JPH0935334A - 光ディスク及び光ディスクのアクセス方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 作製が容易で情報の読み誤りの少ない光ディ
スクを実現する。 【解決手段】 基板２のグルーブ部４のヘッダー領域に
はピット５が形成され、孔の有無やその長さによりヘッ
ダー情報を表現している。ピット５の深さｄｐとグルー
ブ部４の深さｄｇの関係ｄｐ／ｄｇは１．３〜１．８の
範囲内となっている。これで、グルーブ部４のヘッダー
領域から隣接するランド部３へのクロストークを小さく
することができる。基板２の上に、誘電体層、記録層、
保護層を順次成膜し、膜面に保護基板を接着して光磁気
ディスク１の製造が完了する。ヘッダー情報がないトラ
ック上の領域をアクセスする場合には、隣接するトラッ
クのヘッダー情報に基づいてアクセスする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気ディスクあ
るいは相変化光ディスク等の光ディスクと、この光ディ
スクのアクセス方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、高密度、大容量、高いアクセス速
度、並びに高い記録及び再生速度を含めた種々の要求を
満足する光学的記録再生方法、それに使用される記録装
置、再生装置及び記録媒体を開発しようとする努力が成
されている。広範囲な光学的記録再生方法の中でも、光
磁気記録再生方法や、相変化記録再生方法は、記録した
情報を書換えることが繰り返し可能であるというユニー
クな利点のために、最も大きな魅力に満ちている。

【０００３】ここで、光磁気ディスクを例にとり光ディ
スクの製造工程を図１２を用いて簡単に説明する。図１
２において、２０はプラスチック等からなる案内溝付き
基板、２３は基板２０の凸部となるランド部、２４は凹
部となるグルーブ部である。まず、図１２（ａ）に示す
ように、フォトレジスト２１を塗布したガラス原盤２２
を準備し、レジスト２１のグルーブ部２４に相当する部
分を露光する。続いて、現像を行うことにより、図１２
（ｂ）のような原盤（マスター）が得られる。この原盤
にニッケル電鋳を行って図１２（ｃ）のニッケルスタン
パー２６を作製し、このスタンパー２６を用いて射出成
形を行い図１２（ｄ）のような案内溝付き基板２０を作
製する。最後に、この基板２０上に図示しない記録層を
形成して光磁気ディスクの製造が完了する。

【０００４】このような光ディスクでは、ランド部ある
いはグルーブ部のどちらか一方が記録再生用トラックと
して使用される。そして、各々のトラックはセクタと呼
ばれる単位に区切られており、情報の記録再生はセクタ
単位で行われる。また、各セクタには、ユーザーが直接
利用するデータを記録するためのデータ領域と、そのセ
クタのディスク上の位置（アドレス）を示すヘッダー情
報を記録するためのヘッダー領域が存在する。

【０００５】ヘッダー情報の記録方法には、製造工程で
案内溝付き基板にヘッダー情報を示す幾何学的な凸凹
（以下、プリピットと呼ぶ）を形成する方法（プリフォ
ーマット）と、ディスクの作製後にヘッダー情報を記録
層に書き込む方法（ソフトフォーマット）がある。ヘッ
ダー情報は、ユーザーデータのように光ディスク１枚１
枚で内容が異なるということは無く、ほとんどのディス
クで同じ内容となるので、現在市販されている光ディス
クの大部分は、２つの方法のうちプリフォーマット法を
採用している。

【０００６】一方、光ディスクにおいて、さらなる容量
の向上を目的にランド・グルーブ記録が注目されてい
る。これは、ランド部とグルーブ部の両方を記録トラッ
クとして用いる記録方法である。このランド・グルーブ
記録では、ランド部とグルーブ部を両方とも記録トラッ
クとして用いるために、トラック間の信号クロストーク
が大きくなるという問題が生じる。この問題を解決する
手法として、再生レーザー光の波長λ、案内溝付き基板
の屈折率ｎに対して、グルーブ部の深さをλ／（６ｎ）
程度にすれば、隣合ったランド部とグルーブ部間の信号
クロストークを非常に小さくできることが知られている
（例えば、特開昭５７−１３８０６５号公報）。

【０００７】ただし、このクロストーク低減手法は、光
ディスクのデータ領域に光磁気記録又は相変化記録され
るデータを表すマークに適用されるものなので、ヘッダ
ー領域に形成されるプリピットには適用できない。ラン
ド・グルーブ記録の場合、ランド部とグルーブ部の両方
にヘッダー領域を設けなければならないため、隣合った
ランド部とグループ部に設けられたヘッダー領域間のク
ロストークが問題となる。また、例えばランド部のヘッ
ダー領域とグルーブ部のデータ領域が隣合うことがあれ
ば、ヘッダー領域とデータ領域間のクロストークも問題
となる。

【０００８】このような問題を解決するためには、グル
ーブの深さ、プリピットの深さ（あるいは高さ）及びプ
リピットの幅を、ランド部とグルーブ部の各々について
上記クロストークが小さくなるように制御しなければな
らず、実際にはこのような多くの制限下でマスター及び
スタンパーを得ることは通常の製造プロセスでは不可能
に近い。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】以上のように従来の光
ディスクにおいてランド・グルーブ記録を行おうとする
と、隣合ったランド部とグループ部に設けられた、ヘッ
ダー領域間又はヘッダー領域とデータ領域間の信号クロ
ストークが大きくなり、情報の読み誤りが発生するとい
う問題点があった。また、このクロストークを小さくし
ようとすると、マスター及びスタンパーの作製が難しく
なり、光ディスクの大量生産が非常に困難になるという
問題点があった。本発明は、上記課題を解決するために
なされたもので、大量生産が容易で情報の読み誤りの少
ない光ディスクと、この光ディスクのアクセス方法を提
供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の光ディスクは、
請求項１に記載のように、案内溝付き基板を有し、この
案内溝付き基板は、ピットの深さｄｐ又はヒルの高さｄ
ｈがグルーブの深さｄｇ以上となるように、ピット又は
ヒルがランドあるいはグルーブの一方のみに形成された
ものである。このような案内溝付き基板を用いることに
より、ヘッダー領域から隣接トラックへのクロストーク
を小さくすることができる。

【００１１】また、本発明のアクセス方法は、請求項２
に記載のように、第１のトラック上の領域をアクセスす
る場合には、この第１のトラックに設けられたピット又
はヒルからヘッダー情報を検出してアクセスし、第２の
トラック上の領域をアクセスする場合には、この第２の
トラックに隣接する第１のトラックに設けられたピット
又はヒルからヘッダー情報を検出して、検出したヘッダ
ー情報に基づいてアクセスするようにしたものである。

【００１２】

【発明の実施の形態】

実施の形態１．図１（ａ）は本発明の１実施の形態を示
す光磁気ディスクの外観図、図１（ｂ）はＡ−Ａ線で切
断した図１（ａ）の光磁気ディスクの１部分Ｂを斜め上
方から見た拡大図である。１は光磁気ディスク、２はレ
ーザー光の入射に対して反対の側（図１上側）から見て
凸部となるランド部３、凹部となるグルーブ部４を有す
る案内溝付き基板である。５はグルーブ部４のヘッダー
領域に形成された孔状のピットであり、孔の有無やその
長さによってヘッダー情報を表現している。

【００１３】なお、実際の光磁気ディスクでは、基板２
の上に記録膜と保護膜を形成するが、図１（ｂ）ではピ
ット５を見やすくするためにこれらを省いている。次
に、このような光磁気ディスク１の製造方法を説明す
る。図２は光磁気ディスク１の製造方法を説明するため
の工程断面図である。

【００１４】最初に、外径３５０ｍｍ、内径７０ｍｍ、
厚さ６ｍｍの表面粗度５ｎｍ以下に研磨された合成石英
原盤１２を準備し、濃硫酸と過酸化水素水を体積比４：
１の割合で混合した液中（液温は４０℃）に原盤１２を
５分間浸した後、超純水でスピン洗浄する。続いて、こ
の石英原盤１２の表面にプライマー（トランシル社製ア
ンカーコート）をスピンコートした後に、厚さ１９０ｎ
ｍのポジ型レジスト１１（ヘキスト社製ＡＺ１３５０）
をスピンコートし、１００℃で３０分間プリベークす
る。

【００１５】次いで、波長４５７．９ｎｍのＡｒイオン
レーザーを搭載したカッティングマシンにより、石英原
盤１２の半径５５〜１４９ｍｍまでの領域にスポット直
径が約０．９μｍのレーザー光を連続照射して、レジス
ト１１のグルーブ部４に相当する部分１４を露光する
（図２（ａ））。なお、このときの原盤１２の回転数は
９００ｒｐｍで、ランド部３の中心から隣のランド部３
の中心迄の長さであるトラックピッチＰが１．４μｍ、
グルーブ部４の幅Ｗｇが約０．７μｍとなるようなレー
ザーパワーで露光を行った。

【００１６】そして、無機アルカリ現像液（ヘキスト製
ＡＺデベロッパー）と超純水とを体積比３：５の割合で
混合し希釈した現像液でスピン現像した後に、１２０℃
で３０分間ポストベークする（図２（ｂ））。なお、現
像条件は前純水塗布時間５４秒、現像液塗布時間９８
秒、後純水シャワー時間９０秒、スピン乾燥時間９０秒
である。

【００１７】次に、こうして現像を行った原盤１２を反
応性イオンエッチング装置（日電アネルバ製ＤＥＡ５０
６）のチャンバー内に入れ、真空度１×１０^-4Ｐａまで
排気した後にＣＨＦ3 ガスを導入し、レジスト１１をマ
スクとして反応性イオンエッチングを行う。このときの
ガス流量は６ｓｃｃｍ、ガス圧力は０．３Ｐａ、ＲＦ電
力は４００Ｗ、自己バイアス電圧はー５３０Ｖ、電極間
距離は１００ｍｍ、エッチング深さは７９ｎｍである。

【００１８】そして、濃硫酸と過酸化水素水を体積比
４：１の割合で混合した液中に原盤１２を浸して残留レ
ジスト１１を除去し、超純水でスピン洗浄する。除去時
の液温は１００℃であり処理時間は５分である。こうし
て、図２（ｃ）のようなランド部３に相当する部分１
３、グルーブ部４に相当する部分１４が形成された原盤
１２が得られる。

【００１９】次いで、この合成石英原盤１２の表面にプ
ライマー（トランシル社製アンカーコート）をスピンコ
ートした後に、厚さ１９０ｎｍのポジ型レジスト１６
（ヘキスト社製ＡＺ１３５０）をスピンコートし、１０
０℃で３０分間プリベークする（図２（ｄ））。これに
より、グルーブ部４に相当する部分１４はレジスト１６
に完全に覆われる。

【００２０】続いて、図２（ａ）と同様のカッティング
マシンを用い、Ｅ／０変調器（Electro Optical Modula
tor ）にヘッダー情報記録用のパターン信号を与えて、
レーザー光をＥ／Ｏ変調器で変調しながら原盤１２の半
径５６〜１４８ｍｍまでの領域に照射して、レジスト１
６のピット５に相当する部分１５を露光する。なお、こ
のときの原盤１２の回転数は９００ｒｐｍ、レーザー光
のスポット直径は約０．４μｍ、レーザー光のスポット
中心とグルーブ部４の中心との半径方向（図１（ｂ）左
右方向）の距離は０μｍで、ピット５の幅Ｗｐが約０．
３μｍとなるようなレーザーパワーで露光した。

【００２１】また、上記パターン信号としては、トラッ
ク番号が内周側より順に１、２、３、・・・・となり、
１トラック当たりのセクター数が６０個でセクタ番号が
順に１、２、３、・・・・となるような信号を与えた。
次に、図２（ｂ）の工程と同じ条件で現像してポストベ
ークする（図２（ｅ））。そして、上記と同じ反応性イ
オンエッチング装置を用い、レジスト１６をマスクとし
て反応性イオンエッチングを行う。ただし、エッチング
深さは１２７ｎｍである。

【００２２】続いて、上記と同じ条件で残留レジスト１
６を除去し、超純水でスピン洗浄する。こうして、図２
（ｆ）のようなランド部３、グルーブ部４、ピット５に
それぞれ相当する部分１３〜１５が形成された原盤１２
（マスター）が得られる。次いで、このマスター１２に
ニッケル電鋳を行い、図２（ｇ）のようなニッケルスタ
ンパー１７を作製する。

【００２３】そして、スタンパー１７とガラス基板の間
に紫外線硬化性樹脂（Photo Polymer ）を注入し、紫外
線で樹脂を硬化させる２Ｐ法により、スタンパ面を転写
した樹脂層がガラス基板上に形成された、トラックピッ
チＰ１．４μｍ、グルーブ部４の幅Ｗｐ（＝ランド部３
の幅）０．７μｍ、グルーブ部４の深さｄｇ７９ｎｍ、
ピット５の幅Ｗｐ０．３μｍ、ピット５の深さｄｐ１２
７ｎｍの案内溝付き基板２を作製する。

【００２４】また、スタンパー１７を用いて射出成形、
射出圧縮成形を行うことにより、プラスチック製の案内
溝付き基板を作製しても良い。最後に、この基板２の上
に図示しないＳｉ3 Ｎ4 からなる誘電体層、ＴｂＦｅＣ
ｏからなる記録層、Ｓｉ3 Ｎ4 からなる保護層を順次成
膜し、紫外線硬化型接着剤により膜面に保護基板を接着
して光磁気ディスク１の製造が完了する。

【００２５】こうして作製した光磁気ディスク１では、
グルーブ部４の深さｄｇ、ピット５の深さｄｐの関係が
ｄｐ≧ｄｇ（本実施の形態ではｄｐ／ｄｇ＝１．６１）
となっているが、これは以下のような理由による。光デ
ィスクにおけるセクタの配列方式には、図３（ａ）に示
すように各セクタが整列しているアラインド方式と、図
３（ｂ）に示すように各セクタが整列していないノーア
ラインド方式が存在する。なお、図３の４n はグルーブ
部、３n はグルーブ部４n の内周側に隣接するランド部
である。

【００２６】本実施の形態では、グルーブ部４n のヘッ
ダー領域のみにピット５（ヘッダー情報）が存在し、ラ
ンド部３n のヘッダー領域にはピット５がないため、本
実施の形態の光磁気ディスク１がアラインド方式であれ
ば、グルーブ部４n とランド部３n のヘッダー領域間の
クロストークは問題とならない。しかし、ノーアライン
ド方式であった場合、グルーブ部４n のヘッダー領域に
隣接するランド部３n がデータ領域であることが有り得
るため、グルーブ部４nのヘッダー領域とランド部３n
のデータ領域間のクロストークが問題となる。

【００２７】ここで、ヘッダー領域に設けられたピット
５は回折による反射光の光量変化の形で検出され、デー
タ領域に光磁気記録されたデータは記録層の磁化方向の
向きに応じた反射光の偏光面変化の形で検出される。よ
って、データ領域よりもヘッダー領域から得られる信号
強度の方が大きいので、データ領域からヘッダー領域へ
のクロストークはほとんど問題とならず、ヘッダー領域
からデータ領域へのクロストークが問題となる。したが
って、このヘッダー領域からデータ領域へのクロストー
クを低減する手法が必要となる。

【００２８】加えて、ピット５をグルーブ部４のみに設
けたため、従来ヘッダー領域であったランド部３の領域
をデータ領域として使用することができるが、この場合
にも上記クロストークが問題となる。そこで、ピット５
の深さｄｐを変化させながらクロストークを測定し、ク
ロストークを低減できる条件を調べた。

【００２９】ここでは、トラックピッチＰが１．４μ
ｍ、グルーブ部４の幅（＝ランド部３の幅）Ｗｇが０．
７μｍ、グルーブ部４の深さｄｇが７９ｎｍ、ピット５
の幅Ｗｐが０．３μｍ、ピット５の長さが２．４μｍ、
ピット５のピッチが４．８μｍとなっている案内溝付き
基板を用いた光磁気ディスクを測定対象とする。そし
て、レーザービームの偏光状態が水平偏光で、レーザー
の波長λが６８０ｎｍ、対物レンズの開口数（ＮＡ）が
０．５５、この対物レンズの瞳の直径Ｄと対物レンズに
入射するレーザービームのスポット直径Ｗの比Ｄ／Ｗが
０．８、波面収差０．０２４λ〔ｒｍｓ値〕となってい
る光ピックアップで再生を行った。

【００３０】クロストークＣＴは、ピット５が形成され
たグルーブ部４を再生したときのキャリア成分Ｃ１〔ｄ
Ｂｍ〕、ピット５がないランド部３を再生したときのキ
ャリア成分Ｃ２〔ｄＢｍ〕により、次式のように定義さ
れる。 ＣＴ＝Ｃ２−Ｃ１ ・・・（１） クロストークＣＴは−２５〜−３０ｄＢ以下であること
が望ましく、−３５ｄＢ以下であればより望ましい。

【００３１】図４は以上のような条件で測定したクロス
トークＣＴとｄｐ／ｄｇの関係を示す図である。クロス
トークＣＴを低減できる条件としては、ｄｐ／ｄｇ＝
１．６程度が最も良く、ｄｐ／ｄｇ＝１．３〜１．８が
−３０ｄＢ以下で好ましく、ｄｐ／ｄｇ＝１．５〜１．
７が−３５ｄＢ以下でより好ましいことが分かる。こう
して、図１の光磁気ディスク１では、ｄｐ／ｄｇ＝１．
６１とすることにより、グルーブ部４のヘッダー領域か
らランド部３のデータ領域へのクロストークを低減する
ことができる。

【００３２】以上のようにして作製した光磁気ディスク
１は、ランド・グルーブ記録用のものであるが、ピット
５はグルーブ部４のみに存在するため、ランド部３をア
クセスするためには従来とは異なる方法が必要となる。
そこで、次に本発明のアクセス方法について説明する。

【００３３】図５は図１の光磁気ディスク１の１部分Ｃ
における記録再生用トラックの様子を示す図であり、１
０i 、１０i+1 はトラック（グルーブ部）４n のセク
タ、１０j-1 、１０j はトラック（ランド部）３n のセ
クタ、１１i 、１１i+1 はヘッダー領域、１２i 、１２
i+1 はデータ領域である。

【００３４】また、ＶＦＯ１、ＶＦＯ２、ＶＦＯ３はＰ
ＬＬロック用の連続データパターン、ＡＭはアドレスデ
ータの開始位置を示すためのアドレスマーク、ＩＤ１、
ＩＤ２、ＩＤ３はアドレス（トラック番号及びセクタ番
号）、ＰＡは誤り検出コード（ＣＲＣ）が所定の長さに
収まりきらないときに使うためのポスト・アンブル、Ｇ
ＡＰはデータがないブランク部あるいはレーザーのパワ
ー・レベルを制御するためのテスト部（ＡＬＰＣ）、Ｄ
Ｓはユーザー・データの開始位置を示すためのデータＳ
ＹＮＣ、ＤＡはユーザー・データ、ＢＵＦはディスク回
転の変動マージン用の領域である。

【００３５】そして、ヘッダー領域１１i 、１１i+1 に
ピット５によって記録されたＶＦＯ１、ＶＦＯ２、Ａ
Ｍ、ＩＤ１〜ＩＤ３及びＰＡがヘッダー情報である。ヘ
ッダー情報が記録されたトラック４n のセクタ１０i 又
は１０i+1 をアクセスすることは周知の技術によって可
能であるので、ここでは説明を省略し、トラック３n の
セクタ１０j をアクセスする方法を説明する。

【００３６】セクタ１０j は、セクタ１０i と対をなす
セクタであり、セクタ１０i のアドレスがトラック番号
ｎ、セクタ番号ｉであるのに対し、セクタ１０j のアド
レスはトラック番号ｎ、セクタ番号ｊとなる。このと
き、ｉ＝ｊであってもよいし、ｉ≠ｊであってもよい。
また、トラック番号は同じであるが、これも同じにする
必要はない。

【００３７】このようにヘッダー情報が記録されたトラ
ックのセクタと、それに隣接するヘッダー情報が記録さ
れていないトラックのセクタとが一対となってアドレス
管理が行われるが、これらのアドレスの対応関係は管理
の形態に応じて任意に設定すればよい。

【００３８】この光磁気ディスク１に記録再生を行う図
示しない記録再生装置は、上記のようなアドレスの対応
関係を記憶しており、セクタ１０j をアクセスする場
合、最初に対をなすセクタ１０i をアクセスする。そし
て、ヘッダー領域１１i からセクタ１０i のアドレスを
読み出した後に、光ピックアップのレーザービームをト
ラック４n に追従させるトラッキング・サーボをオフに
して、トラッキング・エラーの検出極性を反転させる。

【００３９】ここで、上記検出極性を反転させるのは以
下のような理由による。トラッキング・エラーは、周知
のトラッキング・エラー検出法であるプッシュプル法に
よって検出される。プッシュプル法は、光磁気ディスク
１からの反射光を受光する光ピックアップ内の２つの受
光部の出力差をトラッキング・エラー信号として取り出
すので、レーザービームがトラックを正確に追跡してい
るときにトラッキング・エラー信号は０となる。

【００４０】そして、グルーブ部４からランド部３へ移
動するときと、ランド部３からグルーブ部４へ移動する
ときでは、トラッキング・エラー信号の極性（＋／−）
が異なる。これにより本実施の形態では、トラック４n
を追跡してからトラック３nに移動するので、トラッキ
ング・エラーを正しく検出するために、上記検出極性を
反転させることが必要となる。

【００４１】続いて、記録再生装置は、図５の軌跡Ｒで
示すように、１トラック内周側へレーザービームを移動
させて、トラック３n に達したらトラッキング・サーボ
を再び投入する。このとき、トラッキング・サーボの投
入から安定な追従動作に移るまでに一定の時間が必要な
ので、投入から一定時間が経過して整定した後に、光ピ
ックアップで得られた信号の処理を開始して再生出力を
得る（つまり、これ以前に光ピックアップで出力が得ら
れても再生しない）。

【００４２】そして、セクタ１０j に記録されたＤＳの
パターンを検出すると、目的のセクタ１０j であると判
断し、データを読み出す。これで、セクタ１０j に記録
されたデータを再生することができる。また、セクタ１
０j に記録する場合には、上記トラッキング・サーボの
再投入から一定時間が経過した後に記録を開始すればよ
い。

【００４３】こうして、セクタ１０j をアクセスするこ
とができる。なお、本実施の形態では、トラック４n の
セクタと対をなすセクタを内周側のトラック３n にある
セクタとしたが、外周側のトラックのセクタとしてもよ
い。また、本実施の形態では、１ビームの光ピックアッ
プを用いてアクセスする場合について説明したが、２ビ
ームの光ピックアップを用いてもよい。この場合には、
第１のレーザービームにヘッダー情報が記録された第１
のトラックを追跡させて、第２のビームにヘッダー情報
が記録されていない第２のトラックを追跡させるように
すればよい。

【００４４】このとき、周方向（トラック方向）に関し
て、第１のビームが第２のビームよりも先行するように
配置し、第１のトラックのヘッダー情報を先行して読み
出せるようにしてやれば、第１のトラックのヘッダー情
報を読み出してから第２のトラックをアクセスするまで
の時間を短縮することができる。

【００４５】以上説明したとおり、本実施の形態では、
ピット５をグルーブ部４のみに形成することにして、グ
ルーブ部４の深さｄｇとピット５の深さｄｐの制御に注
意してマスターを作製すればよい。したがって、ピット
（あるいは後述するヒル）をランドとグルーブの両方に
設け、グルーブの深さ、ピット（ヒル）の深さ及び幅を
ランドとグルーブの各々についてクロストークが小さく
なるように制御する従来の場合と比べて、マスター及び
スタンパーの作製が容易となる。

【００４６】また、ヘッダー領域をグルーブ部４のみに
設けるため、従来ヘッダー領域であったランド部３の領
域をデータ領域として使用することができ、記録容量を
増やすことができる。また、新たに増やしたランド部３
のデータ領域とグルーブ部４のヘッダー領域が隣合った
り、あるいはノーアラインド方式により同様に隣合った
としても、上述したクロストークの低減効果により、信
号の読み誤りが発生することはない。

【００４７】実施の形態２．図６は本発明の他の実施の
形態を示す光磁気ディスクの１部分を図１（ｂ）と同様
に斜め上方から見た拡大図であり、図１と同一の部分に
は同一の符号を付してある。２ａは案内溝付き基板、５
ａはランド部３のヘッダー領域に形成されたピットであ
る。

【００４８】次に、このような光磁気ディスクの製造方
法を説明する。本実施の形態の光磁気ディスクを製造す
るには、図２（ｄ）の工程の後に露光を行う際に、グル
ーブ部４に相当する部分１４の代わりにランド部３に相
当する部分１３上のレジスト１６を露光すればよい。そ
して、実施の形態１と同様のエッチングを行えば、ラン
ド部３に相当する部分１３がエッチングされるので、ラ
ンド部にピットが形成されたマスター（図２（ｆ）の１
２）が得られる。以後の工程は実施の形態１と全く同じ
である。

【００４９】次に本実施の形態においても、ピット５ａ
の深さｄｐを変化させながら上述したクロストークを測
定し、クロストークを低減できる条件を調べた。測定対
象の光磁気ディスク及び光ピックアップの条件は実施の
形態１と全て同じである。そして、ピット５ａが形成さ
れたランド部３を再生したときのキャリア成分をＣ１
〔ｄＢｍ〕とし、ピット５ａがないグルーブ部４を再生
したときのキャリア成分をＣ２〔ｄＢｍ〕とすれば、ク
ロストークＣＴは実施の形態１と同様に式（１）によっ
て定義される。

【００５０】図７は以上のような条件で測定したクロス
トークＣＴとｄｐ／ｄｇの関係を示す図である。クロス
トークＣＴを低減できる条件としては、ｄｐ／ｄｇ＝
１．５程度が最も良く、ｄｐ／ｄｇ＝１．１〜１．８が
−３０ｄＢ以下で好ましく、ｄｐ／ｄｇ＝１．２５〜
１．６が−３５ｄＢ以下でより好ましいことが分かる。

【００５１】こうして、本実施の形態の光磁気ディスク
において、ｄｐ／ｄｇを上記範囲内に設定すれば、ラン
ド部３のヘッダー領域からグルーブ部４のデータ領域へ
のクロストークを低減することができる。また、実施の
形態１で説明したアクセス方法において、ランド部３と
グルーブ部４の説明を入れ換えれば、上記アクセス方法
が本実施の形態でも全く同様に成立する。以上のように
して実施の形態１と同様の効果を得ることができる。

【００５２】実施の形態３．図８は本発明の他の実施の
形態を示す光磁気ディスクの１部分を図１（ｂ）と同様
に斜め上方から見た拡大図であり、２ｂは案内溝付き基
板である。また、５ｂはランド部３のヘッダー領域に形
成された突起状のヒルであり、突起の有無やその長さに
よってヘッダー情報を表現している。

【００５３】次に、このような光磁気ディスクの製造方
法を説明する。本実施の形態の光磁気ディスクを製造す
るには、図２（ｆ）に示すマスター１２の凹凸を逆にす
ればよい。したがって、このマスター１２をそのままス
タンパー（図２の１７）として使用するか、又はマスタ
ー１２の上にニッケル電鋳を行って凹凸を逆にした本実
施の形態用のマスターを作製し、ニッケル酸化膜等の剥
離膜を形成した後にニッケル電鋳を行ってニッケルスタ
ンパーを作製すればよい。以後の工程は実施の形態１と
全く同じである。

【００５４】本実施の形態においても、ヒル５ｂの高さ
ｄｈを変化させながら上述したクロストークを測定し、
このクロストークを低減できる条件を調べた。ここで
は、トラックピッチＰが１．４μｍ、グルーブ部４の幅
（＝ランド部３の幅）Ｗｇが０．７μｍ、グルーブ部４
の深さｄｇが７９ｎｍ、ヒル５ｂの幅Ｗｈが０．３μ
ｍ、ヒル５ｂの長さが２．４μｍ、ヒル５ｂのピッチが
４．８μｍとなっている案内溝付き基板を用いた光磁気
ディスクを測定対象とする。また、光ピックアップの条
件は実施の形態１と全て同じである。

【００５５】そして、ヒル５ｂが形成されたランド部３
を再生したときのキャリア成分をＣ１〔ｄＢｍ〕とし、
グルーブ部４を再生したときのキャリア成分をＣ２〔ｄ
Ｂｍ〕とすれば、クロストークＣＴは式（１）によって
定義される。図９は以上のような条件で測定したクロス
トークＣＴとｄｈ／ｄｇの関係を示す図である。クロス
トークＣＴを低減できる条件としては、ｄｈ／ｄｇ＝
１．４程度が最も良く、ｄｈ／ｄｇ＝１．０５〜１．７
が−３０ｄＢ以下で好ましく、ｄｈ／ｄｇ＝１．２〜
１．５が−３５ｄＢ以下でより好ましいことが分かる。

【００５６】こうして、本実施の形態の光磁気ディスク
において、ｄｈ／ｄｇを上記範囲内に設定すれば、ラン
ド部３のヘッダー領域からグルーブ部４のデータ領域へ
のクロストークを低減することができる。また、実施の
形態１で説明したアクセス方法において、ピット５とヒ
ル５ｂ、及びランド部３とグルーブ部４の説明を入れ換
えれば、上記アクセス方法が本実施の形態でも全く同様
に成立する。以上のようにして実施の形態１と同様の効
果を得ることができる。

【００５７】実施の形態４．図１０は本発明の他の実施
の形態を示す光磁気ディスクの１部分を図１（ｂ）と同
様に斜め上方から見た拡大図であり、２ｃは案内溝付き
基板、５ｃはグルーブ部４のヘッダー領域に形成された
ヒルである。本実施の形態の光磁気ディスクを製造する
には、実施の形態２で作製したマスターの凹凸を逆にす
ればよい。したがって、実施の形態２で作製したマスタ
ーをそのままスタンパーとして使用するか、又は実施の
形態３で説明した方法により、凹凸を逆にした本実施の
形態用のマスターを作製してニッケルスタンパーを作製
すればよい。

【００５８】本実施の形態においても、ヒル５ｃの高さ
ｄｈを変化させながら上述したクロストークを測定し、
このクロストークを低減できる条件を調べた。測定対象
の光磁気ディスク及び光ピックアップの条件は実施の形
態３と全て同じである。そして、ヒル５ｃが形成された
グルーブ部４を再生したときのキャリア成分をＣ１〔ｄ
Ｂｍ〕とし、ランド部３を再生したときのキャリア成分
をＣ２〔ｄＢｍ〕とすれば、クロストークＣＴは式
（１）によって定義される。

【００５９】図１１は以上のような条件で測定したクロ
ストークＣＴとｄｈ／ｄｇの関係を示す図である。クロ
ストークを低減できる条件としては、ｄｈ／ｄｇ＝１．
２５程度が最も良く、ｄｈ／ｄｇ＝１．０５〜１．５が
−３０ｄＢ以下で好ましく、ｄｈ／ｄｇ＝１．１〜１．
４が−３５ｄＢ以下でより好ましいことが分かる。こう
して、本実施の形態の光磁気ディスクにおいて、ｄｈ／
ｄｇを上記範囲内に設定すれば、グルーブ部４のヘッダ
ー領域からランド部３のデータ領域へのクロストークを
低減することができる。

【００６０】また、実施の形態１で説明したアクセス方
法において、ピット５とヒル５ｃの説明を入れ換えれ
ば、上記アクセス方法が本実施の形態でも全く同様に成
立する。こうして、実施の形態１と同様の効果を得るこ
とができる。以上の実施の形態１〜４の結果から、クロ
ストークＣＴを低減できる条件としては、少なくともｄ
ｐ≧ｄｇあるいはｄｈ≧ｄｇであることが必要である。

【００６１】なお、実施の形態１〜４では、光磁気ディ
スクについて説明したが、案内溝付き基板にピット又は
ヒルを設ければよいので、例えば相変化記録や穴開け記
録のような他の記録方法用の光ディスクであっても本発
明を適用することができる。

【００６２】

【発明の効果】本発明によれば、ピット又はヒルがラン
ドあるいはグルーブの一方のみに形成された案内溝付き
基板を用いることにより、ピット又はヒルがないトラッ
クの従来ヘッダー領域であった領域をデータ領域として
使用することができ、記録容量を増やすことができる。
また、ピットの深さ又はヒルの高さをグルーブの深さ以
上とすることにより、ヘッダー領域から隣接トラックへ
のクロストークを低減することができるので、ヘッダー
領域と隣接トラックのデータ領域が隣合ったとしても、
データ領域の読み誤りが発生することがない。また、ピ
ットの深さ又はヒルの高さとグルーブの深さに注意して
マスターを作製すればよいので、ピットあるいはヒルを
ランドとグルーブの両方に設けてクロストークが小さく
なるように制御する従来の場合と比べて、マスター及び
スタンパーの作製が容易となり、光ディスクの大量生産
が容易となる。

【００６３】また、第１のトラックの領域をアクセスす
る場合には、このトラックに設けられたピット又はヒル
からヘッダー情報を検出してアクセスし、第２のトラッ
クの領域をアクセスする場合には、隣接する第１のトラ
ックのヘッダー情報に基づいてアクセスすることによ
り、ヘッダー情報が第１のトラックのみに記録された光
ディスクにおいて第１、第２の両トラックをアクセスす
ることができ、ランドとグルーブを両方とも記録再生用
トラックとして利用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の１実施の形態を示す光磁気ディスク
の外観図及び光磁気ディスクの１部分を斜め上方から見
た拡大図である。

【図２】 図１の光磁気ディスクの製造方法を説明する
ための工程断面図である。

【図３】 光ディスクにおけるセクタの配列の様子を示
す図である。

【図４】 図１の光磁気ディスクにおけるクロストーク
とｄｐ／ｄｇの関係を示す図である。

【図５】 図１の光磁気ディスクの１部分における記録
再生用トラックの様子を示す図である。

【図６】 本発明の他の実施の形態を示す光磁気ディス
クの１部分を斜め上方から見た拡大図である。

【図７】 図６の光磁気ディスクにおけるクロストーク
とｄｐ／ｄｇの関係を示す図である。

【図８】 本発明の他の実施の形態を示す光磁気ディス
クの１部分を斜め上方から見た拡大図である。

【図９】 図８の光磁気ディスクにおけるクロストーク
とｄｈ／ｄｇの関係を示す図である。

【図１０】 本発明の他の実施の形態を示す光磁気ディ
スクの１部分を斜め上方から見た拡大図である。

【図１１】 図１０の光磁気ディスクにおけるクロスト
ークとｄｈ／ｄｇの関係を示す図である。

【図１２】 従来の光ディスクの製造方法を説明するた
めの工程断面図である。

【符号の説明】 １…光磁気ディスク、２…案内溝付き基板、３…ランド
部、４…グルーブ部、５、５ａ…ピット、５ｂ、５ｃ…
ヒル、ｄｐ…ピットの深さ、ｄｈ…ヒルの高さ、ｄｇ…
グルーブの深さ。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 凸部であるランドと、凹部であるグルー
   ブと、ディスク上の位置情報が含まれるヘッダー情報を
   表す孔状のピット又は突起状のヒルとを有する案内溝付
   き基板を用いた、ランドとグルーブの両方を記録再生用
   トラックとする光ディスクであって、 前記案内溝付き基板は、ピットの深さｄｐ又はヒルの高
   さｄｈがグルーブの深さｄｇ以上となるように、ピット
   又はヒルがランドあるいはグルーブの一方のみに形成さ
   れたものであることを特徴とする光ディスク。
2. 【請求項２】 ディスク上の位置情報が含まれるヘッダ
   ー情報を表す孔状のピット又は突起状のヒルがランドあ
   るいはグルーブの２種類のトラックのうち第１のトラッ
   クのみに設けられ、かつピットの深さ又はヒルの高さが
   グルーブの深さ以上である光ディスクに関し、このディ
   スク上の領域をアクセスする光ディスクのアクセス方法
   であって、 前記第１のトラック上の領域をアクセスする場合には、
   この第１のトラックに設けられたピット又はヒルからヘ
   ッダー情報を検出してアクセスし、 前記第２のトラック上の領域をアクセスする場合には、
   この第２のトラックに隣接する第１のトラックに設けら
   れたピット又はヒルからヘッダー情報を検出して、検出
   したヘッダー情報に基づいてアクセスすることを特徴と
   する光ディスクのアクセス方法。