JPH10308591A - 半導体マイクロ波増幅器 - Google Patents
半導体マイクロ波増幅器Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 72
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 16
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 31
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 10
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K9/0007—Casings
- H05K9/002—Casings with localised screening
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10166—Transistor
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
- H05K2201/10371—Shields or metal cases
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
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Abstract
続インピーダンスが低く、且つ入出力間や多層プリント
基板実装時におけるプリント基板表裏間のアイソレーシ
ョンが高い簡易な構造の半導体マイクロ波増幅器を提供
すること。 【解決手段】 この増幅器は、接地電極7に接続されて
入力電極3及び出力電極5を高周波的に分離して電磁的
結合を遮蔽する金属板(電磁結合遮蔽手段)1と、半導
体増幅素子2の接地部を入出力側マイクロストリップ線
路(4,6)の接地面10に接続した2カ所のスルーホ
ール(接地接続手段)9とを有する。金属板1はスルー
ホール9に挿入されてリフロー時の半田11のスルーホ
ール9に対する流入防止手段として働く部分を有し、そ
の一部がスルーホール9に挿入されて接地状態となって
半田11で固定される。半田11はリフロー前は接地ラ
ンド8の表面に塗布され、リフロー時に接地電極7及び
金属板1を同時に固定する。
Description
やリフローが容易な表面実装半導体増幅素子を用いたマ
イクロストリップ線路による半導体マイクロ波増幅器に
関する。
においては、小型の半導体増幅素子を使用することによ
り半導体増幅素子の入力電極及び出力電極の距離が近く
なってしまうため、高周波的なアイソレーションを得る
ことが困難となっている。この結果、利得の周波数特性
の偏差が大きくなってしまう他、出力電力が得られなく
なってしまったり、或いは出力電力が入力に正帰還され
て発振し易いといった様々な問題がある。
術開発も行われている。例えば特公昭63−63121
号公報(特開昭57−141944号公報)に開示され
たマイクロ波半導体装置では、半導体増幅素子を所定の
形状の開口を有する金属で覆うことにより、所要のアイ
ソレーションを得ている。
されたマイクロ波増幅器では、増幅素子に表面実装電界
効果トランジスタを用いてマイクロストリップ高周波増
幅回路を構成している。このマイクロ波増幅器の場合、
ソース電極の接地はスルーホールを用いて行われるが、
スルーホールはインダクタンスを持っており、リターン
ロスの劣化,利得の低下,正帰還による発振,出力電力
の低下等の短所を生じる要因となる。そこで、こうした
短所を回避するため、スルーホールのインダクタンスを
低下させることが必要となるが、その対策として大径の
スルーホールを用いるようにし、ソース電極及び接地面
間の余分な分布定数を削減するためにスルーホールをで
きるだけソース電極の近傍に設置している。こうした対
策は、電界効果トランジスタ以外の半導体増幅素子を用
いた場合の接地電極の接地面への接続についても同様に
効果を奏する。
63121号公報のマイクロ波半導体装置の場合、半導
体増幅素子が接地面に直接実装できる形状の場合には有
効であるが、プリント基板に表面実装する形状の表面実
装半導体増幅素子を用いると、これを金属で覆うために
はプリント基板に金属取り付けのための穴あけや接地面
を得るための接続等の特殊な加工を要して構造が複雑に
なってしまう上、マイクロストリップ増幅回路を構成す
る際に金属を接地電極に低インピーダンスで接続する必
要に対して形状的に困難となるため、表面実装半導体増
幅素子には実施できないという難点がある。
クロ波半導体装置の場合、プリント基板に穴があいてア
イソレーションが低下するため、高周波的にプリント基
板の表裏のアイソレーションが必要な場合に接地面を内
