JP3470218B2 - ガス系の制御方法及びその装置 - Google Patents
ガス系の制御方法及びその装置Info
- Publication number
- JP3470218B2 JP3470218B2 JP21366798A JP21366798A JP3470218B2 JP 3470218 B2 JP3470218 B2 JP 3470218B2 JP 21366798 A JP21366798 A JP 21366798A JP 21366798 A JP21366798 A JP 21366798A JP 3470218 B2 JP3470218 B2 JP 3470218B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- control
- flow
- predetermined
- load
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Feedback Control In General (AREA)
- Control Of Non-Electrical Variables (AREA)
- Control Of Fluid Pressure (AREA)
- Control Of Temperature (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば半導体製
造工程に使用されるガス系の制御方法及びその装置に関
するものである。
造工程に使用されるガス系の制御方法及びその装置に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体製造装置の製造工程にお
いては、半導体ウエハやLCD用ガラス等の被処理体
(以下にウエハ等という)を薬液やリンス液(洗浄液)
等の処理液が貯留された処理槽に順次浸漬して洗浄を行
う洗浄処理方法が広く採用されている。また、このよう
な洗浄処理においては、洗浄後のウエハ等の表面に例え
ばIPA(イソプロピルアルコール)等の揮発性を有す
る有機溶剤の蒸気からなる乾燥ガスを接触させ、乾燥ガ
スの蒸気を凝縮あるいは吸着させて、ウエハ等の水分の
除去及び乾燥を行う乾燥処理が施されている。
いては、半導体ウエハやLCD用ガラス等の被処理体
(以下にウエハ等という)を薬液やリンス液(洗浄液)
等の処理液が貯留された処理槽に順次浸漬して洗浄を行
う洗浄処理方法が広く採用されている。また、このよう
な洗浄処理においては、洗浄後のウエハ等の表面に例え
ばIPA(イソプロピルアルコール)等の揮発性を有す
る有機溶剤の蒸気からなる乾燥ガスを接触させ、乾燥ガ
スの蒸気を凝縮あるいは吸着させて、ウエハ等の水分の
除去及び乾燥を行う乾燥処理が施されている。
【0003】従来のこの種の乾燥処理装置は、キャリア
ガス例えば窒素(N2)等の不活性ガスの供給部と、乾
燥ガス例えばIPA(イソプロピルアルコール)を加熱
して蒸気を生成する蒸気発生器と、この蒸気発生器で生
成された蒸気すなわち乾燥ガスを乾燥処理室に供給すべ
く開閉弁を介設する供給管路と、供給管路を加熱するヒ
ータとを具備してなる。したがって、乾燥処理において
は、使用されるN2ガスや乾燥ガス等の温度制御は重要
であるため、従来では、N2ガス供給管路、乾燥ガス供
給管路や蒸気発生器中に配設されるヒータの温度制御を
行なっている。
ガス例えば窒素(N2)等の不活性ガスの供給部と、乾
燥ガス例えばIPA(イソプロピルアルコール)を加熱
して蒸気を生成する蒸気発生器と、この蒸気発生器で生
成された蒸気すなわち乾燥ガスを乾燥処理室に供給すべ
く開閉弁を介設する供給管路と、供給管路を加熱するヒ
ータとを具備してなる。したがって、乾燥処理において
は、使用されるN2ガスや乾燥ガス等の温度制御は重要
であるため、従来では、N2ガス供給管路、乾燥ガス供
給管路や蒸気発生器中に配設されるヒータの温度制御を
行なっている。
【0004】また、半導体製造工程において、ウエハ等
に微細なパターンを形成するためにドライエッチング技
術は必須とされている。このドライエッチングは、真空
中で反応性ガスを用いてプラズマを生成し、そのプラズ
マ中のイオン,中性ラジカル,原子,分子を用いて、ウ
エハ等上の種々の材料をエッチングするものである。そ
のため、エッチング材料により種々のガスが用いられて
いる。
に微細なパターンを形成するためにドライエッチング技
術は必須とされている。このドライエッチングは、真空
中で反応性ガスを用いてプラズマを生成し、そのプラズ
マ中のイオン,中性ラジカル,原子,分子を用いて、ウ
エハ等上の種々の材料をエッチングするものである。そ
のため、エッチング材料により種々のガスが用いられて
いる。
【0005】一般に、この種のエッチング装置は、密閉
の処理室を有する容器にエッチングガス導入部を設ける
と共に、処理室内を所定の減圧雰囲気(真空)にするた
めの真空排気口が形成され、また処理室内に対峙して配
置されるサセプタを兼用する平板電極の一方に高周波電
源を接続し、他方の平板電極を容器にアースしている。
そして、エッチングする材料や使用する反応性ガスの種
類によって処理室内を所定の減圧雰囲気にした状態で、
両電極間に高周波電力によってプラズマ放電を発生さ
せ、この発生したプラズマ中のイオン,電子及び中性の
活性種によってウエハ等のエッチングを行なう。したが
って、エッチング処理においては、処理室内を所定の減
圧雰囲気にするための圧力制御は重要であるため、従来
では、真空排気口に接続する排出管路に圧力調整手段を
配設して処理室内の圧力を制御している。
の処理室を有する容器にエッチングガス導入部を設ける
と共に、処理室内を所定の減圧雰囲気(真空)にするた
めの真空排気口が形成され、また処理室内に対峙して配
置されるサセプタを兼用する平板電極の一方に高周波電
源を接続し、他方の平板電極を容器にアースしている。
そして、エッチングする材料や使用する反応性ガスの種
類によって処理室内を所定の減圧雰囲気にした状態で、
両電極間に高周波電力によってプラズマ放電を発生さ
せ、この発生したプラズマ中のイオン,電子及び中性の
活性種によってウエハ等のエッチングを行なう。したが
って、エッチング処理においては、処理室内を所定の減
圧雰囲気にするための圧力制御は重要であるため、従来
では、真空排気口に接続する排出管路に圧力調整手段を
配設して処理室内の圧力を制御している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の乾燥処理やエッチング処理においては、ガスの
種類やガスの供給状態別に制御定数を変更させて温度制
御や圧力制御を行なうものではなかった。このため、例
えば熱あるいは圧力負荷の厳しい状態の制御定数を使用
して熱あるいは圧力負荷の緩い状態を制御する場合はよ
いが、逆の事態が起きると、途端に制御が破綻をきたす
という問題があった。この場合、負荷の重軽だけならま
だよいが、負荷状態が全く異なる状態間では制御定数の
共通化は基本的にできないという不都合がある。
この種の乾燥処理やエッチング処理においては、ガスの
種類やガスの供給状態別に制御定数を変更させて温度制
御や圧力制御を行なうものではなかった。このため、例
えば熱あるいは圧力負荷の厳しい状態の制御定数を使用
して熱あるいは圧力負荷の緩い状態を制御する場合はよ
いが、逆の事態が起きると、途端に制御が破綻をきたす
という問題があった。この場合、負荷の重軽だけならま
だよいが、負荷状態が全く異なる状態間では制御定数の
共通化は基本的にできないという不都合がある。
【0007】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、使用するガスの流れの有無による負荷に応じた制御
定数を予め記憶して、各状態に応じて制御定数を選択し
て温度又は圧力等を制御するようにしたガス系の制御方
法及びその装置を提供することを目的とするものであ
る。
で、使用するガスの流れの有無による負荷に応じた制御
定数を予め記憶して、各状態に応じて制御定数を選択し
て温度又は圧力等を制御するようにしたガス系の制御方
法及びその装置を提供することを目的とするものであ
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1記載の発明は、複数の制御モードを有する
ガス系の制御方法であって、 上記ガス系に含まれる所
定ガスの流れの有無に応じて、対応する制御モードを上
記複数の制御モードの中から定め、 上記複数の制御モ
ードの各々の制御モード毎に、採用する制御定数を予め
データテーブルに記憶しておき、 上記所定ガスの流量
負荷を検出し、 上記所定ガスの流量負荷の検出結果に
基づき、対応する制御モードを上記複数の制御モードか
ら選択し、選択した制御モードにおける上記制御定数を
上記データテーブルから選択し、 選択した制御定数に
基づいて、上記所定ガスを加熱するためのガス加熱手段
を制御する、ことを特徴とする。この場合、上記ガスの
流量負荷の検知信号に基づき、上記ガスの流れが無いと
判断される場合に、予め記憶された制御定数を選択して
ガス加熱手段を予め加熱制御することが可能である(請
求項2)。また、ガスの流量負荷の検知信号に基づき、
上記ガスの流れが有ると判断される場合に、予め記憶さ
れた制御定数を選択してガスの加熱手段を制御すること
が可能である(請求項3)。
に、請求項1記載の発明は、複数の制御モードを有する
ガス系の制御方法であって、 上記ガス系に含まれる所
定ガスの流れの有無に応じて、対応する制御モードを上
記複数の制御モードの中から定め、 上記複数の制御モ
ードの各々の制御モード毎に、採用する制御定数を予め
データテーブルに記憶しておき、 上記所定ガスの流量
負荷を検出し、 上記所定ガスの流量負荷の検出結果に
基づき、対応する制御モードを上記複数の制御モードか
ら選択し、選択した制御モードにおける上記制御定数を
上記データテーブルから選択し、 選択した制御定数に
基づいて、上記所定ガスを加熱するためのガス加熱手段
を制御する、ことを特徴とする。この場合、上記ガスの
流量負荷の検知信号に基づき、上記ガスの流れが無いと
判断される場合に、予め記憶された制御定数を選択して
ガス加熱手段を予め加熱制御することが可能である(請
求項2)。また、ガスの流量負荷の検知信号に基づき、
上記ガスの流れが有ると判断される場合に、予め記憶さ
れた制御定数を選択してガスの加熱手段を制御すること
が可能である(請求項3)。
【0009】請求項4記載の発明は、複数の制御モード
を有するガス系の制御方法であって、 所定ガスと所定
流体とを含む混合流体が上記ガス系に含まれ、上記所定
ガスと上記所定流体との各々の流れの有無に応じて、対
応する制御モードを上記複数の制御モードの中から定
め、上記複数の制御モードの各々の制御モード毎に、採
用する制御定数を予めデータテーブルに記憶しておき、
上記所定ガスの流量負荷を検出し、 上記所定ガスの
流量負荷の検出結果に基づき、対応する制御モードを上
記複数の制御モードから選択し、選択した制御モードに
おける上記制御定数を上記データテーブルから選択し、
上記所定流体の流量負荷を検出し、 上記所定ガスの
流量負荷の検出結果と上記混合流体の流量負荷の検出結
果とに基づき、対応する制御モードを上記複数の制御モ
ードから選択し、選択した制御モードにおける上記制御
定数を上記データテーブルから選択し、 選択した制御
定数に基づいて、上記混合流体を加熱するための加熱手
段を制御する、ことを特徴とする。
を有するガス系の制御方法であって、 所定ガスと所定
流体とを含む混合流体が上記ガス系に含まれ、上記所定
ガスと上記所定流体との各々の流れの有無に応じて、対
応する制御モードを上記複数の制御モードの中から定
め、上記複数の制御モードの各々の制御モード毎に、採
用する制御定数を予めデータテーブルに記憶しておき、
上記所定ガスの流量負荷を検出し、 上記所定ガスの
流量負荷の検出結果に基づき、対応する制御モードを上
記複数の制御モードから選択し、選択した制御モードに
おける上記制御定数を上記データテーブルから選択し、
上記所定流体の流量負荷を検出し、 上記所定ガスの
流量負荷の検出結果と上記混合流体の流量負荷の検出結
果とに基づき、対応する制御モードを上記複数の制御モ
ードから選択し、選択した制御モードにおける上記制御
定数を上記データテーブルから選択し、 選択した制御
定数に基づいて、上記混合流体を加熱するための加熱手
段を制御する、ことを特徴とする。
【0010】この場合、上記ガスの流量負荷の検知信号
に基づき、上記ガスの流れが無いと判断される場合に、
予め記憶された制御定数を選択してガス加熱手段を予め
加熱制御することが可能である(請求項5)。
に基づき、上記ガスの流れが無いと判断される場合に、
予め記憶された制御定数を選択してガス加熱手段を予め
加熱制御することが可能である(請求項5)。
【0011】また、ガスの流量負荷の検知信号と上記混
合流体の流量負荷の検知信号に基づき、上記ガスの流れ
が有り、上記流体の流れが無いと判断される場合に、予
め記憶された制御定数を選択して上記ガス加熱手段を制
御することが可能である(請求項6)。
合流体の流量負荷の検知信号に基づき、上記ガスの流れ
が有り、上記流体の流れが無いと判断される場合に、予
め記憶された制御定数を選択して上記ガス加熱手段を制
御することが可能である(請求項6)。
【0012】また、ガスの流量負荷の検知信号と上記混
合流体の流量負荷の検知信号に基づき、上記ガスの流れ
が有り、上記流体の流れが有ると判断される場合に、予
め記憶された制御定数を選択して混合流体の加熱手段を
制御することが可能である(請求項7)。
合流体の流量負荷の検知信号に基づき、上記ガスの流れ
が有り、上記流体の流れが有ると判断される場合に、予
め記憶された制御定数を選択して混合流体の加熱手段を
制御することが可能である(請求項7)。
【0013】また、上記ガスの流量負荷の検知信号に基
づき、上記ガスの流れが有ると判断される場合に、検知
された上記流量負荷の大きさに応じて制御定数を選択し
て上記ガスの加熱手段を制御することが可能である(請
求項8)。
づき、上記ガスの流れが有ると判断される場合に、検知
された上記流量負荷の大きさに応じて制御定数を選択し
て上記ガスの加熱手段を制御することが可能である(請
求項8)。
