JPS60261159A - マイクロ波回路装置 - Google Patents
マイクロ波回路装置Info
- Publication number
- JPS60261159A JPS60261159A JP11705384A JP11705384A JPS60261159A JP S60261159 A JPS60261159 A JP S60261159A JP 11705384 A JP11705384 A JP 11705384A JP 11705384 A JP11705384 A JP 11705384A JP S60261159 A JPS60261159 A JP S60261159A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- holes
- hole
- conductor
- input
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
- H05K1/0218—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3415—Surface mounted components on both sides of the substrate or combined with lead-in-hole components
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はマイクロ波通信機に使用するトランジスタを用
いたＭ Ｉ Ｃ（Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｉ Ｃ）化高周
波増幅器に用゛いることができるマイクロ波回路装置に
関するものである。
いたＭ Ｉ Ｃ（Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｉ Ｃ）化高周
波増幅器に用゛いることができるマイクロ波回路装置に
関するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、マイクロ波通信機の回路構成としては誘電体基板
上にマイクロス）−１）ノブ線路による回路を形成した
ＭＩＣ回路が一般的に用いられるように力っだが、トラ
ンジスタを用いた増幅器を構成する場合、トランジスタ
の接地を確実にしないと利得が減少したり、動作が不安
定となる。
上にマイクロス）−１）ノブ線路による回路を形成した
ＭＩＣ回路が一般的に用いられるように力っだが、トラ
ンジスタを用いた増幅器を構成する場合、トランジスタ
の接地を確実にしないと利得が減少したり、動作が不安
定となる。
以下図面を参照しながら従来のマイクロ波回路装置につ
いて説明する。第１図は従来のＭＩＣ化増幅器のトラン
ジスタの配設部の要部図面である。
いて説明する。第１図は従来のＭＩＣ化増幅器のトラン
ジスタの配設部の要部図面である。
同図ａは裏面導体２を有する誘電体基板１上に人出力マ
イクロストリップ線路３ａおよび３りを形成し、トラン
ジスタを接地するためのその内側に裏面導体２に接続す
る導体を有する貫通穴４ａおよび４ｂｉ形成したＭＩＣ
基板の要部斜視図である。同図すは同図ａのＭＩＣ基板
にトランジスタ５を実装した要部斜視図で、６ａおよび
６ｂは接地するエミッタ端子、７および８はそれぞれ信
号の入出力のベース端子およびコレクタ端子である。
イクロストリップ線路３ａおよび３りを形成し、トラン
ジスタを接地するためのその内側に裏面導体２に接続す
る導体を有する貫通穴４ａおよび４ｂｉ形成したＭＩＣ
基板の要部斜視図である。同図すは同図ａのＭＩＣ基板
にトランジスタ５を実装した要部斜視図で、６ａおよび
６ｂは接地するエミッタ端子、７および８はそれぞれ信
号の入出力のベース端子およびコレクタ端子である。
同図Ｃは同図すのＡ −Ａ’断面図である。さらに、同
図ｄは同図すのＢ −Ｂ／断面図である。なお、１２は
トランジスタの入出力端子間に生ずる浮遊容量を示す。
図ｄは同図すのＢ −Ｂ／断面図である。なお、１２は
トランジスタの入出力端子間に生ずる浮遊容量を示す。
さて、上記のようなＭＩＣ化増幅器においてはに陥った
り、回路動作が不安定になるという欠点を有していた。
り、回路動作が不安定になるという欠点を有していた。
発明の目的
本発明の目的はマイクロ波帯のＭＩＣ化増幅器の入出力
間の浮遊容量を減少させて回路動作の安定化を図ること
ができるマイクロ波回路装置を提供することにある。
間の浮遊容量を減少させて回路動作の安定化を図ること
ができるマイクロ波回路装置を提供することにある。
