JPH11136954A - ３レベル中性点クランプ式インバータ回路 - Google Patents

３レベル中性点クランプ式インバータ回路

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JPH11136954A
JPH11136954A JP9295560A JP29556097A JPH11136954A JP H11136954 A JPH11136954 A JP H11136954A JP 9295560 A JP9295560 A JP 9295560A JP 29556097 A JP29556097 A JP 29556097A JP H11136954 A JPH11136954 A JP H11136954A
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克利 山中
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健二 山田
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彰 熊谷
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隆昭 寺田
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 スイッチング素子毎の個別スナバ回路を設け
たのでは割高となり不経済であるので、少ない部品点数
でスナバ機能を持たせること。 【解決手段】 正母線４と負母線５と中性線６とを有
し、正母線４と相電圧出力端子１０間並びに５負母線と
相電圧出力端子１０間にそれぞれ第一及び第二のＩＧＢ
Ｔ１１、１２並びに第三及び第四のＩＧＢＴ１３、１４
が直列接続された３レベル中性点クランプ式インバータ
回路において、正母線４と中性線６間に第一のスナバコ
ンデンサ２１を、負母線５と中性線６間に第二のスナバ
コンデンサ２２を設け、正母線４にカソードを接続し相
電圧出力端子１０にアノードを接続した第一のスナバダ
イオード２３と、負母線５にアノードを接続し相電圧出
力端子１０にカソードを接続した第二のスナバダイオー
ド２４とを設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、モータの可変速
駆動運転や系統間連系等を行う電力変換装置を形成する
中性点クランプ式インバータ回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】中性点クランプ式インバータ回路のスナ
バ回路としては、例えば特開平７−１３５７８１号公報
や特開平８−２９４２８５号公報に開示の様に、各スイ
ッチング素子毎にスナバ回路を設ける個別スナバ回路方
式が一般的であった。特開平７−１３５７８１号公報に
は、各スイッチング素子毎に、抵抗器とコンデンサとダ
イオードからなるスナバ回路を配設し、インバータを停
止させる際に、過電圧等によりスイッチング素子を破損
する事無しに停止できる制御方法が開示されている。ま
た、特開平８−２９４２８５号公報には、各スイッチン
グ素子毎に、抵抗器とコンデンサとダイオードとからな
るスナバ回路を設け、このスナバ回路には、電源電圧の
半分の電圧を印加するようにした電圧クランプ形スナバ
回路としてスナバ回路損失を少なくする技術が開示され
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，比較的
中小容量の中性点クランプ式インバータ回路にスナバ回
路を設けようとする場合，スイッチング素子毎の個別ス
ナバ方式とすると、部品点数が多くなり、スナバ回路の
コストが割高になってしまうといった不都合があった。
そこでこの発明は、スナバ回路の部品点数を少なくした
３レベル中性点クランプ式インバータ回路を提供するこ
とを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる３レベル
中性点クランプ式インバータ回路は、正母線と負母線と
中性線とを有し、前記正母線と相電圧出力端子間並びに
前記負母線と相電圧出力端子間にそれぞれ複数のスイッ