【0014】また、上記ガスの流量負荷の検知信号と、
上記混合流体の流量負荷の検知信号に基づき、上記ガス
の流れが有り、上記流体の流れが有ると判断される場合
に、検知された上記ガスの上記流量負荷の大きさと、上
記流体の上記流量負荷の大きさに応じて制御定数を選択
して上記混合流体の加熱手段を制御することが可能であ
る(請求項9)。
上記混合流体の流量負荷の検知信号に基づき、上記ガス
の流れが有り、上記流体の流れが有ると判断される場合
に、検知された上記ガスの上記流量負荷の大きさと、上
記流体の上記流量負荷の大きさに応じて制御定数を選択
して上記混合流体の加熱手段を制御することが可能であ
る(請求項9)。
【0015】請求項10記載の発明は、複数の制御モー
ドを有するガス系の制御方法であって、 処理室に供給
される所定ガスの流れの有無に応じて、対応する制御モ
ードを上記複数の制御モードの中から定め、 上記複数
の制御モードの各々の制御モード毎に、採用する制御定
数を予めデータテーブルに記憶しておき、 上記所定ガ
スの流量負荷を検出し、 上記所定ガスの流量負荷の検
出結果に基づき、対応する制御モードを上記複数の制御
モードから選択し、選択した制御モードにおける上記制
御定数を上記データテーブルから選択し、 選択した制
御定数に基づいて、上記処理室の圧力を調整する圧力調
整手段を制御する、ことを特徴とする。
ドを有するガス系の制御方法であって、 処理室に供給
される所定ガスの流れの有無に応じて、対応する制御モ
ードを上記複数の制御モードの中から定め、 上記複数
の制御モードの各々の制御モード毎に、採用する制御定
数を予めデータテーブルに記憶しておき、 上記所定ガ
スの流量負荷を検出し、 上記所定ガスの流量負荷の検
出結果に基づき、対応する制御モードを上記複数の制御
モードから選択し、選択した制御モードにおける上記制
御定数を上記データテーブルから選択し、 選択した制
御定数に基づいて、上記処理室の圧力を調整する圧力調
整手段を制御する、ことを特徴とする。
【0016】この場合、上記ガスは異なる流量又は異な
る種類の複数のガスであっても圧力制御可能である(請
求項11)。
る種類の複数のガスであっても圧力制御可能である(請
求項11)。
【0017】また、上記ガスの上記流量負荷の検知信号
に基づき、上記ガスの流れが有ると判断される場合に、
検知された上記流量負荷の大きさに応じて制御定数を選
択して圧力調整手段を制御することが可能である(請求
項12)。
に基づき、上記ガスの流れが有ると判断される場合に、
検知された上記流量負荷の大きさに応じて制御定数を選
択して圧力調整手段を制御することが可能である(請求
項12)。
【0018】また、上記ガスの上記流量負荷の検知信号
に基づき、上記ガスの流れが無いと判断される場合に、
予め記憶された制御定数を選択して処理室を所定真空度
へ到達させるようにすることが可能である(請求項1
3)。
に基づき、上記ガスの流れが無いと判断される場合に、
予め記憶された制御定数を選択して処理室を所定真空度
へ到達させるようにすることが可能である(請求項1
3)。
【0024】請求項14記載の発明は、複数の制御モー
ドを有するガス系の制御装置であって、 処理室内に所
定のガスを供給する供給管路と、 上記供給管路に介設
されて上記所定ガスを加熱するガス加熱手段と、 上記
供給管路に介設されて上記所定ガスの流量負荷を検知す
るガス負荷検知手段と、 上記所定ガスの流れの有無に
応じて、対応する制御モードを上記複数の制御モードの
中から定め、上記複数の制御モードの各々の制御モード
毎に、採用する制御定数を予め記憶したデータテーブル
と、 上記ガス負荷検知手段によって検出した上記所定
ガスの流量負荷の検出結果に基づき、対応する制御モー
ドを上記複数の制御モードから選択し、選択した制御モ
ードにおける上記制御定数を上記データテーブルから選
択し、選択した制御定数に基づいて、上記所定ガスを所
定温度に制御するために上記ガス加熱手段を制御する制
御手段と、を具備することを特徴とする。
ドを有するガス系の制御装置であって、 処理室内に所
定のガスを供給する供給管路と、 上記供給管路に介設
されて上記所定ガスを加熱するガス加熱手段と、 上記
供給管路に介設されて上記所定ガスの流量負荷を検知す
るガス負荷検知手段と、 上記所定ガスの流れの有無に
応じて、対応する制御モードを上記複数の制御モードの
中から定め、上記複数の制御モードの各々の制御モード
毎に、採用する制御定数を予め記憶したデータテーブル
と、 上記ガス負荷検知手段によって検出した上記所定
ガスの流量負荷の検出結果に基づき、対応する制御モー
ドを上記複数の制御モードから選択し、選択した制御モ
ードにおける上記制御定数を上記データテーブルから選
択し、選択した制御定数に基づいて、上記所定ガスを所
定温度に制御するために上記ガス加熱手段を制御する制
御手段と、を具備することを特徴とする。
【0025】請求項15記載の発明は、複数の制御モー
ドを有するガス系の制御装置であって、 処理室内に所
定のガスを供給する供給管路と、 上記供給管路に介設
されて上記所定ガスを加熱するガス加熱手段と、 上記
供給管路に配設されて上記所定ガスと所定流体とを混合
し混合ガスを生成する混合ガス発生手段と、 上記混合
ガス発生手段内に設けられて上記混合ガスを加熱する混
合ガス加熱手段と、 上記混合ガス発生手段と上記所定
流体の流体供給源とを接続する流体供給管路と、 上記
供給管路に介設されて上記所定ガスの流量負荷を検知す
るガス負荷検知手段と、 上記流体供給管路に介設され
て上記所定流体の流量負荷を検知する流体負荷検知手段
と、 上記所定ガスの流れの有無と上記所定流体の流れ
の有無に応じて、対応する制御モードを上記複数の制御
モードの中から定め、上記複数の制御モードの各々の制
御モード毎に、採用する制御定数を予め記憶したデータ
テーブルと、上記ガス負荷検知手段によって検出した上
記所定ガスの流量負荷の検出結果と上記流体負荷検知手
段によって検出した上記所定流体の流量負荷の検出結果
とに基づき、対応する制御モードを上記複数の制御モー
ドから選択し、選択した制御モードにおける上記制御定
数を上記データテーブルから選択し、選択した制御定数
に基づいて、上記所定ガスを所定温度に制御するために
上記ガス加熱手段と上記混合ガス加熱手段とを制御する
制御手段と、を具備することを特徴とする。
ドを有するガス系の制御装置であって、 処理室内に所
定のガスを供給する供給管路と、 上記供給管路に介設
されて上記所定ガスを加熱するガス加熱手段と、 上記
供給管路に配設されて上記所定ガスと所定流体とを混合
し混合ガスを生成する混合ガス発生手段と、 上記混合
ガス発生手段内に設けられて上記混合ガスを加熱する混
合ガス加熱手段と、 上記混合ガス発生手段と上記所定
流体の流体供給源とを接続する流体供給管路と、 上記
供給管路に介設されて上記所定ガスの流量負荷を検知す
るガス負荷検知手段と、 上記流体供給管路に介設され
て上記所定流体の流量負荷を検知する流体負荷検知手段
と、 上記所定ガスの流れの有無と上記所定流体の流れ
の有無に応じて、対応する制御モードを上記複数の制御
モードの中から定め、上記複数の制御モードの各々の制
御モード毎に、採用する制御定数を予め記憶したデータ
テーブルと、上記ガス負荷検知手段によって検出した上
記所定ガスの流量負荷の検出結果と上記流体負荷検知手
段によって検出した上記所定流体の流量負荷の検出結果
とに基づき、対応する制御モードを上記複数の制御モー
ドから選択し、選択した制御モードにおける上記制御定
数を上記データテーブルから選択し、選択した制御定数
に基づいて、上記所定ガスを所定温度に制御するために
上記ガス加熱手段と上記混合ガス加熱手段とを制御する
制御手段と、を具備することを特徴とする。
【0026】請求項15記載の発明において、上記ガス
を不活性ガスからなるキャリアガスとし、上記流体は揮
発性を有する有機溶剤とすることが可能である(請求項
16)。
を不活性ガスからなるキャリアガスとし、上記流体は揮
発性を有する有機溶剤とすることが可能である(請求項
16)。
【0029】請求項1,14記載の発明によれば、ガス
系に含まれる所定ガスの流れの有無に応じて、対応する
制御モードを複数の制御モードの中から定め、複数の制
御モードの各々の制御モード毎に、採用する制御定数を
予めデータテーブルに記憶しておき、所定ガスの流量負
荷を検出し、所定ガスの流量負荷の検出結果に基づき、
対応する制御モードを複数の制御モードから選択し、選
択した制御モードにおける制御定数をデータテーブルか
ら選択し、選択した制御定数に基づいて、ガス加熱手段
を制御することにより、各状態のガスの温度を最適状態
に制御することができる。この場合、ガスの流量負荷の
検知信号に基づき、ガスの流れが有ると判断される場合
に、予め記憶された制御定数を選択してガス加熱手段を
制御することにより、上記流量負荷の大きさに応じて多
段階的に高精度な制御定数を選択することができ、選択
した制御定数に基づいてガス加熱手段を更に高精度に制
御することができ、ガス系の温度を最適状態に高精度に
制御することができる(請求項3)。
系に含まれる所定ガスの流れの有無に応じて、対応する
制御モードを複数の制御モードの中から定め、複数の制
御モードの各々の制御モード毎に、採用する制御定数を
予めデータテーブルに記憶しておき、所定ガスの流量負
荷を検出し、所定ガスの流量負荷の検出結果に基づき、
対応する制御モードを複数の制御モードから選択し、選
択した制御モードにおける制御定数をデータテーブルか
ら選択し、選択した制御定数に基づいて、ガス加熱手段
を制御することにより、各状態のガスの温度を最適状態
に制御することができる。この場合、ガスの流量負荷の
検知信号に基づき、ガスの流れが有ると判断される場合
に、予め記憶された制御定数を選択してガス加熱手段を
制御することにより、上記流量負荷の大きさに応じて多
段階的に高精度な制御定数を選択することができ、選択
した制御定数に基づいてガス加熱手段を更に高精度に制
御することができ、ガス系の温度を最適状態に高精度に
制御することができる(請求項3)。
【0030】請求項4,15記載の発明によれば、所定
ガスと所定流体とを含む混合流体がガス系に含まれ、所
定ガスと上記所定流体との各々の流れの有無に応じて、
対応する制御モードを複数の制御モードの中から定め、
複数の制御モードの各々の制御モード毎に、採用する制
御定数を予めデータテーブルに記憶しておき、所定ガス
の流量負荷を検出し、所定ガスの流量負荷の検出結果に
基づき、対応する制御モードを複数の制御モードから選
択し、選択した制御モードにおける制御定数をデータテ
ーブルから選択し、所定流体の流量負荷を検出し、所定
ガスの流量負荷の検出結果と混合流体の流量負荷の検出
結果とに基づき、対応する制御モードを複数の制御モー
ドから選択し、選択した制御モードにおける制御定数を
データテーブルから選択し、選択した制御定数に基づい
て、混合流体を加熱するための加熱手段を制御するによ
り、各状態の単独のガス及び混合流体の温度を最適状態
に制御することができる。この場合、ガスの流量負荷の
検知信号に基づき、ガスの流れが無いと判断される場合
に、予め記憶された制御定数を選択してガス加熱手段を
予め加熱制御することにより、その後流れるガスを即座
に最適温度に制御することができ、処理の効率の向上を
図ることができる(請求項5)。また、ガスの流量負荷
の検知信号と混合流体の流量負荷の検知信号に基づき、
ガスの流れが有り、流体の流れが無いと判断される場合
に、予め記憶された制御定数を選択してガス加熱手段を
制御することにより、各状態に対応した温度制御を実現
することができる(請求項6)。また、ガスの流量負荷
の検知信号と混合流体の流量負荷の検知信号に基づき、
ガスの流れが有り、上記流体の流れが有ると判断される
場合に、予め記憶された制御定数を選択して混合流体の
加熱手段を制御することにより、上記請求項6の場合と
同様に、各状態に対応した温度制御を実現することがで
きる(請求項7)。
ガスと所定流体とを含む混合流体がガス系に含まれ、所
定ガスと上記所定流体との各々の流れの有無に応じて、
対応する制御モードを複数の制御モードの中から定め、
複数の制御モードの各々の制御モード毎に、採用する制
御定数を予めデータテーブルに記憶しておき、所定ガス
の流量負荷を検出し、所定ガスの流量負荷の検出結果に
基づき、対応する制御モードを複数の制御モードから選
択し、選択した制御モードにおける制御定数をデータテ
ーブルから選択し、所定流体の流量負荷を検出し、所定
ガスの流量負荷の検出結果と混合流体の流量負荷の検出
結果とに基づき、対応する制御モードを複数の制御モー
ドから選択し、選択した制御モードにおける制御定数を
データテーブルから選択し、選択した制御定数に基づい
て、混合流体を加熱するための加熱手段を制御するによ
り、各状態の単独のガス及び混合流体の温度を最適状態
に制御することができる。この場合、ガスの流量負荷の
検知信号に基づき、ガスの流れが無いと判断される場合
に、予め記憶された制御定数を選択してガス加熱手段を
予め加熱制御することにより、その後流れるガスを即座
に最適温度に制御することができ、処理の効率の向上を
図ることができる(請求項5)。また、ガスの流量負荷
の検知信号と混合流体の流量負荷の検知信号に基づき、
ガスの流れが有り、流体の流れが無いと判断される場合
に、予め記憶された制御定数を選択してガス加熱手段を
制御することにより、各状態に対応した温度制御を実現
することができる(請求項6)。また、ガスの流量負荷
の検知信号と混合流体の流量負荷の検知信号に基づき、
ガスの流れが有り、上記流体の流れが有ると判断される
場合に、予め記憶された制御定数を選択して混合流体の
加熱手段を制御することにより、上記請求項6の場合と
同様に、各状態に対応した温度制御を実現することがで
きる(請求項7)。
【0031】また、ガスの流量負荷の検知信号に基づ
き、ガスの流れが有ると判断される場合に、検知された
上記流量負荷の大きさに応じて制御定数を選択してガス
加熱手段を制御することにより、流量負荷の大きさに応
じて高精度な制御定数を選択することができ、選択した
制御定数に基づいてガスの加熱手段を高精度に制御する
ことができ、ガス系の温度を最適状態に高精度に制御す
ることができる(請求項8)。
き、ガスの流れが有ると判断される場合に、検知された
