JPH08168715A - 回転式塗布装置および回転式塗布方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 処理液の吐出量を必要最小限にし、基板上で
の液量を平準化する。 【構成】 低速回転用チャック１２に円形ウェハ１１を
全面吸着して平坦化し、ウェハ１１の直径に略等しい長
さのスリットノズル１４からウェハ表面に処理液を吐出
しつつ、ウェハ１１を低速回転させる。その後ウェハ１
１を高速回転用チャック１６へ搬送し、ウェハ１１を高
速回転させて、余剰の処理液を遠心力にて振り切って所
望の膜厚とする。 【効果】 スリットノズル１４を可及的にウェハ１１へ
近接して処理液を供給でき、処理液の使用量を低減でき
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、例えばＩＣ、ＬＳ
Ｉ、液晶表示装置等の電子部品の製造工程における微細
パターンの形成工程において、シリコンウエハに代表さ
れる半導体基板、あるいは誘電体、金属、絶縁体等の基
板に、フォトレジスト液等を供給して回転させることに
より塗布するスピンコータ等の回転式塗布装置および回
転式塗布方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】

｛第１の従来例｝第１の従来例の回転式塗布装置は、図
６の如く、水平に支持されたウェハ１の中心部に、ウェ
ハ１を静止ないし図７のように低速回転させた状態でノ
ズル２からレジスト液３（フォトレジスト）を吐出し、
その後、図８のようにウェハ１を高速回転させることに
より、レジスト液３を基板表面に塗布するものである。
なお、図６、図７および図８中の４はウェハ１の中央部
を吸着固定して回転する回転支持部、図６中の５はチャ
ンバーである。

【０００３】｛第２の従来例｝第２の従来例の回転式塗
布装置として、例えば特開昭５８−１７０５６５号公報
で開示されているレジスト塗布装置が存在する。図９
は、この装置の構造を説明する図である。第２の従来例
の回転式塗布装置では、円形のウェハ１を支持台の上に
水平に載置してその中央部を吸着固定し、ウェハ１を支
持台ごと中心軸（鉛直軸）を中心に低速で回転させつ
つ、このウェハ１の表面上に、スリット状の吐出口６ａ
が形成されたノズル６からレジスト液３（フォトレジス
ト）を帯状に滴下する。次に、レジスト液３の滴下を終
了してから、ウェハ１を支持台ごと中心軸（鉛直軸）を
中心に高速で回転させ、遠心力によりウェハ１の表面に
レジスト液３を広げて薄膜を形成する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】

｛第１の従来例の課題｝第１の従来例では、ウェハ１を
比較的低速で回転させてウェハ１の中心部に吐出された
レジスト液３をその全面に塗り広げ、しかる後に、ウェ
ハ１を比較的高速で回転させて余剰のレジスト液３を振
り切って所望の厚みのレジスト液３の薄膜を形成する。
この装置によれば、塗布された薄膜は、比較的良好な膜
厚均一性が得られる。しかしながらこの装置では、レジ
スト液３をウェハ１の全面に回転により塗り広げるため
に、比較的多量のレジスト液３を供給しなければなら
ず、その塗り広げる段階でもはやむだになるレジスト液
３が生じ、そこからさらに余剰のレジスト液３を振り切
るので、有効に利用されるレジスト液３の割合はごく少
ないものとなる。この場合、レジスト液３を所定の厚さ
（例えば数μｍ）で塗布するのに必要とされるレジスト
量（高速回転後にウェハ１に残留するレジスト量）の数
十倍のレジスト液３をノズルから供給する必要がある。
すなわち、ノズルから供給されたレジスト液３の９０％
以上は、高速回転によりウェハ１の周囲に飛散されるた
め、その分の材料が無駄に使用されることになる。

