JPH1116877A - 半導体素子の形成方法 - Google Patents
半導体素子の形成方法Info
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Abstract
ッドのコンディショニングを行う、半導体素子の形成方
法を提供する。 【解決手段】 コンディショニングは、基板(27,4
0)が研磨パッド(22)上にある間に行われるが、基
板(27,40)の研磨が完了する前に終了する。一実
施例では、基板(27,40)を研磨する合間に、研磨
パッド(22)の現場外コンディショニングを、研磨パ
ッドに対して行う。本方法は、現場コンディショニング
および現場外コンディショニング双方の利点が得られ
る。
Description
素子の処理に関し、更に特定すれば、半導体素子を有す
る基板の研磨方法に関するものである。
ベルの集積を達成するために、研磨が増々多用されつつ
ある。研磨では、2種類のコンディショニングが典型的
に用いられる。現場コンディショニング(in-situ condi
tioning)は、ウエハを研磨してる間に研磨パッドのコン
ディショニングを行い、現場外コンディショニング(ex-
situ conditioning)は、パッドからウエハを取り去った
後に、研磨パッドのコンディショニングを行う。
ングは、現場コンディショニングと比較すると、長く使
用されているが、いくつかの欠点がある。典型的に、現
場外コンディショニングでは、パッドの寿命が短く、研
磨率が低く、研磨率の安定性も低い。一方、現場コンデ
ィショニングは、ダイ全体におよぶ均一性および粒子,
汚染,ならびに微小溝切り(micro-gouging) という問題
がある。したがって、パッドのコンディショニングを最
適化し、再生可能な研磨プロセスを得ることが必要とさ
れている。
コンディショニングを組み込んだ、研磨パッドのコンデ
ィショニング方法を提供する。コンディショニングは、
基板が研磨パッド上にある間に行われるが、基板の研磨
が完了する前に終了する。一実施例では、基板間におい
て、研磨パッドの現場外コンディショニングを用いる。
この方法は、現場コンディショニングおよび現場外コン
ディショニング双方の利点を有する。
く一例として示されている。図面においては、同様の参
照番号は同様の素子を示すものとする。
のために図示されており、必ずしも同一スケールで描か
れている訳ではないことを、当業者は認めよう。例え
ば、図面における素子には、その寸法が他の素子よりも
誇張されており、本発明の実施例(群)のより良い理解
に役立てようとしたものもある。
す平面図である。研磨装置20は、研磨パッド22およ
び仕上げパッド24を有する。また、図1には、半導体
素子基板27を保持する研磨アーム26,およびコンデ
ィショナ29を有するコンディショニング・アーム28
も示されている。尚、本明細書で用いる場合、半導体素
子基板とは、単結晶半導体ウエハ,絶縁物上半導体(S
OI)ウエハ,または半導体素子を形成するために使用
される他のあらゆる基板を含むものとする。この特定実
施例では、コンディショナ29はダイヤモンド・ディス
クであり、回転しつつコンディショニング・アーム28
に沿って直線的に移動する。
ス・フロー図を示す。半導体素子基板27を研磨する前
に、コンディショニング面を有するコンディショナ29
を用いて、研磨パッド22のコンディショニングを行う
(ステップ10。これはオプションである)。次に、ス
テップ12に示すように、半導体素子基板27を、パッ
ド22上に配置する。基板27を研磨しつつ、コンディ
ショナ29は、第1時間期間の間パッド22のコンディ
ショニングを行う(ステップ14)。研磨を継続してい
る間に、ステップ16に示すように、コンディショニン
グは終了する。研磨が完了するのは、ステップ18にお
いてコンディショニングが終了したときである。本発明
の一実施例では、コンディショナ29を研磨パッド22
