JP3170368B2 - インバータ装置 - Google Patents
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Description
を適用して構成されるインバータ装置に関する。
弧型半導体素子に、電圧上昇率及び電流上昇率に制約の
あるもの、例えばGTOサイリスタ(以下GTOと略
す)を適用する場合、電圧、電流上昇率抑制のためのス
ナバ回路を必要とする。そのスナバ回路に蓄積されたエ
ネルギーの損失防止のため、これを直流電源に回生する
手段を備えたインバータ装置が、特開昭59−1659
54号公報に示されている。
結線図を示す。この回路は、自己消弧型半導体素子1
A、1Bとして、GTOを適用している。GTO1A、
1Bに逆並列に接続されているのは、フリーホイールダ
イオード2A、2Bである。近年はGTOとフリーホイ
ールダイオードを一体化した逆導通GTOも開発されて
おり、それを適用した場合、フリーホイールダイオード
2A、2Bは省略され得る。
直流母線Nを接続している。また、出力は出力端子Xよ
り得る。ターンオフ時にGTO1Aに加える電圧につい
ては、スナバコンデンサ4A、スナバダイオード5Aか
らなるスナバ回路に、負荷電流をバイパスさせて、スナ
バコンデンサ4Aを充電させることによりその過大な電
圧上昇率が抑制される。また、ターンオン時にGTO1
Aに流れる電流については、アノードリアクトル6によ
りその過大な電流上昇率が抑制される。GTO1Bにつ
いても全く同様である。また、図9のインバータ装置に
おいては、スナバコンデンサ4Aとアノードリアクトル
6Aに蓄積されたエネルギーは、ダイオード7A、補助
リアクトル8Aを介して補助電源9Aに回収され、スナ
バコンデンサ4Bとアノードリアクトル6Bに蓄積され
たエネルギーは、ダイオード7B、補助リアクトル8B
を介して補助電源9Bに回収される。
した従来のインバータ装置は、補助電源9A、9Bを直
流母線PNの両端に少なくとも2台備える必要があり、
図9には図示されていないが、補助電源9A、9Bに回
収された過剰なエネルギーを直流電源3に回生するため
のエネルギー回生回路をそれらに付随して2台備える必
要がある。しかしながら、損失防止による効率化を図る
とともに、インバータ装置のより一層の小型化も要求さ
れる。また、補助リアクトル8A、8Bがスナバエネル
ギー回収経路に挿入されており、そのためスナバコンデ
ンサ4A、4Bの放電電流やアノードリアクトル6A、
6Bの還流電流の流れを抑制することになる。従って、
スナバエネルギー回収時間が長くなり、インバータ装置
の高周波化を図るためには、より一層の改善が望まれ
る。。
で、補助電源やエネルギー回生回路を減少させて小型化
を図り、スナバエネルギー回収経路の補助リアクトルを
取り除いて高周波化を図ったインバータ装置を提供する
ことを目的とするものである。
流電源の正負母線間に、互いに直列接続された自己消弧
型半導体素子をそれぞれ正負アームとして接続し、前記
自己消弧型半導体素子の各々に逆並列にダイオードを接
続し、前記正、負アームの接続点を出力端子とするイン
バータ装置において、各自己消弧型半導体素子に並列
に、スナバダイオードとスナバコンデンサを直列に接続
してなるスナバ回路を接続し、正アーム側の前記スナバ
回路を構成するスナバダイオードとスナバコンデンサの
接続点と、前記正側母線とを、ダイオードと回収コンデ
ンサを介して接続し、負アーム側の前記スナバ回路を構
成するスナバダイオードに並列に、補助コンデンサとダ
イオードとリアクトルからなる直列体を接続し、前記直
列体を構成するコンデンサと、前記回収コンデンサと
を、ダイオードを介して接続し、正アームを構成する自
己消弧型半導体素子と前記直流電源の正側母線間に、前
記回収コンデンサを介した閉回路を構成するようにリア
クトルを挿入し、前記回収コンデンサからエネルギーを
取り出して前記直流電源に回生するエネルギー回生回路
を接続したことを特徴とするインバータ装置に関する。
間に、互いに直列接続された自己消弧型半導体素子をそ
