JP2008538158A - 固体原料から試薬を送出するためのシステム - Google Patents
固体原料から試薬を送出するためのシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008538158A JP2008538158A JP2008501921A JP2008501921A JP2008538158A JP 2008538158 A JP2008538158 A JP 2008538158A JP 2008501921 A JP2008501921 A JP 2008501921A JP 2008501921 A JP2008501921 A JP 2008501921A JP 2008538158 A JP2008538158 A JP 2008538158A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid source
- container
- source material
- valve
- solid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 title claims abstract description 253
- 239000011343 solid material Substances 0.000 title claims description 18
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 619
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 474
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 206
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 73
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 42
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 33
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 228
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 218
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 61
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 58
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 43
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 43
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 42
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 39
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 36
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 36
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 35
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 33
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 33
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 31
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 29
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 29
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 27
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 26
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 claims description 25
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 24
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 20
- 239000006262 metallic foam Substances 0.000 claims description 18
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 17
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 16
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 16
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 14
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 13
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 12
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 11
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 11
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000006260 foam Substances 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 9
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 9
- BLIQUJLAJXRXSG-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-3-(trifluoromethyl)pyrrolidin-1-ium-3-carboxylate Chemical compound C1C(C(=O)O)(C(F)(F)F)CCN1CC1=CC=CC=C1 BLIQUJLAJXRXSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 6
- 230000007928 solubilization Effects 0.000 claims description 6
- 238000005063 solubilization Methods 0.000 claims description 6
- 238000005102 attenuated total reflection Methods 0.000 claims description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000013019 agitation Methods 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 claims description 4
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 4
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005909 Kieselgur Substances 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 3
- 239000011324 bead Substances 0.000 claims description 3
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 claims description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 3
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 claims description 3
- 238000004064 recycling Methods 0.000 claims description 3
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 claims description 3
- 229910000975 Carbon steel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims description 2
- 239000010962 carbon steel Substances 0.000 claims description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229910000856 hastalloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims 4
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 claims 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 2
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 claims 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 claims 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 claims 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims 1
- 230000003381 solubilizing effect Effects 0.000 claims 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 17
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 15
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 15
- 230000006870 function Effects 0.000 description 14
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 14
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 12
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 11
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 6
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 6
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 6
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 5
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 4
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 4
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 4
- 239000013529 heat transfer fluid Substances 0.000 description 4
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 4
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 4
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000011143 downstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 3
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 3
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 2
- ZDICFBIJLKDJAQ-UHFFFAOYSA-N dichloroxenon Chemical compound Cl[Xe]Cl ZDICFBIJLKDJAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 2
- 239000006261 foam material Substances 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 239000010720 hydraulic oil Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- WSWCOQWTEOXDQX-MQQKCMAXSA-M (E,E)-sorbate Chemical compound C\C=C\C=C\C([O-])=O WSWCOQWTEOXDQX-MQQKCMAXSA-M 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010027476 Metastases Diseases 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 230000000274 adsorptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- INJRKJPEYSAMPD-UHFFFAOYSA-N aluminum;silicic acid;hydrate Chemical compound O.[Al].[Al].O[Si](O)(O)O INJRKJPEYSAMPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 244000309464 bull Species 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 239000004088 foaming agent Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000003049 inorganic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910001867 inorganic solvent Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000006317 isomerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000009401 metastasis Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000012925 reference material Substances 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 238000009419 refurbishment Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000007761 roller coating Methods 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000008259 solid foam Substances 0.000 description 1
- 229940075554 sorbate Drugs 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 230000005068 transpiration Effects 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J7/00—Apparatus for generating gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/48—Ion implantation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