の表面から取り去り、コンディショニング・アーム28
を研磨パッド22の表面から離れるように移動させる。
全ての研磨が完了した後に、ステップ19において基板
27を研磨パッド22から取り去り、仕上げパッド24
に移転させる。仕上げパッド24を用いて基板27を仕
上げた後、基板27を清浄化し、装置20から取り出
す。更に別の処理を行い、ほぼ完成された素子を形成す
る。この素子は、トランジスタ,少なくとも1つの絶縁
層,相互接続部,およびパシベーションを含む可能性が
ある。
ミクロンの深さを有する、浅いトレンチ分離を形成する
際に使用される、本発明の一実施例を示す。図3は、半
導体素子基板40を示す断面図である。基板40全体に
パッド層42を形成する。パッド層42は、通常、酸化
物,窒化酸化物等である。パッド層42上に研磨停止層
44を形成する。研磨停止層44は、通常、窒化物,窒
化酸化物等である。研磨停止層44は、酸化物よりも研
磨率が低い。基板40にパターニングを行い、幅が約1
ミクロン未満の狭いトレンチ(チャネル)46,および
幅が約10ミクロン以上の広いトレンチ(チャネル)4
8を形成する。従来、この種のパターンでは、広いトレ
ンチ48が狭い方のトレンチ46に比較して、わん状変
形(dishing) が生ずる可能性が高いので、研磨には非常
に問題があった。
体に、絶縁層52をコンフォーマルに堆積した後の、前
述の半導体素子基板40を示す断面図である。このほぼ
コンフォーマルな層は、典型的に、非ドープ酸化物を含
む。図5に示すように、次に、研磨停止層44の上に位
置する絶縁層52の部分上に、パターニングしたレジス
ト層(図示せず)を形成する。次に、絶縁層52にエッ
チングを行い、トレンチの外側にある研磨停止層44を
露出させる。したがって、絶縁層52の小部分のみが、
層44の上面上に位置することになる。絶縁層52は、
トレンチ上ではエッチングが行われていないので、「ラ
ビット・イヤー(rabbit ear)」が後に残る。図5に示す
ようにこの層44上の絶縁層52にパターニングを行う
ステップは、オプションであるが、わん状変形の可能性
を更に低下させる。
を示す断面図であり、ここでは、層52は研磨停止層4
4のレベルまで研磨されている。こうして、浅いトレン
チ分離を形成する。したがって、本発明は、広いトレン
チ分離を形成する際の、わん状変形の影響を減少させる
ために使用することも可能である。このわん状変形は、
従来の研磨パッドのコンディショニング方法では、基板
を研磨する時間の間常に現場コンディショニングのみを
用いる場合でも、現場外コンディショニングのみを用い
る場合でも問題となっていた。
0秒間研磨する。従来では、現場コンディショニング
は、基板27を研磨する時間中一緒に行われる。従来技
術とは異なり、本発明のプロセスは、研磨工程の終了前
に、現場コンディショニングを終了させる。例えば、コ
ンディショナ29を用いた研磨パッド22のコンディシ
ョニングは、基板27がパッド22に到達するよりも、
約1分前に開始する。この1分という時間期間が経過し
た後、絶縁層52を有する半導体素子基板27を研磨し
つつ、コンディショニングを進める。1分30秒後、コ
ンディショニングを終了し、研磨は更に1分間続ける。
従来技術と比較すると、コンディショニング時間および
研磨時間はほぼ同一であるが、コンディショニングの開
始時間および終了時間は異なる。本質的に同時に終了す
る2つの時間(コンディショニングおよび研磨)の代わ
りに、基板27の研磨の前にコンディショニングを開始
し、基板27の研磨工程の終了前に、コンディショニン
グは終了する。コンディショニングおよび研磨の双方が
行われる時間は、通常、コンディショニングを停止した
後に研磨が継続する時間と少なくとも同じである。更
に、研磨の間のコンディショニング時間は、典型的に、
コンディショニングが全く行われずに研磨が行われる時
間のせいぜい約7倍である。