層にとる際にマイクロストリップ線路の接地面が多層プ
リント基板の内層にある場合に実施できないという問題
がある。
イクロ波半導体装置の場合、一般的な表面実装部品の自
動搭載機は2次元的にのみ部品実装を行うことができる
もので、このような立体的な形状の組立には対応してい
ないため、表面実装部品の自動搭載が容易でないという
問題もある。
イクロ波増幅器の場合、インピーダンス低下のために大
径のスルーホールを接地電極の近傍に設置する必要があ
るが、素子の半田付けをリフローで行うと半田がスルー
ホールに流れ込んでしまい、接地電極固定に必要な半田
までとられてしまう等、接地電極の半田付けが劣化する
ことがあるため、構造的に半導体増幅素子の接地電極及
びマイクロストリップ線路の接地面間の接続インピーダ
ンスを下げることが困難になっている。
なされたもので、その技術的課題は、半導体増幅素子の
接地電極及び接地面間の接続インピーダンスが低く、且
つ入出力間や多層プリント基板実装時におけるプリント
基板表裏間のアイソレーションが高く、しかも簡易な構
造で自動搭載機の使用が可能な半導体マイクロ波増幅器
を提供することにある。
ロストリップ線路上に設けられた入力電極及び出力電極
と、接地電極とが半導体増幅素子に接続されて成る半導
体マイクロ波増幅器において、接地電極に接続されると
共に、入力電極及び出力電極を高周波的に分離して電磁
的結合を遮蔽する電磁結合遮蔽手段と、半導体増幅素子
の接地部をマイクロストリップ線路の接地面に接続した
接地接続手段とを有する半導体マイクロ波増幅器が得ら
れる。
波増幅器において、接地接続手段は、スルーホールであ
る半導体マイクロ波増幅器が得られる。
ロ波増幅器において、電磁結合遮蔽手段は、スルーホー
ルに挿入されてリフロー時の該スルーホールへの半田流
入防止手段となる部分を含む半導体マイクロ波増幅器が
得られる。
の半導体マイクロ波増幅器において、電磁結合遮蔽手段
は、自動搭載機による実装時に被吸着手段となる局部を
含む半導体マイクロ波増幅器が得られる。
幅素子の入力電極及び出力電極間の電磁的結合を遮断す
るための電磁結合遮断手段としての金属板と、半導体増
幅素子の接地電極をマイマクロストリップ線路の接地面
に低インピーダンスで接続する接続手段としてのスルー
ホールとを有する。金属板は半導体増幅素子の接地電極
に低インピーダンスで接続され、半導体増幅素子の周辺
空間を伝わって入出力間に直接結合する電磁波を遮断す
るが、この金属板はスルーホールに挿入されてリフロー
時の半田のスルーホールに対する流入防止手段として働
く部分と、自動搭載機を用いた実装時に自動搭載機によ
る被吸着手段として働く局部とを有している。
導体マイクロ波増幅器について、図面を参照して詳細に
説明する。
イクロ波増幅器の基本構成を示したもので、同図(a)
はその平面図に関するもの,同図(b)は同図(a)の
A−A′方向における側面断面図に関するもの,同図
(c)は同図(a)のB−B′方向における側面断面図
に関するものである。
向するように設置された入力側マイクロストリップ線路
4上に設けられた入力電極3及び出力側マイクロストリ
ップ線路6上に設けられた出力電極5と、互いに対向す
るように設置された接地ランド8上に設けられた接地電
極7とがそれぞれ半導体増幅素子2に接続されて成って
いる他、接地電極7に接続されると共に、入力電極3及
び出力電極5を高周波的に分離して電磁的結合を遮蔽す
る電磁結合遮蔽手段としての金属板1と、半導体増幅素
子2の接地部を入力側マイクロストリップ線路4及び出
力側マイクロストリップ線路6の接地面10に接続した
接地接続手段としての2カ所のスルーホール9とを有し
ている。
されてリフロー時の半田11のスルーホール9に対する
流入防止手段として働く部分を有している。
マイクロ波信号が入力側マイクロストリップ線路4から
半導体増幅素子2の入力電極3を通り、半導体増幅素子
2で増幅された後、半導体増幅素子3の出力電極5を通
って出力側マイクロストリップ線路6へ出力される。半
導体増幅素子2の接地電極7は接地ランド8に接続され
ており、接地ランド8はスルーホール9によって出力側
マイクロストリップ線路6の接地面10に接続されてい
る。金属板1は入力電極3及び出力電極5を仕切るよう
に配置され、その一部がスルーホール9に挿入されて接
地状態となって半田11により固定される。半田11は
リフロー前は接地ランド8の表面に塗布されていたもの
で、リフロー時に接地電極7及び金属板1を同時に固定
する。
程、又数が多い程インピーダンスが低くなるので好まし
い。スルーホール9の最低内径は例えば0.7mm以上
が必要となる。又、スルーホール9及び接地電極7の距
離も近い方が良く、できれば接しているか、或いはスル
ーホール9の一部が接地電極7の下に潜り込む程度が好
ましい。更に、スルーホール9は半導体増幅素子2の近
くに配置された方が良い。これらの要件は半導体増幅素
子2から見た接地インピーダンスが下がるためである。
けの良好なものが好ましい。具体的には半田メッキした
銅板が好適である。金属板1は半導体増幅回路が電磁的
に密封されている金属容器壁面に接触させることによ
り、一層アイソレーション効果を高めることができる。
電極5側に設置した構成としたが、金属板1は入力電極
3側に設置されても良い。
マイクロ波増幅器の基本構成を示したもので、同図
(a)はその平面図に関するもの,同図(b)は同図
(a)のC−C′方向における側面断面図に関するもの
である。
一実施例のものと比べると、金属板1に代えて板金加工
等により上面が平らで、自動搭載機のノズルによる吸着
が可能なコの字型金属板12が使用されている。即ち、
コの字型金属板12は自動搭載機による実装時に被吸着
手段となる局部を含むため、これにより自動搭載機のノ
ズルによる吸着が可能となり、取り付け性が向上する。
合、多層(ここでは4層)プリント基板の内層を使用し
て入力側マイクロストリップ線路4及び出力側マイクロ
ストリップ線路6の内層接地面13を有する構造として
おり、プリント基板の裏面との高周波的なアイソレーシ
ョンを得ている。従って、プリント基板の裏面に別の回
路を配置でき、単位面積当たりの部品搭載数を増やすこ
とができる。
場合、スルーホール9が4カ所になっていることから接
地電極7と入力側マイクロストリップ線路4及び出力側
マイクロストリップ線路6の内層接地面13との間の接
続インピーダンスを下げることができる。
機による実装時に被吸着手段となる局部は、先の一実施
例の金属板1に持たせるようにすることも可能である。
クロ波増幅器によれば、半導体増幅素子の入力電極及び
出力電極間の電磁的結合を遮断するための電磁結合遮断
手段としての金属板と、半導体増幅素子の接地電極をマ
イマクロストリップ線路の接地面に低インピーダンスで
接続する接続手段としてのスルーホールとを有する構成
とし、更に金属板がスルーホールに挿入されてリフロー
時の半田のスルーホールに対する流入防止手段として働
く部分と、自動搭載機を用いた実装時に自動搭載機によ
る被吸着手段として働く局部とを有するものとしている
ため、半導体増幅素子の接地電極及び接地面間の接続イ
ンピーダンスが低く、且つ入出力間や多層プリント基板
実装時におけるプリント基板表裏間のアイソレーション
が高く、しかも簡易な構造で自動搭載機の使用によって
簡便な組み立てが可能となる。
幅器の場合、半導体増幅素子の入力電極及び出力電極間
に接地電極と接続される電磁結合遮断手段としての金属
板を設けて電磁的結合を遮断することによって入出力間
アイソレーションを高めることができるため、利得の周
波数特性の偏差が小さくなり、出力電力が充分に得ら
れ、出力電力が入力に正帰還されて生じる発振も防止す
ることができる。
ストリップ線路の接地面とを繋ぐスルーホールを塞ぐ構
造になっていることにより、大径のスルーホールを使用
してもリフロー時に半田がスルーホールに流れ込んで半
導体増幅素子の接地電極が半田付け不良になることが防
止されるため、リフローで取り付ける表面実装半導体増
幅素子の接地電極をマイクロストリップ線路の接地面に
低インピーダンスで接続可能となる。これにより、リタ
ーンロスの劣化,利得の低下,正帰還による発振,出力
電力の低下が生じない。
から搭載できる構造になっているため、一般的な2次元
的に部品実装可能の自動搭載機により容易に組み立てを
行うことができる。
を多層プリント基板の内層にとることにより、その内層
接地面がプリント基板表裏間のアイソレーション効果を
持つため、多層プリント基板の表裏間にアイソレーショ
ンをとることができる。これにより、部品の実装密度を
向上させることができる。
器の基本構成を示したもので、(a)はその平面図に関
するもの,(b)は(a)のA−A′方向における側面
断面図に関するもの,(c)は(a)のB−B′方向に
おける側面断面図に関するものである。
幅器の基本構成を示したもので、(a)はその平面図に
関するもの,(b)は(a)のC−C′方向における側
面断面図に関するものである。
Claims (4)
- 【請求項1】 マイクロストリップ線路上に設けられた
入力電極及び出力電極と、接地電極とが半導体増幅素子
に接続されて成る半導体マイクロ波増幅器において、前
記接地電極に接続されると共に、前記入力電極及び前記
出力電極を高周波的に分離して電磁的結合を遮断する電
磁結合遮蔽手段と、前記半導体増幅素子の接地部を前記
マイクロストリップ線路の接地面に接続した接地接続手
段とを有することを特徴とする半導体マイクロ波増幅
器。 - 【請求項2】 請求項1の半導体マイクロ波増幅器にお
いて、前記接地接続手段は、スルーホールであることを
特徴とする半導体マイクロ波増幅器。 - 【請求項3】 請求項2の半導体マイクロ波増幅器にお
いて、前記電磁結合遮蔽手段は、前記スルーホールに挿
入されてリフロー時の該スルーホールへの半田流入防止
手段となる部分を含むことを特徴とする半導体マイクロ
波増幅器。 - 【請求項4】 請求項1〜3の何れか一つに記載の半導
体マイクロ波増幅器において、前記電磁結合遮蔽手段
は、自動搭載機による実装時に被吸着手段となる局部を
含むことを特徴とする半導体マイクロ波増幅器。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9114627A JP2891299B2 (ja) | 1997-05-02 | 1997-05-02 | 半導体マイクロ波増幅器 |
CA002236193A CA2236193C (en) | 1997-05-02 | 1998-04-28 | Semiconductor microwave amplifier |
US09/069,414 US5986506A (en) | 1997-05-02 | 1998-04-29 | Semiconductor microwave amplifier |
AU63764/98A AU735192B2 (en) | 1997-05-02 | 1998-05-01 | Semiconductor microwave amplifier |
EP98303445A EP0876088A3 (en) | 1997-05-02 | 1998-05-01 | Semiconductor microwave amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9114627A JP2891299B2 (ja) | 1997-05-02 | 1997-05-02 | 半導体マイクロ波増幅器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10308591A true JPH10308591A (ja) | 1998-11-17 |
JP2891299B2 JP2891299B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=14642591
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9114627A Expired - Fee Related JP2891299B2 (ja) | 1997-05-02 | 1997-05-02 | 半導体マイクロ波増幅器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5986506A (ja) |
EP (1) | EP0876088A3 (ja) |
JP (1) | JP2891299B2 (ja) |
AU (1) | AU735192B2 (ja) |
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- 1997-05-02 JP JP9114627A patent/JP2891299B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-04-28 CA CA002236193A patent/CA2236193C/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-04-29 US US09/069,414 patent/US5986506A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-05-01 AU AU63764/98A patent/AU735192B2/en not_active Ceased
- 1998-05-01 EP EP98303445A patent/EP0876088A3/en not_active Withdrawn
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0876088A3 (en) | 1999-10-27 |
US5986506A (en) | 1999-11-16 |
CA2236193C (en) | 2001-04-24 |
AU735192B2 (en) | 2001-07-05 |
JP2891299B2 (ja) | 1999-05-17 |
AU6376498A (en) | 1998-11-05 |
CA2236193A1 (en) | 1998-11-02 |
EP0876088A2 (en) | 1998-11-04 |
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