JPH11110050A - 圧力及び流量の制御方法並びにその装置 - Google Patents
圧力及び流量の制御方法並びにその装置Info
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- JPH11110050A JPH11110050A JP10221187A JP22118798A JPH11110050A JP H11110050 A JPH11110050 A JP H11110050A JP 10221187 A JP10221187 A JP 10221187A JP 22118798 A JP22118798 A JP 22118798A JP H11110050 A JPH11110050 A JP H11110050A
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Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F26—DRYING
- F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
- F26B21/00—Arrangements or duct systems, e.g. in combination with pallet boxes, for supplying and controlling air or gases for drying solid materials or objects
- F26B21/06—Controlling, e.g. regulating, parameters of gas supply
- F26B21/10—Temperature; Pressure
-
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- Control Of Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 減圧雰囲気下又は大気圧雰囲気下の処理室内
に流体を供給又は流体を排出する際の流体圧力を制御し
て処理室内の被処理体のダメージを抑制すること。 【解決手段】 マイクロバルブ５３の操作流体付与側
に、この操作流体の圧力を検出する圧力変換器５４を設
けると共に、この圧力変換器５４からの検出信号に基づ
いてマイクロバルブ５３を制御可能に形成し、かつ、マ
イクロバルブ５３を、処理室３５内が例えば減圧雰囲気
から大気圧雰囲気に達するまでの複数の目標値に基づい
て制御すると共に、処理室３５内が大気圧に達した状態
でダイヤフラム弁５０の開度速度を緩やかに制御するＣ
ＰＵ５２からの信号に基づいて制御可能に形成すること
により、例えば減圧雰囲気下の処理室内に流体を供給す
る際の流体圧力を制御して処理室内の被処理体のダメー
ジを抑制する。
に流体を供給又は流体を排出する際の流体圧力を制御し
て処理室内の被処理体のダメージを抑制すること。 【解決手段】 マイクロバルブ５３の操作流体付与側
に、この操作流体の圧力を検出する圧力変換器５４を設
けると共に、この圧力変換器５４からの検出信号に基づ
いてマイクロバルブ５３を制御可能に形成し、かつ、マ
イクロバルブ５３を、処理室３５内が例えば減圧雰囲気
から大気圧雰囲気に達するまでの複数の目標値に基づい
て制御すると共に、処理室３５内が大気圧に達した状態
でダイヤフラム弁５０の開度速度を緩やかに制御するＣ
ＰＵ５２からの信号に基づいて制御可能に形成すること
により、例えば減圧雰囲気下の処理室内に流体を供給す
る際の流体圧力を制御して処理室内の被処理体のダメー
ジを抑制する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、圧力及び流量の
制御方法並びにその装置に関するものである。
制御方法並びにその装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体製造装置の製造工程にお
いては、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス等の被処理体
（以下にウエハ等という）を薬液やリンス液（洗浄液）
等の処理液が貯留された処理槽に順次浸漬して洗浄を行
う洗浄処理方法が広く採用されている。また、このよう
な洗浄処理装置においては、洗浄後のウエハ等の表面に
例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の揮発性を
有する溶剤の蒸気からなる乾燥ガスを接触させ、乾燥ガ
スの蒸気を凝縮あるいは吸着させて、ウエハ等の水分の
除去及び乾燥を行う乾燥処理装置が装備されている。
いては、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス等の被処理体
（以下にウエハ等という）を薬液やリンス液（洗浄液）
等の処理液が貯留された処理槽に順次浸漬して洗浄を行
う洗浄処理方法が広く採用されている。また、このよう
な洗浄処理装置においては、洗浄後のウエハ等の表面に
例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の揮発性を
有する溶剤の蒸気からなる乾燥ガスを接触させ、乾燥ガ
スの蒸気を凝縮あるいは吸着させて、ウエハ等の水分の
除去及び乾燥を行う乾燥処理装置が装備されている。
【０００３】従来のこの種の乾燥処理装置として、例え
ば図２２に示すように、複数枚例えば５０枚のウエハＷ
を収容する処理室ａと、この処理室ａ内に配設される乾
燥ガス供給ノズルｂに連通する乾燥ガス供給管路ｃを介
して接続される蒸気発生器ｄとを具備してなり、乾燥ガ
ス供給管路ｃに、開閉弁ｅとニードル弁ｆを組み合わせ
た第１の管路ｇと、１つの開閉弁ｈを配列した第２の管
路ｉとを平行に配列した操作部ｊを介設し、また、蒸気
発生器ｄにキャリアガス例えば窒素（Ｎ2）ガスの供給
源ｋと、乾燥ガス例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコー
ル）の供給源ｍを接続してなる構造のものが使用されて
いる。
ば図２２に示すように、複数枚例えば５０枚のウエハＷ
を収容する処理室ａと、この処理室ａ内に配設される乾
燥ガス供給ノズルｂに連通する乾燥ガス供給管路ｃを介
して接続される蒸気発生器ｄとを具備してなり、乾燥ガ
ス供給管路ｃに、開閉弁ｅとニードル弁ｆを組み合わせ
た第１の管路ｇと、１つの開閉弁ｈを配列した第２の管
路ｉとを平行に配列した操作部ｊを介設し、また、蒸気
発生器ｄにキャリアガス例えば窒素（Ｎ2）ガスの供給
源ｋと、乾燥ガス例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコー
ル）の供給源ｍを接続してなる構造のものが使用されて
いる。
【０００４】上記のように構成される従来の乾燥処理装
置によれば、目標圧以下例えば減圧雰囲気下におかれる
処理室ａ内を目標圧例えば大気圧雰囲気にすべく処理室
ａ内にいきなり乾燥ガスを供給することによるウエハの
ダメージを抑制するために、第１ステップとして、第１
の管路ｇの開閉弁ｅとニードル弁ｆを開操作して処理室
ａ内に少量の乾燥ガスを供給した後、第２ステップとし
て第２の管路ｉの開閉弁ｈを開操作して乾燥ガスを処理
室ａ内に供給している。
置によれば、目標圧以下例えば減圧雰囲気下におかれる
処理室ａ内を目標圧例えば大気圧雰囲気にすべく処理室
ａ内にいきなり乾燥ガスを供給することによるウエハの
ダメージを抑制するために、第１ステップとして、第１
の管路ｇの開閉弁ｅとニードル弁ｆを開操作して処理室
ａ内に少量の乾燥ガスを供給した後、第２ステップとし
て第２の管路ｉの開閉弁ｈを開操作して乾燥ガスを処理
室ａ内に供給している。
【０００５】また、上記乾燥処理装置以外の例えば真空
雰囲気下で処理を行う例えばＣＶＤ装置やエッチング装
置等においても、上記と同様に真空状態から標準圧状態
に戻す際に、所定圧力のガスを供給して予め設定した気
圧雰囲気に戻すようにした処理装置が知られている（特
開平４−３５２３２６号公報参照）。
雰囲気下で処理を行う例えばＣＶＤ装置やエッチング装
置等においても、上記と同様に真空状態から標準圧状態
に戻す際に、所定圧力のガスを供給して予め設定した気
圧雰囲気に戻すようにした処理装置が知られている（特
開平４−３５２３２６号公報参照）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、第１ス
テップにおいて開閉弁ｅを開放すると同時に、差圧が１
気圧の圧力差を持って減圧された処理室ａに乾燥ガスが
流入するため、図２３に示すように、開閉弁ｅを開とし
た際にスパイク状の高速流が生じる。このスパイク状の
高速流によりパーティクルの舞い上がりが生じ、パーテ
ィクルがウエハＷに付着するという問題があった。ま
た、第１の管路ｇの開閉弁ｅとニードル弁ｆのラインか
ら第２の管路ｉの開閉弁ｈのラインへ切り換える際にも
同様にスパイク状の高速流が発生し、同様にパーティク
ルが舞い上がり、ウエハＷに付着するという問題があっ
た。
テップにおいて開閉弁ｅを開放すると同時に、差圧が１
気圧の圧力差を持って減圧された処理室ａに乾燥ガスが
流入するため、図２３に示すように、開閉弁ｅを開とし
た際にスパイク状の高速流が生じる。このスパイク状の
高速流によりパーティクルの舞い上がりが生じ、パーテ
ィクルがウエハＷに付着するという問題があった。ま
た、第１の管路ｇの開閉弁ｅとニードル弁ｆのラインか
ら第２の管路ｉの開閉弁ｈのラインへ切り換える際にも
同様にスパイク状の高速流が発生し、同様にパーティク
ルが舞い上がり、ウエハＷに付着するという問題があっ
た。
【０００７】更には、処理室ａ内が目標圧例えば大気圧
雰囲気下にある場合において、比較的大流量の乾燥ガス
の供給が必要とされる場合にも、大流量の乾燥ガスを処
理室ａ内に供給すると、同様にスパイク状の高速流が生
じ、同様の問題が生じると共に、ウエハＷに振動を与
え、この振動によりウエハＷにダメージを与える虞れも
あった。
雰囲気下にある場合において、比較的大流量の乾燥ガス
の供給が必要とされる場合にも、大流量の乾燥ガスを処
理室ａ内に供給すると、同様にスパイク状の高速流が生
じ、同様の問題が生じると共に、ウエハＷに振動を与
え、この振動によりウエハＷにダメージを与える虞れも
あった。
【０００８】上記のような問題は、乾燥処理の他に、上
記特開平４−３５２３２６号公報に記載された加工装置
や例えば真空雰囲気下で成膜処理を施す成膜装置等真空
を用いた処理室内に流体を供給する装置全般についても
同様の問題である。
記特開平４−３５２３２６号公報に記載された加工装置
や例えば真空雰囲気下で成膜処理を施す成膜装置等真空
を用いた処理室内に流体を供給する装置全般についても
同様の問題である。
【０００９】また、処理室内が目標圧以上の雰囲気例え
ば大気圧雰囲気にある場合、処理室内を急速に目標圧例
えば減圧雰囲気にすると、処理室内のガスは瞬間的に高
速流動状態となり、同様にパーティクルが舞い上がり、
一方、断熱膨張によるガス中の水分の結露により発生す
るパーティクルが、ウエハ等に付着するという問題があ
る。
ば大気圧雰囲気にある場合、処理室内を急速に目標圧例
えば減圧雰囲気にすると、処理室内のガスは瞬間的に高
速流動状態となり、同様にパーティクルが舞い上がり、
一方、断熱膨張によるガス中の水分の結露により発生す
るパーティクルが、ウエハ等に付着するという問題があ
る。
【００１０】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、減圧雰囲気下又は大気圧雰囲気下の処理室内を目標
圧にすべく処理室内に流体を供給又は流体を排出する際
の流体圧力を制御して処理室内の被処理体のダメージを
抑制するようにした圧力及び流量の制御方法並びにその
装置を提供することを目的とするものである。
で、減圧雰囲気下又は大気圧雰囲気下の処理室内を目標
圧にすべく処理室内に流体を供給又は流体を排出する際
の流体圧力を制御して処理室内の被処理体のダメージを
抑制するようにした圧力及び流量の制御方法並びにその
装置を提供することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の発明は、目標圧以上又は以下の雰囲