る。図7に示すように、第2コンディショニング・アー
ム38および第2コンディショナ39を、本発明と共に
用いることができる。典型的に、第2コンディショナ3
9は、コンディショナ29と比較して、研磨パッド22
に対する研磨作用が大きい。このコンディショナは、研
磨パッド22上で研磨される基板の合間に、現場外で用
いることができる。言い換えると、半導体素子基板27
を研磨パッド22から仕上げパッド24に転移させてい
る間に、別の半導体素子基板をパッド22上に配置し研
磨する前に、コンディショナ39を用いて研磨パッドの
コンディショニングを行う。この研磨を継続する前に、
第2コンディショニング・アーム38を外側に移動さ
せ、現場コンディショニング・アーム28を半導体素子
基板上に配し、ほぼ上述通りの研磨を継続する。
うなコンディショニング工程10は不要である。言い換
えると、コンディショニングおよび研磨は同時に開始す
ることができるが、従来技術とは異なり、ステップ16
に示すように、研磨が完了する前に、コンディショニン
グが終了する。
29,39を、研磨の間の異なる時間に用いることがで
きる。更に具体的には、2つのコンディショナ29,3
9の内研磨作用の強い方を、第1研磨部分の間、半導体
素子基板27の研磨に用いる。次いで、このコンディシ
ョニング・アームを取り外し、研磨プロセスの後半部分
の間、29および39の内他方のコンディショナを用い
て、研磨パッド22のコンディショニングを行う。この
場合も、第1時間期間および第2時間期間に関して先に
述べた時間枠は、依然として当てはまる。
ショナは1つでよいが、コンディショニング・パラメー
タを調節し、研磨の第2部分の間は攻撃性を低下させ、
研磨パッドの摩耗を回避する。この実施例では、各コン
ディショニング・パラメータが、パラメータ・タイプ,
および当該タイプに対する対応パラメータ値の双方を含
む。例えば、コンディショナ29を用いて、基板27を
研磨する第1部分の間、下方力圧力を高め、回転速度を
上昇させ、あるいは線速度を上昇させることができる。
後半部分では、下方力圧力を軽減してもよいし、回転速
度を低下させてもよいし、あるいは線速度を低下させて
もよい。もちろん、これらのパラメータの別の組み合わ
せも可能であり、下方力圧力の低減および上述の速度の
一方または双方のいずれかの低下を組み合わせてもよ
い。
用いることが可能である。例えば、絶縁層,金属含有
層,またはその他の多数の層の研磨に用いることができ
る。通常、層は、第1の膜およびこの第1の膜の上に位
置する第2の膜を含む。典型的に、同一の研磨条件を用
いた場合、第1の膜は、第2の膜よりも研磨速度が遅く
なる。これらの場合の多くでは、第2の膜が研磨対象の
層であり、第1の膜は研磨停止層である。相互接続部
(金属の間またはポリおよび金属の間のいずれかに)が
ある場合、絶縁層が次の2種類の異なる膜を含むことが
一般的である。即ち、研磨が遅い非ドープ酸化物または
ドープ濃度が低い酸化物、およびその上に位置するボロ
フォスフォシリケート・ガラス(BPSG:borophosph
osilicate glass ),フォスフォシリケート・ガラス
(PSG:phosphosilicate glass )等のような研磨が
速いドープ酸化物である。
り具体的には、本発明は、表面上に非常に多くの外形形
状変化(topological change)を有する基板を研磨する際
に用いることができる。外形形状に関連する問題を有す
る素子の一種がマイクロプロセッサ,または1つのチッ
プ上にロジックおよびメモリ双方を組み込んだその他の
あらゆる素子である。これらのチップでは、2種類の異
なる領域がある。一方は、キャッシュ・メモリ領域を含
む(キャッシュ・メモリ領域も、周辺論理回路を含み、
キャッシュ・メモリ領域内のメモリ・アレイを動作させ
るために用いられる)。他方の領域は、中央演算装置、
またはキャッシュ・メモリ領域からのデータを処理する