発明の構成
本発明のマイクロ波回路装置は、トランジスタの２つの
接地端子を挿入するための２つの穴が幅の狭いスリット
によって結ばれた形状の貫通穴を設けた誘電体基板上に
前記貫通穴のスリット部分に直交するようにその両側に
マイクロストリップ線路が設けられ、前記誘電体基板の
残りの一方の面には接地導体を形成すると共に前記貫通
穴の内側には前記接地導体に接続するように導体を形成
し、前記トランジスタは前記貫通穴の中央部に設け、そ
の入出力端子をそれぞれ前記マイクロストリップ線路に
接続し、かつ前記トランジスタの接地端子を前記２つの
穴の位置で前記接地導体に接続したことを特長とするも
のであり、トランジスタの接地を前記２つの穴の位置で
得ることができ、かつトランジスタの入出力端子間に発
生する浮遊容量を前記幅の狭いスリット状の貫通部によ
って減少することができる利点を有する。
接地端子を挿入するための２つの穴が幅の狭いスリット
によって結ばれた形状の貫通穴を設けた誘電体基板上に
前記貫通穴のスリット部分に直交するようにその両側に
マイクロストリップ線路が設けられ、前記誘電体基板の
残りの一方の面には接地導体を形成すると共に前記貫通
穴の内側には前記接地導体に接続するように導体を形成
し、前記トランジスタは前記貫通穴の中央部に設け、そ
の入出力端子をそれぞれ前記マイクロストリップ線路に
接続し、かつ前記トランジスタの接地端子を前記２つの
穴の位置で前記接地導体に接続したことを特長とするも
のであり、トランジスタの接地を前記２つの穴の位置で
得ることができ、かつトランジスタの入出力端子間に発
生する浮遊容量を前記幅の狭いスリット状の貫通部によ
って減少することができる利点を有する。
実施例の説明
第２図ａは本発明の第１の実施例のマイクロ波回路装置
に用いるＭＩＣ基板の要部斜視図である。
に用いるＭＩＣ基板の要部斜視図である。
同図で、１３は誘電体基板、１４は裏面導体、１５およ
び１６はそれぞれ入出力のマイクロストリップ線路、１
了ａおよび１７ｂは円形の貫通穴、１８は幅の狭いスリ
ットであり、円形の貫通穴１７ａおキび１７ｂを結ぶよ
うに延びている。なお、貫通孔１７ａ、１７ｂおよびス
リット１８はその内側に裏面導体１４を接続するように
導体を形成している。第２図すおよびＣはそれぞれ第２
図ｄのＣ−Ｃ’断面図およびＤ−Ｄ’断面図である。第
３図ａは第２図に示したＭＩＣ基板上にトランジスタを
実装したマイクロ波回路装置の上面図である。
び１６はそれぞれ入出力のマイクロストリップ線路、１
了ａおよび１７ｂは円形の貫通穴、１８は幅の狭いスリ
ットであり、円形の貫通穴１７ａおキび１７ｂを結ぶよ
うに延びている。なお、貫通孔１７ａ、１７ｂおよびス
リット１８はその内側に裏面導体１４を接続するように
導体を形成している。第２図すおよびＣはそれぞれ第２
図ｄのＣ−Ｃ’断面図およびＤ−Ｄ’断面図である。第
３図ａは第２図に示したＭＩＣ基板上にトランジスタを
実装したマイクロ波回路装置の上面図である。
同図で、１９ばトランジスタパッケージ、２０ａおよび
２０ｂは接地するエミッタ端子、２１および２２ばそれ
ぞれ入力のベース端子、および出力のコレクタ端子であ
る。２３ａ 、 ２ｓ’−ｂ 、２４および２５ばはん
だ付は部分である。第３図すおよびＣはそれぞれ第３図
ａのＥ −Ｅ’断面図およびＦ−Ｆ’断面図である。な
お、２６ａおよび２６ｂはそれぞれトランジスタの入出
力端子とスリットの内側の接地導体間の容量である。
２０ｂは接地するエミッタ端子、２１および２２ばそれ
ぞれ入力のベース端子、および出力のコレクタ端子であ
る。２３ａ 、 ２ｓ’−ｂ 、２４および２５ばはん
だ付は部分である。第３図すおよびＣはそれぞれ第３図
ａのＥ −Ｅ’断面図およびＦ−Ｆ’断面図である。な
お、２６ａおよび２６ｂはそれぞれトランジスタの入出
力端子とスリットの内側の接地導体間の容量である。
以上のように構成したマイクロ波回路装置では、トラン
ジスタの接地がトランジスタパッケージ１９のごく近傍
で得ることができ、かつトランジスタの入出力間に発生
する浮遊容量は、第３図Ｃに示すように直列帰還容量の
一部が並列付加容量になるため直列帰還容量が減少し、
回路が発振状態に陥りに〈〈なり、回路動作が安定化さ
れる。
ジスタの接地がトランジスタパッケージ１９のごく近傍
で得ることができ、かつトランジスタの入出力間に発生
する浮遊容量は、第３図Ｃに示すように直列帰還容量の
一部が並列付加容量になるため直列帰還容量が減少し、
回路が発振状態に陥りに〈〈なり、回路動作が安定化さ
れる。
第４図は本発明の第２の実施例に用いるＭＩＣ基板の要
部斜視図である。同図で、２７は誘電体基板、２８は裏