【０００５】｛第２の従来例の課題｝第２の従来例にお
いては、ウェハ１の表面に供給されたレジスト液３は、
すでにほぼその全面に塗り広げられた状態であるので、
レジスト液３をウェハ１の全面に塗り広げる段階でのレ
ジスト液３のむだは比較的少なくできる。そして、この
従来例において、レジスト液３の使用量をさらに低減す
るためには、レジスト液３をウェハ１に供給する段階
で、できるだけ最終的に所望する膜厚に近い薄さ（例え
ば数十μｍ）でレジスト液３を供給することが望まし
い。そのためには、ウェハ１とノズル６のスリット状の
吐出口６ａとを可及的に近接（例えば数十μｍ）させる
必要がある。この場合、ウェハ１とノズル６のスリット
状の吐出口６ａとの離間距離をほぼ一定に短く保つため
には、ウェハ１の平坦性を確保する必要がある。しかし
ながら、従来例の回転式塗布装置では、ウェハ１の支持
台上での吸着固定を中央部のみで行っていたため、それ
までに施された熱処理の影響でウェハ１が反ったり自重
により撓んだりした場合に、ウェハ１の平坦性を確保す
るのが困難であった。具体的には、かかるウェハ１の反
りや撓みは最大で数百μｍ（例えば、直径８インチのウ
ェハに対する反りは１５０μｍ）にも達するため、数十
μｍ程度までノズル６を近接させるのは困難となる。か
かる状況下で、ウェハ１上にレジスト液３を満遍なく吐
出するためには、レジスト液３の吐出量を必要最低限の
量よりかなり多めに設定する必要があり、材料コストの
増大を招いていた。

【０００６】本発明は、上記課題に鑑み、必要な処理液
の量をさらに低減することができ、かつ基板上での膜厚
の均一性が良好な回転式塗布装置および回転式塗布方法
の提供を目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
課題解決手段は、略円形の基板の表面に処理液を供給し
て基板を回転させることにより塗布する回転式塗布装置
において、前記基板の裏面を略全面吸着して支持する第
１の基板支持手段と、前記第１の基板支持手段に支持さ
れた前記基板の表面に対して、その直径に略等しいかま
たは若干短い長さの線状に処理液を吐出する処理液供給
手段と、前記第１の基板支持手段および前記処理液供給
手段の少なくとも一方を他方に対して所定の低速度で回
転させる第１の回転手段と、前記基板の裏面の中央部の
みを吸着して支持する第２の基板支持手段と、前記基板
上の処理液を遠心力にて平滑化するよう前記第２の基板
支持手段を所定の高速度で回転する第２の回転手段と前
記処理液供給手段での処理液吐出後に前記第１の基板支
持手段から前記第２の基板支持手段へ前記基板を搬送す
る搬送手段とを備える。

【０００８】本発明の請求項２に係る課題解決手段は、
略円形の基板の表面に処理液を供給して基板を回転させ
ることにより塗布する回転式塗布方法において、第１の
基板支持手段に前記基板の裏面を略全面吸着した状態
で、処理液供給手段により当該基板の表面に当該基板の
直径にそって線状に処理液を吐出しつつ、当該基板およ
び前記処理液供給手段の少なくとも一方を他方に対して
所定の低速度で回転させる処理液吐出工程と、前記処理
液供給手段からの前記処理液の吐出完了後に、前記基板
を前記第１の基板支持手段から第２の基板支持手段へ搬
送する搬送工程と、前記第２の基板支持手段により基板
の裏面の中央部のみを吸着して支持した状態で、前記基
板上の処理液を遠心力にて平滑化するよう前記第２の基
板支持手段を所定の高速度で回転する高速回転工程とを
備える。

【０００９】

【作用】本発明請求項１に係る回転式塗布装置および請
求項２に係る回転式塗布方法では、第１の基板支持手段
により基板の裏面を略全面吸着して基板を平坦に支持し
て低速回転させ、この状態で処理液供給手段から基板の
表面にその直径にそって線状に処理液を吐出して、基板
表面ほぼ全面に処理液が供給される。仮に基板に反りや
撓みが発生した場合でも、基板の裏面を略全面吸着して
いるので、その反りや撓みの影響を軽減でき、処理液供
給手段を基板に可及的に近接させ得る。そのため、処理
液が比較的薄く均一な状態で基板表面に供給され、処理
液の吐出量が低減される。