ために用いられる他の回路を有するロジック領域(キャ
ッシュ・メモリ領域以外)を含む。メモリは、スタティ
ック・ランダム・アクセス・メモリ,ダイナミック・ラ
ンダム・アクセス・メモリ,フローティング・ゲート・
メモリ,あるいはその他の殆どあらゆる種類のメモリと
することができる。キャッシュ・メモリ領域内のビット
線上に堆積される層間誘電体層の最上面(典型的に、少
なくとも約4,000オングストロームの厚さを有す
る),およびロジック領域内の相互接続部は、本質的に
異なる2つの段差(differentelevation)に位置する。キ
ャッシュ・メモリ領域にわたって、最上面は、ロジック
領域の最上面よりも高い位置にある。これらの段差が、
半導体素子を研磨する際、特に各ダイ内において、問題
の原因となる。典型的に、キャッシュ・メモリおよびロ
ジック領域は、各々、当該ダイの全基板面積の少なくと
も10%を占める。ほぼ平坦な表面を得るためには、形
成される層を研磨する必要がある。
現場外コンディショニングと比較して、パッドの長寿命
化,研磨速度の高速化,および速度安定性の向上を含
む、現場コンディショニングの利点を得ることができる
だけでなく、現場コンディショニングと比較して、全体
として均一性が優れており、粒子や汚染に関連する問題
も少ないという現場外コンディショニングの利点も得る
ことができる。本研磨プロセスの現場部分の間、研磨速
度は、コンディショニングが終了するまで比較的安定し
ている。コンディショニングが終了した後は、研磨速度
は指数的に減少する。しかしながら、本研磨プロセス
は、酸化物研磨製品によってパッドの艶だし(glazing)
を行った後には、一層機械的となる。この艶だしによっ
て、最上面の機械的な除去が一層進み、ロジック領域と
比較して、キャッシュ・メモリ領域全体における絶縁層
に対する攻撃が速まり、基板の平坦化を促進する。更
に、本プロセスは、ロジック領域における絶縁層のわん
状変形量を減少させるのにも役立ち、更にメモリ・アレ
イ内の最外側にあるビット線上から絶縁層を潜在的に過
剰侵食するのを防止するのにも役立つ。
場合について説明したが、導電層に用いることも可能で
ある。典型的に、膜は、窒化チタン,窒化タンタルなど
のようなバリアまたは接着層に用いられ、その後に、タ
ングステン,アルミニウム,銅等のような導電性物質の
層で覆われる。典型的に、下側の膜は、上側の膜と比較
して、研磨速度が低下する。本発明の実施例は、下に位
置する硬度の高い耐熱金属窒化物上にある、軟性が高い
金属を研磨する際に、良好なプロセス安定性を与える。
がら本発明の説明を進めてきた。しかしながら、特許請
求の範囲に明記されている本発明の範囲から逸脱するこ
となく、種々の改良および変更が可能であることを、当
業者は認めよう。したがって、明細書の記載および図面
は、限定的な意味ではなく例示的な意味で解釈すべきで
あり、かかる改良は全て、本発明の範囲に含まれること
を意図するものである。請求の範囲においては、ミーン
ズ・プラス・ファンクション(means-plus-function) 項
目(群)がある場合は、いずれも、ここに記載した構造
で、列挙した機能(群)を行うものを含むものとする。
また、ミーンズ・プラス・ファンクション項目(群)
は、列挙した機能(群)を行う構造的同等物および同等
の構造も含むものとする。
スのプロセス・フロー図。
よび広いトレンチを有する、パターニングされた半導体
素子基板の一部を示す断面図。
示す断面図。
ングを行った、図4の基板を示す断面図。
図。
Claims (5)
- 【請求項1】半導体素子の形成方法であって:装置(2
0)内の研磨パッド(22)上に基板(27)を配置す
る段階であって、層(52)が前記基板(27)上を覆
う段階;第1時間期間にわたり、前記層(52)を研磨
しつつ、コンディショナ(29)を用いて前記研磨パッ
ド(22)のコンディショニングを行う段階;前記第1