- B01J2219/00051—Controlling the temperature
- B01J2219/00074—Controlling the temperature by indirect heating or cooling employing heat exchange fluids
- B01J2219/00087—Controlling the temperature by indirect heating or cooling employing heat exchange fluids with heat exchange elements outside the reactor
- B01J2219/00094—Jackets
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
- B01J2219/00051—Controlling the temperature
- B01J2219/00139—Controlling the temperature using electromagnetic heating
- B01J2219/00141—Microwaves
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
- B01J2219/00051—Controlling the temperature
- B01J2219/00139—Controlling the temperature using electromagnetic heating
- B01J2219/00146—Infrared radiation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Filling Or Discharging Of Gas Storage Vessels (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Devices For Use In Laboratory Experiments (AREA)
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】固体原料物質を加熱し固体原料物質から蒸発により蒸気を発生するため、構造物であってその少なくとも一部により封じ込められている固体原料物質(30)を保持するように構成された構造物(16、22、24)、そのような蒸発のために固体原料物質を加熱するように構成された熱源(82)、およびシステムから蒸気を放出するように構成された蒸気分配アセンブリ(52、54)を備える、試薬をその固体原料から送出するためのシステム(10)が実現される。高伝導性弁(1510)は、入口および出口通路が実質的に互いに垂直であり、その内部端は完全開位置と完全閉位置との間で移動可能な選択的に位置決め可能な弁要素を含む弁室(1536)と連絡している弁本体(1512)を備える。
Description
Claims (341)
- 固体原料物質を加熱し前記固体原料物質から蒸発により蒸気を発生するため、前記固体原料物質を保持するように構成された構造物であって、該構造物の少なくとも一部により前記固体原料物質を封じ込める構造物と、
前記蒸発のために前記固体原料物質を加熱するように構成された熱源と、
システムから前記蒸気を吐き出すように構成された蒸気分配アセンブリとを備える、試薬をその固体原料から送出するためのシステム。 - 前記構造物は、囲まれた内部容積を画成する容器を含み、その中に前記固体原料物質が保持される請求項1に記載のシステム。
- 前記固体原料物質は、前記固体原料物質を圧迫するように配置された板部材により前記囲まれた内部容積内への封じ込めで保持される請求項2に記載のシステム。
- 前記板部材は、前記容器の前記囲まれた内部容積内で平行移動可能であり、前記固体原料物質が徐々に蒸発するときに前記固体原料物質への圧迫を維持するように配置される請求項3に記載のシステム。
- 前記板部材は、前記固体原料物質への圧迫を維持するようにバネ付勢される請求項4に記載のシステム。
- さらに、前記容器の前記囲まれた内部容積内に伸長可能なシャフトを備え、前記板部材をそれに結合し、前記板部材は、シャフトを伸長することで平行移動可能であり、これにより前記固体原料物質への圧迫を維持する請求項4に記載のシステム。
- 前記伸長可能シャフトは、内部通路を有し、中の加圧された流体は前記固体原料物質が徐々に蒸発するにつれシャフトを伸長する請求項6に記載のシステム。
- 前記板部材は、内部孔を有し、前記伸長可能シャフトは、前記内部孔と連絡している内部供給および吐出通路を有し、前記システムは、さらに、前記伸長可能シャフトの前記内部通路と連絡する流体流により連絡する形で結合された熱交換器を備え、前記熱交換器から前記シャフト内の前記内部供給通路を通して前記板部材の孔に熱伝達媒体を流し、前記孔から前記シャフト内の前記内部吐出通路を通して前記熱交換器に熱伝達媒体を流す請求項6に記載のシステム。
- 前記板部材は、複数の流路を中に備え、前記蒸気はそこを通って前記容器の蒸気回収領域に流れる請求項3に記載のシステム。
- 前記熱源は、前記容器と加熱する関係を有するように構成された少なくとも1つの加熱ジャケットを備える請求項2に記載のシステム。
- 前記熱源は、前記容器の別の領域と加熱する関係を有するようにそれぞれ構成された複数の加熱ジャケットを備える請求項10に記載のシステム。
- 前記容器は、取り外されたときに固体原料物質を前記容器の前記囲まれた内部容積に導入することを可能にする取り外し可能要素を備える請求項2に記載のシステム。
- 前記取り外し可能要素は、容器引込口カバーを備える請求項12に記載のシステム。
- 前記取り外し可能要素は、容器カバーを備える請求項12に記載のシステム。
- さらに、油圧を前記板部材にかけて前記固体原料物質への前記板部材の圧迫を維持するように構成された流体供給アセンブリを備える請求項3に記載のシステム。
- さらに、固体原料物質を含む請求項1に記載のシステム。
- 前記固体原料物質は、デカボラン、オクタデカボラン、および塩化インジウムからなる群から選択された物質を含む請求項16に記載のシステム。
- 前記固体原料物質は、不連続形態である請求項16に記載のシステム。
- 前記固体原料物質は、単一モノリシック形態である請求項16に記載のシステム。
- 前記熱源は、前記固体原料物質に加熱エネルギーを当てるように構成される請求項1に記載のシステム。
- 前記加熱エネルギーは、マイクロ波加熱エネルギーおよび赤外線加熱エネルギーからなる群から選択される請求項20に記載のシステム。
- 前記熱源は、前記固体原料物質を伝導性に基づいて加熱するように構成される請求項1に記載のシステム。
- 前記熱源は、前記封じ込め構造物を加熱するための加熱ジャケットを備える請求項1に記載のシステム。
- 前記熱源は、熱伝達媒体を含む請求項1に記載のシステム。
- 前記固体原料物質を蒸発させると、前記システム内に保持されている前記固体原料物質のレベルが減少し、前記システムは、さらに、前記固体原料物質の前記レベルの指示を行うように構成されたレベル感知アセンブリを備える請求項1に記載のシステム。
- 前記レベル感知アセンブリは、電気的、磁気的、または光学的レベルセンサを備える請求項25に記載のシステム。
- 前記システムは、前記固体原料物質を圧迫するように構成された板部材を備え、前記レベル感知アセンブリは、前記板部材の位置を感知し前記固体原料物質の前記レベルの前記指示を行うように構成された少なくとも1つのセンサを備える請求項25に記載のシステム。
- 前記レベル感知アセンブリは、光電子感知アセンブリを備える請求項27に記載のシステム。
- 前記光電子感知アセンブリは、レーザー源、および前記レーザー源からの反射されたレーザー信号を検出するように構成された検出器を含むセンサを備える請求項28に記載のシステム。
- 前記レベル感知アセンブリは、前記構造物内に一連のスイッチを備え、それぞれ、前記固体原料物質が徐々に蒸発するにつれ前記板部材に接触または近接して順次作動される請求項27に記載のシステム。
- 前記構造物は、囲まれた内部容積を画成する容器を含み、その中に前記固体原料物質が保持される請求項25に記載のシステム。
- 前記レベル感知アセンブリは、加圧ガスの供給源、前記供給源から加圧ガスを前記容器の前記囲まれた内部容積内に注入するように構成されたガス注入器、および前記加圧ガスを注入した後前記容器の前記囲まれた内部容積内の圧力を検出し、それに応じて、固体原料物質の前記レベルを示す出力を発生するように構成された圧力センサを備える請求項31に記載のシステム。
- 前記レベル感知アセンブリは、前記システムから吐き出された蒸気を監視し、それに応じて、前記システム内の固体原料物質のレベルを示す出力を発生するように構成された蒸気流量合計装置を備える請求項31に記載のシステム。
- さらに、前記固体原料物質が徐々に蒸発するときに前記板部材に力を加えて前記固体原料物質への圧迫を維持するように構成された、力を加えるアセンブリを備える請求項4に記載のシステム。
- 前記力を加えるアセンブリは、前記板部材に運動量を与える請求項34に記載のシステム。
- さらに、前記固体原料物質を平行移動して前記熱源と加熱する関係を有するようにする移動アセンブリを備える請求項1に記載のシステム。
- 前記熱源は、加熱炉またはオーブンを含む請求項36に記載のシステム。
- 前記移動アセンブリは、機械式供給ユニットを備える請求項36に記載のシステム。
- 前記蒸気分配アセンブリは、流体回路を備える請求項1に記載のシステム。
- 前記流体回路は、質量流量調節器、温度および圧力センサ、流量調節弁、流体圧力調節器、および流量制限オリフィス要素からなる群から選択された少なくとも1つの流体回路コンポーネントを含む請求項39に記載のシステム。
- 前記蒸気分配アセンブリは、流体利用設備に結合される請求項1に記載のシステム。
- 前記蒸気分配アセンブリは、半導体製造設備に結合される請求項1に記載のシステム。
- 前記容器の前記囲まれた内部容積は、前記固体原料物質を保持する取り外し可能ライナーを含む請求項2に記載のシステム。
- 前記ライナーは、前記容器の前記囲まれた内部容積内に挿入可能なドロップインアセンブリとして前記固体原料物質を充填される請求項43に記載のシステム。
- 前記ライナーは、ポリマー材料で形成される請求項43に記載のシステム。
- 前記ライナーは、金属または金属化薄膜材料で形成される請求項43に記載のシステム。
- さらに、液体体積を形成するために前記固体原料物質の液化を行う前記熱源の構成、および前記液体体積のレベルを感知し、分配に使用可能な蒸気を示す出力を発生するように構成されたフロートスイッチを備える請求項2に記載のシステム。
- さらに、前記容器内の前記蒸気の圧力を感知し、それに応じて、前記容器内の前記固体原料物質の量を示す出力を発生するように構成された圧力監視装置を備える請求項2に記載のシステム。
- さらに、前記システムから蒸気が吐き出されるときに前記容器内の前記固体原料物質の量を監視し、それに応じて、前記量を示す出力を発生するように構成された固体原料物質監視アセンブリを備える請求項2に記載のシステム。
- 前記出力は、視覚的または聴覚的アラームを含む請求項49に記載のシステム。
- 前記熱源は、輻射加熱、伝導加熱、対流加熱、および電気加熱からなる群から選択された加熱法のうちの少なくとも1つを含む加熱方式により前記固体原料物質を加熱するように形成され、配置される請求項1に記載のシステム。
- 前記熱源は、マイクロ波加熱および赤外線加熱からなる群から選択された加熱法のうちの少なくとも1つを含む加熱方式により前記固体原料物質を加熱するように形成され、配置される請求項1に記載のシステム。
- さらに、前記固体原料物質への前記板部材の圧迫を維持するために前記板部材を平行移動するように構成された移動駆動アセンブリを備える請求項3に記載のシステム。
- 前記容器の前記囲まれた内部容積は、前記固体原料物質またはその蒸気が堆積される支持体を含む請求項2に記載のシステム。
- 前記支持体は、物理的吸着物質の粒子を含む請求項54に記載のシステム。
- 前記支持体は、熱伝導物質の粒子を含む請求項54に記載のシステム。
- 熱伝導物質の前記粒子は、金属ビーズを含む請求項56に記載のシステム。
- 前記支持体は、球体、リング、ドーナツ形状、立方体、らせん形状、リボン形状、メッシュ、針、および円錐からなる群から選択された立体構造を有する請求項54に記載のシステム。
- 前記固体原料物質は、昇華可能固形物を含む請求項16に記載のシステム。
- 前記容器は、溶媒中に前記固体原料物質を可溶化して固体原料物質溶液を形成するように構成された可溶化装置アセンブリに連結され、前記容器は前記固体原料物質溶液を受け入れるように構成され、前記熱源は前記容器内の前記固体原料物質溶液を加熱し前記溶媒を蒸発させるように構成され、前記蒸気分配アセンブリは前記容器から蒸発させた溶媒を吐き出し、前記固体原料物質を前記容器内に堆積するように構成され、前記熱源はその後前記蒸発のために前記固体原料物質を加熱するように構成される請求項2に記載のシステム。
- 前記容器は、前記固体原料物質が前記容器内に堆積される支持体を含む請求項60に記載のシステム。
- さらに、前記蒸発した溶媒を凝縮し、凝縮された溶媒を前記可溶化装置アセンブリに再循環させるように構成された回収ユニットを備える請求項60に記載のシステム。
- 前記可溶化装置アセンブリは、前記溶媒の供給源および前記固体原料物質の供給源と受け入れる関係を有するように構成された混合タンクを備える請求項60に記載のシステム。
- 前記熱源は、前記固体原料物質の選択的加熱を行い前記蒸気を発生させるためのコヒーレント光放射源を備える請求項1に記載のシステム。
- さらに、前記容器に流体を通して流すように構成されたポンプを備える請求項2に記載のシステム。
- さらに、前記ライナーを内容物の混合のために繰り返し移動するように構成された攪拌アセンブリを備える請求項43に記載のシステム。
- 前記攪拌アセンブリは、前記ライナーに対し吸引および圧縮を交互に繰り返すように構成された逆転ポンプを備える請求項66に記載のシステム。
- 前記容器の前記囲まれた内部容積内に機械式混合器を備える請求項2に記載のシステム。
- 前記蒸気分配アセンブリにより吐き出された蒸気を前記容器に再循環させるように構成された再循環ループを備える請求項2に記載のシステム。
- 前記容器の前記囲まれた内部容積内に伝導性熱伝達部材を備える請求項2に記載のシステム。
- 前記再循環ループは、ポンプを含む請求項69に記載のシステム。
- さらに、前記再循環ループに不活性ガスを流すように構成された不活性ガス供給源を備える請求項69に記載のシステム。
- さらに、中を流れる流体を加熱するため前記再循環ループ内に加熱器を備える請求項69に記載のシステム。
- さらに、前記再循環ループと流れで連絡するように連結された吐出管路を備える請求項69に記載のシステム。
- さらに、前記吐出管路内に質量流量調節器を備える請求項74に記載のシステム。
- さらに、前記再循環ループ内に逆止めを備える請求項69に記載のシステム。
- さらに、前記吐出管路内に流量調節オリフィスを備える請求項74に記載のシステム。
- 前記再循環ループおよび吐出管路は、前記蒸気分配アセンブリから吐き出される流体の大部分を前記再循環ループに通して流し、前記吐き出された流体のわずかな部分を前記吐出管路に流すように構成されている請求項74に記載のシステム。
- さらに、前記蒸気分配アセンブリから吐き出された前記蒸気が所定の温度および圧力になるように前記熱源を変調するように構成された温度および圧力応答監視および制御サブシステムを備える請求項78に記載のシステム。
- 前記熱源は、前記容器の少なくとも一部とぴったり嵌め合い可能な加熱ジャケットを備える請求項2に記載のシステム。
- 前記加熱ジャケットおよび容器は、それぞれ、互いに関して所定の配置となるように前記加熱ジャケットおよび容器を位置合わせするために相補的に嵌め合い可能な係合要素を有する請求項80に記載のシステム。
- 前記容器の前記囲まれた内部容積は、環状立体構造を有する請求項2に記載のシステム。
- 前記嵌め合い可能係合要素は、前記熱源を作動させる前に係合を必要とするように構成される請求項81に記載のシステム。
- さらに、前記容器の前記囲まれた内部容積内のトレイの配列を備え、前記固体原料物質は、前記配列内のトレイにコーティングされるか、またはトレイに入れられる請求項2に記載のシステム。
- 前記熱源は、前記容器の周りに取り囲むように巻き付けられた加熱テープを備える請求項2に記載のシステム。
- さらに、前記容器の前記囲まれた内部容積内に流体回収多岐管を備える請求項2に記載のシステム。
- さらに、前記流体回収多岐管と結合された多孔質管および/または多孔質リングを備える請求項86に記載のシステム。
- さらに、前記容器の前記囲まれた内部容積内の一領域を対象範囲とする間隔を隔てて並べられた温度センサの配列を備え、前記配列は、前記領域内の温度を監視し、それに応じて、前記領域内の温度を示す出力を発生するように構成されている請求項2に記載のシステム。
- 前記容器は、水平方向に揃えられた向きを有する請求項2に記載のシステム。
- 前記容器は、水平軸の周りに回転するように構成される請求項89に記載のシステム。
- 前記蒸気分配アセンブリは、吐出管路に連結され、緩衝貯蔵室は、前記吐出管路との間で流れの関係を有するように結合され、また緩衝量の前記蒸気を含むように構成され、前記緩衝貯蔵室から分配し前記緩衝貯蔵室の下流にある吐出管路内で前記蒸気の所定の流量を維持する請求項1に記載のシステム。