気下の処理室内を上記目標圧雰囲気にする圧力及び流量
の制御方法であって、上記処理室内に連通する流体管路
に介設される開度調整手段の開度速度を、第１の期間で
は予め定められた第１の関数近似線を理想値としてこれ
に対して第１の目標値まで制御し、 その他の期間では
予め設定された複数の目標値に段階的に制御して、上記
処理室内が上記目標圧に達するよう上記流体管路を流れ
る流体の圧力及び流量を制御することを特徴とする。こ
の場合、上記第１の関数近似線を二次関数とすることが
できる（請求項４）。
に、請求項１記載の発明は、目標圧以上又は以下の雰囲
気下の処理室内を上記目標圧雰囲気にする圧力及び流量
の制御方法であって、上記処理室内に連通する流体管路
に介設される開度調整手段の開度速度を、第１の期間で
は予め定められた第１の関数近似線を理想値としてこれ
に対して第１の目標値まで制御し、 その他の期間では
予め設定された複数の目標値に段階的に制御して、上記
処理室内が上記目標圧に達するよう上記流体管路を流れ
る流体の圧力及び流量を制御することを特徴とする。こ
の場合、上記第１の関数近似線を二次関数とすることが
できる（請求項４）。
【００１２】請求項１記載の発明において、上記その他
の期間のうちの第１の期間の前の期間では、複数の目標
値のうちの第２の目標値まで開度調整手段の操作量に基
づいて開度速度を制御する方が好ましい（請求項２）。
この場合、上記開度調整手段の起動時点の操作量を検知
し、その検知された操作量に基づいて上記開度調整手段
の起動時間を設定する方が更に好ましい（請求項６）。
の期間のうちの第１の期間の前の期間では、複数の目標
値のうちの第２の目標値まで開度調整手段の操作量に基
づいて開度速度を制御する方が好ましい（請求項２）。
この場合、上記開度調整手段の起動時点の操作量を検知
し、その検知された操作量に基づいて上記開度調整手段
の起動時間を設定する方が更に好ましい（請求項６）。
【００１３】また、上記その他の期間のうちの第１の期
間の後の期間では、複数の目標値のうちの第２の目標値
から上記目標圧に達するまで、第１の関数近似線より変
化が大きい予め定められた第２の関数近似線を理想値と
してこれに対して開度速度を制御する方が好ましい（請
求項３）。この場合、上記第２の関数近似線を直線とす
ることができる（請求項５）。
間の後の期間では、複数の目標値のうちの第２の目標値
から上記目標圧に達するまで、第１の関数近似線より変
化が大きい予め定められた第２の関数近似線を理想値と
してこれに対して開度速度を制御する方が好ましい（請
求項３）。この場合、上記第２の関数近似線を直線とす
ることができる（請求項５）。
【００１４】また、請求項１記載の発明において、上記
開度調整手段の動作毎に、上記開度調整手段の起動時間
を検知し、その検知の値が所定値に達したとき、上記開
度調整手段の起動時間を修正制御する方が好ましい（請
求項７）。
開度調整手段の動作毎に、上記開度調整手段の起動時間
を検知し、その検知の値が所定値に達したとき、上記開
度調整手段の起動時間を修正制御する方が好ましい（請
求項７）。
【００１５】請求項８記載の発明は、目標圧以下又は以
上の雰囲気下の処理室内を上記目標圧雰囲気にする圧力
及び流量の制御方法であって、 上記処理室が上記目標
圧以下の雰囲気下に有る場合は、上記処理室内に連通す
る流体供給管路に介設される第１の開度調整手段の開度
速度を、第１の期間では予め定められた第１の関数近似
線を理想値としてこれに対して第１の目標値まで制御
し、 上記第１の期間に対するその他の期間では予め設
定された複数の目標値に段階的に制御して、上記処理室
内が上記目標圧に達するよう上記流体供給管路を流れる
流体の圧力及び流量を制御し、 上記処理室が上記目標
圧以上の雰囲気下に有る場合は、上記処理室内に連通す
る流体排出管路に介設される第２の開度調整手段の開度
速度を、第２の期間では予め定められた第２の関数近似
線を理想値としてこれに対して第２の目標値まで制御
し、 上記第２の期間に対するその他の期間では予め設
定された複数の目標値に段階的に制御して、上記処理室
内が上記目標圧に達するよう上記流体排出管路を流れる
流体の圧力及び流量を制御することを特徴とする。
上の雰囲気下の処理室内を上記目標圧雰囲気にする圧力
及び流量の制御方法であって、 上記処理室が上記目標
圧以下の雰囲気下に有る場合は、上記処理室内に連通す
る流体供給管路に介設される第１の開度調整手段の開度
速度を、第１の期間では予め定められた第１の関数近似
線を理想値としてこれに対して第１の目標値まで制御
し、 上記第１の期間に対するその他の期間では予め設
定された複数の目標値に段階的に制御して、上記処理室
内が上記目標圧に達するよう上記流体供給管路を流れる
流体の圧力及び流量を制御し、 上記処理室が上記目標
圧以上の雰囲気下に有る場合は、上記処理室内に連通す
る流体排出管路に介設される第２の開度調整手段の開度
速度を、第２の期間では予め定められた第２の関数近似
線を理想値としてこれに対して第２の目標値まで制御
し、 上記第２の期間に対するその他の期間では予め設
定された複数の目標値に段階的に制御して、上記処理室
内が上記目標圧に達するよう上記流体排出管路を流れる
流体の圧力及び流量を制御することを特徴とする。
【００１６】請求項８記載の発明において、少なくとも
上記第１及び第２の開度調整手段のいずれか一方の動作
毎に、上記いずれか一方の開度調整手段の起動時間を検
知し、その検知の値が所定値に達したとき、上記いずれ
か一方の開度調整手段の起動時間を修正制御する方が好
ましい（請求項９）。
上記第１及び第２の開度調整手段のいずれか一方の動作
毎に、上記いずれか一方の開度調整手段の起動時間を検
知し、その検知の値が所定値に達したとき、上記いずれ
か一方の開度調整手段の起動時間を修正制御する方が好
ましい（請求項９）。
【００１７】また、請求項１０記載の発明は、請求項１
記載の圧力及び流量の制御方法において、 上記処理室
が上記目標圧以上の雰囲気下に有る場合に、熱エネルギ
ー補給ガスを上記処理室に供給しながら上記処理室内が
上記目標圧に達するよう上記流体管路を流れる流体の圧
力及び流量を制御することを特徴とする。
記載の圧力及び流量の制御方法において、 上記処理室
が上記目標圧以上の雰囲気下に有る場合に、熱エネルギ
ー補給ガスを上記処理室に供給しながら上記処理室内が
上記目標圧に達するよう上記流体管路を流れる流体の圧
力及び流量を制御することを特徴とする。
【００１８】また、請求項１１記載の発明は、請求項８
記載の圧力及び流量の制御方法において、上記処理室が
目標圧以上の雰囲気下に有る場合に、熱エネルギー補給
ガスを上記処理室に供給しながら上記処理室内が上記目
標圧に達するよう上記流体排出管路を流れる流体の圧力
及び流量を制御することを特徴とする。
記載の圧力及び流量の制御方法において、上記処理室が
目標圧以上の雰囲気下に有る場合に、熱エネルギー補給
ガスを上記処理室に供給しながら上記処理室内が上記目
標圧に達するよう上記流体排出管路を流れる流体の圧力
及び流量を制御することを特徴とする。
【００１９】上記請求項１０又は１１記載の圧力及び流
量の制御方法において、上記処理室に熱エネルギー補給
ガスを供給しながら上記処理室を真空排気することが可
能である（請求項１２）。また、上記請求項１０ないし
１２のいずれかに記載の圧力及び流量の制御方法におい
て、上記熱エネルギー補給ガスは窒素ガスである方が好
ましい（請求項１３）。
量の制御方法において、上記処理室に熱エネルギー補給
ガスを供給しながら上記処理室を真空排気することが可
能である（請求項１２）。また、上記請求項１０ないし
１２のいずれかに記載の圧力及び流量の制御方法におい
て、上記熱エネルギー補給ガスは窒素ガスである方が好
ましい（請求項１３）。
【００２０】また、請求項１４記載の発明は、目標圧以
上又は以下の雰囲気下の処理室内に連通する流体供給管
路に介設される開度調整手段と、 上記処理室内の圧力
を検出し検出信号を出力する検出手段と、 上記検出信
号に応答して、上記開度調整手段の開度速度を、第１の
期間では予め定められた第１の関数近似線を理想値とし
てこれに対して第１の目標値まで制御し、その他の期間
では予め設定された複数の目標値に段階的に制御して、
上記処理室内が上記目標圧に達するよう上記流体管路を
流れる流体の圧力及び流量を制御する制御手段とを具備
することを特徴とする。
上又は以下の雰囲気下の処理室内に連通する流体供給管
路に介設される開度調整手段と、 上記処理室内の圧力
を検出し検出信号を出力する検出手段と、 上記検出信
号に応答して、上記開度調整手段の開度速度を、第１の
期間では予め定められた第１の関数近似線を理想値とし
てこれに対して第１の目標値まで制御し、その他の期間
では予め設定された複数の目標値に段階的に制御して、
上記処理室内が上記目標圧に達するよう上記流体管路を
流れる流体の圧力及び流量を制御する制御手段とを具備
することを特徴とする。
【００２１】請求項１５記載の発明は、請求項１４記載
の圧力及び流量の制御装置において、上記開度調整手段
の開度量を制御する操作手段を更に具備し、上記制御手
段はその他の期間のうちの第１の期間の前の期間では、
複数の目標値のうちの第２の目標値まで上記開度量に基
づいて、上記操作手段を介して上記開度速度を制御する
ことを特徴とする。
の圧力及び流量の制御装置において、上記開度調整手段
の開度量を制御する操作手段を更に具備し、上記制御手
段はその他の期間のうちの第１の期間の前の期間では、
複数の目標値のうちの第２の目標値まで上記開度量に基
づいて、上記操作手段を介して上記開度速度を制御する
ことを特徴とする。
【００２２】請求項１６記載の発明は、請求項１４記載
の圧力及び流量の制御装置において、上記制御手段は、
その他の期間のうちの第１の期間の後の期間では、複数
の目標値のうちの第２の目標値から目標圧に達するま
で、第１の関数近似線より変化が大きい予め定められた
第２の関数近似線を理想値としてこれに対して開度速度
を制御することを特徴とする。
の圧力及び流量の制御装置において、上記制御手段は、
その他の期間のうちの第１の期間の後の期間では、複数
の目標値のうちの第２の目標値から目標圧に達するま
で、第１の関数近似線より変化が大きい予め定められた
第２の関数近似線を理想値としてこれに対して開度速度
を制御することを特徴とする。
【００２３】請求項１７記載の発明は、請求項１４記載
の圧力及び流量の制御装置において、上記制御手段は、
開度調整手段の動作毎に、上記開度調整手段の起動時間
を検知し、その検知の値が所定値に達したとき、上記開
度調整手段の起動時間を修正制御することを特徴とす
る。
の圧力及び流量の制御装置において、上記制御手段は、
開度調整手段の動作毎に、上記開度調整手段の起動時間
を検知し、その検知の値が所定値に達したとき、上記開
度調整手段の起動時間を修正制御することを特徴とす
る。
【００２４】また、請求項１８記載の発明は、目標圧以
下又は以上の雰囲気下の処理室内に連通する流体供給管
路に介設される第１の開度調整手段と、 上記処理室内
に連通する流体排出管路に介設される第２の開度調整手
段と、 上記処理室内の圧力を検出し検出信号を出力す
る検出手段と、 上記検出信号に応答して、上記処理室
が上記目標圧以下の雰囲気下に有る場合は、上記第１の
開度調整手段の開度速度を、第１の期間では予め定めら
れた第１の関数近似線を理想値としてこれに対して第１
の目標値まで制御し、上記第１の期間に対するその他の
期間では予め設定された複数の目標値に段階的に制御し
て、上記処理室内が上記目標圧に達するよう上記流体供
給管路を流れる流体の圧力及び流量を制御し、 上記処
理室が上記目標圧以上の雰囲気下に有る場合は、上記第
２の開度調整手段の開度速度を、第２の期間では予め定
められた第２の関数近似線を理想値としてこれに対して
第２の目標値まで制御し、上記第２の期間に対するその
他の期間では予め設定された複数の目標値に段階的に制
御して、上記処理室内が上記目標圧に達するよう上記流
体排出管路を流れる流体の圧力及び流量を制御する制御
手段とを具備することを特徴とする。
下又は以上の雰囲気下の処理室内に連通する流体供給管
