JPH10329009A - 研磨方法および装置 - Google Patents

研磨方法および装置

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JPH10329009A
JPH10329009A JP15613597A JP15613597A JPH10329009A JP H10329009 A JPH10329009 A JP H10329009A JP 15613597 A JP15613597 A JP 15613597A JP 15613597 A JP15613597 A JP 15613597A JP H10329009 A JPH10329009 A JP H10329009A
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    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 コスト増を抑え信頼性のある化学的機械研磨
を安定的に実施する。 【解決手段】 回転する研磨工具１１の研磨材面１５に
ワーク１の被研磨面７を押接させて化学的機械研磨する
研磨装置１０において、研磨工具１１におけるワーク１
を押接させるヘッド２０の位置の回転方向後方側にブラ
ッシング装置３０、クリーニング装置４０、砥粒供給装
置５２、純水供給装置６０が順に配備されている。クリ
ーニング装置４０は研磨工具１１の研磨材面１５に洗浄
水４７を噴き付け、吸引口４５で吸引して回収する。砥
粒供給装置５２と純水供給装置６０からなるスラリー供
給装置６３で新鮮なスラリー６２が常に供給される。 【効果】 化学的機械研磨で発生した凝集物や異物をク
リーニング装置で完全に除去され、新鮮なスラリーが供
給されるため、凝集物や異物によるワークの被研磨面の
損傷の発生を防止でき、下地パターンのダメージの発生
を防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、研磨技術、特に、
化学的機械研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｈｉｃ
ａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）技術に関し、例えば、パタ
ーニングされた半導体ウエハ（以下、ウエハという。）
のパターニング側主面を化学的機械研磨するのに利用し
て有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、パターニングされたウエハ（以
下、パターン付きウエハという。）のパターニング側主
面の凹凸を化学的機械研磨方法によって平坦化する半導
体装置の製造方法が提案されている。パターン付きウエ
ハのパターニング側主面の凹凸を化学的機械研磨方法に
よって平坦化する技術は、パターン付きウエハを研磨工
具に擦り付けて研磨するため、ウエハのパターン側主面
の凹凸を迅速かつ正確に平坦化することができる。
【０００３】この平坦化に使用される化学的機械研磨方
法を実行する化学的機械研磨装置は、円盤形状に形成さ
れて回転する回転テーブルの上に貼着された研磨工具
と、パターン付きウエハを保持した状態で自転するヘッ
ドと、微細な砥粒を純水等によって懸濁（ｓｕｓｐｅｎ
ｓｉｏｎ）させたスラリーと呼ばれる研磨液を研磨工具
に供給するスラリー供給装置とを備えており、研磨工具
の研磨面にスラリーを滴下した後に、自転するヘッドに
よって保持したパターン付きウエハの被研磨面を回転す
る研磨工具の研磨面に押し当てて化学的機械研磨するよ
うに構成されている。
【０００４】ところが、この化学的機械研磨方法におい
ては、スラリーに含まれる砥粒同士の凝集物および研磨
中にウエハが破砕することによって生ずる破片や塵埃等
の異物が研磨工具の研磨面に多数存在し、これら異物は
スラリーのかけ流し程度では研磨面から完全に除去する
ことができずに研磨面に残留することが起こる。そし
て、研磨面に残留した異物によってパターン付きウエハ
の被研磨面が損傷されることにより、下地のパターンが
ダメージを受けるため、信頼性のある化学的機械研磨を
安定的に実施することができない。
【０００５】この化学的機械研磨方法の問題点を解決す
る手段として、特開平８−２９４８６１号公報には次の
ような研磨装置が提案されている。すなわち、この研磨
装置は、研磨工具におけるパターン付きウエハの擦り付
け領域の回転方向後方側に研磨加工中に研磨面から研磨
廃液を除去する液排出機構を備えており、一度研磨に使
用したスラリー廃液が液排出機構によって強制的に排出
されるように構成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た研磨装置においては、粒径が数μｍ以上の比較的大き
な異物や研磨工具に研磨クロスの代わりに固定砥粒を使
用した場合に発生する砥石のチッピングによる異物の除
去は充分に除去することができないため、信頼性のある
化学的機械研磨を安定的に実施することができないとい
う問題点があることが、本発明者によって明らかにされ
た。
【０００７】また、スラリーには粒径が数十μｍからサ
ブμｍまでのシリコン酸化物や酸化セリウム等の微細な
砥粒が使用されているため、スラリーはきわめて高価な
材料になる。他面、スラリーはかけ流されるため、殆ど
のスラリーは化学的機械研磨に寄与することがなく排出
されてしまう。したがって、きわめて高価なスラリーが
かけ流されて研磨に寄与することなく強制的に排出され
てしまうと、研磨装置のランニングコストが上昇してし
まい、パターン付きウエハの平坦化工程のコストひいて
は半導体装置の製造方法全体のコストが上昇してしま
う。
【０００８】本発明の目的は、コストの上昇を抑制しつ
つ信頼性のある加工を安定的に実施することができる研
磨技術を提供することにある。
【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
【００１１】すなわち、回転する研磨工具の研磨材面に
ワークの被研磨面を押接させて研磨する研磨装置であっ
て、前記研磨工具における前記ワークが前記研磨工具に
押接される位置の回転方向後方側に、前記研磨工具の研
磨材面に洗浄水を噴き付けるとともに、吸引口によって
吸引して回収するクリーニング装置が配設されているこ
とを特徴とする。
【００１２】前記した手段によれば、研磨によって発生
した凝集物や異物をクリーニング装置によって完全に除
去することができるため、これら凝集物や異物によるワ