- 前記緩衝貯蔵室の下流にある前記吐出管路は、蒸気利用設備と蒸気供給の関係を有するように結合される請求項91に記載のシステム。
- 前記蒸気利用設備は、半導体製造設備を含む請求項92に記載のシステム。
- さらに、前記容器の前記囲まれた内部容積内の流体回収多岐管および前記流体回収多岐管に結合された多孔質回収管を備える請求項2に記載のシステム。
- 前記熱源は、前記多孔質回収管を加熱するように構成される請求項94に記載のシステム。
- 前記熱源は、液化固体原料物質を蒸発させて前記多孔質回収管の内部通路に入れられるようになる温度まで前記多孔質回収管を加熱し、その後、前記多孔質回収管の加熱量を増やして液化固体原料物質を蒸発させ前記多孔質回収管の前記内部通路内に入れるように構成される請求項95に記載のシステム。
- さらに、前記液化固体原料物質を蒸発させた後、前記容器の前記囲まれた内部容積内の圧力を測定し、それに応じて、前記容器内の固体原料物質の量を示す出力を発生するように構成された圧力センサを備える請求項96に記載のシステム。
- 前記構造物は、前記固体原料物質が堆積される支持材を含む請求項1に記載のシステム。
- 前記支持材は、テープ、クモの巣状物、シート、フィラメント、またはワイヤの形態である請求項98に記載のシステム。
- 前記熱源は、前記固体原料物質を帯びた前記構造物が前記蒸発のため平行移動される際に通る加熱された室を含む請求項98に記載のシステム。
- 前記蒸気分配アセンブリは、加熱された室に結合され、蒸気をそこから吐き出すように構成された吐出管路を備える請求項100に記載のシステム。
- さらに、前記固体原料物質を前記支持材に堆積するように構成された堆積アセンブリを備える請求項98に記載のシステム。
- 前記堆積アセンブリは、前記固体原料物質を前記支持材に噴霧堆積するように構成されたスプレーヘッドを備える請求項102に記載のシステム。
- 前記支持材は、前記固体原料物質が付着する粘着性表面を有する請求項103に記載のシステム。
- 前記固体原料物質は、吸着粒子および高熱伝導性粒子の混合物上にコーティングされる請求項1に記載のシステム。
- 前記吸着粒子は、活性炭吸着剤、分子ふるい、珪藻土、粘度タイプの吸着剤、マクロレティキュレート樹脂、シリカ、アルミナからなる群から選択された吸着剤を含む請求項105に記載のシステム。
- 前記高熱伝導性粒子は、金属またはセラミックで形成された粒子を含む請求項105に記載のシステム。
- 前記構造物は、流動床を備える請求項1に記載のシステム。
- 保持構造物の少なくとも一部により封じ込められている固体原料物質を保持することと、前記固体原料物質を加熱して前記固体原料物質からその蒸発により蒸気を発生することと、前記蒸気を受け取ることとを含む固体原料から試薬を送出するための方法。
- 前記保持構造物は、囲まれた内部容積を画成する容器を含み、その中に前記固体原料物質が保持される請求項109に記載の方法。
- 前記固体原料物質を圧迫し、前記物質を前記囲まれた内部容積内に封じ込めて保持するように前記板部材を施すことを含む請求項110に記載の方法。
- 前記板部材を前記容器の前記囲まれた内部容積内で平行移動させ、前記固体原料物質が徐々に蒸発するときに前記固体原料物質への圧迫を維持することを含む請求項111に記載の方法。
- 前記板部材をバネ付勢して、前記固体原料物質への圧迫を維持するようにすることを含む請求項112に記載の方法。
- さらに、前記容器の前記囲まれた内部容積内に伸長可能なシャフトを備え、前記板部材をそれに結合することを含み、前記板部材は、シャフトを伸長することで平行移動可能であり、これにより前記固体原料物質への圧迫を維持する請求項112に記載の方法。
- 前記伸長可能シャフトは、内部通路を有し、中に加圧された流体を用意して前記固体原料物質が徐々に蒸発するにつれ前記シャフトを伸長することを含む請求項114に記載の方法。
- 前記板部材は、内部孔を有し、前記伸長可能シャフトは、前記内部孔と連絡している内部供給および吐出通路を有し、さらに、前記伸長可能シャフトの前記内部通路と連絡する流体流により連絡する熱交換器を結合し、前記熱交換器から前記シャフト内の前記内部供給通路を通して前記板部材の孔に熱伝達媒体を流し、前記孔から前記シャフト内の前記内部吐出通路を通して前記熱交換器に熱伝達媒体を流すことを含む請求項114に記載のシステム。
- 前記板部材は、複数の流路を中に備え、前記蒸気はそこを通って前記容器の蒸気回収領域に流れる請求項111に記載の方法。
- 前記加熱は、前記容器と加熱する関係を有する少なくとも1つの加熱ジャケットを配置することを含む請求項110に記載の方法。
- 前記加熱は、それぞれ前記容器の別の領域と加熱する関係を有する複数の加熱ジャケットを配置することを含む請求項118に記載の方法。
- 前記容器は、取り外されたときに固体原料物質を前記容器の前記囲まれた内部容積に導入することを可能にする取り外し可能要素を備える請求項110に記載の方法。
- 前記取り外し可能要素は、容器引込口カバーを備える請求項120に記載の方法。
- 前記取り外し可能要素は、容器カバーを備える請求項120に記載の方法。
- さらに、油圧を前記板部材にかけて前記固体原料物質への前記板部材の圧迫を維持するように流体供給アセンブリを構成することを含む請求項111に記載の方法。
- さらに、粉末形態の固体原料物質を使用することを含む請求項109に記載の方法。
- 前記固体原料物質は、デカボラン、オクタデカボラン、および塩化インジウムからなる群から選択された物質を含む請求項109に記載の方法。
- 不連続形態の前記固体原料物質を使用することを含む請求項109に記載の方法。
- 単一モノリシック形態の前記固体原料物質を使用することを含む請求項109に記載の方法。
- 前記固体原料物質に加熱エネルギーを当てることを含む請求項109に記載の方法。
- 前記加熱エネルギーは、マイクロ波加熱エネルギーおよび赤外線加熱エネルギーからなる群から選択される請求項128に記載の方法。
- 前記加熱は、伝導性加熱を含む請求項109に記載の方法。
- 前記加熱は、前記保持構造物を加熱するため加熱ジャケットを使用することを含む請求項109に記載の方法。
- 前記加熱は、熱伝達媒体の使用を含む請求項109に記載の方法。
- 前記固体原料物質を蒸発させると、前記固体原料物質のレベルが減少し、前記方法は、さらに、レベル感知アセンブリを使用して前記固体原料物質の前記レベルの指示を行うことを含む請求項109に記載の方法。
- 前記レベル感知アセンブリは、電気的、磁気的、または光学的レベルセンサを備える請求項133に記載の方法。
- 前記固体原料物質を圧迫するように板部材を配置することと、前記板部材の位置を感知し前記固体原料物質の前記レベルの前記指示を行うこととを含む請求項134に記載の方法。
- 前記レベル感知アセンブリは、光電子感知アセンブリを備える請求項135に記載の方法。
- 前記光電子感知アセンブリは、レーザー源、および前記レーザー源からの反射されたレーザー信号を検出するように構成された検出器を含むセンサを備える請求項136に記載の方法。
- 前記レベル感知アセンブリは、前記構造物内に一連のスイッチを備え、前記固体原料物質が徐々に蒸発するにつれ前記板部材に接触または近接するスイッチのそれぞれを順次作動させることを含む請求項135に記載の方法。
- 前記保持構造物は、囲まれた内部容積を画成する容器を含み、その中に前記固体原料物質が保持される請求項133に記載の方法。
- 前記レベル感知アセンブリは、加圧ガスの供給源を備え、前記供給源から加圧ガスを前記容器の前記囲まれた内部容積内に注入することと、圧力センサを使用し、前記加圧ガスを注入した後前記容器の前記囲まれた内部容積内の圧力を検出し、それに応じて、固体原料物質の前記レベルを示す出力を発生することとを含む請求項139に記載の方法。
- 前記レベル感知アセンブリは、回収された蒸気を監視し、それに応じて、前記固体原料物質のレベルを示す出力を発生するように構成された蒸気流量合計装置を備える請求項139に記載の方法。
- さらに、前記固体原料物質が徐々に蒸発するときに前記板部材に力を加えて前記固体原料物質への圧迫を維持するように力を加えるためのアセンブリを構成することを含む請求項112に記載の方法。
- 前記力を加えるアセンブリは、前記板部材に運動量を与える請求項142に記載の方法。
- さらに、前記固体原料物質を平行移動して前記加熱を行うように熱源と加熱する関係を有するようにすることを含む請求項109に記載の方法。
- 前記加熱は、加熱炉またはオーブンの使用を含む請求項144に記載の方法。
- 前記平行移動は、機械式供給ユニットの使用を含む請求項144に記載の方法。
- 前記回収された蒸気は、流体回路に通される請求項109に記載の方法。
- 前記流体回路は、質量流量調節器、温度および圧力センサ、流量調節弁、流体圧力調節器、および流量制限オリフィス要素からなる群から選択された少なくとも1つの流体回路コンポーネントを含む請求項147に記載の方法。
- 前記回収された蒸気は、流体利用設備へと流される請求項109に記載の方法。
- 前記回収された蒸気は、半導体製造設備へと流される請求項109に記載の方法。
- 前記容器の前記囲まれた内部容積は、前記固体原料物質を保持する取り外し可能ライナーを含む請求項110に記載の方法。
- 前記ライナーは、前記容器の前記囲まれた内部容積内に挿入可能なドロップインアセンブリとして前記固体原料物質を充填される請求項151に記載の方法。
- 前記ライナーは、ポリマー材料で形成される請求項151に記載の方法。
- 前記ライナーは、金属または金属化薄膜材料で形成される請求項151に記載の方法。
- 前記固体原料物質の前記加熱は前記固体原料物質を液化して液体体積を形成し、さらに、前記液体体積のレベルを感知することと、分配に使用可能な蒸気を示す出力を発生することとを含む請求項110に記載の方法。
- さらに、前記容器内の前記蒸気の圧力を感知することと、それに応じて前記容器内の前記固体原料物質の量を示す出力を発生することとを含む請求項110に記載の方法。
- さらに、蒸気が回収されるときに前記容器内の前記固体原料物質を監視することと、それに応じて前記固体原料物質の残量を示す出力を発生することとを含む請求項110に記載の方法。
- 前記出力は、視覚的または聴覚的アラームを含む請求項157に記載の方法。
- 前記加熱は、輻射加熱、伝導加熱、対流加熱、および電気加熱からなる群から選択された加熱法のうちの少なくとも1つを含む請求項109に記載の方法。
- 前記加熱は、マイクロ波加熱および赤外線加熱からなる群から選択された加熱法のうちの少なくとも1つを含む加熱方式を含む請求項109に記載の方法。
- さらに、前記板部材を平行移動して、前記板部材の前記固体原料物質への圧迫を維持することを含む請求項111に記載の方法。
- 前記容器の前記囲まれた内部容積は、前記固体原料物質またはその蒸気が堆積される支持体を含む請求項110に記載の方法。
- 前記支持体は、物理的吸着物質の粒子を含む請求項162に記載の方法。
- 前記支持体は、熱伝導物質の粒子を含む請求項162に記載の方法。
- 熱伝導物質の前記粒子は、金属ビーズを含む請求項164に記載の方法。
- 前記支持体は、球体、リング、ドーナツ形状、立方体、らせん形状、リボン形状、メッシュ、針、および円錐からなる群から選択された立体構造を有する請求項162に記載の方法。
- 前記固体原料物質は、昇華可能固形物を含む請求項109に記載の方法。
- さらに、溶媒中の前記固体原料物質を可溶化して固体原料物質溶液を形成することと、前記容器内に前記固体原料物質を堆積するために、前記容器内の前記固体原料物質溶液を加熱して前記溶媒を蒸発させ、前記容器から蒸発した溶媒を吐き出すことと、その後に前記固体原料物質を加熱して前記蒸発を行わせることとを含む請求項110に記載の方法。
- 前記容器は、前記固体原料物質が前記容器内に堆積される支持体を含む請求項168に記載の方法。
- さらに、前記蒸発した溶媒を凝縮することと、凝縮された溶媒を前記可溶化工程に再循環させることとを含む請求項168に記載の方法。
- 前記可溶化工程は、前記溶媒と前記固体原料物質とを混合することを含む請求項168に記載の方法。
- 前記加熱は、前記固体原料物質の選択的加熱を行い前記蒸気を発生させるためにコヒーレント光放射源を使用して行われる請求項109に記載の方法。
- さらに、ポンプで前記容器に流体を流し込むことを含む請求項110に記載の方法。
- さらに、内容物の混合のために前記ライナーを繰り返し移動することを含む請求項151に記載の方法。
- 前記ライナーを繰り返し移動することは、逆転ポンプを作動させて前記ライナーに対し吸引および圧縮を交互に繰り返すことを含む請求項174に記載の方法。
- 前記容器の前記囲まれた内部容積内に機械式混合器を備えることを含む請求項110に記載の方法。
- 回収された蒸気を前記容器に再循環させて戻すことを含む請求項110に記載の方法。
- 前記容器の前記囲まれた内部容積内に伝導性熱伝達部材を備えることを含む請求項110に記載の方法。
- 前記再循環は、ポンプを含む再循環ループの使用を含む請求項177に記載の方法。
- さらに、不活性ガスを前記再循環ループに流すことを含む請求項179に記載の方法。
- さらに、中を流れる流体を加熱するために前記再循環ループ内に加熱器を置くことを含む請求項179に記載の方法。
- さらに、前記再循環ループと流れで連絡する吐出管路を連結することを含む請求項179に記載の方法。
- さらに、前記吐出管路内に質量流量調節器を置くことを含む請求項182に記載の方法。
- さらに、前記再循環ループ内に逆止めを置くことを含む請求項179に記載の方法。
- さらに、前記吐出管路内に流量調節オリフィスを置くことを含む請求項182に記載の方法。
- 回収された流体の大部分を再循環ループに通して流すことと、回収された流体のわずかな部分を吐出管路に流すこととを含む請求項182に記載の方法。
- さらに、前記回収された蒸気が所定の温度および圧力であるように前記加熱を変調することを含む請求項186に記載の方法。
- 前記加熱は、前記容器の少なくとも一部とぴったり嵌め合い可能な加熱ジャケットにより行われる請求項110に記載の方法。
- 前記加熱ジャケットおよび容器は、それぞれ、互いに関して所定の配置となるように前記加熱ジャケットおよび容器を位置合わせするために相補的に嵌め合い可能な係合要素を有する請求項188に記載の方法。
- 前記容器の前記囲まれた内部容積は、環状立体構造を有する請求項110に記載の方法。
- 前記嵌め合い可能係合要素は、前記加熱を行う前に係合を必要とするように構成される請求項189に記載の方法。
- さらに、前記容器の前記囲まれた内部容積内にトレイの配列を置くことを含み、前記固体原料物質は、前記配列内のトレイにコーティングされるか、またはトレイに入れられる請求項110に記載の方法。
- 前記加熱は、前記容器の周りに取り囲むように巻き付けられた加熱テープにより行われる請求項110に記載の方法。
- さらに、前記容器の前記囲まれた内部容積内の流体回収多岐管で流体を回収することを含む請求項110に記載の方法。
- さらに、多孔質管および/または多孔質リングは、前記流体回収多岐管と結合される請求項194に記載の方法。
- さらに、前記容器の前記囲まれた内部容積内の一領域を対象範囲とする間隔を隔てて並べられた温度センサの配列を構成することを含み、前記配列は、前記領域内の温度を監視し、それに応じて、前記領域内の温度を示す出力を発生するように構成されている請求項110に記載の方法。
- 前記容器は、水平方向に揃えられた向きを有する請求項110に記載の方法。
- 前記容器は、水平軸の周りに回転される請求項197に記載の方法。
- 前記回収された蒸気は、吐出管路に流され、緩衝貯蔵室は、前記吐出管路との間で流れの関係を有するように結合され、また緩衝量の前記蒸気を含むように構成され、前記緩衝貯蔵室から分配し前記緩衝貯蔵室の下流にある吐出管路内で前記蒸気の所定の流量を維持する請求項109に記載の方法。
- 前記緩衝貯蔵室の下流にある前記吐出管路は、蒸気利用設備と蒸気供給の関係を有するように結合される請求項199に記載の方法。
- 前記蒸気利用設備は、半導体製造設備を含む請求項200に記載の方法。
- さらに、前記容器の前記囲まれた内部容積内の流体回収多岐管および前記流体回収多岐管に結合された多孔質回収管を備えることを含む請求項110に記載の方法。
- さらに、前記多孔質回収管を加熱することを含む請求項202に記載の方法。
- 前記多孔質回収管は、液化固体原料物質を蒸発させて前記多孔質回収管の内部通路に入れられるようになる温度まで加熱され、その後、前記多孔質回収管の加熱量を増やして液化固体原料物質を蒸発させ前記多孔質回収管の前記内部通路内に入れる請求項203に記載の方法。
- さらに、前記液化固体原料物質を蒸発させた後、前記容器の前記囲まれた内部容積内の圧力を測定することと、それに応じて、前記容器内の固体原料物質の量を示す出力を発生することとを含む請求項204に記載の方法。
- 前記固体原料物質を支持材上に堆積することを含む請求項109に記載の方法。
- 前記支持材は、テープ、クモの巣状物、シート、フィラメント、またはワイヤの形態である請求項206に記載の方法。
- 前記固体原料物質を帯びた支持材を平行移動して加熱室に通して、前記蒸発を行わせることを含む請求項206に記載の方法。
- さらに、前記加熱室から回収された蒸気を吐き出すことを含む請求項208に記載の方法。
- さらに、前記固体原料物質を前記支持材上に堆積することを含む請求項206に記載の方法。
- さらに、前記固体原料物質を前記支持材上にスプレーすることを含む請求項210に記載の方法。