路に介設される第１の開度調整手段と、 上記処理室内
に連通する流体排出管路に介設される第２の開度調整手
段と、 上記処理室内の圧力を検出し検出信号を出力す
る検出手段と、 上記検出信号に応答して、上記処理室
が上記目標圧以下の雰囲気下に有る場合は、上記第１の
開度調整手段の開度速度を、第１の期間では予め定めら
れた第１の関数近似線を理想値としてこれに対して第１
の目標値まで制御し、上記第１の期間に対するその他の
期間では予め設定された複数の目標値に段階的に制御し
て、上記処理室内が上記目標圧に達するよう上記流体供
給管路を流れる流体の圧力及び流量を制御し、 上記処
理室が上記目標圧以上の雰囲気下に有る場合は、上記第
２の開度調整手段の開度速度を、第２の期間では予め定
められた第２の関数近似線を理想値としてこれに対して
第２の目標値まで制御し、上記第２の期間に対するその
他の期間では予め設定された複数の目標値に段階的に制
御して、上記処理室内が上記目標圧に達するよう上記流
体排出管路を流れる流体の圧力及び流量を制御する制御
手段とを具備することを特徴とする。
【００２５】この発明において、上記目標圧とは、現状
の圧力雰囲気から変化する状態の所定の圧力雰囲気をい
い、例えば大気圧雰囲気，減圧雰囲気あるいは加圧下又
は減圧下における所定の圧力雰囲気をいう。
の圧力雰囲気から変化する状態の所定の圧力雰囲気をい
い、例えば大気圧雰囲気，減圧雰囲気あるいは加圧下又
は減圧下における所定の圧力雰囲気をいう。
【００２６】この発明によれば、処理室内に連通する流
体管路に介設される開度調整手段の開度速度を、第１の
期間では予め定められた第１の関数近似線を理想値とし
てこれに対して第１の目標値まで制御し、その他の期間
では予め設定された複数の目標値に段階的に制御して、
処理室内が目標圧に達するよう流体管路を流れる流体の
圧力及び流量を制御することにより、開度調整手段の起
動時における圧力の急激な上昇を抑制することができる
と共に、減圧雰囲気下又は大気圧雰囲気下において、大
流量の流体の供給又は大流量の流体の排出の際に生じる
スパイク状の高速流を抑制することができる（請求項
１，１４）。
体管路に介設される開度調整手段の開度速度を、第１の
期間では予め定められた第１の関数近似線を理想値とし
てこれに対して第１の目標値まで制御し、その他の期間
では予め設定された複数の目標値に段階的に制御して、
処理室内が目標圧に達するよう流体管路を流れる流体の
圧力及び流量を制御することにより、開度調整手段の起
動時における圧力の急激な上昇を抑制することができる
と共に、減圧雰囲気下又は大気圧雰囲気下において、大
流量の流体の供給又は大流量の流体の排出の際に生じる
スパイク状の高速流を抑制することができる（請求項
１，１４）。
【００２７】また、処理室が目標圧以下の雰囲気下に有
る場合は、処理室内に連通する流体供給管路に介設され
る第１の開度調整手段の開度速度を、第１の期間では予
め定められた第１の関数近似線を理想値としてこれに対
して第１の目標値まで制御し、第１の期間に対するその
他の期間では予め設定された複数の目標値に段階的に制
御して、処理室内が目標圧に達するよう流体供給管路を
流れる流体の圧力及び流量を制御し、処理室が目標圧以
上の雰囲気下に有る場合は、処理室内に連通する流体排
出管路に介設される第２の開度調整手段の開度速度を、
第２の期間では予め定められた第２の関数近似線を理想
値としてこれに対して第２の目標値まで制御し、第２の
期間に対するその他の期間では予め設定された複数の目
標値に段階的に制御して、処理室内が目標圧に達するよ
う流体排出管路を流れる流体の圧力及び流量を制御する
ことにより、例えば減圧雰囲気下と大気雰囲気下の双方
の圧力及び流量制御を行うことができると共に、装置の
小型化を図ることができる（請求項８，１８）。
る場合は、処理室内に連通する流体供給管路に介設され
る第１の開度調整手段の開度速度を、第１の期間では予
め定められた第１の関数近似線を理想値としてこれに対
して第１の目標値まで制御し、第１の期間に対するその
他の期間では予め設定された複数の目標値に段階的に制
御して、処理室内が目標圧に達するよう流体供給管路を
流れる流体の圧力及び流量を制御し、処理室が目標圧以
上の雰囲気下に有る場合は、処理室内に連通する流体排
出管路に介設される第２の開度調整手段の開度速度を、
第２の期間では予め定められた第２の関数近似線を理想
値としてこれに対して第２の目標値まで制御し、第２の
期間に対するその他の期間では予め設定された複数の目
標値に段階的に制御して、処理室内が目標圧に達するよ
う流体排出管路を流れる流体の圧力及び流量を制御する
ことにより、例えば減圧雰囲気下と大気雰囲気下の双方
の圧力及び流量制御を行うことができると共に、装置の
小型化を図ることができる（請求項８，１８）。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態を
図面に基いて詳細に説明する。この実施形態では半導体
ウエハの洗浄・乾燥処理システムに適用した場合につい
て説明する。
図面に基いて詳細に説明する。この実施形態では半導体
ウエハの洗浄・乾燥処理システムに適用した場合につい
て説明する。
【００２９】図１はこの発明に係る圧力及び流量の制御
装置を乾燥処理部に適用した洗浄・乾燥処理システムの
一例を示す概略平面図、図２はその概略側面図である。
装置を乾燥処理部に適用した洗浄・乾燥処理システムの
一例を示す概略平面図、図２はその概略側面図である。
【００３０】上記洗浄・乾燥処理システムは、被処理体
である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）を水平
状態に収納する容器例えばキャリア１を搬入、搬出する
ための搬送部２と、ウエハＷを薬液、洗浄液等の液処理
すると共に乾燥処理する処理部３と、搬送部２と処理部
３との間に位置してウエハＷの受渡し、位置調整及び姿
勢変換等を行うインターフェース部４とで主に構成され
ている。
である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）を水平
状態に収納する容器例えばキャリア１を搬入、搬出する
ための搬送部２と、ウエハＷを薬液、洗浄液等の液処理
すると共に乾燥処理する処理部３と、搬送部２と処理部
３との間に位置してウエハＷの受渡し、位置調整及び姿
勢変換等を行うインターフェース部４とで主に構成され
ている。
【００３１】上記搬送部２は、洗浄・乾燥処理システム
の一側端部に併設して設けられる搬入部５と搬出部６と
で構成されている。また、搬入部５及び搬出部６のキャ
リア１の搬入口５ａ及び搬出口６ｂには、キャリア１を
搬入部５、搬出部６に出入れ自在のスライド式の載置テ
ーブル７が設けられている。また、搬入部５と搬出部６
には、それぞれキャリアリフタ８が配設され、このキャ
リアリフタ８によって搬入部間又は搬出部間でのキャリ
ア１の搬送を行うことができると共に、空のキャリア１
を搬送部２の上方に設けられたキャリア待機部９への受
け渡し及びキャリア待機部からの受け取りを行うことが
できるように構成されている（図２参照）。
の一側端部に併設して設けられる搬入部５と搬出部６と
で構成されている。また、搬入部５及び搬出部６のキャ
リア１の搬入口５ａ及び搬出口６ｂには、キャリア１を
搬入部５、搬出部６に出入れ自在のスライド式の載置テ
ーブル７が設けられている。また、搬入部５と搬出部６
には、それぞれキャリアリフタ８が配設され、このキャ
リアリフタ８によって搬入部間又は搬出部間でのキャリ
ア１の搬送を行うことができると共に、空のキャリア１
を搬送部２の上方に設けられたキャリア待機部９への受
け渡し及びキャリア待機部からの受け取りを行うことが
できるように構成されている（図２参照）。
【００３２】上記インターフェース部４は、区画壁４ｃ
によって搬入部５に隣接する第１の室４ａと、搬出部６
に隣接する第２の室４ｂとに区画されている。そして、
第１の室４ａ内には、搬入部５のキャリア１から複数枚
のウエハＷを取り出して搬送する水平方向（Ｘ，Ｙ方
向），垂直方向（Ｚ方向）及び回転（θ方向）可能なウ
エハ取出しアーム１０と、ウエハＷに設けられたノッチ
を検出するノッチアライナー１１と、ウエハ取出しアー
ム１０によって取り出された複数枚のウエハＷの間隔を
調整する間隔調整機構１２を具備すると共に、水平状態
のウエハＷを垂直状態に変換する第１の姿勢変換装置１
３が配設されている。
によって搬入部５に隣接する第１の室４ａと、搬出部６
に隣接する第２の室４ｂとに区画されている。そして、
第１の室４ａ内には、搬入部５のキャリア１から複数枚
のウエハＷを取り出して搬送する水平方向（Ｘ，Ｙ方
向），垂直方向（Ｚ方向）及び回転（θ方向）可能なウ
エハ取出しアーム１０と、ウエハＷに設けられたノッチ
を検出するノッチアライナー１１と、ウエハ取出しアー
ム１０によって取り出された複数枚のウエハＷの間隔を
調整する間隔調整機構１２を具備すると共に、水平状態
のウエハＷを垂直状態に変換する第１の姿勢変換装置１
３が配設されている。
【００３３】また、第２の室４ｂ内には、処理済みの複
数枚のウエハＷを処理部３から垂直状態のまま受け取っ
て搬送するウエハ受渡しアーム１４と、ウエハ受渡しア
ーム１４から受け取ったウエハＷを垂直状態から水平状
態に変換する第２の姿勢変換装置１３Ａと、この第２の
姿勢変換装置１３Ａによって水平状態に変換された複数
枚のウエハＷを受け取って搬出部６に搬送された空のキ
ャリア１内に収納する水平方向（Ｘ，Ｙ方向），垂直方
向（Ｚ方向）及び回転（θ方向）可能なウエハ収納アー
ム１５が配設されている。なお、第２の室４ｂは外部か
ら密閉されており、図示しない不活性ガス例えば窒素
（Ｎ2）ガスの供給源から供給されるＮ2ガスによって室
内が置換されるように構成されている。
数枚のウエハＷを処理部３から垂直状態のまま受け取っ
て搬送するウエハ受渡しアーム１４と、ウエハ受渡しア
ーム１４から受け取ったウエハＷを垂直状態から水平状
態に変換する第２の姿勢変換装置１３Ａと、この第２の
姿勢変換装置１３Ａによって水平状態に変換された複数
枚のウエハＷを受け取って搬出部６に搬送された空のキ
ャリア１内に収納する水平方向（Ｘ，Ｙ方向），垂直方
向（Ｚ方向）及び回転（θ方向）可能なウエハ収納アー
ム１５が配設されている。なお、第２の室４ｂは外部か
ら密閉されており、図示しない不活性ガス例えば窒素
（Ｎ2）ガスの供給源から供給されるＮ2ガスによって室
内が置換されるように構成されている。
【００３４】一方、上記処理部３には、ウエハＷに付着
するパーティクルや有機物汚染を除去する第１の処理ユ
ニット１６と、ウエハＷに付着する金属汚染を除去する
第２の処理ユニット１７と、ウエハＷに付着する酸化膜
を除去すると共に乾燥処理する洗浄・乾燥処理ユニット
１８及びチャック洗浄ユニット１９が直線状に配列され
ており、これら各ユニット１６〜１９と対向する位置に
設けられた搬送路２０に、Ｘ，Ｙ方向（水平方向）、Ｚ
方向（垂直方向）及び回転（θ）可能なウエハ搬送アー
ム２１（搬送手段）が配設されている。
するパーティクルや有機物汚染を除去する第１の処理ユ
ニット１６と、ウエハＷに付着する金属汚染を除去する
第２の処理ユニット１７と、ウエハＷに付着する酸化膜
を除去すると共に乾燥処理する洗浄・乾燥処理ユニット
１８及びチャック洗浄ユニット１９が直線状に配列され
ており、これら各ユニット１６〜１９と対向する位置に
設けられた搬送路２０に、Ｘ，Ｙ方向（水平方向）、Ｚ
方向（垂直方向）及び回転（θ）可能なウエハ搬送アー
ム２１（搬送手段）が配設されている。
【００３５】上記洗浄・乾燥処理ユニット１８は、図３
に示すように、キャリアガス例えば窒素（Ｎ2）ガスの
供給源３０に供給路３１ａを介して接続するＮ2ガス加
熱手段としてのＮ2ガス加熱器３２（以下に単に加熱器
という）と、この加熱器３２に供給路３１ｂを介して接
続する一方、乾燥ガス用液体例えばＩＰＡの供給源３３
に供給路３１ｃを介して接続する蒸気発生手段としての
蒸気発生器３４と、この蒸気発生器３４と乾燥処理室３
５（以下に単に処理室という）とを接続する流体供給管
路である乾燥ガス供給管路３１ｄに配設されるこの発明
に係る圧力及び流量の制御装置３６とを具備してなる。
に示すように、キャリアガス例えば窒素（Ｎ2）ガスの