面接地導体、２９および３ｏはそれぞれ入出力のマイク
ロストリップ線路、３１ａおよび３１ｂはトランジスタ
の接地すべき電極の形状に合わせた方形の貫通穴、３２
は幅の狭いスリットで貫通穴３１ａおよび３１ ｂｉ結
ぶようにのびている。なお、貫通孔３１ａ、３１ｂおよ
びスリット３２の内側には裏面導体２８に接続するよう
に導体を形成しである。第５図は実装するトランジスタ
の斜視図である。同図で、３３はトランジスタパノケー
ジ、３４ａおよび３４ｂはそれぞれ第４図に示したＭＩ
Ｃ基板の２つの方形の貫通穴３１ａのおよび３１ｂに入
るように折り曲げた接地するエミッタ端子、３５および
３６はそれぞれ入力のベース端子および出力のコレクタ
端子である。第６図ａは第４図のＭＩＣ基板に第５図の
トランジスタを実装したマイクロ波回路装置の要部上面
図である。同図で、３７ａ、３７ｂ、３Ｂおよび３９は
はんだ付は部分である。第６図すおよびＣはそれぞれ第
６図ａのＧ −Ｇ’断面図およびＨ−Ｈ’断面図である
。
部斜視図である。同図で、２７は誘電体基板、２８は裏
面接地導体、２９および３ｏはそれぞれ入出力のマイク
ロストリップ線路、３１ａおよび３１ｂはトランジスタ
の接地すべき電極の形状に合わせた方形の貫通穴、３２
は幅の狭いスリットで貫通穴３１ａおよび３１ ｂｉ結
ぶようにのびている。なお、貫通孔３１ａ、３１ｂおよ
びスリット３２の内側には裏面導体２８に接続するよう
に導体を形成しである。第５図は実装するトランジスタ
の斜視図である。同図で、３３はトランジスタパノケー
ジ、３４ａおよび３４ｂはそれぞれ第４図に示したＭＩ
Ｃ基板の２つの方形の貫通穴３１ａのおよび３１ｂに入
るように折り曲げた接地するエミッタ端子、３５および
３６はそれぞれ入力のベース端子および出力のコレクタ
端子である。第６図ａは第４図のＭＩＣ基板に第５図の
トランジスタを実装したマイクロ波回路装置の要部上面
図である。同図で、３７ａ、３７ｂ、３Ｂおよび３９は
はんだ付は部分である。第６図すおよびＣはそれぞれ第
６図ａのＧ −Ｇ’断面図およびＨ−Ｈ’断面図である
。
以上のように構成したマイクロ波回路装置では、トラン
ジスタの接地がトランジスタパッケージ３３のごく近傍
で得られるとともに、トランジスタの入出力間に発生す
る浮遊量を接地導体を有するスリット状の貫通穴３２に
よって軽減することができ、回路動作を安定化すること
ができる。さらに、方形の貫通穴３１ａ、３１ｂＶＣ）
ランジスタの接地端子３４ａ 、３４ｂｉ折シ曲げて挿
入することにより、トランジスタの配置位置を明確にす
ることができる。
ジスタの接地がトランジスタパッケージ３３のごく近傍
で得られるとともに、トランジスタの入出力間に発生す
る浮遊量を接地導体を有するスリット状の貫通穴３２に
よって軽減することができ、回路動作を安定化すること
ができる。さらに、方形の貫通穴３１ａ、３１ｂＶＣ）
ランジスタの接地端子３４ａ 、３４ｂｉ折シ曲げて挿
入することにより、トランジスタの配置位置を明確にす
ることができる。
第７図は本発明の更に他の実施例のマイクロ波回路装置
に用いるＭＩＣ基板の要部斜視図である。
に用いるＭＩＣ基板の要部斜視図である。
同図で、４０は誘電体基板、４１は裏面導体、４２およ
び４３はそれぞれ入出力マイクロストリップ線路、４４
ａおよび４４ｂはそれぞれ方形の貫通穴、４５ａおよび
４５ｂは方形の貫通穴部４４ａおよび４４ｂに接続する
半円形の貫通穴、４６は幅の狭いスリットで貫通穴４４
ａおよび４４ｂを結ぶようにのびている。なお、貫通穴
４４ａ、４４ｂ。
び４３はそれぞれ入出力マイクロストリップ線路、４４
ａおよび４４ｂはそれぞれ方形の貫通穴、４５ａおよび
４５ｂは方形の貫通穴部４４ａおよび４４ｂに接続する
半円形の貫通穴、４６は幅の狭いスリットで貫通穴４４
ａおよび４４ｂを結ぶようにのびている。なお、貫通穴
４４ａ、４４ｂ。
ａｔｓａ 、４ｔｓｂおよびスリット４６からなる貫通
穴の内側には、裏面導体４１に接続する導体全形成しで
ある。第８図ａは第７図のＭＩＣ基板に第５図のトラン
ジスタを実装したマイクロ波回路装置の要部上面図であ
る。同図で、４７ａおよびａ−ｒｂはトランジスタの接
地端子のはんだ付は部分で、半円形の貫通穴部４５ａ、
４６ｂにばほんだを充てんしである。４８および４９は
それぞれ入出力マイクロストリップ線路４２．４３とト
ランジスタの入出力端子３５．３６との接続部のはんだ
付は部分である。第８図すおよびＣはそれぞれ同図ａの
１．−Ｉ’断面図およびＪ −１’断面図である。
穴の内側には、裏面導体４１に接続する導体全形成しで
ある。第８図ａは第７図のＭＩＣ基板に第５図のトラン