上記流量負荷の大きさに応じて制御定数を選択してガス
加熱手段を制御することにより、流量負荷の大きさに応
じて高精度な制御定数を選択することができ、選択した
制御定数に基づいてガスの加熱手段を高精度に制御する
ことができ、ガス系の温度を最適状態に高精度に制御す
ることができる(請求項8)。
【0032】また、ガスの流量負荷の検知信号と、混合
流体の流量負荷の検知信号に基づき、ガスの流れが有
り、流体の流れが有ると判断される場合に、検知された
ガスの流量負荷の大きさと、流体の流量負荷の大きさに
応じて制御定数を選択して混合流体の加熱手段を制御す
ることにより、上記流量負荷の大きさに応じて多段階的
に高精度な制御定数を選択することができ、選択した制
御定数に基づいてガス加熱手段を高精度に制御すること
ができ、ガス系の温度を最適状態に高精度に制御するこ
とができる(請求項9)。
流体の流量負荷の検知信号に基づき、ガスの流れが有
り、流体の流れが有ると判断される場合に、検知された
ガスの流量負荷の大きさと、流体の流量負荷の大きさに
応じて制御定数を選択して混合流体の加熱手段を制御す
ることにより、上記流量負荷の大きさに応じて多段階的
に高精度な制御定数を選択することができ、選択した制
御定数に基づいてガス加熱手段を高精度に制御すること
ができ、ガス系の温度を最適状態に高精度に制御するこ
とができる(請求項9)。
【0033】請求項10,12,13記載の発明によれ
ば、所定のガスの流れの有無による流量負荷に応じた制
御定数を予め制御手段に記憶しておき、ガス負荷検知手
段によってガスの流れの有無による流量負荷を検出し、
その検知信号を制御手段に伝達すると共に、制御手段か
らの検知信号に基づいて制御定数を選択して圧力調整手
段を制御することにより、各状態のガスの圧力を最適状
態に制御することができる。この場合、ガスは異なる流
量又は異なる種類の複数のガスであっても圧力制御可能
である(請求項11)。
ば、所定のガスの流れの有無による流量負荷に応じた制
御定数を予め制御手段に記憶しておき、ガス負荷検知手
段によってガスの流れの有無による流量負荷を検出し、
その検知信号を制御手段に伝達すると共に、制御手段か
らの検知信号に基づいて制御定数を選択して圧力調整手
段を制御することにより、各状態のガスの圧力を最適状
態に制御することができる。この場合、ガスは異なる流
量又は異なる種類の複数のガスであっても圧力制御可能
である(請求項11)。
【0035】
【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態を
図面に基づいて詳細に説明する。 ◎第一実施形態 図1はこの発明に係るガスの制御装置を半導体ウエハの
洗浄・乾燥処理システムに適用した場合の構成図であ
る。
図面に基づいて詳細に説明する。 ◎第一実施形態 図1はこの発明に係るガスの制御装置を半導体ウエハの
洗浄・乾燥処理システムに適用した場合の構成図であ
る。
【0036】上記洗浄・乾燥処理システムは、キャリア
ガス例えば窒素(N2)ガスの供給源1に供給管路2a
を介して接続するN2ガス加熱手段としてのN2ガス加
熱器3(以下に単に加熱器という)と、この加熱器3に
供給管路2bを介して接続する一方、乾燥ガス用液体例
えばIPAの供給源4に供給管路2cを介して接続する
混合ガス(蒸気)発生手段としての蒸気発生器5と、こ
の蒸気発生器5と乾燥処理室6(以下に単に処理室とい
う)とを接続する供給管路2dに配設される流量制御手
段7とを具備してなる。この場合、N2ガス供給源1と
加熱器3とを接続する供給管路2aには開閉弁8aが介
設されている。また、IPA供給源4と蒸気発生器5と
を接続する供給管路2cには開閉弁8bが介設され、こ
の開閉弁8bのIPA供給源側には分岐路9及び開閉弁
8cを介してIPA回収部10が接続されている。ま
た、図1に二点鎖線で示すように、蒸気発生器5には、
必要に応じてIPAのドレン管5aが接続され、このド
レン管5aにドレン弁5cが介設されると共に、チェッ
キ弁5dを介設する分岐路5bが接続されている。この
ようにドレン管5a、ドレン弁5c等を接続することに
より、蒸気発生器5内をクリーニングする際の洗浄液等
の排出に便利となる。
ガス例えば窒素(N2)ガスの供給源1に供給管路2a
を介して接続するN2ガス加熱手段としてのN2ガス加
熱器3(以下に単に加熱器という)と、この加熱器3に
供給管路2bを介して接続する一方、乾燥ガス用液体例
えばIPAの供給源4に供給管路2cを介して接続する
混合ガス(蒸気)発生手段としての蒸気発生器5と、こ
の蒸気発生器5と乾燥処理室6(以下に単に処理室とい
う)とを接続する供給管路2dに配設される流量制御手
段7とを具備してなる。この場合、N2ガス供給源1と
加熱器3とを接続する供給管路2aには開閉弁8aが介
設されている。また、IPA供給源4と蒸気発生器5と
を接続する供給管路2cには開閉弁8bが介設され、こ
の開閉弁8bのIPA供給源側には分岐路9及び開閉弁
8cを介してIPA回収部10が接続されている。ま
た、図1に二点鎖線で示すように、蒸気発生器5には、
必要に応じてIPAのドレン管5aが接続され、このド
レン管5aにドレン弁5cが介設されると共に、チェッ
キ弁5dを介設する分岐路5bが接続されている。この
ようにドレン管5a、ドレン弁5c等を接続することに
より、蒸気発生器5内をクリーニングする際の洗浄液等
の排出に便利となる。
【0037】上記加熱器3は、図2(a)に示すよう
に、N2ガスの供給管路2aに連通する導入管11と、
この導入管11内に挿入され、導入管11の内壁面との
間に螺旋状流路12を形成する流路形成管13と、この
流路形成管13の内方に挿入される加熱手段例えばカー
トリッジヒータ14とで主要部が構成されている。この
場合、導入管11は、一端に供給管路2aと接続する流
入口11aを有し、他端部の側面に、供給管路2bに接
続する流出口11bが設けられている。また、流路形成
管13は、図2(b)に示すように、その外周面に例え
ば台形ねじのような螺旋状の凹凸溝15が形成されて、
この螺旋状凹凸溝15と導入管11の内壁面11cとで
螺旋状流路12が形成されている。なお、螺旋状流路1
2は必ずしもこのような構造である必要はなく、例えば
導入管11の内壁面に螺旋状凹凸溝を形成し、流路形成
管13の外周面を平坦面としてもよく、導入管11の内
壁面及び流路形成管13の外周面の双方に螺旋状凹凸溝
を形成して螺旋状流路を形成するようにしてもよく、あ
るいはコイルスプングを用いて螺旋状流路12を形成し
てもよい。
に、N2ガスの供給管路2aに連通する導入管11と、
この導入管11内に挿入され、導入管11の内壁面との
間に螺旋状流路12を形成する流路形成管13と、この
流路形成管13の内方に挿入される加熱手段例えばカー
トリッジヒータ14とで主要部が構成されている。この
場合、導入管11は、一端に供給管路2aと接続する流
入口11aを有し、他端部の側面に、供給管路2bに接
続する流出口11bが設けられている。また、流路形成
管13は、図2(b)に示すように、その外周面に例え
ば台形ねじのような螺旋状の凹凸溝15が形成されて、
この螺旋状凹凸溝15と導入管11の内壁面11cとで
螺旋状流路12が形成されている。なお、螺旋状流路1
2は必ずしもこのような構造である必要はなく、例えば
導入管11の内壁面に螺旋状凹凸溝を形成し、流路形成
管13の外周面を平坦面としてもよく、導入管11の内
壁面及び流路形成管13の外周面の双方に螺旋状凹凸溝
を形成して螺旋状流路を形成するようにしてもよく、あ
るいはコイルスプングを用いて螺旋状流路12を形成し
てもよい。
【0038】上記のように、N2ガス供給源1側の供給
管路2aに接続する導入管11と、この導入管11内に
挿入される流路形成管13又はコイルスプリングとの間
に螺旋状流路12を形成し、流路形成管13内にカート
リッジヒータ14を挿入することにより、N2ガスの流
路とカートリッジヒータ14との接触する流路長さを長
くすると共に、螺旋状の流れを形成して、それがない場
合に比べ流速を早めることができ、その結果レイノルズ
数(Re数)及びヌッセルト数(Nu数)を増大して、
境界層を乱流領域に入れ、加熱器3の伝熱効率の向上を
図ることができる。したがって、1本のカートリッジヒ
ータ14で効率よくN2ガスを所定温度例えば200℃
に加熱することができるので、加熱器3を小型化するこ
とができる。なお、加熱温度を更に高める必要がある場
合は、導入管11の外側に外筒ヒータを配設すればよ
い。
管路2aに接続する導入管11と、この導入管11内に
挿入される流路形成管13又はコイルスプリングとの間
に螺旋状流路12を形成し、流路形成管13内にカート
リッジヒータ14を挿入することにより、N2ガスの流
路とカートリッジヒータ14との接触する流路長さを長
くすると共に、螺旋状の流れを形成して、それがない場
合に比べ流速を早めることができ、その結果レイノルズ
数(Re数)及びヌッセルト数(Nu数)を増大して、
境界層を乱流領域に入れ、加熱器3の伝熱効率の向上を
図ることができる。したがって、1本のカートリッジヒ
ータ14で効率よくN2ガスを所定温度例えば200℃
に加熱することができるので、加熱器3を小型化するこ
とができる。なお、加熱温度を更に高める必要がある場
合は、導入管11の外側に外筒ヒータを配設すればよ
い。
【0039】上記蒸気発生器5は、図3に示すように、
キャリアガスの供給管路2bに接続する例えばステンレ
ス鋼製のパイプ状本体20にて形成されており、このパ
イプ状本体20の内周面にキャリアガスの流れ方向に沿
って漸次狭小となる先細ノズル部21aと、この先細ノ
ズル部21aの狭小部21bから流れ方向に沿って徐々
に拡開する末広ノズル部21cとからなるラバールノズ
ル21が形成されている。このラバールノズル21は、
ラバールノズル21の流入側圧力(一次圧力)と流出側
圧力(二次圧力)との圧力差によって衝撃波が形成され
る。例えば、一次圧力(Kgf/cm2G)とN2ガス
の通過流量(Nl/min)を適宜選択することによっ
て衝撃波を形成することができる。この場合、ラバール
ノズル21の一次側と二次側を接続する分岐路22に圧
力調整弁23を介設して、この圧力調整弁23の調節に
よって衝撃波の発生条件を適宜設定している。なお、一
次側圧力を高めることが可能であれば、圧力調整弁23
を用いなくても衝撃波形成が可能となる。
キャリアガスの供給管路2bに接続する例えばステンレ
ス鋼製のパイプ状本体20にて形成されており、このパ
イプ状本体20の内周面にキャリアガスの流れ方向に沿
って漸次狭小となる先細ノズル部21aと、この先細ノ
ズル部21aの狭小部21bから流れ方向に沿って徐々
に拡開する末広ノズル部21cとからなるラバールノズ
ル21が形成されている。このラバールノズル21は、
ラバールノズル21の流入側圧力(一次圧力)と流出側
圧力(二次圧力)との圧力差によって衝撃波が形成され
る。例えば、一次圧力(Kgf/cm2G)とN2ガス
の通過流量(Nl/min)を適宜選択することによっ
て衝撃波を形成することができる。この場合、ラバール
ノズル21の一次側と二次側を接続する分岐路22に圧
力調整弁23を介設して、この圧力調整弁23の調節に
よって衝撃波の発生条件を適宜設定している。なお、一
次側圧力を高めることが可能であれば、圧力調整弁23
を用いなくても衝撃波形成が可能となる。
【0040】なお、一次側でN2ガスの圧力あるいは流
量を所定の高い圧力範囲で調整することが可能であれ
ば、圧力調整弁23を用いなくても衝撃波形成が可能と
なる。すなわち、図11に示すように、N2ガス供給源
1にN2ガスの圧力あるいは流量を調節するN2ガス圧
力調整手段1aを接続することによって分岐路22及び
圧力調整弁23を除去することができる。この場合、所
定の高い圧力範囲のN2ガスを供給できるようにN2ガ
ス供給源1は通常よりも高い圧力のN2ガスを供給でき
る必要がある。N2ガス圧力調整手段1aによってN2
ガス供給源1から供給されるN2ガスの高圧の程度を調
整することによって、衝撃波形成部21の流入側圧力
(一次圧力)と流出側圧力(二次圧力)との圧力差を調
節し衝撃波の発生条件を適宜設定することができる。
量を所定の高い圧力範囲で調整することが可能であれ
ば、圧力調整弁23を用いなくても衝撃波形成が可能と
なる。すなわち、図11に示すように、N2ガス供給源
1にN2ガスの圧力あるいは流量を調節するN2ガス圧
力調整手段1aを接続することによって分岐路22及び
圧力調整弁23を除去することができる。この場合、所
定の高い圧力範囲のN2ガスを供給できるようにN2ガ
ス供給源1は通常よりも高い圧力のN2ガスを供給でき
る必要がある。N2ガス圧力調整手段1aによってN2
ガス供給源1から供給されるN2ガスの高圧の程度を調
整することによって、衝撃波形成部21の流入側圧力
(一次圧力)と流出側圧力(二次圧力)との圧力差を調
節し衝撃波の発生条件を適宜設定することができる。
【0041】このように形成されるラバールノズル21
の末広ノズル部21cの途中にはIPA供給口24が開
設されている。この供給口24にIPA供給管すなわち
供給管路2cを介してIPA供給源4が接続されてい
る。また、末広ノズル部21cの流出側のパイプ状本体
20内に内筒ヒータ25が挿入され、その外側には外筒
ヒータ26が配設されて、これら内筒ヒータ25と外筒
ヒータ26とで蒸気発生器5の加熱手段が構成されてい
る。なおこの場合、ラバールノズル21及びIPA供給
口24付近にヒータを設けてもよい。
の末広ノズル部21cの途中にはIPA供給口24が開
設されている。この供給口24にIPA供給管すなわち
供給管路2cを介してIPA供給源4が接続されてい
る。また、末広ノズル部21cの流出側のパイプ状本体
20内に内筒ヒータ25が挿入され、その外側には外筒
ヒータ26が配設されて、これら内筒ヒータ25と外筒
ヒータ26とで蒸気発生器5の加熱手段が構成されてい
る。なおこの場合、ラバールノズル21及びIPA供給
口24付近にヒータを設けてもよい。
【0042】なお、図12(a)、図12(b)に示す
ように、内筒ヒータ25及び外筒ヒータ26に代えて、
加熱器3の構成と類似の構成を有する加熱ヒータ140
を使用することも可能である。
ように、内筒ヒータ25及び外筒ヒータ26に代えて、
加熱器3の構成と類似の構成を有する加熱ヒータ140