- 前記支持材は、前記固体原料物質が付着する粘着性表面を有する請求項211に記載の方法。
- 前記固体原料物質は、吸着粒子および高熱伝導性粒子の混合物上にコーティングされる請求項109に記載の方法。
- 前記吸着粒子は、活性炭吸着剤、分子ふるい、珪藻土、粘度タイプの吸着剤、マクロレティキュレート樹脂、シリカ、アルミナからなる群から選択された吸着剤を含む請求項213に記載の方法。
- 前記高熱伝導性粒子は、金属またはセラミックで形成された粒子を含む請求項213に記載の方法。
- 前記固体原料物質の加熱を流動床内で行うことを含む請求項109に記載の方法。
- 中に固体原料物質を保持するように適合された囲まれた内部容積を画成する容器と、分配動作時に前記固体原料物質から導き出される蒸気を分配するために前記内部容積と流体流で連絡するように結合された弁アセンブリであって、完全開位置と完全閉位置との間で平行移動可能な弁要素を備える弁アセンブリと、前記弁アセンブリに脱着できるように固定可能であり、加熱されたときに、前記弁アセンブリに熱を伝達し、分配された蒸気が前記弁アセンブリ内で液化するのを妨げる効果を有する熱伝導ブロックとを備える固体原料試薬送出システム。
- 前記ブロックは、金属で形成される請求項217に記載の固体原料試薬送出システム。
- 前記金属は、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む請求項218に記載の固体原料試薬送出システム。
- 前記ブロックは、互いに連携するように嵌め合わさっている部品を備える請求項217に記載の固体原料試薬送出システム。
- さらに、互いに連携するように嵌め合わされた部品を保持するように適合された固定構造物を備える請求項220に記載の固体原料試薬送出システム。
- 前記固定構造物は、結合要素、ロック構造、ラッチ、鍵付き構造からなる群から選択される請求項221に記載の固体原料試薬送出システム。
- 前記ブロックは、前記弁アセンブリに固定する場合に開くように蝶番で結合され、前記弁アセンブリの周りで閉じることができ、ブロックを閉位置に保持するロック構造を有する、ブロック半セクションを備える請求項217に記載の固体原料試薬送出システム。
- 前記ブロックは、分配動作時に前記ブロックから前記分配された蒸気を流し出すための通路を含む、通路を中に有する請求項217に記載の固体原料試薬送出システム。
- 前記通路は、前記弁アセンブリの弁棒が前記ブロックの外へ突き出るための通路を備える請求項224に記載の固体原料試薬送出システム。
- 前記ブロックの面で終端し、流体回路を取り付けるためのフィッティングと結合された前記分配された蒸気の通路を備える請求項224に記載の固体原料試薬送出システム。
- 前記流体回路は、分配された蒸気が利用される処理設備に結合される請求項226に記載の固体原料試薬送出システム。
- さらに、前記ブロックを加熱するように構成された加熱器を備える請求項217に記載の固体原料試薬送出システム。
- 前記加熱器は、輻射加熱器、抵抗加熱器、マイクロ波加熱器、超音波加熱器、およびジャケット加熱器からなる群から選択される請求項228に記載の固体原料試薬送出システム。
- 中に固体原料物質を保持するように適合された囲まれた内部容積を画成する容器と、囲まれた内部容積を画成するように前記容器に固定されたフランジ密閉部材と、分配動作時に前記固体原料物質から導き出される蒸気を分配するために前記内部容積と流体流で連絡するように結合された弁アセンブリであって、完全開位置と完全閉位置との間で平行移動可能な弁要素を備える弁アセンブリとを備え、前記フランジ密閉部材は、留め具要素の係合を外し前記容器から前記フランジ密閉部材を取り外すために非標準工具を必要とする前記留め具要素により前記容器に固定される固体原料試薬送出システム。
- 前記留め具要素は、係合を外し前記容器から前記フランジ密閉部材を取り外すために非標準ドライバを必要とする、ねじ込み式留め具を含む請求項230に記載の固体原料試薬送出システム。
- 前記留め具要素は、前記留め具要素を利用するためには破る必要のあるラベルが重なる請求項230に記載の固体原料試薬送出システム。
- 前記ブロックは、中に通路を含み、抵抗加熱要素は、前記通路内に取り外し可能なように構成される請求項217に記載の固体原料試薬送出システム。
- 前記容器は、中に通路を含み、抵抗加熱要素は、前記通路内に取り外し可能なように構成される請求項217に記載の固体原料試薬送出システム。
- 中に固体原料物質を保持するように適合された囲まれた内部容積を画成する容器と、囲まれた内部容積を画成するように前記容器に固定されたフランジ密閉部材と、分配動作時に前記固体原料物質から導き出される蒸気を分配するために前記内部容積と流体流で連絡するように結合された弁アセンブリであって、完全開位置と完全閉位置との間で平行移動可能な弁要素を備え、中に少なくとも1つの通路を含む壁を備える前記容器と、前記通路内に取り外し可能なように構成された加熱要素とを備える固体原料試薬送出システム。
- 前記少なくとも1つの通路は、前記壁の外面と連絡する請求項235に記載の固体原料試薬送出システム。
- 前記容器は、アルミニウムまたはアルミニウム合金で形成される請求項235に記載の固体原料試薬送出システム。
- 中に固体原料物質を保持するように適合された囲まれた内部容積を画成する容器と、分配動作時に前記固体原料物質から導き出される蒸気を分配するために前記内部容積と流体流で連絡するように結合された弁アセンブリであって、完全開位置と完全閉位置との間で平行移動可能な弁要素を備える弁アセンブリと、前記固体原料物質を支持するように適合された前記内部容積内の金属発泡体物質とを備える固体原料試薬送出システム。
- 前記金属発泡体物質は、少なくとも1つの金属発泡体を含む請求項238に記載の固体原料試薬送出システム。
- 前記少なくとも1つの金属発泡体は、円板形態の複数の金属発泡体を含む請求項239に記載の固体原料試薬送出システム。
- 前記容器は、円柱形態であり、前記金属発泡体は、前記容器の内径に十分近い直径を有し、前記金属発泡体は、前記容器内に圧入可能であり、前記容器の内面と接触する請求項240に記載の固体原料試薬送出システム。
- 前記金属発泡体は、アルミニウムで形成される請求項241に記載の固体原料試薬送出システム。
- 前記容器は、アルミニウムで形成される請求項242に記載の固体原料試薬送出システム。
- 前記金属発泡体は、前記容器内の積層配列である請求項240に記載の固体原料試薬送出システム。
- 前記積層配列内の上側金属発泡体は、中に中心開口部を有し、その上側部分の前記配列内に中心通路を形成する請求項244に記載の固体原料試薬送出システム。
- さらに、前記容器に固定されたフランジ密閉部材を備える請求項238に記載の固体原料試薬送出システム。
- 前記フランジ密閉部材は、ステンレスで形成され、前記容器は、アルミニウムまたはアルミニウム合金で形成され、前記フランジ密閉部材は、前記容器に爆発圧着される請求項246に記載の固体原料試薬送出システム。
- さらに、前記フランジ密閉部材は、留め具により前記容器に固定される請求項246に記載の固体原料試薬送出システム。
- 前記容器は、側壁、および床を備え、前記フランジ密閉部材および前記床のそれぞれは、前記容器側壁を貫通する留め具により前記側壁に固定され、前記フランジ密閉部材および床のそれぞれに固定される請求項246に記載の固体原料試薬送出システム。
- 前記留め具は、前記側壁を貫通するボルトを備え、前記フランジ密閉部材および前記床の外面のところでナットと係合する請求項249に記載の固体原料試薬送出システム。
- 中に固体原料物質を保持するように適合された囲まれた内部容積を画成する容器と、分配動作時に前記固体原料物質から導き出される蒸気を分配するために前記内部容積と流体流で連絡するように結合された弁アセンブリであって、完全開位置と完全閉位置との間で平行移動可能な弁要素を備える弁アセンブリとを備え、前記システムは、シュリンクラップフィルム材料で収縮包装される固体原料試薬送出システム。
- 中に固体原料物質を保持するように適合された囲まれた内部容積を画成する容器と、分配動作時に前記固体原料物質から導き出される蒸気を分配するために前記内部容積と流体流で連絡するように結合された弁アセンブリであって、完全開位置と完全閉位置との間で平行移動可能な弁要素を備える弁アセンブリと、加熱器および圧力センサを備える固体原料物質監視アセンブリとを備え、前記加熱器は前記容器内の前記固体原料物質を加熱し、その蒸気圧を高めるように構成され、前記圧力センサは蒸気圧の増加を検出し、それに応じて前記容器内の前記固体原料物質の残量を示す出力を発生する固体原料試薬送出システム。
- 中に固体原料物質を保持するように適合された囲まれた内部容積を画成する容器と、分配動作時に前記固体原料物質から導き出される蒸気を分配するために前記内部容積と流体流で連絡するように結合された弁アセンブリであって、完全開位置と完全閉位置との間で平行移動可能な弁要素を備える弁アセンブリと、定常状態での分配動作時に前記容器内の圧力を監視し、それに応じて前記容器内の前記固体原料物質の残量を示す出力を発生するように適合された圧力センサを備える固体原料物質監視アセンブリとを備える固体原料試薬送出システム。
- 前記容器は、B18H22固体原料物質を含む請求項253に記載の固体原料試薬送出システム。
- 固体原料試薬から導き出される蒸気を伴う分配動作を行う方法であって、前記固体原料試薬を含む第1の供給容器から前記蒸気を分配することと、容器温度、および前記蒸気の所定の流量または前記分配の後の前記蒸気の所定の圧力を維持するように前記蒸気の送出速度を変調する流量調節弁の開放特性の程度を監視することと、前記容器温度、および前記流量調節弁の開放特性の程度から前記第1の供給容器内の固体原料試薬の残量を決定することとを含む方法。
- さらに、前記第1の供給容器内の前記固体原料試薬の残量が所定の程度まで低下したときに前記第1の供給容器からの蒸気の分配を終了することと、前記固体原料試薬を含む第2の供給容器から蒸気分配を開始することとを含む請求項255に記載の方法。
- 中に固体原料物質を保持するように適合された囲まれた内部容積を画成する容器と、分配動作時に前記固体原料物質から導き出される蒸気を分配するために前記内部容積と流体流で連絡するように結合された弁アセンブリであって、完全開位置と完全閉位置との間で平行移動可能な弁要素を備える弁アセンブリと、所定の期間に前記容器に所定の加熱エネルギーを投入するように適合された加熱器および前記システムが平衡蒸気圧に近づく速度を決定し、それに応じて前記容器内の前記固体原料物質の残量を示す出力を発生するように適合された監視装置を備える固体原料物質監視アセンブリとを備える固体原料試薬送出システム。
- 固体原料試薬から導き出される蒸気を伴う分配動作を行う方法であって、前記固体原料試薬を含む第1の供給容器から前記蒸気を分配することと、所定の期間に所定の加熱エネルギーを前記容器に投入することと、前記投入時に前記固体原料試薬が平衡蒸気圧に近づく速度を決定することと、それに応じて前記第1の供給容器内の前記固体原料物質の残量を示す出力を発生することとを含む方法。
- さらに、前記第1の供給容器内の前記固体原料試薬の残量が所定の程度まで低下したときに前記第1の供給容器からの蒸気の分配を終了することと、前記固体原料試薬を含む第2の供給容器から蒸気分配を開始することとを含む請求項258に記載の方法。
- 低蒸気圧固形物の蒸発速度を高める方法であって、前記低蒸気圧固形物を溶媒中に溶解させて溶液を形成することと、前記低蒸気圧固形物の蒸気を前記溶液から抽出することとを含む方法。
- 前記低蒸気圧固形物は、水素化ホウ素を含む請求項260に記載の方法。
- 前記水素化ホウ素は、B14水素化物を含む請求項261に記載の方法。
- 前記水素化ホウ素は、B18水素化物を含む請求項261に記載の方法。
- 前記水素化ホウ素は、B18H22を含む請求項261に記載の方法。
- 低蒸気圧固形物の蒸発速度を高める方法であって、前記低蒸気圧固形物を溶媒中に溶解させて溶液を形成することと、前記溶液を瞬間蒸発させて前記低蒸気圧固形物の蒸気を発生させることとを含む方法。
- 前記低蒸気圧固形物の前記蒸気は、使用場所に運ばれる請求項265に記載の方法。
- 中に固体原料物質を保持するように適合された囲まれた内部容積を画成する容器と、分配動作時に前記固体原料物質から導き出される蒸気を分配するために前記内部容積と流体流で連絡するように結合された弁アセンブリであって、完全開位置と完全閉位置との間で平行移動可能な弁要素を備える弁アセンブリと、前記容器内の前記固体原料物質への熱流束の変化を検出し、それに応じて前記容器内の前記固体原料物質の残量を示す出力を発生するように適合された少なくとも1つの熱流束センサを備える固体原料物質監視アセンブリとを備える固体原料試薬送出システム。
- 前記熱流束センサは、薄膜熱電対列変換器を備える請求項267に記載の固体原料試薬送出システム。
- 複数の熱流束センサは、前記容器上に取り付けられる請求項267に記載の固体原料試薬送出システム。
- 固体原料試薬から導き出される蒸気を伴う分配動作を行う方法であって、前記固体原料試薬を含む前記第1の供給容器から前記蒸気を分配することと、前記容器内の前記固体原料物質への熱流束を監視し、それに応じて前記容器内の前記固体原料物質の残量を示す出力を発生することとを含む方法。
- さらに、前記第1の供給容器内の前記固体原料試薬の残量が所定の程度まで低下したときに前記第1の供給容器からの蒸気の分配を終了することと、前記固体原料試薬を含む第2の供給容器から蒸気分配を開始することとを含む請求項270に記載の方法。
- 中に固体原料物質を保持するように適合された囲まれた内部容積を画成する容器と、分配動作時に前記固体原料物質から導き出される蒸気を分配するために前記内部容積と流体流で連絡するように結合された弁アセンブリであって、完全開位置と完全閉位置との間で平行移動可能な弁要素を備える弁アセンブリと、前記容器内の固体原料物質と、前記容器の下側部分を冷却するように適合された冷却装置とを備える固体原料試薬送出システム。
- 前記冷却装置は、渦流冷却装置を含む請求項272に記載の固体原料試薬送出システム。
- 前記容器内の前記固体原料物質は、二フッ化キセノンを含む請求項272に記載の固体原料試薬送出システム。
- 前記容器内の前記固体原料物質は、オクタデカボランを含む請求項272に記載の固体原料試薬送出システム。
- 中に固体原料物質を保持するように適合された囲まれた内部容積を画成する容器と、分配動作時に前記固体原料物質から導き出される蒸気を分配するために前記内部容積と流体流で連絡するように結合された弁アセンブリであって、完全開位置と完全閉位置との間で平行移動可能な弁要素を備える弁アセンブリと、前記容器内の前記固体原料物質と接触する前記内部容積内に取り付けられ、赤外線を前記固体原料物質に当てて、それに応じて前記容器内の前記固体原料物質の残量を示す出力を発生する中間赤外線センサを備える固体原料物質監視アセンブリとを備える固体原料試薬送出システム。
- 前記中間赤外線センサは、減衰全反射(ATR)サンプリングを使用して、2μmから14μmの赤外線波長スペクトル範囲内で動作する請求項276に記載の固体原料試薬送出システム。
- 前記中間赤外線センサは、検出を赤外線領域に制限するように適合された赤外線フィルタを備え、前記原料試薬物質は、そのような放射線を吸収する請求項276に記載の固体原料試薬送出システム。
- 前記中間赤外線センサは、赤外線領域内の複数の帯域を監視するように適合され、前記容器内の前記原料試薬物質と望ましくない分解副産物とを別々に監視する請求項276に記載の固体原料試薬送出システム。
- 前記中間赤外線センサと接触している原料試薬物質は、前記センサから外れるのを防ぐため位置固定である請求項276に記載の固体原料試薬送出システム。
- イオン液体貯蔵媒質内に貯蔵された試薬を含む容器と少なくとも前記システムの分配動作時に中に残っている前記試薬の量を測定するために前記容器内に置かれている中間赤外線センサとを備える試薬貯蔵および分配システム。
- イオン注入装置用の固体原料試薬洗浄システムであって、固体XeF2を分散させた支持材を入れた容器と、XeF2蒸気を発生させるように前記金属発泡体物質の温度を変調するように適合された熱調節器と、前記容器と前記イオン注入装置とを結合し、前記容器から前記イオン注入装置にXeF2を流して前記イオン注入装置を洗浄するように適合された流体回路を備えるイオン注入装置用の固体原料試薬洗浄システム。
- 前記支持材は、金属発泡体物質を含む請求項282に記載の固体原料試薬洗浄システム。
- 前記支持材は、金属ウールの充填物を含む請求項282に記載の固体原料試薬洗浄システム。
- 前記支持材は、金属球体の充填物を含む請求項282に記載の固体原料試薬洗浄システム。
- 前記金属球体は、金属発泡体物質で形成される請求項285に記載の固体原料試薬洗浄システム。
- 前記支持材は、アルミニウム発泡体を含む請求項282に記載の固体原料試薬洗浄システム。
- 処理設備を洗浄して堆積物を取り除く方法であって、前記堆積物は、ホウ素、ヒ素、およびリンのうちの少なくとも1つを含み、前記方法は固体二フッ化キセノンから洗浄蒸気を発生させることと、前記堆積物を前記処理設備から少なくとも部分的に取り除くことができる十分な時間の間、前記堆積物を前記洗浄蒸気に接触させることを含む方法。
- 前記堆積物は、イオン注入処理により発生する請求項288に記載の方法。
- 前記洗浄蒸気は、プラズマ処理を施される請求項288に記載の方法。