ジスタを実装したマイクロ波回路装置の要部上面図であ
る。同図で、４７ａおよびａ−ｒｂはトランジスタの接
地端子のはんだ付は部分で、半円形の貫通穴部４５ａ、
４６ｂにばほんだを充てんしである。４８および４９は
それぞれ入出力マイクロストリップ線路４２．４３とト
ランジスタの入出力端子３５．３６との接続部のはんだ
付は部分である。第８図すおよびＣはそれぞれ同図ａの
１．−Ｉ’断面図およびＪ −１’断面図である。
さて、以上のように構成したマイクロ波回路装置では、
トランジスタの接地部分の半円形の貫通部４ｓａ、４ｅ
ｓｂにはんだを充てんすることにより、方形の貫通穴の
みの場合に比べてよシ接地が確実になされる。同時に、
トランジスタの入出力端子間の浮遊容量がスリット状の
貫通穴４６によって軽減され、回路動作を安定化するこ
とができる。さらに、トランジスタの接地端子を折り曲
げて方形の貫通穴４４ａ、４４ｂに挿入することにより
トランジスタの配置位置決定が容易になる。
トランジスタの接地部分の半円形の貫通部４ｓａ、４ｅ
ｓｂにはんだを充てんすることにより、方形の貫通穴の
みの場合に比べてよシ接地が確実になされる。同時に、
トランジスタの入出力端子間の浮遊容量がスリット状の
貫通穴４６によって軽減され、回路動作を安定化するこ
とができる。さらに、トランジスタの接地端子を折り曲
げて方形の貫通穴４４ａ、４４ｂに挿入することにより
トランジスタの配置位置決定が容易になる。
なお、以上の実施例ではトランジスタの接地端子を接続
する貫通穴の形状を円形、方形、および方形と円形の組
み合わせとしたが、この形はこれらに限定されるもので
なく、貫通穴によってトランジスタの接地端子を接地で
きる形状であれば他の形状でもよい。
する貫通穴の形状を円形、方形、および方形と円形の組
み合わせとしたが、この形はこれらに限定されるもので
なく、貫通穴によってトランジスタの接地端子を接地で
きる形状であれば他の形状でもよい。
発明の効果
以上の説明から明らかなように本発明は、トランジスタ
の２つの接地端子を挿入するための２つの穴が幅の狭い
スリットによって結ばれた形状の貫通穴を設けた誘電体
基板上に前記貫通穴のスリット部分に直交するようにそ
の両側にマイクロストリップ線路が設けられ、前記誘電
体基板の残りの一方の面には接地導体を形成すると共に
前記貫通穴の内側には前記一方の面の接地導体に接続す
るように導体を形成し、前記トランジスタは前記貫通穴
の中央部に設け、その入出力端子はそれぞれ前記マイク
ロストリップ線路に接続し、かつ前記トランジスタの接
地端子は前記２つの穴の位置で前記接地導体に接続した
構造のマイクロ波回路装置であるため、トランジスタの
接地をトランジスタパッケージのごく近傍で得ることが
できるとともに、接地導体を有するスリット状の貫通穴
部によってトランジスタの入出力端子間に発生する浮遊
容量を減少することができ、回路動作を発振状９態に陥
るのを防ぎ安定化するという効果が得られる。
の２つの接地端子を挿入するための２つの穴が幅の狭い
スリットによって結ばれた形状の貫通穴を設けた誘電体
基板上に前記貫通穴のスリット部分に直交するようにそ
の両側にマイクロストリップ線路が設けられ、前記誘電
体基板の残りの一方の面には接地導体を形成すると共に
前記貫通穴の内側には前記一方の面の接地導体に接続す
るように導体を形成し、前記トランジスタは前記貫通穴
の中央部に設け、その入出力端子はそれぞれ前記マイク
ロストリップ線路に接続し、かつ前記トランジスタの接
地端子は前記２つの穴の位置で前記接地導体に接続した
構造のマイクロ波回路装置であるため、トランジスタの
接地をトランジスタパッケージのごく近傍で得ることが
できるとともに、接地導体を有するスリット状の貫通穴
部によってトランジスタの入出力端子間に発生する浮遊
容量を減少することができ、回路動作を発振状９態に陥
るのを防ぎ安定化するという効果が得られる。
第１図は従来のＭＩＣ化増幅器の要部を示し、同図ａは
ＭＩＧ基板の斜視図、同図すはトランジスタを実装した
ＭＩＣ化増幅器の要部斜視図、同図ＣはＡ −Ａ’断面
図、同図ｄはＢ−Ｂ’断面図、第２図ａは本発明の第１
の実施例のＭＩＣ基板の要部斜視図、同図すはｃ −ｃ
’断面図、同図ＣはＤ−Ｄ′断−面図、第３図ａは本発
明の第１の実施例のＭＩＣ化増幅器の要部上面図、同図
すばＥ −Ｅ’断面図、同図ＣはＦ−Ｆ’断面図、第４
図は本発明の第２の実施例のＭＩＣ基板の要部斜視図、
第５図ａは本発明の第２の実施例のＭＩＣ化増幅器に用
いるパッケージ入りトランジスタの斜視図、第５図すは
その背面図、第６図ａは本発明の第２の実施例のＭＩＣ
化増幅器の要部上面図、同図ｂｆｉＧ−Ｇ′断面図、同