を使用することも可能である。
【0043】加熱ヒータ140は、図12(a)に示す
ように、衝撃波形成部21に連通する導入管143と、
この導入管143内に挿入され、導入管143の内壁面
との間に螺旋状流路144を形成する流路形成管145
と、この流路形成管145の内方に挿入される加熱手段
例えばカートリッジヒータ146とで主要部が構成され
ている。
ように、衝撃波形成部21に連通する導入管143と、
この導入管143内に挿入され、導入管143の内壁面
との間に螺旋状流路144を形成する流路形成管145
と、この流路形成管145の内方に挿入される加熱手段
例えばカートリッジヒータ146とで主要部が構成され
ている。
【0044】この場合、導入管143は、一端に衝撃波
形成部21と接続する流入口143aを有し、他端部の
側面に、供給路131bに接続する流出口143bが設
けられている。また、流路形成管145は、図12
(b)に示すように、その外周面に例えば台形ねじのよ
うな螺旋状の凹凸溝147が形成されて、この螺旋状凹
凸溝147と導入管143の内壁面143cとで螺旋状
流路144が形成されている。なお、螺旋状流路144
は必ずしもこのような構造である必要はなく、例えば導
入管143の内壁面に螺旋状凹凸溝を形成し、流路形成
管145の外周面を平坦面としてもよく、あるいは導入
管143の内壁面及び流路形成管145の外周面の双方
に螺旋状凹凸溝を形成して螺旋状流路を形成するように
してもよい。なお、加熱手段として、上記カートリッジ
ヒータ146に加えて導入管143の外部を加熱するヒ
ータを設けてもよい。
形成部21と接続する流入口143aを有し、他端部の
側面に、供給路131bに接続する流出口143bが設
けられている。また、流路形成管145は、図12
(b)に示すように、その外周面に例えば台形ねじのよ
うな螺旋状の凹凸溝147が形成されて、この螺旋状凹
凸溝147と導入管143の内壁面143cとで螺旋状
流路144が形成されている。なお、螺旋状流路144
は必ずしもこのような構造である必要はなく、例えば導
入管143の内壁面に螺旋状凹凸溝を形成し、流路形成
管145の外周面を平坦面としてもよく、あるいは導入
管143の内壁面及び流路形成管145の外周面の双方
に螺旋状凹凸溝を形成して螺旋状流路を形成するように
してもよい。なお、加熱手段として、上記カートリッジ
ヒータ146に加えて導入管143の外部を加熱するヒ
ータを設けてもよい。
【0045】上記のように、衝撃波形成部21に接続す
る導入管143と、この導入管143内に挿入される流
路形成管145との間に螺旋状流露144を形成し、流
路形成管145内にカートリッジヒータ146を挿入す
ることにより、IPAガスの流路とカートリッジヒータ
146との接触する流路長さを長くすると共に、螺旋状
の流れを形成して、それがない場合に比べ流速を早める
ことができ、その結果レイノルズ数(Re数)及びヌッ
セルト数(Nu数)を増大して、境界層を乱流領域に入
れ、加熱ヒータ140の伝熱効率の向上を図ることがで
きる。したがって、1本のカートリッジヒータ146で
効率よくN2ガスを所定温度例えば200℃に加熱する
ことができるので、加熱ヒータ140を小型化すること
ができる。なお、加熱温度を更に高める必要がある場合
は、導入管143の外側に外筒ヒータを配設すればよ
い。
る導入管143と、この導入管143内に挿入される流
路形成管145との間に螺旋状流露144を形成し、流
路形成管145内にカートリッジヒータ146を挿入す
ることにより、IPAガスの流路とカートリッジヒータ
146との接触する流路長さを長くすると共に、螺旋状
の流れを形成して、それがない場合に比べ流速を早める
ことができ、その結果レイノルズ数(Re数)及びヌッ
セルト数(Nu数)を増大して、境界層を乱流領域に入
れ、加熱ヒータ140の伝熱効率の向上を図ることがで
きる。したがって、1本のカートリッジヒータ146で
効率よくN2ガスを所定温度例えば200℃に加熱する
ことができるので、加熱ヒータ140を小型化すること
ができる。なお、加熱温度を更に高める必要がある場合
は、導入管143の外側に外筒ヒータを配設すればよ
い。
【0046】上記のように構成することにより、IPA
供給源4から供給されるIPAをラバールノズル21の
供給口24から供給すると、ラバールノズル21で形成
された衝撃波によってIPAが霧状にされ、その後ヒー
タ25,26の加熱によってIPA蒸気が生成される。
供給源4から供給されるIPAをラバールノズル21の
供給口24から供給すると、ラバールノズル21で形成
された衝撃波によってIPAが霧状にされ、その後ヒー
タ25,26の加熱によってIPA蒸気が生成される。
【0047】なお、上記説明では、供給口24をラバー
ルノズル21の二次側すなわち衝撃波発生後側に設けた
場合について説明したが、必ずしもこのような構成とす
る必要はなく、供給口24をラバールノズル21の一次
側すなわち衝撃波発生前の位置に設けて、N2ガスとI
PAとを混合した後に衝撃波によって霧状にしてもよ
い。
ルノズル21の二次側すなわち衝撃波発生後側に設けた
場合について説明したが、必ずしもこのような構成とす
る必要はなく、供給口24をラバールノズル21の一次
側すなわち衝撃波発生前の位置に設けて、N2ガスとI
PAとを混合した後に衝撃波によって霧状にしてもよ
い。
【0048】上記流量制御手段7は、図1に示すよう
に、供給管路2dに介設される開度調整弁例えばダイヤ
フラム弁30と、上記処理室6内の圧力を検出する検出
手段である圧力センサ31からの信号と予め記憶された
情報とを比較演算する制御手段例えばCPU40(中央
演算処理装置)からの信号に基いてダイヤフラム弁30
の作動圧を制御する制御弁例えばマイクロバルブ32と
を具備してなる。
に、供給管路2dに介設される開度調整弁例えばダイヤ
フラム弁30と、上記処理室6内の圧力を検出する検出
手段である圧力センサ31からの信号と予め記憶された
情報とを比較演算する制御手段例えばCPU40(中央
演算処理装置)からの信号に基いてダイヤフラム弁30
の作動圧を制御する制御弁例えばマイクロバルブ32と
を具備してなる。
【0049】この場合、マイクロバルブ32は、例えば
図4に示すように、上記ダイヤフラム弁30の作動流体
例えば空気の流入路33に排出路34を連通し、この排
出路34と対向する面に可撓性部材35を介して制御液
体例えば熱伸縮性オイル36を収容する室37を形成す
ると共に、室37における可撓性部材35と対向する面
に配設される複数の抵抗ヒータ38を配設してなる。な
おこの場合、可撓性部材35は、上部材35aと下部材
35cとの間に介在される中部材35bを有すると共
に、下部材35cと接合する台座35dを有しており、
可撓性部材35の撓み変形によって中部材35bが排出
路34を開閉し得るように構成されている。なお、この
マイクロバルブ32は全体がシリコンにて形成されてい
る。
図4に示すように、上記ダイヤフラム弁30の作動流体
例えば空気の流入路33に排出路34を連通し、この排
出路34と対向する面に可撓性部材35を介して制御液
体例えば熱伸縮性オイル36を収容する室37を形成す
ると共に、室37における可撓性部材35と対向する面
に配設される複数の抵抗ヒータ38を配設してなる。な
おこの場合、可撓性部材35は、上部材35aと下部材
35cとの間に介在される中部材35bを有すると共
に、下部材35cと接合する台座35dを有しており、
可撓性部材35の撓み変形によって中部材35bが排出
路34を開閉し得るように構成されている。なお、この
マイクロバルブ32は全体がシリコンにて形成されてい
る。
【0050】このように構成することにより、上記CP
U40からの信号をデジタル/アナログ変換させて抵抗
ヒータ38に伝達されると、抵抗ヒータ38が加熱され
ると共に、制御液体すなわちオイル36が膨脹収縮し、
これにより可撓性部材35が流入側に出没移動して排出
路34の上部が開状態となり、制御流体すなわちガス圧
力を調節することができる。したがって、マイクロバル
ブ32によって遅延制御された流体すなわち空気によっ
てダイヤフラム弁30を作動して予め記憶された情報と
処理室6内の圧力を比較し、ダイヤフラム弁30の作動
を制御してN2ガスを処理室6内に供給することがで
き、処理室6内の圧力回復の時間制御を行うことができ
る。
U40からの信号をデジタル/アナログ変換させて抵抗
ヒータ38に伝達されると、抵抗ヒータ38が加熱され
ると共に、制御液体すなわちオイル36が膨脹収縮し、
これにより可撓性部材35が流入側に出没移動して排出
路34の上部が開状態となり、制御流体すなわちガス圧
力を調節することができる。したがって、マイクロバル
ブ32によって遅延制御された流体すなわち空気によっ
てダイヤフラム弁30を作動して予め記憶された情報と
処理室6内の圧力を比較し、ダイヤフラム弁30の作動
を制御してN2ガスを処理室6内に供給することがで
き、処理室6内の圧力回復の時間制御を行うことができ
る。
【0051】また、上記処理室6は、図5に示すよう
に、例えばフッ化水素酸等の薬液や純水等の洗浄液を貯
留(収容)し、貯留した洗浄液にウエハWを浸漬する洗
浄槽50の上部に形成されており、その上方に設けられ
たウエハWの搬入・搬出用の開口部50aに蓋体51が
開閉可能に装着されている。また、処理室6と洗浄槽5
0との間には、複数例えば50枚のウエハWを保持して
このウエハWを洗浄槽50内及び処理室6内に移動する
保持手段例えばウエハボート52が設けられている。ま
た、処理室6内には、処理室6内に供給されたIPAガ
スを冷却する冷却管53を配設してもよい。なお、洗浄
槽50は、底部に排出口54を有する内槽55と、この
内槽55からオーバーフローした洗浄液を受け止める外
槽56とで構成されている。なおこの場合、内槽55の
下部に配設される薬液又は純水の供給ノズル57から内
槽55内に供給され貯留される薬液又は純水にウエハW
が浸漬されて洗浄されるようになっている。また、外槽
56の底部に設けられた排出口56aに排出管56bが
接続されている。このように構成することにより、洗浄
処理されたウエハWはウエハボート52によって処理室
6内に移動され、処理室6内に供給されるIPAガスと
接触し、IPAガスの蒸気を凝縮あるいは吸着させて、
ウエハWの水分の除去及び乾燥が行なわれる。
に、例えばフッ化水素酸等の薬液や純水等の洗浄液を貯
留(収容)し、貯留した洗浄液にウエハWを浸漬する洗
浄槽50の上部に形成されており、その上方に設けられ
たウエハWの搬入・搬出用の開口部50aに蓋体51が
開閉可能に装着されている。また、処理室6と洗浄槽5
0との間には、複数例えば50枚のウエハWを保持して
このウエハWを洗浄槽50内及び処理室6内に移動する
保持手段例えばウエハボート52が設けられている。ま
た、処理室6内には、処理室6内に供給されたIPAガ
スを冷却する冷却管53を配設してもよい。なお、洗浄
槽50は、底部に排出口54を有する内槽55と、この
内槽55からオーバーフローした洗浄液を受け止める外
槽56とで構成されている。なおこの場合、内槽55の
下部に配設される薬液又は純水の供給ノズル57から内
槽55内に供給され貯留される薬液又は純水にウエハW
が浸漬されて洗浄されるようになっている。また、外槽
56の底部に設けられた排出口56aに排出管56bが
接続されている。このように構成することにより、洗浄
処理されたウエハWはウエハボート52によって処理室
6内に移動され、処理室6内に供給されるIPAガスと
接触し、IPAガスの蒸気を凝縮あるいは吸着させて、
ウエハWの水分の除去及び乾燥が行なわれる。
【0052】なお、供給管路2dには、上記ダイヤフラ
ム弁30の下流側(二次側)にフィルタ60が介設され
ており、パーティクルの少ない乾燥ガスを供給できるよ
うに構成されている。また、供給管路2dの外側には保
温用ヒータ62が配設されてIPAガスの温度を一定に
維持し得るように構成されている。更に、供給管路2d
の処理室6側にはIPAガスの温度センサ61(温度検
出手段)が配設されて、供給管路2d中を流れるIPA
ガスの温度が測定されるようになっている。
ム弁30の下流側(二次側)にフィルタ60が介設され
ており、パーティクルの少ない乾燥ガスを供給できるよ
うに構成されている。また、供給管路2dの外側には保
温用ヒータ62が配設されてIPAガスの温度を一定に
維持し得るように構成されている。更に、供給管路2d
の処理室6側にはIPAガスの温度センサ61(温度検
出手段)が配設されて、供給管路2d中を流れるIPA
ガスの温度が測定されるようになっている。
【0053】一方、図1に示すように、上記供給管路2
aには、この供給管路2aを流れるN2ガスの流れの有
無による負荷を検知するガス負荷検知手段例えば流量検
知センサ41(以下に流量センサ41という)が介設さ
れ、上記供給管路2dには、この供給管路2dを流れる
IPAガスの流れの有無による負荷を検知するガス負荷
検知手段例えば流量検知センサ42(以下に流量センサ
42という)が介設されている。また、IPA供給管路
2cにはIPAの流れの有無を検知し得るIPA供給ポ
ンプ43(流体流れ検知手段)が介設されている。
aには、この供給管路2aを流れるN2ガスの流れの有
無による負荷を検知するガス負荷検知手段例えば流量検
知センサ41(以下に流量センサ41という)が介設さ
れ、上記供給管路2dには、この供給管路2dを流れる
IPAガスの流れの有無による負荷を検知するガス負荷
検知手段例えば流量検知センサ42(以下に流量センサ
42という)が介設されている。また、IPA供給管路
2cにはIPAの流れの有無を検知し得るIPA供給ポ
ンプ43(流体流れ検知手段)が介設されている。
【0054】上記流量検知センサ41,42及びIPA
供給ポンプ43によって検知された負荷検知信号は、上
記CPU40に伝達され、CPU40において予め記憶
されたN2ガス,IPAガス及びIPAの流れの有無に
よる流量負荷に応じた情報、すなわち、ガスの流れの有
無に応じて、対応する複数の制御モード、各々の制御モ
ード毎に採用する比例動作、積分動作及び微分動作の3
動作を含むPID制御定数(制御定数)に基づいて演算
処理され、その制御信号によって上記N2ガス加熱器
3、蒸気発生器5のヒータ25,26及び保温ヒータ6
2が制御される。PID制御定数(以下にPID定数と