供給源３０に供給路３１ａを介して接続するＮ2ガス加
熱手段としてのＮ2ガス加熱器３２（以下に単に加熱器
という）と、この加熱器３２に供給路３１ｂを介して接
続する一方、乾燥ガス用液体例えばＩＰＡの供給源３３
に供給路３１ｃを介して接続する蒸気発生手段としての
蒸気発生器３４と、この蒸気発生器３４と乾燥処理室３
５（以下に単に処理室という）とを接続する流体供給管
路である乾燥ガス供給管路３１ｄに配設されるこの発明
に係る圧力及び流量の制御装置３６とを具備してなる。
【００３６】この場合、Ｎ2ガス供給源３０と加熱器３
２とを接続する供給路３１ａには開閉弁３７ａが介設さ
れている。また、ＩＰＡ供給源３３と加熱器３２とを接
続する供給路３１ｃには開閉弁３７ｂが介設され、この
開閉弁３７ｂのＩＰＡ供給源側には分岐路３８及び開閉
弁３７ｃを介してＩＰＡ回収部３９が接続されている。
また、図３に二点鎖線で示すように、蒸気発生器３４に
は、必要に応じてＩＰＡのドレン管４０が接続され、こ
のドレン管４０にドレン弁４１が介設されると共に、チ
ェッキ弁４２を介設する分岐路４０ａが接続されてい
る。このようにドレン管４０、ドレン弁４１等を接続す
ることにより、蒸気発生器３４内をクリーニングする際
の洗浄液等の排出に便利となる。
２とを接続する供給路３１ａには開閉弁３７ａが介設さ
れている。また、ＩＰＡ供給源３３と加熱器３２とを接
続する供給路３１ｃには開閉弁３７ｂが介設され、この
開閉弁３７ｂのＩＰＡ供給源側には分岐路３８及び開閉
弁３７ｃを介してＩＰＡ回収部３９が接続されている。
また、図３に二点鎖線で示すように、蒸気発生器３４に
は、必要に応じてＩＰＡのドレン管４０が接続され、こ
のドレン管４０にドレン弁４１が介設されると共に、チ
ェッキ弁４２を介設する分岐路４０ａが接続されてい
る。このようにドレン管４０、ドレン弁４１等を接続す
ることにより、蒸気発生器３４内をクリーニングする際
の洗浄液等の排出に便利となる。
【００３７】蒸気発生器３４は、キャリアガスの供給路
３１ｂに接続する例えばステンレス鋼製のパイプ状部材
にて形成されており、このパイプ状部材の内周面にキャ
リアガスの流れ方向に沿って漸次狭小となる狭小テーパ
面と、この狭小テーパ面の狭小部から流れ方向に沿って
徐々に拡開する拡開テーパ面とからなる衝撃波形成部３
４ａが形成されている。この衝撃波形成部３４ａは、衝
撃波形成部３４ａの流入側圧力（一次圧力）と流出側圧
力（二次圧力）との圧力差によって衝撃波が形成され
る。例えば、一次圧力（Kgf/cm2G）とＮ2ガスの通過流
量（Nl/min）を適宜選択することによって衝撃波を形成
することができる。この場合、衝撃波形成部３４ａの一
次側と二次側を接続する分岐路３４ｂに圧力調整弁３４
ｃを介設して、この圧力調整弁３４ｃの調節によって衝
撃波の発生条件を適宜設定している。
３１ｂに接続する例えばステンレス鋼製のパイプ状部材
にて形成されており、このパイプ状部材の内周面にキャ
リアガスの流れ方向に沿って漸次狭小となる狭小テーパ
面と、この狭小テーパ面の狭小部から流れ方向に沿って
徐々に拡開する拡開テーパ面とからなる衝撃波形成部３
４ａが形成されている。この衝撃波形成部３４ａは、衝
撃波形成部３４ａの流入側圧力（一次圧力）と流出側圧
力（二次圧力）との圧力差によって衝撃波が形成され
る。例えば、一次圧力（Kgf/cm2G）とＮ2ガスの通過流
量（Nl/min）を適宜選択することによって衝撃波を形成
することができる。この場合、衝撃波形成部３４ａの一
次側と二次側を接続する分岐路３４ｂに圧力調整弁３４
ｃを介設して、この圧力調整弁３４ｃの調節によって衝
撃波の発生条件を適宜設定している。
【００３８】また、衝撃波形成部３４ａの拡開テーパ面
の途中にはＩＰＡ供給口が開設されて、供給路３１ｃを
介してＩＰＡ供給源３３が接続されている。また、拡開
テーパ面の流出側のパイプ状部材内に内筒ヒータ３４ｄ
が挿入され、その外側には外筒ヒータ３４ｅが配設され
ている。
の途中にはＩＰＡ供給口が開設されて、供給路３１ｃを
介してＩＰＡ供給源３３が接続されている。また、拡開
テーパ面の流出側のパイプ状部材内に内筒ヒータ３４ｄ
が挿入され、その外側には外筒ヒータ３４ｅが配設され
ている。
【００３９】上記のように構成することにより、ＩＰＡ
供給源３３から供給されるＩＰＡを衝撃波形成部３４ａ
の供給口から供給すると、衝撃波形成部３４ａで形成さ
れた衝撃波によってＩＰＡが霧状にされ、その後ヒータ
３４ｄ，３４ｅの加熱によってＩＰＡ蒸気が生成され
る。
供給源３３から供給されるＩＰＡを衝撃波形成部３４ａ
の供給口から供給すると、衝撃波形成部３４ａで形成さ
れた衝撃波によってＩＰＡが霧状にされ、その後ヒータ
３４ｄ，３４ｅの加熱によってＩＰＡ蒸気が生成され
る。
【００４０】上記圧力及び流量の制御装置３６は、図３
ないし図４に示すように、乾燥ガス供給管路３１ｄに介
設される開度調整手段例えばダイヤフラム弁５０と、処
理室３５内の圧力を検出する検出手段である圧力センサ
５１からの信号と予め記憶された情報とを比較演算する
制御手段例えばＣＰＵ５２（中央演算処理装置）と、Ｃ
ＰＵ５２からの信号に基づいてダイヤフラム弁５０の開
度を制御する操作手段例えばマイクロバルブ５３と、こ
のマイクロバルブ５３の操作信号例えば二次側圧力を検
出すると共に、その検出信号をマイクロバルブ５３にフ
ィードバックする検出手段例えば圧力変換器５４と図示
しない制御回路とからなるマイクロバルブ５３の制御ボ
ード５４Ａを具備してなる。
ないし図４に示すように、乾燥ガス供給管路３１ｄに介
設される開度調整手段例えばダイヤフラム弁５０と、処
理室３５内の圧力を検出する検出手段である圧力センサ
５１からの信号と予め記憶された情報とを比較演算する
制御手段例えばＣＰＵ５２（中央演算処理装置）と、Ｃ
ＰＵ５２からの信号に基づいてダイヤフラム弁５０の開
度を制御する操作手段例えばマイクロバルブ５３と、こ
のマイクロバルブ５３の操作信号例えば二次側圧力を検
出すると共に、その検出信号をマイクロバルブ５３にフ
ィードバックする検出手段例えば圧力変換器５４と図示
しない制御回路とからなるマイクロバルブ５３の制御ボ
ード５４Ａを具備してなる。
【００４１】この場合、上記ダイヤフラム弁５０は、図
６及び図７に示すように、乾燥ガス供給管路３１ｄに接
続する一次側ポート５０ａと二次側ポート５０ｂとを連
通する通路５０ｃ中に弁座５０ｄを具備すると共に、こ
の弁座５０ｃに対して就座すべく上下方向に変位可能な
常時弁開側に***するメタルダイヤフラム５０ｅを具備
してなる。また、ダイヤフラム弁５０は、メタルダイヤ
フラム５０ｅの上面側と、上方に向かって開口する操作
流体すなわち空気の供給ポート５０ｆに連通する室５０
ｇ内に、操作調整用弁体５０ｈを摺動自在に配設すると
共に、この操作調整用弁体５０ｈを常時下方に押圧する
操作調整用スプリング５０ｉを具備してなり、操作調整
用スプリング５０ｉの弾発力によって常時メタルダイヤ
フラム５０ｅが閉塞され、供給ポート５０ｆに流入する
操作流体すなわち空気の流量に追従してメタルダイヤフ
ラム５０ｅが弁座５０ｃから離隔し、弁座５０ｃの外周
側に配置されたシートホルダ５０ｊに設けられた流通孔
５０ｋを乾燥ガスが流れるように構成されている。
６及び図７に示すように、乾燥ガス供給管路３１ｄに接
続する一次側ポート５０ａと二次側ポート５０ｂとを連
通する通路５０ｃ中に弁座５０ｄを具備すると共に、こ
の弁座５０ｃに対して就座すべく上下方向に変位可能な
常時弁開側に***するメタルダイヤフラム５０ｅを具備
してなる。また、ダイヤフラム弁５０は、メタルダイヤ
フラム５０ｅの上面側と、上方に向かって開口する操作
流体すなわち空気の供給ポート５０ｆに連通する室５０
ｇ内に、操作調整用弁体５０ｈを摺動自在に配設すると
共に、この操作調整用弁体５０ｈを常時下方に押圧する
操作調整用スプリング５０ｉを具備してなり、操作調整
用スプリング５０ｉの弾発力によって常時メタルダイヤ
フラム５０ｅが閉塞され、供給ポート５０ｆに流入する
操作流体すなわち空気の流量に追従してメタルダイヤフ
ラム５０ｅが弁座５０ｃから離隔し、弁座５０ｃの外周
側に配置されたシートホルダ５０ｊに設けられた流通孔
５０ｋを乾燥ガスが流れるように構成されている。
【００４２】このように構成されるダイヤフラム弁５０
によれば、図６（ａ），（ｂ）に示す閉塞状態におい
て、上記マイクロバルブ５３から供給される操作流体す
なわち空気が供給ポート５０ｆに供給され、その供給流
量が増えて供給圧が操作調整用スプリング５０ｉの弾発
力に打ち勝つと、操作調整用弁体５０ｈが上昇し、それ
に伴なってメタルダイヤフラム５０ｅも上昇して弁座５
０ｃから離隔する（図７（ａ），（ｂ）参照）。これに
より、一次側ポート５０ａと二次側ポート５０ｂが連通
し、一次側ポート５０ａから乾燥ガスが二次側ポート５
０bに流れ、処理室３５に供給される。
によれば、図６（ａ），（ｂ）に示す閉塞状態におい
て、上記マイクロバルブ５３から供給される操作流体す
なわち空気が供給ポート５０ｆに供給され、その供給流
量が増えて供給圧が操作調整用スプリング５０ｉの弾発
力に打ち勝つと、操作調整用弁体５０ｈが上昇し、それ
に伴なってメタルダイヤフラム５０ｅも上昇して弁座５
０ｃから離隔する（図７（ａ），（ｂ）参照）。これに
より、一次側ポート５０ａと二次側ポート５０ｂが連通
し、一次側ポート５０ａから乾燥ガスが二次側ポート５
０bに流れ、処理室３５に供給される。
【００４３】また、上記マイクロバルブ５３は、例えば
図８に示すように、ダイヤフラム弁５０の操作流体例え
ば空気の流入路５５に排出路５６を連通し、この排出路
５６と対向する面に可撓性部材５７を介して制御液体例
えば熱伸縮性オイル５８を収容する室５９を形成すると
共に、室５９における可撓性部材５７と対向する面に配
設される複数の抵抗ヒータ６０を配設してなる。なおこ
の場合、可撓性部材５７は、上部材５３ａと下部材５３
ｃとの間に介在される中部材５３ｂを有すると共に、下
部材５３ｃと接合する台座５３ｄを有しており、可撓性
部材５７の撓み変形によって中部材５３ｂが排出路５６
を開閉し得るように構成されている。なお、このマイク
ロバルブ５３は全体がシリコンにて形成されている。
図８に示すように、ダイヤフラム弁５０の操作流体例え
ば空気の流入路５５に排出路５６を連通し、この排出路
５６と対向する面に可撓性部材５７を介して制御液体例
えば熱伸縮性オイル５８を収容する室５９を形成すると
共に、室５９における可撓性部材５７と対向する面に配
設される複数の抵抗ヒータ６０を配設してなる。なおこ
の場合、可撓性部材５７は、上部材５３ａと下部材５３
ｃとの間に介在される中部材５３ｂを有すると共に、下
部材５３ｃと接合する台座５３ｄを有しており、可撓性
部材５７の撓み変形によって中部材５３ｂが排出路５６
を開閉し得るように構成されている。なお、このマイク
ロバルブ５３は全体がシリコンにて形成されている。
【００４４】このように構成することにより、ＣＰＵ５
２からの信号及び制御ボード５４Ａの制御信号をデジタ
ル／アナログ変換させて抵抗ヒータ６０に伝達すると、
抵抗ヒータ６０が加熱されると共に、制御液体すなわち
オイル５８が膨脹収縮し、これにより可撓性部材５７が
流入側に出没移動して排出路５６の上部が開状態とな
り、操作流体すなわち空気圧力を調節することができ
る。したがって、マイクロバルブ５３によって遅延制御
された操作流体すなわち空気によってダイヤフラム弁５
０を作動して予め記憶された情報と、マイクロバルブ５
３の二次側圧力又は処理室３５内の圧力を比較し、ダイ
ヤフラム弁５０の開度を制御してＮ2ガスを処理室３５
内に供給することができ、処理室３５内の圧力回復の時
間制御を行うことができる。
２からの信号及び制御ボード５４Ａの制御信号をデジタ
ル／アナログ変換させて抵抗ヒータ６０に伝達すると、
抵抗ヒータ６０が加熱されると共に、制御液体すなわち
オイル５８が膨脹収縮し、これにより可撓性部材５７が
流入側に出没移動して排出路５６の上部が開状態とな
り、操作流体すなわち空気圧力を調節することができ
る。したがって、マイクロバルブ５３によって遅延制御
された操作流体すなわち空気によってダイヤフラム弁５
０を作動して予め記憶された情報と、マイクロバルブ５
３の二次側圧力又は処理室３５内の圧力を比較し、ダイ
