JPH1076206A - 薄膜形成装置 - Google Patents
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- JPH1076206A JPH1076206A JP8249229A JP24922996A JPH1076206A JP H1076206 A JPH1076206 A JP H1076206A JP 8249229 A JP8249229 A JP 8249229A JP 24922996 A JP24922996 A JP 24922996A JP H1076206 A JPH1076206 A JP H1076206A
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
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- B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3042—Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板にそりが発生した場合でも、均一な厚さ
の薄膜を形成できる薄膜形装置を提供することにある。 【解決手段】 半導体基板２をその幅方向両側縁部を搬
送ローラ群５により支持しつつ直線的に搬送し、これに
より構成される搬送路の途中に基板２の幅方向に亘って
液処理用支持ローラ８を設ける。そして、液処理用支持
ローラ８に支持された基板２を、液処理用支持ローラ８
の周面に設けた吸引孔１１を介して内部から吸引しつ
つ、その基板２上に処理液供給ノズル３から処理液４を
帯状に吐出する。
の薄膜を形成できる薄膜形装置を提供することにある。 【解決手段】 半導体基板２をその幅方向両側縁部を搬
送ローラ群５により支持しつつ直線的に搬送し、これに
より構成される搬送路の途中に基板２の幅方向に亘って
液処理用支持ローラ８を設ける。そして、液処理用支持
ローラ８に支持された基板２を、液処理用支持ローラ８
の周面に設けた吸引孔１１を介して内部から吸引しつ
つ、その基板２上に処理液供給ノズル３から処理液４を
帯状に吐出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば現像液の
ような処理液の膜を、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板
等のような被処理体上やこの上に形成された層の上に形
成するための薄膜形成装置に関するものである。
ような処理液の膜を、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板
等のような被処理体上やこの上に形成された層の上に形
成するための薄膜形成装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウエハのような被処理体に
衝撃を与えたり、気泡を発生させることなく、短時間で
迅速に所定の液体を被処理体に供給することができ、少
量の液体で効率良く処理を実施できることが望まれてい
る。
衝撃を与えたり、気泡を発生させることなく、短時間で
迅速に所定の液体を被処理体に供給することができ、少
量の液体で効率良く処理を実施できることが望まれてい
る。
【０００３】このような要請に応えるものとして、半導
体ウエハを保持するスピンチャック上部に設けられる液
体供給ノズルであって、矩形容器状の液体収容部の底部
に多数の細孔を設けた構成とし、現像液がこの多数の細
孔からにじみ出るようにして現像液を半導体ウエハに供
給するものが知られている（特開平５−５５１３３号公
報）。
体ウエハを保持するスピンチャック上部に設けられる液
体供給ノズルであって、矩形容器状の液体収容部の底部
に多数の細孔を設けた構成とし、現像液がこの多数の細
孔からにじみ出るようにして現像液を半導体ウエハに供
給するものが知られている（特開平５−５５１３３号公
報）。
【０００４】また、液体ノズル内に設けられた液溜部か
ら複数の細管を介して帯状の吐出部に液体を供給し、上
記帯状の吐出部から帯状の液体が流出されるように構成
した帯状液体ノズルも知られている（特開平４−１２４
８１２号公報）。
ら複数の細管を介して帯状の吐出部に液体を供給し、上
記帯状の吐出部から帯状の液体が流出されるように構成
した帯状液体ノズルも知られている（特開平４−１２４
８１２号公報）。
【０００５】更に、静止状態において、現像液供給ノズ
ルから少量の現像液を供給して現像液供給ノズルの直下
における半導体ウエハ表面に液膜を形成した後、現像液
供給ノズルから所定の液膜厚に必要な量の現像液を供給
すると共に、現像液供給ノズルと半導体ウエハを相対移
動して半導体ウエハ表面に所定厚の液膜を形成する処理
方法も知られている（特開平７−３２６５５４号公
報）。
ルから少量の現像液を供給して現像液供給ノズルの直下
における半導体ウエハ表面に液膜を形成した後、現像液
供給ノズルから所定の液膜厚に必要な量の現像液を供給
すると共に、現像液供給ノズルと半導体ウエハを相対移