図ＣはＦ−Ｆ’断面図、第７図は本発明の他の実施例の
ＭＩＣ基板の要部斜視図、第８図ａは本発明の他の実施
例のＭＩＣ化増幅器の要Ｓ上面図、同図すはＩ−Ｉ’断
面図、同図ＣはＳ＝１′断面図である。 １８・・・・・・狭幅スリット、２６ａ、ｂ・・・トラ
ンジスタの入出力端子と狭幅スリットの内側接地導体間
の浮遊容量、３１ａ、ｂ・・方形貫通穴、３２・・・
狭幅スリット、４５ａ、ｂ −半円形貫通穴、４６・・
狭幅スリ、ト。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第
１ 図 ４ム 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 ３２ α 第７図
ＭＩＧ基板の斜視図、同図すはトランジスタを実装した
ＭＩＣ化増幅器の要部斜視図、同図ＣはＡ −Ａ’断面
図、同図ｄはＢ−Ｂ’断面図、第２図ａは本発明の第１
の実施例のＭＩＣ基板の要部斜視図、同図すはｃ −ｃ
’断面図、同図ＣはＤ−Ｄ′断−面図、第３図ａは本発
明の第１の実施例のＭＩＣ化増幅器の要部上面図、同図
すばＥ −Ｅ’断面図、同図ＣはＦ−Ｆ’断面図、第４
図は本発明の第２の実施例のＭＩＣ基板の要部斜視図、
第５図ａは本発明の第２の実施例のＭＩＣ化増幅器に用
いるパッケージ入りトランジスタの斜視図、第５図すは
その背面図、第６図ａは本発明の第２の実施例のＭＩＣ
化増幅器の要部上面図、同図ｂｆｉＧ−Ｇ′断面図、同
図ＣはＦ−Ｆ’断面図、第７図は本発明の他の実施例の
ＭＩＣ基板の要部斜視図、第８図ａは本発明の他の実施
例のＭＩＣ化増幅器の要Ｓ上面図、同図すはＩ−Ｉ’断
面図、同図ＣはＳ＝１′断面図である。 １８・・・・・・狭幅スリット、２６ａ、ｂ・・・トラ
ンジスタの入出力端子と狭幅スリットの内側接地導体間
の浮遊容量、３１ａ、ｂ・・方形貫通穴、３２・・・
狭幅スリット、４５ａ、ｂ −半円形貫通穴、４６・・
狭幅スリ、ト。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第
１ 図 ４ム 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 ３２ α 第７図
Claims (2)
- （１）トランジスタの２つの接地端子を挿入するための
２つ穴が幅の狭いスリッ）Ｋよって結ばれた形状の貫通
穴を設けた誘電体基板上に前記貫通穴のスリット部分に
直交するようにその両側にマイクロストリップ線路を設
け、前記誘電体基板の残シの一方の面に接地導体を形成
すると共に前記貫通穴の内側に前記接地導体に接続する
ように導体を形成し、前記トランジスタを前記貫通穴の
中央部に対応するように前記誘電体基板上に配設し、そ
のトランジスタの入出力端子をそれぞれ前記マイクロス
トリップ線路に接続し、かつ前記トランジスタの接地端
子を前記２つの穴の位置で前記接地導体に接続したこと
を特徴とするマイクロ波回路装置。 - （２）トランジスタの２つの接地端子が挿入される２つ
の穴をそれぞれ方形に形成したことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のマイクロ波回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11705384A JPS60261159A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | マイクロ波回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11705384A JPS60261159A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | マイクロ波回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60261159A true JPS60261159A (ja) | 1985-12-24 |
| JPH0354863B2 JPH0354863B2 (ja) | 1991-08-21 |
Family
ID=14702254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11705384A Granted JPS60261159A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | マイクロ波回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60261159A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08167818A (ja) * | 1994-12-14 | 1996-06-25 | Nec Corp | 高周波装置 |
| EP0876088A2 (en) * | 1997-05-02 | 1998-11-04 | NEC Corporation | Semiconductor microwave amplifier |
| JP2020205372A (ja) * | 2019-06-18 | 2020-12-24 | 矢崎総業株式会社 | 増幅回路基板 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1013110A (ja) * | 1996-06-25 | 1998-01-16 | Murata Mfg Co Ltd | 非可逆回路素子 |
-
1984
- 1984-06-07 JP JP11705384A patent/JPS60261159A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08167818A (ja) * | 1994-12-14 | 1996-06-25 | Nec Corp | 高周波装置 |
| EP0876088A2 (en) * | 1997-05-02 | 1998-11-04 | NEC Corporation | Semiconductor microwave amplifier |
| EP0876088A3 (en) * | 1997-05-02 | 1999-10-27 | NEC Corporation | Semiconductor microwave amplifier |
| JP2020205372A (ja) * | 2019-06-18 | 2020-12-24 | 矢崎総業株式会社 | 増幅回路基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0354863B2 (ja) | 1991-08-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4042952A (en) | R. F. power transistor device with controlled common lead inductance | |
| JPS60261159A (ja) | マイクロ波回路装置 | |
| JPH11330298A (ja) | 信号端子付パッケージおよびそれを用いた電子装置 | |
| JP2000068713A (ja) | 分布定数線路のフィードスルー構造およびそれを用いたパッケージ基板 | |
| JP2000004071A (ja) | 電子回路ユニット | |
| JPH02156702A (ja) | マイクロ波デバイス用パッケージ | |
| US5258646A (en) | Package for microwave IC | |
| JPH0766543A (ja) | プリント基板 | |
| JPS61123302A (ja) | フイルタ装置 | |
| JPH0724289B2 (ja) | 高周波用混成集積回路 | |
| JP2000323595A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0611618Y2 (ja) | 高周波発振器 | |
| JP3161197B2 (ja) | 電子部品の実装構造 | |
| JPS6410964B2 (ja) | ||
| JPS62141808A (ja) | 水晶振動子 | |
| JPH01108745A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2541336B2 (ja) | 集積回路装置の接続方法 | |
| JPS60140783A (ja) | マイクロ波回路装置 | |
| JPH0529817A (ja) | λ／４形誘電体共振器 | |
| JP2557081Y2 (ja) | マイクロ・ストリップラインフィルタ | |
| JPS59171206A (ja) | マイクロ波回路装置 | |
| JPS6348002A (ja) | 誘電体フイルタ | |
| JP2751956B2 (ja) | 半導体装置に用いるリードフレーム | |
| JPS63202926A (ja) | 高周波半導体装置 | |
| JPH04348097A (ja) | 回路装置の製造方法 |