れぞれ正負アームとして接続し、前記自己消弧型半導体
素子の各々に逆並列にダイオードを接続し、前記正、負
アームの接続点を出力端子とするインバータ装置におい
て、各自己消弧型半導体素子に並列に、スナバダイオー
ドとスナバコンデンサを直列に接続してなるスナバ回路
を接続し、正アーム側の前記スナバ回路を構成するスナ
バダイオードとスナバコンデンサの接続点と、前記負側
母線とを、ダイオードと回収コンデンサを介して接続
し、負アーム側の前記スナバ回路を構成するスナバダイ
オードに並列に、補助コンデンサとダイオードとリアク
トルからなる直列体を接続し、前記直列体を構成するコ
ンデンサと、前記回収コンデンサとを、ダイオードを介
して接続し、正アームを構成する自己消弧型半導体素子
と前記直流電源の正側母線間に、前記直流電源と前記回
収コンデンサを介した閉回路を構成するようにリアクト
ルを挿入し、前記回収コンデンサからエネルギーを取り
出して前記直流電源に回生するエネルギー回生回路を接
続したことを特徴とするインバータ装置に関する。
間に、互いに直列接続された自己消弧型半導体素子をそ
れぞれ正負アームとして接続し、前記自己消弧型半導体
素子の各々に逆並列にダイオードを接続し、前記正、負
アームの接続点を出力端子とするインバータ装置におい
て、各自己消弧型半導体素子に並列に、スナバダイオー
ドとスナバコンデンサを直列に接続してなるスナバ回路
を接続し、負アーム側の前記スナバ回路を構成するスナ
バダイオードとスナバコンデンサの接続点と、前記負側
母線とを、ダイオードと回収コンデンサを介して接続
し、正アーム側の前記スナバ回路を構成するスナバダイ
オードに並列に、補助コンデンサとダイオードとリアク
トルからなる直列体を接続し、前記直列体を構成するコ
ンデンサと、前記回収コンデンサとを、ダイオードを介
して接続し、負アームを構成する自己消弧型半導体素子
と前記直流電源の負側母線間に、前記回収コンデンサを
介した閉回路を構成するようにリアクトルを挿入し、前
記回収コンデンサからエネルギーを取り出して前記直流
電源に回生するエネルギー回生回路を接続したことを特
徴とするインバータ装置に関する。
間に、互いに直列接続された自己消弧型半導体素子をそ
れぞれ正負アームとして接続し、前記自己消弧型半導体
素子 の各々に逆並列にダイオードを接続し、前記正、負
アームの接続点を出力端子とするインバータ装置におい
て、各自己消弧型半導体素子に並列に、スナバダイオー
ドとスナバコンデンサを直列に接続してなるスナバ回路
を接続し、負アーム側の前記スナバ回路を構成するスナ
バダイオードとスナバコンデンサの接続点と、前記正側
母線とを、ダイオードと回収コンデンサを介して接続
し、正アーム側の前記スナバ回路を構成するスナバダイ
オードに並列に、補助コンデンサとダイオードとリアク
トルからなる直列体を接続し、前記直列体を構成するコ
ンデンサと、前記回収コンデンサとを、ダイオードを介
して接続し、負アームを構成する自己消弧型半導体素子
と前記直流電源の負側母線間に、前記直流電源と前記回
収コンデンサを介した閉回路を構成するようにリアクト
ルを挿入し、前記回収コンデンサからエネルギーを取り
出して前記直流電源に回生するエネルギー回生回路を接
続したことを特徴とするインバータ装置に関する。
置を、一組の回収コンデンサおよびエネルギー回生回路
を共有することにより直流電源の正負母線間に複数台並
列接続し、該複数台のインバータ装置のそれぞれに上記
回収コンデンサおよびエネルギー回生回路を共通に接続
したことを特徴とするインバータ装置に関する。
接続した補助コンデンサを用いることにより、回収コン
デンサを1つだけ設ければよくなっている。この回収コ
ンデンサはスナバコンデンサ及びアノードリアクトルに
蓄積される過剰なエネルギーを一時蓄積する。また、そ
の回収コンデンサに接続される1つのエネルギー回生回
路により、回収コンデンサに蓄積される過剰なエネルギ
ーを直流電源等に回生する。なお、各相に1つ必要な回
収コンデンサ及びエネルギー回生回路は複数の相で共用
することもできる。
明する。図1は、本発明の第1発明のインバータ装置実
