JPH0973665A - 光記録媒体およびその記録方法 - Google Patents
光記録媒体およびその記録方法Info
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- JPH0973665A JPH0973665A JP8167652A JP16765296A JPH0973665A JP H0973665 A JPH0973665 A JP H0973665A JP 8167652 A JP8167652 A JP 8167652A JP 16765296 A JP16765296 A JP 16765296A JP H0973665 A JPH0973665 A JP H0973665A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- recording medium
- optical recording
- guide groove
- optical
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- Pending
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】プリフォーマット部、および記録領域からのク
ロストークが小さく、高密度・大容量の光記録媒体を提
供する。 【解決手段】ランド・グルーブ記録の相変化光記録媒体
のフォーマットを各ゾーン内でプリフォーマット部が半
径方向に実質的に整列しているモディファイドＣＬＶま
たはモディファイドＣＡＶとし、かつ溝深さを０．１５
（λ／ｎ）〜０．２（λ／ｎ）とした相変化型光記録媒
体。
ロストークが小さく、高密度・大容量の光記録媒体を提
供する。 【解決手段】ランド・グルーブ記録の相変化光記録媒体
のフォーマットを各ゾーン内でプリフォーマット部が半
径方向に実質的に整列しているモディファイドＣＬＶま
たはモディファイドＣＡＶとし、かつ溝深さを０．１５
（λ／ｎ）〜０．２（λ／ｎ）とした相変化型光記録媒
体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光の照射により、
情報の記録、消去、再生が可能である光情報記録媒体に
関するものである。
情報の記録、消去、再生が可能である光情報記録媒体に
関するものである。
【０００２】特に、本発明は、記録情報の消去、書換機
能を有し、情報信号を高速かつ、高密度に記録可能な光
ディスクなどの書換可能相変化型光記録媒体に関するも
のである。
能を有し、情報信号を高速かつ、高密度に記録可能な光
ディスクなどの書換可能相変化型光記録媒体に関するも
のである。
【０００３】
【従来の技術】従来の書換可能相変化型光記録媒体の技
術は、以下のごときものである。
術は、以下のごときものである。
【０００４】これらの光記録媒体は、テルルなどを主成
分とする記録層を有し、記録時は、結晶状態の記録層に
集束したレーザー光パルスを短時間照射し、記録層を部
分的に溶融する。溶融した部分は熱拡散により急冷さ
れ、固化し、アモルファス状態の記録マークが形成され
る。この記録マークの光線反射率は、結晶状態より低
く、光学的に記録信号として再生可能である。
分とする記録層を有し、記録時は、結晶状態の記録層に
集束したレーザー光パルスを短時間照射し、記録層を部
分的に溶融する。溶融した部分は熱拡散により急冷さ
れ、固化し、アモルファス状態の記録マークが形成され
る。この記録マークの光線反射率は、結晶状態より低
く、光学的に記録信号として再生可能である。
【０００５】また、消去時には、記録マーク部分にレー
ザー光を照射し、記録層の融点以下、結晶化温度以上の
温度に加熱することによって、アモルファス状態の記録
マークを結晶化し、もとの未記録状態にもどす。
ザー光を照射し、記録層の融点以下、結晶化温度以上の
温度に加熱することによって、アモルファス状態の記録
マークを結晶化し、もとの未記録状態にもどす。
【０００６】これらの書換型相変化光記録媒体の記録層
の材料としては、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 などの合金（N.Ya
mada et al, Proc.Int.Symp.on Optical Memory 1987 p
61-66 ）が知られている。
の材料としては、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 などの合金（N.Ya
mada et al, Proc.Int.Symp.on Optical Memory 1987 p
61-66 ）が知られている。
【０００７】これらＴｅ合金を記録層とした光記録媒体
では、結晶化速度が速く、照射パワーを変調するだけ
で、円形の１ビームによる高速のオーバーライトが可能
である。これらの記録層を使用した光記録媒体では、通
常、記録層の両面に耐熱性と透光性を有する誘電体層を
設け、記録時に記録層に変形、開口が発生することを防
いでいる。さらに、光ビーム入射方向と反対側の誘電体
層に、光反射性のＡｌなどの金属反射層を設け、光学的
な干渉効果により、再生時の信号コントラストを改善す
ると共に、冷却効果により、非晶状態の記録マークの形
成を容易にし、かつ消去特性、繰り返し特性を改善する
技術が知られている。特に、記録層および記録層と反射
層の間の誘電体層を各々２０ｎｍ程度に薄く構成した
「急冷構造」では、誘電体層を２００ｎｍ程度に厚くし
た「徐冷構造」に比べ、書換の繰返しによる記録特性の
劣化が少なく、また消去パワーのパワー・マージンが広
い点で優れている（T.Ohota et al,Japanese Jounal of
Applied Physics, Vol 28(1989) Suppl. 28-3 pp123 -
128）。
では、結晶化速度が速く、照射パワーを変調するだけ
で、円形の１ビームによる高速のオーバーライトが可能
である。これらの記録層を使用した光記録媒体では、通
常、記録層の両面に耐熱性と透光性を有する誘電体層を
設け、記録時に記録層に変形、開口が発生することを防
いでいる。さらに、光ビーム入射方向と反対側の誘電体
層に、光反射性のＡｌなどの金属反射層を設け、光学的
な干渉効果により、再生時の信号コントラストを改善す
ると共に、冷却効果により、非晶状態の記録マークの形
成を容易にし、かつ消去特性、繰り返し特性を改善する
技術が知られている。特に、記録層および記録層と反射
層の間の誘電体層を各々２０ｎｍ程度に薄く構成した
「急冷構造」では、誘電体層を２００ｎｍ程度に厚くし
た「徐冷構造」に比べ、書換の繰返しによる記録特性の
劣化が少なく、また消去パワーのパワー・マージンが広
い点で優れている（T.Ohota et al,Japanese Jounal of
Applied Physics, Vol 28(1989) Suppl. 28-3 pp123 -
128）。
【０００８】最近では、より高密度記録を目指して、光
記録媒体の案内溝だけでなく隣接する案内溝間にも記録
を行なう記録方法が提案されており、相変化方式を用い
た本方式の書換型光記録媒体の提案も行なわれている
（１９９２年秋季応用物理学会予稿集 １８ａ−Ｔ−
３、特開平５−２８２７０５号公報、テレビジョン学会
技術報告Ｐ９５−１００）。
記録媒体の案内溝だけでなく隣接する案内溝間にも記録
を行なう記録方法が提案されており、相変化方式を用い
た本方式の書換型光記録媒体の提案も行なわれている
（１９９２年秋季応用物理学会予稿集 １８ａ−Ｔ−
３、特開平５−２８２７０５号公報、テレビジョン学会
技術報告Ｐ９５−１００）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら案内溝
（グルーブ）と案内溝間（ランド）の両方に記録する前
述の光記録媒体（以下Ｌ／Ｇ記録媒体と記述）には以下
のような問題があった。
（グルーブ）と案内溝間（ランド）の両方に記録する前
述の光記録媒体（以下Ｌ／Ｇ記録媒体と記述）には以下
のような問題があった。
【００１０】応用物理学会予稿集（１８ａ−Ｔ−３）で
は、相変化記録方式によりＬ／Ｇ記録媒体を構成した例
が発表されているが、通常の書換型光ディスクと同様に
ユーザーが使用できるようにするには、予め基板の凹凸
ピットによって、少なくともセクタの番地情報を含むプ
リフォーマット領域を設ける必要があった。このための
方法として、特開平５−２８２７０５号公報において
は、基板上にプリフォーマットの凹凸ピットを設ける場
合に、案内溝部、案内溝間部とも窪み（凹部）を設ける
ことが提案されている。しかしながら、案内溝部、案内
溝間部とも窪みを設けるように基板を成形すること、基
板成形に用いるスタンパーを作製することは技術的には
かなり困難であり、製造コストも高いという問題があっ
た。
は、相変化記録方式によりＬ／Ｇ記録媒体を構成した例
が発表されているが、通常の書換型光ディスクと同様に
ユーザーが使用できるようにするには、予め基板の凹凸
ピットによって、少なくともセクタの番地情報を含むプ
リフォーマット領域を設ける必要があった。このための
方法として、特開平５−２８２７０５号公報において
は、基板上にプリフォーマットの凹凸ピットを設ける場
合に、案内溝部、案内溝間部とも窪み（凹部）を設ける
ことが提案されている。しかしながら、案内溝部、案内
溝間部とも窪みを設けるように基板を成形すること、基
板成形に用いるスタンパーを作製することは技術的には
かなり困難であり、製造コストも高いという問題があっ
た。
【００１１】一方、テレビジョン学会技術報告（Ｐ９５
−１００）では、トラック方向の線記録密度がほぼ一定
であり、プリフォーマット領域がほぼ隣接トラックで半
径方向に整列しており記録容量が大きいモディファイド
ＣＬＶフォーマットを用い、かつ案内溝部では凸ピッ
ト、案内溝間部では凹ピットとなるようにプリフォーマ
ットを形成してディスクの成形用のスタンパー作製を容
易にするよう考慮したディスクフォーマットが提案され
ている。しかしながらこのフォーマットにおいても案内
溝部と案内溝間部のプリフォーマット部が隣接している
ため、トラック密度の高いディスク基板の成形は困難で
あるとともに、隣接するプリフォーマット部のクロスト
ークが大きいため正しく再生することが困難であり、ま
た通常の書換型光ディスクに用いられるプッシュプルト
ラッキング法の光ヘッドでは、プリフォーマット部のト
ラッキング状態が悪くなるという問題があった。
−１００）では、トラック方向の線記録密度がほぼ一定
であり、プリフォーマット領域がほぼ隣接トラックで半
径方向に整列しており記録容量が大きいモディファイド
ＣＬＶフォーマットを用い、かつ案内溝部では凸ピッ
ト、案内溝間部では凹ピットとなるようにプリフォーマ
ットを形成してディスクの成形用のスタンパー作製を容
易にするよう考慮したディスクフォーマットが提案され
ている。しかしながらこのフォーマットにおいても案内
溝部と案内溝間部のプリフォーマット部が隣接している
ため、トラック密度の高いディスク基板の成形は困難で
あるとともに、隣接するプリフォーマット部のクロスト
ークが大きいため正しく再生することが困難であり、ま
た通常の書換型光ディスクに用いられるプッシュプルト
ラッキング法の光ヘッドでは、プリフォーマット部のト
ラッキング状態が悪くなるという問題があった。
【００１２】本発明の目的は、前述の従来の光記録媒体
の課題を解決し、大容量で、かつ記録、再生特性が安定
しており、製造も容易な優れた光記録媒体を提供するこ
とにある。また、本発明の別の目的は、記録の繰り返し
耐久性に優れた光記録媒体を提供することにある。
の課題を解決し、大容量で、かつ記録、再生特性が安定
しており、製造も容易な優れた光記録媒体を提供するこ
とにある。また、本発明の別の目的は、記録の繰り返し
耐久性に優れた光記録媒体を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、ディスク形状
の基板上に形成された記録層に光を照射することによっ
て、情報の記録、消去、再生が可能である相変化光記録
媒体であって、かつ前記基板の記録層を設けた面にスパ
イラル状の案内溝が形成されており、該案内溝と案内溝
間の両方の部分の記録トラックに記録を行なう光記録媒
体において、記録媒体の物理的フォーマットが、モディ
ファイドＣＬＶフォーマットもしくはモディファイドＣ
ＡＶフォーマットであって、プリフォーマット領域が基
板の凹凸ピットによって形成されており、該プリフォー
マット領域が案内溝の延長線上、または案内溝間の延長
線上の少なくとも一方に設けられており、かつ、該案内
溝の平面部の幅Ｗｇと案内溝間の平面部の幅Ｗｌの比が
０．７以上１．３以下であり、案内溝間の平面部を基準
面とする該案内溝の深さおよび該プリフォーマット領域
の凹凸ピットの深さが略同一であり、記録光波長をλ、
基板の屈折率をｎとすると、該溝深さＤが０．１５（λ
／ｎ）以上、０．２（λ／ｎ）以下であることを特徴と
する光記録媒体である。
の基板上に形成された記録層に光を照射することによっ
て、情報の記録、消去、再生が可能である相変化光記録
媒体であって、かつ前記基板の記録層を設けた面にスパ
イラル状の案内溝が形成されており、該案内溝と案内溝
間の両方の部分の記録トラックに記録を行なう光記録媒
体において、記録媒体の物理的フォーマットが、モディ
ファイドＣＬＶフォーマットもしくはモディファイドＣ
ＡＶフォーマットであって、プリフォーマット領域が基
板の凹凸ピットによって形成されており、該プリフォー
マット領域が案内溝の延長線上、または案内溝間の延長
線上の少なくとも一方に設けられており、かつ、該案内
溝の平面部の幅Ｗｇと案内溝間の平面部の幅Ｗｌの比が
０．７以上１．３以下であり、案内溝間の平面部を基準
面とする該案内溝の深さおよび該プリフォーマット領域
の凹凸ピットの深さが略同一であり、記録光波長をλ、
基板の屈折率をｎとすると、該溝深さＤが０．１５（λ
／ｎ）以上、０．２（λ／ｎ）以下であることを特徴と
する光記録媒体である。
【００１４】また本発明は、記録フォーマットが、モデ
ィファイドＣＬＶフォーマットであって、記録媒体の回
転速度の制御をトラック方向の線速度４ｍ／ｓｅｃ以
上、８ｍ／ｓｅｃ以下の範囲で、略一定速度になるよう
に設定して記録することを特徴とする前記光記録媒体の
記録方法である。
ィファイドＣＬＶフォーマットであって、記録媒体の回
転速度の制御をトラック方向の線速度４ｍ／ｓｅｃ以
上、８ｍ／ｓｅｃ以下の範囲で、略一定速度になるよう
に設定して記録することを特徴とする前記光記録媒体の
記録方法である。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施態様とその作
用を説明する。
用を説明する。
【００１６】本願発明の光記録媒体は、図１に示すよう
に記録媒体の物理的フォーマットを記録領域１が半径方
向に複数のゾーン２に分割され、内周部と外周部の記録
部に記録される記録マークの最短間隔が実質的に等しく
なるモディファイドＣＬＶフォーマットもしくはモディ
ファイドＣＡＶフォーマットとすることにより、大きい
記録容量を実現する。
に記録媒体の物理的フォーマットを記録領域１が半径方
向に複数のゾーン２に分割され、内周部と外周部の記録
部に記録される記録マークの最短間隔が実質的に等しく
なるモディファイドＣＬＶフォーマットもしくはモディ
ファイドＣＡＶフォーマットとすることにより、大きい
記録容量を実現する。
【００１７】また、記録領域は、円周方向に非記録領域
５によって分割され、非記録領域には、少なくともセク
タ３の番地情報を含むプリフォーマット領域４が基板の
凹凸ピットによって形成されている。
５によって分割され、非記録領域には、少なくともセク
タ３の番地情報を含むプリフォーマット領域４が基板の
凹凸ピットによって形成されている。
【００１８】モディファイドＣＬＶフォーマットもしく
はモディファイドＣＡＶフォーマットとすることによ
り、プリフォーマット領域を含む非記録領域を各ゾーン
内において半径方向に実質的に整列させることができ、
これにより、ＣＬＶフォーマット等で問題となるプリフ
ォーマット領域からのクロストークによる隣接する記録
トラックの記録領域の再生信号の劣化の発生を防止して
いる。すなわち、本発明ではプリフォーマット領域を含
む非記録領域が各ゾーン内において半径方向に実質的に
整列することにより、記録領域とプリフォーマット領域
が半径方向に隣接することがなくなり、隣接するトラッ
クのプリフォーマット領域からの再生信号が、記録領域
の再生信号の劣化を引き起こすことを防止できる。これ
により、高いトラック密度を実現できる。
はモディファイドＣＡＶフォーマットとすることによ
り、プリフォーマット領域を含む非記録領域を各ゾーン
内において半径方向に実質的に整列させることができ、
これにより、ＣＬＶフォーマット等で問題となるプリフ
ォーマット領域からのクロストークによる隣接する記録
トラックの記録領域の再生信号の劣化の発生を防止して
いる。すなわち、本発明ではプリフォーマット領域を含
む非記録領域が各ゾーン内において半径方向に実質的に
整列することにより、記録領域とプリフォーマット領域
が半径方向に隣接することがなくなり、隣接するトラッ
クのプリフォーマット領域からの再生信号が、記録領域
の再生信号の劣化を引き起こすことを防止できる。これ
により、高いトラック密度を実現できる。
【００１９】また、同時に図２に示すように案内溝６の
平面部７の幅Ｗｇと案内溝間８の平面部９の幅Ｗｌの比
を０．７以上１．３以下とすることにより、案内溝６、
案内溝間８の各々に記録した記録マークの再生信号強
度、記録、消去に要するレーザー光のパワー、オーバー
ライト時の消去率などの記録特性をほぼ等しくすること
により、記録媒体の記録、再生を容易にしている。
平面部７の幅Ｗｇと案内溝間８の平面部９の幅Ｗｌの比
を０．７以上１．３以下とすることにより、案内溝６、
案内溝間８の各々に記録した記録マークの再生信号強
度、記録、消去に要するレーザー光のパワー、オーバー
ライト時の消去率などの記録特性をほぼ等しくすること
により、記録媒体の記録、再生を容易にしている。
【００２０】ここで、図３に示すように案内溝間の平面
部９を基準面とする該案内溝の深さ１１および該プリフ
ォーマット領域の凹凸ピットの深さ１２が略同一であ
り、記録光波長をλ、基板の屈折率をｎとすると、該溝
深さ（Ｄ）１１が、０．１５（λ／ｎ）以上、０．２
（λ／ｎ）以下とすることにより、隣接トラックとの光
学的な位相差を利用して記録マーク１０の再生時の隣接
する記録マークからの光学的なクロストークを減少させ
ることにより高いトラック密度を実現すると同時にトラ
ック・クロス信号を大きくすることによりトラッキング
を容易かつ安定にしている。さらに、案内溝間の平面部
９（ミラー面）を基準面とする案内溝の深さ（Ｄ）１１
およびプリフォーマット領域の凹凸ピットの深さ１２を
略同一とする。深さの差は、５％以下であることが好ま
しい。これにより、実質的に２水準の面のみで、案内溝
部６、案内溝間部８、凹凸ピット部１３を構成する。そ
のため記録媒体基板成形用スタンパの原盤作製工程、す
なわち、マスタリング工程を従来の案内溝記録用記録媒
体と同程度に簡素化できると共に、案内溝部６、凹凸ピ
ット部１３の構成が簡素化されることにより基板の射出
成形も容易にしている。
部９を基準面とする該案内溝の深さ１１および該プリフ
ォーマット領域の凹凸ピットの深さ１２が略同一であ
り、記録光波長をλ、基板の屈折率をｎとすると、該溝
深さ（Ｄ）１１が、０．１５（λ／ｎ）以上、０．２
（λ／ｎ）以下とすることにより、隣接トラックとの光
学的な位相差を利用して記録マーク１０の再生時の隣接
する記録マークからの光学的なクロストークを減少させ
ることにより高いトラック密度を実現すると同時にトラ
ック・クロス信号を大きくすることによりトラッキング
を容易かつ安定にしている。さらに、案内溝間の平面部
９（ミラー面）を基準面とする案内溝の深さ（Ｄ）１１
およびプリフォーマット領域の凹凸ピットの深さ１２を
略同一とする。深さの差は、５％以下であることが好ま
しい。これにより、実質的に２水準の面のみで、案内溝
部６、案内溝間部８、凹凸ピット部１３を構成する。そ
のため記録媒体基板成形用スタンパの原盤作製工程、す
なわち、マスタリング工程を従来の案内溝記録用記録媒
体と同程度に簡素化できると共に、案内溝部６、凹凸ピ
ット部１３の構成が簡素化されることにより基板の射出
成形も容易にしている。
【００２１】ここで、図４、図５、図６に一例を示すよ
うに、前述のプリフォーマット領域４が案内溝６の延長
線上、または案内溝間８の延長線上の少なくとも一方に
設けられており、該プリフォーマット領域４を含む非記
録領域５（ギャップ、無信号空白部などを含んで良い）
が各ゾーン内において半径方向に実質的に整列するよう
に配置する。
うに、前述のプリフォーマット領域４が案内溝６の延長
線上、または案内溝間８の延長線上の少なくとも一方に
設けられており、該プリフォーマット領域４を含む非記
録領域５（ギャップ、無信号空白部などを含んで良い）
が各ゾーン内において半径方向に実質的に整列するよう
に配置する。
【００２２】さらに、隣接するトラックのプリフォーマ
ット相互のクロストークを本質的に避けることができる
ことから、図７、図８に示すようにプリフォーマット領
域４を案内溝６の延長線上、および案内溝間８の延長線
上の両方に設け、かつ、各ゾーン内の非記録領域５にお
いて、隣接するトラックに対応したプリフォーマット領
域４を互いに半径方向に隣接しない位置に設けることが
より好ましい。
ット相互のクロストークを本質的に避けることができる
ことから、図７、図８に示すようにプリフォーマット領
域４を案内溝６の延長線上、および案内溝間８の延長線
上の両方に設け、かつ、各ゾーン内の非記録領域５にお
いて、隣接するトラックに対応したプリフォーマット領
域４を互いに半径方向に隣接しない位置に設けることが
より好ましい。
【００２３】また、図８のように、案内溝６の延長線上
と案内溝間８の延長線上の両方にまたがるようにプリフ
ォーマット領域４を設けた場合には、光ビームが一度の
走査で、隣接する２つのトラックに対応したプリフォー
マット部をそれぞれ再生するため、プリフォーマット部
の読み取りミスを少なくすることができることから、特
に好ましい。
と案内溝間８の延長線上の両方にまたがるようにプリフ
ォーマット領域４を設けた場合には、光ビームが一度の
走査で、隣接する２つのトラックに対応したプリフォー
マット部をそれぞれ再生するため、プリフォーマット部
の読み取りミスを少なくすることができることから、特
に好ましい。
【００２４】本発明の光記録媒体の記録に用いる記録方
式としては、マーク長変調、マーク間変調のいずれでも
良い。また、変調方式も特に限定するものではないが、
例をあげれば（２，７）変調、（１，７）変調、ＥＦＭ
変調などに代表される RunLength Limited符号などを
用いることができる。記録密度が高くできることからプ
リフォーマット部および記録部をマーク長変調により記
録することが好ましい。
式としては、マーク長変調、マーク間変調のいずれでも
良い。また、変調方式も特に限定するものではないが、
例をあげれば（２，７）変調、（１，７）変調、ＥＦＭ
変調などに代表される RunLength Limited符号などを
用いることができる。記録密度が高くできることからプ
リフォーマット部および記録部をマーク長変調により記
録することが好ましい。
【００２５】また、相変化光記録媒体では、記録の書換
え（オーバーライト）を多数回繰り返すと記録層の膜厚
が変動するため、記録領域の前端および後端で、記録マ
ークが正しく記録されない場合がある。そこで記録媒体
のセクタのトラック方向の長さの０．１％以上２％以下
に相当する長さのバッファ領域を記録領域の前端および
後端部に設けて、記録開始と終了部分をこの前端および
後端のバッファ領域とするとともに、情報を書き換える
度に記録開始位置をバッファ領域内で前後にシフトさせ
て記録することが、記録層の膜厚変動による特性劣化を
抑制できることから好ましい。さらに記録領域に記録す
るデ−タの前端および終端は、記録した情報が損なわれ
ないように１〜３０バイト程度のダミーデータを付加し
ておくことがより好ましい。
え（オーバーライト）を多数回繰り返すと記録層の膜厚
が変動するため、記録領域の前端および後端で、記録マ
ークが正しく記録されない場合がある。そこで記録媒体
のセクタのトラック方向の長さの０．１％以上２％以下
に相当する長さのバッファ領域を記録領域の前端および
後端部に設けて、記録開始と終了部分をこの前端および
後端のバッファ領域とするとともに、情報を書き換える
度に記録開始位置をバッファ領域内で前後にシフトさせ
て記録することが、記録層の膜厚変動による特性劣化を
抑制できることから好ましい。さらに記録領域に記録す
るデ−タの前端および終端は、記録した情報が損なわれ
ないように１〜３０バイト程度のダミーデータを付加し
ておくことがより好ましい。
【００２６】記録媒体回転のトラック方向線速度を一定
にすることにより記録時に要する記録パワーなどの記録
条件、Ｃ／Ｎ比、ジッタなどの記録特性を記録媒体全面
に渡ってほぼ一定にできることから記録フォーマット
が、モディファイドＣＬＶフォーマットとすることが好
ましく、さらに記録層の非晶状態と結晶状態の光吸収量
差に起因する記録再生波形の歪みを小さくできることか
ら、記録媒体の回転速度の制御をトラック方向の線速度
４ｍ／ｓｅｃ以上、８ｍ／ｓｅｃ以下の範囲で、略一定
速度になるように設定して記録することが好ましい。
にすることにより記録時に要する記録パワーなどの記録
条件、Ｃ／Ｎ比、ジッタなどの記録特性を記録媒体全面
に渡ってほぼ一定にできることから記録フォーマット
が、モディファイドＣＬＶフォーマットとすることが好
ましく、さらに記録層の非晶状態と結晶状態の光吸収量
差に起因する記録再生波形の歪みを小さくできることか
ら、記録媒体の回転速度の制御をトラック方向の線速度
４ｍ／ｓｅｃ以上、８ｍ／ｓｅｃ以下の範囲で、略一定
速度になるように設定して記録することが好ましい。
【００２７】本発明の相変化光記録媒体の層構成は特に
限定はしないが、少なくとも透明基板／第１誘電体層／
記録層／第２誘電体層／反射層の積層体を構成部材とす
ることが良好な記録特性が得られることから好ましい。
ただしこれに限定するものではなく、反射層上に、本発
明の効果を損なわない範囲で紫外線硬化樹脂などの樹脂
層や他の基板と張り合わせるための接着剤層など、他の
層を設けてもよい。
限定はしないが、少なくとも透明基板／第１誘電体層／
記録層／第２誘電体層／反射層の積層体を構成部材とす
ることが良好な記録特性が得られることから好ましい。
ただしこれに限定するものではなく、反射層上に、本発
明の効果を損なわない範囲で紫外線硬化樹脂などの樹脂
層や他の基板と張り合わせるための接着剤層など、他の
層を設けてもよい。
【００２８】本発明の相変化光記録媒体の基板の材料と
しては、透明な各種の合成樹脂、透明ガラスなどが使用
できる。ほこり、基板の傷などの影響をさけるために、
透明基板を用い、集束した光ビームで基板側から記録を
行なうことが好ましく、この様な透明基板材料として
は、ガラス、ポリカーボネート、ポリメチル・メタクリ
レート、ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミ
ド樹脂などがあげられる。 特に、光学的複屈折が小さ
く、吸湿性が小さく、成形が容易であることからポリカ
ーボネート樹脂、アモルファス・ポリオレフィン樹脂が
好ましい。
しては、透明な各種の合成樹脂、透明ガラスなどが使用
できる。ほこり、基板の傷などの影響をさけるために、
透明基板を用い、集束した光ビームで基板側から記録を
行なうことが好ましく、この様な透明基板材料として
は、ガラス、ポリカーボネート、ポリメチル・メタクリ
レート、ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミ
ド樹脂などがあげられる。 特に、光学的複屈折が小さ
く、吸湿性が小さく、成形が容易であることからポリカ
ーボネート樹脂、アモルファス・ポリオレフィン樹脂が
好ましい。
【００２９】基板の厚さは特に限定するものではない
が、０．０１ｍｍ〜５ｍｍが実用的である。０．０１ｍ
ｍ未満では、基板側から集束した光ビ−ムで記録する場
合でも、ごみの影響を受け易くなり、５ｍｍ以上では、
対物レンズの開口数を大きくすることが困難になり、照
射光ビームスポットサイズが大きくなるため、記録密度
をあげることが困難になる。基板はフレキシブルなもの
であっても良いし、リジッドなものであっても良い。こ
れらの基板は、記録層などを形成した後、２枚の基板を
用いて、密着張合せ構造、エアーサンドイッチ構造など
にしてもよい。
が、０．０１ｍｍ〜５ｍｍが実用的である。０．０１ｍ
ｍ未満では、基板側から集束した光ビ−ムで記録する場
合でも、ごみの影響を受け易くなり、５ｍｍ以上では、
対物レンズの開口数を大きくすることが困難になり、照
射光ビームスポットサイズが大きくなるため、記録密度
をあげることが困難になる。基板はフレキシブルなもの
であっても良いし、リジッドなものであっても良い。こ
れらの基板は、記録層などを形成した後、２枚の基板を
用いて、密着張合せ構造、エアーサンドイッチ構造など
にしてもよい。
【００３０】また、第１および第２誘電体層は、記録時
に基板、記録層などが熱によって変形し記録特性が劣化
することを防止するなど、基板、記録層を熱から保護す
る効果、光学的な干渉効果により、再生時の信号コント
ラストを改善する効果があることから記録層に積層して
設けることが好ましい。
に基板、記録層などが熱によって変形し記録特性が劣化
することを防止するなど、基板、記録層を熱から保護す
る効果、光学的な干渉効果により、再生時の信号コント
ラストを改善する効果があることから記録層に積層して
設けることが好ましい。
【００３１】この誘電体層としては、ＺｎＳ、Ｓｉ
Ｏ2 、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機薄膜
がある。特にＺｎＳの薄膜、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｔａ、などの金属の酸化物の薄膜、Ｓｉ、Ａｌな
どの窒化物の薄膜、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆなどの炭化物の薄
膜およびこれらの化合物の混合物の膜が、耐熱性が高い
ことから好ましい。また、これらに炭素や、ＭｇＦ2 な
どのフッ化物を混合したものも、膜の残留応力が小さい
ことから好ましい。
Ｏ2 、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機薄膜
がある。特にＺｎＳの薄膜、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｔａ、などの金属の酸化物の薄膜、Ｓｉ、Ａｌな
どの窒化物の薄膜、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆなどの炭化物の薄
膜およびこれらの化合物の混合物の膜が、耐熱性が高い
ことから好ましい。また、これらに炭素や、ＭｇＦ2 な
どのフッ化物を混合したものも、膜の残留応力が小さい
ことから好ましい。
【００３２】特にＺｎＳとＳｉＯ2 の混合膜あるいは、
ＺｎＳとＳｉＯ2 と炭素の混合膜は、記録、消去の繰り
返しによっても、記録感度、Ｃ／Ｎ、消去率などの劣化
が起きにくいことから好ましく、特にＺｎＳとＳｉＯ2
と炭素の混合膜が好ましい。
ＺｎＳとＳｉＯ2 と炭素の混合膜は、記録、消去の繰り
返しによっても、記録感度、Ｃ／Ｎ、消去率などの劣化
が起きにくいことから好ましく、特にＺｎＳとＳｉＯ2
と炭素の混合膜が好ましい。
【００３３】第１および第２誘電体層の厚さは、およそ
１０〜５００ｎｍである。第１誘電体層は、基板や記録
層から剥離し難く、クラックなどの欠陥が生じ難いこと
から、５０〜４００ｎｍが好ましい。また第２誘電体層
は、Ｃ／Ｎ、消去率などの記録特性、安定に多数回の書
換が可能なことから５〜４０ｎｍが好ましい。
１０〜５００ｎｍである。第１誘電体層は、基板や記録
層から剥離し難く、クラックなどの欠陥が生じ難いこと
から、５０〜４００ｎｍが好ましい。また第２誘電体層
は、Ｃ／Ｎ、消去率などの記録特性、安定に多数回の書
換が可能なことから５〜４０ｎｍが好ましい。
【００３４】本発明の記録層としては、特に限定するも
のではないが、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｂ−Ｇ
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｉ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｇ
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｃｏ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｉ
ｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｉ
ｎ−Ｓｅ合金などがある。
のではないが、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｂ−Ｇ
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｉ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｇ
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｃｏ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｉ
ｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｉ
ｎ−Ｓｅ合金などがある。
【００３５】多数回の記録の書換が可能であることから
Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ
合金、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｃｏ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ
合金が好ましい。
Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ
合金、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｃｏ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ
合金が好ましい。
【００３６】特にＰｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｂ−
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金は、消去時間が短く、かつ多数回
の記録、消去の繰り返しが可能であり、Ｃ／Ｎ、消去率
などの記録特性に優れることからことから好ましい。
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金は、消去時間が短く、かつ多数回
の記録、消去の繰り返しが可能であり、Ｃ／Ｎ、消去率
などの記録特性に優れることからことから好ましい。
【００３７】本発明の記録層の厚さとしては、特に限定
するものではないが１０〜１００ｎｍである。特に記
録、消去感度が高く、多数回の記録消去が可能であるこ
とから１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下とすることが好まし
い。
するものではないが１０〜１００ｎｍである。特に記
録、消去感度が高く、多数回の記録消去が可能であるこ
とから１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下とすることが好まし
い。
【００３８】また第２誘電体に積層して反射層をを設け
ることが好ましい。材質としては、光反射性を有するＡ
ｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕなどの金属、およびこれらの合
金、および金属と金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物
などの金属化合物の混合物が好ましく、特にＡｌ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｃｕなどの高反射率の金属、およびこれらを
主成分として８０原子％以上含有する合金が好ましい。
ることが好ましい。材質としては、光反射性を有するＡ
ｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕなどの金属、およびこれらの合
金、および金属と金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物
などの金属化合物の混合物が好ましく、特にＡｌ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｃｕなどの高反射率の金属、およびこれらを
主成分として８０原子％以上含有する合金が好ましい。
【００３９】前述の合金の例として、ＡｌにＳｉ、Ｍ
ｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｎ
ｂ、Ｍｎなどの少なくとも１種の元素を合計で５原子％
以下、０．５原子％以上加えたもの、あるいは、Ａｕに
Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉなどの少なくとも
１種の元素を合計で２０原子％以下１原子％以上加えた
ものなどがある。特に、材料の価格が安くできることか
ら、Ａｌを主成分とする合金が好ましい。
ｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｎ
ｂ、Ｍｎなどの少なくとも１種の元素を合計で５原子％
以下、０．５原子％以上加えたもの、あるいは、Ａｕに
Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉなどの少なくとも
１種の元素を合計で２０原子％以下１原子％以上加えた
ものなどがある。特に、材料の価格が安くできることか
ら、Ａｌを主成分とする合金が好ましい。
【００４０】とりわけ、Ａｌ合金としては、耐腐食性が
良好なことから、ＡｌにＴｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｈｆから選
ばれる少なくとも１種以上の金属を合計で５原子％以下
０．５原子％以上添加し、Ｐｄを０．０５原子％以上
０．５原子％以下加えた合金が好ましい。
良好なことから、ＡｌにＴｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｈｆから選
ばれる少なくとも１種以上の金属を合計で５原子％以下
０．５原子％以上添加し、Ｐｄを０．０５原子％以上
０．５原子％以下加えた合金が好ましい。
【００４１】反射層の厚さとしては、おおむね３０ｎｍ
以上３００ｎｍ以下である。記録感度が高く、かつ記録
の耐久性に優れることからから１００ｎｍ以上２００ｎ
ｍ以下とすることが好ましい。
以上３００ｎｍ以下である。記録感度が高く、かつ記録
の耐久性に優れることからから１００ｎｍ以上２００ｎ
ｍ以下とすることが好ましい。
【００４２】特に、記録感度が高く、高速でシングルビ
ーム・オーバーライトが可能であり、かつ消去率が大き
く消去特性が良好であることから、次のごとく、光記録
媒体の主要部を構成することが好ましい。
ーム・オーバーライトが可能であり、かつ消去率が大き
く消去特性が良好であることから、次のごとく、光記録
媒体の主要部を構成することが好ましい。
【００４３】すなわち、誘電体層がＺｎＳとＳｉＯ2 と
炭素の混合膜であり、ＳｉＯ2 の混合比が１５〜３５モ
ル％、炭素混合比が１〜１０モル％であり、記録光波長
での屈折率が２．０〜２．３であり、かつ第１誘電体層
の厚さを１５０ｎｍ〜４００ｎｍ、第２誘電体層の厚さ
を１０ｎｍ〜３０ｎｍで構成し、かつ記録層の厚さを１
０ｎｍ〜３０ｎｍ、反射層を厚さ５０ｎｍ〜２００ｎｍ
のＡｌ合金で構成し、かつ記録層の組成が次式で表され
る範囲にあることが好ましい。
炭素の混合膜であり、ＳｉＯ2 の混合比が１５〜３５モ
ル％、炭素混合比が１〜１０モル％であり、記録光波長
での屈折率が２．０〜２．３であり、かつ第１誘電体層
の厚さを１５０ｎｍ〜４００ｎｍ、第２誘電体層の厚さ
を１０ｎｍ〜３０ｎｍで構成し、かつ記録層の厚さを１
０ｎｍ〜３０ｎｍ、反射層を厚さ５０ｎｍ〜２００ｎｍ
のＡｌ合金で構成し、かつ記録層の組成が次式で表され
る範囲にあることが好ましい。
【００４４】組成式 Ｍz （Ｓｂx Ｔｅ1-x ）1-y-z （Ｇｅ0.5 Ｔｅ0.5 ）y ０．３５≦ｘ≦０．５ ０．２≦ｙ≦０．５ ０．０００５≦Ｚ≦０．００５ ここで、Ｍはパラジウム、ニオブ、白金、銀、金、コバ
ルトから選ばれる少なくとも一種の金属を表す。また
ｘ、ｙ、ｚおよび数字は、各元素の原子の数（各元素の
モル数）の比を表す。
ルトから選ばれる少なくとも一種の金属を表す。また
ｘ、ｙ、ｚおよび数字は、各元素の原子の数（各元素の
モル数）の比を表す。
【００４５】本発明の光記録媒体の記録に用いる光源と
しては、レーザー光、ストロボ光のごとき高強度の光源
であり、特に半導体レーザー光は、光源が小型化できる
こと消費電力が小さいこと、変調が容易であることから
好ましい。
しては、レーザー光、ストロボ光のごとき高強度の光源
であり、特に半導体レーザー光は、光源が小型化できる
こと消費電力が小さいこと、変調が容易であることから
好ましい。
【００４６】記録は結晶状態の記録層にレーザー光パル
スなどを照射してアモルファスの記録マークを形成して
行う。また、反対に非晶状態の記録層に結晶状態の記録
マークを形成してもよい。消去はレーザー光照射によっ
て、アモルファスの記録マークを結晶化するか、もしく
は、結晶状態の記録マークをアモルファス化して行うこ
とができる。
スなどを照射してアモルファスの記録マークを形成して
行う。また、反対に非晶状態の記録層に結晶状態の記録
マークを形成してもよい。消去はレーザー光照射によっ
て、アモルファスの記録マークを結晶化するか、もしく
は、結晶状態の記録マークをアモルファス化して行うこ
とができる。
【００４７】記録速度を高速化でき、かつ記録層の変形
が発生しにくいことから記録時はアモルファスの記録マ
ークを形成し、消去時は結晶化を行う方法が好ましい。
が発生しにくいことから記録時はアモルファスの記録マ
ークを形成し、消去時は結晶化を行う方法が好ましい。
【００４８】また、記録マーク形成時は光強度を高く、
消去時はやや弱くし、１回の光ビームの照射により書換
を行う１ビーム・オーバーライトは、書換の所要時間が
短くなることから好ましい。
消去時はやや弱くし、１回の光ビームの照射により書換
を行う１ビーム・オーバーライトは、書換の所要時間が
短くなることから好ましい。
【００４９】記録層は、実際に記録を行う前に、予めレ
ーザー光、キセノンフラッシュランプなどの光を照射し
予め結晶化させておくことが好ましい。
ーザー光、キセノンフラッシュランプなどの光を照射し
予め結晶化させておくことが好ましい。
【００５０】
【発明の効果】本発明は、光記録媒体を特定の構造とし
たので、以下の効果が得られた。 (1) 高密度・大容量の光記録媒体が得られる。 (2) プリフォーマット部、および記録領域からのクロス
トークが小さい光記録媒体が得られる。 (3) 記録の繰返し耐久性にすぐれた光記録媒体が得られ
る。 (4) マスタリング、記録媒体の成形が容易な光記録媒体
が得られる。
たので、以下の効果が得られた。 (1) 高密度・大容量の光記録媒体が得られる。 (2) プリフォーマット部、および記録領域からのクロス
トークが小さい光記録媒体が得られる。 (3) 記録の繰返し耐久性にすぐれた光記録媒体が得られ
る。 (4) マスタリング、記録媒体の成形が容易な光記録媒体
が得られる。
【図１】 本発明の光記録媒体の物理フォーマットの模
式図である。
式図である。
【図２】 本発明の光記録媒体の案内溝部の断面の模式
図である。
図である。
【図３】 本発明の光記録媒体の案内溝部、プリフォー
マット領域の立体模式図である。
マット領域の立体模式図である。
【図４】 本発明の光記録媒体のプリフォーマット領域
の配置例の模式図である。
の配置例の模式図である。
【図５】 本発明の光記録媒体のプリフォーマット領域
の配置例の模式図である。
の配置例の模式図である。
【図６】 本発明の光記録媒体のプリフォーマット領域
の配置例の模式図である。
の配置例の模式図である。
【図７】 本発明の光記録媒体のプリフォーマット領域
の配置例の模式図である。
の配置例の模式図である。
【図８】 本発明の光記録媒体のプリフォーマット領域
の配置例の模式図である。
の配置例の模式図である。
１：記録領域 ２：ゾーン ３：セクタ ４：プリフォーマット領域 ５：非記録領域 ６：案内溝 ７：案内溝の平面部 ８：案内溝間 ９：案内溝間の平面部 １０：記録マーク １１：案内溝の深さ １２：凹凸ピットの深さ １３：凹凸ピット部
Claims (6)
- 【請求項１】 ディスク形状の基板上に形成された記録
層に光を照射することによって、情報の記録、消去、再
生が可能である相変化光記録媒体であって、かつ前記基
板の記録層を設けた面にスパイラル状の案内溝が形成さ
れており、該案内溝と案内溝間の両方の部分の記録トラ
ックに記録を行なう光記録媒体において、記録媒体の物
理的フォーマットが、モディファイドＣＬＶフォーマッ
トもしくはモディファイドＣＡＶフォーマットであっ
て、プリフォーマット領域が基板の凹凸ピットによって
形成されており、該プリフォーマット領域が案内溝の延
長線上、または案内溝間の延長線上の少なくとも一方に
設けられており、かつ、該案内溝の平面部の幅Ｗｇと案
内溝間の平面部の幅Ｗｌの比が０．７以上１．３以下で
あり、案内溝間の平面部を基準面とする該案内溝の深さ
および該プリフォーマット領域の凹凸ピットの深さが略
同一であり、記録光波長をλ、基板の屈折率をｎとする
と、該溝深さＤが０．１５（λ／ｎ）以上、０．２（λ
／ｎ）以下であることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 プリフォーマット領域が案内溝の延長線
上、および案内溝間の延長線上の両方に設けられてお
り、かつ、各ゾーン内において、隣接するトラックのプ
リフォーマット領域が互いに半径方向に隣接しない位置
に設けられたことを特徴とする請求項１記載の光記録媒
体。 - 【請求項３】 案内溝の延長線上と案内溝間の延長線上
の両方にまたがるようにプリフォーマット領域を設け、
かつ、隣接するトラックのプリフォーマット領域が互い
に半径方向に隣接しない位置に設けられたことを特徴と
する請求項２記載の光記録媒体。 - 【請求項４】 プリフォーマット部および記録部が、マ
ーク長変調により記録されていることを特徴とする請求
項１記載の光記録媒体。 - 【請求項５】 セクタのトラック方向の長さの０．１％
以上２％以下に相当する長さのバッファ領域を記録領域
の前端および後端に設けたことを特徴とする請求項１記
載の光記録媒体。 - 【請求項６】 請求項１記載の光記録媒体において、記
録フォーマットが、モディファイドＣＬＶフォーマット
であって、記録媒体の回転速度の制御をトラック方向の
線速度４ｍ／ｓｅｃ以上、８ｍ／ｓｅｃ以下の範囲で、
略一定速度になるように設定して記録することを特徴と
する光記録媒体の記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8167652A JPH0973665A (ja) | 1995-06-30 | 1996-06-27 | 光記録媒体およびその記録方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16645995 | 1995-06-30 | ||
| JP7-166459 | 1995-06-30 | ||
| JP8167652A JPH0973665A (ja) | 1995-06-30 | 1996-06-27 | 光記録媒体およびその記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0973665A true JPH0973665A (ja) | 1997-03-18 |
Family
ID=26490824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8167652A Pending JPH0973665A (ja) | 1995-06-30 | 1996-06-27 | 光記録媒体およびその記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0973665A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6459661B1 (en) | 1998-09-17 | 2002-10-01 | Nec Corporation | Optical disk and optical disk device |
| US7280462B2 (en) | 2002-04-17 | 2007-10-09 | Nec Corporation | Method and apparatus for recording/reproducing optical information |
| US7283458B2 (en) | 2002-04-08 | 2007-10-16 | Nec Corporation | Optical information recording medium, and method and device for optical information recording/reproduction using same |
-
1996
- 1996-06-27 JP JP8167652A patent/JPH0973665A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6459661B1 (en) | 1998-09-17 | 2002-10-01 | Nec Corporation | Optical disk and optical disk device |
| US6621774B2 (en) | 1998-09-17 | 2003-09-16 | Nec Corporation | Optical disk device |
| US6643234B2 (en) | 1998-09-17 | 2003-11-04 | Nec Corporation | Optical disk device |
| US7283458B2 (en) | 2002-04-08 | 2007-10-16 | Nec Corporation | Optical information recording medium, and method and device for optical information recording/reproduction using same |
| US7474605B2 (en) | 2002-04-08 | 2009-01-06 | Nec Corporation | Method and device for optical information recording/reproduction |
| US7280462B2 (en) | 2002-04-17 | 2007-10-09 | Nec Corporation | Method and apparatus for recording/reproducing optical information |
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