ヤフラム弁５０の開度を制御してＮ2ガスを処理室３５
内に供給することができ、処理室３５内の圧力回復の時
間制御を行うことができる。
【００４５】なお、乾燥ガス供給管路３１ｄには、上記
ダイヤフラム弁５０の下流側（二次側）にフィルタ６１
が介設されており、パーティクルの少ない乾燥ガスを供
給できるように構成されている。また、乾燥ガス供給管
路３１ｄの外側には保温用ヒータ６２が配設されてＩＰ
Ａガスの温度を一定に維持し得るように構成されてい
る。更に、乾燥ガス供給管路３１ｄの処理室３５側には
ＩＰＡガスの温度センサ６３（温度検出手段）が配設さ
れて、乾燥ガス供給管路３１ｄ中を流れるＩＰＡガスの
温度が測定されるようになっている。
ダイヤフラム弁５０の下流側（二次側）にフィルタ６１
が介設されており、パーティクルの少ない乾燥ガスを供
給できるように構成されている。また、乾燥ガス供給管
路３１ｄの外側には保温用ヒータ６２が配設されてＩＰ
Ａガスの温度を一定に維持し得るように構成されてい
る。更に、乾燥ガス供給管路３１ｄの処理室３５側には
ＩＰＡガスの温度センサ６３（温度検出手段）が配設さ
れて、乾燥ガス供給管路３１ｄ中を流れるＩＰＡガスの
温度が測定されるようになっている。
【００４６】また、図５に示すように、上記ＣＰＵ５２
はＤ／Ａ変換器及び増幅器（ＡＭＰ）を介して上記マイ
クロバルブ５３に電気的に接続されると共に、上記圧力
センサ５１，圧力変換器５４に増幅器（ＡＭＰ）やＡ／
Ｄ変換器等を介してこれらセンサ５１，圧力変換器５４
からの検出信号と、ウォッチ・ドグ・タイマ（ＷＤ
Ｔ），ＲＯＭ及びＲＡＭ等より予め記憶された情報に基
づいて比例動作、積分動作及び微分動作の３動作を含む
ＰＩＤ制御が可能に構成されている。また、ＣＰＵ５２
には、３つのデジタルスイッチ（圧力１，時間１及び
２）と、５つの発光素子表示（アラーム，全閉，スロー
パージ，全開及びスローオープン）と、６つのリレー出
力信号（全閉，スローパージ，全開，スローオープン，
ＣＰＵ異常及び電源異常）と、４つのフォトカプラ（ス
ローパージ，全開，スローオープンアラームリセット）
が接続されている。
はＤ／Ａ変換器及び増幅器（ＡＭＰ）を介して上記マイ
クロバルブ５３に電気的に接続されると共に、上記圧力
センサ５１，圧力変換器５４に増幅器（ＡＭＰ）やＡ／
Ｄ変換器等を介してこれらセンサ５１，圧力変換器５４
からの検出信号と、ウォッチ・ドグ・タイマ（ＷＤ
Ｔ），ＲＯＭ及びＲＡＭ等より予め記憶された情報に基
づいて比例動作、積分動作及び微分動作の３動作を含む
ＰＩＤ制御が可能に構成されている。また、ＣＰＵ５２
には、３つのデジタルスイッチ（圧力１，時間１及び
２）と、５つの発光素子表示（アラーム，全閉，スロー
パージ，全開及びスローオープン）と、６つのリレー出
力信号（全閉，スローパージ，全開，スローオープン，
ＣＰＵ異常及び電源異常）と、４つのフォトカプラ（ス
ローパージ，全開，スローオープンアラームリセット）
が接続されている。
【００４７】次に、この発明に係る圧力及び流量の制御
方法について、図９ないし図１５を参照して説明する。
まず、適宜洗浄処理されたウエハＷを処理室３５内に移
動し、目標圧以下の雰囲気下すなわち減圧雰囲気下の処
理室３５内で乾燥処理が終了した状態で、図１３に示す
オープン／クローズモードのように、マイクロバルブ５
３を作動させると共に、ＣＰＵ５２からの信号に基づい
てダイヤフラム弁５０を制御する。この際、図１４に示
すスローパージモードのように、処理室３５内が目標圧
例えば大気圧に達するまで予め設定された複数例えば２
つの目標値に段階的に遅延制御し、その制御信号に基づ
いてダイヤフラム弁５０を追従させて開度速度を制御
し、乾燥ガス供給管路３１ｄを流れるＮ2ガスを処理室
３５内に供給する。また、処理室３５内が大気圧に達し
た状態において、図１５に示すスローオープンモードの
ように、ダイヤフラム弁５０の開度速度を緩やかにして
Ｎ2ガスを処理室３５内に供給する。
方法について、図９ないし図１５を参照して説明する。
まず、適宜洗浄処理されたウエハＷを処理室３５内に移
動し、目標圧以下の雰囲気下すなわち減圧雰囲気下の処
理室３５内で乾燥処理が終了した状態で、図１３に示す
オープン／クローズモードのように、マイクロバルブ５
３を作動させると共に、ＣＰＵ５２からの信号に基づい
てダイヤフラム弁５０を制御する。この際、図１４に示
すスローパージモードのように、処理室３５内が目標圧
例えば大気圧に達するまで予め設定された複数例えば２
つの目標値に段階的に遅延制御し、その制御信号に基づ
いてダイヤフラム弁５０を追従させて開度速度を制御
し、乾燥ガス供給管路３１ｄを流れるＮ2ガスを処理室
３５内に供給する。また、処理室３５内が大気圧に達し
た状態において、図１５に示すスローオープンモードの
ように、ダイヤフラム弁５０の開度速度を緩やかにして
Ｎ2ガスを処理室３５内に供給する。
【００４８】この場合、マイクロバルブ５３は所定の電
圧が印加されるまでオフセット状態であり、所定電圧が
印加された後、上述したように抵抗ヒータ６０が加熱さ
れてオイル５８が膨脹収縮することにより、可撓性部材
５７が流入側に出没移動して操作流体すなわち空気がダ
イヤフラム弁５０の供給ポート５０ｆに流入し、ダイヤ
フラム弁５０が開状態となる。この際、マイクロバルブ
５３の起動時（立ち上がり時）にマイクロバルブ５３の
二次側圧力を圧力変換器５４にて検出すると共に、その
検出信号をマイクロバルブ５３にフィードバックしてダ
イヤフラム弁５０の開度速度を制御（第１の制御）する
ことにより、ダイヤフラム弁５０のオフバランスの固有
のばらつきの範囲内でダイヤフラム弁５０を緩やかに開
状態とすることができる（図９及び図１０の参照）。
次に、適宜関数近似線例えば二次曲線を理想値としてこ
れに対して所定目標値｛第１の目標値；例えば乾燥ガス
の流速が低下し始める臨界値（Ｐ2，Ｔ2）｝までＰＩＤ
制御（第２の制御）した後｛第１の期間；（図１０の
参照）｝、所定目標値（Ｐ2，Ｔ2）から処理室３５内が
大気圧雰囲気｛第２の目標値；（Ｐ3，Ｔ3）｝に達する
まで適宜関数近似例えば直線近似するように制御（第３
の制御）する｛第２の期間；（図１０の参照）｝。
圧が印加されるまでオフセット状態であり、所定電圧が
印加された後、上述したように抵抗ヒータ６０が加熱さ
れてオイル５８が膨脹収縮することにより、可撓性部材
５７が流入側に出没移動して操作流体すなわち空気がダ
イヤフラム弁５０の供給ポート５０ｆに流入し、ダイヤ
フラム弁５０が開状態となる。この際、マイクロバルブ
５３の起動時（立ち上がり時）にマイクロバルブ５３の
二次側圧力を圧力変換器５４にて検出すると共に、その
検出信号をマイクロバルブ５３にフィードバックしてダ
イヤフラム弁５０の開度速度を制御（第１の制御）する
ことにより、ダイヤフラム弁５０のオフバランスの固有
のばらつきの範囲内でダイヤフラム弁５０を緩やかに開
状態とすることができる（図９及び図１０の参照）。
次に、適宜関数近似線例えば二次曲線を理想値としてこ
れに対して所定目標値｛第１の目標値；例えば乾燥ガス
の流速が低下し始める臨界値（Ｐ2，Ｔ2）｝までＰＩＤ
制御（第２の制御）した後｛第１の期間；（図１０の
参照）｝、所定目標値（Ｐ2，Ｔ2）から処理室３５内が
大気圧雰囲気｛第２の目標値；（Ｐ3，Ｔ3）｝に達する
まで適宜関数近似例えば直線近似するように制御（第３
の制御）する｛第２の期間；（図１０の参照）｝。
【００４９】また、図１１に示すように、処理室３５内
が大気圧に達した状態において、ダイヤフラム弁５０の
開度速度を緩やかに制御することにより、比較的大流量
の乾燥ガスの供給が必要とされる場合においても、スパ
イク状の高速流の発生を防止することができる。
が大気圧に達した状態において、ダイヤフラム弁５０の
開度速度を緩やかに制御することにより、比較的大流量
の乾燥ガスの供給が必要とされる場合においても、スパ
イク状の高速流の発生を防止することができる。
【００５０】このように、ダイヤフラム弁５０の立ち上
がり時にマイクロバルブ５３の二次側圧力を監視してマ
イクロバルブ５３を制御することにより、処理室３５の
容積が大きいがために制御できない初期の段階すなわち
ダイヤフラム弁５０の立ち上がり時における圧力を抑制
することができ、処理室３５内へのＮ2ガスの急激な供
給によるスパイク状の高速流の発生を防止することがで
きると共に、パーティクルの舞い上がりによるウエハＷ
への付着を防止することができる。また、その後、所定
目標値｛例えば乾燥ガスの流速が低下し始める臨界値
（Ｐ2，Ｔ2）｝まで例えば二次曲線的にＰＩＤ制御する
ことにより、処理室３５内が減圧雰囲気であるがために
乾燥ガスが急激に供給されるのを抑制してウエハＷの振
動によるダメージを抑制することができる（図１２参
照）。また、乾燥ガスの流速が低下し始め臨界値に達し
た後、例えば直線近似するように制御することにより、
乾燥ガスの供給を早めて乾燥の促進を図ることができ
る。
がり時にマイクロバルブ５３の二次側圧力を監視してマ
イクロバルブ５３を制御することにより、処理室３５の
容積が大きいがために制御できない初期の段階すなわち
ダイヤフラム弁５０の立ち上がり時における圧力を抑制
することができ、処理室３５内へのＮ2ガスの急激な供
給によるスパイク状の高速流の発生を防止することがで
きると共に、パーティクルの舞い上がりによるウエハＷ
への付着を防止することができる。また、その後、所定
目標値｛例えば乾燥ガスの流速が低下し始める臨界値
（Ｐ2，Ｔ2）｝まで例えば二次曲線的にＰＩＤ制御する
ことにより、処理室３５内が減圧雰囲気であるがために
乾燥ガスが急激に供給されるのを抑制してウエハＷの振
動によるダメージを抑制することができる（図１２参
照）。また、乾燥ガスの流速が低下し始め臨界値に達し
た後、例えば直線近似するように制御することにより、
乾燥ガスの供給を早めて乾燥の促進を図ることができ
る。
【００５１】また、処理室３５内が大気圧に達した状態
において、ダイヤフラム弁５０の開度速度を緩やかに制
御することにより、大気圧雰囲気下における大流量のＮ
2ガスの供給の際に生じるスパイク状の高速流の発生を
防止することができると共に、パーティクルの舞い上が
りによるウエハＷへの付着を防止することができる。
において、ダイヤフラム弁５０の開度速度を緩やかに制
御することにより、大気圧雰囲気下における大流量のＮ
2ガスの供給の際に生じるスパイク状の高速流の発生を
防止することができると共に、パーティクルの舞い上が
りによるウエハＷへの付着を防止することができる。
【００５２】上記のようにして減圧雰囲気下の処理室３
５を目標圧例えば大気圧まで制御することができる。し
かし、装置の立ち上げ時やマイクロバルブ５３の交換時
においては、ダイヤフラム弁５０のオフバランス（弁の
開き始めの操作空気圧）が変わってしまうので、ダイヤ
フラム弁５０が開くまでの時間｛起動時間：図１０
（ａ）のＴ1までの経過時間｝が変化してしまい、これ
によって、二次曲線近似の特性が変化してしまうことが
ある。
５を目標圧例えば大気圧まで制御することができる。し
かし、装置の立ち上げ時やマイクロバルブ５３の交換時
においては、ダイヤフラム弁５０のオフバランス（弁の
開き始めの操作空気圧）が変わってしまうので、ダイヤ
フラム弁５０が開くまでの時間｛起動時間：図１０
（ａ）のＴ1までの経過時間｝が変化してしまい、これ
によって、二次曲線近似の特性が変化してしまうことが
ある。
【００５３】これを防ぐために、この発明においては以
下に示すようなオート・リセットモードが設けられてい
る。このオート・リセットモードは、開度調整手段であ
るダイヤフラム弁５０の操作空気圧力を徐々に変化さ
せ、ダイヤフラム弁５０の開きはじめの操作空気圧力
（オートバランス）を検知し、ＣＰＵ５２内の値を書き
換える動作を行うものである。すなわち、図１６に示す
ように、ダイヤフラム弁５０の操作空気圧力の時間軸で
の変化は２つの直線を組み合わせた形態でＣＰＵ５２に
制御され、その交点Ｐ1はモード開始より約１０秒の時
間をもってダイヤフラム弁５０のオフバランスの９０％
となるように設定される。更に、交点Ｐ1通過後におい
て、５秒の繰り返し時間もってダイヤフラム弁５０の操
作空気圧力が０．０３Kｇｆ／ｃｍ2ずつ増加していくよ
うに設定される。このオート・リセットモードにおける
ダイヤフラム弁５０の実際のオフバランス値の判断は、
圧力センサ５１の変化をＣＰＵ５２がモード中常時監視
し、その変化が規定量を超えたとき（例えば圧力センサ
５１の出力値の変化量が１０ｍＶを超えたとき）にダイ
ヤフラム弁５０の開き始めと判断することによって行
い、このときのダイヤフラム弁５０の操作空気圧力を、
ダイヤフラム弁５０の実際のオフバランス値とする。そ
して、ここで求められたダイヤフラム弁５０の実際のオ
フバランス値を、既に設定されているオフバランス値に
対してＣＰＵ５２内で上書き保存することにより、次回
より理想的（最適）な処理室３５内の圧力の変化特性が
得られる。
下に示すようなオート・リセットモードが設けられてい
る。このオート・リセットモードは、開度調整手段であ
るダイヤフラム弁５０の操作空気圧力を徐々に変化さ
せ、ダイヤフラム弁５０の開きはじめの操作空気圧力
（オートバランス）を検知し、ＣＰＵ５２内の値を書き
換える動作を行うものである。すなわち、図１６に示す
ように、ダイヤフラム弁５０の操作空気圧力の時間軸で
の変化は２つの直線を組み合わせた形態でＣＰＵ５２に
制御され、その交点Ｐ1はモード開始より約１０秒の時
間をもってダイヤフラム弁５０のオフバランスの９０％
となるように設定される。更に、交点Ｐ1通過後におい
て、５秒の繰り返し時間もってダイヤフラム弁５０の操
作空気圧力が０．０３Kｇｆ／ｃｍ2ずつ増加していくよ
うに設定される。このオート・リセットモードにおける
ダイヤフラム弁５０の実際のオフバランス値の判断は、
圧力センサ５１の変化をＣＰＵ５２がモード中常時監視
し、その変化が規定量を超えたとき（例えば圧力センサ
５１の出力値の変化量が１０ｍＶを超えたとき）にダイ
ヤフラム弁５０の開き始めと判断することによって行
い、このときのダイヤフラム弁５０の操作空気圧力を、
ダイヤフラム弁５０の実際のオフバランス値とする。そ
して、ここで求められたダイヤフラム弁５０の実際のオ
フバランス値を、既に設定されているオフバランス値に
対してＣＰＵ５２内で上書き保存することにより、次回
より理想的（最適）な処理室３５内の圧力の変化特性が
得られる。
【００５４】また、ダイヤフラム弁５０は、長期間の繰
り返し動作によって徐々にオフバランスが変化していく
ことがあり得る。このオフバランス変化もまた上記と同
様に二次曲線近似の特性変化の原因となる。これを防ぐ
ために、この発明においては、ダイヤフラム弁５０の動
作毎に、そのオフバランスを検知し、ある定められた範
囲を逸脱したとき、ＣＰＵ５２内の制御定数を変化さ
せ、オフバランス変化に追従しながら理想的（最適）な
処理室３５内の圧力変化特性を維持する制御機能（学習
機能）を具備している。
り返し動作によって徐々にオフバランスが変化していく
ことがあり得る。このオフバランス変化もまた上記と同
様に二次曲線近似の特性変化の原因となる。これを防ぐ
ために、この発明においては、ダイヤフラム弁５０の動
作毎に、そのオフバランスを検知し、ある定められた範
囲を逸脱したとき、ＣＰＵ５２内の制御定数を変化さ
せ、オフバランス変化に追従しながら理想的（最適）な
処理室３５内の圧力変化特性を維持する制御機能（学習
機能）を具備している。
【００５５】この学習機能は、図１７に示すように、判
断基準点を（ｔ0，Ｐ0）におき、圧力Ｐ0到達時間が、
ｔ1−ｔ0＜ｔ2又はｔ1−ｔ0＞ｔ2となった時、設定オフ
バランス値を増減させて、ダイヤフラム弁５０のオフバ
ランスの時間的変化に追従することにより、ダイヤフラ
ム弁５０の起動時間を修正制御する機能である。具体的
に説明すると、この学習機能は、圧力変化曲線のスター
ト基準（図１７中のｔ0，Ｐ0の点）例えば動作開始２０
秒後に圧力センサ５１の出力変化量が１０ｍＶとする基
準に対し、実際のスタートがその許容変化量±３秒（図
１７中の２×ｔ2の幅）を超える（図１７中のｔ1，Ｐ0
の点）状況となった場合に、設定オフバランス値を増減
（例えば、既に設定されているオフバランス値に対して
０．０３Kｇｆ／ｃｍ2 を増減）させて、この増減した
オフバランス値にてＣＰＵ５２内で上書き保存すること
により、次回より理想的（最適）な処理室３５内の圧力
変化特性を得ることができる。
断基準点を（ｔ0，Ｐ0）におき、圧力Ｐ0到達時間が、
ｔ1−ｔ0＜ｔ2又はｔ1−ｔ0＞ｔ2となった時、設定オフ
バランス値を増減させて、ダイヤフラム弁５０のオフバ
ランスの時間的変化に追従することにより、ダイヤフラ
ム弁５０の起動時間を修正制御する機能である。具体的
に説明すると、この学習機能は、圧力変化曲線のスター
ト基準（図１７中のｔ0，Ｐ0の点）例えば動作開始２０
秒後に圧力センサ５１の出力変化量が１０ｍＶとする基
準に対し、実際のスタートがその許容変化量±３秒（図
１７中の２×ｔ2の幅）を超える（図１７中のｔ1，Ｐ0
の点）状況となった場合に、設定オフバランス値を増減
（例えば、既に設定されているオフバランス値に対して
０．０３Kｇｆ／ｃｍ2 を増減）させて、この増減した
オフバランス値にてＣＰＵ５２内で上書き保存すること
により、次回より理想的（最適）な処理室３５内の圧力
変化特性を得ることができる。
【００５６】なお、上記実施形態では、操作手段が電気
信号を操作流体例えば空気の流量に変換するマイクロバ
ルブの場合について説明したが、操作手段は必しもマイ
クロバルブである必要はなく、電気信号を操作流体例え
ば空気の流量に変換する弁であれば例えば図１８に示す
ような比例電磁弁を用いてもよい。
信号を操作流体例えば空気の流量に変換するマイクロバ
ルブの場合について説明したが、操作手段は必しもマイ
クロバルブである必要はなく、電気信号を操作流体例え
ば空気の流量に変換する弁であれば例えば図１８に示す
ような比例電磁弁を用いてもよい。
【００５７】上記比例電磁弁８０は、図８に示すよう
に、乾燥ガス供給管路３１ｄに接続する一次側ポート８
１ａと二次側ポート８１ｂとを連通する通路８１ｃ中に
弁座８１ｄを具備するバルブ本体８１と、弁座８１ｄに
就座するバルブシート８２を有すると共に、スプリング
８３の弾発力によって常時弁座８１ｄに就座する方向す
なわち弁閉側に押圧されるバルブステム８４と、このバ
ルブステム８４に一体に装着されるソレノイド８５と、
ソレノイド８５を囲繞するようにバルブ本体８１上に装
着されるコイル８６とで主に構成されている。なお、バ
ルブステム８４とバルブ本体８１との間には、Ｏリング
８７が介在されて、通路８１ｃ側とコイル８６とが気水
密に遮断されている。
に、乾燥ガス供給管路３１ｄに接続する一次側ポート８
１ａと二次側ポート８１ｂとを連通する通路８１ｃ中に
弁座８１ｄを具備するバルブ本体８１と、弁座８１ｄに
就座するバルブシート８２を有すると共に、スプリング
８３の弾発力によって常時弁座８１ｄに就座する方向す
なわち弁閉側に押圧されるバルブステム８４と、このバ
ルブステム８４に一体に装着されるソレノイド８５と、
ソレノイド８５を囲繞するようにバルブ本体８１上に装
着されるコイル８６とで主に構成されている。なお、バ
ルブステム８４とバルブ本体８１との間には、Ｏリング
８７が介在されて、通路８１ｃ側とコイル８６とが気水
密に遮断されている。
【００５８】このように構成される比例電磁弁８０にお
いて、コイル８６が通電されると、ソレノイド８５が励
磁されて、バルブステム８４をスプリング８３の弾発力
に抗して図において上昇させ、これに伴なってバルブシ
ート８２が弁座８１ｄから離隔する。これにより、一次
側ポート８１ａと二次側ポート８１ｂが連通し、一次側
ポート８１ａから乾燥ガスが二次側ポート８１ｂに流
れ、処理室３５に供給される。
いて、コイル８６が通電されると、ソレノイド８５が励
磁されて、バルブステム８４をスプリング８３の弾発力
に抗して図において上昇させ、これに伴なってバルブシ
ート８２が弁座８１ｄから離隔する。これにより、一次
側ポート８１ａと二次側ポート８１ｂが連通し、一次側
ポート８１ａから乾燥ガスが二次側ポート８１ｂに流
れ、処理室３５に供給される。
【００５９】また、上記実施形態では、圧力センサ５１
を処理室３５側に配設して、処理室３５内の圧力を検出
し、その検出信号に基づいてマイクロバルブ５３及びダ
イヤフラム弁５０を制御する場合について説明したが、
図３に二点鎖線で示すように、ダイヤフラム弁５０と処
理室３５の間の乾燥ガス供給管路３１ｄの途中に圧力セ
ンサ５１Ａを介設して、ダイヤフラム弁５０の二次側の
圧力を検出し、その検出信号に基づいてマイクロバルブ
５３及びダイヤフラム弁５０を制御するようにしてもよ
い。この場合、圧力センサ５１と５１Ａを併設してもよ
く、あるいは、いずれか一方を配設したものであっても
よい。
を処理室３５側に配設して、処理室３５内の圧力を検出
し、その検出信号に基づいてマイクロバルブ５３及びダ
イヤフラム弁５０を制御する場合について説明したが、
図３に二点鎖線で示すように、ダイヤフラム弁５０と処
理室３５の間の乾燥ガス供給管路３１ｄの途中に圧力セ
ンサ５１Ａを介設して、ダイヤフラム弁５０の二次側の
圧力を検出し、その検出信号に基づいてマイクロバルブ
５３及びダイヤフラム弁５０を制御するようにしてもよ
い。この場合、圧力センサ５１と５１Ａを併設してもよ
く、あるいは、いずれか一方を配設したものであっても
よい。
【００６０】また、上記実施形態では、目標圧以下の雰
囲気例えば減圧雰囲気下の処理室３５を目標圧例えば大
気圧に復帰させる場合について説明したが、必ずしもこ
のような場合に限定されるものではなく、目標圧以上の
雰囲気例えば大気圧雰囲気下の処理室３５内を目標圧例
えば真空等の減圧雰囲気に復帰させる場合にも適用でき
る。
囲気例えば減圧雰囲気下の処理室３５を目標圧例えば大
気圧に復帰させる場合について説明したが、必ずしもこ
のような場合に限定されるものではなく、目標圧以上の
雰囲気例えば大気圧雰囲気下の処理室３５内を目標圧例
えば真空等の減圧雰囲気に復帰させる場合にも適用でき
る。
【００６１】すなわち、図１９に示すように、処理室３
５の底部に接続する流体排出管路７０に開度調整手段で
あるダイヤフラム式の真空排気弁５０Ａを介設して真空
排気手段例えば真空ポンプ７１に接続して、真空排気弁
５０Ａの開閉動作に基づいて処理室３５内を目標圧例え
ば大気圧雰囲気から目標圧以下の所定の圧力例えば減圧
雰囲気に復帰させる減圧システムにも適用できる。この
場合、上記真空排気弁５０Ａは上記ダイヤフラム弁５０
と同様に構成されており、上記実施形態と同様に、圧力
センサ５１からの検出信号及び操作手段例えばマイクロ
バルブ５３の圧力変換器（図示せず）からフィードバッ
クされた制御信号に基づいて真空排気弁５０Ａが制御さ
れるように構成されている。
５の底部に接続する流体排出管路７０に開度調整手段で
あるダイヤフラム式の真空排気弁５０Ａを介設して真空
排気手段例えば真空ポンプ７１に接続して、真空排気弁
５０Ａの開閉動作に基づいて処理室３５内を目標圧例え
ば大気圧雰囲気から目標圧以下の所定の圧力例えば減圧
雰囲気に復帰させる減圧システムにも適用できる。この
場合、上記真空排気弁５０Ａは上記ダイヤフラム弁５０
と同様に構成されており、上記実施形態と同様に、圧力
センサ５１からの検出信号及び操作手段例えばマイクロ
バルブ５３の圧力変換器（図示せず）からフィードバッ
クされた制御信号に基づいて真空排気弁５０Ａが制御さ
れるように構成されている。
【００６２】上記のように構成することにより、予め複
数の目標値（処理室圧力、真空排気時間）を設定し、真
空排気弁５０Ａを制御することができる。すなわち、マ
イクロバルブ５３の起動時（立ち上がり時）にマイクロ
バルブ５３の二次側圧力を圧力変換器（図示せず）にて
検出すると共に、その検出信号をマイクロバルブ５３に
フィードバックして真空排気弁５０Ａの開度速度を制御
（第１の制御）することにより、真空排気弁５０Ａのオ
フバランスの固有のばらつきの範囲内で真空排気弁５０
Ａを緩やかに開状態にすることができる（図２１の参
照）。次いで、二次曲線を理想値としてこれに対して所
定目標値｛例えば、嵌挿ガスの流速が上昇し始める臨界
値（Ｐ2a，Ｔ2a）｝までＰＩＤ制御（第２の制御）した
後｛第１の期間；（図２１の参照）｝、所定目標値
（Ｐ2a，Ｔ2a）から処理室３５内が減圧雰囲気（Ｐ0，
Ｔ3a）に達するまで適宜関数近似例えば直線近似するよ
うに制御（第３の制御）することができる｛第２の期
間；（図２１の参照）｝。
数の目標値（処理室圧力、真空排気時間）を設定し、真
空排気弁５０Ａを制御することができる。すなわち、マ
イクロバルブ５３の起動時（立ち上がり時）にマイクロ
バルブ５３の二次側圧力を圧力変換器（図示せず）にて
検出すると共に、その検出信号をマイクロバルブ５３に
フィードバックして真空排気弁５０Ａの開度速度を制御
（第１の制御）することにより、真空排気弁５０Ａのオ
フバランスの固有のばらつきの範囲内で真空排気弁５０
Ａを緩やかに開状態にすることができる（図２１の参
照）。次いで、二次曲線を理想値としてこれに対して所
定目標値｛例えば、嵌挿ガスの流速が上昇し始める臨界
値（Ｐ2a，Ｔ2a）｝までＰＩＤ制御（第２の制御）した
後｛第１の期間；（図２１の参照）｝、所定目標値
（Ｐ2a，Ｔ2a）から処理室３５内が減圧雰囲気（Ｐ0，
Ｔ3a）に達するまで適宜関数近似例えば直線近似するよ
うに制御（第３の制御）することができる｛第２の期
間；（図２１の参照）｝。
【００６３】したがって、処理室３５内が大気圧下の状
態から真空排気弁５０Ａを開き急速に真空排気すること
により、処理室３５内のガスが瞬間的に高速流動状態に
なるのを抑制することができ、パーティクルの発生とウ
エハＷの振動を防止することができる。
態から真空排気弁５０Ａを開き急速に真空排気すること
により、処理室３５内のガスが瞬間的に高速流動状態に
なるのを抑制することができ、パーティクルの発生とウ
エハＷの振動を防止することができる。
【００６４】なお、図１９において、その他の部分は図
３に示す第一実施形態と同じであるので、同一部分に
は、同一符号を付して、その説明は省略する。
３に示す第一実施形態と同じであるので、同一部分に
は、同一符号を付して、その説明は省略する。
【００６５】また、上記実施形態では、目標圧以下例え
ば減圧雰囲気下の処理室３５を目標圧例えば大気圧に復
帰させる場合（図３，図４参照）と、目標圧以上例えば
大気圧雰囲気の処理室３５内を目標圧例えば真空等の減
圧雰囲気に復帰させる場合（図１９参照）の単独の装置
について説明したが、これら両方を１つの装置に組み込
むことも可能である。
ば減圧雰囲気下の処理室３５を目標圧例えば大気圧に復
帰させる場合（図３，図４参照）と、目標圧以上例えば
大気圧雰囲気の処理室３５内を目標圧例えば真空等の減
圧雰囲気に復帰させる場合（図１９参照）の単独の装置
について説明したが、これら両方を１つの装置に組み込
むことも可能である。
【００６６】すなわち、図２０に示すように、処理室３
５の頂部に接続する流体供給管路３１ｄに介設される開
度調整手段であるダイヤフラム弁５０と、処理室３５の
底部に接続する流体排出管路７０に介設される別の開度
調整手段であるダイヤフラム式の真空排気弁５０Ａを、
上記実施形態と同様に、圧力センサ５１からの検出信号
と、圧力センサ５１からの検出信号と予め記憶された情
報とを比較演算する制御手段であるＣＰＵ５２及び操作
手段例えばマイクロバルブ５３の圧力変換器５４からフ
ィードバックされた制御信号に基づいて制御すると共
に、ダイヤフラム弁５０と真空排気弁５０Ａを切換手段
例えば電磁切換弁９０によって選択的に制御させるよう
にしてもよい。
５の頂部に接続する流体供給管路３１ｄに介設される開
度調整手段であるダイヤフラム弁５０と、処理室３５の
底部に接続する流体排出管路７０に介設される別の開度
調整手段であるダイヤフラム式の真空排気弁５０Ａを、
上記実施形態と同様に、圧力センサ５１からの検出信号
と、圧力センサ５１からの検出信号と予め記憶された情
報とを比較演算する制御手段であるＣＰＵ５２及び操作
手段例えばマイクロバルブ５３の圧力変換器５４からフ
ィードバックされた制御信号に基づいて制御すると共
に、ダイヤフラム弁５０と真空排気弁５０Ａを切換手段
例えば電磁切換弁９０によって選択的に制御させるよう
にしてもよい。
【００６７】この場合、ダイヤフラム弁５０と真空排気
弁５０Ａは、それぞれ第１又は第２の操作信号伝達路９
１，９２を介してマイクロバルブ５３の操作信号側に、
接続されると共に、操作信号伝達路９１，９２に介設さ
れる電磁切換弁９０の切換操作によって、操作信号であ
る操作流体例えば空気がダイヤフラム弁５０又は真空排
気弁５０Ａに付与されてダイヤフラム弁５０又は真空排
気弁５０Ａが制御されるように構成されている。
弁５０Ａは、それぞれ第１又は第２の操作信号伝達路９
１，９２を介してマイクロバルブ５３の操作信号側に、
接続されると共に、操作信号伝達路９１，９２に介設さ
れる電磁切換弁９０の切換操作によって、操作信号であ
る操作流体例えば空気がダイヤフラム弁５０又は真空排
気弁５０Ａに付与されてダイヤフラム弁５０又は真空排
気弁５０Ａが制御されるように構成されている。
【００６８】上記のように構成することにより、電磁切
換弁９０の切換操作によって、目標圧以下の雰囲気例え
ば減圧雰囲気下の処理室３５を目標圧の雰囲気例えば大
気圧雰囲気に復帰させることと、目標圧以上の雰囲気例
えば大気圧雰囲気下の処理室３５を目標圧例えば真空等
の減圧雰囲気に復帰させることを選択的に行うことがで
きる。したがって、この発明に係る圧力制御装置を広範
囲に使用することができると共に、装置の小型化を図る
ことができる。
換弁９０の切換操作によって、目標圧以下の雰囲気例え
ば減圧雰囲気下の処理室３５を目標圧の雰囲気例えば大
気圧雰囲気に復帰させることと、目標圧以上の雰囲気例
えば大気圧雰囲気下の処理室３５を目標圧例えば真空等
の減圧雰囲気に復帰させることを選択的に行うことがで
きる。したがって、この発明に係る圧力制御装置を広範
囲に使用することができると共に、装置の小型化を図る
ことができる。
【００６９】なお、図２０において、その他の部分は、
図３，図４及び図１９に示す実施形態と同じであるの
で、同一部分には同一符号を付して、説明は省略する。
図３，図４及び図１９に示す実施形態と同じであるの
で、同一部分には同一符号を付して、説明は省略する。
【００７０】また、上記実施形態では、この発明に係る
圧力制御方法及び圧力制御装置を半導体ウエハの洗浄・
乾燥処理システムに適用した場合について説明したが、
洗浄・乾燥処理の他に、例えば真空雰囲気下で成膜処理
を施す成膜装置等真空を用いた処理室内に流体を供給す
る処理システムについても同様に適用できることは勿論
である。
圧力制御方法及び圧力制御装置を半導体ウエハの洗浄・
乾燥処理システムに適用した場合について説明したが、
洗浄・乾燥処理の他に、例えば真空雰囲気下で成膜処理
を施す成膜装置等真空を用いた処理室内に流体を供給す
る処理システムについても同様に適用できることは勿論
である。
【００７１】なお、図１９を参照して目標圧例えば大気
圧雰囲気から目標圧以下の所定の圧力例えば減圧雰囲気
に復帰させる減圧システムについて説明したが、大気圧
雰囲気から急速に真空排気すると、処理室３５内のガス
が断熱膨張する。このとき、ガス温度が急速に低下し、
内部に存在する水分は結露する。水分以外の液体でも凝
固点が低下したガス温度の範囲に有れば結露する。これ
によって処理室３５内の不純物を濃縮付着させることに
なり、例えば半導体ウエハを洗浄乾燥等の処理をした場
合、半導体デバイスの歩留まりの低下につながる。
圧雰囲気から目標圧以下の所定の圧力例えば減圧雰囲気
に復帰させる減圧システムについて説明したが、大気圧
雰囲気から急速に真空排気すると、処理室３５内のガス
が断熱膨張する。このとき、ガス温度が急速に低下し、
内部に存在する水分は結露する。水分以外の液体でも凝
固点が低下したガス温度の範囲に有れば結露する。これ
によって処理室３５内の不純物を濃縮付着させることに
なり、例えば半導体ウエハを洗浄乾燥等の処理をした場
合、半導体デバイスの歩留まりの低下につながる。
【００７２】この発明では、図１９に示すように常温窒
素ガス、アルゴンガス等の熱エネルギー補給用ガスをガ
ス供給源９５から、絞り弁９６、ダイアフラム弁９７を
介しガス供給管路９８を経由してフィルタ６１と温度セ
ンサ６３間の乾燥ガス供給管路３１dに供給することに
より上記問題を解決するようにしている。
素ガス、アルゴンガス等の熱エネルギー補給用ガスをガ
ス供給源９５から、絞り弁９６、ダイアフラム弁９７を
介しガス供給管路９８を経由してフィルタ６１と温度セ
ンサ６３間の乾燥ガス供給管路３１dに供給することに
より上記問題を解決するようにしている。
【００７３】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、以下のような優れた効果が得られる。
ば、以下のような優れた効果が得られる。
【００７４】１）請求項１又は１４記載の発明によれ
ば、処理室内に連通する流体管路に介設される開度調整
手段の開度速度を、第１の期間では予め定められた第１
の関数近似線を理想値としてこれに対して第１の目標値
まで制御し、その他の期間では予め設定された複数の目
標値に段階的に制御して、処理室内が目標圧に達するよ
う流体管路を流れる流体の圧力及び流量を制御すること
により、開度調整手段の起動時における圧力の急激な上
昇を抑制することができると共に、減圧雰囲気下又は大
気圧雰囲気下において、大流量の流体の供給又は大流量
の流体の排出の際に生じるスパイク状の高速流を抑制す
ることができる。したがって、パーティクルが例えば半
導体ウエハに付着するという問題を解決することができ
る。
ば、処理室内に連通する流体管路に介設される開度調整
手段の開度速度を、第１の期間では予め定められた第１
の関数近似線を理想値としてこれに対して第１の目標値
まで制御し、その他の期間では予め設定された複数の目
標値に段階的に制御して、処理室内が目標圧に達するよ
う流体管路を流れる流体の圧力及び流量を制御すること
により、開度調整手段の起動時における圧力の急激な上
昇を抑制することができると共に、減圧雰囲気下又は大
気圧雰囲気下において、大流量の流体の供給又は大流量
の流体の排出の際に生じるスパイク状の高速流を抑制す
ることができる。したがって、パーティクルが例えば半
導体ウエハに付着するという問題を解決することができ
る。
【００７５】２）請求項８又は１８記載の発明によれ
ば、処理室が目標圧以下の雰囲気下に有る場合は、処理
室内に連通する流体供給管路に介設される第１の開度調
整手段の開度速度を、第１の期間では予め定められた第
１の関数近似線を理想値としてこれに対して第１の目標
値まで制御し、第１の期間に対するその他の期間では予
め設定された複数の目標値に段階的に制御して、処理室
内が目標圧に達するよう流体供給管路を流れる流体の圧
力及び流量を制御し、処理室が目標圧以上の雰囲気下に
有る場合は、処理室内に連通する流体排出管路に介設さ
れる第２の開度調整手段の開度速度を、第２の期間では
予め定められた第２の関数近似線を理想値としてこれに
対して第２の目標値まで制御し、第２の期間に対するそ
の他の期間では予め設定された複数の目標値に段階的に
制御して、処理室内が目標圧に達するよう流体排出管路
を流れる流体の圧力及び流量を制御することにより、上
記１）に加えて例えば減圧雰囲気下と大気雰囲気下の双
方の圧力及び流量制御を行うことができると共に、装置
の小型化を図ることができる。
ば、処理室が目標圧以下の雰囲気下に有る場合は、処理
室内に連通する流体供給管路に介設される第１の開度調
整手段の開度速度を、第１の期間では予め定められた第
１の関数近似線を理想値としてこれに対して第１の目標
値まで制御し、第１の期間に対するその他の期間では予
め設定された複数の目標値に段階的に制御して、処理室
内が目標圧に達するよう流体供給管路を流れる流体の圧
力及び流量を制御し、処理室が目標圧以上の雰囲気下に
有る場合は、処理室内に連通する流体排出管路に介設さ
れる第２の開度調整手段の開度速度を、第２の期間では
予め定められた第２の関数近似線を理想値としてこれに
対して第２の目標値まで制御し、第２の期間に対するそ
の他の期間では予め設定された複数の目標値に段階的に
制御して、処理室内が目標圧に達するよう流体排出管路
を流れる流体の圧力及び流量を制御することにより、上
記１）に加えて例えば減圧雰囲気下と大気雰囲気下の双
方の圧力及び流量制御を行うことができると共に、装置
の小型化を図ることができる。
【図１】この発明に係る圧力制御装置を乾燥処理部に適
用した洗浄・乾燥処理システムの概略平面図である。
用した洗浄・乾燥処理システムの概略平面図である。
【図２】上記洗浄・乾燥処理システムの概略側面図であ
る。
る。
【図３】この発明に係る圧力及び流量の制御装置を有す
る洗浄・乾燥処理ユニットの概略構成図である。
る洗浄・乾燥処理ユニットの概略構成図である。
【図４】この発明に係る圧力制御装置の要部の構成図で
ある。
ある。
【図５】この発明に係る圧力制御装置の制御系を示す概
略構成図である。
略構成図である。
【図６】この発明におけるダイヤフラム弁の閉塞状態の
断面図（ａ）及びその要部拡大断面図（ｂ）である。
断面図（ａ）及びその要部拡大断面図（ｂ）である。
【図７】この発明におけるダイヤフラム弁の開放状態の
断面図（ａ）及びその要部拡大断面図（ｂ）である。
断面図（ａ）及びその要部拡大断面図（ｂ）である。
【図８】この発明における操作手段の一例であるマイク
ロバルブの概略断面図である。
ロバルブの概略断面図である。
【図９】上記マイクロバルブの時間と電圧との関係を示
すグラフである。
すグラフである。
【図１０】上記マイクロバルブの時間と圧力との関係を
示すグラフ（ａ）及び（ａ）のを拡大して示すグラフ
（ｂ）である。
示すグラフ（ａ）及び（ａ）のを拡大して示すグラフ
（ｂ）である。
【図１１】この発明におけるオープンモードにおける圧
力と時間との関係を示すグラフである。
力と時間との関係を示すグラフである。
【図１２】この発明の圧力制御方法による時間、圧力及
び流量の関係を示すグラフである。
び流量の関係を示すグラフである。
【図１３】この発明におけるオープン／クローズモード
の制御入出力信号のタイムチャートである。
の制御入出力信号のタイムチャートである。
【図１４】この発明におけるスローパージモードの制御
入出力信号のタイムチャートである。
入出力信号のタイムチャートである。
【図１５】この発明におけるスローオープンモードの制
御入出力信号のタイムチャートである。
御入出力信号のタイムチャートである。
【図１６】この発明におけるオート・リセットモードに
おける圧力と時間の関係を示すグラフである。
おける圧力と時間の関係を示すグラフである。
【図１７】この発明における理想的な処理室の圧力変化
特性を維持する制御機能を示す圧力と時間の関係のグラ
フである。
特性を維持する制御機能を示す圧力と時間の関係のグラ
フである。
【図１８】この発明における操作手段の別の例である比
例電磁弁の概略断面図である。
例電磁弁の概略断面図である。
【図１９】この発明に係る圧力及び流量制御装置の別の
実施形態を示す概略構成図である。
実施形態を示す概略構成図である。
【図２０】この発明に係る圧力及び流量制御装置の更に
別の実施形態を示す概略構成図である。
別の実施形態を示す概略構成図である。
【図２１】この発明におけるマイクロバルブの別の時間
と圧力の関係を示すグラフである。
と圧力の関係を示すグラフである。
【図２２】従来の圧力制御装置の概略構成図である。
【図２３】従来の圧力制御装置の制御方法による時間、
圧力及び流量の関係を示すグラフである。
圧力及び流量の関係を示すグラフである。
Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） ３１ｄ 乾燥ガス供給管路（流体供給管路，流体管路） ３５ 処理室 ５０ ダイヤフラム弁（開度調整手段） ５０Ａ 真空排気弁（開度調整手段） ５１ 圧力センサ（圧力検出手段） ５２ ＣＰＵ（制御手段） ５３ マイクロバルブ（操作手段） ５４ 圧力変換器（圧力検出手段） ５４Ａ 制御ボード ７０ 流体排出管路（流体管路） ７１ 真空ポンプ（真空排気手段） ８０ 比例電磁弁（操作手段） ９０ 電磁切換弁（切換手段） ９１ 第１の操作信号伝達路 ９２ 第２の操作信号伝達路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｇ０５Ｄ 16/20 Ｇ０５Ｄ 16/20 Ａ Ｈ０１Ｌ 21/304 ３６１ Ｈ０１Ｌ 21/304 ３６１Ｖ (72)発明者 内澤 修 宮城県仙台市青葉区堤町一丁目12番１号 株式会社本山製作所内 (72)発明者 千葉 康広 宮城県仙台市青葉区堤町一丁目12番１号 株式会社本山製作所内
Claims (18)
- 【請求項１】 目標圧以上又は以下の雰囲気下の処理室
内を上記目標圧雰囲気にする圧力及び流量の制御方法で
あって、 上記処理室内に連通する流体管路に介設される開度調整
手段の開度速度を、第１の期間では予め定められた第１
の関数近似線を理想値としてこれに対して第１の目標値
まで制御し、 その他の期間では予め設定された複数の目標値に段階的
に制御して、上記処理室内が上記目標圧に達するよう上
記流体管路を流れる流体の圧力及び流量を制御すること
を特徴とする圧力及び流量の制御方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の圧力及び流量の制御方法
において、 上記その他の期間のうちの第１の期間の前の期間では、
複数の目標値のうちの第２の目標値まで開度調整手段の
操作量に基づいて開度速度を制御することを特徴とする
圧力及び流量の制御方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の圧力及び流量の制御方法
において、 上記その他の期間のうちの第１の期間の後の期間では、
複数の目標値のうちの第２の目標値から上記目標圧に達
するまで、第１の関数近似線より変化が大きい予め定め
られた第２の関数近似線を理想値としてこれに対して開
度速度を制御することを特徴とする圧力及び流量の制御
方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の圧力及び流量の制御方法
において、 上記第１の関数近似線は二次関数であることを特徴とす
る圧力及び流量の制御方法。 - 【請求項５】 請求項３記載の圧力及び流量の制御方法
において、 上記第２の関数近似線は直線であることを特徴とする圧
力及び流量の制御方法。 - 【請求項６】 請求項２記載の圧力及び流量の制御方法
において、 上記開度調整手段の起動時点の操作量を検知し、その検
知された操作量に基づいて上記開度調整手段の起動時間
を設定することを特徴とする圧力及び流量の制御方法。 - 【請求項７】 請求項１記載の圧力及び流量の制御方法
において、 上記開度調整手段の動作毎に、上記開度調整手段の起動
時間を検知し、その検知の値が所定値に達したとき、上
記開度調整手段の起動時間を修正制御することを特徴と
する圧力及び流量の制御方法。 - 【請求項８】 目標圧以下又は以上の雰囲気下の処理室
内を上記目標圧雰囲気にする圧力及び流量の制御方法で
あって、 上記処理室が上記目標圧以下の雰囲気下に有る場合は、
上記処理室内に連通する流体供給管路に介設される第１
の開度調整手段の開度速度を、第１の期間では予め定め
られた第１の関数近似線を理想値としてこれに対して第
１の目標値まで制御し、 上記第１の期間に対するその他の期間では予め設定され
た複数の目標値に段階的に制御して、上記処理室内が上
記目標圧に達するよう上記流体供給管路を流れる流体の
圧力及び流量を制御し、 上記処理室が上記目標圧以上の雰囲気下に有る場合は、
上記処理室内に連通する流体排出管路に介設される第２
の開度調整手段の開度速度を、第２の期間では予め定め
られた第２の関数近似線を理想値としてこれに対して第
２の目標値まで制御し、 上記第２の期間に対するその他の期間では予め設定され
た複数の目標値に段階的に制御して、上記処理室内が上
記目標圧に達するよう上記流体排出管路を流れる流体の
圧力及び流量を制御することを特徴とする圧力及び流量
の制御方法。 - 【請求項９】 請求項８記載の圧力及び流量の制御方法
において、 少なくとも上記第１及び第２の開度調整手段のいずれか
一方の動作毎に、上記いずれか一方の開度調整手段の起
動時間を検知し、その検知の値が所定値に達したとき、
上記いずれか一方の開度調整手段の起動時間を修正制御
することを特徴とする圧力及び流量の制御方法。 - 【請求項１０】 請求項１記載の圧力及び流量の制御方
法において、 上記処理室が上記目標圧以上の雰囲気下に有る場合に、
熱エネルギー補給ガスを上記処理室に供給しながら上記
処理室内が上記目標圧に達するよう上記流体管路を流れ
る流体の圧力及び流量を制御することを特徴とする圧力
及び流量の方法。 - 【請求項１１】 請求項８記載の圧力及び流量の制御方
法において、 上記処理室が目標圧以上の雰囲気下に有る場合に、熱エ
ネルギー補給ガスを上記処理室に供給しながら上記処理
室内が上記目標圧に達するよう上記流体排出管路を流れ
る流体の圧力及び流量を制御することを特徴とする圧力
及び流量の方法。 - 【請求項１２】 請求項１０又は１１記載の圧力及び流
量の制御方法において、 上記処理室に熱エネルギー補給ガスを供給しながら上記
処理室を真空排気することを特徴とする圧力及び流量の
制御方法。 - 【請求項１３】 請求項１０ないし１２のいずれかに記
載の圧力及び流量の制御方法において、 上記熱エネルギー補給ガスは窒素ガスであることを特徴
とする圧力及び流量の制御方法。 - 【請求項１４】 目標圧以上又は以下の雰囲気下の処理
室内に連通する流体供給管路に介設される開度調整手段
と、 上記処理室内の圧力を検出し検出信号を出力する検出手
段と、 上記検出信号に応答して、上記開度調整手段の開度速度
を、第１の期間では予め定められた第１の関数近似線を
理想値としてこれに対して第１の目標値まで制御し、そ
の他の期間では予め設定された複数の目標値に段階的に
制御して、上記処理室内が上記目標圧に達するよう上記
流体管路を流れる流体の圧力及び流量を制御する制御手
段とを具備することを特徴とする圧力及び流量の制御装
置。 - 【請求項１５】 請求項１４記載の圧力及び流量の制御
装置において、 上記開度調整手段の開度量を制御する操作手段を更に具
備し、上記制御手段はその他の期間のうちの第１の期間
の前の期間では、複数の目標値のうちの第２の目標値ま
で上記開度量に基づいて、上記操作手段を介して上記開
度速度を制御することを特徴とする圧力及び流量の制御
装置。 - 【請求項１６】 請求項１４記載の圧力及び流量の制御
装置において、 上記制御手段は、その他の期間のうちの第１の期間の後
の期間では、複数の目標値のうちの第２の目標値から目
標圧に達するまで、第１の関数近似線より変化が大きい
予め定められた第２の関数近似線を理想値としてこれに
対して開度速度を制御することを特徴とする圧力及び流
量の制御装置。 - 【請求項１７】 請求項１４記載の圧力及び流量の制御
装置において、 上記制御手段は、開度調整手段の動作毎に、上記開度調
整手段の起動時間を検知し、その検知の値が所定値に達
したとき、上記開度調整手段の起動時間を修正制御する
ことを特徴とする圧力及び流量の制御装置。 - 【請求項１８】 目標圧以下又は以上の雰囲気下の処理
室内に連通する流体供給管路に介設される第１の開度調
整手段と、 上記処理室内に連通する流体排出管路に介設される第２
の開度調整手段と、 上記処理室内の圧力を検出し検出信号を出力する検出手
段と、 上記検出信号に応答して、上記処理室が上記目標圧以下
の雰囲気下に有る場合は、上記第１の開度調整手段の開
度速度を、第１の期間では予め定められた第１の関数近
似線を理想値としてこれに対して第１の目標値まで制御
し、上記第１の期間に対するその他の期間では予め設定
された複数の目標値に段階的に制御して、上記処理室内
が上記目標圧に達するよう上記流体供給管路を流れる流
体の圧力及び流量を制御し、 上記処理室が上記目標圧以上の雰囲気下に有る場合は、
上記第２の開度調整手段の開度速度を、第２の期間では
予め定められた第２の関数近似線を理想値としてこれに
対して第２の目標値まで制御し、上記第２の期間に対す
るその他の期間では予め設定された複数の目標値に段階
的に制御して、上記処理室内が上記目標圧に達するよう
上記流体排出管路を流れる流体の圧力及び流量を制御す
る制御手段とを具備することを特徴とする圧力及び流量
の制御装置。
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