ークの被研磨面の損傷の発生を防止することができ、そ
の結果、その損傷による下地パターンのダメージの発生
を未然に防止することができる。つまり、信頼性のある
化学的機械研磨を安定的に実施することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施形態である
研磨装置を示しており、（ａ）は斜視図、（ｂ）は主要
部の拡大断面図である。図２は図１（ａ）の展開図であ
る。図３は各主要部を示しており、（ａ）はヘッドの正
面断面図、（ｂ）はスラリー供給装置を示す正面断面図
である。図４以降は本発明の一実施形態である研磨方法
を説明する各説明図である。
【００１４】本実施形態において、本発明に係る研磨装
置は、半導体装置の製造方法で使用されるパターン付き
ウエハ研磨装置（以下、研磨装置という。）として構成
されている。ここで、半導体装置の製造方法の対象であ
って研磨装置１０のワークである図４に示されているパ
ターン付きウエハ（以下、ワークという。）１について
簡単に説明する。
【００１５】図４に示されているワーク１は外周の一部
にオリエンテーションフラット（以下、オリフラとい
う。）３が直線形状に切設されたウエハ（以下、サブス
トレートという。）２を備えている。サブストレート２
のパターニング側主面（以下、表側面という。）におけ
る表層領域には半導体素子の一例であるメモリーＭが作
り込まれているとともに、表面上には金属膜の一例であ
る配線層膜から形成された配線４および絶縁膜の一例で
ある層間絶縁膜５がそれぞれ被着されている。そして、
配線４は厚さを有する線分によって形成されているた
め、その上に被着された層間絶縁膜５の表側面には凹凸
部６が下層の配線４の凹凸に倣って形成されている。そ
こで、本実施形態においては、この層間絶縁膜５の表側
面部の一部を研磨装置１０によって化学的機械研磨して
除去することにより、層間絶縁膜５が平坦化される。し
たがって、層間絶縁膜５の表側面は研磨装置１０によっ
て研磨される被研磨面７を形成することになる。
【００１６】図１〜３を用いて研磨装置１０を詳細に説
明する。本実施形態に係る研磨装置１０は研磨工具１１
およびヘッド２０を備えている。図３（ａ）に示されて
いるように、研磨工具１１はワーク１の直径よりも充分
に大きい半径を有する円盤形状に形成されたベースプレ
ート１２を備えており、ベースプレート１２は水平面内
において回転自在に支持されている。ベースプレート１
２の下面の中心には垂直方向に配された回転軸１３が固
定されており、ベースプレート１２は回転軸１３によっ
て回転駆動されるように構成されている。ベースプレー
ト１２の上面には研磨クロス（布）１４が全体にわたっ
て均一に貼着されている。研磨クロス１４は表面上にポ
ア構造を有する合成樹脂のクロス（布）にコロイダルシ
リカ等の微細な砥粒が抱え込まれた研磨材であり、表側
面によって研磨材面１５が形成されている。研磨クロス
１４による研磨作業に際しては、スラリーが用いられる
ことにより、機械的な研磨（ポリシング）に加えてその
ポリシング効果を高めるメカノケミカルポリシング（ｍ
ｅｃｈａｎｏｃｈｅｍｉｃａｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）
が実施される状態になる。
【００１７】ヘッド２０はワーク１の直径よりも若干大
きい直径を有する円盤形状に形成された本体２１を備え
ており、本体２１の下面には円形で一定深さの保持穴２
２が同心円に配されて没設されている。保持穴２２の大
きさはワーク１の大きさよりも若干大きめに形成されて
いる。保持穴２２の中心には通気口２３が開設されてお
り、通気口２３には真空ポンプや空圧ポンプ（図示せ
ず）に接続される供給路２４が接続されている。保持穴
２２内には保持穴２２の内径と略等しい外径を有する円
盤形状のバッキングパッド２５が、同心に配されて接着
材層（図示せず）によって接着されている。バッキング
パッド２５はポリ・ウレタンの発泡体によって形成され
ており、発泡体の多孔質かつ多孔群によってワーク１と
接する面に柔軟性の高い層が全体にわたって均一に構成
されている。
【００１８】本体２１の下面における外周辺部には円形
リング形状のガイドリング２６が当接されており、ガイ
ドリング２６は複数本のボルト２７により本体２１に締
結されている。ガイドリング２６はワーク１の被研磨面
７の硬度よりも充分に低い硬度を有する樹脂が使用され
て、外径が本体２１の外径と等しく内径が保持穴２２の
内径と略等しい円形リング形状に形成されている。ガイ
ドリング２６はワーク１をその被研磨面７を下端から下
方に露出させた状態で、研磨作業中にワーク１が外側に
飛び出すのを阻止しつつ保持する。バッキングパッド２
５はガイドリング２６の中空部内に嵌入されている。な
お、２８は多孔質板である。
【００１９】ヘッド２０は通気口２３を中心にして水平
面内において回転自在に支承されている。ヘッド２０は
回転駆動装置（図示せず）によって回転駆動される。ヘ
ッド２０は研磨工具１１が設備されたステーションとワ
ーク１が１枚ずつ払い出されるローディングステーショ
ン（図示せず）との間を移送装置（図示せず）によって
往復移動される。ヘッド２０は研磨作業に際して極僅か
に下降される。
【００２０】図１および２に示されているように、ヘッ
ド２０の研磨工具１１の上面における回転方向後方位置
には、ブラッシング装置３０が垂直方向下向きに設備さ
れている。ブラッシング装置３０はワーク１の直径より
も若干大きめの直径を有する円盤形状に形成されたベー
スプレート３１を備えており、ベースプレート３１は水
平面内において回転自在に支持されている。ベースプレ
ート３１の上面の中心には垂直方向上向きに配された回
転軸３２が固定されており、ベースプレート３１は回転
軸３２によって回転駆動されるように構成されている。
ベースプレート３１の下面には刷毛３３が全体にわたっ
て均一に植え込まれている。
【００２１】ブラッシング装置３０の研磨工具１１の上
面における回転方向後方位置には、クリーニング装置４
０が垂直方向下向きに設備されている。このクリーニン
グ装置４０はワーク１の直径よりも若干大きめの直径を
有する円盤形状に形成されたベース４１を備えており、
ベース４１は研磨工具１１の上面の定められた位置に水
平に固定されている。ベース４１の下面には研磨工具を
洗浄するための洗浄凹部４２が没設されており、洗浄凹
部４２はベース４１の下面と研磨工具１１の上面との間
に高さが低く平面面積の広い狭い空間を形成するように