いう)はCPU40内のデータテーブルに格納されてい
る。
供給ポンプ43によって検知された負荷検知信号は、上
記CPU40に伝達され、CPU40において予め記憶
されたN2ガス,IPAガス及びIPAの流れの有無に
よる流量負荷に応じた情報、すなわち、ガスの流れの有
無に応じて、対応する複数の制御モード、各々の制御モ
ード毎に採用する比例動作、積分動作及び微分動作の3
動作を含むPID制御定数(制御定数)に基づいて演算
処理され、その制御信号によって上記N2ガス加熱器
3、蒸気発生器5のヒータ25,26及び保温ヒータ6
2が制御される。PID制御定数(以下にPID定数と
いう)はCPU40内のデータテーブルに格納されてい
る。
【0055】次に、上記洗浄・乾燥処理システムにおけ
るN2ガス、IPA及びIPAガス(乾燥ガス;混合ガ
ス)の温度制御について、図6ないし図8のフローチャ
ートを参照して説明する。
るN2ガス、IPA及びIPAガス(乾燥ガス;混合ガ
ス)の温度制御について、図6ないし図8のフローチャ
ートを参照して説明する。
【0056】☆N2ガス加熱器の温度制御
図6に示すように、まず、N2ガス加熱器3におけるN
2ガスの流量や供給タイミング等をセットしたプロセス
モードを確認した後(ステップA)、流量センサ41に
よってN2ガスは流れているか否かを確認する(ステッ
プB)。N2ガスが流れていない場合は、CPU40か
らの制御信号によってヒートアップモードにし(ステッ
プC)、予めオートチューニングにより得たPID定数
(P11,I11,D11)に基づいてN2ガス加熱器
3をヒートアップモードに対する温度制御を行なう(ス
テップD,E)。このようにしてプロセスモードが終了
したか否かが判断され(ステップF)、プロセスモード
終了の場合はヒートアップモードに対する温度制御を終
了し、終了していない場合は再度プロセスモードを確認
する(ステップA)。
2ガスの流量や供給タイミング等をセットしたプロセス
モードを確認した後(ステップA)、流量センサ41に
よってN2ガスは流れているか否かを確認する(ステッ
プB)。N2ガスが流れていない場合は、CPU40か
らの制御信号によってヒートアップモードにし(ステッ
プC)、予めオートチューニングにより得たPID定数
(P11,I11,D11)に基づいてN2ガス加熱器
3をヒートアップモードに対する温度制御を行なう(ス
テップD,E)。このようにしてプロセスモードが終了
したか否かが判断され(ステップF)、プロセスモード
終了の場合はヒートアップモードに対する温度制御を終
了し、終了していない場合は再度プロセスモードを確認
する(ステップA)。
【0057】一方、供給管路2aにN2ガスが流れてい
る場合は、N2ガスフローモードになり(ステップ
G)、予めオートチューニングにより得たPID定数
(P21,I21,D21)に基づいてN2ガス加熱器
3をN2ガスフローモードに対する温度制御を行なう
(ステップH,I)。このようにしてプロセスモードが
終了したか否かが判断され(ステップJ)、プロセスモ
ード終了の場合はN2ガスフローモードに対する温度制
御を終了し、終了していない場合は再度プロセスモード
を確認した後(ステップA)、上述の手順を繰り返して
N2ガス加熱器の温度制御を行なう。
る場合は、N2ガスフローモードになり(ステップ
G)、予めオートチューニングにより得たPID定数
(P21,I21,D21)に基づいてN2ガス加熱器
3をN2ガスフローモードに対する温度制御を行なう
(ステップH,I)。このようにしてプロセスモードが
終了したか否かが判断され(ステップJ)、プロセスモ
ード終了の場合はN2ガスフローモードに対する温度制
御を終了し、終了していない場合は再度プロセスモード
を確認した後(ステップA)、上述の手順を繰り返して
N2ガス加熱器の温度制御を行なう。
【0058】したがって、N2ガス供給源1から供給管
路2aにN2ガスが供給されたか否かの状態に応じて、
予め記憶されたPID定数(制御定数)を選択してN2
ガス加熱器3を予備加熱あるいは加熱してN2ガスの温
度を最適状態にすることができる。
路2aにN2ガスが供給されたか否かの状態に応じて、
予め記憶されたPID定数(制御定数)を選択してN2
ガス加熱器3を予備加熱あるいは加熱してN2ガスの温
度を最適状態にすることができる。
【0059】なお、上述の説明においては、N2ガスフ
ローモード(ステップH,I)において、流量センサ4
1によって検出したN2ガスの流れの有無に基づいたP
ID定数(P21,I21,D21)のみをデータテー
ブルに予め記憶した場合の例を示したが、流量センサ4
1によって検出した流量負荷の大きさ、すなわちN2ガ
スの流量の大きさに応じて多段階的にPID定数を予め
記憶しておくことも可能である。これによって、データ
テーブルにはN2ガスの流量負荷の大きさに応じて採用
されるPID定数が予め記憶されているので、流量負荷
の大きさに応じて多段階的に高精度なPID定数を設定
選択することができ、選択したPID定数に基づいてN
2ガス加熱器3を高精度に制御することができ、N2ガ
スの温度を最適状態に高精度に制御することができる。
ローモード(ステップH,I)において、流量センサ4
1によって検出したN2ガスの流れの有無に基づいたP
ID定数(P21,I21,D21)のみをデータテー
ブルに予め記憶した場合の例を示したが、流量センサ4
1によって検出した流量負荷の大きさ、すなわちN2ガ
スの流量の大きさに応じて多段階的にPID定数を予め
記憶しておくことも可能である。これによって、データ
テーブルにはN2ガスの流量負荷の大きさに応じて採用
されるPID定数が予め記憶されているので、流量負荷
の大きさに応じて多段階的に高精度なPID定数を設定
選択することができ、選択したPID定数に基づいてN
2ガス加熱器3を高精度に制御することができ、N2ガ
スの温度を最適状態に高精度に制御することができる。
【0060】☆蒸気発生器の温度制御
図7に示すように、まず、蒸気発生器5におけるN2ガ
ス及びIPAの流量や供給タイミング等をセットしたプ
ロセスモードを確認した後(ステップA)、流量センサ
41によってN2ガスは流れているか否かを確認する
(ステップB)。N2ガスが流れていない場合は、CP
U40からの制御信号によってヒートアップモードにし
(ステップC)、予めオートチューニングにより得たP
ID定数(P12,I12,D12)に基づいて蒸気発
生器5のヒータ25,26をヒートアップモードに対す
る温度制御を行なう(ステップD,E)。このようにし
てプロセスモードが終了したか否かが判断され(ステッ
プF)、プロセスモード終了の場合はヒートアップモー
ドに対する温度制御を終了し、終了していない場合は再
度プロセスモードを確認する(ステップA)。
ス及びIPAの流量や供給タイミング等をセットしたプ
ロセスモードを確認した後(ステップA)、流量センサ
41によってN2ガスは流れているか否かを確認する
(ステップB)。N2ガスが流れていない場合は、CP
U40からの制御信号によってヒートアップモードにし
(ステップC)、予めオートチューニングにより得たP
ID定数(P12,I12,D12)に基づいて蒸気発
生器5のヒータ25,26をヒートアップモードに対す
る温度制御を行なう(ステップD,E)。このようにし
てプロセスモードが終了したか否かが判断され(ステッ
プF)、プロセスモード終了の場合はヒートアップモー
ドに対する温度制御を終了し、終了していない場合は再
度プロセスモードを確認する(ステップA)。
【0061】一方、供給管路2aにN2ガスが流れてい
る場合は、次に、IPA供給ポンプ43の駆動の有無に
よってIPAが供給されているか否かが判断され(ステ
ップG)、IPAが供給されていない場合は、CPU4
0からの制御信号によってN2ガスフローモードとなり
(ステップH)、予めオートチューニングにより得たP
ID定数(P22,I22,D22)に基づいてN2ガ
スが通過する蒸気発生器5のヒータ25,26をN2ガ
スフローモードに対する温度制御を行なう(ステップ
I,J)。このようにしてプロセスモードが終了したか
否かが判断され(ステップK)、プロセスモード終了の
場合は加熱を終了し、終了していない場合は再度プロセ
スモードを確認する(ステップA)。
る場合は、次に、IPA供給ポンプ43の駆動の有無に
よってIPAが供給されているか否かが判断され(ステ
ップG)、IPAが供給されていない場合は、CPU4
0からの制御信号によってN2ガスフローモードとなり
(ステップH)、予めオートチューニングにより得たP
ID定数(P22,I22,D22)に基づいてN2ガ
スが通過する蒸気発生器5のヒータ25,26をN2ガ
スフローモードに対する温度制御を行なう(ステップ
I,J)。このようにしてプロセスモードが終了したか
否かが判断され(ステップK)、プロセスモード終了の
場合は加熱を終了し、終了していない場合は再度プロセ
スモードを確認する(ステップA)。
【0062】更に、供給管路2cを介してIPAが流れ
ている場合は、CPU40からの制御信号によってN2
+IPAフローモードになり(ステップL)、予めオー
トチューニングにより得たPID定数(P32,I3
2,D32)に基づいて蒸気発生器5のヒータ25,2
6を加熱する(ステップM,N)。このようにしてプロ
セスモードが終了したか否かが判断され(ステップ
O)、プロセスモード終了の場合は加熱を終了し、終了
していない場合は再度プロセスモードを確認した後(ス
テップA)、上述の手順を繰り返して蒸気発生器5のヒ
ータ25,26のN2+IPAフローモードに対する温
度制御を行なう。
ている場合は、CPU40からの制御信号によってN2
+IPAフローモードになり(ステップL)、予めオー
トチューニングにより得たPID定数(P32,I3
2,D32)に基づいて蒸気発生器5のヒータ25,2
6を加熱する(ステップM,N)。このようにしてプロ
セスモードが終了したか否かが判断され(ステップ
O)、プロセスモード終了の場合は加熱を終了し、終了
していない場合は再度プロセスモードを確認した後(ス
テップA)、上述の手順を繰り返して蒸気発生器5のヒ
ータ25,26のN2+IPAフローモードに対する温
度制御を行なう。
【0063】したがって、N2ガス供給源1から供給管
路2aにN2ガスが供給されたか否かの状態、あるい
は、IPA供給源4から供給管路2cを介して蒸気発生
器5にIPAが供給されたか否かに応じて、予め記憶さ
れたPID定数(制御定数)を選択してN2ガス加熱器
3又は蒸気発生器5のヒータ25,26を温度制御して
N2ガスの温度及び乾燥ガスの温度を最適状態にするこ
とができる。
路2aにN2ガスが供給されたか否かの状態、あるい
は、IPA供給源4から供給管路2cを介して蒸気発生
器5にIPAが供給されたか否かに応じて、予め記憶さ
れたPID定数(制御定数)を選択してN2ガス加熱器
3又は蒸気発生器5のヒータ25,26を温度制御して
N2ガスの温度及び乾燥ガスの温度を最適状態にするこ
とができる。
【0064】なお、上述の説明においては、N2+IP
Aフローモード(ステップL)において、流量センサ4
1によって検出したN2ガスの流れの有無とIPA供給
ポンプ43の駆動の有無とに基づいたPID定数(P3
2,I32,D32)のみをデータテーブルに予め記憶
した場合の例を示したが、N2ガスの流量の大きさとI
PA供給量の大きさとに応じて多段階的にPID定数を
予め記憶しておくことも可能である。これによって、デ
ータテーブルにはN2ガスの流量負荷の大きさとIPA
供給量の大きさとに応じて採用されるPID定数が予め
記憶されているので、N2ガス及びIPAの流量負荷の
大きさに応じて多段階的に高精度なPID定数を設定選
択することができ、選択したPID定数に基づいて蒸気
発生器5のヒータ25,26を高精度に制御することが
でき、N2ガスの温度及び乾燥ガスの温度を最適状態に
高精度に制御することができる。
Aフローモード(ステップL)において、流量センサ4
1によって検出したN2ガスの流れの有無とIPA供給
ポンプ43の駆動の有無とに基づいたPID定数(P3
2,I32,D32)のみをデータテーブルに予め記憶
した場合の例を示したが、N2ガスの流量の大きさとI
PA供給量の大きさとに応じて多段階的にPID定数を
予め記憶しておくことも可能である。これによって、デ
ータテーブルにはN2ガスの流量負荷の大きさとIPA
供給量の大きさとに応じて採用されるPID定数が予め
記憶されているので、N2ガス及びIPAの流量負荷の
大きさに応じて多段階的に高精度なPID定数を設定選
択することができ、選択したPID定数に基づいて蒸気
発生器5のヒータ25,26を高精度に制御することが
でき、N2ガスの温度及び乾燥ガスの温度を最適状態に
高精度に制御することができる。
【0065】☆乾燥ガスの温度制御
図8に示すように、まず、蒸気発生器5におけるN2ガ
ス及びIPAの流量や供給タイミング等をセットしたプ
ロセスモードを確認した後(ステップA)、流量センサ
41によってN2ガスは流れているか否かを確認する
(ステップB)。N2ガスが流れていない場合は、CP
U40からの制御信号によってヒートアップモードにし
(ステップC)、予めオートチューニングにより得たP
ID定数(P13,I13,D13)に基づいて保温ヒ
ータ62をヒートアップモードに対する温度制御を行な
う(ステップD,E)。このようにしてプロセスモード
が終了したか否かが判断され(ステップF)、プロセス
モード終了の場合はヒートアップモードに対する温度制
御を終了し、終了していない場合は再度プロセスモード
を確認する(ステップA)。
ス及びIPAの流量や供給タイミング等をセットしたプ
ロセスモードを確認した後(ステップA)、流量センサ
41によってN2ガスは流れているか否かを確認する
(ステップB)。N2ガスが流れていない場合は、CP
U40からの制御信号によってヒートアップモードにし
(ステップC)、予めオートチューニングにより得たP
ID定数(P13,I13,D13)に基づいて保温ヒ
ータ62をヒートアップモードに対する温度制御を行な
う(ステップD,E)。このようにしてプロセスモード
が終了したか否かが判断され(ステップF)、プロセス
モード終了の場合はヒートアップモードに対する温度制
御を終了し、終了していない場合は再度プロセスモード
を確認する(ステップA)。
【0066】一方、供給管路2aにN2ガスが流れてい
る場合は、次に、IPA供給ポンプ43の駆動の有無に
よってIPAが供給されているか否かが判断され(ステ
ップG)、IPAが供給されていない場合は、CPU4
0からの制御信号によってN2ガスフローモードとなり
(ステップH)、予めオートチューニングにより得たP
ID定数(P23,I23,D23)に基づいてN2ガ
スが通過する保温ヒータ62をN2ガスフローモードに
対する温度制御を行なう(ステップI,J)。このよう
にしてプロセスモードが終了したか否かが判断され(ス
テップK)、プロセスモード終了の場合はN2ガスフロ
ーモードに対する温度制御を終了し、終了していない場
合は再度プロセスモードを確認する(ステップA)。
る場合は、次に、IPA供給ポンプ43の駆動の有無に
よってIPAが供給されているか否かが判断され(ステ
ップG)、IPAが供給されていない場合は、CPU4
0からの制御信号によってN2ガスフローモードとなり
(ステップH)、予めオートチューニングにより得たP
ID定数(P23,I23,D23)に基づいてN2ガ
スが通過する保温ヒータ62をN2ガスフローモードに
対する温度制御を行なう(ステップI,J)。このよう
にしてプロセスモードが終了したか否かが判断され(ス
テップK)、プロセスモード終了の場合はN2ガスフロ
ーモードに対する温度制御を終了し、終了していない場
合は再度プロセスモードを確認する(ステップA)。
【0067】更に、供給管路2cを介してIPAが流れ
ている場合は、流量センサ42によって乾燥ガス(N2
+IPA)の通過が検知されてCPU40からの制御信
号によってN2+IPAフローモードになり(ステップ
L)、予めオートチューニングにより得たPID定数
(P33,I33,D33)に基づいて保温ヒータ62
をN2+IPAフローモードに対する温度制御を行なう
(ステップM,N)。このようにしてプロセスモードが
終了したか否かが判断され(ステップO)、プロセスモ
ード終了の場合はN2+IPAフローモードに対する温
度制御を終了し、終了していない場合は再度プロセスモ
ードを確認した後(ステップA)、上述の手順を繰り返
して保温ヒータ62の温度制御を行なう。
ている場合は、流量センサ42によって乾燥ガス(N2
+IPA)の通過が検知されてCPU40からの制御信
号によってN2+IPAフローモードになり(ステップ
L)、予めオートチューニングにより得たPID定数
(P33,I33,D33)に基づいて保温ヒータ62
をN2+IPAフローモードに対する温度制御を行なう
(ステップM,N)。このようにしてプロセスモードが
終了したか否かが判断され(ステップO)、プロセスモ
ード終了の場合はN2+IPAフローモードに対する温
度制御を終了し、終了していない場合は再度プロセスモ
ードを確認した後(ステップA)、上述の手順を繰り返
して保温ヒータ62の温度制御を行なう。
【0068】したがって、N2ガス供給源1から供給管
路2aにN2ガスが供給されたか否かの状態、IPA供
給源4から供給管路2cを介して蒸気発生器5にIPA
が供給されたか否かの状態、あるいは、供給管路2dを
乾燥ガスが流れているか否かの状態に応じて、予め記憶
されたPID定数(制御定数)を選択してN2ガス加熱
器3の温度制御、また蒸気発生器5のヒータ25,26
の温度制御、あるいは保温ヒータ62を温度制御してN
2ガスの温度及び乾燥ガスの温度を最適状態にすること
ができる。
路2aにN2ガスが供給されたか否かの状態、IPA供
給源4から供給管路2cを介して蒸気発生器5にIPA
が供給されたか否かの状態、あるいは、供給管路2dを
乾燥ガスが流れているか否かの状態に応じて、予め記憶
されたPID定数(制御定数)を選択してN2ガス加熱
器3の温度制御、また蒸気発生器5のヒータ25,26
の温度制御、あるいは保温ヒータ62を温度制御してN
2ガスの温度及び乾燥ガスの温度を最適状態にすること
ができる。
【0069】なお、上述の説明においては、N2+IP
Aフローモード(ステップL)において、流量センサ4
2によって乾燥ガス(N2+IPA)の通過の有無に基
づいたPID定数(P33,I33,D33)のみをデ
ータテーブルに予め記憶した場合の例を示したが、流量
センサ42によって乾燥ガス(N2+IPA)の通過流
量の大きさに応じて多段階的にPID定数を予め記憶し
ておくことも可能である。これによって、データテーブ
ルには乾燥ガス(N2+IPA)の通過流量の大きさに
応じて採用されるPID定数が予め記憶されているの
で、乾燥ガス(N2+IPA)の通過流量の大きさに応
じて多段階的に高精度なPID定数を設定選択すること
ができ、選択したPID定数に基づいて保温ヒータ62
を高精度に制御することができ、N2ガスの温度及び乾
燥ガスの温度を最適状態に高精度に制御することができ
る。
Aフローモード(ステップL)において、流量センサ4
2によって乾燥ガス(N2+IPA)の通過の有無に基
づいたPID定数(P33,I33,D33)のみをデ
ータテーブルに予め記憶した場合の例を示したが、流量
センサ42によって乾燥ガス(N2+IPA)の通過流
量の大きさに応じて多段階的にPID定数を予め記憶し
ておくことも可能である。これによって、データテーブ
ルには乾燥ガス(N2+IPA)の通過流量の大きさに
応じて採用されるPID定数が予め記憶されているの
で、乾燥ガス(N2+IPA)の通過流量の大きさに応
じて多段階的に高精度なPID定数を設定選択すること
ができ、選択したPID定数に基づいて保温ヒータ62
を高精度に制御することができ、N2ガスの温度及び乾
燥ガスの温度を最適状態に高精度に制御することができ
る。
【0070】◎第二実施形態
図9はこの発明に係るガス系の制御装置の第二実施形態
の概略構成図である。第二実施形態は、この発明に係る
ガス系の制御装置をエッチング装置の圧力制御に適用し
た場合である。
の概略構成図である。第二実施形態は、この発明に係る
ガス系の制御装置をエッチング装置の圧力制御に適用し
た場合である。
【0071】上記エッチング装置は、密閉可能な処理室
71を有する容器70と、この容器70に設けられたガ
ス導入部と異なる種類のガス供給源(図示せず)とを接
続するガス供給管路72a〜72cと、処理室71に設
けられた真空排気口に接続する排気管路73と、排気管
路73に接続する真空排気装置例えば真空ポンプ74と
を具備してなる。
71を有する容器70と、この容器70に設けられたガ
ス導入部と異なる種類のガス供給源(図示せず)とを接
続するガス供給管路72a〜72cと、処理室71に設
けられた真空排気口に接続する排気管路73と、排気管
路73に接続する真空排気装置例えば真空ポンプ74と
を具備してなる。
【0072】この場合、上記容器70内には処理室71
へのガスの供給を兼ねる上下方向に対峙する上部平板電
極75とサセプタを兼用する下部平板電極76が配置さ
れており、ウエハWを載置する下部平板電極76には高
周波電源77が接続され、上部平板電極75は容器70
を介して接地されている。
へのガスの供給を兼ねる上下方向に対峙する上部平板電
極75とサセプタを兼用する下部平板電極76が配置さ
れており、ウエハWを載置する下部平板電極76には高
周波電源77が接続され、上部平板電極75は容器70
を介して接地されている。
【0073】また、上記ガス供給管路72a〜72cに
は、それぞれ各種ガス流量を検知制御するマスフローコ
ントローラ78a〜78cとエアー操作開閉弁79a〜
79cが介設されており、マスフローコントローラ78
a〜78cにて検知制御された検知信号は制御手段例え
ばCPU40Aに伝達されるように構成されている。
は、それぞれ各種ガス流量を検知制御するマスフローコ
ントローラ78a〜78cとエアー操作開閉弁79a〜
79cが介設されており、マスフローコントローラ78
a〜78cにて検知制御された検知信号は制御手段例え
ばCPU40Aに伝達されるように構成されている。
【0074】一方、排気管路73の真空排気口側には、
処理室71内の圧力調整手段としてのコントロールバル
ブ80が介設されると共に、その下流側にターボ分子ポ
ンプ81が介設されている。この場合、コントロールバ
ルブ80はCPU40Aからの制御信号に基づいて開度
が調節されるように構成されている。
処理室71内の圧力調整手段としてのコントロールバル
ブ80が介設されると共に、その下流側にターボ分子ポ
ンプ81が介設されている。この場合、コントロールバ
ルブ80はCPU40Aからの制御信号に基づいて開度
が調節されるように構成されている。
【0075】また、上記容器70の側壁には処理室71
内を監視するための窓82が設けられており、この窓8
2の外側には、上記高周波電源77からの高周波電力の
印加によって発生するプラズマ発光の有無を検出するた
めのモノクロメータ83が配設され、このモノクロメー
タ83にて検知された検知信号がCPU40Aに伝達さ
れるように構成されている。また、容器70と排気管路
73におけるターボ分子ポンプ81と真空ポンプ74と
の間には、各部の圧力を測定するための圧力計84,8
5がそれぞれ設置されている。
内を監視するための窓82が設けられており、この窓8
2の外側には、上記高周波電源77からの高周波電力の
印加によって発生するプラズマ発光の有無を検出するた
めのモノクロメータ83が配設され、このモノクロメー
タ83にて検知された検知信号がCPU40Aに伝達さ
れるように構成されている。また、容器70と排気管路
73におけるターボ分子ポンプ81と真空ポンプ74と
の間には、各部の圧力を測定するための圧力計84,8
5がそれぞれ設置されている。
【0076】上記のように構成されるエッチング装置に
おいて、図示しない搬送手段によって下部平板電極76
上にウエハWを載置した後、CPU40Aからの制御信
号に基づいてコントロールバルブ80を調整すると共
に、真空ポンプを駆動して処理室71内を所定の減圧雰
囲気にし、そして、所定のガス供給源からガスを処理室
71内に供給する一方、高周波電源77から高周波電力
を印加して電極75,76間にプラズマ放電を発生さ
せ、この発生したプラズマ中のイオン,電子及び中性の
活性種によってウエハWのエッチングを行なう。
おいて、図示しない搬送手段によって下部平板電極76
上にウエハWを載置した後、CPU40Aからの制御信
号に基づいてコントロールバルブ80を調整すると共
に、真空ポンプを駆動して処理室71内を所定の減圧雰
囲気にし、そして、所定のガス供給源からガスを処理室
71内に供給する一方、高周波電源77から高周波電力
を印加して電極75,76間にプラズマ放電を発生さ
せ、この発生したプラズマ中のイオン,電子及び中性の
活性種によってウエハWのエッチングを行なう。
【0077】この際、各種ガスの流量やプラズマの点火
により処理室71内の圧力が変化する。したがって、こ
の発明では、CPU40Aに予め記憶された各ガスの流
量の有無による負荷に応じたPID定数(制御定数)を
選択してコントロールバルブ80を制御することによ
り、処理圧力を最適圧力に制御している。
により処理室71内の圧力が変化する。したがって、こ
の発明では、CPU40Aに予め記憶された各ガスの流
量の有無による負荷に応じたPID定数(制御定数)を
選択してコントロールバルブ80を制御することによ
り、処理圧力を最適圧力に制御している。
【0078】次に、第二実施形態の圧力制御の形態につ
いて、図10のフローチャートを参照して説明する。ま
ず、使用されるガスの種類や流量及び供給タイミング等
をセットしたプロセスモードを確認した後(ステップ
A)、マスフローコントローラ78a〜78cによって
ガスは流れているか否かを確認する(ステップB)。ガ
スが流れていない場合は、CPU40Aからの制御信号
によって真空到達モード(処理室71内のリークが正常
かどうかをチェックするモード。)にし(ステップ
C)、予めオートチューニングにより得たPID定数
(P1,I1,D1)に基づいてコントロールバルブ8
0の開度を調節する(ステップD,E)。このようにし
てプロセスモードが終了したか否かが判断され(ステッ
プF)、プロセスモード終了の場合はコントロールバル
ブ80の開度調節を終了し、終了していない場合は再度
プロセスモードを確認する(ステップA)。
いて、図10のフローチャートを参照して説明する。ま
ず、使用されるガスの種類や流量及び供給タイミング等
をセットしたプロセスモードを確認した後(ステップ
A)、マスフローコントローラ78a〜78cによって
ガスは流れているか否かを確認する(ステップB)。ガ
スが流れていない場合は、CPU40Aからの制御信号
によって真空到達モード(処理室71内のリークが正常
かどうかをチェックするモード。)にし(ステップ
C)、予めオートチューニングにより得たPID定数
(P1,I1,D1)に基づいてコントロールバルブ8
0の開度を調節する(ステップD,E)。このようにし
てプロセスモードが終了したか否かが判断され(ステッ
プF)、プロセスモード終了の場合はコントロールバル
ブ80の開度調節を終了し、終了していない場合は再度
プロセスモードを確認する(ステップA)。
【0079】一方、ガス供給管路72a〜72cにガス
が流れている場合は、次に、高周波電源77の高周波電
力の印加によってプラズマが発生されているか否かがモ
ノクロメータ83によって判断され(ステップG)、プ
ラズマ発生のない場合は、CPU40Aからの制御信号
によってガスフローモードとなり(ステップH)、予め
オートチューニングにより得たPID定数(P2,I
2,D2)に基づいてコントロールバルブ80の開度を
調節する(ステップI,J)。このようにしてプロセス
モードが終了したか否かが判断され(ステップK)、プ
ロセスモード終了の場合はコントロールバルブ80の開
度調節を終了し、終了していない場合は再度プロセスモ
ードを確認する(ステップA)。
が流れている場合は、次に、高周波電源77の高周波電
力の印加によってプラズマが発生されているか否かがモ
ノクロメータ83によって判断され(ステップG)、プ
ラズマ発生のない場合は、CPU40Aからの制御信号
によってガスフローモードとなり(ステップH)、予め
オートチューニングにより得たPID定数(P2,I
2,D2)に基づいてコントロールバルブ80の開度を
調節する(ステップI,J)。このようにしてプロセス
