JPH10317169A - 被加工物のエッチング方法とその装置 - Google Patents
被加工物のエッチング方法とその装置Info
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- JPH10317169A JPH10317169A JP10128453A JP12845398A JPH10317169A JP H10317169 A JPH10317169 A JP H10317169A JP 10128453 A JP10128453 A JP 10128453A JP 12845398 A JP12845398 A JP 12845398A JP H10317169 A JPH10317169 A JP H10317169A
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- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
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Abstract
ングを行っていたのを、連続的に供給してエッチングを
行いエッチング工程の効率を向上せしめる。 【解決手段】 XeF2供給部12は、XeF2結晶17
a用のトレイやアンプル17を含むXeF2源室16
と、弁19を介してタンク18と、タンク18によって
供給される流量制御器13と、タンク18と流量制御器
13の間の弁20とから成る。圧力源21,22は、そ
れぞれ、タンク18とXeF2源室16をXeF2の昇華
圧力に維持するために与えられる。この装置はエッチン
グ室へXeF2の安定した供給を可能にする。
Description
(XeF2)を使用して被加工物をエッチングするため
の方法と装置に関する。
エッチング剤であって、低温でシリコンに対して温和な
エッチングをもたらす。二フッ化キセノンは、通常、分
解せずに昇華する無色結晶の形で供給される。XeF2
に対する昇華圧力は約4トールである。
現在の試みは本質的に実験的なものであり、各エッチン
グ段階の間にエッチング室をポンプで減圧し、エッチン
グの停止と始動が必要なXeF2の脈動的供給が行われ
ている。このような装置は生産工程に対して実用的でな
い。直接的な流れ工程の試みはこれまで成功していな
い。
F2を使用して被加工物をエッチングする方法であっ
て、被加工物を包含しかつ被加工物をエッチングするエ
ッチング室へ所望の流速でガスを供給し、前もって定め
られるエッチング時間の間、前もって定められる流速で
XeF2ガスをもたらすべく十分な容積のタンク内へ固
体相のXeF2をガス状態へ昇華せしめることから成
る。
先行して不活性担体ガスと混合する。とくに好ましく、
XeF2源は、XeF2がタンクから外へ流れる間、昇華
し続ける。付加的または代替的に、タンクは分離した被
加工物のエッチングの間に再充填される。
と、XeF2源と、タンクと、XeF2源をタンクへ接続
してXeF2源をXeF2ガスへ昇華可能にするための弁
手段と、エッチング室に流れを供給するための流量制御
器と、タンクを流量制御器へ接続するための弁手段とか
ら成る、被加工物をエッチングするための装置である。
好ましく、装置は、タンクから外への流れがない時、タ
ンクをほぼXeF2の昇華圧力に維持するための圧力制
御手段を含む。工程室内への導入に先行してXeF2ガ
スを不活性担体ガスと混合するための手段を準備する。
とくに好ましく、流量制御器は圧力に基づく流量制御器
である。
かつ好ましくは、タンクはXeF2室の容積の約3倍の
容積を有する。
または以下の説明の特徴のいかなる発明上の組み合わせ
をも含むことが理解される。
的にエッチング装置の略図である添付図面を参照して説
明する。
と、XeF2供給部12と、流量制御器13と、粗引き
ポンプ(roughing pump)14と、担体ガス供給部15と
から成る。
トレイやアンプル17を含むXeF2源室16から成
る。XeF2源室16は、交互に、弁20によって流量
制御器13へ接続される弁19を介してタンク18へ接
続される。圧力源21,22はそれぞれ、タンク18と
XeF2源室16を、XeF2の昇華圧力である約4トー
ルに維持するために与えられる。流量制御器13の下流
にある弁23は、流量制御器を弁25と26の間の供給
管24へ接続する。弁25は供給管15から供給管24
への担体ガスの流れを制御する一方、弁26は供給管2
4内でエッチング装置11のエッチング室27へのガス
供給を制御する。慣例的方法と同様、粗引きポンプ14
は、エッチング室27の下流へ接続されるが、バイパス
28を介してXeF2源室16へも接続される。配管2
9と弁30は、不純分除去(purging)の目的のために担
体ガスをこの領域へ供給可能にする。
0とともにXeF2結晶をアンプルやトレイ17内に置
く。担体ガスが室内の不純分除去のために使用され、か
つ粗引きポンプ14はXeF2源を昇華圧力へ減圧す
る。粗引きポンプと担体ガスはその後隔離され、かつ弁
19は開放されてXeF2ガスをタンク18内へ膨張ま
たは拡散させる。
弁20,23,25,26を使用するエッチング室27
内へウエハを置いて、エッチングが自発的に生じるエッ
チング室内へXeF2と担体ガスを与える。エッチング
室内の圧力は粗引きポンプ14とそれの自動圧力制御弁
14aによって制御する。場合によって(弁25が閉鎖
されたままの場合)、担体ガスは不要である。
して開閉する。光学検出器31はエッチングの完了時点
を決定するが、代わりに時間ベースを使用してもよい。
エッチングが完了すると直ちに、弁20,23,25,
26を閉鎖してウエハを取り除く。新しいウエハをエッ
チングのためエッチング室内へ導入する時までタンク1
8は再充填されるから、各ウエハは一工程で十分にエッ
チングされるだけでなく、ウエハの連続エッチングが達
成される。XeF2の連続的供給も均一性を増進し、か
つ圧力に基づく流量制御機構13の使用は、たとえば大
量の流量測定に関してかなり有利である。工程室圧力制
御はXeF2への流量制御機構から独立している点が注
目される。
Claims (9)
- 【請求項1】前もって定められるエッチ時間の間、前も
って定められる流速でガスをもたらすべく十分な容積の
タンク内へ固体のXeF2をガス状態へ昇華せしめ、同
ガスを被加工物を収容するエッチング室へ所望の流速で
供給し、被加工物をエッチングすることから成るXeF
2を使用する被加工物のエッチング方法。 - 【請求項2】 エッチング室内へのXeF2ガスの導入
に先行してそれを不活性担体ガスと混合する請求項1に
記載の方法。 - 【請求項3】 XeF2源は、タンクからXeF2が外へ
流れる間、昇華し続ける請求項1または2に記載の方
法。 - 【請求項4】 エッチングの間にタンクを再充填する、
請求項1乃至3のいずれかひとつに記載の方法。 - 【請求項5】 流速を圧力に基づいて制御する、請求項
1乃至4のいずれかひとつに記載の方法。 - 【請求項6】 エッチング室と、XeF2源と、タンク
と、XeF2源をタンクへ接続してXeF2源をXeF2
ガスへ昇華可能にするための弁手段と、エッチング室の
ガス供給の流量制御器と、タンクを流量制御器へ接続す
るための弁手段とから成る、被加工物のエッチング装
置。 - 【請求項7】 さらに、タンクから外への流れがない
時、タンクをほぼXeF2の昇華圧力に維持するための
圧力制御手段を含む、請求項6に記載の装置。 - 【請求項8】 さらに、工程内への導入に先行してXe
F2ガスを不活性担体ガスと混合するための手段から成
る請求項1に記載の方法。 - 【請求項9】 流量制御器が圧力に基づく流量制御器で
ある、請求項6乃至8のいずれかひとつに記載の方法。
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