JP3130847B2 - 光学情報記録媒体 - Google Patents
光学情報記録媒体Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光の照射に
より情報の記録・再生を行う光学情報記録媒体に関し、
特に、相変化光ディスクに関する。
より情報の記録・再生を行う光学情報記録媒体に関し、
特に、相変化光ディスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】本発明に関する従来技術を過去の特許出
願から遡行調査すると、先ず、クロス消去低減のため
に、非晶質状態における吸収率Ａａと結晶状態における
吸収率Ａｃとの割合を改善する出願として、特開平１−
１４９２３８号公報，特開平７−９３８０４号公報があ
る。また、線速度の適用範囲を拡大する目的の出願とし
て、近年では、特開平８−１５６４２３号公報があり、
消去率、特にオーバーライト後のジッタ特性の向上を目
指す出願として、特開平９−６３１１９号公報がある。
最近では、「記録中ベリファイ動作」が可能な構成を提
示する出願として、特開平９−７３６６０号公報があ
る。
願から遡行調査すると、先ず、クロス消去低減のため
に、非晶質状態における吸収率Ａａと結晶状態における
吸収率Ａｃとの割合を改善する出願として、特開平１−
１４９２３８号公報，特開平７−９３８０４号公報があ
る。また、線速度の適用範囲を拡大する目的の出願とし
て、近年では、特開平８−１５６４２３号公報があり、
消去率、特にオーバーライト後のジッタ特性の向上を目
指す出願として、特開平９−６３１１９号公報がある。
最近では、「記録中ベリファイ動作」が可能な構成を提
示する出願として、特開平９−７３６６０号公報があ
る。
【０００３】また、本発明の光学情報記録媒体に関連す
る学術論文としては、以下に記載するものがあった。 筆者：森下 直樹 中村直正 鈴木克己 刊行物の題名：第５回相変化記録研究会 シンポジウム
予稿集 発行年月日：１９９３年１１月２５日 該当個所・図面；９４ページ，Ｆｉｇ．１
る学術論文としては、以下に記載するものがあった。 筆者：森下 直樹 中村直正 鈴木克己 刊行物の題名：第５回相変化記録研究会 シンポジウム
予稿集 発行年月日：１９９３年１１月２５日 該当個所・図面；９４ページ，Ｆｉｇ．１
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の技術
では、高密度化のためにトラックピッチを狭めていく
と、情報の記録を行った際に、隣接トラックの情報を消
去してしまうという問題、いわゆるクロス消去の問題が
深刻であった。クロス消去低減のためには非晶質状態に
おける吸収率Ａａを結晶状態における吸収率Ａｃより低
くすることが有効である。
では、高密度化のためにトラックピッチを狭めていく
と、情報の記録を行った際に、隣接トラックの情報を消
去してしまうという問題、いわゆるクロス消去の問題が
深刻であった。クロス消去低減のためには非晶質状態に
おける吸収率Ａａを結晶状態における吸収率Ａｃより低
くすることが有効である。
【０００５】従来の相変化光ディスクでは、一般にＡａ
がＡｃより高くなっているが、ＡａをＡｃより低くする
技術としては、上記した特開平１−１４９２３８号公
報、特開平７−９３８０４号公報、第５回相変化記録研
究会シンポジウム予稿集９２−９４ページ記載の技術な
どが知られている。これらの発明はクロス消去特性の改
善を目的としてＡａを低くしたものではなく、マークエ
ッジ記録時のオーバライト特性改善を目的としてＡｃを
Ａａより高くしたものであるが、結果的に、ＡａがＡｃ
より低くなっているのでクロス消去低減に有効な技術と
なっている。
がＡｃより高くなっているが、ＡａをＡｃより低くする
技術としては、上記した特開平１−１４９２３８号公
報、特開平７−９３８０４号公報、第５回相変化記録研
究会シンポジウム予稿集９２−９４ページ記載の技術な
どが知られている。これらの発明はクロス消去特性の改
善を目的としてＡａを低くしたものではなく、マークエ
ッジ記録時のオーバライト特性改善を目的としてＡｃを
Ａａより高くしたものであるが、結果的に、ＡａがＡｃ
より低くなっているのでクロス消去低減に有効な技術と
なっている。
【０００６】しかしながら、これら従来の技術は以下の
ような問題点を有している。第１の問題点は、トラック
ピッチを狭めることができないことである。上記問題点
が生じる理由は、情報の書き換えを行う際に、隣接トラ
ックに記録されているデータを消去してしまうクロス消
去が生じてしまうためである。また、従来の技術の第２
の問題点は、クロス消去の抑制が可能な従来の相変化光
ディスクでは、情報の書き換え可能回数が低線速下では
特に大幅に制限されていることである。
ような問題点を有している。第１の問題点は、トラック
ピッチを狭めることができないことである。上記問題点
が生じる理由は、情報の書き換えを行う際に、隣接トラ
ックに記録されているデータを消去してしまうクロス消
去が生じてしまうためである。また、従来の技術の第２
の問題点は、クロス消去の抑制が可能な従来の相変化光
ディスクでは、情報の書き換え可能回数が低線速下では
特に大幅に制限されていることである。
【０００７】上記第２の問題点が生じる理由は、クロス
消去の抑制が可能な従来の相変化光ディスクでは熱負荷
が高くなる構成を取っているためである。例えば、第５
回相変化記録研究会シンポジウム予稿集の９４ページ，
Ｆｉｇ．１が開示する例では、反射層らしき構造体とし
て、基板直上に、「吸収性のある半透明金属層」と称す
る層を設けているが、この層は、極薄の金薄膜であるが
故に、情報の記録時に反射層がレーザ光を吸収し、昇温
するため、反射層直下の基板に熱負荷がかかり、情報の
繰り返し書き換え回数が限られるという問題を生じてい
た。また、基板と上記「吸収性のある半透明金属層」間
には、伝熱防止用の緩衝体として作用する層が設けられ
ていないので、この点からも、反射層の昇温に伴う基板
の熱変形を抑制し、繰り返し特性を向上させる課題は達
成できていない。
消去の抑制が可能な従来の相変化光ディスクでは熱負荷
が高くなる構成を取っているためである。例えば、第５
回相変化記録研究会シンポジウム予稿集の９４ページ，
Ｆｉｇ．１が開示する例では、反射層らしき構造体とし
て、基板直上に、「吸収性のある半透明金属層」と称す
る層を設けているが、この層は、極薄の金薄膜であるが
故に、情報の記録時に反射層がレーザ光を吸収し、昇温
するため、反射層直下の基板に熱負荷がかかり、情報の
繰り返し書き換え回数が限られるという問題を生じてい
た。また、基板と上記「吸収性のある半透明金属層」間
には、伝熱防止用の緩衝体として作用する層が設けられ
ていないので、この点からも、反射層の昇温に伴う基板
の熱変形を抑制し、繰り返し特性を向上させる課題は達
成できていない。
【０００８】図１３は、上記予稿集の９４ページ，Ｆｉ
ｇ． 1に開示されている図である。図１３が示す構造に
おいては、ディスク１３０は、ポリカ−ボネ−ト（Ｐｏ
ｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）の基板１３１上に直接Ａｕ層
１３２が置かれ、次に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 層１３３、Ｇ
ｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 層１３４、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 層層１３
５、Ａｌ合金層１３６、ＵＶ樹脂層１３７が、順に積層
されている。反射層の役割を果たすと推定されるＡｕ層
１３２については１４ｎｍと極薄になっている。
ｇ． 1に開示されている図である。図１３が示す構造に
おいては、ディスク１３０は、ポリカ−ボネ−ト（Ｐｏ
ｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）の基板１３１上に直接Ａｕ層
１３２が置かれ、次に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 層１３３、Ｇ
ｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 層１３４、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 層層１３
５、Ａｌ合金層１３６、ＵＶ樹脂層１３７が、順に積層
されている。反射層の役割を果たすと推定されるＡｕ層
１３２については１４ｎｍと極薄になっている。
【０００９】また、特開平１−１４９２３８号公報では
反射層として極薄膜の金属を用いているため、放熱性が
悪く、熱負荷が高いので、特に線速８ｍ／ｓ以下の低線
速下では、繰り返し書き換え回数が制限されるという問
題を生じていた。また、特開平７−９３８０４号公報で
は繰り返し特性は確保できるものの、短波長光源使用時
にはＡａをＡｃより大幅に低下させることができないと
いう問題が生じていた。
反射層として極薄膜の金属を用いているため、放熱性が
悪く、熱負荷が高いので、特に線速８ｍ／ｓ以下の低線
速下では、繰り返し書き換え回数が制限されるという問
題を生じていた。また、特開平７−９３８０４号公報で
は繰り返し特性は確保できるものの、短波長光源使用時
にはＡａをＡｃより大幅に低下させることができないと
いう問題が生じていた。
【００１０】その他、近年に出願された特開平８−１５
６４２３号公報と特開平９−６３１１９号公報について
吟味してみても、下記の点で、本発明の技術が開示する
記録媒体の構造とは異なっている。図１１は、特開平８
−１５６４２３号公報が開示する光ディスクの構造であ
る。
６４２３号公報と特開平９−６３１１９号公報について
吟味してみても、下記の点で、本発明の技術が開示する
記録媒体の構造とは異なっている。図１１は、特開平８
−１５６４２３号公報が開示する光ディスクの構造であ
る。
【００１１】図１１に示すように、この光ディスク１１
１は、光透過性基板１１２上に、第１の保護層１１３、
記録層１１４、第２の保護層１１５、反射層１１６、Ｕ
Ｖ硬化樹脂保護層１１７がこの順に積層されている。こ
の構造においては、反射層１１６が唯一の反射層となっ
ている。図１２は、特開平９−７３６６０号公報が開示
する光学的記録媒体の構造である。
１は、光透過性基板１１２上に、第１の保護層１１３、
記録層１１４、第２の保護層１１５、反射層１１６、Ｕ
Ｖ硬化樹脂保護層１１７がこの順に積層されている。こ
の構造においては、反射層１１６が唯一の反射層となっ
ている。図１２は、特開平９−７３６６０号公報が開示
する光学的記録媒体の構造である。
【００１２】図１２に示すように、この光学的記録媒体
１２０は、透明基板１２２上に、第一保護膜１２３、記
録膜１２４、第二保護膜１２５、反射膜１２６、紫外線
硬化樹脂１２７がこの順に積層されている。この構造に
おいても、反射層らしきものは反射膜１２６のただ一つ
である。また、特開平９−６３１１９号公報について
は、図は全く開示されていないが、明細書の記述によれ
ば、やはり反射層は只一つであり、同公報はその材質を
特定しているに過ぎない。
１２０は、透明基板１２２上に、第一保護膜１２３、記
録膜１２４、第二保護膜１２５、反射膜１２６、紫外線
硬化樹脂１２７がこの順に積層されている。この構造に
おいても、反射層らしきものは反射膜１２６のただ一つ
である。また、特開平９−６３１１９号公報について
は、図は全く開示されていないが、明細書の記述によれ
ば、やはり反射層は只一つであり、同公報はその材質を
特定しているに過ぎない。
【００１３】それ故、これらの出願で開示された技術に
おいても、上記の問題点は構造的には解決されていな
い。本発明は、以上のような従来のディスク装置技術に
おける問題点に鑑みてなされたものであり、よって、本
発明の第１の目的は、クロス消去が少なく、かつ、繰り
返し特性に優れた相変化光ディスクを提供することにあ
る。
おいても、上記の問題点は構造的には解決されていな
い。本発明は、以上のような従来のディスク装置技術に
おける問題点に鑑みてなされたものであり、よって、本
発明の第１の目的は、クロス消去が少なく、かつ、繰り
返し特性に優れた相変化光ディスクを提供することにあ
る。
【００１４】また、本発明の第２の目的は、高密度化を
達成しても、なおかつ、性能特性と信頼性の面で、従来
より優れた相変化光ディスクを提供することにある。
達成しても、なおかつ、性能特性と信頼性の面で、従来
より優れた相変化光ディスクを提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の態様によれば、基板上に誘電体層、下部反
射層、誘電体層、記録層、誘電体層、上部反射層を順に
積層したこと、を特徴とする相変化光ディスクが提供さ
れる。前記前記相変化光ディスクの上部反射層として
は、Ａｕ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ｃｒから選ばれた少なく
とも１種の金属又はそれらの合金を用いることが可能で
ある。
に、本発明の態様によれば、基板上に誘電体層、下部反
射層、誘電体層、記録層、誘電体層、上部反射層を順に
積層したこと、を特徴とする相変化光ディスクが提供さ
れる。前記前記相変化光ディスクの上部反射層として
は、Ａｕ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ｃｒから選ばれた少なく
とも１種の金属又はそれらの合金を用いることが可能で
ある。
【００１６】また、前記の相変化光ディスクの上部反射
層の膜厚を４０ｎｍ以上３００ｎｍ以下とすることが可
能である。前記相変化光ディスクの下部反射層としては
ＳｉあるいはＧｅを用いることが可能である。また、前
記の相変化光ディスクの下部反射層の膜厚を１０ｎｍ以
上１２０ｎｍ以下とすることも可能である。
層の膜厚を４０ｎｍ以上３００ｎｍ以下とすることが可
能である。前記相変化光ディスクの下部反射層としては
ＳｉあるいはＧｅを用いることが可能である。また、前
記の相変化光ディスクの下部反射層の膜厚を１０ｎｍ以
上１２０ｎｍ以下とすることも可能である。
【００１７】さらに、前記相変化光ディスクの下部反射
層としては、上記の他に、Ａｕ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ｃ
ｒから選ばれた少なくとも１種の金属又はそれらの合金
を用いることも可能である。さらに、前記相変化光ディ
スクの下部反射層の膜厚としては、上記の他に１０ｎｍ
以上３０ｎｍ以下とする仕様も可能である。
層としては、上記の他に、Ａｕ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ｃ
ｒから選ばれた少なくとも１種の金属又はそれらの合金
を用いることも可能である。さらに、前記相変化光ディ
スクの下部反射層の膜厚としては、上記の他に１０ｎｍ
以上３０ｎｍ以下とする仕様も可能である。
【００１８】そして、前記相変化光ディスクにおいて
は、非晶質状態における記録層の吸収率が結晶状態にお
ける記録層の吸収率より低くなるように設定することも
できる。本発明の相変化光ディスクの作用を述べると、
先ず、クロス消去を抑制するには、非晶質部の吸収率を
低くすることが効果的であることに着目した。それ故、
下部反射層としてＳｉあるいはＧｅ等の透過率の高い材
料あるいは膜厚１０−３０ｎｍの極薄金属を用いること
により、非晶質部の反射率を高めて、非晶質部の吸収率
を低くすることを可能としている。
は、非晶質状態における記録層の吸収率が結晶状態にお
ける記録層の吸収率より低くなるように設定することも
できる。本発明の相変化光ディスクの作用を述べると、
先ず、クロス消去を抑制するには、非晶質部の吸収率を
低くすることが効果的であることに着目した。それ故、
下部反射層としてＳｉあるいはＧｅ等の透過率の高い材
料あるいは膜厚１０−３０ｎｍの極薄金属を用いること
により、非晶質部の反射率を高めて、非晶質部の吸収率
を低くすることを可能としている。
【００１９】なお、下部反射層も光を吸収するので、情
報の記録時には下部反射層の温度が上昇する。下部反射
層と基板の間に伝熱防止層として誘電体層を設けること
により、基板への熱負荷を低減し、繰り返し特性を向上
させることができる。
報の記録時には下部反射層の温度が上昇する。下部反射
層と基板の間に伝熱防止層として誘電体層を設けること
により、基板への熱負荷を低減し、繰り返し特性を向上
させることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の相変化光ディスク
の実施の形態について、図１〜図１０を参照して説明す
る。図１は、本発明の第１の実施形態に係る相変化光デ
ィスクの構成図である。図１が示す実施形態において
は、記録媒体１０は、基板１上に、第一誘電体層２、下
部反射層３、第二誘電体層４、記録層５、第三誘電体層
６、上部反射層７を、順に積層した構成を取る。
の実施の形態について、図１〜図１０を参照して説明す
る。図１は、本発明の第１の実施形態に係る相変化光デ
ィスクの構成図である。図１が示す実施形態において
は、記録媒体１０は、基板１上に、第一誘電体層２、下
部反射層３、第二誘電体層４、記録層５、第三誘電体層
６、上部反射層７を、順に積層した構成を取る。
【００２１】第一誘電体層２は、記録時の下部反射層３
の昇温による基板１の熱変形を抑制する。下部反射層３
は、記録層５が非晶質状態にある時の反射率を高め、非
晶質状態にある時の吸収率を結晶状態にある時の吸収率
より低くして、クロス消去を抑制する働きをしている。
の昇温による基板１の熱変形を抑制する。下部反射層３
は、記録層５が非晶質状態にある時の反射率を高め、非
晶質状態にある時の吸収率を結晶状態にある時の吸収率
より低くして、クロス消去を抑制する働きをしている。
【００２２】下部反射層３としては、屈折率が大きく、
消衰係数が小さい材料あるいは金属材料を用いることが
できる。記録層５が結晶状態にある時の吸収率を確保す
るために、下部反射層３の膜厚は、屈折率が大きく、消
衰係数が小さい材料の場合には１０ｎｍ以上１２０ｎｍ
以下とし、金属材料の場合には１０ｎｍ以上３０ｎｍ以
下とすることが望ましい。
消衰係数が小さい材料あるいは金属材料を用いることが
できる。記録層５が結晶状態にある時の吸収率を確保す
るために、下部反射層３の膜厚は、屈折率が大きく、消
衰係数が小さい材料の場合には１０ｎｍ以上１２０ｎｍ
以下とし、金属材料の場合には１０ｎｍ以上３０ｎｍ以
下とすることが望ましい。
【００２３】結晶状態にある時の記録層の吸収率が低下
しすぎると、レーザ光を使って記録することができなく
なるからである。記録層５はレーザ光の照射により反射
率が可逆的に変化する相変化材料である。上部反射層７
としては、放熱性を高め繰り返し特性を向上させるため
に金属材料を用いる。
しすぎると、レーザ光を使って記録することができなく
なるからである。記録層５はレーザ光の照射により反射
率が可逆的に変化する相変化材料である。上部反射層７
としては、放熱性を高め繰り返し特性を向上させるため
に金属材料を用いる。
【００２４】上部反射層７の膜厚としては、繰り返し特
性向上及び膜質の観点から４０ｎｍ以上３００ｎｍ以下
とすることが望ましい。これは、上部反射層７の膜厚が
４０ｎｍ以下であると、十分な放熱性が得られず繰り返
し特性が劣化し、また、上部反射層７の膜厚が３００ｎ
ｍ以上になると反射層が剥離しやすくなるためである。
性向上及び膜質の観点から４０ｎｍ以上３００ｎｍ以下
とすることが望ましい。これは、上部反射層７の膜厚が
４０ｎｍ以下であると、十分な放熱性が得られず繰り返
し特性が劣化し、また、上部反射層７の膜厚が３００ｎ
ｍ以上になると反射層が剥離しやすくなるためである。
【００２５】図２は、本発明の第２の実施形態に係る相
変化光ディスクの構成図である。図２が示す実施形態に
おいては、上記の第１の実施形態における上部反射層７
の材質が特定され、Ａｕ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ｃｒから
選ばれた少なくとも１種の金属又はそれらの合金を用い
る。図３は、本発明の第３の実施形態に係る相変化光デ
ィスクの構成図である。
変化光ディスクの構成図である。図２が示す実施形態に
おいては、上記の第１の実施形態における上部反射層７
の材質が特定され、Ａｕ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ｃｒから
選ばれた少なくとも１種の金属又はそれらの合金を用い
る。図３は、本発明の第３の実施形態に係る相変化光デ
ィスクの構成図である。
【００２６】図３が示す実施形態においては、上記の第
１又は第２の実施形態における上部反射層７の膜厚が特
定され、４０ｎｍ以上３００ｎｍ以下となっている。図
４は、本発明の第４の実施形態に係る相変化光ディスク
の構成図である。図４が示す実施形態においては、上記
の第１〜第３のいずれかの実施形態における下部反射層
３の材質が特定され、ＳｉあるいはＧｅを使用する。
１又は第２の実施形態における上部反射層７の膜厚が特
定され、４０ｎｍ以上３００ｎｍ以下となっている。図
４は、本発明の第４の実施形態に係る相変化光ディスク
の構成図である。図４が示す実施形態においては、上記
の第１〜第３のいずれかの実施形態における下部反射層
３の材質が特定され、ＳｉあるいはＧｅを使用する。
【００２７】図５は、本発明の第５の実施形態に係る相
変化光ディスクの構成図である。図５が示す実施形態に
おいては、上記の第１〜第４のいずれかの実施形態にお
ける下部反射層３の膜厚が特定され、１０ｎｍ以上１２
０ｎｍ以下に設定されている。図６は、本発明の第６の
実施形態に係る相変化光ディスクの構成図である。
変化光ディスクの構成図である。図５が示す実施形態に
おいては、上記の第１〜第４のいずれかの実施形態にお
ける下部反射層３の膜厚が特定され、１０ｎｍ以上１２
０ｎｍ以下に設定されている。図６は、本発明の第６の
実施形態に係る相変化光ディスクの構成図である。
【００２８】図６が示す実施形態においても、上記の第
１〜第３のいずれかの実施形態における下部反射層３の
材質が特定され、Ａｕ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ｃｒから選
ばれた少なくとも１種の金属又はそれらの合金を用い
る。図７は、本発明の第７の実施形態に係る相変化光デ
ィスクの構成図である。図７が示す実施形態において
は、上記の第１，第２，第３又は第６の実施形態におけ
る下部反射層３の膜厚が特定され、１０ｎｍ以上３０ｎ
ｍ以下となっている。
１〜第３のいずれかの実施形態における下部反射層３の
材質が特定され、Ａｕ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ｃｒから選
ばれた少なくとも１種の金属又はそれらの合金を用い
る。図７は、本発明の第７の実施形態に係る相変化光デ
ィスクの構成図である。図７が示す実施形態において
は、上記の第１，第２，第３又は第６の実施形態におけ
る下部反射層３の膜厚が特定され、１０ｎｍ以上３０ｎ
ｍ以下となっている。
【００２９】次に、本発明の相変化光ディスクの特性に
ついて、図８〜図１０を参照して説明する。図８は、本
発明の相変化光ディスクによって、記録を行った際の温
度上昇を示す説明図である。情報の記録を行う際、記録
層５の温度は、図８のグラフ部分に示すような分布を持
つ。
ついて、図８〜図１０を参照して説明する。図８は、本
発明の相変化光ディスクによって、記録を行った際の温
度上昇を示す説明図である。情報の記録を行う際、記録
層５の温度は、図８のグラフ部分に示すような分布を持
つ。
【００３０】この時、隣接トラックに記録されているデ
ータ（非晶質マーク）が消去されないためには、図８に
示したマーク端８での温度が、記録層の結晶化温度以下
となる必要がある。マーク端８の温度上昇量は、非晶質
状態における吸収率Aaに比例する。本発明の相変化光デ
ィスクでは、下部反射層２により、非晶質状態の反射率
を高めてＡａを低くしているので、マーク端８の温度上
昇量を従来技術より小さくすることができ、クロス消去
を抑制することができる。
ータ（非晶質マーク）が消去されないためには、図８に
示したマーク端８での温度が、記録層の結晶化温度以下
となる必要がある。マーク端８の温度上昇量は、非晶質
状態における吸収率Aaに比例する。本発明の相変化光デ
ィスクでは、下部反射層２により、非晶質状態の反射率
を高めてＡａを低くしているので、マーク端８の温度上
昇量を従来技術より小さくすることができ、クロス消去
を抑制することができる。
【００３１】次に、下記の実施形態に関して、本発明の
相変化光ディスクの構成と動作を述べる。最初に、基板
１としてポリカーボネートを用い、第一誘電体層２とし
てＺｎＳ−ＳｉＯ2 を１４０ｎｍ、下部反射層３として
Ｓｉを４０ｎｍ、第二誘電体層４としてＺｎＳ−ＳｉＯ
2 を１４０ｎｍ、記録層５としてＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 を
１５ｎｍ、第三誘電体層６としてＺｎＳ−ＳｉＯ2 を２
０ｎｍ、反射層７としてＡｌを１００ｎｍ、順次スパッ
タリングにより積層することにより得た実施形態につい
て述べる。
相変化光ディスクの構成と動作を述べる。最初に、基板
１としてポリカーボネートを用い、第一誘電体層２とし
てＺｎＳ−ＳｉＯ2 を１４０ｎｍ、下部反射層３として
Ｓｉを４０ｎｍ、第二誘電体層４としてＺｎＳ−ＳｉＯ
2 を１４０ｎｍ、記録層５としてＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 を
１５ｎｍ、第三誘電体層６としてＺｎＳ−ＳｉＯ2 を２
０ｎｍ、反射層７としてＡｌを１００ｎｍ、順次スパッ
タリングにより積層することにより得た実施形態につい
て述べる。
【００３２】図９は、上記の相変化光ディスクの基板の
形状を示す外観図である。図９に示すように、ポリカー
ボネート基板上に形成された案内溝のピッチ（トラック
ピッチ）は１．１μｍとした。上記相変化光ディスクに
おいて、結晶状態における吸収率Ａｃは６０％、非晶質
状態における吸収率Ａａは４５％とした。ディスクを線
速５ｍ／ｓで回転させ、波長６６０ｎｍ、対物レンズの
開口数０．６の光ヘッドを用いて測定を行った。
形状を示す外観図である。図９に示すように、ポリカー
ボネート基板上に形成された案内溝のピッチ（トラック
ピッチ）は１．１μｍとした。上記相変化光ディスクに
おいて、結晶状態における吸収率Ａｃは６０％、非晶質
状態における吸収率Ａａは４５％とした。ディスクを線
速５ｍ／ｓで回転させ、波長６６０ｎｍ、対物レンズの
開口数０．６の光ヘッドを用いて測定を行った。
【００３３】まず、ランド部に、１ＭＨｚ、ｄｕｔｙ比
＝５０％の信号を記録した後、隣接する両側グルーブ部
に１．５ＭＨｚ、ｄｕｔｙ比＝５０％の信号を繰り返し
記録して、１ＭＨｚ信号のキャリアの変化を測定した。
図１０は、上記の相変化光ディスクのクロス消去特性を
示すグラフである。図１０から明らかなように、隣接グ
ルーブ部で情報の書き換えを繰り返し行っても、１ＭＨ
ｚの信号はまったく影響を受けない。
＝５０％の信号を記録した後、隣接する両側グルーブ部
に１．５ＭＨｚ、ｄｕｔｙ比＝５０％の信号を繰り返し
記録して、１ＭＨｚ信号のキャリアの変化を測定した。
図１０は、上記の相変化光ディスクのクロス消去特性を
示すグラフである。図１０から明らかなように、隣接グ
ルーブ部で情報の書き換えを繰り返し行っても、１ＭＨ
ｚの信号はまったく影響を受けない。
【００３４】なお、図１０には、隣接するトラックに情
報を記録していない状態で測定した１ＭＨｚ信号のキャ
リアＣｉと、隣接トラックで１．５ＭＨｚの信号を所定
回数繰り返し記録した後測定した１ＭＨｚ信号のキャリ
アＣｌとの差（Ｃｉ−Ｃｌ）を示した。上記の相変化光
ディスクを用いて、１ＭＨｚ、ｄｕｔｙ比＝５０％の信
号を、繰り返し記録したところ、５０万回の繰り返しま
で、1 MHz 信号のキャリアやノイズの変化は見られなか
った。
報を記録していない状態で測定した１ＭＨｚ信号のキャ
リアＣｉと、隣接トラックで１．５ＭＨｚの信号を所定
回数繰り返し記録した後測定した１ＭＨｚ信号のキャリ
アＣｌとの差（Ｃｉ−Ｃｌ）を示した。上記の相変化光
ディスクを用いて、１ＭＨｚ、ｄｕｔｙ比＝５０％の信
号を、繰り返し記録したところ、５０万回の繰り返しま
で、1 MHz 信号のキャリアやノイズの変化は見られなか
った。
【００３５】次に、基板１としてポリカーボネートを用
い、誘電体層２としてＺｎＳ−ＳｉＯ2 を１４０ｎｍ、
下部反射層３としてＡｌを１０ｎｍ、誘電体層４として
ＺｎＳ−ＳｉＯ2 を１４０ｎｍ、記録層５としてＧｅ2
Ｓｂ2 Ｔｅ5 を１５ｎｍ、誘電体層６としてＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2 を２０ｎｍ、反射層７としてＡｌを１００ｎｍ、
順次スパッタリングにより積層して得られた実施形態に
ついて述べる。
い、誘電体層２としてＺｎＳ−ＳｉＯ2 を１４０ｎｍ、
下部反射層３としてＡｌを１０ｎｍ、誘電体層４として
ＺｎＳ−ＳｉＯ2 を１４０ｎｍ、記録層５としてＧｅ2
Ｓｂ2 Ｔｅ5 を１５ｎｍ、誘電体層６としてＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2 を２０ｎｍ、反射層７としてＡｌを１００ｎｍ、
順次スパッタリングにより積層して得られた実施形態に
ついて述べる。
【００３６】トラックピッチは前記実施形態と同様に
１．１μｍとした。結晶状態における吸収率Ａｃは７０
％、非晶質状態における吸収率Ａａは４５％とした。上
記の相変化光ディスクを線速５ｍ／ｓで回転させ、波長
６６０ｎｍ、対物レンズの開口数０．６の光ヘッドを用
いて測定を行った。前記実施形態と同様に、まずランド
部に１ＭＨｚ、ｄｕｔｙ比＝５０％の信号を記録した
後、隣接する両側グルーブ部に１．５ＭＨｚ、ｄｕｔｙ
比＝５０％の信号を繰り返し記録して、１ＭＨｚ信号の
キャリアの変化を測定した。
１．１μｍとした。結晶状態における吸収率Ａｃは７０
％、非晶質状態における吸収率Ａａは４５％とした。上
記の相変化光ディスクを線速５ｍ／ｓで回転させ、波長
６６０ｎｍ、対物レンズの開口数０．６の光ヘッドを用
いて測定を行った。前記実施形態と同様に、まずランド
部に１ＭＨｚ、ｄｕｔｙ比＝５０％の信号を記録した
後、隣接する両側グルーブ部に１．５ＭＨｚ、ｄｕｔｙ
比＝５０％の信号を繰り返し記録して、１ＭＨｚ信号の
キャリアの変化を測定した。
【００３７】この場合も、１ＭＨｚの信号はまったく影
響を受けなかった。この相変化光ディスクを用いて、１
ＭＨｚ、ｄｕｔｙ比＝５０％の信号を繰り返し記録した
ところ、５０万回までキャリアやノイズの変化は見られ
なかった。下部反射層３としては、上記実施形態以外
に、ＧｅあるいはＡｕ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ｃｒ又はそ
れらの合金を用いることもできる。また、上部反射層７
として、上記実施形態以外に、Ａｕ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ｃｒ
又はそれらの合金、もしくは、Ａｌとそれらの合金を用
いることもできる。
響を受けなかった。この相変化光ディスクを用いて、１
ＭＨｚ、ｄｕｔｙ比＝５０％の信号を繰り返し記録した
ところ、５０万回までキャリアやノイズの変化は見られ
なかった。下部反射層３としては、上記実施形態以外
に、ＧｅあるいはＡｕ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ｃｒ又はそ
れらの合金を用いることもできる。また、上部反射層７
として、上記実施形態以外に、Ａｕ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ｃｒ
又はそれらの合金、もしくは、Ａｌとそれらの合金を用
いることもできる。
【００３８】
【発明の効果】本発明による相変化光ディスクの第１の
効果は、トラックピッチを狭めて記録密度を改善できる
ことである。その理由は、クロス消去を抑制することが
できるからである。本発明による相変化光ディスクの第
２の効果は、再生レーザ光が変動し、高パワーになって
もデータが消去されることを防ぐことができ、かつ、将
来、レーザ光源がさらに短波長化された際に、再生レー
ザ光によりデータが消去されることを防ぐことができ
る。
効果は、トラックピッチを狭めて記録密度を改善できる
ことである。その理由は、クロス消去を抑制することが
できるからである。本発明による相変化光ディスクの第
２の効果は、再生レーザ光が変動し、高パワーになって
もデータが消去されることを防ぐことができ、かつ、将
来、レーザ光源がさらに短波長化された際に、再生レー
ザ光によりデータが消去されることを防ぐことができ
る。
【００３９】その理由は、非晶質状態の吸収率を低くし
ているからである。
ているからである。
【図１】本発明の第１の実施形態に係る相変化光ディス
クの構成図である。
クの構成図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る相変化光ディス
クの構成図である。
クの構成図である。
【図３】本発明の第３の実施形態に係る相変化光ディス
クの構成図である。
クの構成図である。
【図４】本発明の第４の実施形態に係る相変化光ディス
クの構成図である。
クの構成図である。
【図５】本発明の第５の実施形態に係る相変化光ディス
クの構成図である。
クの構成図である。
【図６】本発明の第６の実施形態に係る相変化光ディス
クの構成図である。
クの構成図である。
【図７】本発明の第７の実施形態に係る相変化光ディス
クの構成図である。
クの構成図である。
【図８】本発明の相変化光ディスクによって、記録を行
った際の温度上昇を示す説明図である。
った際の温度上昇を示す説明図である。
【図９】相変化光ディスクの基板の形状を示す外観図で
ある。
ある。
【図１０】相変化光ディスクのクロス消去特性を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図１１】特開平８−１５６４２３号公報が開示する光
ディスクの構造である。
ディスクの構造である。
【図１２】特開平９−７３６６０号公報が開示する光学
的記録媒体の構造である。
的記録媒体の構造である。
【図１３】第５回相変化記録研究会シンポジウム予稿集
の９４ページ，Ｆｉｇ．１に開示された図である。
の９４ページ，Ｆｉｇ．１に開示された図である。
１ 基板 ２ 第一誘電体層 ３ 下部反射層 ４ 第二誘電体層 ５ 記録層 ６ 第三誘電体層 ７ 上部反射層 ８ マーク端 １０ 記録媒体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−242531（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−273198（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−255324（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−134416（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−93804（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−149238（ＪＰ，Ａ) 第５回相変化記録研究会シンポジウム 予稿集，1993年11月25日発行，第92〜97 頁 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 7/24
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上に誘電体層、下部反射層、誘電体
層、記録層、誘電体層、上部反射層をこの順に積層し、
非晶質状態における記録層の吸収率が結晶状態における
記録層の吸収率より低いこと、 を特徴とする相変化光ディスク。 - 【請求項２】 上部反射層として、Ａｕ，Ａｌ，Ｔｉ，
Ｃｕ，Ｃｒから選ばれた少なくとも１種の金属又はそれ
らの合金を用いること、 を特徴とする請求項１記載の相変化光ディスク。 - 【請求項３】 上部反射層の膜厚を４０ｎｍ以上３００
ｎｍ以下とすること、を特徴とする請求項１又は２記載
の相変化光ディスク。 - 【請求項４】 下部反射層として Si あるいは Ge を用
いること、 を特徴とする請求項１，２又は３記載の相変化光ディス
ク。 - 【請求項５】 下部反射層の膜厚を１０ｎｍ以上１２０
ｎｍ以下とすること、 を特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の相変
化光ディスク。 - 【請求項６】 下部反射層として、Ａｕ，Ａｌ，Ｔｉ，
Ｃｕ，Ｃｒから選ばれた少なくとも１種の金属又はそれ
らの合金を用いること、 を特徴とする請求項１，２又は３記載の相変化光ディス
ク。 - 【請求項７】 下部反射層の膜厚を１０ｎｍ以上３０ｎ
ｍ以下とすること、 を特徴とする請求項１，２，３又は６記載の相変化光デ
ィスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09298477A JP3130847B2 (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | 光学情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09298477A JP3130847B2 (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | 光学情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11134713A JPH11134713A (ja) | 1999-05-21 |
| JP3130847B2 true JP3130847B2 (ja) | 2001-01-31 |
Family
ID=17860213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09298477A Expired - Fee Related JP3130847B2 (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | 光学情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3130847B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100338756B1 (ko) * | 1999-07-20 | 2002-05-30 | 윤종용 | 상변화 광디스크 |
| KR20020003727A (ko) * | 2000-07-01 | 2002-01-15 | 구자홍 | 상변화형 광 디스크 |
| JP4106417B2 (ja) | 2002-05-16 | 2008-06-25 | 三星電子株式会社 | 高融点の記録層を有する記録媒体及びその記録媒体の情報記録方法、及びその記録媒体から情報を再生する情報再生装置及び情報再生方法 |
| KR101319908B1 (ko) * | 2011-02-16 | 2013-10-18 | 한국과학기술원 | 고 굴절률 메타물질 |
-
1997
- 1997-10-30 JP JP09298477A patent/JP3130847B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 第５回相変化記録研究会シンポジウム予稿集，１９９３年１１月２５日発行，第９２〜９７頁 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11134713A (ja) | 1999-05-21 |
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