設定されている。洗浄凹部４２の径方向（以下、左右方
向とする。）の両端部には、洗浄水供給路４３が接続さ
れた噴出口４４および吸引路４５が接続された吸引口４
６がそれぞれ開設されている。洗浄水供給路４３は水源
やポンプ等からなる洗浄水供給装置（図示せず）に接続
されており、加圧された純水を洗浄水４７として噴出口
４４から噴出させるように構成されている。吸引路４５
はバキュームポンプ等からなるバキューム装置（図示せ
ず）に接続されており、噴出口４４から噴出された洗浄
水４７と共に被洗浄物４８を吸引するように構成されて
いる。
【００２２】吸引路４５には吸引路４５を通過する粒子
の個数を計測する粒子計測装置４９が設備されており、
粒子計測装置４９は計測結果をコントローラ（図示せ
ず）に送信するようになっいる。コントローラは計測デ
ータに基づいて後述するようにクリーニング装置および
スラリー供給装置を自動制御するとともに、メンテナン
スの時期の判断や損傷の発生等のトラブルを予知するよ
うに構成されている。
【００２３】ベース４１の下面には弗素樹脂等の低摩擦
シート５０が貼着されており、万一、クリーニング装置
４０が研磨工具１１と接触しても、この低摩擦シート５
０によって研磨工具１１へのダメージが減少されるよう
になっている。
【００２４】クリーニング装置４０の研磨工具１１の上
面における回転方向後方位置には、砥粒５１を研磨工具
１１に供給するための砥粒供給装置５２が設備されてい
る。砥粒供給装置５２は砥粒５１が保持されたテープ５
３を繰り出す繰り出しローラ５４を備えており、繰り出
しローラ５４から繰り出されたテープ５３の一主面は押
接ローラ５５によって研磨工具１１の上面に押接される
ことにより砥粒５１を研磨工具１１の上面に転移される
ようになっている。砥粒５１が研磨工具１１の上面に転
移されたテープ５３は巻き取りローラ５６に巻き取られ
るように構成されている。砥粒５１としてはコロイダル
シリカや酸化セシウムの粒子が使用される。粒径はコロ
イダルシリカの場合には２０ｎｍ〜５０ｎｍであり、酸
化セリウムの場合には０．５μｍ〜数μｍである。ま
た、テープ５３の砥粒５１の保持は粘着剤や静電気等を
利用して、研磨工具１１への転移が迅速かつ確実に実行
されるように構成することができる。
【００２５】砥粒供給装置５２の研磨工具１１の上面に
おける回転方向後方位置には、純水供給装置６０が研磨
工具１１の上面に純水６１を供給するように構成されて
いる。本実施形態においては、これら砥粒供給装置５２
および純水供給装置６０によって、砥粒５１が純水６１
に懸濁されたスラリー６２を研磨工具１１の研磨材面１
５に供給するスラリー供給装置６３が構成されている。
【００２６】次に、本発明の一実施形態である化学的機
械研磨方法を多層配線が形成される場合を例にして、図
５を参照して説明する。
【００２７】図５（ａ）に示されているように、サブス
トレート２の表側面には多層配線における第１絶縁膜５
ａが形成される。続いて、第１絶縁膜５ａの上には第１
配線４ａが金属被膜被着処理やリソグラフィー処理およ
びエッチング処理によってパターニングされる。なお、
第１配線４ａにはポリシリコンやポリサイド等によって
形成されるワード線等も含まれる。
【００２８】次いで、図５（ｂ）に示されているよう
に、ウエハ２の第１絶縁膜５ａの上にはＳｉＯ2 やＳｉ
3 Ｎ4 等によって形成された第２絶縁膜５ｂが、ＣＶＤ
法等によって被着される。第２絶縁膜５ｂは第１配線４
ａを被覆する。第２絶縁膜５ｂの表面側には第１配線４
ａの厚み分に相当する凸部が形成されるため、被研磨面
７には不特定多数の凹凸部６が形成された状態になる。
この状態のウエハがワーク１として、本実施形態に係る
研磨装置１０に供給される。
【００２９】一方、研磨装置１０において、研磨工具１
１の回転軸１３による回転が安定すると、砥粒供給装置
５２の押接ローラ５５が研磨工具１１の上面に押接する
ことにより、テープ５３が保持した砥粒５１を研磨工具
１１の研磨材面１５に転移させる。砥粒５１は研磨工具
１１の研磨材面１５に全体にわたって均一に貼着され
る。
【００３０】同時に、純水６１が研磨工具１１の研磨材
面１５における砥粒５１が貼着された領域に純水供給装
置６０によって均一に撒布される。この砥粒５１および
純水６１の供給によって、研磨工具１１の上面には異物
の無い砥粒５１による新鮮なスラリー６２を全体にわた
って均一に保持した研磨材面１５が形成されるため、研
磨レートが安定でワーク１の被研磨面を損傷させること
がない化学的機械研磨を実施することができる研磨材面
１５が形成された状態になる。
【００３１】研磨装置１０に供給されたワーク１は、図
４（ａ）に示されているように被研磨面７側を下向きに
配された状態でヘッド２０のガイドリング２６内に挿入
される。ワーク１がガイドリング２６内に挿入される
と、負圧供給路２４を通じて負圧が通気口２３に供給さ
れる。負圧はバッキングパッド２５を通じて、ワーク１
の被研磨面７と反対側の主面（以下、裏側面という。）
８に印加されるため、ワーク１はヘッド２０に真空吸着
される。ワーク１を真空吸着したヘッド２０は移送装置
によって研磨工具１１の真上に移送された後に下降され
て、ワーク１の被研磨面７が研磨クロス１４の研磨材面
１５に押接される。
【００３２】ヘッド２０の下降に伴って、ワーク１はバ
ッキングパッド２５を介してヘッド本体２１によって垂
直方向に押し付けられるため、ワーク１の被研磨面７は
研磨クロス１４の研磨材面１５にヘッド本体２１による
機械的な力によって押し付けられた状態で、研磨材面１
５に擦られる。また、加工均一性を向上させるために、
ワーク１の裏面側に加圧空気を供給してもよい。同時
に、スラリー６２が研磨材面１５に供給されているた
め、機械的な研磨（ポリシング）に加えてそのポリシン
グ効果を高められた化学的機械研磨が実施される。ワー
ク１が研磨材面１５にヘッド２０による機械的な力によ
って付勢された状態で、被研磨面７は研磨材面１５およ
びスラリー６２によって化学的機械研磨されるため、被
研磨面７の研磨材面１５による研磨量は全体にわたって
均一になる。
【００３３】そして、被研磨面７を構成する第２絶縁膜
５ｂの表面部は全体にわたって均等に研磨されるため、
図５（ｃ）に示されているように、凹凸部６が全体にわ
たって除去されるとともに、全体にわたって均一な厚さ
を呈する第２絶縁膜５ｂが形成され、きわめて良好な平
坦化が実現される。化学的機械研磨において、ワーク１
の被研磨面７である第２絶縁膜５ｂに形成された凹凸部