動して半導体ウエハ表面に所定厚の液膜を形成する処理
方法も知られている（特開平７−３２６５５４号公
報）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、処理液供給
ノズルと半導体基板とを相対移動して半導体基板表面に
所定厚の液膜を形成するためには、相対移動する間、処
理液供給ノズルと基板の位置関係が正しく保持されてい
る必要がある。
ノズルと半導体基板とを相対移動して半導体基板表面に
所定厚の液膜を形成するためには、相対移動する間、処
理液供給ノズルと基板の位置関係が正しく保持されてい
る必要がある。
【０００７】一方、現在では半導体基板が大型化し、そ
の大型化に従って基板にそりが発生し易く、その平面度
を保持することが困難になってきている。したがって、
そりの発生した基板を載置台の上に載せて液処理する際
には、基板のそりを修正する必要があり、大面積の載置
台についてその平面度が正しく保たれていることが要求
される。
の大型化に従って基板にそりが発生し易く、その平面度
を保持することが困難になってきている。したがって、
そりの発生した基板を載置台の上に載せて液処理する際
には、基板のそりを修正する必要があり、大面積の載置
台についてその平面度が正しく保たれていることが要求
される。
【０００８】しかしながら、載置台そのものの平面度や
高精度の仕上げをすることも、大面積な載置台の下では
困難になる。また、載置台を移動させる形式の場合、装
置が大型化し、面合わせ及び走行精度を出すことに工夫
を要する。
高精度の仕上げをすることも、大面積な載置台の下では
困難になる。また、載置台を移動させる形式の場合、装
置が大型化し、面合わせ及び走行精度を出すことに工夫
を要する。
【０００９】そこで、この発明の目的は、上記課題を解
決し、基板にそりが発生した場合でも、均一な厚さの薄
膜を形成できる薄膜形装置を提供することにある。
決し、基板にそりが発生した場合でも、均一な厚さの薄
膜を形成できる薄膜形装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明は、次のように構成したものである。
め、この発明は、次のように構成したものである。
【００１１】（１）請求項１に記載の薄膜形成装置は、
基板を支持しつつ直線的に搬送する搬送ローラと、この
搬送ローラにより構成される搬送路の途中に設けられ基
板をその幅方向に亘って支持する液処理用支持ローラ
と、この液処理用支持ローラの上方に設けられ、液処理
用支持ローラに支持された基板部分上に処理液を供給す
る処理液供給ノズルとを具備することを特徴とする。
基板を支持しつつ直線的に搬送する搬送ローラと、この
搬送ローラにより構成される搬送路の途中に設けられ基
板をその幅方向に亘って支持する液処理用支持ローラ
と、この液処理用支持ローラの上方に設けられ、液処理
用支持ローラに支持された基板部分上に処理液を供給す
る処理液供給ノズルとを具備することを特徴とする。
【００１２】請求項１記載の発明によれば、基板、例え
ばＬＣＤ基板にそりが発生し、載置台上に置いただけで
はその平面度を保持することが困難な状況下であって
も、基板が接触する点は液処理用支持ローラ上に限られ
るため、載置台上に載置した場合のように、遠くの最低
部位の接触する点が処理液供給ノズル及び基板間のギャ
ップの大きさにまで影響することがない。したがって、
そりが発生した基板に対しても均一な膜厚を形成するこ
とができる。また、処理液供給ノズルと載置台に対応す
る液処理用支持ローラとはほぼ同位置に保たれ、相対移
動しないため、処理液供給ノズルと載置台とを相対移動
させる場合に比べ高精度である必要がない。
ばＬＣＤ基板にそりが発生し、載置台上に置いただけで
はその平面度を保持することが困難な状況下であって
も、基板が接触する点は液処理用支持ローラ上に限られ
るため、載置台上に載置した場合のように、遠くの最低
部位の接触する点が処理液供給ノズル及び基板間のギャ
ップの大きさにまで影響することがない。したがって、
そりが発生した基板に対しても均一な膜厚を形成するこ
とができる。また、処理液供給ノズルと載置台に対応す
る液処理用支持ローラとはほぼ同位置に保たれ、相対移
動しないため、処理液供給ノズルと載置台とを相対移動
させる場合に比べ高精度である必要がない。
【００１３】この作用効果は、上記搬送ローラが基板を
両面から支持する上側搬送ローラ及び下側搬送ローラか
ら成る構成（請求項２）、或いは上記搬送ローラが上記
基板の幅方向両側縁部を支持する構成（請求項３）の下
でも得ることができる。
両面から支持する上側搬送ローラ及び下側搬送ローラか
ら成る構成（請求項２）、或いは上記搬送ローラが上記
基板の幅方向両側縁部を支持する構成（請求項３）の下
でも得ることができる。
【００１４】（２）請求項４に記載の薄膜形成装置は、
請求項１，２又は３記載の薄膜形成装置において、上記
液処理用支持ローラを、複数の吸引孔を周面に有し、こ
の吸引孔を介して内部から負圧により基板を吸引する吸
引ローラとして構成したことを特徴とする。
請求項１，２又は３記載の薄膜形成装置において、上記