施例を示す結線図である。この図の実施例においては、
自己消弧型半導体素子1A、1Bの一例としてGTOを
適用している。なお、図1において、図9と対応する回
路素子部分には同一符号を付して説明する。
に、直列接続されたGTO1A、1Bを配置し、各々を
正負アームとしている。GTO1A、1Bの各々は、逆
並列にフリーホイールダイオード2A、2Bを接続し、
正アームと負アームとの接続点を出力端子Xとするイン
バータ装置を構成している。GTO1A、1Bの直列回
路には、アノードリアクトル6を挿入し、各々のGTO
に並列にスナバ回路を接続している。即ち、例えばGT
O1Aについては、スナバコンデンサ4Aとスナバダイ
オード5Aを直列に接続してなるスナバ回路を接続して
おり、GTO1Bについても同様である。
ンデンサ11、ダイオード12、補助リアクトル13か
らなる直列体が接続されている。スナバコンデンサ4A
と補助コンデンサ11は、各々ダイオード7A、7Bを
介して回収コンデンサ10の一端に接続されている。回
収コンデンサ10の他端は正側母線Pに接続されてい
る。また、回収コンデンサ10からエネルギーを取り出
し、直流電源3に回生するエネルギー回生回路14は、
スイッチ15、ダイオード16、リアクトル17から構
成されている。ここでは、直流電源3の電圧をEとし、
回収コンデンサ10は、エネルギー回生回路14によ
り、正側母線Pの側を負として一定電圧eに制御されて
いる。この一定電圧eの値は、好ましくは直流電源3の
電圧Eの数分の1となるように設定される。出力端子X
には図示されない誘導性負荷が接続されており、負荷電
流のベクトルは各GTOのスイッチング動作中には変化
しないものと仮定する。
する。図2は、その動作説明のための電流経路説明図で
ある。まず、GTO1Aのターンオフにより出力端子X
の電圧をEから0に変化させる場合の回路動作を説明す
る。図中、正アームのGTO1Aがオン、負アームのG
TO1Bがオフしていると、経路1により出力端子Xか
ら図中矢印の方向に負荷電流が流れる。スナバコンデン
サ4A、補助コンデンサ11の両端電圧は各々零、スナ
バコンデンサ4Bの両端電圧は、直流電源3の電圧Eと
回収コンデンサ10の電圧eとの和の電圧値に充電され
た状態となっている。
荷電流を遮断し、ある一定の短絡防止時間後にGTO1
Bをターンオンさせる場合を考える。GTO1Aをター
ンオフさせると、遮断された負荷電流は経路2にバイパ
スされて、スナバコンデンサ4Aは直流電源3の電圧E
と回収コンデンサ10の電圧eとの和の電圧値まで充電
される。このとき、スナバコンデンサ4AはGTO1A
に加わる過大な電圧上昇率を吸収して抑制する。その直
後はアノードリアクトル6にエネルギーが過剰に蓄積さ
れているが、経路3によりそのエネルギーは全て回収コ
ンデンサ10に回収される。
間を経過し、GTO1Bをターンオンさせると、スナバ
コンデンサ4Bは経路4により電圧零まで放電される。
このとき、スナバコンデンサ4Bの放電電流によりGT
O1Bに加わる過大な電流上昇率は補助リアクトル13
により抑制される。スナバコンデンサ4Bが放電を終了
しても、補助リアクトル13にエネルギーが過剰に蓄積
されているため、経路5によりそのエネルギーは補助コ
ンデンサ11に移される。従って、この過程でスナバコ
ンデンサ4Bに蓄積されていたエネルギーは補助リアク
トル13を介して補助コンデンサ11に移されることに
なる。この時の補助コンデンサ11の充電電圧をe1と
する。更に、スナバコンデンサ4Aの充電電圧が電圧E
以上になるとフリーホイールダイオード2Bが導通す
る。この全過程を経て負荷電流は経路6により流れるこ
とになり、GTO1Aのターンオフにより出力端子Xの
電圧をEから0に変化させる場合の回路動作が終了す
る。
端子Xの電圧を0からEに変化させる場合の回路動作を
説明する。図中、正アームのGTO1Aがオフ、負アー
ムのGTO1Bがオンしており、経路6により出力端子
Xから図中矢印の方向に負荷電流が流れているものとす
る。スナバコンデンサ4Bの電圧は零、スナバコンデン
サ4Aの電圧は直流電源3の電圧Eと回収コンデンサ1
0の電圧eとの和の電圧値に充電されている。補助コン
デンサ11が電圧e1に充電された状態から、GTO1
Bをターンオフさせ、ある一定の短絡防止時間後にGT
O1Aをターンオンさせる場合を考える。ここで、GT
O1Bをターンオフさせても経路5により出力端子Xか
ら図中矢印の方向に負荷電流が流れているために回路状
態は変化しない。
ドリアクトル6には直流電源3の電圧Eが印加されて、
GTO1Aに加わる過大な電流上昇率がアノードリアク
トル6に抑制されつつ、負荷電流は経路1により供給さ
れ始める。その後、GTO1Aに流れる電流が負荷電流
以上になるが、その過剰な電流は、スナバコンデンサ4
Bの充電電流となり、スナバコンデンサ4Bは直流電源
3の電圧Eと回収コンデンサ10の電圧eとの和の電圧
値まで、経路7により充電される。また、経路8により
スナバコンデンサ4Aは放電し、スナバコンデンサ4A
に蓄積されていたエネルギーはこの経路8により回収コ
ンデンサ10に回収される。このとき、スナバコンデン
サ4Aが電圧e1まで放電されると、ダイオード7Bが
導通状態となるため、スナバコンデンサ4Aの放電と同
時に補助コンデンサ11の放電が経路9により行なわれ
る。
1の放電が終了した直後は、アノードリアクトル6にエ
ネルギーが過剰に蓄えられているが、経路3によりその
エネルギーは全て回収コンデンサ10に回収される。な
お、この回路で従来の図9と異なる点は、この経路3、
経路8、経路9にアノードリアクトル6以外の追加的な
リアクトルを含まない点である。従って、スナバエネル
ギーの回収コンデンサ10への回収時間が短縮されるこ
とになる。以上の過程を経て負荷電流は経路1により流
れることになり、GTO1Bのターンオフにより出力端
子Xの電圧を0からEに変化させる場合の回路動作が終
了する。なお、負荷電流が出力端子Xにおいて図中矢印
の逆方向に流れている場合の、各GTO1A、1Bのス
イッチング動作は、図中矢印の方向に負荷電流が流れて
いる場合のスイッチング動作と全く対称なため説明を省
略する。
ついて説明する。本発明の装置において、エネルギー回
生回路14の構成自体はこれに限定されるものではない
が、実用的な回路例として説明を行う。図に示したよう
に、スイッチ15、ダイオード16、リアクトル17に
よりエネルギー回生回路14が構成されている。この回
路は、回収コンデンサ10からエネルギーを取り出して
直流電源3に回生し、回収コンデンサ10の充電電圧を
一定値eに制御するという機能を持つ。
イッチ15をオンさせて、経路10により回収コンデン
サ10に蓄積されているエネルギーをリアクトル17に
放電させる。次に、放電電流を遮断するためスイッチ1
5をオフすると、リアクトル17に蓄積されたエネルギ
ーにより経路11に電流が流れ、そのエネルギーが直流
電源3に回生されることになる。このスイッチ15のオ
ン、オフ期間あるいはその周期を回収コンデンサ10の
電圧により制御することで、回収コンデンサ10の充電
電圧を一定値に保ちつつ、直流電源3にエネルギーを回
生することができる。もちろん、図1に示した回路以外
にも、公知な直流−直流電力変換回路を適用することに
より同様の効果が得られることは明らかである。なお、
アノードリアクトル6や補助リアクトル13は、必ずし
も構成要素として独立して存在させる必要はなく、自己
消弧型半導体素子の性能等により、場合によっては配線
インダクタンスによる代用が可能である。
る。図3は、この発明の第2発明によるインバータ装置
の実施例を示す結線図である。この実施例においては、
自己消弧型半導体素子1A、1Bの一例としてGTOを
適用している。なお、図3において、図1、図9と対応
する回路素子部分には同一符号を付して説明する。
間に、直列接続されたGTO1A、1Bを配置し、各々
を正負アームとしている。GTO1A、1Bの各々に
は、逆並列にフリーホイールダイオード2A、2Bを接
続し、正アームと負アームとの接続点を出力端子Xとす
るインバータ装置を接続している。GTO1A、1Bの
直列回路にはアノードリアクトル6を挿入し、各々のG
TOに並列にスナバ回路を接続している。即ち例えばG
TO1Aについては、スナバコンデンサ4Aとスナバダ
イオード5Aを直列に接続してなるスナバ回路を接続し
ており、GTO1Bについても同様である。
ンデンサ11、ダイオード12、補助リアクトル13か
らなる直列体が接続されている。スナバコンデンサ4A
と補助コンデンサ11は、各々ダイオード7A、7Bを
介して回収コンデンサ10の一端に接続されている。回
収コンデンサ10の一端は負側母線Nに接続されてい
る。回収コンデンサ10からエネルギーを取り出し、直
流電源3に回生するエネルギー回生回路14は、スイッ
チ15、ダイオード16、リアクトル17から構成され
ている。ここでは、直流電源3の電圧をEとし、回収コ
ンデンサ10は、エネルギー回生回路14により正側母
線P側を負として一定電圧eに制御されている。出力端
子Xには図示されない誘導性負荷が接続されており、負
荷電流のベクトルは各GTOのスイッチング動作中には
変化しないものと仮定する。一定電圧eの値は好ましく
は直流電源3の電圧Eと直流電源3の電圧Eの数分の1
との和の電圧値となるように設定される。
する。図4は回路動作説明図で、図3の説明中に示す経
路をまとめて記載している。まず、GTO1Aのターン
オフにより出力端子Xの電圧をEから0に変化させる場
合の回路動作を説明する。図中、正アームのGTO1A
がオン、負アームのGTO1Bがオフしており、経路1
により出力端子Xから図中矢印の方向に負荷電流が流れ
ているものとする。スナバコンデンサ4A、補助コンデ
ンサ11の電圧は各々零、スナバコンデンサ4Bの電圧
は回収コンデンサ10の電圧eに充電されている。GT
O1Aをターンオフさせて負荷電流を遮断し、ある一定
の短絡防止時間後にGTO1Bをターンオンさせる場合
を考える。
れた負荷電流は経路2にバイパスされて、スナバコンデ
ンサ4Aは回収コンデンサ10の電圧eまで充電され
る。このとき、スナバコンデンサ4AはGTO1Aに加
わる過大な電圧上昇率を抑制する。その直後はアノード
リアクトル6にエネルギーが過剰に蓄積されているが、
経路3によりそのエネルギーは全て回収コンデンサ10
に回収される。GTO1Aをターンオフして短絡防止時
間後にGTO1Bをターンオンさせると、スナバコンデ
ンサ4Bは経路4により電圧零まで放電される。このと
き、スナバコンデンサ4Bの放電電流によりGTO1B
に加わる過大な電流上昇率は補助リアクトル13により
抑制される。
補助リアクトル13にエネルギーが過剰に蓄積されてい
るため、経路5によりそのエネルギーは補助コンデンサ
11に移される。従って、この過程でスナバコンデンサ
4Bに蓄積されていたエネルギーは補助リアクトル13
を介して補助コンデンサ11に移されることになる。こ
のときの補助コンデンサ11の充電電圧をe1とする。
更に、スナバコンデンサ4Aの充電電圧が電圧E以上に
なると、フリーホイールダイオード2Bが導通する。こ
の全過程を経て負荷電流は経路6により流れることにな
り、GTO1Aのターンオフにより出力端子Xの電圧を
Eから0に変化させる場合の回路動作が終了する。
端子電圧を0からEに変化させる場合の回路動作を説明
する。図中、正アームのGTO1Aがオフ、負アームの
GTO1Bがオンしており、経路6により出力端子Xか
ら図中矢印の方向に負荷電流が流れているものとする。
スナバコンデンサ4Bの電圧は零、スナバコンデンサ4
Aの電圧は回収コンデンサ10の電圧eに充電されてい
る。補助コンデンサ11が電圧e1に充電された状態か
ら、GTO1Bをターンオフさせ、ある一定の短絡防止
時間後にGTO1Aをターンオンさせる場合を考える。
ここで、GTO1Bをターンオフさせても経路5により
出力端子Xから図中矢印の方向に負荷電流が流れている
ために回路状態は変化しない。
ドリアクトル6には直流電源3の電圧Eが印加されてG
TO1Aにかかる過大な電流上昇率がアノードリアクト
ル6に抑制されつつ、負荷電流は経路1により供給され
始める。その後、GTO1Aに流れる電流が負荷電流以
上になるが、その過剰な電流はスナバコンデンサ4Bの
充電電流となり、スナバコンデンサ4Bは回収コンデン
サ10の電圧eまで経路7により充電される。また、経
路8によりスナバコンデンサ4Aは放電し、スナバコン
デンサ4Aに蓄積されていたエネルギーはこの経路8に
より回収コンデンサ10に回収される。このとき、スナ
バコンデンサ4Aが電圧e1まで放電されるとダイオー
ド7Bが導通状態となるため、スナバコンデンサ4Aの
放電と同時に補助コンデンサ11の放電が経路9により
行われる。
1の放電が終了した直後は、アノードリアクトル6にエ
ネルギーが過剰に蓄えられているが、経路3によりその
エネルギーは全て回収コンデンサ10に回収される。な
お、この回路で従来の図9と異なる点は、この経路3、
経路8、経路9にアノードリアクトル6以外の追加的な
リアクトルを含まない点である。従って、スナバエネル
ギーの回収コンデンサ10への回収時間が短縮されるこ
とになる。
流れることになり、GTO1Bのターンオフにより出力
端子Xの電圧を0からEに変化させる場合の回路動作が
終了する。なお、負荷電流が出力端子Xにおいて図中矢
印の逆方向に流れている場合の、各GTO1A、1Bの
スイッチング動作は、図中矢印の方向に負荷電流が流れ
ている場合のスイッチング動作と全く対称なため説明を
省略する。エネルギー回生回路14の構成は図1に示し
たものと同様である。
実施例を示す結線図である。図5においては、図1に示
したインバータ装置を2個組み合わせて、多相インバー
タを構成している。この場合に、回収コンデンサ10及
びそれに接続されるエネルギー回生回路14を複数の相
について共通に接続している。回路の基本的な動作は実
施例1、実施例2において詳細に記述したものと全く同
じであるためここでは省略する。このように、多相化し
ても回収コンデンサ10やエネルギー回生回路14を共
有できるので、インバータの大型化を防止しつつエネル
ギー損失の防止を図ることができる。図6は図3のイン
バータ装置を2個組み合わせたもので、これも同様の機
能を持つ。
である。図7は図1の装置に設けられたアノードリアク
トル6の挿入位置を、負側母線Nの側とした場合を示
す。また、図8は図3の装置に設けられたアノードリア
クトル6の挿入位置を、負側母線Nの側とした場合を示
す。回路構成としては、正負対称となっており、回路の
基本的な動作は実施例1、実施例2において詳細に記述
したものと全く同様であるため、ここでは省略する。な
お、実施例3の図5、図6に示したように、図7、図8
の回収コンデンサ10を複数の相について共通に接続で
きることは言うまでもない。
は、スナバダイオードに並列接続した補助コンデンサを
用いることにより回収コンデンサを1つ備えるだけでよ
く、そのためにアノードリアクトルを1つにでき、また
回収コンデンサから過剰なエネルギーを直流電源に回生
するためのエネルギー回生回路をも1つ備えるだけでよ
くなった。従って、構成部品を少なくでき、インバータ
装置を小型化できる効果がある。また、回収コンデンサ
及びエネルギー回生回路を複数の相で共通に接続できる
ため、多相化した場合の装置の小型化が可能になるとい
う効果がある。
に回収する経路に追加的にリアクトルを挿入する必要が
ないため、スナバエネルギー回収時間が短縮でき、イン
バータ装置の高周波化が可能となる効果がある。しか
も、このようなインバータ装置をコンバータ装置に適用
し、コンバータ・インバータシステムとして誘導電動機
を駆動した場合、損失が少なくランニングコストが減少
し、システム全体の省エネルギーを図る効果もある。
示す結線図である。
る。
示す結線図である。
る。
示す結線図である。
施例を示す結線図である。
施例を示す結線図である。
施例を示す結線図である。
2B フリーホイールダイオード、3 直流電源、4
A,4B スナバコンデンサ、5A,5B スナバダイ
オード、6 アノードリアクトル、7A,7B ダイオ
ード、10 回収コンデンサ、11 補助コンデンサ、
12 ダイオード、13 補助リアクトル、14 エネ
ルギー回生回路、15 スイッチ、16 ダイオード、
17 リアクトル、P 正側直流母線、N 負側直流母
線、X 出力端子。
Claims (5)
- 【請求項1】 直流電源の正負母線間に、互いに直列接
続された自己消弧型半導体素子をそれぞれ正負アームと
して接続し、前記自己消弧型半導体素子の各々に逆並列
にダイオードを接続し、前記正、負アームの接続点を出
力端子とするインバータ装置において、 各自己消弧型半導体素子に並列に、スナバダイオードと
スナバコンデンサを直列に接続してなるスナバ回路を接
続し、 正アーム側の前記スナバ回路を構成するスナバダイオー
ドとスナバコンデンサの接続点と、前記正側母線とを、
ダイオードと回収コンデンサを介して接続し、 負アーム側の前記スナバ回路を構成するスナバダイオー
ドに並列に、補助コンデンサとダイオードとリアクトル
からなる直列体を接続し、 前記直列体を構成するコンデンサと、前記回収コンデン
サとを、ダイオードを介して接続し、 正アームを構成する自己消弧型半導体素子と前記直流電
源の正側母線間に、前記回収コンデンサを介した閉回路
を構成するようにリアクトルを挿入し、 前記回収コンデンサからエネルギーを取り出して前記直
流電源に回生するエネルギー回生回路を接続したことを
特徴とするインバータ装置。 - 【請求項2】 直流電源の正負母線間に、互いに直列接
続された自己消弧型半導体素子をそれぞれ正負アームと
して接続し、前記自己消弧型半導体素子の各々に逆並列
にダイオードを接続し、前記正、負アームの接続点を出
力端子とするインバータ装置において、 各自己消弧型半導体素子に並列に、スナバダイオードと
スナバコンデンサを直列に接続してなるスナバ回路を接
続し、 正アーム側の前記スナバ回路を構成するスナバダイオー
ドとスナバコンデンサの接続点と、前記負側母線とを、
ダイオードと回収コンデンサを介して接続し、 負アーム側の前記スナバ回路を構成するスナバダイオー
ドに並列に、補助コンデンサとダイオードとリアクトル
からなる直列体を接続し、 前記直列体を構成するコンデンサと、前記回収コンデン
サとを、ダイオードを介して接続し、 正アームを構成する自己消弧型半導体素子と前記直流電
源の正側母線間に、前記直流電源と前記回収コンデンサ
を介した閉回路を構成するようにリアクトルを挿入し、 前記回収コンデンサからエネルギーを取り出して前記直
流電源に回生するエネルギー回生回路を接続したことを
特徴とするインバータ装置。 - 【請求項3】 直流電源の正負母線間に、互いに直列接
続された自己消弧型半導体素子をそれぞれ正負アームと
して接続し、前記自己消弧型半導体素子の各々に逆並列
にダイオードを接続し、前記正、負アームの接続点を出
力端子とするインバータ装置において、 各自己消弧型半導体素子に並列に、スナバダイオードと
スナバコンデンサを直列に接続してなるスナバ回路を接
続し、 負アーム側の前記スナバ回路を構成するスナバダイオー
ドとスナバコンデンサの接続点と、前記負側母線とを、
ダイオードと回収コンデンサを介して接続し、 正アーム側の前記スナバ回路を構成するスナバダイオー
ドに並列に、補助コンデンサとダイオードとリアクトル
からなる直列体を接続し、 前記直列体を構成するコンデンサと、前記回収コンデン
サとを、ダイオードを介して接続し、 負アームを構成する自己消弧型半導体素子と前記直流電
源の負側母線間に、前記回収コンデンサを介した閉回路
を構成するようにリアクトルを挿入し、 前記回収コンデンサからエネルギーを取り出して前記直
流電源に回生するエネルギー回生回路を接続したことを
特徴とするインバータ装置。 - 【請求項4】 直流電源の正負母線間に、互いに直列接
続された自己消弧型半導体素子をそれぞれ正負アームと
して接続し、前記自己消弧型半導体素子の各々に逆並列
にダイオードを接続し、前記正、負アームの接続点を出
力端子とするインバータ装置において、 各自己消弧型半導体素子に並列に、スナバダイオードと
スナバコンデンサを直列に接続してなるスナバ回路を接
続し、 負アーム側の前記スナバ回路を構成するスナバダイオー
ドとスナバコンデンサの接続点と、前記正側母線とを、