６の凸部は先に除去されて行き、第２絶縁膜５ｂの表面
は次第に平坦化されて行く。この際、被研磨面７は全体
にわたって均一に研磨されるため、第２絶縁膜５ｂの被
研磨面７に位置する厚さは全体にわたって均一に減少さ
れる。そして、第２絶縁膜５ｂは全体にわたって均一に
被着されていたのであるから、研磨量が全体にわたって
均一であるならば、その研磨後の第２絶縁膜５ｂの被研
磨面７に位置する厚さは全体にわたって均一になる。し
たがって、研磨装置１０による研磨量を第２絶縁膜５ｂ
の研磨前の厚さ、第１配線４ａの厚さおよび凹凸部６の
関係によって適度に設定することにより、第１配線４ａ
を研磨することなく第２絶縁膜５ｂを平坦化することが
できる。
【００３４】以上の化学的機械研磨に伴って、スラリー
中の砥粒５１の凝集によって発生した凝集物や、研磨中
に発生した切屑、ウエハが破砕することによって発生し
た破片や塵埃等の異物が研磨工具１１の研磨材面１５に
残留する。残留した凝集物や異物は化学的機械研磨中に
ワーク１の被研磨面７を損傷させる原因になる。そし
て、図４（ｂ）に示されているように、ワーク１の被研
磨面７が損傷されると、絶縁層がショートしたり、下地
パターンである第１配線４ａがダメージを受け、抵抗値
が低下したり断線したりする。。つまり、凝集物や異物
が研磨工具１１の研磨材面１５に残留すると、信頼性の
ある化学的機械研磨を安定的に実施することができな
い。
【００３５】そこで、本実施形態においては、ヘッド２
０の研磨工具１１において回転方向後方位置にブラッシ
ング装置３０およびクリーニング装置４０を順次配備す
ることにより、凝集物や異物を全て除去するように構成
している。すなわち、ブラッシング装置３０において、
研磨工具１１の研磨材面１５が刷毛３３によってブラッ
シングされることにより、研磨材面１５に食い込んだ凝
集物や異物は掻き出される。
【００３６】クリーニング装置４０において、洗浄水供
給路４３から供給された洗浄水４７は噴出口４４から洗
浄凹部４２の狭い空間に噴出される。他方、洗浄凹部４
２は吸引路４５から吸引口４６に加わる負圧によって吸
引されているため、洗浄凹部４２の空間に噴出された洗
浄水４７は洗浄凹部４２の全体を流れた後に、吸引口４
６に全て回収される。洗浄凹部４２に噴出された洗浄水
４７は狭い空間に噴出されるため、層流にならずに乱流
状態になる。したがって、研磨工具１１の研磨材面１５
においてブラッシング装置３０によって掻き出された凝
集物や異物は、乱流状態となった洗浄水４７によってき
わめて効果的に研磨材面１５から巻き上げられて浮遊し
た状態になる。研磨材面１５から剥離されて浮遊した凝
集物や異物の被洗浄物４８は、乱流状態になった洗浄水
４７に随伴して吸引口４６に全て回収される。
【００３７】以上のようにして、本実施形態によれば、
化学的機械研磨によって発生した凝集物や異物はヘッド
２０の回転方向後方位置に配置されたブラッシング装置
３０およびクリーニング装置４０によって完全に除去さ
れるため、これら凝集物や異物によるワーク１の被研磨
面７の損傷の発生を防止することができ、その損傷によ
る第１配線４ａのダメージの発生を未然に防止すること
ができる。
【００３８】ここで、クリーニング装置４０による研磨
工具１１の研磨材面１５の洗浄が強力に実行されると、
研磨材面１５に供給されたスラリー６２も除去されてし
まう状態になる。そこで、本実施形態において、クリー
ニング装置４０の回転方向後方位置に配備された砥粒供
給装置５２および純水供給装置６０によって、前述した
ように、砥粒５１および純水６１が順次供給されること
により、新鮮なスラリー６２が研磨工具１１の研磨材面
１５に新たに供給される。
【００３９】この際、クリーニング装置４０の吸引路４
５に装備された粒子計測装置４９によって計測された吸
引路４５を通過する粒子の計測データに基づいて、クリ
ーニング装置４０による研磨工具１１の研磨材面１５の
洗浄状況と砥粒供給装置５２および純水供給装置６０に
よるスラリー６２の供給状況との関係がモニタリングさ
れることにより、クリーニング装置４０、砥粒供給装置
５２および純水供給装置６０の運転状況が最適に自動制
御される。また、粒子の計測データに基づいてメンテナ
ンスの時期の判断やワークの損傷の発生等のトラブルが
予知されることになる。
【００４０】この場合、粒子計測装置４９の計測データ
について標準的に状態を予め標準値として記憶してお
き、その標準値からのシフト状態をモニタリングするこ
とにより、運転状況を自動制御することができる。標準
的な状態とは、化学的機械研磨が適正に実施されている
時の排出粒子の粒径分布や濃度（粒子個数）等の数値デ
ータであり、シフト状態とは、例えば、粒径分布の平均
値が１０％毎に変動した時の化学的機械研磨状態であ
る。そして、このような各状態を予め学習してある割合
に達した時点でシーケンス制御することができる。ま
た、ある時点に達した時点でアラームを鳴らす等の手段
によって警告を発するようにシーケンスをプログラミン
グしてもよい。
【００４１】設定した研磨量の化学的機械研磨が終了し
た状態で、ワーク１の被研磨面７である第２絶縁膜５ｂ
の表面は、図５（ｃ）に示されているようにきわめて高
精度に平坦化され、かつ、第１配線４ａの真上には第２
絶縁膜５ｂが予め設定された層厚をもって残された状態
になっている。
【００４２】この状態のワーク１は研磨装置１０からア
ンローディング装置によってウエハカセットに収納さ
れ、後続の洗浄工程を経た後、ホール形成工程に送られ
る。ホール形成工程において、ワーク１の第２絶縁膜５
ｂにおける所定の第１配線４ａの真上にはスルーホール
４ｃが図５（ｄ）に示されているように開設される。
【００４３】続いて、第２配線形成工程において、第２
絶縁膜５ｂの上には第２配線４ｂが金属被膜被着処理や
リソグラフィー処理およびエッチング処理によって、図
５（ｅ）に示されているようにパターニングされる。こ
の際、第２絶縁膜５ｂの表面は高精度に平坦化されてい
るため、第２配線４ｂはきわめて高精度にパターニング
される。第２配線４ｂのパターニングに際して、第２絶
縁膜５ｂの上に被着される金属被膜の一部が第２絶縁膜
５ｂに開設されたスルーホール４ｃに充填する。スルー
ホール４ｃに充填した金属部によりスルーホール導体４
ｄが形成される。パターニングされた第２配線４ｂの所
定部分は第１配線４ａにスルーホール導体４ｄによって
電気的に接続された状態になる。
【００４４】以降、前記した絶縁膜形成工程、平坦化工
程、ホール形成工程および配線形成工程が繰り返される