時間期間の後、第2時間期間にわたり、前記コンディシ
ョナ(29)を用いた前記研磨パッド(22)のコンデ
ィショニングを行わずに、前記層(52)を研磨する段
階;および前記研磨段階の後、前記装置(20)から前
記基板(27)を取り出す段階;から成ることを特徴と
する方法。 - 【請求項2】半導体素子の形成方法であって:装置(2
0)内の研磨パッド(22)上に基板(27)を配置す
る段階であって、層(52)が前記基板(27)上を覆
う段階;第1時間期間にわたり、前記層(52)を研磨
しつつ、コンディショナ(29)を用いて前記研磨パッ
ド(22)のコンディショニングを行う段階;前記第1
時間期間の後、第2時間期間にわたり、前記コンディシ
ョナ(29)を用いた前記研磨パッド(22)のコンデ
ィショニングを行わずに、前記層(52)を研磨する段
階であって、前記第1時間期間が、多くとも前記第2時
間期間の約7倍である段階;および前記研磨段階の後、
前記装置(20)から前記基板(27)を取り出す段
階;から成ることを特徴とする方法。 - 【請求項3】半導体素子の形成方法であって:第1コン
ディショナ(39)を用いて研磨パッド(22)のコン
ディショニングを行う段階;前記コンディショニング段
階の後、装置内の研磨パッド(22)上に基板(27)
を配置する段階であって、層(52)が前記基板(2
7)上を覆う段階;第1時間期間にわたり、前記層(5
2)を研磨しつつ、第2コンディショナ(29)を用い
て前記研磨パッド(22)のコンディショニングを行う
段階;前記第1時間期間の後、第2時間期間にわたり、
前記研磨パッドのコンディショニングを行わずに、前記
層(52)を研磨する段階;および前記研磨段階の後、
装置(20)から前記基板(27)を取り出す段階;か
ら成ることを特徴とする方法。 - 【請求項4】半導体素子の形成方法であって:装置(2
0)内の研磨パッド(22)上に基板(27)を配置す
る段階であって、層(52)が前記基板(27)上を覆
う段階;第1時間期間にわたり、前記層(52)を研磨
しつつ、コンディショナを用いて前記研磨パッド(2
2)のコンディショニングを行う段階;前記第1時間期
間の後、第2時間期間にわたり、前記層(52)を研磨
しつつ、前記コンディショナを用いて前記研磨パッド
(22)のコンディショニングを行う段階であって、第
1の値とは異なる第2の値を有する第2コンディショニ
ング・パラメータを用いて、前記コンディショニングを
行う段階;および前記研磨段階の後、前記装置(20)
から前記基板(27)を取り出す段階;から成ることを
特徴とする方法。 - 【請求項5】半導体素子の形成方法であって:装置(2
0)内の研磨パッド(22)上に基板(27)を配置す
る段階であって、層(52)が前記基板(27)上を覆
う段階;第1時間期間にわたり、前記層(52)を研磨
しつつ、コンディショナを用いて前記研磨パッド(2
2)のコンディショニングを行う段階であって、前記コ
ンディショニングは、第1のタイプおよび第1の値を有
する第1コンディショニング・パラメータを用いて行
い、前記第1コンディショニング・パラメータの前記第
1タイプは、下方力圧力,回転速度,または線速度を含
む段階;前記第1時間期間の後、第2時間期間にわた
り、前記層(52)を研磨しつつ、前記コンディショナ
を用いて前記研磨パッド(22)のコンディショニング
を行う段階であって:前記コンディショニングは、前記
第1のタイプおよび前記第1の値とは異なる第2の値を
有する第2コンディショニング・パラメータを用いて行
い;前記第2コンディショニング・パラメータの前記第
2の値は、前記第1コンディショニング・パラメータの
前記第1の値よりも小さい段階;および前記研磨段階の
後、前記装置(20)から前記基板(27)を取り出す
段階;から成ることを特徴とする方法。
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