【００１０】処理液を基板に供給した後、第２の基板支
持手段へ基板を搬送し、処理液の振り切り時において
は、基板の裏面の中央部のみを吸着して支持して高速回
転させるので、処理液が基板支持手段と基板との間に毛
細管現象で入り込んだり、処理液のミスト（霧）が基板
支持手段に付着したりして基板支持手段が汚染されるこ
とが少ない。

【００１１】

【実施例】

｛第１の実施例｝ ＜構成＞図１は本発明の第１の実施例の回転式塗布装置
を示す概略図、図２は同じく本実施例の回転式塗布装置
を示す平面図である。該回転式塗布装置は、図１および
図２の如く、回転する半導体の円形ウェハ１１（基板）
の表面にフォトレジスト（処理液）を供給して塗布し、
円形ウェハ１１の表面にフォトレジストの薄膜を形成す
るものである。

【００１２】ここで、図１，図２中、１２は円形ウェハ
１１の表面を上向きにしてその裏面を全面吸着して支持
する第１のスピンチャック（第１の基板支持手段：全面
吸着ステージ）、１３は前記第１のスピンチャック１２
を鉛直軸周りで所定の低速度で回転する第１のモータ
（第１の回転手段）、１４は前記第１のスピンチャック
１２に支持されて低速回転する円形ウェハ１１の表面に
向けてフォトレジストを供給するスリットノズル１４
（処理液供給手段）、１５は前記スリットノズル１４の
下面に形成されたスリット状の処理液吐出口（以下、単
にスリットと称す）、１６は第１のスピンチャック１２
の側方に並設され、前記円形ウェハ１１の中央部のみを
吸着して支持する第２のスピンチャック（第２の基板支
持手段：スピン処理部）、１７は前記第２のスピンチャ
ック１６を鉛直軸周りで所定の高速度で回転する第２の
モータ１７（第２の回転手段）、１８は前記スリットノ
ズル１４での処理液吐出後に前記第１のスピンチャック
１２から前記第２のスピンチャック１６へ前記円形ウェ
ハ１１を搬送する搬送ロボット１９（搬送手段）の搬送
アームである。

【００１３】前記第１のスピンチャック１２は、支持す
る円形ウェハ１１の反りや撓みを防止してその平坦性を
精度良く確保するため、円形ウェハ１１よりも大径に形
成された全面真空吸着方式のものが採用される。ここ
で、かかる全面真空吸着方式のチャックの場合、円形ウ
ェハ１１の裏面のほぼ全体が第１のスピンチャック１２
に直接触れることになるため、仮にこの第１のスピンチ
ャック１２を高速回転用としても使用した場合には、高
速回転にて処理液を振り切る際に、処理液のミスト
（霧）がスピンチャック１２に付着したり、チャック上
面とウェハ裏面の間に毛細管現象等にて回り込み、スピ
ンチャック自体が汚染されたり、該ミストが円形ウェハ
１１の裏面全体に付着してこれを汚染するおそれがあ
る。かかる事態は製品管理上極めて好ましくない。そこ
で、該第１のスピンチャック１２は、前記スリットノズ
ル１４にて処理液を吐出する際（低速回転時）のみに限
定して使用される。

【００１４】なお、前記円形ウェハ１１の搬送時には、
前記搬送アーム１８を前記円形ウェハ１１の裏面に回し
込んで支持しながら搬送する必要があるが、該第１のス
ピンチャック１２は前記円形ウェハ１１の裏面全部を密
着して覆うため、このままの状態では搬送アーム１８を
前記円形ウェハ１１の裏面に回し込むことができない。
すなわち、搬送アーム１８を前記円形ウェハ１１の裏面
に回し込むためには、円形ウェハ１１を上方へ浮かせて
円形ウェハ１１の裏面を前記第１のスピンチャック１２
から離間させる必要がある。そこで、図１の如く、円形
ウェハ１１を第１のスピンチャック１２の上面から上昇
させるウェハ上昇装置２２を設けている。すなわち、第
１のスピンチャック１２のウェハ支持領域の数カ所（３
カ所以上）に貫通孔２０を形成し、さらに、該各貫通孔
２０に前記ウェハ上昇装置２２の支持棒２１を挿入して
（図１中の点線部分参照）前記円形ウェハ１１を支持
し、当該円形ウェハ１１を上昇させている。該ウェハ上
昇装置２２は、例えばモータ、ピニオンおよびラック等
（図示せず）を備え、前記搬送アーム１８の動作と連動
して駆動制御される。

