JPH11129382A - 防汚性反射防止積層体およびその製造方法 - Google Patents
防汚性反射防止積層体およびその製造方法Info
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- JPH11129382A JPH11129382A JP9298900A JP29890097A JPH11129382A JP H11129382 A JPH11129382 A JP H11129382A JP 9298900 A JP9298900 A JP 9298900A JP 29890097 A JP29890097 A JP 29890097A JP H11129382 A JPH11129382 A JP H11129382A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】低い反射率を保持しつつ、防汚性に優れ、かつ
延展性と密着性に優れた防汚性反射防止積層体と安価に
かつ簡便に製造することのできる防汚性反射防止積層体
の製造方法の提供にある。 【解決手段】透明基材１０の表面に単層もしくは多層の
無機物からなる反射防止膜２０を設け、その上に最外層
となるケイ素酸化物層３０を設けてなる防汚性反射防止
積層体１において、前記ケイ素酸化物層３０の組成が、
炭素、水素、ケイ素および酸素のなかの一種もしくは２
種以上の元素からなる化合物であって、少なくともその
１種を化合物を含有し、前記化合物の含有量が、表面か
ら透明基材１０方向に向かって減少してなる防汚性反射
防止積層体１としたものである。また、防汚性反射防止
積層体の最外層であるケイ素酸化物層３０を、ＣＶＤ法
によって形成してなる防汚性反射防止積層体の製造方法
としたものである。
延展性と密着性に優れた防汚性反射防止積層体と安価に
かつ簡便に製造することのできる防汚性反射防止積層体
の製造方法の提供にある。 【解決手段】透明基材１０の表面に単層もしくは多層の
無機物からなる反射防止膜２０を設け、その上に最外層
となるケイ素酸化物層３０を設けてなる防汚性反射防止
積層体１において、前記ケイ素酸化物層３０の組成が、
炭素、水素、ケイ素および酸素のなかの一種もしくは２
種以上の元素からなる化合物であって、少なくともその
１種を化合物を含有し、前記化合物の含有量が、表面か
ら透明基材１０方向に向かって減少してなる防汚性反射
防止積層体１としたものである。また、防汚性反射防止
積層体の最外層であるケイ素酸化物層３０を、ＣＶＤ法
によって形成してなる防汚性反射防止積層体の製造方法
としたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、偏光板などで代表
される反射防止フィルムとその製造方法に関するもので
あり、特に、優れた防汚性、反射防止性、延展性、密着
性を備えた反射防止フィルムとその製造方法に関する。
される反射防止フィルムとその製造方法に関するもので
あり、特に、優れた防汚性、反射防止性、延展性、密着
性を備えた反射防止フィルムとその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、反射防止のために屈折率が、
透明基材と異なるケイ素酸化物等の無機物を、真空蒸着
法、スパッタ法、ＣＶＤ法などによって透明基材上に単
層もしくは多層に形成して得られる反射防止フィルムが
知られている。
透明基材と異なるケイ素酸化物等の無機物を、真空蒸着
法、スパッタ法、ＣＶＤ法などによって透明基材上に単
層もしくは多層に形成して得られる反射防止フィルムが
知られている。
【０００３】しかし、これらの方法によって得られた反
射防止フィルムの最外層となる反射防止膜が無機物であ
るために、手垢、指紋、汗などによって汚れがつきやす
いという問題点を有していた。
射防止フィルムの最外層となる反射防止膜が無機物であ
るために、手垢、指紋、汗などによって汚れがつきやす
いという問題点を有していた。
【０００４】そこで、かかる問題を解決するために、反
射防止膜の最外層に撥水、撥油性、防汚性を付与する目
的で、フッ素化合物等の低表面エネルギー物質を塗布す
る方法が採用されてきた。
射防止膜の最外層に撥水、撥油性、防汚性を付与する目
的で、フッ素化合物等の低表面エネルギー物質を塗布す
る方法が採用されてきた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の従来技
術においては、透明基材上に無機物である反射防止膜を
形成した後、さらに防汚性を付与するため低表面エネル
ギー物質を塗布するものであるため、生産のための時間
がかかりすぎコスト高となるという問題点があった。
術においては、透明基材上に無機物である反射防止膜を
形成した後、さらに防汚性を付与するため低表面エネル
ギー物質を塗布するものであるため、生産のための時間
がかかりすぎコスト高となるという問題点があった。
【０００６】本発明は、かかる従来技術の問題点を解決
するものであり、その課題とするところは、低い反射率
を保持しつつ、防汚性に優れ、かつ延展性と密着性に優
れた反射防止膜と安価にかつ簡便に製造することのでき
る防汚性反射防止積層体とその製造方法の提供にある。
するものであり、その課題とするところは、低い反射率
を保持しつつ、防汚性に優れ、かつ延展性と密着性に優
れた反射防止膜と安価にかつ簡便に製造することのでき
る防汚性反射防止積層体とその製造方法の提供にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記課題
を達成するために、まず請求項１の発明では、透明基材
の表面に単層もしくは多層の無機物からなる反射防止膜
を設け、その上に最外層となるケイ素酸化物層を設けて
なる防汚性反射防止積層体であって、該ケイ素酸化物層
の組成が最表面から透明基材方向へ向かって連続的に変
化することを特徴とする防汚性反射防止積層体としたも
のである。
を達成するために、まず請求項１の発明では、透明基材
の表面に単層もしくは多層の無機物からなる反射防止膜
を設け、その上に最外層となるケイ素酸化物層を設けて
なる防汚性反射防止積層体であって、該ケイ素酸化物層
の組成が最表面から透明基材方向へ向かって連続的に変
化することを特徴とする防汚性反射防止積層体としたも
のである。
【０００８】また、請求項２の発明では、前記ケイ素酸
化物層の組成が、炭素、水素、ケイ素および酸素のなか
の一種もしくは２種以上の元素からなる化合物であっ
て、少なくともその１種を含有することを特徴とする防
汚性反射防止積層体としたものである。
化物層の組成が、炭素、水素、ケイ素および酸素のなか
の一種もしくは２種以上の元素からなる化合物であっ
て、少なくともその１種を含有することを特徴とする防
汚性反射防止積層体としたものである。
【０００９】また、請求項３の発明では、前記ケイ素酸
化物層中の前記化合物の含有量が、最表面から透明基材
方向に向かって減少していることを特徴とする防汚性反
射防止積層体としたものである。
化物層中の前記化合物の含有量が、最表面から透明基材
方向に向かって減少していることを特徴とする防汚性反
射防止積層体としたものである。
【００１０】また、請求項４の発明では、前記透明基材
がプラスチックフィルムであることを特徴とする防汚性
反射防止積層体としたものである。
がプラスチックフィルムであることを特徴とする防汚性
反射防止積層体としたものである。
【００１１】また、請求項５の発明では、前記反射防止
膜の少なくとも一層が透明導電膜であることを特徴とす
る防汚性反射防止積層体としたものである。
膜の少なくとも一層が透明導電膜であることを特徴とす
る防汚性反射防止積層体としたものである。
【００１２】また、請求項６の発明では、前記請求項
１、２、３または４記載の防汚性反射防止積層体の最外
層であるケイ素酸化物層を、ＣＶＤ（Ｃｈｅｎｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって形成
してなることを特徴とする防汚性反射防止積層体の製造
方法としたものである。
１、２、３または４記載の防汚性反射防止積層体の最外
層であるケイ素酸化物層を、ＣＶＤ（Ｃｈｅｎｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって形成
してなることを特徴とする防汚性反射防止積層体の製造
方法としたものである。
【００１３】また、請求項７の発明では、前記ＣＶＤ法
における出発材料が、少なくとも有機シリコン化合物と
酸素であることを特徴とす防汚性反射防止積層体の製造
方法としたものである。
における出発材料が、少なくとも有機シリコン化合物と
酸素であることを特徴とす防汚性反射防止積層体の製造
方法としたものである。
【００１４】さらにまた、請求項８の発明では、前記透
明基材に反射防止膜の形成された面と反対側の面に接着
層を設けてなることを特徴とする防汚性反射防止積層体
としたものである。
明基材に反射防止膜の形成された面と反対側の面に接着
層を設けてなることを特徴とする防汚性反射防止積層体
としたものである。
【００１５】さらにまた、請求項９の発明では、前記透
明基材と反射防止膜の間にハードコート層を塗布してな
ることを特徴とする防汚性反射防止積層体としたもので
ある。
明基材と反射防止膜の間にハードコート層を塗布してな
ることを特徴とする防汚性反射防止積層体としたもので
ある。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態を説明す
る。本発明の防汚性反射防止積層体は、図１に示すよう
に、ハードコート層（１２）としてアクリル系硬化被膜
が透明基材（１０）上に施された偏光フィルムを事例と
したもので、この透明基材（１０）であるプラスチック
フィルム上に順次、積層された厚さ７７５Åの反射防止
膜（２０）と厚さ９１５Åのケイ素酸化物層（３０）の
２層で構成されているものである。なお、ケイ素酸化物
層（３０）は、ＳｉＯx （Ｘ＝１〜２）を主体としてい
るものである。
る。本発明の防汚性反射防止積層体は、図１に示すよう
に、ハードコート層（１２）としてアクリル系硬化被膜
が透明基材（１０）上に施された偏光フィルムを事例と
したもので、この透明基材（１０）であるプラスチック
フィルム上に順次、積層された厚さ７７５Åの反射防止
膜（２０）と厚さ９１５Åのケイ素酸化物層（３０）の
２層で構成されているものである。なお、ケイ素酸化物
層（３０）は、ＳｉＯx （Ｘ＝１〜２）を主体としてい
るものである。
【００１７】また、最外層となるケイ素酸化物層（３
０）中には、ケイ素酸化物に加えて、炭素、水素、ケイ
素および酸素のなかの１種もしくは２種以上の元素から
なる化合物が少なくとも１種類含有される連続層となっ
ている。例えば、Ｃ−Ｈ結合を有する化合物、Ｓｉ−Ｈ
結合を有する化合物、または炭素単体や原料の有機ケイ
素化合物やそれらの誘導体を含有する場合がある。具体
的には、メチル基等有するハイドロカーボン、ＳｉＨ3
シリル、ＳｉＨ2 シリレン等のハイドロシリカ、ＳｉＨ
2 ＯＨシラノールなどの水酸基誘導体などを挙げること
ができる。上記以外でも、成膜過程の条件を変えること
で最外層に含有される化合物の種類、量等を変化させる
ことができる。この連続膜中のこれらの化合物の含有率
は最表面で５〜９５％、好ましくは５０〜９５％程度、
反射防止膜（２０）層との界面では０〜７０％、好まし
くは０〜２０％程度である。
０）中には、ケイ素酸化物に加えて、炭素、水素、ケイ
素および酸素のなかの１種もしくは２種以上の元素から
なる化合物が少なくとも１種類含有される連続層となっ
ている。例えば、Ｃ−Ｈ結合を有する化合物、Ｓｉ−Ｈ
結合を有する化合物、または炭素単体や原料の有機ケイ
素化合物やそれらの誘導体を含有する場合がある。具体
的には、メチル基等有するハイドロカーボン、ＳｉＨ3
シリル、ＳｉＨ2 シリレン等のハイドロシリカ、ＳｉＨ
2 ＯＨシラノールなどの水酸基誘導体などを挙げること
ができる。上記以外でも、成膜過程の条件を変えること
で最外層に含有される化合物の種類、量等を変化させる
ことができる。この連続膜中のこれらの化合物の含有率
は最表面で５〜９５％、好ましくは５０〜９５％程度、
反射防止膜（２０）層との界面では０〜７０％、好まし
くは０〜２０％程度である。
【００１８】これにより、最外層となるケイ素酸化物層
（３０）におけるケイ素酸化物の連続層は、上記化合物
によって防汚性、延展性が高められ、一方、反射防止膜
（２０）との界面では、上記化合物の含有量が少なくな
っているため、より透明性に優れ、反射防止膜（２０）
との密着性を強固なものとすることができる。
（３０）におけるケイ素酸化物の連続層は、上記化合物
によって防汚性、延展性が高められ、一方、反射防止膜
（２０）との界面では、上記化合物の含有量が少なくな
っているため、より透明性に優れ、反射防止膜（２０）
との密着性を強固なものとすることができる。
【００１９】ここで、本発明にかかわる上記透明基材
（１０）としては、透明なものであればガラスでもよ
く、特に限定するものではないが、本発明の防汚性反射
防止積層体としてはプラスチックフィルムが特に有効な
結果を与えるものである。ここで透明であるとは、本発
明の目的に必要な程度に透明導電板の後方にある各種表
示が充分に識別できれば良く、必ずしも無色あるいはク
リアである必要はない。
（１０）としては、透明なものであればガラスでもよ
く、特に限定するものではないが、本発明の防汚性反射
防止積層体としてはプラスチックフィルムが特に有効な
結果を与えるものである。ここで透明であるとは、本発
明の目的に必要な程度に透明導電板の後方にある各種表
示が充分に識別できれば良く、必ずしも無色あるいはク
リアである必要はない。
【００２０】上記プラスチックフィルムとしては、トリ
アセテート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレ
ンストレッチフィルム、ポリイミド、ポリカーボネー
ト、アクリル、ポリビニルアルコール、あるいはこれら
の積層体などがあげられる。さらに、上記事例のよう
に、ハードコートなどの被膜材料で被覆されたプラスチ
ックフィルムなどを透明基材（１０）とすることもでき
る。さらに液晶ディスプレーやＰＤＰ（プラズマディス
プレーパネル）やＥＬ（エレクトロルミネンスディスプ
レー）の表示パネル表面に直接、本発明に係る防汚性を
有する反射防止膜を着膜することも可能である。また、
表面に微細な凸凹が施された基板を透明基材（１０）と
して使用することも可能である。このような基板を使用
した場合には、反射防止膜（２０）がその凹凸に沿って
形成され、この反射防止膜（２０）の表面に上記凸凹が
再現され、わずかな表面反射光でも正反射されることな
く散乱され、このため、光源の虚像が一層確実に防止さ
れる。
アセテート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレ
ンストレッチフィルム、ポリイミド、ポリカーボネー
ト、アクリル、ポリビニルアルコール、あるいはこれら
の積層体などがあげられる。さらに、上記事例のよう
に、ハードコートなどの被膜材料で被覆されたプラスチ
ックフィルムなどを透明基材（１０）とすることもでき
る。さらに液晶ディスプレーやＰＤＰ（プラズマディス
プレーパネル）やＥＬ（エレクトロルミネンスディスプ
レー）の表示パネル表面に直接、本発明に係る防汚性を
有する反射防止膜を着膜することも可能である。また、
表面に微細な凸凹が施された基板を透明基材（１０）と
して使用することも可能である。このような基板を使用
した場合には、反射防止膜（２０）がその凹凸に沿って
形成され、この反射防止膜（２０）の表面に上記凸凹が
再現され、わずかな表面反射光でも正反射されることな
く散乱され、このため、光源の虚像が一層確実に防止さ
れる。
【００２１】一方、前記最外層であるケイ素酸化物層
（３０）の下層部については特に限定されない。すなわ
ち、表層膜としてケイ素酸化物層（３０）を直接透明基
材（１０）上に形成させることも可能であるが、反射防
止効果をより顕著なものとするためには、透明基材（１
０）上に最外層膜としてのケイ素酸化物層（３０）より
屈折率の高い被膜を少なくとも１層含む、多層被膜を被
服して反射防止膜（２０）とすることが有効である。
（３０）の下層部については特に限定されない。すなわ
ち、表層膜としてケイ素酸化物層（３０）を直接透明基
材（１０）上に形成させることも可能であるが、反射防
止効果をより顕著なものとするためには、透明基材（１
０）上に最外層膜としてのケイ素酸化物層（３０）より
屈折率の高い被膜を少なくとも１層含む、多層被膜を被
服して反射防止膜（２０）とすることが有効である。
【００２２】前記最外層の下層部である反射防止膜（２
０）の成膜方法は、スパッタリング法、蒸着法、イオン
プレーティング法、ＣＶＤ法、ゾル・ゲル法等いかなる
方法でもよく、適宜選択されるものである。また、上記
スパッタリング法においては、マグネトロンスパッタリ
ング法であっても、プラズマを発生させる方法が直流で
あっても、交流であってもよい。
０）の成膜方法は、スパッタリング法、蒸着法、イオン
プレーティング法、ＣＶＤ法、ゾル・ゲル法等いかなる
方法でもよく、適宜選択されるものである。また、上記
スパッタリング法においては、マグネトロンスパッタリ
ング法であっても、プラズマを発生させる方法が直流で
あっても、交流であってもよい。
【００２３】また、請求項６の発明では、防汚性反射防
止積層体の最外層であるケイ素酸化物層（３０）を、Ｃ
ＶＤ（Ｃｈｅｎｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）法によって形成することを特徴とする防汚性反
射防止積層体（１）の製造方法としたものである。
止積層体の最外層であるケイ素酸化物層（３０）を、Ｃ
ＶＤ（Ｃｈｅｎｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）法によって形成することを特徴とする防汚性反
射防止積層体（１）の製造方法としたものである。
【００２４】さらにまた、請求項７の発明では、前記Ｃ
ＶＤ法における出発材料が、少なくとも有機シリコン化
合物と酸素であることを特徴とす防汚性反射防止積層体
（１）の製造方法としたものである。
ＶＤ法における出発材料が、少なくとも有機シリコン化
合物と酸素であることを特徴とす防汚性反射防止積層体
（１）の製造方法としたものである。
【００２５】従来のように、反射防止膜（２０）の上
に、防汚性を付与するため低表面エネルギー物質を塗布
していたことに比べ、このケイ素酸化物層（３０）の形
成には、スパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティ
ング法、ＣＶＤ法、ゾル・ゲル法等いかなる方法でも安
価で簡便な方法であるが、上記のようにプラズマＣＶＤ
法がよればより安価に簡便にかつ精度のよい製膜ができ
るものであり最も好ましく用いられる方法である。
に、防汚性を付与するため低表面エネルギー物質を塗布
していたことに比べ、このケイ素酸化物層（３０）の形
成には、スパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティ
ング法、ＣＶＤ法、ゾル・ゲル法等いかなる方法でも安
価で簡便な方法であるが、上記のようにプラズマＣＶＤ
法がよればより安価に簡便にかつ精度のよい製膜ができ
るものであり最も好ましく用いられる方法である。
【００２６】次に本発明の防汚性反射防止積層体（１）
の最外層であるケイ素酸化物層（３０）の形成方法の一
実施の形態例を説明する。図２は、本発明の防汚性反射
防止積層体（１）の製造に使用するプラズマＣＶＤ装置
（１００）の一例を示す図である。この図２においてプ
ラズマＣＶＤ装置（１００）は、チャンバー（５１）と
このチャンバー（５１）内にフィルム供給ローラ（５
２）、巻取ローラ（５３）、冷却ドラム（５４）、補助
ローラ（５５）を備え、前記チャンバー（５１）内は真
空ポンプ（５６）により所望の真空度に設定できるよう
になっている。さらに、チャンバー（５１）内の冷却ド
ラム（５４）の近傍には電源（５７）に接続されたシャ
ワー電極（５８）が設置されており、この電極の他端に
はチャンバー（５１）外部に設置されている原料蒸発供
給装置（５９）およびガス供給装置（６０）に接続され
ている。また、シャワー電極（５８）内にはマグネット
を設置し、プラズマの発生を促進することもできる。
の最外層であるケイ素酸化物層（３０）の形成方法の一
実施の形態例を説明する。図２は、本発明の防汚性反射
防止積層体（１）の製造に使用するプラズマＣＶＤ装置
（１００）の一例を示す図である。この図２においてプ
ラズマＣＶＤ装置（１００）は、チャンバー（５１）と
このチャンバー（５１）内にフィルム供給ローラ（５
２）、巻取ローラ（５３）、冷却ドラム（５４）、補助
ローラ（５５）を備え、前記チャンバー（５１）内は真
空ポンプ（５６）により所望の真空度に設定できるよう
になっている。さらに、チャンバー（５１）内の冷却ド
ラム（５４）の近傍には電源（５７）に接続されたシャ
ワー電極（５８）が設置されており、この電極の他端に
はチャンバー（５１）外部に設置されている原料蒸発供
給装置（５９）およびガス供給装置（６０）に接続され
ている。また、シャワー電極（５８）内にはマグネット
を設置し、プラズマの発生を促進することもできる。
【００２７】上述のようなプラズマＣＶＤ装置（１０
０）のフィルム供給ローラ（５２）に、透明基材（１
０）の原反を装着し、補助ローラ（５５）、冷却ドラム
（５４）、補助ローラ（５５）を経由して巻取ローラ
（５３）に至る図示のような原反搬送パスを形成する。
０）のフィルム供給ローラ（５２）に、透明基材（１
０）の原反を装着し、補助ローラ（５５）、冷却ドラム
（５４）、補助ローラ（５５）を経由して巻取ローラ
（５３）に至る図示のような原反搬送パスを形成する。
【００２８】次に、チャンバー（５１）内を真空ポンプ
（５６）により減圧して、真空度を１０-1〜１０-8Tor
r、好ましくは、真空度１０-3〜１０-7Torrとする。そ
して、原料蒸発供給装置（５９）において、原料である
有機珪素化合物を蒸発させ、ガス供給装置（６０）から
供給される酸素ガスと混合させ、この混合ガスを原料供
給配管（６１）を介してチャンバー（５１）中に導入す
る。この場合、混合ガス中の有機ケイ素化合物の含有量
は１〜６０％、酸素ガスの含有量は４０〜９９％とする
ことができる。またこの混合ガス中に不活性ガスを混合
することもできる。
（５６）により減圧して、真空度を１０-1〜１０-8Tor
r、好ましくは、真空度１０-3〜１０-7Torrとする。そ
して、原料蒸発供給装置（５９）において、原料である
有機珪素化合物を蒸発させ、ガス供給装置（６０）から
供給される酸素ガスと混合させ、この混合ガスを原料供
給配管（６１）を介してチャンバー（５１）中に導入す
る。この場合、混合ガス中の有機ケイ素化合物の含有量
は１〜６０％、酸素ガスの含有量は４０〜９９％とする
ことができる。またこの混合ガス中に不活性ガスを混合
することもできる。
【００２９】一方、シャワー電極（５８）には電源（５
７）から所定の電圧が印加されているため、チャンバー
（５１）内の冷却ドラム（５４）とシャワー電極（５
８）間でグロー放電プラズマが維持される。このグロー
放電プラズマは、混合ガス中の１つ以上のガス成分から
導出されるものである。この状態で透明基材（１０）を
一定速度で搬送させ、グロー放電プラズマによって冷却
ドラム（５４）上の透明基材（１０）に、図１に示す最
外層としてのケイ素酸化物層（３０）の連続層を形成す
る。このときのチャンバー（５１）内の真空度は１〜１
０-4Torr、好ましくは１×１０-1〜１×１０-2Torrとす
る。
７）から所定の電圧が印加されているため、チャンバー
（５１）内の冷却ドラム（５４）とシャワー電極（５
８）間でグロー放電プラズマが維持される。このグロー
放電プラズマは、混合ガス中の１つ以上のガス成分から
導出されるものである。この状態で透明基材（１０）を
一定速度で搬送させ、グロー放電プラズマによって冷却
ドラム（５４）上の透明基材（１０）に、図１に示す最
外層としてのケイ素酸化物層（３０）の連続層を形成す
る。このときのチャンバー（５１）内の真空度は１〜１
０-4Torr、好ましくは１×１０-1〜１×１０-2Torrとす
る。
【００３０】本発明において使用するケイ素酸化物層
（３０）を形成する有機シラン化合物としては、1,1,3,
3,- テトラメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシロキ
サン、ビニルトリメトキシシラン、メチルメトキシシラ
ン、ヘキサメチルジシラン、メチルシラン、ジメチルシ
ラン、トリメチルシラン、ジエチルシラン、プロピルシ
ラン、フェニルシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビ
ニルトキメトキシシラン、テトラメトキシシラン、テト
ラエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチ
ルトリエトキシシラン、オクタメチルシクロテトラシロ
キサン等を上げることができる。このなかでは、特に1,
1,3,3,- テトラメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシ
ロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサンが好ま
しく用いられる。
（３０）を形成する有機シラン化合物としては、1,1,3,
3,- テトラメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシロキ
サン、ビニルトリメトキシシラン、メチルメトキシシラ
ン、ヘキサメチルジシラン、メチルシラン、ジメチルシ
ラン、トリメチルシラン、ジエチルシラン、プロピルシ
ラン、フェニルシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビ
ニルトキメトキシシラン、テトラメトキシシラン、テト
ラエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチ
ルトリエトキシシラン、オクタメチルシクロテトラシロ
キサン等を上げることができる。このなかでは、特に1,
1,3,3,- テトラメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシ
ロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサンが好ま
しく用いられる。
【００３１】
【実施例】次に本発明を実施例により、本発明をより具
体的に説明する。 〈実施例１〉厚さ８０μｍのトリアセチルセルロースを
透明基材（１０）として、これを図２に示すようなプラ
ズマＣＶＤ装置（１００）に装着した。次にプラズマＣ
ＶＤ装置（１００）のチャンバー（５１）を５×１０-6
Torrまで減圧した後、Ｓｉ3Ｎ4 をプラズマＣＶＤ法で
７７５Åに成膜した。その後、ケイ素酸化物を主体とし
た連続膜を成膜するために、原料の有機シラン化合物で
ある1,1,3,3,- テトラメチルジシロキサンを原料蒸発供
給装置（５９）において気化させ、ガス供給装置（６
０）から供給された酸素ガスと混合させた原料ガスをシ
ャワー電極（５８）を介しチャンバー（５１）内に導入
した。
体的に説明する。 〈実施例１〉厚さ８０μｍのトリアセチルセルロースを
透明基材（１０）として、これを図２に示すようなプラ
ズマＣＶＤ装置（１００）に装着した。次にプラズマＣ
ＶＤ装置（１００）のチャンバー（５１）を５×１０-6
Torrまで減圧した後、Ｓｉ3Ｎ4 をプラズマＣＶＤ法で
７７５Åに成膜した。その後、ケイ素酸化物を主体とし
た連続膜を成膜するために、原料の有機シラン化合物で
ある1,1,3,3,- テトラメチルジシロキサンを原料蒸発供
給装置（５９）において気化させ、ガス供給装置（６
０）から供給された酸素ガスと混合させた原料ガスをシ
ャワー電極（５８）を介しチャンバー（５１）内に導入
した。
【００３２】次に、上記の電源（５７）からシャワー電
極（５８）に供給する電力を５ｋｗとし、原料ガスによ
りグロー放電プラズマを確立させた。このプラズマ中を
透明基材（１０）であるトリアセチルセルロースフィル
ムを速度２０ｍ／分で搬送し、フィルム上にケイ素酸化
物層（３０）としてのケイ素酸化物主体の薄膜を厚さ９
１５Åに形成し、防汚性反射防止積層体（資料１）を得
た。このときのチャンバー（５１）の真空度は５×１０
-2T orr に保った。
極（５８）に供給する電力を５ｋｗとし、原料ガスによ
りグロー放電プラズマを確立させた。このプラズマ中を
透明基材（１０）であるトリアセチルセルロースフィル
ムを速度２０ｍ／分で搬送し、フィルム上にケイ素酸化
物層（３０）としてのケイ素酸化物主体の薄膜を厚さ９
１５Åに形成し、防汚性反射防止積層体（資料１）を得
た。このときのチャンバー（５１）の真空度は５×１０
-2T orr に保った。
【００３３】＜比較例１＞また、透明基材（１０）の搬
送速度、シャワー電極への供給電力、プラズマ中でのガ
ス分布を変えることにより組成の異なるケイ素酸化物主
体の薄膜を厚さ９１５Åに形成した防汚性反射防止積層
体（資料２、３、４）を得た。
送速度、シャワー電極への供給電力、プラズマ中でのガ
ス分布を変えることにより組成の異なるケイ素酸化物主
体の薄膜を厚さ９１５Åに形成した防汚性反射防止積層
体（資料２、３、４）を得た。
【００３４】上記で得られた各防汚性反射防止積層体
（資料１〜４）でのケイ素酸化物を主体とした最外層中
の炭素原子の割合、引っ張り試験後のクラック、水に対
する接触角を下記表１に示した。また、各試料の最外層
の最表面から透明基材（１０）に向かう深さ方向の炭素
原子含有量の変化を図３〜５に示した。
（資料１〜４）でのケイ素酸化物を主体とした最外層中
の炭素原子の割合、引っ張り試験後のクラック、水に対
する接触角を下記表１に示した。また、各試料の最外層
の最表面から透明基材（１０）に向かう深さ方向の炭素
原子含有量の変化を図３〜５に示した。
【００３５】上記実施例および比較例で得られた防汚性
反射防止積層体の性能は、下記の方法に従って試験を行
った。 (1) ケイ素酸化物を主体とした最外層の炭素原子の割合
は、島津製作所製のXPS装置(ESCA3200)にて膜中の炭素
原子の割合を測定した。 (2) 引っ張り試験後のクラックは、反射防止膜を５％引
張り、その状態で３０秒間保持し、その後、元に戻して
表面状態( クラックの有無) を光学顕微鏡で観察した。 (3) 防汚性は、接触角計（協和界面化学製、CA-D型）を
使用し、室温下で直径２ｍｍの水滴を針先に作り、その
静止接触角を測定した。(4) 反射率は、波長５５０ｎｍ
における光反射率を測定した。
反射防止積層体の性能は、下記の方法に従って試験を行
った。 (1) ケイ素酸化物を主体とした最外層の炭素原子の割合
は、島津製作所製のXPS装置(ESCA3200)にて膜中の炭素
原子の割合を測定した。 (2) 引っ張り試験後のクラックは、反射防止膜を５％引
張り、その状態で３０秒間保持し、その後、元に戻して
表面状態( クラックの有無) を光学顕微鏡で観察した。 (3) 防汚性は、接触角計（協和界面化学製、CA-D型）を
使用し、室温下で直径２ｍｍの水滴を針先に作り、その
静止接触角を測定した。(4) 反射率は、波長５５０ｎｍ
における光反射率を測定した。
【００３６】
【表１】
【００３７】上記表１に示されるように実施例１で得ら
れた試料１は、低い反射率、優れた延展性、高い接触角
に起因する優れた防汚性を示しすものであった。それに
対して、比較例１で得られた試料２、３は、防汚性、延
展性に劣っており、また、試料４においては延展性が不
十分であった。
れた試料１は、低い反射率、優れた延展性、高い接触角
に起因する優れた防汚性を示しすものであった。それに
対して、比較例１で得られた試料２、３は、防汚性、延
展性に劣っており、また、試料４においては延展性が不
十分であった。
【００３８】
【発明の効果】本発明は以上の構成であるから、下記に
示す如き効果がある。即ち、透明基材の表面に単層もし
くは多層の無機物からなる反射防止膜を設け、その上に
最外層となるケイ素酸化物層を設けてなる防汚性反射防
止積層体において、前記ケイ素酸化物層の組成が、炭
素、水素、ケイ素および酸素のなかの一種もしくは２種
以上の元素からなる化合物であって、少なくともその１
種を含有し、かつ最表面から透明基材方向へ向かって連
続的に減少させることによって、高い反射防止機能と優
れた密着性と透明性をもち、さらに高い防汚機能と耐衝
撃性を有したものとすることができる。
示す如き効果がある。即ち、透明基材の表面に単層もし
くは多層の無機物からなる反射防止膜を設け、その上に
最外層となるケイ素酸化物層を設けてなる防汚性反射防
止積層体において、前記ケイ素酸化物層の組成が、炭
素、水素、ケイ素および酸素のなかの一種もしくは２種
以上の元素からなる化合物であって、少なくともその１
種を含有し、かつ最表面から透明基材方向へ向かって連
続的に減少させることによって、高い反射防止機能と優
れた密着性と透明性をもち、さらに高い防汚機能と耐衝
撃性を有したものとすることができる。
【００３９】また、防汚性反射防止積層体の最外層であ
るケイ素酸化物層を、ＣＶＤ法によって形成し、その出
発材料が、少なくとも有機シリコン化合物と酸素とする
ことによって、本発明の防汚性反射防止積層体の製造に
おいて、従来のように反射防止膜形成した後に改めて防
汚層形成する必要がなく、その製造が容易でかつコスト
の低減に寄与することができるものである。
るケイ素酸化物層を、ＣＶＤ法によって形成し、その出
発材料が、少なくとも有機シリコン化合物と酸素とする
ことによって、本発明の防汚性反射防止積層体の製造に
おいて、従来のように反射防止膜形成した後に改めて防
汚層形成する必要がなく、その製造が容易でかつコスト
の低減に寄与することができるものである。
【図１】本発明の一実施の形態を示す防汚性反射防止積
層体を側断面で表した説明図である。
層体を側断面で表した説明図である。
【図２】本発明の防汚性反射防止積層体の製造に使用す
るプラズマＣＶＤ装置の一例を説明する概略図である。
るプラズマＣＶＤ装置の一例を説明する概略図である。
【図３】本発明の一実施例でのケイ素酸化物を主体とし
た最外層の炭素含有量の最表面から基材界面までの深さ
方向での分布を示すグラフである。
た最外層の炭素含有量の最表面から基材界面までの深さ
方向での分布を示すグラフである。
【図４】本発明に係わる一比較例でのケイ素酸化物を主
体とした最外層の炭素含有量の最表面から基材界面まで
の深さ方向での分布を示すグラフである。
体とした最外層の炭素含有量の最表面から基材界面まで
の深さ方向での分布を示すグラフである。
【図５】本発明に係わる他の一比較例でのケイ素酸化物
を主体とした最外層の炭素含有量の最表面から基材界面
までの深さ方向での分布を示すグラフである。
を主体とした最外層の炭素含有量の最表面から基材界面
までの深さ方向での分布を示すグラフである。
１‥‥防汚性反射防止積層体 １０‥‥透明基材 １２‥‥ハードコート層 ２０‥‥反射防止膜 ３０‥‥ケイ素酸化物層 ５１‥‥チャンバー ５２‥‥フィルム供給ローラ ５３‥‥巻取ローラ ５４‥‥冷却ドラム ５５‥‥補助ローラ ５６‥‥真空ポンプ ５７‥‥電源 ５８‥‥シャワー電極 ５９‥‥原料蒸発供給装置 ６０‥‥ガス供給装置 ６１‥‥原料供給配管 １００‥‥プラズマＣＶＤ装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｃ０８Ｊ 7/06 Ｇ０２Ｂ 1/10 Ｚ
Claims (9)
- 【請求項１】透明基材の表面に単層もしくは多層の無機
物からなる反射防止膜を設け、その上に最外層となるケ
イ素酸化物層を設けてなる防汚性反射防止積層体であっ
て、該ケイ素酸化物層の組成が最表面から透明基材方向
へ向かって連続的に変化することを特徴とする防汚性反
射防止積層体。 - 【請求項２】前記ケイ素酸化物層の組成が、炭素、水
素、ケイ素および酸素のなかの一種もしくは２種以上の
元素からなる化合物であって、少なくともその１種を含
有することを特徴とする請求項１に記載の防汚性反射防
止積層体。 - 【請求項３】前記ケイ素酸化物層中の前記化合物の含有
量が、最表面から透明基材方向に向かって減少している
ことを特徴とする請求項１または２に記載の防汚性反射
防止積層体。 - 【請求項４】前記透明基材がプラスチックフィルムであ
ることを特徴とする請求項１、２または３に記載の防汚
性反射防止積層体。 - 【請求項５】前記反射防止膜の少なくとも一層が透明導
電膜であることを特徴とする請求項１、２、３または４
に記載の防汚性反射防止積層体。 - 【請求項６】前記請求項１、２、３または４に記載の防
汚性反射防止積層体の最外層であるケイ素酸化物層を、
ＣＶＤ（Ｃｈｅｎｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）法によって形成してなることを特徴とする防
汚性反射防止積層体の製造方法。 - 【請求項７】前記ＣＶＤ法における出発材料が、少なく
とも有機シリコン化合物と酸素であることを特徴とする
請求項７に記載の防汚性反射防止積層体の製造方法。 - 【請求項８】前記透明基材に反射防止膜の形成された面
の反対側の面に接着層を設けてあることを特徴とする請
求項１、２、３または４に記載の防汚性反射防止積層
体。 - 【請求項９】前記透明基材と反射防止膜の間にハードコ
ート層が塗布されてなることを特徴とする請求項１、
２、３または４に記載の防汚性反射防止積層体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9298900A JPH11129382A (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | 防汚性反射防止積層体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9298900A JPH11129382A (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | 防汚性反射防止積層体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11129382A true JPH11129382A (ja) | 1999-05-18 |
Family
ID=17865622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9298900A Pending JPH11129382A (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | 防汚性反射防止積層体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11129382A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002370722A (ja) * | 2001-06-19 | 2002-12-24 | Toppan Printing Co Ltd | バリア容器 |
| JP2003062921A (ja) * | 2001-06-11 | 2003-03-05 | Bridgestone Corp | 透明複合フィルム |
| JP2003105541A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Konica Corp | 膜の形成方法、基材、及び表示装置 |
| WO2006025356A1 (ja) * | 2004-09-01 | 2006-03-09 | Konica Minolta Holdings, Inc. | ガスバリア積層体及びその製造方法 |
| JP2006221142A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-08-24 | Sony Corp | 光学素子、レンズ鏡筒、撮像装置及び電子機器 |
| WO2007119566A1 (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-25 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | 低屈折率層を備えてなる光学積層体 |
| JP2009036880A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Casio Comput Co Ltd | 汚れ防止膜及びそれを備えた表示装置 |
| JP2009075354A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Dainippon Printing Co Ltd | 光学積層体、偏光板、及び、画像表示装置 |
| JP2012177700A (ja) * | 2012-04-09 | 2012-09-13 | Dainippon Printing Co Ltd | 光学積層体の防汚剤ブリードアウトの抑制状態の評価方法 |
| KR20160048749A (ko) * | 2008-08-13 | 2016-05-04 | 소니 가부시끼가이샤 | 광학 필름 및 그 제조 방법 |
| KR20210127814A (ko) * | 2019-03-19 | 2021-10-22 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 소수성 및 아이스포빅 코팅 |
| JP7307420B1 (ja) * | 2023-01-30 | 2023-07-12 | 康訓 多賀 | 反射防止膜 |
-
1997
- 1997-10-30 JP JP9298900A patent/JPH11129382A/ja active Pending
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| JPWO2007119566A1 (ja) * | 2006-03-28 | 2009-08-27 | 大日本印刷株式会社 | 低屈折率層を備えてなる光学積層体 |
| US7990617B2 (en) | 2006-03-28 | 2011-08-02 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Optical laminate comprising low-refractive index layer |
| WO2007119566A1 (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-25 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | 低屈折率層を備えてなる光学積層体 |
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