モードが終了したか否かが判断され(ステップK)、プ
ロセスモード終了の場合はコントロールバルブ80の開
度調節を終了し、終了していない場合は再度プロセスモ
ードを確認する(ステップA)。
【0080】更に、モノクロメータ83によってプラズ
マ発光が確認されてプラズマが発生している場合にはプ
ラズマモードになり(ステップL)、予めオートチュー
ニングにより得たPID定数(P3,I3,D3)に基
づいてコントロールバルブ80の開度を調節する(ステ
ップM,N)。このようにしてプロセスモードが終了し
たか否かが判断され(ステップO)、プロセスモード終
了の場合はコントロールバルブ80の開度調節を終了
し、終了していない場合は再度プロセスモードを確認し
た後(ステップA)、上述の手順を繰り返してコントロ
ールバルブ80の開度を調節する。
マ発光が確認されてプラズマが発生している場合にはプ
ラズマモードになり(ステップL)、予めオートチュー
ニングにより得たPID定数(P3,I3,D3)に基
づいてコントロールバルブ80の開度を調節する(ステ
ップM,N)。このようにしてプロセスモードが終了し
たか否かが判断され(ステップO)、プロセスモード終
了の場合はコントロールバルブ80の開度調節を終了
し、終了していない場合は再度プロセスモードを確認し
た後(ステップA)、上述の手順を繰り返してコントロ
ールバルブ80の開度を調節する。
【0081】したがって、ガス供給源から供給管路72
a〜72cを介して処理室71内にガスが供給されたか
否かの状態、あるいは、プラズマが発生しているか否か
の状態に応じて、予め記憶されたPID定数(制御定
数)を選択してコントロールバルブ80の開度を調節し
て処理室71内の処理圧力を最適状態にすることができ
る。
a〜72cを介して処理室71内にガスが供給されたか
否かの状態、あるいは、プラズマが発生しているか否か
の状態に応じて、予め記憶されたPID定数(制御定
数)を選択してコントロールバルブ80の開度を調節し
て処理室71内の処理圧力を最適状態にすることができ
る。
【0082】◎その他の実施形態
なお、上記第一実施形態では、この発明に係るガス系の
制御装置を半導体ウエハの洗浄処理システムに適用した
場合について説明したが、洗浄処理以外の処理システム
にも適用できることは勿論であり、また、半導体ウエハ
以外のLCD用ガラス基板等にも適用できることは勿論
である。
制御装置を半導体ウエハの洗浄処理システムに適用した
場合について説明したが、洗浄処理以外の処理システム
にも適用できることは勿論であり、また、半導体ウエハ
以外のLCD用ガラス基板等にも適用できることは勿論
である。
【0083】また、上記第二実施形態では、この発明に
係るガス系の制御装置をプラズマエッチング装置に適用
した場合について説明したが、プラズマ処理以外のエッ
チング装置あるいは処理室内を所定の圧力に制御して各
種ガスを供給して処理する装置例えばCVD装置やスパ
ッタ装置等にも適用できることは勿論である。
係るガス系の制御装置をプラズマエッチング装置に適用
した場合について説明したが、プラズマ処理以外のエッ
チング装置あるいは処理室内を所定の圧力に制御して各
種ガスを供給して処理する装置例えばCVD装置やスパ
ッタ装置等にも適用できることは勿論である。
【0084】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、以下のような優れた効果が得られる。
ば、以下のような優れた効果が得られる。
【0085】1)請求項1,14記載の発明によれば、
ガス系に含まれる所定ガスの流れの有無に応じて、対応
する制御モードを複数の制御モードの中から定め、複数
の制御モードの各々の制御モード毎に、採用する制御定
数を予めデータテーブルに記憶しておき、所定ガスの流
量負荷を検出し、所定ガスの流量負荷の検出結果に基づ
き、対応する制御モードを複数の制御モードから選択
し、選択した制御モードにおける制御定数をデータテー
ブルから選択し、選択した制御定数に基づいて、ガス加
熱手段を制御するので、各状態のガスの温度を最適状態
に制御することができる。
ガス系に含まれる所定ガスの流れの有無に応じて、対応
する制御モードを複数の制御モードの中から定め、複数
の制御モードの各々の制御モード毎に、採用する制御定
数を予めデータテーブルに記憶しておき、所定ガスの流
量負荷を検出し、所定ガスの流量負荷の検出結果に基づ
き、対応する制御モードを複数の制御モードから選択
し、選択した制御モードにおける制御定数をデータテー
ブルから選択し、選択した制御定数に基づいて、ガス加
熱手段を制御するので、各状態のガスの温度を最適状態
に制御することができる。
【0086】2)請求項4,15記載の発明によれば、
所定ガスと所定流体とを含む混合流体がガス系に含ま
れ、所定ガスと上記所定流体との各々の流れの有無に応
じて、対応する制御モードを複数の制御モードの中から
定め、複数の制御モードの各々の制御モード毎に、採用
する制御定数を予めデータテーブルに記憶しておき、所
定ガスの流量負荷を検出し、所定ガスの流量負荷の検出
結果に基づき、対応する制御モードを複数の制御モード
から選択し、選択した制御モードにおける制御定数をデ
ータテーブルから選択し、所定流体の流量負荷を検出
し、所定ガスの流量負荷の検出結果と混合流体の流量負
荷の検出結果とに基づき、対応する制御モードを複数の
制御モードから選択し、選択した制御モードにおける制
御定数をデータテーブルから選択し、選択した制御定数
に基づいて、混合流体を加熱するための加熱手段を制御
するので、各状態の単独のガス及び混合流体の温度を最
適状態に制御することができる。
所定ガスと所定流体とを含む混合流体がガス系に含ま
れ、所定ガスと上記所定流体との各々の流れの有無に応
じて、対応する制御モードを複数の制御モードの中から
定め、複数の制御モードの各々の制御モード毎に、採用
する制御定数を予めデータテーブルに記憶しておき、所
定ガスの流量負荷を検出し、所定ガスの流量負荷の検出
結果に基づき、対応する制御モードを複数の制御モード
から選択し、選択した制御モードにおける制御定数をデ
ータテーブルから選択し、所定流体の流量負荷を検出
し、所定ガスの流量負荷の検出結果と混合流体の流量負
荷の検出結果とに基づき、対応する制御モードを複数の
制御モードから選択し、選択した制御モードにおける制
御定数をデータテーブルから選択し、選択した制御定数
に基づいて、混合流体を加熱するための加熱手段を制御
するので、各状態の単独のガス及び混合流体の温度を最
適状態に制御することができる。
【0087】3)請求項5記載の発明によれば、ガスの
流れが無いと判断される場合に、予め記憶された制御定
数を選択してガス加熱手段を予め加熱制御することによ
り、その後流れるガスを即座に最適温度に制御すること
ができ、処理の効率の向上を図ることができる。また、
流体の流れが無いと判断される場合に、予め記憶された
制御定数を選択してガス加熱手段を温度制御することに
より、各状態に対応した温度制御を実現することができ
る(請求項6)。また、ガスの流れが有り、流体の流れ
が有ると判断される場合に、予め記憶された制御定数を
選択して混合流体の加熱手段を制御することにより、各
状態に対応した温度制御を実施することができる(請求
項7)。また、ガスの流れが有ると判断される場合に、
検知された流量負荷の大きさに応じて制御定数を選択し
てガス加熱手段を制御することにより、ガス系の温度を
最適状態に高精度に制御することができる(請求項
8)。また、ガスの流れが有り、流体の流れが有ると判
断される場合に、ガスの流量負荷の大きさと、流体の流
量負荷の大きさに応じて制御定数を選択して混合流体の
加熱手段を制御することにより、多段階的に高精度な制
御定数を選択することができ、ガス系の温度を最適状態
に高精度に制御することができる(請求項9)。
流れが無いと判断される場合に、予め記憶された制御定
数を選択してガス加熱手段を予め加熱制御することによ
り、その後流れるガスを即座に最適温度に制御すること
ができ、処理の効率の向上を図ることができる。また、
流体の流れが無いと判断される場合に、予め記憶された
制御定数を選択してガス加熱手段を温度制御することに
より、各状態に対応した温度制御を実現することができ
る(請求項6)。また、ガスの流れが有り、流体の流れ
が有ると判断される場合に、予め記憶された制御定数を
選択して混合流体の加熱手段を制御することにより、各
状態に対応した温度制御を実施することができる(請求
項7)。また、ガスの流れが有ると判断される場合に、
検知された流量負荷の大きさに応じて制御定数を選択し
てガス加熱手段を制御することにより、ガス系の温度を
最適状態に高精度に制御することができる(請求項
8)。また、ガスの流れが有り、流体の流れが有ると判
断される場合に、ガスの流量負荷の大きさと、流体の流
量負荷の大きさに応じて制御定数を選択して混合流体の
加熱手段を制御することにより、多段階的に高精度な制
御定数を選択することができ、ガス系の温度を最適状態
に高精度に制御することができる(請求項9)。
【0088】4)請求項10,12,13記載の発明に
よれば、所定のガスの流れの有無による流量負荷に応じ
た制御定数を予め制御手段に記憶しておき、ガス負荷検
知手段によってガスの流れの有無による流量負荷を検出
し、その検知信号を制御手段に伝達すると共に、制御手
段からの検知信号に基づいて制御定数を選択して圧力調
整手段を制御するので、各状態のガスの圧力を最適状態
に制御することができる。
よれば、所定のガスの流れの有無による流量負荷に応じ
た制御定数を予め制御手段に記憶しておき、ガス負荷検
知手段によってガスの流れの有無による流量負荷を検出
し、その検知信号を制御手段に伝達すると共に、制御手
段からの検知信号に基づいて制御定数を選択して圧力調
整手段を制御するので、各状態のガスの圧力を最適状態
に制御することができる。
【図1】この発明に係るガス系の制御装置の第一実施形
態を示す概略構成図である。
態を示す概略構成図である。
【図2】第一実施形態におけるキャリアガス加熱器の断
面図(a)及びその要部の一部断面図(b)である。
面図(a)及びその要部の一部断面図(b)である。
【図3】第一実施形態における蒸気発生器の一例を示す
断面図である。
断面図である。
【図4】第一実施形態における流量制御手段及びその制
御弁の一例を示す断面図である。
御弁の一例を示す断面図である。
【図5】第一実施形態における処理室を示す概略断面図
である。
である。
【図6】第一実施形態におけるキャリアガス加熱器の温
度制御方法を示すフローチャートである。
度制御方法を示すフローチャートである。
【図7】第一実施形態における蒸気発生器の温度制御方
法を示すフローチャートである。
法を示すフローチャートである。
【図8】第一実施形態における乾燥ガス供給部の温度制
御を示すフローチャートである。
御を示すフローチャートである。
【図9】この発明に係るガス系の制御装置の第二実施形
態を示す概略構成図である。
態を示す概略構成図である。
【図10】第二実施形態における圧力制御方法を示すフ
ローチャートである。
ローチャートである。
【図11】図1に示したガス系の制御装置の別の例を示
す概略構成図である。
す概略構成図である。
【図12】この発明における蒸気発生装置のヒータの別
の例を示す断面図(a)及びその要部の一部断面図
(b)である。
の例を示す断面図(a)及びその要部の一部断面図
(b)である。
W 半導体ウエハ
2a〜2d 供給管路
3 N2ガス加熱器(ガス加熱手段)
5 蒸気発生器(混合ガス発生手段)
6 乾燥処理室
14 カートリッジヒータ(加熱手段)
25 内筒ヒータ(混合ガス加熱手段)
26 外筒ヒータ(混合ガス加熱手段)
40,40A CPU(制御手段)
41,42 流量センサ(ガス負荷検知手段)
43 IPA供給ポンプ(流体負荷検知手段)
62 保温ヒータ(加熱手段)
71 処理室
72a〜72c ガス供給管路
73 排気管路
78a〜78c マスフローコントローラ(ガス負荷検
知手段) 80 コントロールバルブ(圧力調整手段) 146 カートリッジヒータ(加熱手段)
知手段) 80 コントロールバルブ(圧力調整手段) 146 カートリッジヒータ(加熱手段)
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 千葉 康広
宮城県仙台市青葉区堤町一丁目12番1号
株式会社本山製作所内
(56)参考文献 特開 平5−77035(JP,A)
特開 平5−346806(JP,A)
特開 平2−39309(JP,A)
(58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名)
G05D 16/00 - 16/20
G05D 23/00 - 23/32
G05B 11/00 - 13/04
Claims (16)
- 【請求項1】 複数の制御モードを有するガス系の制御
方法であって、 上記ガス系に含まれる所定ガスの流れの有無に応じて、
対応する制御モードを上記複数の制御モードの中から定
め、 上記複数の制御モードの各々の制御モード毎に、採用す
る制御定数を予めデータテーブルに記憶しておき、 上記所定ガスの流量負荷を検出し、 上記所定ガスの流量負荷の検出結果に基づき、対応する
制御モードを上記複数の制御モードから選択し、選択し
た制御モードにおける上記制御定数を上記データテーブ
ルから選択し、 選択した制御定数に基づいて、上記所定ガスを加熱する
ためのガス加熱手段を制御する、ことを特徴とするガス
系の制御方法。 - 【請求項2】 請求項1記載のガス系の制御方法におい
て、 上記所定ガスの流量負荷の検知信号に基づき、上記所定
ガスの流れが無いと判断される 場合に、予め記憶された制御定数を選択して所定ガスを
加熱するためのガス加熱手段を予め加熱制御することを
特徴とするガス系の制御方法。 - 【請求項3】 請求項1記載のガス系の制御方法におい
て、 上記所定ガスの流量負荷の検知信号に基づき、上記所定
ガスの流れが有ると判断される場合に、予め記憶された
制御定数を選択して所定ガスを加熱するためのガス加熱
手段を制御することを特徴とするガス系の制御方法。 - 【請求項4】 複数の制御モードを有するガス系の制御
方法であって、 所定ガスと所定流体とを含む混合流体が上記ガス系に含
まれ、上記所定ガスと上記所定流体との各々の流れの有
無に応じて、対応する制御モードを上記複数の制御モー
ドの中から定め、 上記複数の制御モードの各々の制御モード毎に、採用す
る制御定数を予めデータテーブルに記憶しておき、 上記所定ガスの流量負荷を検出し、 上記所定ガスの流量負荷の検出結果に基づき、対応する
制御モードを上記複数の制御モードから選択し、選択し
た制御モードにおける上記制御定数を上記データテーブ
ルから選択し、 上記所定流体の流量負荷を検出し、 上記所定ガスの流量負荷の検出結果と上記混合流体の流
量負荷の検出結果とに基づき、対応する制御モードを上
記複数の制御モードから選択し、選択した制御モードに
おける上記制御定数を上記データテーブルから選択し、 選択した制御定数に基づいて、上記混合流体を加熱する
ための加熱手段を制御する、 ことを特徴とするガス系の制御方法。 - 【請求項5】 請求項4記載のガス系の制御方法におい
て、 上記所定ガスの流量負荷の検知信号に基づき、上記所定
ガスの流れが無いと判断される 場合に、予め記憶された制御定数を選択して所定ガスを
加熱するためのガス加熱手段を予め加熱制御することを
特徴とするガス系の制御方法。 - 【請求項6】 請求項4記載のガス系の制御方法におい
て、 上記所定ガスの流量負荷の検知信号と上記混合流体の流
量負荷の検知信号に基づき、上記所定ガスの流れが有
り、上記所定流体の流れが無いと判断される場合に、予
め記憶された制御定数を選択して上記所定ガスを加熱す
るためのガス加熱手段を制御することを特徴とするガス
系の制御方法。 - 【請求項7】 請求項4記載のガス系制御方法におい
て、 上記所定ガスの流量負荷の検知信号と上記混合流体の流
量負荷の検知信号に基づき 、上記所定ガスの流れが有り、上記所定流体の流れが有
ると判断される場合に、予め記憶された制御定数を選択
して混合流体を加熱するための加熱手段を制御すること
を特徴とするガス系の制御方法。 - 【請求項8】 請求項4記載のガス系の制御方法におい
て、 上記所定ガスの流量負荷の検知信号に基づき、上記所定
ガスの流れが有ると判断される場合に、検知された上記
流量負荷の大きさに応じて制御定数を選択して上記所定
ガスを加熱するためのガス加熱手段を制御することを特
徴とするガス系の制御方法。 - 【請求項9】 請求項4記載のガス系の制御方法におい
て、 上記所定ガスの流量負荷の検知信号と、上記混合流体の
流量負荷の検知信号に基づき、上記所定ガスの流れが有
り、上記所定流体の流れが有ると判断される場合に、検
知された上記所定ガスの上記流量負荷の大きさと、上記
所定流体の上記流量負荷の大きさに応じて制御定数を選
択して上記混合流体を加熱するための加熱手段を制御す
ることを特徴とするガス系の制御方法。 - 【請求項10】 複数の制御モードを有するガス系の制
御方法であって、 処理室に供給される所定ガスの流れの有無に応じて、対
応する制御モードを上記複数の制御モードの中から定
め、 上記複数の制御モードの各々の制御モード毎に、採用す
る制御定数を予めデータテーブルに記憶しておき、 上記所定ガスの流量負荷を検出し、 上記所定ガスの流量負荷の検出結果に基づき、対応する
制御モードを上記複数の制御モードから選択し、選択し
た制御モードにおける上記制御定数を上記データテーブ
ルから選択し、 選択した制御定数に基づいて、上記処理室の圧力を調整
する圧力調整手段を制御する、ことを特徴とするガス系
の制御方法。 - 【請求項11】 請求項10記載のガス系の制御方法に
おいて、 上記所定ガスが異なる流量又は異なる種類の複数のガス
を含むことを特徴とするガス系の制御方法。 - 【請求項12】 請求項10記載のガス系の制御方法に
おいて、 上記所定ガスの上記流量負荷の検知信号に基づき、上記
所定ガスの流れが有ると判断される場合に、検知された
上記流量負荷の大きさに応じて制御定数を選択して圧力
調整手段を制御することを特徴とするガス系の制御方
法。 - 【請求項13】 請求項10記載のガス系の制御方法に
おいて、 上記所定ガスの上記流量負荷の検知信号に基づき、上記
所定ガスの流れが無いと判断される場合に、予め記憶さ
れた制御定数を選択して処理室を所定真空度へ到達させ
るようにすることを特徴とするガス系の制御方法。 - 【請求項14】 複数の制御モードを有するガス系の制
御装置であって、 処理室内に所定のガスを供給する供給管路と、 上記供給管路に介設されて上記所定ガスを加熱するガス
加熱手段と、 上記供給管路に介設されて上記所定ガスの流量負荷を検
知するガス負荷検知手段と、上記所定ガスの流れの有無に応じて、対応する制御モー
ドを上記複数の制御モードの中から定め、上記複数の制
御モードの各々の制御モード毎に、採用する制御定数を
予め記憶したデータテーブルと、 上記ガス負荷検知手段によって検出した上記所定ガスの
流量負荷の検出結果に基づき、対応する制御モードを上
記複数の制御モードから選択し、選択した制御モードに
おける上記制御定数を上記データテーブルから選択し、
選択した制御定数に基づいて、上記所定ガスを所定温度
に制御するために上記ガス加熱手段を制御する制御手段
と、 を具備する ことを特徴とするガス系の制御装置。 - 【請求項15】 複数の制御モードを有するガス系の制
御装置であって、 処理室内に所定のガスを供給する供給管路と、 上記供給管路に介設されて上記所定ガスを加熱するガス
加熱手段と、 上記供給管路に配設されて上記所定ガスと所定流体とを
混合し混合ガスを生成する混合ガス発生手段と、 上記混合ガス発生手段内に設けられて上記混合ガスを加
熱する混合ガス加熱手段と、 上記混合ガス発生手段と上記所定流体の流体供給源とを
接続する流体供給管路と、 上記供給管路に介設されて上記所定ガスの流量負荷を検
知するガス負荷検知手段と、 上記流体供給管路に介設されて上記所定流体の流量負荷
を検知する流体負荷検知手段と、上記所定ガスの流れの有無と上記所定流体の流れの有無
に応じて、対応する制御モードを上記複数の制御モード
の中から定め、上記複数の制御モードの各々の制御モー
ド毎に、採用する制御定数を予め記憶したデータテーブ
ルと、 上記ガス負荷検知手段によって検出した上記所定ガスの
流量負荷の検出結果と上記流体負荷検知手段によって検
出した上記所定流体の流量負荷の検出結果とに基づき、
対応する制御モードを上記複数の制御モードから選択
し、選択した制御モードにおける上記制御定数を上記デ
ータテーブルから選択し、選択した制御定数に基づい
て、上記所定ガスを所定温度に制御するために上記ガス
加熱手段と上記混合ガス加熱手段とを制御する制御手段
と、を具備する ことを特徴とするガス系の制御装置。 - 【請求項16】 請求項15記載のガス系の制御装置に
おいて、 上記所定ガスが不活性ガスからなるキャリアガスであ
り、上記所定流体が揮発性を有する有機溶剤であること
を特徴とするガス系の制御装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21366798A JP3470218B2 (ja) | 1997-08-12 | 1998-07-29 | ガス系の制御方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23026097 | 1997-08-12 | ||
JP9-230260 | 1997-08-12 | ||
JP21366798A JP3470218B2 (ja) | 1997-08-12 | 1998-07-29 | ガス系の制御方法及びその装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003196469A Division JP3751012B2 (ja) | 1997-08-12 | 2003-07-14 | 半導体プラズマ装置における圧力系の制御方法及びその装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11154026A JPH11154026A (ja) | 1999-06-08 |
JP3470218B2 true JP3470218B2 (ja) | 2003-11-25 |
Family
ID=26519933
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21366798A Expired - Fee Related JP3470218B2 (ja) | 1997-08-12 | 1998-07-29 | ガス系の制御方法及びその装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3470218B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002086631A1 (en) * | 2001-04-17 | 2002-10-31 | Tokyo Electron Limited | Control method and control apparatus |
JP4762835B2 (ja) | 2006-09-07 | 2011-08-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置、プログラムおよびプログラム記録媒体 |
US20080216901A1 (en) * | 2007-03-06 | 2008-09-11 | Mks Instruments, Inc. | Pressure control for vacuum processing system |
JP5844633B2 (ja) * | 2011-12-21 | 2016-01-20 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
-
1998
- 1998-07-29 JP JP21366798A patent/JP3470218B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11154026A (ja) | 1999-06-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6167323A (en) | Method and system for controlling gas system | |
KR100483310B1 (ko) | 건조처리방법및그장치 | |
TWI675937B (zh) | 基板處理裝置、氣體供給方法、基板處理方法及成膜方法 | |
US20210216088A1 (en) | Gas supply system and gas supply method | |
US7604042B2 (en) | Cooling mechanism with coolant, and treatment device with cooling mechanism | |
US6532796B1 (en) | Method of substrate temperature control and method of assessing substrate temperature controllability | |
US6157774A (en) | Vapor generating method and apparatus using same | |
US6047713A (en) | Method for cleaning a throttle valve | |
JP2006287228A (ja) | セルフクリーニングが可能な半導体処理装置 | |
US10607819B2 (en) | Cleaning method and processing apparatus | |
JPH09172001A (ja) | 半導体製造装置の温度制御方法および装置 | |
US20040007186A1 (en) | Heat-treating device | |
JP3470218B2 (ja) | ガス系の制御方法及びその装置 | |
US6170492B1 (en) | Cleaning process end point determination using throttle valve position | |
JPH11110050A (ja) | 圧力及び流量の制御方法並びにその装置 | |
JP3751012B2 (ja) | 半導体プラズマ装置における圧力系の制御方法及びその装置 | |
KR20050037642A (ko) | 반도체 제조설비의 진공누설 검출장치 | |
TWI780354B (zh) | 基板處理裝置 | |
US20010052359A1 (en) | Method of substrate temperature control and method of assessing substrate temperature controllability | |
US20200176338A1 (en) | Method of monitoring light emission, substrate processing method, and substrate processing apparatus | |
KR101886763B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
US6217660B1 (en) | Method for cleaning a throttle valve and apparatus | |
JP7329130B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US20240203696A1 (en) | Substrate processing device and substrate processing method | |
KR20210024141A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030818 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080912 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |