JPH1060067A - フォトレジスト用ノボラック樹脂の製造方法およびポジ型フォトレジスト組成物 - Google Patents
フォトレジスト用ノボラック樹脂の製造方法およびポジ型フォトレジスト組成物Info
- Publication number
- JPH1060067A JPH1060067A JP8241115A JP24111596A JPH1060067A JP H1060067 A JPH1060067 A JP H1060067A JP 8241115 A JP8241115 A JP 8241115A JP 24111596 A JP24111596 A JP 24111596A JP H1060067 A JPH1060067 A JP H1060067A
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- Japan
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- cresol
- resin
- novolak resin
- naphthoquinonediazide
- photoresist
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- Pending
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 アルカリ溶解速度が十分に制御され、その結
果0.4μm程度のパターンの形成を可能とするフォト
レジスト用ノボラック樹脂を開発する。 【解決手段】 m−クレゾールと、一般式(I) 【化1】 (式中、xは1、2または3である。)で示される、両
末端にm−クレゾールが結合した多核体の混合物と、ホ
ルムアルデヒドとを、二価金属の有機酸塩の触媒の存在
下で付加縮合させてフォトレジスト用ノボラック樹脂を
製造する。
果0.4μm程度のパターンの形成を可能とするフォト
レジスト用ノボラック樹脂を開発する。 【解決手段】 m−クレゾールと、一般式(I) 【化1】 (式中、xは1、2または3である。)で示される、両
末端にm−クレゾールが結合した多核体の混合物と、ホ
ルムアルデヒドとを、二価金属の有機酸塩の触媒の存在
下で付加縮合させてフォトレジスト用ノボラック樹脂を
製造する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトレジスト用
ノボラック樹脂の製造方法に関し、特にパターン形状に
優れ、解像性の良好なフォトレジスト用ノボラック樹脂
の製造方法に関するものである。さらに、本発明は、こ
のようなフォトレジスト用ノボラック樹脂を含むポジ型
フォトレジスト組成物にも関する。
ノボラック樹脂の製造方法に関し、特にパターン形状に
優れ、解像性の良好なフォトレジスト用ノボラック樹脂
の製造方法に関するものである。さらに、本発明は、こ
のようなフォトレジスト用ノボラック樹脂を含むポジ型
フォトレジスト組成物にも関する。
【0002】
【従来の技術】ポジ型フォトレジストとして代表的なも
のは、アルカリ可溶性のノボラック樹脂(ベース樹脂)
と、光分解性を有する感光剤、例えばナフトキノンジア
ジドスルホン酸エステルとから主として構成されている
ものである。このようなポジ型フォトレジストは、I
C、LSI等の半導体集積回路を製造する際のフォトリ
ソグラフィーにおいて、エッチング保護膜として利用さ
れている。
のは、アルカリ可溶性のノボラック樹脂(ベース樹脂)
と、光分解性を有する感光剤、例えばナフトキノンジア
ジドスルホン酸エステルとから主として構成されている
ものである。このようなポジ型フォトレジストは、I
C、LSI等の半導体集積回路を製造する際のフォトリ
ソグラフィーにおいて、エッチング保護膜として利用さ
れている。
【0003】近年IC、LSI等の高集積化がますます
進み、この高集積化に伴って、微細なパターン形成が要
求されてフォトリソグラフィー技術が著しく進展してい
る。そして、フォトリソグラフィーにおいて微細なパタ
ーン形成を行うために、縮小投影露光方式を採用した装
置が開発された。縮小投影露光方式を採用した装置で線
幅が1μm以下のパターン形成を可能にするためには、
縮小投影露光方式で用いられる露光光源の短波長化など
の装置の改良と共に、使用されるフォトレジストのより
高性能化が必要となる。
進み、この高集積化に伴って、微細なパターン形成が要
求されてフォトリソグラフィー技術が著しく進展してい
る。そして、フォトリソグラフィーにおいて微細なパタ
ーン形成を行うために、縮小投影露光方式を採用した装
置が開発された。縮小投影露光方式を採用した装置で線
幅が1μm以下のパターン形成を可能にするためには、
縮小投影露光方式で用いられる露光光源の短波長化など
の装置の改良と共に、使用されるフォトレジストのより
高性能化が必要となる。
【0004】特に、i線(波長が365nmのもの)露
光光源については、超解像技術と称される手法が開発さ
れ、線幅が0.30μmのパターン形成の実現に向けて
種々研究がなされている。i線露光では、上記のような
ポジ型フォトレジストが使用されるが、線幅が0.30
μmといった極めて微細なパターン形成を実現するため
には、このようなポジ型フォトレジストに対して要求さ
れる性能も著しく高いものとなる。これまでに、ポジ型
フォトレジストに含まれるベース樹脂としてのノボラッ
ク樹脂の改良や感光剤の探究が行われているが、線幅が
0.5μm程度のパターン形成にとどまり、i線露光の
限界まできたと言われている。
光光源については、超解像技術と称される手法が開発さ
れ、線幅が0.30μmのパターン形成の実現に向けて
種々研究がなされている。i線露光では、上記のような
ポジ型フォトレジストが使用されるが、線幅が0.30
μmといった極めて微細なパターン形成を実現するため
には、このようなポジ型フォトレジストに対して要求さ
れる性能も著しく高いものとなる。これまでに、ポジ型
フォトレジストに含まれるベース樹脂としてのノボラッ
ク樹脂の改良や感光剤の探究が行われているが、線幅が
0.5μm程度のパターン形成にとどまり、i線露光の
限界まできたと言われている。
【0005】ここで、ポジ型フォトレジスト用に供され
る、アルカリ可溶性のノボラック樹脂として、代表的な
ものは、クレゾールノボラック樹脂である。このような
クレゾールノボラック樹脂としては、例えば、m−クレ
ゾールからの樹脂(特開昭60−57339号公報)、
m−クレゾールとp−クレゾールからの樹脂(特開昭6
2−35349号公報)、更に、m−クレゾール、p−
クレゾールに3,5−ジメチルフェノールまたは2,
3,5−トリメチルフェノールを加えて得られる樹脂
(特開昭61−275748号公報、特開平3−228
059号公報)、m−クレゾールに2−t−ブチル−5
−メチルフェノールを加えて得られる高分子体の樹脂
(特開平4−174438号公報)などが挙げられる。
る、アルカリ可溶性のノボラック樹脂として、代表的な
ものは、クレゾールノボラック樹脂である。このような
クレゾールノボラック樹脂としては、例えば、m−クレ
ゾールからの樹脂(特開昭60−57339号公報)、
m−クレゾールとp−クレゾールからの樹脂(特開昭6
2−35349号公報)、更に、m−クレゾール、p−
クレゾールに3,5−ジメチルフェノールまたは2,
3,5−トリメチルフェノールを加えて得られる樹脂
(特開昭61−275748号公報、特開平3−228
059号公報)、m−クレゾールに2−t−ブチル−5
−メチルフェノールを加えて得られる高分子体の樹脂
(特開平4−174438号公報)などが挙げられる。
【0006】ポジ型フォトレジストの高性能化の手法と
しては、ベース樹脂として、特開昭60−159846
号公報に示されるように、ある程度のオルソ−オルソ結
合を含む、いわゆるハイオルソノボラック樹脂を用いる
ことが挙げられる。ハイオルソノボラック樹脂をベース
樹脂として含むポジ型フォトレジストは、露光部と未露
光部とのアルカリ溶解速度の差が大きいとされるもの
の、この樹脂は、分子量の変動に対して極めて鋭敏にア
ルカリ溶解速度が変動するために、所定の分子量、分子
量分布を有するハイオルソノボラック樹脂を得て、この
樹脂のアルカリ溶解速度を制御することが必要である。
しかし、所定の分子量、分子量分布の樹脂を得ることは
難しく、この樹脂のアルカリ溶解速度の制御は困難であ
るという問題がある。
しては、ベース樹脂として、特開昭60−159846
号公報に示されるように、ある程度のオルソ−オルソ結
合を含む、いわゆるハイオルソノボラック樹脂を用いる
ことが挙げられる。ハイオルソノボラック樹脂をベース
樹脂として含むポジ型フォトレジストは、露光部と未露
光部とのアルカリ溶解速度の差が大きいとされるもの
の、この樹脂は、分子量の変動に対して極めて鋭敏にア
ルカリ溶解速度が変動するために、所定の分子量、分子
量分布を有するハイオルソノボラック樹脂を得て、この
樹脂のアルカリ溶解速度を制御することが必要である。
しかし、所定の分子量、分子量分布の樹脂を得ることは
難しく、この樹脂のアルカリ溶解速度の制御は困難であ
るという問題がある。
【0007】前記特開昭60−159846号公報に示
される二段法は、この問題を解決するためのものである
と解釈できるが、いまだ十分にアルカリ溶解速度を制御
するものではない。
される二段法は、この問題を解決するためのものである
と解釈できるが、いまだ十分にアルカリ溶解速度を制御
するものではない。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は、ア
ルカリ溶解速度が十分に制御され、その結果、線幅が
0.30μmというパターン形成に従来より近い、0.
4μm程度のパターンの形成を可能とする、フォトレジ
スト用ノボラック樹脂を開発することを目的とする。
ルカリ溶解速度が十分に制御され、その結果、線幅が
0.30μmというパターン形成に従来より近い、0.
4μm程度のパターンの形成を可能とする、フォトレジ
スト用ノボラック樹脂を開発することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは上
記目的に鑑みて種々検討を重ねた結果、ノボラック型低
核体を利用して製造されたノボラック樹脂、より具体的
には、m−クレゾールと、ノボラック型低核体と、ホル
ムアルデヒドとを、二価金属の有機酸塩の触媒の存在下
で付加縮合させることにより製造されるノボラック樹脂
により達成されることを見いだした。
記目的に鑑みて種々検討を重ねた結果、ノボラック型低
核体を利用して製造されたノボラック樹脂、より具体的
には、m−クレゾールと、ノボラック型低核体と、ホル
ムアルデヒドとを、二価金属の有機酸塩の触媒の存在下
で付加縮合させることにより製造されるノボラック樹脂
により達成されることを見いだした。
【0010】従って、本発明は、m−クレゾールと、一
般式(I)
般式(I)
【化2】 (式中、xは1、2または3である。)で示される、両
末端にm−クレゾールが結合した多核体の混合物と、ホ
ルムアルデヒドとを、二価金属の有機酸塩の触媒の存在
下で付加縮合させる、ことを特徴とするフォトレジスト
用ノボラック樹脂の製造方法を要旨とするものである
(請求項1)。
末端にm−クレゾールが結合した多核体の混合物と、ホ
ルムアルデヒドとを、二価金属の有機酸塩の触媒の存在
下で付加縮合させる、ことを特徴とするフォトレジスト
用ノボラック樹脂の製造方法を要旨とするものである
(請求項1)。
【0011】この製造方法によれば、m−クレゾール
と、一般式(I)で示される多核体の混合物と、ホルム
アルデヒドとの反応性が高く、得られるノボラック樹脂
のオルソ−オルソ結合割合、分子量、分子量分布の制御
が容易であり、従って所定のアルカリ溶解速度を有し、
その結果パターン形状に優れ、解像性の良好なノボラッ
ク樹脂が得られる。そして、このノボラック樹脂をベー
ス樹脂として含むポジ型フォトレジストを用いると、露
光光源としてi線を用いるフォトリソグラフィーにおい
て、線幅が0.4μm程度の従来より微細なパターンを
形成できる。
と、一般式(I)で示される多核体の混合物と、ホルム
アルデヒドとの反応性が高く、得られるノボラック樹脂
のオルソ−オルソ結合割合、分子量、分子量分布の制御
が容易であり、従って所定のアルカリ溶解速度を有し、
その結果パターン形状に優れ、解像性の良好なノボラッ
ク樹脂が得られる。そして、このノボラック樹脂をベー
ス樹脂として含むポジ型フォトレジストを用いると、露
光光源としてi線を用いるフォトリソグラフィーにおい
て、線幅が0.4μm程度の従来より微細なパターンを
形成できる。
【0012】従って、本発明は、さらに、上記本発明に
よる製造方法で製造されたノボラック樹脂と、ナフトキ
ノンジアジド化合物とを主成分とする、ことを特徴とす
るポジ型フォトレジスト組成物をも要旨とするものであ
る(請求項2)。
よる製造方法で製造されたノボラック樹脂と、ナフトキ
ノンジアジド化合物とを主成分とする、ことを特徴とす
るポジ型フォトレジスト組成物をも要旨とするものであ
る(請求項2)。
【0013】本発明の製造方法において使用される一般
式(I)で示される多核体(xが1の場合3核体、xが
2の場合4核体、そしてxが3の場合5核体)は、2,
6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾール(xが
1の場合)、ジメチロールメチレン−ビス−p−クレゾ
ール(xが2の場合)またはジメチロールメチレン−ト
リス−p−クレゾール(xが3の場合)と、m−クレゾ
ールとを酸触媒、例えば塩酸、硫酸、燐酸等の無機酸、
ギ酸、シュウ酸、酢酸等の有機酸の存在下で、反応させ
ることにより得られる。
式(I)で示される多核体(xが1の場合3核体、xが
2の場合4核体、そしてxが3の場合5核体)は、2,
6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾール(xが
1の場合)、ジメチロールメチレン−ビス−p−クレゾ
ール(xが2の場合)またはジメチロールメチレン−ト
リス−p−クレゾール(xが3の場合)と、m−クレゾ
ールとを酸触媒、例えば塩酸、硫酸、燐酸等の無機酸、
ギ酸、シュウ酸、酢酸等の有機酸の存在下で、反応させ
ることにより得られる。
【0014】
【化3】
【0015】ここで得られる多核体は、m−クレゾール
のオルソ位またはパラ位が、上記p−クレゾールの両端
のヒドロキシメチル基と、脱水縮合したもので、上記反
応によれば異性体の混合物として得られる。本発明の製
造方法において使用される一般式(I)の多核体の混合
物は、一般にこのような1種類の多核体の異性体の混合
物であるが、3核体と4核体との混合物のような、複数
の種類の多核体の混合物でもよい。
のオルソ位またはパラ位が、上記p−クレゾールの両端
のヒドロキシメチル基と、脱水縮合したもので、上記反
応によれば異性体の混合物として得られる。本発明の製
造方法において使用される一般式(I)の多核体の混合
物は、一般にこのような1種類の多核体の異性体の混合
物であるが、3核体と4核体との混合物のような、複数
の種類の多核体の混合物でもよい。
【0016】また、本発明の製造方法において、ホルム
アルデヒドは、通常、水溶液の状態でm−クレゾール等
と混合される。
アルデヒドは、通常、水溶液の状態でm−クレゾール等
と混合される。
【0017】本発明の製造方法における付加縮合におい
て、m−クレゾール/一般式(I)の多核体の混合物の
混合割合(モル比)は任意に選択されるが、多核体の混
合物として3核体の異性体の混合物を用いる場合には、
この比が4〜10の範囲にあることが適当である。この
範囲を逸脱すると、得られる樹脂のアルカリ溶解速度の
制御が困難になるからである。また、4核体または5核
体の異性体の混合物を用いる場合には、得られる樹脂の
アルカリ溶解速度の制御はより困難であり、またこのよ
うな混合物は入手し難いことから、この比が8〜10の
範囲にあることが適当である。
て、m−クレゾール/一般式(I)の多核体の混合物の
混合割合(モル比)は任意に選択されるが、多核体の混
合物として3核体の異性体の混合物を用いる場合には、
この比が4〜10の範囲にあることが適当である。この
範囲を逸脱すると、得られる樹脂のアルカリ溶解速度の
制御が困難になるからである。また、4核体または5核
体の異性体の混合物を用いる場合には、得られる樹脂の
アルカリ溶解速度の制御はより困難であり、またこのよ
うな混合物は入手し難いことから、この比が8〜10の
範囲にあることが適当である。
【0018】さらに、ホルムアルデヒド/混合クレゾー
ル(=m−クレゾール+一般式(I)の多核体の混合
物)の混合割合(モル比)は、従来より知られるよう
に、得られる樹脂の分子量を決定する要因の一つであ
り、任意に選択できるが、この比が0.50〜0.80
の範囲にあることが好ましい。得られる樹脂のより高い
解像性を実現するために低分子カット等の手法を採用す
る場合には、この比が0.50〜0.65の範囲にある
ことが好適である。
ル(=m−クレゾール+一般式(I)の多核体の混合
物)の混合割合(モル比)は、従来より知られるよう
に、得られる樹脂の分子量を決定する要因の一つであ
り、任意に選択できるが、この比が0.50〜0.80
の範囲にあることが好ましい。得られる樹脂のより高い
解像性を実現するために低分子カット等の手法を採用す
る場合には、この比が0.50〜0.65の範囲にある
ことが好適である。
【0019】一般式(I)の多核体の混合物とm−クレ
ゾールとホルムアルデヒドとの付加縮合に使用される二
価金属の有機酸塩の触媒としては、カルシウム、マグネ
シウムまたは亜鉛と有機酸、例えばギ酸、シュウ酸、酢
酸等との塩が適当であり、特に酢酸亜鉛が好適である。
ゾールとホルムアルデヒドとの付加縮合に使用される二
価金属の有機酸塩の触媒としては、カルシウム、マグネ
シウムまたは亜鉛と有機酸、例えばギ酸、シュウ酸、酢
酸等との塩が適当であり、特に酢酸亜鉛が好適である。
【0020】本発明の製造方法において、一般式(I)
の多核体の混合物とm−クレゾールとホルムアルデヒド
との付加縮合の際に、反応媒体として、エチルセロソル
ブ、ジオキサンなどの親水性溶剤を用いるのが好まし
く、また、95〜100℃の温度で縮合させるのが好ま
しい。また、付加縮合における触媒の使用量に制限はな
いが、一般式(I)の多核体の混合物、m−クレゾー
ル、ホルムアルデヒド等からなる反応混合物全体の1〜
5重量%の量で十分である。
の多核体の混合物とm−クレゾールとホルムアルデヒド
との付加縮合の際に、反応媒体として、エチルセロソル
ブ、ジオキサンなどの親水性溶剤を用いるのが好まし
く、また、95〜100℃の温度で縮合させるのが好ま
しい。また、付加縮合における触媒の使用量に制限はな
いが、一般式(I)の多核体の混合物、m−クレゾー
ル、ホルムアルデヒド等からなる反応混合物全体の1〜
5重量%の量で十分である。
【0021】付加縮合終了後は、未反応原料、触媒等の
低分子成分を除去するために、反応混合物を、減圧下で
130〜250℃に加熱するか、あるいは、得られた樹
脂にメタノール、トルエン、メチルイソブチルケトンの
ような溶剤を加えて抽出した後、この溶剤を除去する
か、または、得られた樹脂を前記のような溶剤に溶解さ
せ、これに水、n−ヘキサン、n−ヘプタンなどの沈殿
剤を添加してノボラック樹脂を析出させることが望まし
い。
低分子成分を除去するために、反応混合物を、減圧下で
130〜250℃に加熱するか、あるいは、得られた樹
脂にメタノール、トルエン、メチルイソブチルケトンの
ような溶剤を加えて抽出した後、この溶剤を除去する
か、または、得られた樹脂を前記のような溶剤に溶解さ
せ、これに水、n−ヘキサン、n−ヘプタンなどの沈殿
剤を添加してノボラック樹脂を析出させることが望まし
い。
【0022】このような本発明の製造方法によれば、パ
ターン形状に優れ、解像性の良好なフォトレジスト用ノ
ボラック樹脂が得られる。このノボラック樹脂のGPC
換算平均分子量Mw は、1000〜10000、好まし
くは2000〜5000の範囲にある。
ターン形状に優れ、解像性の良好なフォトレジスト用ノ
ボラック樹脂が得られる。このノボラック樹脂のGPC
換算平均分子量Mw は、1000〜10000、好まし
くは2000〜5000の範囲にある。
【0023】さらに、本発明のポジ型フォトレジスト組
成物は、ベース樹脂として本発明の製造方法により製造
されたノボラック樹脂、そして、感光剤としてナフトキ
ノンジアジド化合物を含むものである。本発明に使用さ
れるナフトキノンジアジド化合物は特に限定されるもの
ではないが、例えば、1,2−ナフトキノンジアジド−
4−スルホン酸エステル類、1,2−ナフトキノンジア
ジド−5−スルホン酸エステル類、1,2−ナフトキノ
ンジアジド−6−スルホン酸エステル類、1,2−ナフ
トキノンジアジド−8−スルホン酸エステル類を挙げる
ことができる。具体的には、レゾルシノール−1,2−
ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、ピロ
ガロール−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸エステルなどの(ポリ)ヒドロキシベンゼンの1,
2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類;2,
4−ジヒドロキシフェニル−n−ヘキシルケトン−1,
2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、
2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフト
キノンジアジド−5,6または8−スルホン酸エステ
ル、2,3,4−トリヒドロキシフェニル−n−ヘキシ
ルケトン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホ
ン酸エステル、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェ
ノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4,5,6また
は8−スルホン酸エステル、2,4,6−トリヒドロキ
シベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4
または5−スルホン酸エステル、2,2′,4,4′−
テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノ
ンジアジド−5,6または8−スルホン酸エステル、
2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフェノン−
1,2−ナフトキノンジアジド−6または8−スルホン
酸エステル,2,3,4,2′,6′−ペンタヒドロキ
シベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸エステル、2,4,6,3′,4′,5′
−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキ
ノンジアジド−5−スルホン酸エステルなどの(ポリ)
ヒドロキシフェニルアルキルケトンの1,2−ナフトキ
ノンジアジドスルホン酸エステル類;ビス(p−ヒドロ
キシフェニル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジド
−4−スルホン酸エステル、ビス(2,4−ジヒドロキ
シフェニル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホン酸エステル、ビス(2,3,4−トリヒド
ロキシフェニル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジ
ド−5−スルホン酸エステル、2,2−ビス(p−ヒド
ロキシフェニル)プロパン−1,2−ナフトキノンジア
ジド−4−スルホン酸エステル、2,2−ビス(2,4
−ジヒドロキシフェニル)プロパン−1,2−ナフトキ
ノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,2−ビス
(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)プロパン−
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステ
ルなどのビス〔(ポリ)ヒドロキシフェニル〕アルカン
の1,2−キノンジアジドスルホン酸エステル類;2,
6−ビス[(2−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニ
ル)メチル]−4−メチルフェノール−1,2−ナフト
キノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,6−ビ
ス[(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)メ
チル]−4−メチルフェノール−1,2−メフトキノン
ジアジド−5−スルホン酸エステル、メチレン−トリス
−p−クレゾール−1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸エステル、メチレン−テトラ−p−クレゾ
ール−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸
エステルなどの(ヒドロキシベンジル)フェノールの
1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類;
3,5−ジヒドロキシ安息香酸ラウリル−1,2−ナフ
トキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,3,
4−トリヒドロキシ安息香酸フェニル−1,2−ナフト
キノンジアジド−5−スルホン酸エステル、3,4,5
−トリヒドロキシ安息香酸プロピル−1,2−ナフトキ
ノンジアジド−5−スルホン酸エステル、3,4,5−
トリヒドロキシ安息香酸フェニル−1,2−ナフトキノ
ンジアジド−5−スルホン酸エステルなどの(ポリ)ヒ
ドロキシ安息香酸アルキルまたはアリールの1,2−ナ
フトキノンジアジドスルホン酸エステル類;ビス(2,
5−ジヒドロキシベンゾイル)メタン−1,2−ナフト
キノンジアジド−4−スルホン酸エステル、ビス(2,
3,4−トリヒドロキシベンゾイル)メタン−1,2−
ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、ビス
(2,4,6−トリヒドロキシベンゾイル)メタン−
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステ
ル、p−ビス(2,5−ジヒドロキシベンゾイル)ベン
ゼン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸
エステル、p−ビス(2,3,4−トリヒドロキシベン
ゾイル)ベンゼン−1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸エステル、p−ビス(2,4,6−トリヒ
ドロキシベンゾイル)ベンゼン−1,2−ナフトキノン
ジアジド−5−スルホン酸エステルなどのビス〔(ポ
リ)ヒドロキシベンゾイル〕アルカンまたはベンゼンの
1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類;
エチレングリコール(3,5−ジヒドロキシベンゾエー
ト)−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸
エステル、ポリエチレングリコール−ジ(3,4,5−
トリヒドロキシベンゾエート)−1,2−ナフトキノン
ジアジド−5−スルホン酸エステルなどの(ポリ)エチ
レングリコール〔(ポリ)ヒドロキシベンゾエート〕の
1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類な
どを挙げることができる。このうち、特に、メチレン−
テトラ−p−クレゾール−1,2−ナフトキノンジアジ
ド−5−スルホン酸エステルが、上記本発明の製造方法
で製造されたフォトレジスト用ノボラック樹脂のパター
ン形状に優れ、解像性が良好であるという効果が顕著に
出るので、好ましい。
成物は、ベース樹脂として本発明の製造方法により製造
されたノボラック樹脂、そして、感光剤としてナフトキ
ノンジアジド化合物を含むものである。本発明に使用さ
れるナフトキノンジアジド化合物は特に限定されるもの
ではないが、例えば、1,2−ナフトキノンジアジド−
4−スルホン酸エステル類、1,2−ナフトキノンジア
ジド−5−スルホン酸エステル類、1,2−ナフトキノ
ンジアジド−6−スルホン酸エステル類、1,2−ナフ
トキノンジアジド−8−スルホン酸エステル類を挙げる
ことができる。具体的には、レゾルシノール−1,2−
ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、ピロ
ガロール−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸エステルなどの(ポリ)ヒドロキシベンゼンの1,
2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類;2,
4−ジヒドロキシフェニル−n−ヘキシルケトン−1,
2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、
2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフト
キノンジアジド−5,6または8−スルホン酸エステ
ル、2,3,4−トリヒドロキシフェニル−n−ヘキシ
ルケトン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホ
ン酸エステル、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェ
ノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4,5,6また
は8−スルホン酸エステル、2,4,6−トリヒドロキ
シベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4
または5−スルホン酸エステル、2,2′,4,4′−
テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノ
ンジアジド−5,6または8−スルホン酸エステル、
2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフェノン−
1,2−ナフトキノンジアジド−6または8−スルホン
酸エステル,2,3,4,2′,6′−ペンタヒドロキ
シベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸エステル、2,4,6,3′,4′,5′
−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキ
ノンジアジド−5−スルホン酸エステルなどの(ポリ)
ヒドロキシフェニルアルキルケトンの1,2−ナフトキ
ノンジアジドスルホン酸エステル類;ビス(p−ヒドロ
キシフェニル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジド
−4−スルホン酸エステル、ビス(2,4−ジヒドロキ
シフェニル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホン酸エステル、ビス(2,3,4−トリヒド
ロキシフェニル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジ
ド−5−スルホン酸エステル、2,2−ビス(p−ヒド
ロキシフェニル)プロパン−1,2−ナフトキノンジア
ジド−4−スルホン酸エステル、2,2−ビス(2,4
−ジヒドロキシフェニル)プロパン−1,2−ナフトキ
ノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,2−ビス
(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)プロパン−
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステ
ルなどのビス〔(ポリ)ヒドロキシフェニル〕アルカン
の1,2−キノンジアジドスルホン酸エステル類;2,
6−ビス[(2−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニ
ル)メチル]−4−メチルフェノール−1,2−ナフト
キノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,6−ビ
ス[(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)メ
チル]−4−メチルフェノール−1,2−メフトキノン
ジアジド−5−スルホン酸エステル、メチレン−トリス
−p−クレゾール−1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸エステル、メチレン−テトラ−p−クレゾ
ール−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸
エステルなどの(ヒドロキシベンジル)フェノールの
1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類;
3,5−ジヒドロキシ安息香酸ラウリル−1,2−ナフ
トキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,3,
4−トリヒドロキシ安息香酸フェニル−1,2−ナフト
キノンジアジド−5−スルホン酸エステル、3,4,5
−トリヒドロキシ安息香酸プロピル−1,2−ナフトキ
ノンジアジド−5−スルホン酸エステル、3,4,5−
トリヒドロキシ安息香酸フェニル−1,2−ナフトキノ
ンジアジド−5−スルホン酸エステルなどの(ポリ)ヒ
ドロキシ安息香酸アルキルまたはアリールの1,2−ナ
フトキノンジアジドスルホン酸エステル類;ビス(2,
5−ジヒドロキシベンゾイル)メタン−1,2−ナフト
キノンジアジド−4−スルホン酸エステル、ビス(2,
3,4−トリヒドロキシベンゾイル)メタン−1,2−
ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、ビス
(2,4,6−トリヒドロキシベンゾイル)メタン−
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステ
ル、p−ビス(2,5−ジヒドロキシベンゾイル)ベン
ゼン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸
エステル、p−ビス(2,3,4−トリヒドロキシベン
ゾイル)ベンゼン−1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸エステル、p−ビス(2,4,6−トリヒ
ドロキシベンゾイル)ベンゼン−1,2−ナフトキノン
ジアジド−5−スルホン酸エステルなどのビス〔(ポ
リ)ヒドロキシベンゾイル〕アルカンまたはベンゼンの
1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類;
エチレングリコール(3,5−ジヒドロキシベンゾエー
ト)−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸
エステル、ポリエチレングリコール−ジ(3,4,5−
トリヒドロキシベンゾエート)−1,2−ナフトキノン
ジアジド−5−スルホン酸エステルなどの(ポリ)エチ
レングリコール〔(ポリ)ヒドロキシベンゾエート〕の
1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類な
どを挙げることができる。このうち、特に、メチレン−
テトラ−p−クレゾール−1,2−ナフトキノンジアジ
ド−5−スルホン酸エステルが、上記本発明の製造方法
で製造されたフォトレジスト用ノボラック樹脂のパター
ン形状に優れ、解像性が良好であるという効果が顕著に
出るので、好ましい。
【0024】本発明のポジ型フォトレジスト組成物にお
いて、ノボラック樹脂と感光剤は、通常溶剤、例えばエ
チレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコ
ールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメ
チルエーテルなどのエーテル類、メチルセロソルブアセ
テート、エチルセロソルブアセテート、酢酸エチル、酢
酸ブチル、安息香酸エチル、シュウ酸エチルなどのエス
テル類などに溶解されている。
いて、ノボラック樹脂と感光剤は、通常溶剤、例えばエ
チレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコ
ールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメ
チルエーテルなどのエーテル類、メチルセロソルブアセ
テート、エチルセロソルブアセテート、酢酸エチル、酢
酸ブチル、安息香酸エチル、シュウ酸エチルなどのエス
テル類などに溶解されている。
【0025】さらに、本発明のポジ型フォトレジスト組
成物には、必要に応じて、増感剤、界面活性剤、染料や
顔料、接着助剤、保存安定剤、消泡剤などの配合剤を配
合することができる。本発明のポジ型フォトレジスト組
成物は、通常、溶剤に、例えばスピン塗布法で所望の膜
厚を得るために好適な濃度でノボラック樹脂、感光剤お
よび必要に応じて各種配合剤を溶解させた後、例えば孔
径が0.2μm〜0.5μm程度のフィルターで濾過し
て調製される。本発明のポジ型フォトレジスト組成物に
おいて、通常、ノボラック樹脂100重量部に対して、
5〜100重量部の感光剤が含まれ、また、溶剤の含有
量は、40〜90重量%である。
成物には、必要に応じて、増感剤、界面活性剤、染料や
顔料、接着助剤、保存安定剤、消泡剤などの配合剤を配
合することができる。本発明のポジ型フォトレジスト組
成物は、通常、溶剤に、例えばスピン塗布法で所望の膜
厚を得るために好適な濃度でノボラック樹脂、感光剤お
よび必要に応じて各種配合剤を溶解させた後、例えば孔
径が0.2μm〜0.5μm程度のフィルターで濾過し
て調製される。本発明のポジ型フォトレジスト組成物に
おいて、通常、ノボラック樹脂100重量部に対して、
5〜100重量部の感光剤が含まれ、また、溶剤の含有
量は、40〜90重量%である。
【0026】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を、実施例を
用いて説明するが、本発明はこれらの実施例によって何
ら制限されるものではない。
用いて説明するが、本発明はこれらの実施例によって何
ら制限されるものではない。
【0027】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明
する。1.一般式(I)の多核体の合成 1)3核体の合成 温度計、撹拌機およびリフラックスコンデンサーを備え
た四口フラスコに、m−クレゾール540.7g(5m
ol)、メタノール800gおよび5%塩酸1748g
を入れ、50℃に加熱し、この温度で、この混合物に、
2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾール4
2g(0.25mol)のメタノール溶液を滴下して加
えた。10時間反応後、メチルイソブチルケトン1Lを
加えて生成物をこの溶剤に抽出し、これを水洗した後、
溶剤を除去して、3核体を得た。これは3核体の異性体
の混合物であって、GPC純度は98%であった。
する。1.一般式(I)の多核体の合成 1)3核体の合成 温度計、撹拌機およびリフラックスコンデンサーを備え
た四口フラスコに、m−クレゾール540.7g(5m
ol)、メタノール800gおよび5%塩酸1748g
を入れ、50℃に加熱し、この温度で、この混合物に、
2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾール4
2g(0.25mol)のメタノール溶液を滴下して加
えた。10時間反応後、メチルイソブチルケトン1Lを
加えて生成物をこの溶剤に抽出し、これを水洗した後、
溶剤を除去して、3核体を得た。これは3核体の異性体
の混合物であって、GPC純度は98%であった。
【0028】2)4核体の合成 1)と同様にして、m−クレゾール108g(1mo
l)とジメチロールメチレン−ビス−p−クレゾール1
4.4g(0.05mol)から、4核体を得た。これ
は4核体の異性体の混合物であって、GPC純度は8
1.4%であった。
l)とジメチロールメチレン−ビス−p−クレゾール1
4.4g(0.05mol)から、4核体を得た。これ
は4核体の異性体の混合物であって、GPC純度は8
1.4%であった。
【0029】3)5核体の合成 1)と同様にして、m−クレゾール54.07g(0.
5mol)とジメチロールメチレン−トリス−p−クレ
ゾール10.2g(0.025mol)から、5核体を
得た。これは5核体の異性体の混合物であって、GPC
純度は79.5%であった。
5mol)とジメチロールメチレン−トリス−p−クレ
ゾール10.2g(0.025mol)から、5核体を
得た。これは5核体の異性体の混合物であって、GPC
純度は79.5%であった。
【0030】2.ノボラック樹脂の合成 1)3核体を用いた場合 温度計、撹拌機およびリフラックスコンデンサーを備え
た四口フラスコに、m−クレゾール24.9g(0.2
3mol)、上記1.1)で得られた3核体の異性体の
混合物13.38g(0.038mol)(m−クレゾ
ール/3核体の異性体の混合物のモル比=6)、エチル
セロソルブ13.42g、および37%ホルマリン1
3.11g(ホルムアルデヒド:0.16mol)(ホ
ルムアルデヒド/混合クレゾールのモル比=0.60)
を均一になるまでよく混合し、これに酢酸亜鉛(無水)
2.8gを加えて98〜100℃に加熱し、この温度で
18時間反応させた。得られたノボラック樹脂に、メチ
ルイソブチルケトン300mlを加えて、ノボラック樹
脂をこの溶剤に抽出し、これを十分に水洗した後、この
溶剤を除去した。これによって、32gのノボラック樹
脂(樹脂1)が得られた。この樹脂のGPC換算重量平
均分子量Mw は3800であった。
た四口フラスコに、m−クレゾール24.9g(0.2
3mol)、上記1.1)で得られた3核体の異性体の
混合物13.38g(0.038mol)(m−クレゾ
ール/3核体の異性体の混合物のモル比=6)、エチル
セロソルブ13.42g、および37%ホルマリン1
3.11g(ホルムアルデヒド:0.16mol)(ホ
ルムアルデヒド/混合クレゾールのモル比=0.60)
を均一になるまでよく混合し、これに酢酸亜鉛(無水)
2.8gを加えて98〜100℃に加熱し、この温度で
18時間反応させた。得られたノボラック樹脂に、メチ
ルイソブチルケトン300mlを加えて、ノボラック樹
脂をこの溶剤に抽出し、これを十分に水洗した後、この
溶剤を除去した。これによって、32gのノボラック樹
脂(樹脂1)が得られた。この樹脂のGPC換算重量平
均分子量Mw は3800であった。
【0031】さらに、上記と同様に操作し、m−クレゾ
ール/3核体の異性体の混合物のモル比およびホルムア
ルデヒド/混合クレゾールのモル比を表1に示すように
変えて、樹脂2〜4を合成した。
ール/3核体の異性体の混合物のモル比およびホルムア
ルデヒド/混合クレゾールのモル比を表1に示すように
変えて、樹脂2〜4を合成した。
【0032】
【表1】
【0033】2)4核体を用いた場合 1)と同様に操作し、1.2)で得られた4核体の異性
体の混合物を用い、m−クレゾール/4核体の異性体の
混合物のモル比を8とし、また、ホルムアルデヒド/混
合クレゾールのモル比を0.60として、ノボラック樹
脂を合成した。合成されたノボラック樹脂を細かく砕い
て、16倍量のトルエンを加えて抽出し、トルエン可溶
な低分子成分を除き、ノボラック樹脂(樹脂5)を得
た。この樹脂のGPC換算重量平均分子量Mw は280
0であった。
体の混合物を用い、m−クレゾール/4核体の異性体の
混合物のモル比を8とし、また、ホルムアルデヒド/混
合クレゾールのモル比を0.60として、ノボラック樹
脂を合成した。合成されたノボラック樹脂を細かく砕い
て、16倍量のトルエンを加えて抽出し、トルエン可溶
な低分子成分を除き、ノボラック樹脂(樹脂5)を得
た。この樹脂のGPC換算重量平均分子量Mw は280
0であった。
【0034】3)5核体を用いた場合 1)と同様に操作し、1.3)で得られた5核体の異性
体の混合物を用い、m−クレゾール/5核体の異性体の
混合物のモル比を10とし、また、ホルムアルデヒド/
混合クレゾールのモル比を0.60として、ノボラック
樹脂を合成した。合成されたノボラック樹脂を、20倍
量のメタノールに溶解し、これに同量の水を加えて、ノ
ボラック樹脂を沈殿させて回収した。これによって、低
分子成分が除去されたノボラック樹脂(樹脂6)が得ら
れた。この樹脂のGPC換算重量平均分子量Mw は26
00であった。
体の混合物を用い、m−クレゾール/5核体の異性体の
混合物のモル比を10とし、また、ホルムアルデヒド/
混合クレゾールのモル比を0.60として、ノボラック
樹脂を合成した。合成されたノボラック樹脂を、20倍
量のメタノールに溶解し、これに同量の水を加えて、ノ
ボラック樹脂を沈殿させて回収した。これによって、低
分子成分が除去されたノボラック樹脂(樹脂6)が得ら
れた。この樹脂のGPC換算重量平均分子量Mw は26
00であった。
【0035】3.ポジ型フォトレジスト組成物の合成 1)感光剤の合成 p−クレゾール54.1g、37%ホルマリン24.3
gおよびシュウ酸2gを、温度計、撹拌機およびリフラ
ックスコンデンサーを備えた四口フラスコに仕込み、9
5〜100℃で20時間反応させた。反応後、反応混合
物に、溶剤メチルイソブチルケトンを加えて、生成物を
抽出し、これを水洗した後、溶剤を除去した。これによ
って、樹脂46gが得られた。この樹脂のGPC換算重
量平均分子量MW は430であった。
gおよびシュウ酸2gを、温度計、撹拌機およびリフラ
ックスコンデンサーを備えた四口フラスコに仕込み、9
5〜100℃で20時間反応させた。反応後、反応混合
物に、溶剤メチルイソブチルケトンを加えて、生成物を
抽出し、これを水洗した後、溶剤を除去した。これによ
って、樹脂46gが得られた。この樹脂のGPC換算重
量平均分子量MW は430であった。
【0036】この樹脂12gおよび1,2−ナフトキノ
ン−2−ジアジド−5−スルホニルクロライド16.2
gを300mlのジオキサンに溶解し、これにトリエチ
ルアミン/ジオキサン=6.1g/20mlの混合液を
徐々に滴下して加えた。これを20℃で4時間反応させ
た後、反応混合物を1%塩酸1L中に注ぎ入れ、生じた
沈殿生成物を濾別し、十分乾燥した。これによって、理
論エステル化率が60%の感光剤24.7gが得られ
た。
ン−2−ジアジド−5−スルホニルクロライド16.2
gを300mlのジオキサンに溶解し、これにトリエチ
ルアミン/ジオキサン=6.1g/20mlの混合液を
徐々に滴下して加えた。これを20℃で4時間反応させ
た後、反応混合物を1%塩酸1L中に注ぎ入れ、生じた
沈殿生成物を濾別し、十分乾燥した。これによって、理
論エステル化率が60%の感光剤24.7gが得られ
た。
【0037】2)フォトレジスト組成物の調製 上記2.で得られた樹脂(樹脂1〜3、5、6)10g
と、3.1)で得られた感光剤3gを、エチルセロソル
ブアセテート50gに溶解し、孔径が0.2μmのミク
ロフィルターを用いて濾過し、ポジ型フォトレジスト組
成物1〜5とした。
と、3.1)で得られた感光剤3gを、エチルセロソル
ブアセテート50gに溶解し、孔径が0.2μmのミク
ロフィルターを用いて濾過し、ポジ型フォトレジスト組
成物1〜5とした。
【0038】3)フォトレジスト組成物の評価 上記組成物をオートコータを用いて、ヘキサメチルジシ
ラザン蒸気処理したシリコンウェーハにスピンコート
し、90℃で60秒間プリベークし、1.05μmの膜
厚のレジスト膜を形成した。このレジスト膜が形成され
たシリコンウェーハを、縮小投影露光装置(ニコン製、
NSR1755i7A、露光波長:365nm、NA
(開口数)=0.50)を用いて、マスクパターンを介
して、110℃で60秒間露光した。露光後シリコンウ
ェーハをベーク(PEB)し、市販の2.38重量%の
テトラメチルアンモニウム現像液で1分間現像し、水洗
し、そして乾燥した。
ラザン蒸気処理したシリコンウェーハにスピンコート
し、90℃で60秒間プリベークし、1.05μmの膜
厚のレジスト膜を形成した。このレジスト膜が形成され
たシリコンウェーハを、縮小投影露光装置(ニコン製、
NSR1755i7A、露光波長:365nm、NA
(開口数)=0.50)を用いて、マスクパターンを介
して、110℃で60秒間露光した。露光後シリコンウ
ェーハをベーク(PEB)し、市販の2.38重量%の
テトラメチルアンモニウム現像液で1分間現像し、水洗
し、そして乾燥した。
【0039】その後、これらのシリコンウェーハを用い
て、それぞれのレジスト膜について、解像度と焦点深度
を調べた。結果を表2に示す。 解像度:電子顕微鏡観察により、マスクパターンとレジ
ストパターンのラインとスペース像寸法が1:1を再現
する(±10%許容量)露光量による最小寸法を表し
た。 焦点深度:0.5μm L/Sにおける値を示した。
て、それぞれのレジスト膜について、解像度と焦点深度
を調べた。結果を表2に示す。 解像度:電子顕微鏡観察により、マスクパターンとレジ
ストパターンのラインとスペース像寸法が1:1を再現
する(±10%許容量)露光量による最小寸法を表し
た。 焦点深度:0.5μm L/Sにおける値を示した。
【0040】
【表2】
【0041】表2からわかるように、本発明の製造方法
で製造されたノボラック樹脂を含むフォトレジスト組成
物を用いると、線幅が0.4μm程度の従来より微細な
パターンを形成できる。
で製造されたノボラック樹脂を含むフォトレジスト組成
物を用いると、線幅が0.4μm程度の従来より微細な
パターンを形成できる。
【0042】なお、本発明は、上記実施例に限定される
ものではない。上記実施例は例示であり、本発明の特許
請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構
成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるも
のであっても本発明の技術的範囲に包含される。
ものではない。上記実施例は例示であり、本発明の特許
請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構
成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるも
のであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【0043】
【発明の効果】本発明によれば、ノボラック樹脂のオル
ソ−オルソ結合割合、分子量、分子量分布が十分に制御
され、従って所定のアルカリ溶解速度を有し、その結果
パターン形状に優れ、解像性の良好なノボラック樹脂が
製造できる。そして、このノボラック樹脂を含むフォト
レジスト組成物を用いると、線幅が0.4μm程度の微
細なパターンを形成することができる。
ソ−オルソ結合割合、分子量、分子量分布が十分に制御
され、従って所定のアルカリ溶解速度を有し、その結果
パターン形状に優れ、解像性の良好なノボラック樹脂が
製造できる。そして、このノボラック樹脂を含むフォト
レジスト組成物を用いると、線幅が0.4μm程度の微
細なパターンを形成することができる。
Claims (2)
- 【請求項1】 m−クレゾールと、一般式(I) 【化1】 (式中、xは1、2または3である。)で示される、両
末端にm−クレゾールが結合した多核体の混合物と、ホ
ルムアルデヒドとを、二価金属の有機酸塩の触媒の存在
下で付加縮合させる、ことを特徴とするフォトレジスト
用ノボラック樹脂の製造方法。 - 【請求項2】 請求項1に記載の製造方法で製造された
フォトレジスト用ノボラック樹脂と、ナフトキノンジア
ジド化合物とを主成分とする、ことを特徴とするポジ型
フォトレジスト組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8241115A JPH1060067A (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | フォトレジスト用ノボラック樹脂の製造方法およびポジ型フォトレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8241115A JPH1060067A (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | フォトレジスト用ノボラック樹脂の製造方法およびポジ型フォトレジスト組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1060067A true JPH1060067A (ja) | 1998-03-03 |
Family
ID=17069515
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8241115A Pending JPH1060067A (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | フォトレジスト用ノボラック樹脂の製造方法およびポジ型フォトレジスト組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1060067A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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- 1996-08-23 JP JP8241115A patent/JPH1060067A/ja active Pending
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