ことにより、図４（ｂ）に示されている多層配線が形成
される。この際、先の工程で形成された層の絶縁膜およ
び配線が次の工程で下層の絶縁膜および下層の配線に相
当することになる。なお、ホールはスルーホールに限ら
ず、コンタクトホールの場合も含む。また、ホールは第
１層の配線を第２層の配線に接続させるに限らず、第１
層の配線を第３層や第４層の配線に接続させる場合もあ
る。
【００４５】前記実施形態によれば次の効果が得られ
る。 ヘッド２０の化学的機械研磨が実行される研磨工具
における回転方向後方側にブラッシング装置およびクリ
ーニング装置を順次設備することにより、化学的機械研
磨によって発生した凝集物や異物をブラッシング装置お
よびクリーニング装置によって完全に除去することがで
きるため、これら凝集物や異物によるワークの被研磨面
の損傷の発生を防止することができ、その結果、その損
傷による下地パターンのダメージの発生を未然に防止す
ることができる。
【００４６】 前記により、信頼性のある化学的機
械研磨を安定的に実施することができる。
【００４７】 クリーニング装置の上手側にブラッシ
ング装置を配備することにより、研磨工具の研磨材面を
ブラッシング装置の刷毛によってブラッシングして、研
磨材面に食い込んだ凝集物や異物を事前に掻き出すこと
ができるため、凝集物や異物をクリーニング装置によっ
て確実に除去することができる。
【００４８】 クリーニング装置において、洗浄水を
狭い洗浄凹部に噴出させるとともに、洗浄凹部を吸引す
ることにより、研磨工具の研磨材面の凝集物や異物を乱
流状態となった洗浄水によってきわめて効果的に研磨材
面から巻き上げて浮遊させることができるため、凝集物
や異物の被洗浄物を乱流状態になった洗浄水に随伴させ
て吸引口において全て回収して除去することができる。
【００４９】 クリーニング装置によってスラリーを
回収することにより、スラリーを再使用することができ
るため、きわめて高価なスラリーの浪費を低減すること
ができ、コストを低減することができる。
【００５０】 クリーニング装置の回転方向後方位置
に砥粒供給装置および純水供給装置を配備することによ
り、砥粒供給装置および純水供給装置によって砥粒およ
び純水を供給することができるため、新鮮なスラリーを
研磨工具の研磨材面に常に新たに形成させることがで
き、前記の効果をより一層高めることができる。
【００５１】 クリーニング装置の吸引路に粒子計測
装置を装備することにより、粒子計測装置によって計測
された吸引路を通過する粒子の計測データに基づいて、
クリーニング装置による研磨工具の研磨材面の洗浄状況
と砥粒供給装置および純水供給装置によるスラリーの供
給状況との関係がモニタリングすることができるため、
クリーニング装置、砥粒供給装置および純水供給装置の
運転状況を最適に自動制御することができ、また、粒子
の計測データに基づいてメンテナンスの時期の判断やワ
ークの損傷の発生等のトラブルを予知することができ
る。
【００５２】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００５３】例えば、研磨工具の研磨材面は研磨クロス
によって形成するに限らず、硬質の研磨パッドによって
形成してもよいし、研磨クロスまたは研磨パッドの代わ
りに砥粒を固定した研磨工具の表面によって形成してよ
い。砥粒を固定した研磨工具の場合には、チッピングに
よって発生した大きな異物による損傷を防止することが
でき、また、砥粒供給装置および純水供給装置を省略す
ることができる。
【００５４】スラリーの供給は砥粒供給装置およひ純水
供給装置によって実行するように構成するに限らず、ス
ラリーをスプレー装置によって研磨工具の研磨材面に撒
布するように構成してもよい。
【００５５】ブラッシング装置とクリーニング装置とは
別体に構成するに限らず、一体的に構成してもよく、一
体に構成した場合にはスペースを節約することができ
る。
【００５６】クリーニング装置の洗浄水としては、純水
を使用するに限らず、界面活性剤を混合した水溶液を使
用してもよい。界面活性剤を混合した水溶液を使用した
場合には、凝集した砥粒を分散させることができるた
め、洗浄効率を高めることができる。
【００５７】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。
【００５８】化学的機械研磨が実行される研磨工具にお
けるヘッドの回転方向後方側にクリーニング装置を設備
することにより、化学的機械研磨によって発生した凝集
物や異物をクリーニング装置によって完全に除去するこ
とができるため、これら凝集物や異物によるワークの被
研磨面の損傷の発生を防止することができ、その結果、
その損傷による下地パターンのダメージの発生を未然に
防止することができる。つまり、信頼性のある化学的機
械研磨を安定的に実施することができる。
【００５９】また、高価なスラリーをクリーニング装置
によって回収することにより、再使用することができる
ため、コストを低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態である研磨装置を示してお
り、（ａ）は斜視図、（ｂ）はクリーニング装置の拡大
断面図である。
【図２】図１（ａ）の展開図である。
【図３】各主要部を示しており、（ａ）はヘッドの正面
断面図、（ｂ）はスラリー供給装置を示す正面断面図で
ある。
【図４】ワークを示しており、（ａ）は平面図、（ｂ）
は拡大部分断面図である。
【図５】化学的機械研磨の半導体装置の製造方法への使
用方法を説明するための各拡大部分断面図を示してお
り、（ａ）は第１配線形成工程、（ｂ）は第２絶縁膜形
成工程、（ｃ）は平坦化工程、（ｄ）はホール形成工
程、（ｅ）は第２配線形成工程を示している。
【符合の説明】
１…ワーク（半導体ウエハ）、２…サブストレート（ウ
エハ）、３…オリエンテーションフラット（オリフ
ラ）、４…配線、４ａ…第１配線、４ｂ…第２配線、４
ｃ…スルーホール、４ｄ…スルーホール導体、５…層間
絶縁膜（絶縁膜）、５ａ…第１絶縁膜、５ｂ…第２絶縁
膜、６…凹凸部、７…被研磨面、８…裏側面、１０…研
磨装置、１１…研磨工具、１２…ベースプレート、１３
…回転軸、１４…研磨クロス、１５…研磨材面、２０…
ヘッド、２１…ヘッド本体、２２…保持穴、２３…通気
口、２４…負圧供給路、２５…バッキングパッド、２６
…ガイドリング、２７…ボルト、２８…多孔質板、３０
…ブラッシング装置、３１…ベースプレート、３２…回
転軸、３３…刷毛、４０…クリーニング装置、４１…ベ
ース、４２…洗浄凹部、４３…洗浄水供給路、４４…噴
出口、４５…吸引路、４６…吸引口、４７…洗浄水、４
８…被洗浄物、４９…粒子計測装置、５０…低摩擦シー
ト、５１…砥粒、５２…砥粒供給装置、５３…テープ、
５４…繰り出しローラ、５５…押接ローラ、５６…巻き
取りローラ、６０…純水供給装置、６１…純水、６２…
スラリー、６３…スラリー供給装置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 克彦 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 回転する研磨工具の研磨材面にワークの
    被研磨面を押接させて研磨する研磨方法において、 前記ワークが前記研磨工具に押接された後に、前記研磨
    工具の研磨材面に洗浄水が噴き付けられるとともに、吸
    引口によって吸引されて回収されることを特徴とする研
    磨方法。
  2. 【請求項２】 前記研磨工具の研磨材面に前記洗浄水が
    噴き付けられるとともに吸引口によって吸引される前
    に、前記研磨工具の研磨材面が刷毛によって機械的にブ
    ラッシングされることを特徴とする請求項１に記載の研
    磨方法。
  3. 【請求項３】 前記研磨工具の研磨材面に前記洗浄水が
    噴き付けられるとともに吸引口によって吸引された後
    に、前記研磨工具の研磨材面にスラリーが供給されるこ
    とを特徴とする請求項１または２に記載の研磨方法。
  4. 【請求項４】 回転する研磨工具の研磨材面にワークの
    被研磨面を押接させて研磨する研磨装置において、 前記研磨工具における前記ワークが前記研磨工具に押接
    される位置の回転方向後方側に、前記研磨工具の研磨材
    面に洗浄水を噴き付けるとともに、吸引口によって吸引
    して回収するクリーニング装置が配設されていることを
    特徴とする研磨装置。
  5. 【請求項５】 前記洗浄水として純水が使用されている
    ことを特徴とする請求項４に記載の研磨装置。
  6. 【請求項６】 前記洗浄水として界面活性剤を混合され
    た水溶液が使用されていることを特徴とする請求項４に
    記載の研磨装置。
  7. 【請求項７】 前記クリーニング装置の上手側に、前記
    研磨工具の研磨材面を刷毛によって機械的にブラッシン
    グするブラッシング装置が配設されていることを特徴と
    する請求項４、５または６に記載の研磨装置。
  8. 【請求項８】 前記クリーニング装置の下手側に、前記
    研磨工具の研磨材面にスラリーを供給するスラリー供給
    装置が配設されていることを特徴とする請求項４、５、
    ６または７に記載の研磨装置。
  9. 【請求項９】 前記スラリー供給装置が、砥粒を前記研
    磨材面に供給する砥粒供給装置と前記研磨材面に溶液を
    供給する溶液供給装置とを備えていることを特徴とする
    請求項８に記載の研磨装置。
  10. 【請求項１０】 前記クリーニング装置の吸引口側に吸
    引された粒子を計測する粒子計測装置が装備されている
    ことを特徴とする請求項４、５、６、７、８または９に
    記載の研磨装置。
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KR1019980018963A KR100566787B1 (ko) 1997-05-30 1998-05-26 반도체의연마방법및장치

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003001556A (ja) * 2001-06-20 2003-01-08 Sony Corp 研磨装置及び研磨方法
KR100462868B1 (ko) * 2001-06-29 2004-12-17 삼성전자주식회사 반도체 폴리싱 장치의 패드 컨디셔너
WO2011024241A1 (ja) * 2009-08-31 2011-03-03 株式会社エルム 光ディスクの修復方法及び修復装置
JP2013141735A (ja) * 2012-01-12 2013-07-22 Ebara Corp 研磨装置
JP2016221636A (ja) * 2015-06-01 2016-12-28 株式会社ディスコ 研削装置
WO2017183360A1 (ja) * 2016-04-21 2017-10-26 株式会社荏原製作所 基板処理装置

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6141870A (en) 1997-08-04 2000-11-07 Peter K. Trzyna Method for making electrical device
EP0999013B1 (en) * 1998-04-28 2007-09-26 Ebara Corporation Polishing grinding wheel and substrate polishing method with this grinding wheel
US6354918B1 (en) * 1998-06-19 2002-03-12 Ebara Corporation Apparatus and method for polishing workpiece
JP3770752B2 (ja) * 1998-08-11 2006-04-26 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法及び加工装置
JP2000331975A (ja) * 1999-05-19 2000-11-30 Ebara Corp ウエハ洗浄装置
JP2000343407A (ja) * 1999-06-08 2000-12-12 Ebara Corp ドレッシング装置
JP2001138233A (ja) * 1999-11-19 2001-05-22 Sony Corp 研磨装置、研磨方法および研磨工具の洗浄方法
US6517416B1 (en) * 2000-01-05 2003-02-11 Agere Systems Inc. Chemical mechanical polisher including a pad conditioner and a method of manufacturing an integrated circuit using the chemical mechanical polisher
JP2001191246A (ja) * 2000-01-06 2001-07-17 Nec Corp 平面研磨装置および平面研磨方法
US6626743B1 (en) * 2000-03-31 2003-09-30 Lam Research Corporation Method and apparatus for conditioning a polishing pad
JP2001345297A (ja) * 2000-05-30 2001-12-14 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法及び研磨装置
JP3797861B2 (ja) * 2000-09-27 2006-07-19 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置
US6773337B1 (en) * 2000-11-07 2004-08-10 Planar Labs Corporation Method and apparatus to recondition an ion exchange polish pad
US6508697B1 (en) * 2001-07-16 2003-01-21 Robert Lyle Benner Polishing pad conditioning system
US6722943B2 (en) * 2001-08-24 2004-04-20 Micron Technology, Inc. Planarizing machines and methods for dispensing planarizing solutions in the processing of microelectronic workpieces
US6682406B2 (en) * 2001-11-30 2004-01-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Abrasive cleaning tool for removing contamination
KR100833657B1 (ko) * 2002-03-13 2008-05-29 치 메이 옵토일렉트로닉스 코포레이션 세정기 및 그 세정 방법
US20040214508A1 (en) * 2002-06-28 2004-10-28 Lam Research Corporation Apparatus and method for controlling film thickness in a chemical mechanical planarization system
TW544374B (en) * 2002-08-23 2003-08-01 Macronix Int Co Ltd Conditioner of chemical-mechanical polishing station
US6846078B2 (en) * 2002-09-11 2005-01-25 National Optronics, Inc. System and method for aligning reference marks on a lens blank using adjustable alignment marks
US6884145B2 (en) 2002-11-22 2005-04-26 Samsung Austin Semiconductor, L.P. High selectivity slurry delivery system
US6884152B2 (en) * 2003-02-11 2005-04-26 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for conditioning polishing pads used in polishing micro-device workpieces
US7066801B2 (en) * 2003-02-21 2006-06-27 Dow Global Technologies, Inc. Method of manufacturing a fixed abrasive material
US6910951B2 (en) * 2003-02-24 2005-06-28 Dow Global Technologies, Inc. Materials and methods for chemical-mechanical planarization
US7052371B2 (en) * 2003-05-29 2006-05-30 Tbw Industries Inc. Vacuum-assisted pad conditioning system and method utilizing an apertured conditioning disk
US7544113B1 (en) * 2003-05-29 2009-06-09 Tbw Industries, Inc. Apparatus for controlling the forces applied to a vacuum-assisted pad conditioning system
JP2005262406A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Toshiba Corp 研磨装置および半導体装置の製造方法
US7597608B2 (en) * 2006-10-30 2009-10-06 Applied Materials, Inc. Pad conditioning device with flexible media mount
CN100574997C (zh) * 2006-12-28 2009-12-30 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 故障报警装置及故障报警方法
US8444865B2 (en) * 2008-08-18 2013-05-21 International Busines Machines Corporation Magnetic recording head coating and method
JP2010228058A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Fujikoshi Mach Corp 研磨布の洗浄装置および洗浄方法
CN102485425B (zh) * 2010-12-03 2013-12-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 化学机械抛光的方法、用于化学机械抛光的清洗装置
EP2850614A4 (en) * 2012-05-18 2016-01-20 Venmill Ind DEVICE, METHOD AND SYSTEM FOR RECOVERING OPTICAL PLATES
US9754622B2 (en) 2014-03-07 2017-09-05 Venmill Industries Incorporated Methods for optimizing friction between a pad and a disc in an optical disc restoration device
US9620166B2 (en) 2012-05-18 2017-04-11 Venmill Industries Methods for restoring optical discs
US20140323017A1 (en) * 2013-04-24 2014-10-30 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus using energized fluids to clean chemical mechanical planarization polishing pads
US9452506B2 (en) * 2014-07-15 2016-09-27 Applied Materials, Inc. Vacuum cleaning systems for polishing pads, and related methods
KR101660898B1 (ko) * 2014-08-13 2016-09-28 주식회사 엘지실트론 슬러리 공급 장치 및 이를 포함하는 연마 장치
JP6842859B2 (ja) 2016-08-12 2021-03-17 株式会社荏原製作所 ドレッシング装置、研磨装置、ホルダー、ハウジング及びドレッシング方法
JP7162465B2 (ja) 2018-08-06 2022-10-28 株式会社荏原製作所 研磨装置、及び、研磨方法
JP7083722B2 (ja) * 2018-08-06 2022-06-13 株式会社荏原製作所 研磨装置、及び、研磨方法
CN110712131B (zh) * 2019-10-31 2021-04-02 邓筑蓉 一种半导体晶圆平坦化设备

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2622069B2 (ja) * 1993-06-30 1997-06-18 三菱マテリアル株式会社 研磨布のドレッシング装置
JPH08168953A (ja) * 1994-12-16 1996-07-02 Ebara Corp ドレッシング装置
JP2581478B2 (ja) * 1995-01-13 1997-02-12 日本電気株式会社 平面研磨装置
JP3240247B2 (ja) * 1995-04-25 2001-12-17 株式会社東芝 半導体装置の製造方法及び研磨装置
JPH0970751A (ja) * 1995-09-06 1997-03-18 Ebara Corp ポリッシング装置
US5782675A (en) * 1996-10-21 1998-07-21 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for refurbishing fixed-abrasive polishing pads used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US5725417A (en) * 1996-11-05 1998-03-10 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for conditioning polishing pads used in mechanical and chemical-mechanical planarization of substrates
US5885137A (en) * 1997-06-27 1999-03-23 Siemens Aktiengesellschaft Chemical mechanical polishing pad conditioner
US5916010A (en) * 1997-10-30 1999-06-29 International Business Machines Corporation CMP pad maintenance apparatus and method

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003001556A (ja) * 2001-06-20 2003-01-08 Sony Corp 研磨装置及び研磨方法
KR100462868B1 (ko) * 2001-06-29 2004-12-17 삼성전자주식회사 반도체 폴리싱 장치의 패드 컨디셔너
WO2011024241A1 (ja) * 2009-08-31 2011-03-03 株式会社エルム 光ディスクの修復方法及び修復装置
CN102067216A (zh) * 2009-08-31 2011-05-18 株式会社Elm 光盘的修复方法以及修复装置
US8342905B2 (en) 2009-08-31 2013-01-01 Elm Inc. Optical disk restoration method and apparatus
JP5256474B2 (ja) * 2009-08-31 2013-08-07 株式会社エルム 光ディスクの修復方法及び修復装置
JP2013141735A (ja) * 2012-01-12 2013-07-22 Ebara Corp 研磨装置
JP2016221636A (ja) * 2015-06-01 2016-12-28 株式会社ディスコ 研削装置
WO2017183360A1 (ja) * 2016-04-21 2017-10-26 株式会社荏原製作所 基板処理装置
JPWO2017183360A1 (ja) * 2016-04-21 2019-02-21 株式会社荏原製作所 基板処理装置

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