【００１５】前記第１のモータ１３は、図１の如く、前
記スリットノズル１４にて処理液を吐出する際に前記第
１のスピンチャック１２を前記スリットノズル１４に対
して鉛直軸を中心として低速回転させるもので、回転速
度は１０〜５０ｒｐｍ程度、望ましくは２０〜３０ｒｐ
ｍ程度とされる。

【００１６】前記スリットノズル１４は、図示しない所
定の支持体によって水平姿勢で、且つ昇降可能に支持さ
れる。該スリットノズル１４のスリット１５の長さ（以
下、ノズル長と略す）は、図３（ａ）の如く、処理対象
となる円形ウェハ１１の直径に略等しく設定されてい
る。そして、かかるスリットノズル１４は、そのスリッ
ト１５の中央が、第１のスピンチャック１２に支持され
た円形ウェハ１１の回転中心の上方に位置するように配
置されており、前記第１のモータ１３で低速回転しなが
ら円形ウェハ１１のほぼ直径に相当する領域へ線状にフ
ォトレジストを吐出することで、円形ウェハ１１のほぼ
全面領域へフォトレジストを吐出する。ただし、実際に
は、ノズル長は当該円形ウェハ１１の直径より若干短く
設定されていることが望ましい。このように、ノズル長
を直径より若干短くするのは、円形ウェハ１１の周縁部
にはレジストを塗布する必要がないからであり、これに
より円形ウェハ１１の搬送手段がレジストで汚染される
のを防止できる。そして、図１の如く、該スリットノズ
ル１４が下降されて前記第１のスピンチャック１２に対
して所定の高さ位置に配置されることで、当該スリット
ノズル１４のスリット１５と円形ウェハ１１の表面との
間の離間距離（δ）は例えば３０〜１００μｍ程度に設
定される。これにより、スリットノズル１４による円形
ウェハ１１へのフォトレジストの供給は、供給後のフォ
トレジストの厚みがその離間距離（δ）とほぼ同程度
（約３０〜１００μｍ程度）を目標として行われる。そ
のためのフォトレジストの必要供給集まる量は、直径８
インチの円形ウェハ１１の場合で約１〜３ｍｌ程度であ
る。

【００１７】なお、前述の第１スピンチャック１２の回
転は、スリットノズル１４のスリット１５を円形ウェハ
１１のほぼ全面を走査させ、円形ウェハ１１のほぼ全面
にフォトレジストを広げて供給するためであり、その回
転数は供給されたフォトレジストが遠心力で円形ウェハ
１１の縁から外側へ流れ出たりすることのない程度の低
速に設定される。

【００１８】前記第２のスピンチャック１６は、振り切
りを目的として高速回転されるもので、処理液を振り切
る際に処理液のミスト（霧）がチャック上面とウェハ裏
面の間に毛細管現象等にて回り込む事態を可及的に低減
するよう、円形ウェハ１１との接触面積を可及的に小に
設定している。すなわち、該第２のスピンチャック１６
は、図１および図２の如く、中央部のみで円形ウェハ１
１を吸着支持するよう構成されている。該第２のスピン
チャック１６は、処理液の振り切り時に排液を排出する
ためのドレン用のチャンバー２５内に収容されている。

【００１９】前記第２のモータ１７は、図１の如く、鉛
直軸を中心として高速回転することで、前記円形ウェハ
１１の表面に吐出された処理液を遠心力にて振り切って
均すことで該処理液の膜厚を所望の寸法（目標寸法は例
えば１μｍ程度）に平滑化ないしは平準化するもので、
回転速度は例えば２，０００〜６，０００ｒｐｍ程度、
望ましくは３，０００〜５，０００ｒｐｍ程度とされ
る。

【００２０】なお、図示はしていないが、第１のスピン
チャック１２および第２のスピンチャック１６には、円
形ウエハ１１を吸着支持するための吸気通路が形成され
ている。

【００２１】前記搬送ロボット１９は、図４に示す如
く、その基台部１９ａに搬送アーム１８を取り付けて構
成される。基台部１９ａは搬送アーム１８を進退させる
駆動機構を有しており、搬送アーム１８は基台部１９ａ
に対して水平（Ｙ）方向に進退可能に取り付けられてい
る。また、基台部１９ａは、水平面内において（Ｙ）方
向と直交する（Ｘ）方向に移動可能な移動機構を有して
おり、図２に示す如く、第１のスピンチャック１２と第
２のスピンチャック１６とに沿って移動するように設け
られる。これにより搬送アーム１８は、図２の平面図に
示す如く、前記第１のスピンチャック１２に隣接する搬
送位置Ｐ１と前記第２のスピンチャック１６に隣接する
搬送位置Ｐ２とを結ぶ水平（Ｘ）方向に移動可能であ
り、且つ搬送位置Ｐ１と受渡位置Ｐ３、および搬送位置
Ｐ２と受渡位置Ｐ４とを結ぶ水平（Ｙ）方向に移動可能
となっている。搬送ロボット１９は、かかる移動によ
り、図示しないホットプレート、クールプレート等の熱
処理部、あるいはウエハ供給部（インデクサ）や他の処
理部等と、第１のスピンチャック１２、第２のスピンチ
ャック１６との間で、円形ウェハ１１を搬送して供給・
搬出する動作を行う。なお、図２中の２６は前記搬送ア
ーム１８において前記円形ウェハ１１を載置支持するた
めの支持爪である。

【００２２】＜動作＞上記構成の回転式塗布装置の動作
と、その装置を使用した本発明の方法を図５に従って説
明する。まず搬送ロボット１９にて円形ウェハ１１を熱
処理等の図示しない前処理部から前記第１のスピンチャ
ック１２（全面吸着ステージ）へ供給する（ステップＳ
１）。そして、円形ウェハ１１の裏面を第１のスピンチ
ャック１２に全面真空吸着させて円形ウェハ１１の反り
や撓みを補正し（ステップＳ２）、円形ウェハ１１の表
面に円形ウェハ１１の直径をほぼカバーするスリットノ
ズル１４を近接対向して配置する（ステップＳ３）。こ
の際、図１の如く、円形ウェハ１１とノズルの間の離間
距離（δ）を３０〜１００μｍ程度に小さく設定してお
く。

【００２３】次に、円形ウェハ１１を低速回転させ（ス
テップＳ４）、スリットノズル１４からその円形ウェハ
１１の直径にそって線状にフォトレジストを吐出し（処
理液吐出工程：ステップＳ５）、円形ウェハ１１の表面
のほぼ全面にフォトレジストを塗布する。この際の回転
速度は、１０〜５０ｒｐｍ程度、望ましくは、２０〜３
０ｒｐｍ程度である。この際、図１の如く、円形ウェハ
１１とノズルの間の離間距離（δ）を３０〜１００μｍ
程度に小さく設定しているため、処理液を３０〜１００
μｍ程度に薄く塗布でき、且つその塗布むらを大幅に低
減できる。なお、スリットノズル１４のノズル長を直径
より若干短く設定しているので、円形ウェハ１１の周縁
部にレジストを塗布する事態を防止でき、円形ウェハ１
１の搬送ロボット１９の搬送アーム１８がレジストで汚
染されるのを防止できる。ここでは、円形ウェハ１１の
直径にそって線状にフォトレジストを吐出するので、フ
ォトレジストを吐出しながら円形ウェハ１１を半回転さ
せれば円形ウェハ１１の全面にレジストを塗布できる
（ステップＳ６）。円形ウェハ１１が半回転したところ
でその回転とフォトレジストの吐出を停止する。なお、
この段階では、塗布したフォトレジストの厚みの均一性
はさほど必要ではない。

【００２４】このように、第１のスピンチャック１２に
て円形ウェハ１１を全面吸着支持して円形ウェハ１１の
平坦性を確保することで、円形ウェハ１１とノズルのス
リットとを可及的に近接（数十μｍ）させることがで
き、故にフォトレジストの吐出量を可及的に低減しつ
つ、ウェハ上での液量を厚さ数μｍに平準化することが
できる。

【００２５】その後、スリットノズル１４を上昇して退
避させ、搬送ロボット１９にて円形ウェハ１１を第１の
スピンチャック１２に並設される第２のスピンチャック
１６（スピン処理部）に移載し（搬送工程：ステップＳ
７）、高速回転させて所望の厚みで且つ均一な膜厚のレ
ジスト膜を得る（高速回転工程：ステップＳ８）。回転
速度は２，０００〜６，０００ｒｐｍ程度、望ましくは
３，０００〜５，０００ｒｐｍ程度である。ここでは、
高速回転することにより、数μｍ程度で膜厚均一性に優
れたレジスト膜が形成される。しかる後、搬送ロボット
１９にて処理後の円形ウェハ１１を後工程の処理部へ向
けて搬出する。

【００２６】以上のように、低速回転時に全面吸着にて
円形ウェハ１１を極めて平坦に支持しているので、スリ
ットノズル１４を可及的に円形ウェハ１１の表面に近接
できる。したがって、スリットノズル１４からの処理液
の吐出量を最小限に設定しても、円形ウェハ１１の表面
全部に処理液をむらなく塗布できる。

【００２７】また、全面吸着用の第１のスピンチャック
１２を低速回転時のみ使用し、高速回転時は第２のスピ
ンチャック１６にて中央部のみで吸着しているので、処
理液を振り切る際にチャックとウェハとの接触面積を小
とすることで、処理液のミスト（霧）がチャック上面と
円形ウェハ１１の裏面の間に毛細管現象等にて回り込む
事態を低減することができる。

【００２８】なお、スリットノズルとして、基板の半径
に略等しいかまたは若干短い長さの線状に処理液を吐出
するものを用いることもできる。その場合、図３（ｂ）
に示すように基板の中心からその半径に沿って処理液を
吐出するようにスリットノズルを配置し、そして、処理
液吐出後は、基板を第２の基板支持手段へ搬送して高速
回転させて余剰の処理液を振り切る動作を行う。かかる
構成でも、処理液の使用量を低減でき、また基板や基板
支持手段の汚染も防止し得る。しかし、この場合には、
基板の全面へスリットノズルから処理液を供給するため
には基板とスリットノズルとを相対的に１回転させなけ
ればならず、処理液の供給に比較的長時間を要し、初期
に吐出した処理液と後期に吐出した処理液とでその処理
液の溶剤成分の揮発状態などで差が生じ、そのため、高
速回転による余剰処理液振り切り後の膜厚が均一になら
ないことが考えられる。それに比べて、処理液の供給が
半回転ですむ図３（ａ）の場合には、比較的短時間で処
理液の供給が完了するので、かかる不都合は生じない。

【００２９】｛変形例｝ （１） 上記実施例では、基板として円形ウェハを対象
とした場合について説明したが、本発明はこれに限られ
ることはなく、例えばオリエンテーションフラットやノ
ッチが形成された半導体ウェハ等の略円形の基板であっ
てもよい。例えばオリエンテーションフラットが形成さ
れた半導体ウェハの場合には、スリットノズル１４のス
リット１５は、吐出したフォトレジストがオリエンテー
ションフラットにかからないように、そのスリット１５
の大きさを若干小さくすることが望ましい。これは、第
１のスピンチャック１２等にフォトレジストが付着する
のを防止するためである。また、処理液供給手段として
は、上記実施例のようなスリットを使用したものに限ら
ず、例えば多数の小さな処理液吐出口を直線状に並べて
実質的に基板の直径にそって線状にフォトレジストを吐
出するものであってもよい。

【００３０】（２） 上記実施例では、スリットノズル
１４を固定して第１のスピンチャック１２のみを回転さ
せていたが、第１のスピンチャック１２を固定してスリ
ットノズル１４のみを回転させてもよく、さらに、第１
のスピンチャック１２およびスリットノズル１４の両方
を互いに逆方向となるよう回転させてもよい。

【００３１】

【発明の効果】本発明請求項１および請求項２による
と、低速回転時に全面吸着にて基板を平坦に支持し、か
かる状態で処理液供給手段から処理液を吐出するよう構
成しているので、基板に反りや撓みが発生した場合で
も、全面吸着にて基板を平坦化した後に、処理液供給手
段を可及的に基板の表面に可及的に近接することができ
る。したがって、液吐出を無駄なく行うことができ、処
理液供給手段からの処理液の吐出量を低減でき、且つ、
基板の表面全部に処理液をむらなく塗布できる。

【００３２】また、全面吸着用の第１の基板支持手段を
低速回転時のみ使用し、高速回転時は第２の基板支持手
段にて中央部のみで吸着するよう構成しているので、処
理液を振り切る際に基板支持手段と基板との接触面積を
小にし、処理液のミスト（霧）が基板支持手段上面と基
板の裏面の間に毛細管現象等にて回り込む事態を低減
し、基板支持手段や基板の汚染を防止することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の回転式塗布装置の概略
を示す模式図である。

【図２】本発明の第１の実施例の回転式塗布装置を示す
平面図である。

【図３】回転式塗布装置における円形ウェハおよびスリ
ットノズルを示す斜視図である。

【図４】本発明の第１の実施例の回転式塗布装置におけ
る搬送ロボットを示す図である。

【図５】本発明の第１の実施例の回転式塗布装置の動作
を示すフローチャートである。

【図６】第１の従来例の回転式塗布装置の概略を示す断
面図である。

【図７】第１の従来例の回転式塗布装置の処理液吐出動
作を示す図である。

【図８】第１の従来例の回転式塗布装置の処理液飛散動
作を示す図である。

【図９】第２の従来例の回転式塗布装置の概略を示す図
である。

【符号の説明】

１１ 円形ウェハ １２ 第１のスピンチャック １３ 第１のモータ １４ スリットノズル １５ スリット １６ 第２のスピンチャック １７ 第２のモータ １８ 搬送アーム １９ 搬送ロボット

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 略円形の基板の表面に処理液を供給して
   基板を回転させることにより塗布する回転式塗布装置に
   おいて、 前記基板の裏面を略全面吸着して支持する第１の基板支
   持手段と、 前記第１の基板支持手段に支持された前記基板の表面に
   対して、その直径に略等しいかまたは若干短い長さの線
   状に処理液を吐出する処理液供給手段と、 前記第１の基板支持手段および前記処理液供給手段の少
   なくとも一方を他方に対して所定の低速度で回転させる
   第１の回転手段と、 前記基板の裏面の中央部のみを吸着して支持する第２の
   基板支持手段と、 前記基板上の処理液を遠心力にて平滑化するよう前記第
   ２の基板支持手段を所定の高速度で回転する第２の回転
   手段と前記処理液供給手段での処理液吐出後に前記第１
   の基板支持手段から前記第２の基板支持手段へ前記基板
   を搬送する搬送手段とを備える回転式塗布装置。
2. 【請求項２】 略円形の基板の表面に処理液を供給して
   基板を回転させることにより塗布する回転式塗布方法に
   おいて、 第１の基板支持手段に前記基板の裏面を略全面吸着した
   状態で、処理液供給手段により当該基板の表面に当該基
   板の直径にそって線状に処理液を吐出しつつ、当該基板
   および前記処理液供給手段の少なくとも一方を他方に対
   して所定の低速度で回転させる処理液吐出工程と、 前記処理液供給手段からの前記処理液の吐出完了後に、
   前記基板を前記第１の基板支持手段から第２の基板支持
   手段へ搬送する搬送工程と、 前記第２の基板支持手段により基板の裏面の中央部のみ
   を吸着して支持した状態で、前記基板上の処理液を遠心
   力にて平滑化するよう前記第２の基板支持手段を所定の
   高速度で回転する高速回転工程とを備える回転式塗布方
   法。