ダイオードと回収コンデンサを介して接続し、 正アーム側の前記スナバ回路を構成するスナバダイオー
ドに並列に、補助コンデンサとダイオードとリアクトル
からなる直列体を接続し、 前記直列体を構成するコンデンサと、前記回収コンデン
サとを、ダイオードを介して接続し、 負アームを構成する自己消弧型半導体素子と前記直流電
源の負側母線間に、前記直流電源と前記回収コンデンサ
を介した閉回路を構成するようにリアクトルを挿入し、 前記回収コンデンサからエネルギーを取り出して前記直
流電源に回生するエネルギー回生回路を接続したことを
特徴とするインバータ装置。 - 【請求項5】 請求項1〜4のいずれかに記載のインバ
ータ装置を、一組の回収コンデンサおよびエネルギー回
生回路を共有することにより直流電源の正負母線間に複
数台並列接続し、該複数台のインバータ装置のそれぞれ
に上記回収コンデンサおよびエネルギー回生回路を共通
に接続したことを特徴とするインバータ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33438292A JP3170368B2 (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | インバータ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33438292A JP3170368B2 (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | インバータ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06189563A JPH06189563A (ja) | 1994-07-08 |
JP3170368B2 true JP3170368B2 (ja) | 2001-05-28 |
Family
ID=18276754
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33438292A Expired - Lifetime JP3170368B2 (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | インバータ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3170368B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101770416B1 (ko) * | 2017-04-27 | 2017-08-22 | 주식회사 샘물Mfg | 주방용 테이블 |
KR101828009B1 (ko) * | 2017-09-28 | 2018-02-09 | ㈜아이원디자인그룹 | 휴대기기 충전용 콘센트 타워 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112423601B (zh) | 2018-12-26 | 2022-01-11 | 味滋康控股有限公司 | 干燥食用植物组合物的制造方法、干燥方法和干燥食用植物组合物和饮食品 |
-
1992
- 1992-12-15 JP JP33438292A patent/JP3170368B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101770416B1 (ko) * | 2017-04-27 | 2017-08-22 | 주식회사 샘물Mfg | 주방용 테이블 |
KR101828009B1 (ko) * | 2017-09-28 | 2018-02-09 | ㈜아이원디자인그룹 | 휴대기기 충전용 콘센트 타워 |
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---|---|
JPH06189563A (ja) | 1994-07-08 |
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