チング素子が直列接続された３レベル中性点クランプ式
インバータ回路であって、前記正母線と前記中性線間に
設けられる第一のスナバコンデンサと、前記負母線と前
記中性線間に設けられる第二のスナバコンデンサと、前
記正母線にカソードが接続され前記相電圧出力端子にア
ノードが接続される第一のスナバダイオードと、前記負
母線にアノードが接続され前記相電圧出力端子にカソー
ドが接続される第二のスナバダイオードとを備えたもの
である。また、本発明に係わる３レベル中性点クランプ
式インバータ回路は、正母線と負母線と中性線とを有
し、前記正母線と相電圧出力端子間並びに前記負母線と
相電圧出力端子間にそれぞれ複数のスイッチング素子が
直列接続された３レベル中性点クランプ式インバータ回
路であって、前記正母線にアノードが接続される一方の
ダイオード、該一方のダイオードのカソードと前記中性
線との間に接続される第一のスナバコンデンサ及び前記
一方のダイオードと並列に接続される第一の放電抵抗器
を有する第一のＲＣＤスナバ回路と、前記負母線にカソ
ードが接続される他方のダイオード、該他方のダイオー
ドのアノードと前記中性線との間に接続される第二のス
ナバコンデンサ及び前記他方のダイオードと並列に接続
される第二の放電抵抗器を有する第二のＲＣＤスナバ回
路と、前記第一のＲＣＤスナバ回路の前記一方のダイオ
ードと前記第一のスナバコンデンサとの接続点にカソー
ドが接続され相電圧出力端子にアノードが接続される第
一のスナバダイオードと、前記第二のＲＣＤスナバ回路
の前記他方のダイオードと前記第二のスナバコンデンサ
との接続点にアノードが接続され相電圧出力端子にカソ
ードが接続される第二のスナバダイオードとを備えたも
のである。この発明によれば、正母線と負母線と中性線
とを有し、前記正母線と相電圧出力端子間並びに前記負
母線と相電圧出力端子間にそれぞれ複数のスイッチング
素子が直列接続された３レベル中性点クランプ式インバ
ータ回路において、各スイッチング素子毎にスナバ回路
を設けるのではなく、正負母線と中性線との間に第一、
第二のスナバコンデンサまたは第一、第二のＲＣＤスナ
バ回路を設け、更に、正負母線と相電圧出力端子の間又
は第一、第二のＲＣＤスナバ回路と相電圧出力端子との
間に第一、第二のスナバダイオードを設ける構成とする
ことにより、少ない部品点数でスナバ回路を形成するも
のである。従って、中小容量の３レベル中性点クランプ
式インバータ回路に対しても、さほどのコスト上昇無し
にスナバ回路を設けてインバータ回路の品質を高めるこ
とができる。また、インバータ装置の寸法の増大も少な
い。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。図１は、この発明による
３レベル中性点クランプ式インバータ回路の１相分の回
路図である。電源１と並列に、平滑コンデンサ２と平滑
コンデンサ３の直列接続回路が接続され、正母線４、負
母線５、中性線６の配線リアクタンスがそれぞれリアク
トル７，８，９として明示的に示されている。正母線４
と相電圧出力端子１０との間には、スイッチング素子を
形成する第一のＩＧＢＴ１１、と第二のＩＧＢＴ１２が
直列接続されている。また、負母線５と相電圧出力端子
１０との間には、同様にスイッチング素子を形成する第
三のＩＧＢＴ１３と、第四のＩＧＢＴ１４とが直列接続
されている。更に、第一のＩＧＢＴ１１と第二のＩＧＢ
Ｔ１２の接続点には、アノードを中性線６に接続された
一方のクランプダイオード１５のカソードが接続され、
第三のＩＧＢＴ１３と第四のＩＧＢＴ１４の接続点に
は、カソードを中性線６に接続された他方のクランプダ
イオード１６のアノードが接続されている。そして、各
ＩＧＢＴ１１、１２、１３、１４にはそれぞれ並列に、
第一のフライホイルダイオード１７、第二のフライホイ
ルダイオード１８、第三のフライホイルダイオード１
９、及び第四のフライホイルダイオード２０が接続され
ている。この様なインバータ回路において、この発明に
よれば、正母線４と中性線６の間に第一のスナバコンデ
ンサ２１を、負母線５と中性線６の間に第二のスナバコ
ンデンサ２２を接続し、更に、正母線４にカソードが接
続されアノードが相電圧出力端子１０に接続された第一