- 中に弁室を画成する弁本体と、流体が前記弁本体の流れ込むための前記弁室と連絡する入口通路と、流体が前記弁本体から流れ出るための前記弁室と連絡する出口通路と、弁要素と、前記弁室内の全開位置と全閉位置との間の前記弁要素の移動を可能にするアクチュエータアセンブリとを備え、前記弁要素が開位置にあるときに前記入口通路および出口通路は前記弁室と連携して流体が前記弁本体を流れるのを許し、前記入口通路および出口通路は、互いに実質的に垂直である高伝導性弁。
- 前記弁本体は、ブロック状形態である請求項291に記載の弁。
- 前記弁本体は、一般的に直方体の形態である請求項292に記載の弁。
- 前記弁要素は、少なくとも1つのダイアフラム要素に関連付けられている請求項291に記載の弁。
- 前記弁要素およびアクチュエータアセンブリは、前記弁本体から外に延びている弁棒を備え、ハンドルは、前記弁棒に固定される請求項291に記載の弁。
- 前記弁本体は、前記弁を流体供給部に結合するためのフランジに連結されるか、または含む請求項291に記載の弁。
- 前記弁本体内の出口通路は、オスVCRフィッティングと密閉された流れにより連絡するように連結される請求項291に記載の弁。
- 前記弁本体は、矩形ブロック状形態であり、前記入口通路は、前記弁本体の底面から垂直に上に向かって前記弁室まで延び、前記出口通路は、前記弁室から水平に、前記弁本体の側面まで延びる請求項291に記載の弁。
- 弁流量係数が2.5よりも大きい請求項291に記載の弁。
- 弁流量係数が約2.7から2.9までの範囲内である請求項291に記載の弁。
- 前記の弁は、最大230psigまでの動作圧力および−28℃から150℃までの範囲の動作温度に対応できるように構成される請求項291に記載の弁。
- 前記弁本体は、4から20立方インチまでの範囲内にある全容積を有する請求項291に記載の弁。
- (原文に記載なし)
- 前記弁本体は、全容積の15から35%が前記弁室により占有される全容積を有する請求項291に記載の弁。
- 前記弁本体は、7から10立方インチまでの範囲内にある全容積を有する請求項291に記載の弁。
- 前記弁室は、前記弁本体内の1.5から3.5立方インチまでの容積を占有する請求項291に記載の弁。
- 前記弁本体内の前記入口通路は、前記弁室との交差点から前記弁本体の表面のところの入口通路開口部まで測定したときに、0.15から0.45立方インチまでの容積を有する請求項291に記載の弁。
- 前記弁本体内の前記出口通路は、前記弁室との交差点から前記弁本体の表面のところの出口通路開口部まで測定したときに、0.05から0.45立方インチまでの範囲の容積を有する請求項291に記載の弁。
- 前記出口通路の直径と前記入口通路の直径との比が0.75から1.25までの範囲内であることを特徴とする請求項291に記載の弁。
- 前記出口通路の直径と前記入口通路の直径との比が0.80から1.15までの範囲内であることを特徴とする請求項291に記載の弁。
- 前記出口通路の直径と前記入口通路の直径との比が0.90から1.10までの範囲内であることを特徴とする請求項291に記載の弁。
- 前記出口通路の直径と前記入口通路の直径との比が0.95から1.05までの範囲内であることを特徴とする請求項291に記載の弁。
- 前記出口通路の長さと前記入口通路の長さとの比が0.20から1.5までの範囲内であることを特徴とする請求項291に記載の弁。
- 前記出口通路の長さと前記入口通路の長さとの比が0.3から1.2までの範囲内であることを特徴とする請求項291に記載の弁。
- 前記出口通路の長さと前記入口通路の長さとの比が0.35から1.0までの範囲内であることを特徴とする請求項291に記載の弁。
- 前記弁本体の前記内部の前記入口通路、出口通路、および弁室の開放容積は、前記弁本体の全容積の25から45%の範囲内にある請求項291に記載の弁。
- 前記弁本体の前記内部の前記入口通路、出口通路、および弁室の開放容積は、前記弁本体の全容積の30から40%の範囲内にある請求項291に記載の弁。
- 前記入口通路および前記出口通路は、それぞれ、前記弁本体内に直線的に配置され、前記入口通路の中心線と出口通路の中心線との交差点は、90°の挟角を画成する請求項291に記載の弁。
- 前記弁要素およびアクチュエータアセンブリは、ダイアフラムおよび棒アセンブリを含む請求項291に記載の弁。
- 前記ダイアフラムおよび棒アセンブリは、前記弁本体から外に延びている弁棒を備え、作動部材は前記弁棒に固定される請求項319に記載の弁。
- 前記作動部材は、ハンドル、ハンドホイール、および自動アクチュエータからなる群から選択される部材を含む請求項320に記載の弁。
- 前記弁本体は、ステンレス、アルミニウム、ハステロイ、ニッケル、および炭素鋼からなる群から選択された物質で形成される請求項291に記載の弁。
- 前記入口および出口通路の直径は互いの10%以内であることを特徴とする請求項291に記載の弁。
- 流体容器に結合された請求項291に記載の前記弁を備える流体送出システム。
- 前記流体容器に、半導体を製造する際に使用する試薬が収められる請求項324に記載の流体送出システム。
- 前記試薬は、有機金属試薬、エッチング試薬、洗浄試薬、フォトレジスト前駆体物質、およびドーパントからなる群から選択される請求項325に記載の流体送出システム。
- 前記試薬は、デカボランまたはオクタデカボランを含む請求項325に記載の流体送出システム。
- さらに、前記容器を加熱するように構成された加熱器を備える請求項324に記載の流体送出システム。
- 前記流体容器は、(I)蒸発可能固形物、(II)蒸気を発生させるための液体、(III)粒子状物理的吸着媒質床上に吸着して保持されるガス、および(IV)前記容器内に加圧状態で保持される流体からなる群から選択された原料化学物質を格納し、前記容器は、前記容器から前記流体の低圧分配を可能にする設定点を有する内部流体圧力調節器を備える請求項324に記載の流体送出システム。
- 半導体製造設備に結合された請求項291の前記弁を備える半導体を製造するためのシステム。
- 前記半導体製造設備は、イオン注入設備、化学気相成長設備、およびフォトレジストエッチング設備からなる群から選択された設備を含む請求項330に記載のシステム。
- 半導体製造設備に結合された請求項324の前記流体送出システムを備える半導体を製造するためのシステム。
- 前記半導体製造設備は、イオン注入設備、化学気相成長設備、およびフォトレジストエッチング設備からなる群から選択された設備を含む請求項332に記載のシステム。
- 前記弁が流れを制御する関係を流体との間で持つようにすることと、前記流体を流体消費プロセスに、前記プロセスで必要な速度で分配するために前記弁を選択的に開放することとを含む請求項291に記載の弁を使用する方法。
- 前記流体は、20torr未満の圧力をかけられる請求項334に記載の方法。
- 前記流体は、固体原料物質を蒸発させることにより生成される請求項335に記載の方法。
- 前記流体は、0.005から10torrまでの範囲の圧力をかけられる請求項334に記載の方法。
- 試薬を前記容器に入れることと、前記試薬を前記容器から流体消費プロセスに前記プロセスで必要な速度で分配するために前記弁を選択的に開放することとを含む請求項324に記載の流体送出システムを使用する方法。
- 前記試薬は、20torr未満の圧力をかけられる請求項338に記載の方法。
- 前記試薬は、前記容器内で蒸発させられる固体原料物質であり、蒸気は、前記容器から分配される請求項338に記載の方法。
- 前記流体は、0.005から10torrまでの範囲の圧力をかけられる請求項338に記載の方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US66239605P | 2005-03-16 | 2005-03-16 | |
US66251505P | 2005-03-16 | 2005-03-16 | |
US60/662,396 | 2005-03-16 | ||
US60/662,515 | 2005-03-16 | ||
PCT/US2006/008530 WO2006101767A2 (en) | 2005-03-16 | 2006-03-09 | System for delivery of reagents from solid sources thereof |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011263316A Division JP5265750B2 (ja) | 2005-03-16 | 2011-12-01 | イオン注入システム及びフッ素化学物質供給源並びに二フッ化キセノン供給方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008538158A true JP2008538158A (ja) | 2008-10-09 |
JP2008538158A5 JP2008538158A5 (ja) | 2009-04-23 |
JP4922286B2 JP4922286B2 (ja) | 2012-04-25 |
Family
ID=37024317
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008501921A Active JP4922286B2 (ja) | 2005-03-16 | 2006-03-09 | イオン注入システム及びフッ素化学物質供給源並びに二フッ化キセノン供給方法 |
JP2011263316A Active JP5265750B2 (ja) | 2005-03-16 | 2011-12-01 | イオン注入システム及びフッ素化学物質供給源並びに二フッ化キセノン供給方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011263316A Active JP5265750B2 (ja) | 2005-03-16 | 2011-12-01 | イオン注入システム及びフッ素化学物質供給源並びに二フッ化キセノン供給方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080191153A1 (ja) |
EP (1) | EP1866074A4 (ja) |
JP (2) | JP4922286B2 (ja) |
KR (2) | KR101300266B1 (ja) |
CN (1) | CN101495190B (ja) |
SG (1) | SG160401A1 (ja) |
TW (2) | TW200700141A (ja) |
WO (1) | WO2006101767A2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101398640B1 (ko) * | 2012-11-05 | 2014-05-27 | 한국표준과학연구원 | 고온 보관 장치 |
WO2017187866A1 (ja) * | 2016-04-26 | 2017-11-02 | レール・リキード-ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | 前駆体の供給システムおよび前駆体の供給方法 |
JP2017537248A (ja) * | 2014-10-06 | 2017-12-14 | ビーエイチエイ アルテア,エルエルシー | ガスタービンエンジンアセンブリに使用するためのろ過システム、及びその組立方法 |
WO2020021796A1 (ja) * | 2018-07-24 | 2020-01-30 | 株式会社リンテック | 気化器 |
JP2020020036A (ja) * | 2018-07-24 | 2020-02-06 | 株式会社リンテック | 気化器 |
JP2021031740A (ja) * | 2019-08-27 | 2021-03-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 原料ガス供給システム及び原料ガス供給方法 |
JPWO2021060083A1 (ja) * | 2019-09-24 | 2021-04-01 | ||
WO2024009845A1 (ja) * | 2022-07-07 | 2024-01-11 | 大陽日酸株式会社 | 固体材料容器、固体材料供給装置、及び固体材料供給方法 |
JP7478028B2 (ja) | 2020-05-27 | 2024-05-02 | 大陽日酸株式会社 | 固体材料供給装置 |
Families Citing this family (86)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7300038B2 (en) * | 2002-07-23 | 2007-11-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material |
US6921062B2 (en) | 2002-07-23 | 2005-07-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | Vaporizer delivery ampoule |
US8015725B2 (en) * | 2004-09-21 | 2011-09-13 | Dos-I Solutions, S.L. | Method and machine for the sintering and/or drying of powder materials using infrared radiation |
US7955797B2 (en) | 2004-10-25 | 2011-06-07 | Advanced Technology Materials, Inc. | Fluid storage and dispensing system including dynamic fluid monitoring of fluid storage and dispensing vessel |
US7819981B2 (en) * | 2004-10-26 | 2010-10-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | Methods for cleaning ion implanter components |
FR2878453B1 (fr) * | 2004-11-30 | 2007-03-16 | Centre Nat Rech Scient Cnrse | Dispositif de fourniture de vapeurs d'un precurseur solide a un appareil de traitement |
GB2432371B (en) * | 2005-11-17 | 2011-06-15 | Epichem Ltd | Improved bubbler for the transportation of substances by a carrier gas |
US20080241805A1 (en) | 2006-08-31 | 2008-10-02 | Q-Track Corporation | System and method for simulated dosimetry using a real time locating system |
US8524321B2 (en) * | 2007-01-29 | 2013-09-03 | Praxair Technology, Inc. | Reagent dispensing apparatus and delivery method |
JP5011013B2 (ja) * | 2007-07-24 | 2012-08-29 | 大陽日酸株式会社 | 二フッ化キセノンガス供給装置 |
JP5141141B2 (ja) * | 2007-08-23 | 2013-02-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化器、気化器を用いた原料ガス供給システム及びこれを用いた成膜装置 |
US20090078253A1 (en) * | 2007-09-20 | 2009-03-26 | Fan Bao | Herbal and aromatherapy vaporizer |
US9034105B2 (en) | 2008-01-10 | 2015-05-19 | American Air Liquide, Inc. | Solid precursor sublimator |
KR101555469B1 (ko) * | 2008-02-05 | 2015-09-24 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 전자 디바이스 제조 시스템을 동작하기 위한 방법 및 장치 |
CN101939079B (zh) * | 2008-02-05 | 2013-06-12 | 应用材料公司 | 用于处理来自制程的可燃性废气的***及方法 |
EP2248153B1 (en) | 2008-02-11 | 2016-09-21 | Entegris, Inc. | Ion source cleaning in semiconductor processing systems |
US8137468B2 (en) | 2008-03-17 | 2012-03-20 | Applied Materials, Inc. | Heated valve manifold for ampoule |
JP4551465B2 (ja) * | 2008-06-24 | 2010-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 蒸着源、成膜装置および成膜方法 |