液処理用支持ローラを、複数の吸引孔を周面に有し、こ
の吸引孔を介して内部から負圧により基板を吸引する吸
引ローラとして構成したことを特徴とする。
【００１５】請求項４記載の発明によれば、エアーが吸
引孔を介して吸引されることにより、基板例えばＬＣＤ
基板は、その下面が液処理用支持ローラの表面つまり回
転円筒の表面に吸着され、その基板幅方向の水平度が修
正された状態で送られて行く。したがって、基板の幅方
向の水平度を修正しつつ、均一な膜厚の薄膜を形成する
ことができる。
引孔を介して吸引されることにより、基板例えばＬＣＤ
基板は、その下面が液処理用支持ローラの表面つまり回
転円筒の表面に吸着され、その基板幅方向の水平度が修
正された状態で送られて行く。したがって、基板の幅方
向の水平度を修正しつつ、均一な膜厚の薄膜を形成する
ことができる。
【００１６】（３）請求項５に記載の薄膜形成装置は、
上記請求項４における吸引ローラを、周面に複数の吸引
孔を設けた回転円筒と、この回転円筒内に挿入された吸
引孔シール部材とから構成し、この吸引孔シール部材
を、その周面のうち、基板側の領域のみを導通溝として
開放し、他の残りの領域が回転円筒の内面に摺接して吸
引孔をシールするように構成するものである。
上記請求項４における吸引ローラを、周面に複数の吸引
孔を設けた回転円筒と、この回転円筒内に挿入された吸
引孔シール部材とから構成し、この吸引孔シール部材
を、その周面のうち、基板側の領域のみを導通溝として
開放し、他の残りの領域が回転円筒の内面に摺接して吸
引孔をシールするように構成するものである。
【００１７】請求項５記載の発明によれば、吸引孔シー
ル部材があることにより、請求項４で述べたエアーの吸
引度が強力となり、基板例えばＬＣＤ基板の幅方向の水
平度の修正が良好に行われる。
ル部材があることにより、請求項４で述べたエアーの吸
引度が強力となり、基板例えばＬＣＤ基板の幅方向の水
平度の修正が良好に行われる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。ここでは、半導体基板に現像液
の膜を形成する薄膜形成装置に適用した場合について説
明する。
面に基づいて説明する。ここでは、半導体基板に現像液
の膜を形成する薄膜形成装置に適用した場合について説
明する。
【００１９】図１，図２において、符号２は半導体基
板、具体的には図３に示す長方形のＬＣＤ基板である
が、Ｓｉウエハ等も対象となる。符号５はこの半導体基
板２を搬送するための搬送ローラであり、基板２の下面
を支持する下側搬送ローラ６と基板２の上面縁部を支持
する上側搬送ローラ７とからなり、全体として直線的な
搬送路を構成するように多数配設されている。
板、具体的には図３に示す長方形のＬＣＤ基板である
が、Ｓｉウエハ等も対象となる。符号５はこの半導体基
板２を搬送するための搬送ローラであり、基板２の下面
を支持する下側搬送ローラ６と基板２の上面縁部を支持
する上側搬送ローラ７とからなり、全体として直線的な
搬送路を構成するように多数配設されている。
【００２０】この実施形態では、図２に示すように、搬
送ローラ５のうち、下側搬送ローラ６は基板２の幅に亘
って延在しているが、上側搬送ローラ７は基板２の幅方
向両側にのみ設けられ、その内側面に同軸的に載頭円錐
状に形成した突部７ａの斜面が、基板２の幅方向両側縁
部２ａを上側から押さえる構成になっている。また、上
側搬送ローラ７と下側搬送ローラ６とが互いに接触する
位置では基板２を上下から押さえることが困難となるた
め、上側搬送ローラ７は下側搬送ローラ６に対して搬送
方向に位置がずらされている。
送ローラ５のうち、下側搬送ローラ６は基板２の幅に亘
って延在しているが、上側搬送ローラ７は基板２の幅方
向両側にのみ設けられ、その内側面に同軸的に載頭円錐
状に形成した突部７ａの斜面が、基板２の幅方向両側縁
部２ａを上側から押さえる構成になっている。また、上
側搬送ローラ７と下側搬送ローラ６とが互いに接触する
位置では基板２を上下から押さえることが困難となるた
め、上側搬送ローラ７は下側搬送ローラ６に対して搬送
方向に位置がずらされている。
【００２１】この下側搬送ローラ６群の中間位置には、
液処理用支持ローラ８が配置されており、その上方には
現像液からなる処理液４を帯状に吐出する処理液供給ノ
ズル３が配置されている。
液処理用支持ローラ８が配置されており、その上方には
現像液からなる処理液４を帯状に吐出する処理液供給ノ
ズル３が配置されている。
【００２２】上記のように構成される薄膜形成装置にお
いて、まず、基板２を図１の如く上側搬送ローラ７と下
側搬送ローラ６とで支持する。なお、スタート時に、図
１に想像線で示すように、液処理用支持ローラ８のすぐ
下流側で基板２を上から押え棒９で押えるようにすれ
ば、更に確実に基板２を支持することができる。これに
より基板２はそりが発生していても、そりが修正され
て、少なくても基板２の縁部２ａはほぼ水平に保持され
る。
いて、まず、基板２を図１の如く上側搬送ローラ７と下
側搬送ローラ６とで支持する。なお、スタート時に、図
１に想像線で示すように、液処理用支持ローラ８のすぐ
下流側で基板２を上から押え棒９で押えるようにすれ
ば、更に確実に基板２を支持することができる。これに
より基板２はそりが発生していても、そりが修正され
て、少なくても基板２の縁部２ａはほぼ水平に保持され
る。
【００２３】ここで、押え棒９を設けている場合はこれ
を外し、液処理用支持ローラ８を一定速度で回転させて
基板２を矢印Ａ方向に移動させる一方、処理液供給ノズ
ル３から処理液４を帯状に吐出させる。このようにする
と、単に、そりの発生したＬＣＤ基板２を載置台１の上
に載せて塗布する場合に比べ、かなり均一な膜厚で処理
液４を塗布することができる。
を外し、液処理用支持ローラ８を一定速度で回転させて
基板２を矢印Ａ方向に移動させる一方、処理液供給ノズ
ル３から処理液４を帯状に吐出させる。このようにする
と、単に、そりの発生したＬＣＤ基板２を載置台１の上
に載せて塗布する場合に比べ、かなり均一な膜厚で処理
液４を塗布することができる。
【００２４】その理由は、そりの発生した基板２を載置
台１上に載せて走行させる形式の場合、載置台１が所望
通りの平面度を有していることが必要となり、面合わせ
及び走行精度を出さないと均一な膜厚を形成することが
困難となるが、この図１の実施形態の場合、処理液供給
ノズル３と液処理用支持ローラ８との位置関係が一定し
ているため、均一な膜厚を形成することができる。また
基板２の縁部２ａを上側搬送ローラ７と下側搬送ローラ
６とで挟み込んで強制的に水平に支持しているので、処
理液供給ノズル３及び液処理用支持ローラ８間に送り込
む際の基板のそりの影響も排除されるからである。
台１上に載せて走行させる形式の場合、載置台１が所望
通りの平面度を有していることが必要となり、面合わせ
及び走行精度を出さないと均一な膜厚を形成することが
困難となるが、この図１の実施形態の場合、処理液供給
ノズル３と液処理用支持ローラ８との位置関係が一定し
ているため、均一な膜厚を形成することができる。また
基板２の縁部２ａを上側搬送ローラ７と下側搬送ローラ
６とで挟み込んで強制的に水平に支持しているので、処
理液供給ノズル３及び液処理用支持ローラ８間に送り込
む際の基板のそりの影響も排除されるからである。
【００２５】上記の実施形態では基板２の裏面の幅全長
を下側搬送ローラ６で支持しているが、その一部を支持
するようにすることもできる。図４はその例を示すもの
で、下側搬送ローラ６は、基板２の幅方向に延在する軸
部６ａと、その軸部６ａの両側に設けられ基板２の幅方
向両側縁部２ａを下側から支持する小径部６ｂと、その
小径部６ｂの外側に形成された大径部６ｃと、軸部６ａ
の中間に設けられ基板２の幅方向中間部を支持する小径
部６ｄとを有する。この構成の下では、基板２に対する
接触面積がより小さくなるという利点が得られると共
に、大径部６ｃが上側搬送ローラ７より外側にずれて位
置しているため、下側搬送ローラ６と上側搬送ローラ７
とを同じ上下位置に配置しうるという利点が得られる。
を下側搬送ローラ６で支持しているが、その一部を支持
するようにすることもできる。図４はその例を示すもの
で、下側搬送ローラ６は、基板２の幅方向に延在する軸
部６ａと、その軸部６ａの両側に設けられ基板２の幅方
向両側縁部２ａを下側から支持する小径部６ｂと、その
小径部６ｂの外側に形成された大径部６ｃと、軸部６ａ
の中間に設けられ基板２の幅方向中間部を支持する小径
部６ｄとを有する。この構成の下では、基板２に対する
接触面積がより小さくなるという利点が得られると共
に、大径部６ｃが上側搬送ローラ７より外側にずれて位
置しているため、下側搬送ローラ６と上側搬送ローラ７
とを同じ上下位置に配置しうるという利点が得られる。
【００２６】ところで、基板２に発生したそりの形態に
よっては、基板２の両側縁部２ａを水平に支持しただけ
では、図８に示すように、基板２の中間が液処理用支持
ローラ８の表面から浮き上がってしまう形態となること
がある。このように処理液供給ノズル３の基板２に対す
る高さないし水平度が幅方向において異なると、ノズル
幅方向に均一な膜厚が形成されなくなる。
よっては、基板２の両側縁部２ａを水平に支持しただけ
では、図８に示すように、基板２の中間が液処理用支持
ローラ８の表面から浮き上がってしまう形態となること
がある。このように処理液供給ノズル３の基板２に対す
る高さないし水平度が幅方向において異なると、ノズル
幅方向に均一な膜厚が形成されなくなる。
【００２７】そこで、上記液処理用支持ローラ８を、図
５及び図６に示すように、複数の吸引孔１１を周面に有
し、この吸引孔１１を介して内部から負圧により基板２
を吸引する吸引ローラとして構成する。
５及び図６に示すように、複数の吸引孔１１を周面に有
し、この吸引孔１１を介して内部から負圧により基板２
を吸引する吸引ローラとして構成する。
【００２８】図５及び図６に示すように、吸引ローラ
は、周面に複数の吸引孔１１を設けた回転円筒１０と、
この回転円筒１０内に挿入された吸引孔シール部材１２
とから構成されている。この吸引孔シール部材１２は、
中央に、図示しない真空ポンプ等の負圧源に接続するエ
アの導入孔１３を同軸的に具備し、また吸引孔シール部
材１２の周面のうち、基板２側の領域は導入孔１３に連
通する扇形断面の導通溝１４として開放され、他の残り
の領域は回転円筒１０の内面に摺接して吸引孔１１をシ
ールしている。そして、これら回転円筒１０及び吸引孔
シール部材１２は金属製で構成され、吸引孔シール部材
１２は接地ライン１５により接地されている。
は、周面に複数の吸引孔１１を設けた回転円筒１０と、
この回転円筒１０内に挿入された吸引孔シール部材１２
とから構成されている。この吸引孔シール部材１２は、
中央に、図示しない真空ポンプ等の負圧源に接続するエ
アの導入孔１３を同軸的に具備し、また吸引孔シール部
材１２の周面のうち、基板２側の領域は導入孔１３に連
通する扇形断面の導通溝１４として開放され、他の残り
の領域は回転円筒１０の内面に摺接して吸引孔１１をシ
ールしている。そして、これら回転円筒１０及び吸引孔
シール部材１２は金属製で構成され、吸引孔シール部材
１２は接地ライン１５により接地されている。
【００２９】液処理時には、導入孔１３が負圧源と接続
され、回転円筒１０が図５の矢印方向に回転される。こ
のとき吸引孔シール部材１２は位置固定であって、回転
円筒１０は吸引孔シール部材１２の周囲を摺動するにす
ぎない。したがって、エアーが、基板２側の導通溝１４
の領域内に位置する吸引孔１１より、導通溝１４及び導
入孔１３を通って吸引される。これにより、基板２は、
その下面が液処理用支持ローラ８の表面つまり回転円筒
１０の表面に吸着され、その基板幅方向の水平度が修正
された状態で、矢印Ａ方向に送られて行く。
され、回転円筒１０が図５の矢印方向に回転される。こ
のとき吸引孔シール部材１２は位置固定であって、回転
円筒１０は吸引孔シール部材１２の周囲を摺動するにす
ぎない。したがって、エアーが、基板２側の導通溝１４
の領域内に位置する吸引孔１１より、導通溝１４及び導
入孔１３を通って吸引される。これにより、基板２は、
その下面が液処理用支持ローラ８の表面つまり回転円筒
１０の表面に吸着され、その基板幅方向の水平度が修正
された状態で、矢印Ａ方向に送られて行く。
【００３０】したがって、この図５の形態によれば、基
板２の幅方向の水平度を修正しつつ、均一な膜厚の薄膜
を形成することができる。また、このとき基板２に静電
気により帯電していた電荷は、接地ライン１５を通して
放電されるので、基板２に対するごみ等の付着の問題か
ら開放される。更に、基板２表面上の電荷除去のために
必要であったイオナイザーを不要にすることができる。
板２の幅方向の水平度を修正しつつ、均一な膜厚の薄膜
を形成することができる。また、このとき基板２に静電
気により帯電していた電荷は、接地ライン１５を通して
放電されるので、基板２に対するごみ等の付着の問題か
ら開放される。更に、基板２表面上の電荷除去のために
必要であったイオナイザーを不要にすることができる。
【００３１】なお、吸引孔シール部材１２は上記では回
転円筒１０の内部に設けたが、回転円筒１０の外周囲に
設けることもできる。
転円筒１０の内部に設けたが、回転円筒１０の外周囲に
設けることもできる。
【００３２】上記図５及び図６では、液処理用支持ロー
ラ８をその全幅分がストレートの形態であるとして構成
したが、図４に類似の形態とした液処理用支持ローラ８
において、必要部分に図５の構成を適用することもでき
る。即ち、図７の液処理用支持ローラ８は、基板２の幅
方向に延在する軸部８ａと、その軸部８ａの両側に設け
られ基板２の幅方向両側縁部２ａを下側から支持する小
径部８ｂと、その小径部８ｂの外側に形成された大径部
８ｃと、軸部８ａの中間に設けられ基板２の幅方向中間
部を支持する小径部８ｄとを有する。そして、この軸方
向両端と中央に１つ又は２つ設けた基板支持部（小径部
８ｂ，８ｄ）を、図５のように構成し、周面に設けた複
数の吸引孔１１を介して内部から負圧により基板２を吸
引する吸引ローラとして機能させることができる。
ラ８をその全幅分がストレートの形態であるとして構成
したが、図４に類似の形態とした液処理用支持ローラ８
において、必要部分に図５の構成を適用することもでき
る。即ち、図７の液処理用支持ローラ８は、基板２の幅
方向に延在する軸部８ａと、その軸部８ａの両側に設け
られ基板２の幅方向両側縁部２ａを下側から支持する小
径部８ｂと、その小径部８ｂの外側に形成された大径部
８ｃと、軸部８ａの中間に設けられ基板２の幅方向中間
部を支持する小径部８ｄとを有する。そして、この軸方
向両端と中央に１つ又は２つ設けた基板支持部（小径部
８ｂ，８ｄ）を、図５のように構成し、周面に設けた複
数の吸引孔１１を介して内部から負圧により基板２を吸
引する吸引ローラとして機能させることができる。
【００３３】また、上記実施形態では液処理用支持ロー
ラ８を位置固定として説明したが、図９に示すように、
液処理用支持ローラ８の両端を独立に上下に変位させ得
る昇降駆動装置２１を設けると共に、基板２の表面の幅
方向両端の高さを計測する光電式センサ２２を設け、該
センサから得られる基板表面レベル情報に基づいて、例
えば、一方の端の基板表面の高さが他方の端の基板表面
より低い場合には当該低い方の端に属する昇降駆動装置
２１を作動させ、基板両端部の高さ位置を揃える、とい
うように制御装置で制御することもできる。ここでは、
液処理用支持ローラ８の上端を独立に上下に変位させる
場合について説明したが、液処理用支持ローラ８を固定
し、処理液供給ノズル３の両端を同様に独立に上下に変
位させるようにしてもよい。
ラ８を位置固定として説明したが、図９に示すように、
液処理用支持ローラ８の両端を独立に上下に変位させ得
る昇降駆動装置２１を設けると共に、基板２の表面の幅
方向両端の高さを計測する光電式センサ２２を設け、該
センサから得られる基板表面レベル情報に基づいて、例
えば、一方の端の基板表面の高さが他方の端の基板表面
より低い場合には当該低い方の端に属する昇降駆動装置
２１を作動させ、基板両端部の高さ位置を揃える、とい
うように制御装置で制御することもできる。ここでは、
液処理用支持ローラ８の上端を独立に上下に変位させる
場合について説明したが、液処理用支持ローラ８を固定
し、処理液供給ノズル３の両端を同様に独立に上下に変
位させるようにしてもよい。
【００３４】上記のように構成されるこの発明に係る薄
膜形成装置は、半導体ウエハやＬＣＤ基板の現像液処理
装置やレジスト塗布装置として単独で使用される他、塗
布・現像処理システムに組み込んで使用することもでき
る。
膜形成装置は、半導体ウエハやＬＣＤ基板の現像液処理
装置やレジスト塗布装置として単独で使用される他、塗
布・現像処理システムに組み込んで使用することもでき
る。
【００３５】上記塗布・現像処理システムは、図１０に
示すように、ＬＣＤ基板を搬入・搬出するローダ部９０
と、ＬＣＤ基板の第１処理部９１と、中継部９３を介し
て第１処理部９１に連設される第２処理部９２とで主に
構成されている。なお、第２処理部９２には受渡部９４
を介してレジスト膜の所定の微細なパターンを露光する
ための露光装置９５が連設可能になっている。
示すように、ＬＣＤ基板を搬入・搬出するローダ部９０
と、ＬＣＤ基板の第１処理部９１と、中継部９３を介し
て第１処理部９１に連設される第２処理部９２とで主に
構成されている。なお、第２処理部９２には受渡部９４
を介してレジスト膜の所定の微細なパターンを露光する
ための露光装置９５が連設可能になっている。
【００３６】上記のように構成される塗布・現像処理シ
ステムにおいて、ローダ部９０のカセット載置台９８に
載置されるカセット９６内に収容された未処理のＬＣＤ
基板はローダ部９０の搬出入ピンセット９９によって取
り出された後、第１処理部９１のメインアーム８０に受
け渡され、そして、ブラシ洗浄装置１０３内に搬送され
る。このブラシ洗浄装置１０３内にブラシ洗浄されたＬ
ＣＤ基板は引き続いてジェット水洗浄装置１０４内にて
高圧ジェット水により洗浄される。この後、ＬＣＤ基板
は、アドヒージョン処理装置１０５にて疎水化処理が施
され、冷却処理装置１０６にて冷却された後、塗布膜形
成装置１０７にて、ＬＣＤ基板の一辺から漸次他辺に向
かって溶剤を塗布した後、レジスト液を塗布してレジス
ト膜が塗布形成され、引き続いて塗布膜除去装置１０８
によってＬＣＤ基板の辺部の不要なレジスト膜が除去さ
れる。したがって、この後、ＬＣＤ基板を排出する際に
は縁部のレジスト膜は除去されているので、メインアー
ム８０にレジストが付着することもなく。そして、この
フォットレジストが加熱処理装置１０９にて加熱されて
ベーキング処理が施された後、露光装置９５にて所定の
パターンが露光される。そして、露光後のＬＣＤ基板
は、第２処理部９２のメインアーム８０ａによって現像
装置１１０内へ搬送され、現像液により現像された後、
リンス液により現像液を洗い流し、現像処理を完了す
る。現像処理された処理済みのＬＣＤ基板はローダ部９
０のカセット９７内に収容され後に、搬出されて次の処
理工程に向けて移送される。
ステムにおいて、ローダ部９０のカセット載置台９８に
載置されるカセット９６内に収容された未処理のＬＣＤ
基板はローダ部９０の搬出入ピンセット９９によって取
り出された後、第１処理部９１のメインアーム８０に受
け渡され、そして、ブラシ洗浄装置１０３内に搬送され
る。このブラシ洗浄装置１０３内にブラシ洗浄されたＬ
ＣＤ基板は引き続いてジェット水洗浄装置１０４内にて
高圧ジェット水により洗浄される。この後、ＬＣＤ基板
は、アドヒージョン処理装置１０５にて疎水化処理が施
され、冷却処理装置１０６にて冷却された後、塗布膜形
成装置１０７にて、ＬＣＤ基板の一辺から漸次他辺に向
かって溶剤を塗布した後、レジスト液を塗布してレジス
ト膜が塗布形成され、引き続いて塗布膜除去装置１０８
によってＬＣＤ基板の辺部の不要なレジスト膜が除去さ
れる。したがって、この後、ＬＣＤ基板を排出する際に
は縁部のレジスト膜は除去されているので、メインアー
ム８０にレジストが付着することもなく。そして、この
フォットレジストが加熱処理装置１０９にて加熱されて
ベーキング処理が施された後、露光装置９５にて所定の
パターンが露光される。そして、露光後のＬＣＤ基板
は、第２処理部９２のメインアーム８０ａによって現像
装置１１０内へ搬送され、現像液により現像された後、
リンス液により現像液を洗い流し、現像処理を完了す
る。現像処理された処理済みのＬＣＤ基板はローダ部９
０のカセット９７内に収容され後に、搬出されて次の処
理工程に向けて移送される。
【００３７】上記実施形態では、この発明に係る薄膜形
成装置を半導体ウエハやＬＣＤ基板への現像液やレジス
ト液等の液膜形成に適用した場合について説明したが、
ＣＤ等の被処理体の液膜形成あるいはエレキボードにグ
リーン膜を塗布する場合にも適用でき、ポリイミド系処
理液（ＰＩＱ）やガラス剤を含有する処理液（ＳＯＧ）
等にも適用できることは勿論である。
成装置を半導体ウエハやＬＣＤ基板への現像液やレジス
ト液等の液膜形成に適用した場合について説明したが、
ＣＤ等の被処理体の液膜形成あるいはエレキボードにグ
リーン膜を塗布する場合にも適用でき、ポリイミド系処
理液（ＰＩＱ）やガラス剤を含有する処理液（ＳＯＧ）
等にも適用できることは勿論である。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
次のような優れた効果が得られる。
次のような優れた効果が得られる。
【００３９】（１）請求項１に記載の薄膜形成装置によ
れば、基板は、そりが発生し載置台上に置いただけでは
その平面度を保持することが困難な状況下であっても、
基板が接触する点は液処理用支持ローラ上に限られるた
め、載置台上に載置した場合のように、遠くの最低部位
の接触する点が処理液供給ノズル及び基板間のギャップ
の大きさにまで影響することがない。したがって、そり
が発生した基板に対しても均一な膜厚を形成することが
できる。また、処理液供給ノズルと載置台に対応する液
処理用支持ローラとはほぼ同位置に保たれ、相対移動し
ないため、処理液供給ノズルと載置台とを相対移動させ
る場合に比べ高精度である必要がない。
れば、基板は、そりが発生し載置台上に置いただけでは
その平面度を保持することが困難な状況下であっても、
基板が接触する点は液処理用支持ローラ上に限られるた
め、載置台上に載置した場合のように、遠くの最低部位
の接触する点が処理液供給ノズル及び基板間のギャップ
の大きさにまで影響することがない。したがって、そり
が発生した基板に対しても均一な膜厚を形成することが
できる。また、処理液供給ノズルと載置台に対応する液
処理用支持ローラとはほぼ同位置に保たれ、相対移動し
ないため、処理液供給ノズルと載置台とを相対移動させ
る場合に比べ高精度である必要がない。
【００４０】この作用効果は、上記搬送ローラが基板を
両面から支持する上側搬送ローラ及び下側搬送ローラか
ら成る構成（請求項２）、或いは上記搬送ローラが上記
基板の幅方向両側縁部を支持する構成（請求項３）の下
でも得ることができる。
両面から支持する上側搬送ローラ及び下側搬送ローラか
ら成る構成（請求項２）、或いは上記搬送ローラが上記
基板の幅方向両側縁部を支持する構成（請求項３）の下
でも得ることができる。
【００４１】（２）請求項４に記載の薄膜形成装置によ
れば、液処理用支持ローラを複数の吸引孔を周面に有す
る吸引ローラとして構成しているので、エアーが吸引孔
を介して吸引される際に、基板は、その下面が液処理用
支持ローラの表面つまり回転円筒の表面に吸着され、そ
の基板幅方向の水平度が修正された状態で送られて行
く。したがって、基板の幅方向の水平度を修正しつつ、
均一な膜厚の薄膜を形成することができる。
れば、液処理用支持ローラを複数の吸引孔を周面に有す
る吸引ローラとして構成しているので、エアーが吸引孔
を介して吸引される際に、基板は、その下面が液処理用
支持ローラの表面つまり回転円筒の表面に吸着され、そ
の基板幅方向の水平度が修正された状態で送られて行
く。したがって、基板の幅方向の水平度を修正しつつ、
均一な膜厚の薄膜を形成することができる。
【００４２】（３）請求項５に記載の薄膜形成装置によ
れば、上記請求項４における吸引ローラを、回転円筒と
その内部に挿入した吸引孔シール部材とから構成し、基
板側の領域のみを導通溝として開放するように構成して
いるので、吸引孔シール部材により請求項２で述べたエ
アーの吸引度が強力となり、基板の幅方向の水平度の修
正を良好に行うことができる。
れば、上記請求項４における吸引ローラを、回転円筒と
その内部に挿入した吸引孔シール部材とから構成し、基
板側の領域のみを導通溝として開放するように構成して
いるので、吸引孔シール部材により請求項２で述べたエ
アーの吸引度が強力となり、基板の幅方向の水平度の修
正を良好に行うことができる。
【図１】この発明の薄膜形成装置の概略側面図である。
【図２】この発明における搬送ローラを示す概略断面図
である。
である。
【図３】図１の薄膜形成装置で搬送されるＬＣＤ基板を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図４】図１の薄膜形成装置の搬送ローラの変形例を示
す概略断面図である。
す概略断面図である。
【図５】図１の薄膜形成装置の液処理用支持ローラの変
形例を示す断面図である。
形例を示す断面図である。
【図６】図１の薄膜形成装置の液処理用支持ローラの変
形例を示す斜視図である。
形例を示す斜視図である。
【図７】図１の薄膜形成装置の液処理用支持ローラの別
の変形例を示す斜視図である。
の変形例を示す斜視図である。
【図８】液処理用支持ローラが吸引孔を具備しない場合
の基板のそりを示す概略断面図である。
の基板のそりを示す概略断面図である。
【図９】図１の薄膜形成装置の液処理用支持ローラを変
位させる形態を示す斜視図である。
位させる形態を示す斜視図である。
【図１０】薄膜形成装置を組み込んだ塗布・現像処理シ
ステムを示す斜視図である。
ステムを示す斜視図である。
１ 載置台 ２ 半導体基板 ２ａ 幅方向両側縁部 ３ 処理液供給ノズル ４ 処理液 ５ 搬送ローラ ６ 下側搬送ローラ ７ 上側搬送ローラ ８ 液処理用支持ローラ １０ 回転円筒 １１ 吸引孔 １２ 吸引孔シール部材 １３ 導入孔 １４ 扇形断面の導通溝 １５ 接地ライン
Claims (5)
- 【請求項１】 基板を支持しつつ直線的に搬送する搬送
ローラと、この搬送ローラにより構成される搬送路の途
中に設けられ基板をその幅方向に亘って支持する液処理
用支持ローラと、この液処理用支持ローラの上方に設け
られ、液処理用支持ローラに支持された基板部分上に処
理液を供給する処理液供給ノズルとを具備することを特
徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項２】 上記搬送ローラは、基板を両面から支持
する上側搬送ローラ及び下側搬送ローラから成ることを
特徴とする請求項１記載の薄膜形成装置。 - 【請求項３】 上記搬送ローラは、上記基板の幅方向両
側縁部を支持することを特徴とする請求項１記載の薄膜
形成装置。 - 【請求項４】 上記液処理用支持ローラは、複数の吸引
孔を周面に有し、この吸引孔を介して内部から負圧によ
り基板を吸引する吸引ローラとして構成したことを特徴
とする請求項１，２又は３記載の薄膜形成装置。 - 【請求項５】 上記吸引ローラは、周面に複数の吸引孔
を設けた回転円筒と、この回転円筒内に挿入された吸引
孔シール部材とから構成され、上記吸引孔シール部材
は、その周面のうち、基板側の領域のみを導通溝として
開放し、他の残りの領域が回転円筒の内面に摺接して吸
引孔をシールするように構成したことを特徴とする請求
項４記載の薄膜形成装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24922996A JP3275202B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 薄膜形成装置 |
| US08/917,510 US6110282A (en) | 1996-08-30 | 1997-08-26 | Coating apparatus for semiconductor process |
| SG1997003137A SG64439A1 (en) | 1996-08-30 | 1997-08-27 | Coating apparatus for semiconductor process |
| TW086112309A TW344857B (en) | 1996-08-30 | 1997-08-27 | Coating apparatus for semiconductor process |
| KR1019970042105A KR100367963B1 (ko) | 1996-08-30 | 1997-08-28 | 처리액도포용도포장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24922996A JP3275202B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1076206A true JPH1076206A (ja) | 1998-03-24 |
| JP3275202B2 JP3275202B2 (ja) | 2002-04-15 |
Family
ID=17189850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24922996A Expired - Fee Related JP3275202B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 薄膜形成装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6110282A (ja) |
| JP (1) | JP3275202B2 (ja) |
| KR (1) | KR100367963B1 (ja) |
| SG (1) | SG64439A1 (ja) |
| TW (1) | TW344857B (ja) |
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| KR100948084B1 (ko) | 2007-11-19 | 2010-03-16 | 세메스 주식회사 | 도포 방법 |
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