布し、遠
心装置(タイプST146,Convac社製)によっ
て分離した。基板上に生じたフィルムを、まず120℃
のホットプレート上で予備乾燥し、次いで、環化のた
め、プログラミング可能な実験炉(“Sirius J
unior”,LP−Thermtech社製)におい
て窒素中で350℃に加熱し、上記温度に1h保持し、
次いで冷却した。加熱・冷却速度は、それぞれ、5℃/
minとした。乾燥剤として五酸化リンを含む密閉チャ
ンバを有する風袋補正微量天秤(タイプAT261 D
eltarange,Mettler Toledo社
製)に、被覆処理した基板を装入した。24h後に秤量
した全重量は、11.50864gであった。この数値
から、環化したポリマーについて0.15432gの重
量が得れる(純シリコン板の重量11.35432
g)。次いで、五酸化リンを飽和塩化ナトリウム溶液と
置換し、チャンバ内に相対湿度76%(23℃)を設定
した。更に24h貯蔵した後、フィルムの重量は、0.
15562gに増加した。これから、0.84%の吸湿
度が得られた。未被覆のシリコン板は、同一条件におい
て吸湿性を示さなかった。
ポリベンゾオキサゾールのプレーナ形成度を、高さ1.
2μmのアルミニウム構造体(プレーナウエハ)を有す
るシリコンウエハについて測定した。プレーナ形成度
は、周期的な5μm構造(=線幅およびトレンチミゾ
幅;交互)について示す。プレーナ形成度の測定は、S
oaneほか著の刊行物“Polymers in M
icroelectrics−Fundamental
and Applications”,Elsevi
er出版社,アムステルダム 1989,p189〜1
91にもとづき行った。 実施例2のPBO前駆体を、
実施例3と同様に、プレーナウエハ(基板)上に施し、
環化した。環化したフィルムの厚さは、2.0μmであ
り、プレーナ形成度は84%であった。
剥がし、熱重量分析を実施した(装置:STA150
0,Polymer Labratories社製)。
この際、480℃の温度において始めて1%の重量減に
達することが確認された。これに比して、公知のポリベ
ンゾオキサゾール(ソビエット連邦特許SU12055
18A参照)の場合、420〜430℃の温度において
既に1%の質量損が生ずる。
びナフトキノジアジドからなるジエステル(感光成分)
1gとともに、N−メチルピロリドン15gに溶解し
た。このフォトレジスト溶液を、前置フィルタを備えた
プラスチック製噴射器によって、洗浄、乾燥し正確に秤
量したシリコン板(ウエハ)の形の基板上に溶液を塗布
し、遠心装置(タイプST146,Convac社製)
によって分離した。基板上に生じたレジストフィルム
を、まず120℃のホットプレート上で予備乾燥し、次
いで、露光装置(タイプ121,Karl Suess
社製)においてマスクを介して露光した。水性アルカリ
現像剤(NMD−W,東京応化社製、水で1:1に希
釈)で現像し、実施例3に対応して350℃において
(基板上で)環化した後、層厚1,7μm、分解能2μ
mの高温安定レジスト構造が得られた。
同一条件として、ビス−o−アミノフェノールとして、
ヨーロッパ特許EP0264678B1に対応して、
2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)
プロパン(0.1モル、即ち、36.6g)を使用し
た。この前駆体の場合、1.8%の吸湿度(実施例3参
照)および68%のプレーナ形成度(実施例4参照)が
測定された。
同一条件として、ビス−o−アミノフェノールとして、
ヨーロッパ特許EP0023662B1に対応して、
3,3’−ジヒドロキシベンジジン(0.1モル、即
ち、21.6g)を使用した。この前駆体の場合、2.
1%の吸湿度(実施例3参照)および61%のプレーナ
形成度(実施例4参照)が測定された。
同一条件として、ビス−o−アミノフェノールとして、
4,4’−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェノキ
シ)オクタフルオロベンゾフェノン(0.1モル、即ち
57.2g)を使用した。ビスーo−アミノフェノール
は、実施例1と同様に、5−ヒドロキシ−2−ニトロフ
ェニルベンジルエーテルおよびデカフルオロベンゾフェ
ノンから製造した。得られたPBO前駆体は、実施例2
に記載した溶媒に良好に溶解した。上記の前駆体につい
て、吸湿度0.95%(実施例3参照)およびプレーナ
形成度87%(実施例4参照)が測定された。実施例5
に従って実施した光構造化および基板上の環化によっ
て、層厚1.9μmで分解能2μmの高温安定レジスト
構造が得られた。
同一条件として、ビスーo−アミノフェノールとして、
4,6−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシ−2,5,
6−トリフルオロフェノキシ)ピリミジン(0.1モ
ル、即ち43.4g)を使用し、ジカルボン酸塩化物と
してイソフタル酸二塩化物(0.1モル、20.3g)
を使用した。ビスo−アミノフェノールは、実施例1と
同様に、4,6−ジヒドロキシピリミジンおよびペンタ
フルオロニトロベンゾールから製造した。得られたPB
O前駆体は、実施例2に記載した溶媒に良好に溶解し
た。上記の前駆体について、吸湿度0.97%(実施例
3参照)およびプレーナ形成度86%(実施例4参照)
が測定された。実施例6に対応して実施した光構造化お
よび基板上の環化によって、層厚2μmで分解能2μm
の高温安定レジスト構造が得られた。
同一条件として、ビスーo−アミノフェノールとして、
2,2−ビス[4−(4−アミノ−3−ヒドロキシ−
2,5,6−トリフルオロフェノキシ)フェニル]ヘキ
サフルオロプロパン(0.1モル、即ち65.8g)を
使用し、ジカルボン酸二塩化物としてペルフルオロイソ
フタル酸塩化物(0.1モル、即ち27.5g)を使用
した。ビスーo−アミノフェノールは、実施例1と同様
に6F−ビスフェノールAおよびペンタフルオロニトロ
ベンゾールから製造した。得られたPBO前駆体は、実
施例2に記載した溶媒に良好に溶解した。上記の前駆体
について、吸湿度0.79%(実施例3参照)およびプ
レーナ形成度84%(実施例4参照)が測定された。実
施例6に従って実施した光構造化および基板上の環化に
よって、層厚1.9μmで分解能2μmの高温安定レジ
スト構造が得られた。
同一条件として、ビスーo−アミノフェノールとして、
1,4−(4−アミノ−3−ヒドロキシ−2,5,6−
トリフルオロフェノキシ)テトラフルオロベンゾール
(0.1モル、即ち50.4g)を使用し、ジカルボン
酸塩化物としてアジピン酸塩化物(0.1モル、即ち1
8g)を使用した。ビスーo−アミノフェノールは、実
施例1と同様に、テトラフルオロヒドロキンおよびペン
タフルオロニトロベンゾールから製造した。得られたP
BO前駆体は、実施例2に記載した溶媒に良好に溶解し
た。上記の前駆体について、吸湿度0.96%(実施例
3参照)およびプレーナ形成度85%(実施例4参照)
が測定された。実施例6に対応して実施した光構造化お
よび基板上の環化によって、層厚2.2μmで分解能2
μmの高温安定レジスト構造が得られた。
製造することもできる。この場合、オキシビス安息香酸
25.8g(0.1モル)をNーメチルピロリドン20
0mlに溶解し、カルボニルジイミダゾール34.1g
(0.21モル)と少量づつ混合した。ガス(CO2 )
発生の終了後、更に2h撹拌した。次いで、得られたサ
スペンジョンを、Nーメチルピロリドン300mlに溶
解した4,4’−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキンフ
ェノキシ)オクタフルオロビフェニル54.4g(0.
1モル)に加え、室温において40h撹拌した。この
際、反応溶液は、再び透明となった。PBO前駆体の沈
殿および乾燥は、実施例2と同様に行った。得られたP
BO前駆体は、実施例2に記載した溶媒に良好に溶解し
た。上記の前駆体について、吸湿度0.86%(実施例
3参照)およびプレーナ形成度82%(実施例4参照)
が測定された。実施例6に従って実施した光造形および
基板上の環化によって、層厚2.2μmで分解能2μm
の高温安定レジスト構造が得られた。
他は同一条件として、ビスーo−アミノフェノールとし
て、4,4’−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシ−
2,5,6−トリフルオロフェノキシ)オクタフルオロ
ビフェニル(0.1モル、即ち65.2g)を使用し、
ジカルボン酸として4,4’−ビス(4−カルボキシフ
ェノキシ)オクタフルオロビフェニル(0.1モル、即
ち57g)を使用した。ビスーo−アミノフェノール
は、実施例1と同様に、4,4’−オクタフルオロビフ
ェノールおよびペンタフルオロニトロベンゾールから製
造した。得られたPBO前駆体は、実施例2に記載した
溶媒に良好に溶解した。上記の前駆体について、吸湿度
0.72%(実施例3参照)およびプレーナ形成度82
%(実施例4参照)が測定された。実施例6に従って実
施した光構造化および基板上の環化によって、層厚1.
8μmで分解能2μmの高温安定レジスト構造が得られ
た。
は同一条件として、ビスーo−アミノフェノールとし
て、2,4−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェノ
キシ)−3,5,6−トリフルオロピリジン(0.1モ
ル、即ち、37.9g)を使用し、ジカルボン酸として
4,4’−ビス(4−カルボキシフェノキシ)オクタフ
ルオロビフェニル(0.1モル、即ち57g)を使用し
た。ビスーo−アミノフェノールは、実施例1と同様
に、5−ヒドロキシ−2−ニトロフェニルベンジルエー
テルおよびペンタフルオロピリジンから製造した。得ら
れたPBO前駆体は、実施例2に記載した溶媒に良好に
溶解した。上記の前駆体について、吸湿度0.96%
(実施例3参照)およびプレーナ形成度84%(実施例
4参照)が測定された。実施例6に従って実施した光構
造化および基板上の環化によって、層厚2μmで分解能
2μmの高温安定レジスト構造が得られた。
は同一条件として、ビスーo−アミノフェノールとし
て、2,4−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェノ
キシ)−1−トリフルオロメチル−3,5,6−トリフ
ルオロベンゾール(0.1モル、即ち44.6g)を使
用し、ジカルボン酸としてイソフタル酸二塩化物(0.
1モル、即ち20.3g)を使用した。ビスーo−アミ
ノフェノールは、実施例1と同様に、5−ヒドロキン−
2−ニトロフェニルベンジルエーテルおよびオクタフル
オロトルエンから製造した。得られたPBO前駆体は、
実施例2に記載した溶媒に良好に溶解した。上記の前駆
体について、吸湿度0.9%(実施例3)およびプレー
ナ形成度83%(実施例4)が測定された。実施例6に
従って実施した光構造化および基板上の環化によって、
層厚2μmで分解能2μmの高温安定レジスト構造が得
られた。
Claims (3)
- 【請求項1】 下記の部分構造式[式中、A1 〜A
6 は、相互に無関係であり、H,F,CH3 ,CF3 ,
OCH3 ,OCF3 ,CH2 CH3 、CF2 CF 3 、O
CH2 CH3 またはOCF2 CF3 を表し;TはOまた
はSを表し,mは0または1を表し;Zは、下記の基
(式中、Q=C−AまたはNであり、ここでA=H,
F,(CH 2 )p CH3 、(CF2 )p CF3 ,O(C
H2 )p CH3 、O(CF2 )p CF3 、CO (CH
2 )p CH3 、CO(CF2 )p CF3 (ここでp=0
〜8)(直鎖または分岐),OC(CH3 )3 ,OC
(CF3 )3 ,C6 H5 、C6F5 ,OC6 H5 、OC
6 F5 ,シクロペンチル、ペルフルオルシクロペンチ
ル、シクロヘキシルまたはペルフルオルシクロヘキシル
であり、ここで、分離された芳香族環には、環当り最大
3つのN原子が存在でき、2つのN原子は隣接してよ
く、多環系には、環当り最大2つのN原子が存在でき、 M=単一結合、(CH2 )n ,(CF2 )n ,CH(C
H3 ),CH(CF3 ),CF(CH3 ),CF(CF
3 ),C(CH3 )2 ,C(CF3 )2 ,CH(C6 H
5 )、CH(C6 F5 ),CF(C6 H5 )、CF(C
6 F5 ),C(CH3 )(C6 H5 )、C(CH3 )
(C6 F5 )、C(CF3 )(C6 H5 )、C(C
F3 )(C6 F5 )、C(C6 H5 )2 、C(C
6 F5 )2 、CO,SO 2 , 【化1】 であり、ここで、Z=フェニレンの場合またはm=0の
場合は、基A1 〜A6 の少なくとも1つは≠Hでなけれ
ばならず、Z= 【化2】 であり、QがC−Fを表し、Mは単一結合を表す場合
は、ポリベンゾオキサゾールの部分構造式のNH−CO
基は、O−ブリッジに対してo−位置またはp−位置を
取らなければならない 【化3】 の1つを表す] 【化4】 のポリベンゾオキサゾール前駆体およびポリベンゾチア
ゾール前駆体。 - 【請求項2】 請求項1記載のポリベンゾオキサゾール
前駆体またはポリベンゾチアゾール前駆体および感光成
分としてのジアゾケトンを有機溶媒に溶解した形で含む
ことを特徴とするフォトレジスト溶液。 - 【請求項3】 ポリベンゾオキサゾール前駆体またはポ
リベンゾチアゾール前駆体とジアゾケトンとの重量比
が、1:20〜20:1、(好ましくは1:10〜1
0:1であることを特徴とする請求項2記載のフォトレ
ジスト溶液。
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