のスナバダイオード２３と、負母線にアノードが接続さ
れカソードが相電圧出力端子に接続された第二のスナバ
ダイオード２４とを設けて、スナバ機能を持たせる。図
２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は図１の回路の動作
を示した図である。図には平滑コンデンサ２、３からＩ
ＧＢＴ１１、１２、１３、１４までの配線に存在するリ
アクタンスをリアクトル７、８、９として示しており、
スイッチング素子を形成するＩＧＢＴに発生するサージ
の主原因は、この配線のリアクタンス分の存在によるも
のである。図２（ａ）において、第一、第二のＩＧＢＴ
１１、１２がオン、第三、第四のＩＧＢＴ１３、１４が
オフ状態にあって電流が破線の経路を流れている場合
に、第一のＩＧＢＴ１１がターンオフするとリアクトル
７にたまっていたエネルギは図２（ａ）の太線の経路を
通って第一のスナバコンデンサ２１を充電するようにな
る。リアクトル７が持っていたエネルギが第一のスナバ
コンデンサ２１に移動すると太線の電流経路は切れて、
電流は中性線６から一方のクランプダイオード１５、第
二のＩＧＢＴ１２を通って相電圧出力端子１０に流れる
様になる。また第一のスナバコンデンサ２１に電荷とし
て貯えられた余剰エネルギは平滑コンデンサ２の方へ放
電される。図２（ｂ）において、第二、第三のＩＧＢＴ
１２、１３がオン、第一、第四のＩＧＢＴ１１、１４が
オフ状態にあって電流が破線の経路を流れている場合
に、第二のＩＧＢＴ１２がターンオフするとリアクトル
８にたまっていたエネルギは図２（ｂ）の太線の経路を
通って第二のスナバコンデンサ２２を充電するようにな
る。リアクトル８が持っていたエネルギが第二のスナバ
コンデンサ２２に移動すると太線の電流経路は切れて、
電流は平滑コンデンサ３の負極側から第二のスナバダイ
オード２４を通って相電圧出力端子１０に流れるように
なる。従って、インバータ回路の環流電流は第三、第四
のフライホイルダイオード１９、２０を流れずに第二の
スナバダイオード２４を流れることとなるので、第二の
スナバダイオード２４には第三、第四のＩＧＢＴ１３、
１４と同程度の電流容量が必要になる。第二のスナバコ
ンデンサ２２に電荷として貯えられた余剰エネルギは平
滑コンデンサ３の方へ放電される。図２（ｃ）におい
て、第三、第四のＩＧＢＴ１３、１４がオン、第一、第
二のＩＧＢＴ１１、１２がオフ状態にあって、電流が破
線の経路を流れている場合に、第四のＩＧＢＴ１４がタ
ーンオフするとリアクトル９にたまっていたエネルギは
図２（ｃ）の太線の経路を通って第二のスナバコンデン
サ２２を充電するよになる。リアクトル９が持っていた
エネルギが第二のスナバコンデンサ２２に移動すると太
線の電流経路は切れて、電流は第三のＩＧＢＴ１３、他
方のクランプダイオード１６を通って中性線へと流れる
ようになる。また、第二のスナバコンデンサ２２に電荷
として貯えられた余剰エネルギは、平滑コンデンサ３の
方へ放電される。図２（ｄ）において、第二、第三のＩ
ＧＢＴ１２、１３がオン、第一、第四のＩＧＢＴ１１、
１４がオフ状態にあって電流が破線の経路を流れている
場合に、第三のＩＧＢＴ１３がターンオフするとリアク
トル８にたまっていたエネルギは図２（ｄ）の太線の経
路を通って第一のスナバコンデンサ２１を充電するよう
になる。リアクトル８が持っていたエネルギが放出され
ると、太線の電流経路は切れて、電流は第一のスナバダ
イオード２３を通って平滑コンデンサ２の正極側へ流れ
るようになる。従って、インバータ回路の環流電流は、
第一のフライホイルダイオード１７、第二のフライホイ
ルダイオード１８を流れずに、第一のスナバダイオード
２３を流れることとなるため、第一のスナバダイオード
２３も第一、第二のＩＧＢＴ１１、１２と同程度の電流
容量が必要である。第一のスナバコンデンサ２１に電荷
として貯えた余剰エネルギは、平滑コンデンサ２の方へ
放電される。以下、図３を参照してこの発明の第２の実
施の形態について説明する。図３は、この発明による３
レベル中性点クランプ式インバータ回路の１相分の回路
図を示すもので、図１と同一部分は同一符号であらわさ
れている。電源１と並列に、平滑コンデンサ２と平滑コ
ンデンサ３の直列接続回路が接続され、正母線４、負母
線５、中性線６のそれぞれの配線リアクタンスがそれぞ
れリアクトル７，８，９として明示的に示されている。
正母線４と相電圧出力端子１０との間には、スイッチン
グ素子を形成する第一のＩＧＢＴ１１、と第二のＩＧＢ
Ｔ１２が直列接続されている。また、負母線５と相電圧
出力端子１０との間には、同様にスイッチング素子を形
成する第三のＩＧＢＴ１３と、第四のＩＧＢＴ１４とが
直列接続されている。更に、第一のＩＧＢＴ１１と第二
のＩＧＢＴ１２の接続点には、アノードを中性線６に接
続された一方のクランプダイオード１５のカソードが接
続され、第三のＩＧＢＴ１３と第四のＩＧＢＴ１４の接
続点には、カソードを中性線６に接続された他方のクラ
ンプダイオード１６のアノードが接続されている。そし
て、各ＩＧＢＴ１１、１２、１３、１４にはそれぞれ並
列に、第一のフライホイルダイオード１７、第二のフラ
イホイルダイオード１８、第三のフライホイルダイオー
ド１９、第四のフライホイルダイオード２０が接続され
ている。上記の構成のインバータ回路において、この発
明によれば、前記正母線４にアノードが接続された一方
のダイオード２５のカソードと中性線６との間に第一の
スナバコンデンサ２６を接続して前記一方のダイオード
２５と並列に第一の放電抵抗器２７を接続した第一のＲ
ＣＤスナバ回路２８を設け、前記負母線５にカソードが
接続された他方のダイオード２９のアノードと中性線６
との間に第二のスナバコンデンサ３０を接続して前記他
方のダイオード２９と並列に第二の放電抵抗器３１を接
続した第二のＲＣＤスナバ回路３２を設ける。更に、前
記第一のＲＣＤスナバ回路２８の一方のダイオード２５
と第一のスナバコンデンサ２６との接続点にカソードが
接続され相電圧出力端子１０にアノードが接続された第
一のスナバダイオード３３と、前記第二のＲＣＤスナバ
回路３２の他方のダイオード２９と第二のスナバコンデ
ンサ３０との接続点にアノードが接続され相電圧出力端
子１０にカソードが接続された第二のスナバダイオード
３４とを設ける。次に、この実施の形態のスナバ動作を
図４によって説明する。図４は図３のインバータ回路の
動作を示すものである。図には平滑コンデンサ２、３か
ら各ＩＧＢＴ１１、１２、１３、１４までの配線に存在
するリアクトル７、８、９を明示的に図示しており，ス
イッチング素子を形成するＩＧＢＴに発生するサージの
主原因は、この配線のリアクタンス分の存在によるもの
である。図４（ａ）において、第一、第二のＩＧＢＴ１
１、１２がオン、第三、第四のＩＧＢＴ１３、１４がオ
フ状態にあり、電流が破線の経路で流れている場合に、
第一のＩＧＢＴ１１がターンオフすると、リアクトル７
にたまっていたエネルギは図４（ａ）の太線の経路を通
って第一のスナバコンデンサ２６を充電するようにな
る。リアクトル７が持っていたエネルギが第一のスナバ
コンデンサ２６に移動すると太線の電流経路は切れて、
電流は、中性線６から一方のクランプダイオード１５と
第二のＩＧＢＴ１２を通って相電圧出力端子１０に出力
されるようになる。また第一のスナバコンデンサ２６に
電荷として貯えられたエネルギは、第一のスナバコンデ
ンサ２６が充電状態でない間に、第一の放電抵抗器２７
を通り図示した放電経路で平滑コンデンサ２の方へ放電
される。この放電では、インバータ回路の接続が中性点
クランプ式である為、第一のスナバコンデンサ２６の両
端電圧は、平滑コンデンサ２の両端電圧とほぼ同じにな
るまでしか放電されず、第一のスナバコンデンサ２６の
両端電圧は零になることはない。従って第一のスナバコ
ンデンサ２６の両端電圧が零になる方式のスナバ回路に
比べてサージによる損失を低く押さえることができる。
図４（ｂ）において、第一、第四のＩＧＢＴ１１、１４
がオフ、第二、第三のＩＧＢＴ１２、１３がオン状態に
あり、電流が破線の経路を流れている場合に、第二のＩ
ＧＢＴ１２がターンオフすると、リアクトル８にたまっ
ていたエネルギは図４（ｂ）の太線の経路を通って第二
のスナバコンデンサ３０を充電するようになる。リアク
トル８が持っていたエネルギが第二のスナバコンデンサ
３０に移動すると太線の電流経路は切れて、電流は平滑
コンデンサ３の負極側から第四のフライホイルダイオー
ド２０、第三のフライホイルダイオード１９を通って流
れるようになる。また第二のスナバコンデンサ３０に電
荷として貯えられたエネルギは第二のスナバコンデンサ
３０が充電状態でない間に第二の放電抵抗器３１を通
り、図示した放電経路で平滑コンデンサ３の方へ放電さ
れる。この放電でもインバータ回路の接続方式から、第
二のスナバコンデンサ３０の両端電圧は平滑コンデンサ
３の両端電圧とほぼ同じになるまでしか放電されないの
で、第二のスナユバコンデンサ３０の両端電圧は零にな
ることはない。従ってこの場合も、第二のスナバコンデ
ンサ３０の両端電圧が零になる方式のスナバに比べてサ
ージによる損失を低く押さえることができる。図４
（ｃ）において、第一、第二のＩＧＢＴ１１、１２がオ
フ、第三、第四のＩＧＢＴ１３、１４がオン状態にあ
り、電流が破線の経路を流れている場合に、第四のＩＧ
ＢＴ１４がターンオフすると、リアクトル９にたまって
いたエネルギは図４（ｃ）の太線の経路を通って第二の
スナバコンデンサ３０を充電するようになる。リアクト
ル９が持っていたエネルギが第二のスナバコンデンサ３
０に移動すると太線の電流経路は切れて、電流は第三の
ＩＧＢＴ１３、他方のクランプダイオード１６、中性線
６を通って流れるようになる。また、第二のスナバコン
デンサ３０に電荷として貯えられたエネルギは、第二の
スナバコンデンサ３０が充電状態でない間に、第二の放
電抵抗器３１を通り図示した放電経路で平滑コンデンサ
３の方へ放電される。この放電においても、インバータ
回路の接続方式によって、第二のスナバコンデンサ３０
の両端電圧は、平滑コンデンサ３の両端電圧とほぼ同じ
になるまでしか放電されないので、第二のスナバコンデ
ンサ３０の両端電圧は零になることはない。従ってこの
場合も第二のスナバコンデンサ３０の両端電圧が零にな
る方式のスナバ回路に比べてサージによる損失を低く押
さえることができる。図４（ｄ）において、第一、第四
のＩＧＢＴ１１、１４オフ、第二、第三のＩＧＢＴ１
２、１３がオン状態にあり、電流が破線の経路を流れて
いる場合に、第三のＩＧＢＴ１３がターンオフすると、
リアクトル８にたまっていたエネルギは図４（ｄ）の太
線の経路を通って第一のスナバコンデンサ２６を充電す
るようになる。リアクトル８が持っていたエネルギが第
一のスナバコンデンサ２６に移動すると太線の電流経路
は切れて、電流は第二のフライホイルダイオード１８、
第一のフライホイルダイオード１７、平滑コンデンサ２
の正極を通って流れるようになる。また、第一のスナバ
コンデンサ２６に電荷として貯えられたエネルギは、第
一のスナバコンデンサ２６が充電状態でない間に第一の
放電抵抗器２７を通り図示した放電経路で平滑コンデン
サ２の方へ放電される。この放電でも、インバータ回路
の接続方式により、第一のスナバコンデンサ２６の両端
電圧は、平滑コンデンサ２の両端電圧とほぼ同じになる
までしか放電されないので、第一のスナバコンデンサ２
６の両端電圧は零になることはない。従ってこの場合
も、第一のスナバコンデンサ２６の両端電圧が零になる
方式のスナバ回路に比べてサージによる損失を低く押さ
えることができる。
【０００６】
【発明の効果】以上の通りこの発明によれば、正母線と
負母線と中性線とを有し、正母線と相電圧出力端子間並
びに負母線と相電圧出力端子間にそれぞれ複数のスイッ
チング素子が直列接続された３レベル中性点クランプ式
インバータ回路において、正負母線と中性線との間に第
一、第二のスナバコンデンサまたは第一、第二のＲＣＤ
スナバ回路を設け、更に、正負母線と相電圧出力端子の
間又は第一、第二のＲＣＤスナバ回路と相電圧出力端子
との間に第一、第二のスナバダイオードを設ける構成と
したので、従来の個別スナバ方式に比べて少ない部品点
数でスナバ回路を設けることができ、中小容量の３レベ
ル中性点クランプ式インバータに対してコスト上昇を抑
えつつスナバ機能を持たせることが可能となり、経済的
に品質の向上と使い勝手の良さを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明による第一の実施の形態のインバータ
回路の１相分の回路図である。
【図２】図１に示す回路のスナバ動作説明図であり、図
２（ａ）は第一、第二のＩＧＢＴがオン状態から第一の
ＩＧＢＴがオフになる経過の説明図、図２（ｂ）は第
二、第三のＩＧＢＴがオン状態から第二のＩＧＢＴがオ
フとなる経過の説明図、図２（ｃ）は第三、第四のＩＧ
ＢＴがオンの状態から第四のＩＧＢＴがオフになる経過
の説明図、図２（ｄ）は第二、第三のＩＧＢＴがオンの
状態から第三のＩＧＢＴがオフとなる経過の説明図であ
る。
【図３】この発明による第二の実施の形態のインバータ
回路の１相分の回路図である。
【図４】図３に示す回路のスナバ動作説明図であり、図
４（ａ）は第一、第二のＩＧＢＴがオン状態から第一の
ＩＧＢＴがオフになる経過の説明図、図４（ｂ）は第
二、第三のＩＧＢＴがオン状態から第二のＩＧＢＴがオ
フとなる経過の説明図、図４（ｃ）は第三、第四のＩＧ
ＢＴがオンの状態から第四のＩＧＢＴがオフになる経過
の説明図、図４（ｄ）は第二、第三のＩＧＢＴがオンの
状態から第三のＩＧＢＴがオフとなる経過の説明図であ
る。
【符号の説明】
１ 電源 ４ 正母線 ５ 負母線 ６ 中性線 ７〜９ 配線リアクタンス １０ 相電圧出力端子 １１ 第一のＩＧＢＴ １２ 第二のＩＧＢＴ １３ 第三のＩＧＢＴ １４ 第四のＩＧＢＴ １５、１６ クランプダイオード １７〜２０ 環流ダイオード ２１、２６ 第一のスナバコンデンサ ２２、３０ 第二のスナバコンデンサ ２３、３３ 第一のスナバダイオード ２４、３４ 第二のスナバダイオード ２５ 一方のダイオード ２７ 第一の放電抵抗器 ２８ 第一のＲＣＤスナバ回路 ２９ 他方のダイオード ３１ 第二の放電抵抗器 ３２ 第二のＲＣＤスナバ回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 寺田 隆昭 福岡県北九州市八幡西区黒崎城石２番１号 株式会社安川電機内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 正母線と負母線と中性線とを有し、前記
    正母線と相電圧出力端子間並びに前記負母線と相電圧出
    力端子間にそれぞれ複数のスイッチング素子が直列接続
    された３レベル中性点クランプ式インバータ回路であっ
    て、 前記正母線と前記中性線間に設けられる第一のスナバコ
    ンデンサと、 前記負母線と前記中性線間に設けられる第二のスナバコ
    ンデンサと、 前記正母線にカソードが接続され前記相電圧出力端子に
    アノードが接続される第一のスナバダイオードと、 前記負母線にアノードが接続され前記相電圧出力端子に
    カソードが接続される第二のスナバダイオードとを備え
    たことを特徴とする３レベル中性点クランプ式インバー
    タ回路。
  2. 【請求項２】 正母線と負母線と中性線とを有し、前記
    正母線と相電圧出力端子間並びに前記負母線と相電圧出
    力端子間にそれぞれ複数のスイッチング素子が直列接続
    された３レベル中性点クランプ式インバータ回路であっ
    て、 前記正母線にアノードが接続される一方のダイオード、
    該一方のダイオードのカソードと前記中性線との間に接
    続される第一のスナバコンデンサ及び前記一方のダイオ
    ードと並列に接続される第一の放電抵抗器を有する第一
    のＲＣＤスナバ回路と、 前記負母線にカソードが接続される他方のダイオード、
    該他方のダイオードのアノードと前記中性線との間に接
    続される第二のスナバコンデンサ及び前記他方のダイオ
    ードと並列に接続される第二の放電抵抗器を有する第二
    のＲＣＤスナバ回路と、 前記第一のＲＣＤスナバ回路の前記一方のダイオードと
    前記第一のスナバコンデンサとの接続点にカソードが接
    続され相電圧出力端子にアノードが接続される第一のス
    ナバダイオードと、 前記第二のＲＣＤスナバ回路の前記他方のダイオードと
    前記第二のスナバコンデンサとの接続点にアノードが接
    続され相電圧出力端子にカソードが接続される第二のス
    ナバダイオードとを備えたことを特徴とする３レベル中
    性点クランプ式インバータ回路。
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