US8282788B2 (en) * | 2009-05-18 | 2012-10-09 | Bing-Nan Lee | Extraction apparatus and method of extracting essential oils, essence, and pigments from odorous raw material by microwave heating under sub-critical conditions |
CN101642723B (zh) * | 2009-09-02 | 2012-01-25 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 温度可控溶剂蒸气压梯度仪 |
WO2011053505A1 (en) | 2009-11-02 | 2011-05-05 | Sigma-Aldrich Co. | Evaporator |
JP5650234B2 (ja) * | 2009-11-16 | 2015-01-07 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | ビーム処理システムに対するガス送達 |
KR101140369B1 (ko) * | 2010-03-26 | 2012-05-03 | 최선규 | 이플루오르화크세논을 이용한 기판 가공장치 및 다이싱 방법 |
US20110232588A1 (en) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | Msp Corporation | Integrated system for vapor generation and thin film deposition |
TW201200614A (en) * | 2010-06-29 | 2012-01-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Coating device |
CN102312200B (zh) * | 2010-06-30 | 2014-04-23 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 蒸镀机 |
TW201202454A (en) * | 2010-07-07 | 2012-01-16 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Processing apparatus for smoothing film material and evaporation deposition device with same |
US8869792B1 (en) | 2010-07-22 | 2014-10-28 | Chung Ju Lee | Portable vaporizer |
CN103140599A (zh) * | 2010-07-30 | 2013-06-05 | 第一太阳能有限公司 | 分布器加热器 |
JP2012190828A (ja) * | 2011-03-08 | 2012-10-04 | Air Liquide Japan Ltd | 固体材料ガスの供給装置および供給方法 |
WO2013112818A1 (en) * | 2012-01-27 | 2013-08-01 | Carrier Corporation | Evaporator and liquid distributor |
WO2013113793A1 (en) * | 2012-02-03 | 2013-08-08 | Tetra Laval Holdings & Finance S.A. | A liquid processing system with secondary sub-systems for reducing product losses and water consumption |
US8894770B2 (en) * | 2012-03-14 | 2014-11-25 | Andritz Iggesund Tools Inc. | Process and apparatus to treat metal surfaces |
US9598766B2 (en) | 2012-05-27 | 2017-03-21 | Air Products And Chemicals, Inc. | Vessel with filter |
US10385452B2 (en) | 2012-05-31 | 2019-08-20 | Entegris, Inc. | Source reagent-based delivery of fluid with high material flux for batch deposition |
JP5837869B2 (ja) * | 2012-12-06 | 2015-12-24 | 株式会社フジキン | 原料気化供給装置 |
WO2014134298A1 (en) * | 2013-02-27 | 2014-09-04 | Nol-Tec Systems, Inc. | System for utilizing multiple vessels for continuous injection of material into a convey line |
KR102077803B1 (ko) * | 2013-05-21 | 2020-02-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착원 및 유기층 증착 장치 |
WO2015027099A1 (en) | 2013-08-21 | 2015-02-26 | Nol-Tec Systems, Inc. | Dispensing assembly with continuous loss of weight feed control |
JP6111171B2 (ja) * | 2013-09-02 | 2017-04-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
TWI684754B (zh) * | 2014-03-06 | 2020-02-11 | 愛爾蘭商愛克斯崔里斯環球公司 | 吸入性取樣系統之改良技術 |
US10392700B2 (en) * | 2014-04-21 | 2019-08-27 | Entegris, Inc. | Solid vaporizer |
CN104544764B (zh) * | 2014-11-30 | 2017-03-01 | 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 | 一种制鞋烘道 |
US10675854B2 (en) * | 2015-01-16 | 2020-06-09 | Raytheon Technologies Corporation | Additive processing apparatus and method |
SG10201909490SA (en) * | 2015-05-12 | 2019-11-28 | Entegris Inc | Valve assemblies and fluid storage and dispensing packages comprising same |
TWI624554B (zh) * | 2015-08-21 | 2018-05-21 | 弗里松股份有限公司 | 蒸發源 |
US10982319B2 (en) | 2015-08-21 | 2021-04-20 | Flisom Ag | Homogeneous linear evaporation source |
CN105056421B (zh) * | 2015-09-09 | 2018-07-17 | 大同裕隆环保有限责任公司 | 失效自检式化学氧自救器 |
CN105180674A (zh) * | 2015-09-30 | 2015-12-23 | 山东泰行环保科技有限公司 | 散热器的抽真空充气*** |
JP6626194B2 (ja) * | 2015-10-27 | 2019-12-25 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.Hewlett‐Packard Development Company, L.P. | 揮発性有機化合物の輸送 |
US9446742B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-20 | NuVinAir, LLC | Apparatus and system for air-borne cleaning of surfaces |
US11535205B2 (en) | 2015-11-10 | 2022-12-27 | NuVinAir, LLC | Apparatus and systems with timer for air-borne cleaning of surfaces |
US10207878B1 (en) | 2016-03-31 | 2019-02-19 | Nol-Tec Systems, Inc. | Pneumatic conveying system utilizing a pressured hopper with intermittent volumetric feed control |
US10072962B2 (en) | 2016-07-05 | 2018-09-11 | Ecolab Usa Inc. | Liquid out-of-product alarm system and method |
KR102001553B1 (ko) * | 2016-10-20 | 2019-07-17 | (주)플렉센스 | 바이오센서 |
CA2988898C (en) * | 2016-12-21 | 2021-05-11 | Viavi Solutions Inc. | Particles having a vapor deposited colorant |
CA2988904C (en) | 2016-12-21 | 2020-05-05 | Viavi Solutions Inc. | Hybrid colored metallic pigment |
KR102344996B1 (ko) | 2017-08-18 | 2021-12-30 | 삼성전자주식회사 | 전구체 공급 유닛, 기판 처리 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
US10179318B1 (en) * | 2017-09-20 | 2019-01-15 | Airgas, Inc. | Method for generating formaldehyde monomer vapor |
US10112165B1 (en) * | 2017-09-20 | 2018-10-30 | Airgas, Inc. | Apparatus for generating formaldehyde monomer vapor |
JP7137921B2 (ja) * | 2017-11-07 | 2022-09-15 | 株式会社堀場エステック | 気化システム及び気化システム用プログラム |
DE102017126126A1 (de) * | 2017-11-08 | 2019-05-09 | Aixtron Se | Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen eines Dampfes durch die Verwendung von in einem Regelmodus gewonnenen Steuerdaten |
JP2019151894A (ja) * | 2018-03-05 | 2019-09-12 | 東芝メモリ株式会社 | 気化装置および気化ガス供給ユニット |
US10307783B1 (en) * | 2018-05-15 | 2019-06-04 | The Procter & Gamble Company | Microfluidic cartridge and microfluidic delivery device comprising the same |
CN110648910A (zh) | 2018-06-26 | 2020-01-03 | 株式会社国际电气 | 半导体器件的制造方法、零件的管理方法、基板处理装置及记录介质 |
US11634812B2 (en) * | 2018-08-16 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Solid source sublimator |
WO2020097052A1 (en) * | 2018-11-05 | 2020-05-14 | Juul Labs, Inc. | Cartridges for vaporizer devices |
FR3088078B1 (fr) * | 2018-11-06 | 2021-02-26 | Riber | Dispositif d'evaporation pour systeme d'evaporation sous vide, appareil et procede de depot d'un film de matiere |
CN109718720B (zh) * | 2018-11-21 | 2021-08-06 | 兰州空间技术物理研究所 | 一种低压气体氛围模拟装置 |
CN109621868B (zh) * | 2018-12-13 | 2020-12-04 | 滨州富创科技服务有限公司 | 一种摆动型氯化氢生产装置 |
JP6887688B2 (ja) * | 2019-02-07 | 2021-06-16 | 株式会社高純度化学研究所 | 蒸発原料用容器、及びその蒸発原料用容器を用いた固体気化供給システム |
JP6901153B2 (ja) | 2019-02-07 | 2021-07-14 | 株式会社高純度化学研究所 | 薄膜形成用金属ハロゲン化合物の固体気化供給システム。 |
US11404290B2 (en) * | 2019-04-05 | 2022-08-02 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for pulse gas delivery |
KR20220057608A (ko) * | 2019-09-18 | 2022-05-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 원료 가스 공급 시스템 및 원료 가스 공급 방법 |
KR20220069094A (ko) | 2019-10-04 | 2022-05-26 | 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레뜌드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 | 저휘발성 전구체 공급 시스템 |
US20210123134A1 (en) | 2019-10-24 | 2021-04-29 | Entegris, Inc. | Sublimation ampoule with level sensing |
US20230002900A1 (en) * | 2019-12-16 | 2023-01-05 | Fujikin Incorporated | Vaporization supply method and vaporization supply device |
CN111203155A (zh) * | 2020-01-16 | 2020-05-29 | 天津大学 | 用于制备固体气相反应物的二级加温前处理*** |
KR102319130B1 (ko) * | 2020-03-11 | 2021-10-29 | 티오에스주식회사 | 가변 온도조절 장치를 구비한 금속-산화물 전자빔 증발원 |
CN113930738B (zh) * | 2020-06-29 | 2023-09-12 | 宝山钢铁股份有限公司 | 一种真空镀膜用的金属蒸汽调制装置及其调制方法 |
CN111733392A (zh) * | 2020-07-01 | 2020-10-02 | 中国科学院化学研究所 | 一种气相团簇反应装置、反应***与方法 |
TWI745063B (zh) * | 2020-08-31 | 2021-11-01 | 七宇實業股份有限公司 | 以低動力控制大流量之氣體安全裝置 |
EP3991833A1 (en) * | 2020-10-30 | 2022-05-04 | Hysilabs, SAS | System for on-demand production of hydrogen from a carrier fluid and disposal of solid byproducts |
US11834740B2 (en) * | 2020-11-10 | 2023-12-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus, system, and method for generating gas for use in a process chamber |
US11584990B2 (en) | 2021-07-02 | 2023-02-21 | Applied Materials, Inc. | Bottom fed sublimation bed for high saturation efficiency in semiconductor applications |
CN115415224B (zh) * | 2022-09-01 | 2024-03-22 | 山西华青环保股份有限公司 | 一种耐压耐热磷酸法活性炭酸洗装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01265511A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-23 | Sumitomo Chem Co Ltd | 気相成長に用いる担体担持有機金属化合物及びこれを用いた気相成長用有機金属化合物供給装置 |
JPH04333572A (ja) * | 1991-05-10 | 1992-11-20 | Chodendo Hatsuden Kanren Kiki Zairyo Gijutsu Kenkyu Kumiai | 酸化物超電導体用mo原料の気化方法 |
JPH10317169A (ja) * | 1997-05-13 | 1998-12-02 | Surface Technol Syst Ltd | 被加工物のエッチング方法とその装置 |
JP2001003154A (ja) * | 1999-05-10 | 2001-01-09 | Eaton Corp | イオン注入装置における汚染された表面を洗浄するための方法および装置 |
JP2004134741A (ja) * | 2002-06-17 | 2004-04-30 | Asm Internatl Nv | 反応物の昇華を制御するためのシステム |
JP2004525253A (ja) * | 2000-09-19 | 2004-08-19 | ザクティクス・インコーポレイテッド | 半導体サンプルのエッチング装置及び昇華によるガスの供給源 |
Family Cites Families (63)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2721064A (en) * | 1951-10-03 | 1955-10-18 | Hugo O Reichardt | Carbonating device |
US2769624A (en) * | 1953-07-16 | 1956-11-06 | Okey S Burnside | Air cleaner and moistener for carburetors |
US3834682A (en) * | 1972-06-19 | 1974-09-10 | American Hospital Supply Corp | Mixing column for medical humidifier and method of humidifying inhalable gases |
US4190965A (en) * | 1979-01-15 | 1980-03-04 | Alternative Pioneering Systems, Inc. | Food dehydrator |
US4600123A (en) * | 1982-12-16 | 1986-07-15 | Rocket Research Company, A Division Of Rockor, Inc. | Propellant augmented pressurized gas dispensing device |
JPS60244332A (ja) * | 1984-05-21 | 1985-12-04 | Sharp Corp | 凝縮性材料のガス化供給装置 |
JPH0817804B2 (ja) * | 1987-12-23 | 1996-02-28 | 雪印乳業株式会社 | 殺菌剤気化装置 |
JPH0269389A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-08 | Toyo Stauffer Chem Co | 有機金属気相成長法における固体有機金属化合物の飽和蒸気生成方法 |
ATE139580T1 (de) * | 1989-09-26 | 1996-07-15 | Canon Kk | Gasversorgungsvorrichtung und ihre verwendung für eine filmabscheidungsanlage |
JPH0598445A (ja) * | 1991-07-05 | 1993-04-20 | Chodendo Hatsuden Kanren Kiki Zairyo Gijutsu Kenkyu Kumiai | 有機金属化学気相蒸着用原料容器 |
US5347460A (en) * | 1992-08-25 | 1994-09-13 | International Business Machines Corporation | Method and system employing optical emission spectroscopy for monitoring and controlling semiconductor fabrication |
US5370568A (en) * | 1993-03-12 | 1994-12-06 | Harris Corporation | Curing of a tungsten filament in an ion implanter |
US5607002A (en) * | 1993-04-28 | 1997-03-04 | Advanced Delivery & Chemical Systems, Inc. | Chemical refill system for high purity chemicals |
FR2727322B1 (fr) * | 1994-11-30 | 1996-12-27 | Kodak Pathe | Procede pour la sublimation d'un materiau solide et dispositif pour la mise en oeuvre du procede |
JP3609131B2 (ja) * | 1994-12-06 | 2005-01-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | イオンドーピング装置のクリーニング方法 |
JPH1025576A (ja) * | 1996-04-05 | 1998-01-27 | Dowa Mining Co Ltd | Cvd成膜法における原料化合物の昇華方法 |
US5917140A (en) * | 1996-05-21 | 1999-06-29 | Advanced Technology Materials, Inc. | Sorbent-based fluid storage and dispensing vessel with enhanced heat transfer means |
US6413476B1 (en) * | 1996-12-05 | 2002-07-02 | Mary F. Barnhart | Aromatic diffuser with replaceable cartridge |
US5943594A (en) * | 1997-04-30 | 1999-08-24 | International Business Machines Corporation | Method for extended ion implanter source lifetime with control mechanism |
US5851270A (en) * | 1997-05-20 | 1998-12-22 | Advanced Technology Materials, Inc. | Low pressure gas source and dispensing apparatus with enhanced diffusive/extractive means |
US6534007B1 (en) * | 1997-08-01 | 2003-03-18 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Method and apparatus for detecting the endpoint of a chamber cleaning |
US6018065A (en) * | 1997-11-10 | 2000-01-25 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method of fabricating iridium-based materials and structures on substrates, iridium source reagents therefor |
US6143191A (en) * | 1997-11-10 | 2000-11-07 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method for etch fabrication of iridium-based electrode structures |
US6135128A (en) * | 1998-03-27 | 2000-10-24 | Eaton Corporation | Method for in-process cleaning of an ion source |
US6620256B1 (en) * | 1998-04-28 | 2003-09-16 | Advanced Technology Materials, Inc. | Non-plasma in-situ cleaning of processing chambers using static flow methods |
US6107634A (en) * | 1998-04-30 | 2000-08-22 | Eaton Corporation | Decaborane vaporizer |
US6454860B2 (en) * | 1998-10-27 | 2002-09-24 | Applied Materials, Inc. | Deposition reactor having vaporizing, mixing and cleaning capabilities |
US6259105B1 (en) * | 1999-05-10 | 2001-07-10 | Axcelis Technologies, Inc. | System and method for cleaning silicon-coated surfaces in an ion implanter |
JP2000350970A (ja) * | 1999-05-10 | 2000-12-19 | Eaton Corp | イオン注入装置における汚染された表面を洗浄するための方法および装置 |
JP3909792B2 (ja) * | 1999-08-20 | 2007-04-25 | パイオニア株式会社 | 化学気相成長法における原料供給装置及び原料供給方法 |
US6288403B1 (en) * | 1999-10-11 | 2001-09-11 | Axcelis Technologies, Inc. | Decaborane ionizer |
US6455903B1 (en) * | 2000-01-26 | 2002-09-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Dual threshold voltage MOSFET by local confinement of channel depletion layer using inert ion implantation |
EP1160355B1 (en) * | 2000-05-31 | 2004-10-27 | Shipley Company LLC | Bubbler |
US6841008B1 (en) * | 2000-07-17 | 2005-01-11 | Cypress Semiconductor Corporation | Method for cleaning plasma etch chamber structures |
US6581915B2 (en) * | 2000-07-27 | 2003-06-24 | The Procter & Gamble Company | Dispensing device for dispensing scents |
US6780700B2 (en) * | 2000-08-28 | 2004-08-24 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method of fabricating deep sub-micron CMOS source/drain with MDD and selective CVD silicide |
JPWO2002050883A1 (ja) * | 2000-12-18 | 2004-04-22 | 住友精密工業株式会社 | 洗浄方法とエッチング方法 |
US6685803B2 (en) * | 2001-06-22 | 2004-02-03 | Applied Materials, Inc. | Plasma treatment of processing gases |
US6718126B2 (en) * | 2001-09-14 | 2004-04-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for vaporizing solid precursor for CVD or atomic layer deposition |
US7780785B2 (en) * | 2001-10-26 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus for atomic layer deposition |
US6620225B2 (en) * | 2002-01-10 | 2003-09-16 | Advanced Technology Materials, Inc. | Adsorbents for low vapor pressure fluid storage and delivery |
US7601225B2 (en) * | 2002-06-17 | 2009-10-13 | Asm International N.V. | System for controlling the sublimation of reactants |
US7186385B2 (en) * | 2002-07-17 | 2007-03-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for providing gas to a processing chamber |
US6921062B2 (en) * | 2002-07-23 | 2005-07-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | Vaporizer delivery ampoule |
US7300038B2 (en) * | 2002-07-23 | 2007-11-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material |
US6915592B2 (en) * | 2002-07-29 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for generating gas to a processing chamber |
US6841141B2 (en) * | 2002-09-26 | 2005-01-11 | Advanced Technology Materials, Inc. | System for in-situ generation of fluorine radicals and/or fluorine-containing interhalogen (XFn) compounds for use in cleaning semiconductor processing chambers |
US7296458B2 (en) * | 2002-10-17 | 2007-11-20 | Advanced Technology Materials, Inc | Nickel-coated free-standing silicon carbide structure for sensing fluoro or halogen species in semiconductor processing systems, and processes of making and using same |
US7080545B2 (en) * | 2002-10-17 | 2006-07-25 | Advanced Technology Materials, Inc. | Apparatus and process for sensing fluoro species in semiconductor processing systems |
US7228724B2 (en) * | 2002-10-17 | 2007-06-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Apparatus and process for sensing target gas species in semiconductor processing systems |
US6908846B2 (en) * | 2002-10-24 | 2005-06-21 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for detecting endpoint during plasma etching of thin films |
US6779378B2 (en) * | 2002-10-30 | 2004-08-24 | Asm International N.V. | Method of monitoring evaporation rate of source material in a container |
US7098143B2 (en) * | 2003-04-25 | 2006-08-29 | Texas Instruments Incorporated | Etching method using an at least semi-solid media |
JP4374487B2 (ja) * | 2003-06-06 | 2009-12-02 | 株式会社Sen | イオン源装置およびそのクリーニング最適化方法 |
AU2004287485A1 (en) * | 2003-11-05 | 2005-05-19 | Santarus, Inc. | Combination of proton pump inhibitor and sleep aid |
US7190512B2 (en) * | 2004-04-29 | 2007-03-13 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Optical properties restoration apparatus, the restoration method, and an optical system used in the apparatus |
US20050260354A1 (en) * | 2004-05-20 | 2005-11-24 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | In-situ process chamber preparation methods for plasma ion implantation systems |
US20050279384A1 (en) * | 2004-06-17 | 2005-12-22 | Guidotti Emmanuel P | Method and processing system for controlling a chamber cleaning process |
US7819981B2 (en) * | 2004-10-26 | 2010-10-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | Methods for cleaning ion implanter components |
US20060115590A1 (en) * | 2004-11-29 | 2006-06-01 | Tokyo Electron Limited; International Business Machines Corporation | Method and system for performing in-situ cleaning of a deposition system |
DE602006019124D1 (de) * | 2005-11-14 | 2011-02-03 | Hiddenhook Ltd | Stützanordnung |
US20070194470A1 (en) * | 2006-02-17 | 2007-08-23 | Aviza Technology, Inc. | Direct liquid injector device |
US20080142039A1 (en) * | 2006-12-13 | 2008-06-19 | Advanced Technology Materials, Inc. | Removal of nitride deposits |
-
2006
- 2006-03-09 US US11/908,964 patent/US20080191153A1/en not_active Abandoned
- 2006-03-09 KR KR1020127000961A patent/KR101300266B1/ko active IP Right Grant
- 2006-03-09 EP EP06737686.3A patent/EP1866074A4/en not_active Withdrawn
- 2006-03-09 WO PCT/US2006/008530 patent/WO2006101767A2/en active Application Filing
- 2006-03-09 KR KR1020077023641A patent/KR101299791B1/ko active IP Right Grant
- 2006-03-09 CN CN2006800167770A patent/CN101495190B/zh active Active
- 2006-03-09 JP JP2008501921A patent/JP4922286B2/ja active Active
- 2006-03-09 SG SG201001786-1A patent/SG160401A1/en unknown
- 2006-03-15 TW TW095108712A patent/TW200700141A/zh unknown
- 2006-03-15 TW TW102140367A patent/TWI436818B/zh active
-
2011
- 2011-12-01 JP JP2011263316A patent/JP5265750B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01265511A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-23 | Sumitomo Chem Co Ltd | 気相成長に用いる担体担持有機金属化合物及びこれを用いた気相成長用有機金属化合物供給装置 |
JPH04333572A (ja) * | 1991-05-10 | 1992-11-20 | Chodendo Hatsuden Kanren Kiki Zairyo Gijutsu Kenkyu Kumiai | 酸化物超電導体用mo原料の気化方法 |
JPH10317169A (ja) * | 1997-05-13 | 1998-12-02 | Surface Technol Syst Ltd | 被加工物のエッチング方法とその装置 |
JP2001003154A (ja) * | 1999-05-10 | 2001-01-09 | Eaton Corp | イオン注入装置における汚染された表面を洗浄するための方法および装置 |
JP2004525253A (ja) * | 2000-09-19 | 2004-08-19 | ザクティクス・インコーポレイテッド | 半導体サンプルのエッチング装置及び昇華によるガスの供給源 |
JP2004134741A (ja) * | 2002-06-17 | 2004-04-30 | Asm Internatl Nv | 反応物の昇華を制御するためのシステム |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101398640B1 (ko) * | 2012-11-05 | 2014-05-27 | 한국표준과학연구원 | 고온 보관 장치 |
JP2017537248A (ja) * | 2014-10-06 | 2017-12-14 | ビーエイチエイ アルテア,エルエルシー | ガスタービンエンジンアセンブリに使用するためのろ過システム、及びその組立方法 |
WO2017187866A1 (ja) * | 2016-04-26 | 2017-11-02 | レール・リキード-ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | 前駆体の供給システムおよび前駆体の供給方法 |
JPWO2017187866A1 (ja) * | 2016-04-26 | 2018-11-29 | 日本エア・リキード株式会社 | 前駆体の供給システムおよび前駆体の供給方法 |
US11819838B2 (en) | 2016-04-26 | 2023-11-21 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Precursor supply system and precursors supply method |
US11274367B2 (en) | 2018-07-24 | 2022-03-15 | Lintec Co., Ltd. | Vaporizer |
KR20200140389A (ko) * | 2018-07-24 | 2020-12-15 | 가부시키가이샤 린텍쿠 | 기화기 |
KR102292156B1 (ko) | 2018-07-24 | 2021-08-24 | 가부시키가이샤 린텍쿠 | 기화기 |
JP2020020036A (ja) * | 2018-07-24 | 2020-02-06 | 株式会社リンテック | 気化器 |
WO2020021796A1 (ja) * | 2018-07-24 | 2020-01-30 | 株式会社リンテック | 気化器 |
JP2021031740A (ja) * | 2019-08-27 | 2021-03-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 原料ガス供給システム及び原料ガス供給方法 |
WO2021039493A1 (ja) * | 2019-08-27 | 2021-03-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 原料ガス供給システム及び原料ガス供給方法 |
JPWO2021060083A1 (ja) * | 2019-09-24 | 2021-04-01 | ||
WO2021060083A1 (ja) * | 2019-09-24 | 2021-04-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 原料供給装置及び原料供給方法 |
JP7478028B2 (ja) | 2020-05-27 | 2024-05-02 | 大陽日酸株式会社 | 固体材料供給装置 |
WO2024009845A1 (ja) * | 2022-07-07 | 2024-01-11 | 大陽日酸株式会社 | 固体材料容器、固体材料供給装置、及び固体材料供給方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101299791B1 (ko) | 2013-08-23 |
CN101495190B (zh) | 2013-05-01 |
KR101300266B1 (ko) | 2013-08-23 |
US20080191153A1 (en) | 2008-08-14 |
SG160401A1 (en) | 2010-04-29 |
TW200700141A (en) | 2007-01-01 |
TW201406453A (zh) | 2014-02-16 |
JP2012052669A (ja) | 2012-03-15 |
KR20120019508A (ko) | 2012-03-06 |
TWI436818B (zh) | 2014-05-11 |
JP4922286B2 (ja) | 2012-04-25 |
CN101495190A (zh) | 2009-07-29 |
EP1866074A4 (en) | 2017-01-04 |
KR20070113290A (ko) | 2007-11-28 |
WO2006101767A3 (en) | 2009-04-09 |
EP1866074A2 (en) | 2007-12-19 |
WO2006101767A2 (en) | 2006-09-28 |
JP5265750B2 (ja) | 2013-08-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5265750B2 (ja) | イオン注入システム及びフッ素化学物質供給源並びに二フッ化キセノン供給方法 | |
EP0854749B1 (en) | Fluid storage and delivery system comprising high work capacity physical sorbent | |
US5704965A (en) | Fluid storage and delivery system utilizing carbon sorbent medium | |
US6915592B2 (en) | Method and apparatus for generating gas to a processing chamber | |
EP1871703B1 (en) | Efficient system and method for delivery of product and return of carrier | |
US6027547A (en) | Fluid storage and dispensing vessel with modified high surface area solid as fluid storage medium | |
CN101476115A (zh) | 蒸发器输送安瓿 | |
JP2003234292A (ja) | 低蒸気圧プロセス化学物質の貯蔵及び送給装置と方法 | |
WO1998052678A1 (en) | Manufacturing process for gas source and dispensing systems | |
JP2011099562A (ja) | 吸着剤前処理を利用した吸着型気体貯蔵及び計量分配システムの製造方法 | |
WO2007134183A2 (en) | Chemical reagent delivery system utilizing ionic liquid storage medium | |
WO2002088594A1 (en) | Method and apparatus for the delivery of liquefied gases having constant impurity levels | |
JP4354460B2 (ja) | スラッシュ窒素の製造方法及びその製造装置 | |
JP5700570B2 (ja) | 吸着性流体の貯蔵ならびに計量分配用の吸着・脱着装置及び流体試薬の供給方法 | |
JP2013256709A (ja) | 固体材料ガスの供給方法 | |
JP2008523580A (ja) | ペンタボラン(9)の保管および送出 | |
WO2015187859A1 (en) | Enhanced capacity fluid storage transport, and dispensing apparatus | |
JP2009008265A5 (ja) | ||
WO2015187864A1 (en) | Thermal management of fluid storage and dispensing vessels | |
KR20110122740A (ko) | 간단한 분말 공급 및 기화기기 | |
KR100496769B1 (ko) | 흡습성 고체 전구체 기화장치 | |
JP2000189924A (ja) | ポリスチレン樹脂廃棄物の熱分解装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090309 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090309 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090730 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110331 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110629 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110706 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110801 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110902 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111201 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120105 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120203 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4922286 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150210 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |