JPH01265606A - 高周波用増幅器 - Google Patents
高周波用増幅器Info
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- JPH01265606A JPH01265606A JP9400688A JP9400688A JPH01265606A JP H01265606 A JPH01265606 A JP H01265606A JP 9400688 A JP9400688 A JP 9400688A JP 9400688 A JP9400688 A JP 9400688A JP H01265606 A JPH01265606 A JP H01265606A
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- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 20
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 9
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
- H05K1/0218—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野Ｊ
本発明は、＾周波帯、とくシ二マイクロ披帯を増幅する
高周波用増幅器に関するものである。
高周波用増幅器に関するものである。
［従来の技術１
一般に提供されでいるこの種の高周波用増幅器は、第５
図に示すように、誘電体材料よりなる基板２２を介して
地板導体２３とストリップ導体２４とを対向配置しで形
成されたマイクロストリップライン２１上に、増幅用の
能動素子１０を実装したり、第６図に示すように、誘電
体材料上りなる基板３１上にストリップ導体３２を形成
した回路形成基板３３の表裏の両側に、空気層３４ｍ、
３４ｂを介してそれぞれ地板導体３５ｍ、３５ｂを配設
したトリプレート基板３０に、増幅用の能動素子１０を
実装することにより形成されている。増幅用の能動素子
１０は、入力端子１１と出力端子１２とをストリップ導
体２４．３２に半田接続することにより、ストリップ導
体２４．３２との電気的接続がなされている。
図に示すように、誘電体材料よりなる基板２２を介して
地板導体２３とストリップ導体２４とを対向配置しで形
成されたマイクロストリップライン２１上に、増幅用の
能動素子１０を実装したり、第６図に示すように、誘電
体材料上りなる基板３１上にストリップ導体３２を形成
した回路形成基板３３の表裏の両側に、空気層３４ｍ、
３４ｂを介してそれぞれ地板導体３５ｍ、３５ｂを配設
したトリプレート基板３０に、増幅用の能動素子１０を
実装することにより形成されている。増幅用の能動素子
１０は、入力端子１１と出力端子１２とをストリップ導
体２４．３２に半田接続することにより、ストリップ導
体２４．３２との電気的接続がなされている。
【発明が解決しようとする課ｆｆ１ｌ
上記構成によれば、ｎＩＩＩＪ素子とストリップ導体と
の接ｍａに不連続点が生じるから、能動素子の出力端子
では反射による輻射が生じる。
の接ｍａに不連続点が生じるから、能動素子の出力端子
では反射による輻射が生じる。
＄５図構成の場合、導体よりなる筐体内に基板を納装す
るのが普通でありで、小形化のために基板に対Ｍしてい
る筐体の内周面は基板に近接しているのが普通であるか
ら、−一素子の星力端子で生じた輻射は基板−表面に沿
って入力端子に戻り正帰還がかかることになり、発振し
ゃすくなろという問題が生じる。また、帰還経路の誘電
率が小さいほど帰還量が多（なるから、第６図構成のよ
うに、回路形成基板の表裏に空気層があると、この空気
層を通して第６図に矢印で示す経路で正帰還が生じ、第
５図構成以上に発振しやすくなるのである。
るのが普通でありで、小形化のために基板に対Ｍしてい
る筐体の内周面は基板に近接しているのが普通であるか
ら、−一素子の星力端子で生じた輻射は基板−表面に沿
って入力端子に戻り正帰還がかかることになり、発振し
ゃすくなろという問題が生じる。また、帰還経路の誘電
率が小さいほど帰還量が多（なるから、第６図構成のよ
うに、回路形成基板の表裏に空気層があると、この空気
層を通して第６図に矢印で示す経路で正帰還が生じ、第
５図構成以上に発振しやすくなるのである。
本発明は上述の問題点を解決することを目的とするもの
であり、能動素子の出力端子から入力端子への正帰還を
抑制することにより、発振を防止した高周波用増幅器を
提供しようとするものである。
であり、能動素子の出力端子から入力端子への正帰還を
抑制することにより、発振を防止した高周波用増幅器を
提供しようとするものである。
ｔａ′Ｍｉを解決すゐための手Ｆｉ１
本発明は上記目的を達成するために、回路基板上に実装
された増幅用の能動素子の入力端子と出力端子との中間
部に対応する部位に、上記能動素子の入力端子および出
力端子に対して接地側に接続され入力端子と出力端子と
の間を＾周波的に分離するシールド部材を配設している
のである。
された増幅用の能動素子の入力端子と出力端子との中間
部に対応する部位に、上記能動素子の入力端子および出
力端子に対して接地側に接続され入力端子と出力端子と
の間を＾周波的に分離するシールド部材を配設している
のである。
［作用］
上記構成によれば、入力端子と出力端子との中間部に対
応してシールド部材を配設し、このシールド部材を入力
端子と出力端子とに対して接地側に接続して入力端子と
出力端子とを高周波的に分離していることにより、出力
端子からの輻射が基板の表面に沿って入力端子に戻るの
を抑制することができるのであり、正帰還による発振を
防止することができるのである。
応してシールド部材を配設し、このシールド部材を入力
端子と出力端子とに対して接地側に接続して入力端子と
出力端子とを高周波的に分離していることにより、出力
端子からの輻射が基板の表面に沿って入力端子に戻るの
を抑制することができるのであり、正帰還による発振を
防止することができるのである。
【実施例１１
本実施例は、第１図に示すように、筐体２０内に納装さ
れたマイクロストリップライン２１上に増幅用の能動素
子１０を実装した例である。
れたマイクロストリップライン２１上に増幅用の能動素
子１０を実装した例である。
この種の能動素子１０は、第２図に示すように、入力端
子１１と出力端子１２の他に、２個の接地端子１３ａ＊
１３ｂを備えた４端子恰成となっているのが普通であり
、入力端子１１と出力端子１２とは一直線上に配置され
、接地端子１３ｍ＋１３ｂはこの直線に直交する方向の
一直線上に配置されている。一方、マイクロストリップ
ライン２１は、誘電体よりなる基板２２を介して地板導
体２３とストリップ導体２４とが対向配置されているの
であって、ストリップ導体２４を分断した箇所に能動素
子１０の入力端子１１と出力端子１２とが半田接続され
るのである。また、このマイクロストリップライン２１
は導体よりなる筐体２０内に納装される。ｎ動素子１０
の接地端子１３ｍ、１３ｂは、基板２２上でストリップ
導体２４と同じ側に形成された７−スパターン２５に接
続されるのであって、能動素子１０を挟む両アースパタ
ーン２５の間を橋絡する形で導体よりなるシールド部材
１４が配設される。すなわち、シールド部材１４は、両
接地端子１３ａ、１３ｂを橋絡するとともに、能動索子
１０に跨がる形で配設されるのである。
子１１と出力端子１２の他に、２個の接地端子１３ａ＊
１３ｂを備えた４端子恰成となっているのが普通であり
、入力端子１１と出力端子１２とは一直線上に配置され
、接地端子１３ｍ＋１３ｂはこの直線に直交する方向の
一直線上に配置されている。一方、マイクロストリップ
ライン２１は、誘電体よりなる基板２２を介して地板導
体２３とストリップ導体２４とが対向配置されているの
であって、ストリップ導体２４を分断した箇所に能動素
子１０の入力端子１１と出力端子１２とが半田接続され
るのである。また、このマイクロストリップライン２１
は導体よりなる筐体２０内に納装される。ｎ動素子１０
の接地端子１３ｍ、１３ｂは、基板２２上でストリップ
導体２４と同じ側に形成された７−スパターン２５に接
続されるのであって、能動素子１０を挟む両アースパタ
ーン２５の間を橋絡する形で導体よりなるシールド部材
１４が配設される。すなわち、シールド部材１４は、両
接地端子１３ａ、１３ｂを橋絡するとともに、能動索子
１０に跨がる形で配設されるのである。
シールド部材１４は、能動素子１０に対応する部位が切
欠されでおり、基板２２からの高さが、基板２２と筐体
２０の内周面との距離に略等しく設定されている。しか
ろに、シールＶＩＷ６材１４は、能動素子１０の入力端
子１１および出力端子１２に対する接地側に接続される
ことになり、出力端子１２付近で生じる輻射が基板２２
の表面に沿って入力端子１１に回り込むのをシールド部
材１４で抑制することができるのである。その結果、正
帰還による発振が防止されるわけである。
欠されでおり、基板２２からの高さが、基板２２と筐体
２０の内周面との距離に略等しく設定されている。しか
ろに、シールＶＩＷ６材１４は、能動素子１０の入力端
子１１および出力端子１２に対する接地側に接続される
ことになり、出力端子１２付近で生じる輻射が基板２２
の表面に沿って入力端子１１に回り込むのをシールド部
材１４で抑制することができるのである。その結果、正
帰還による発振が防止されるわけである。
【実施例２１
本実施例では、第３図に示すように、トリプレート基板
３０に能動素子１０を実装している。トリプレート基板
３０は、誘電体よりなる基板３１の表面にストリップ導
体３２を形成した回路形成基板３３を有し、回路形成基
板３３の表裏にそれぞれ空気層３４ｍ、３４ｂを介して
地板導体３５ａ。
３０に能動素子１０を実装している。トリプレート基板
３０は、誘電体よりなる基板３１の表面にストリップ導
体３２を形成した回路形成基板３３を有し、回路形成基
板３３の表裏にそれぞれ空気層３４ｍ、３４ｂを介して
地板導体３５ａ。
３５＆を配設して形成されている。能動素子１０は、回
路形成基板３３に実装される。ここに、回路形成基板３
３の表裏にそれぞれ空気層３４ａｓ３４ｂが形成されで
いるから、回路形成基板３３の表裏両面にシールド部材
１４ａｔｌＡｂが配設されるようになっている。入力端
子１１および出力端子１２に対して、シールド部材１４
ｍ、１４ｂが接゛ 地側に接続されているのはいうまで
もない。
路形成基板３３に実装される。ここに、回路形成基板３
３の表裏にそれぞれ空気層３４ａｓ３４ｂが形成されで
いるから、回路形成基板３３の表裏両面にシールド部材
１４ａｔｌＡｂが配設されるようになっている。入力端
子１１および出力端子１２に対して、シールド部材１４
ｍ、１４ｂが接゛ 地側に接続されているのはいうまで
もない。
トリプレート基板３０の場合には、回路形成基板３３の
表裏両面で正帰還が生じる可能性があるが、回路形成基
板３３の両面にシールド部材１４ａ、１４ｂを設けてい
るから、正帰還による発振が防止できるのである。
表裏両面で正帰還が生じる可能性があるが、回路形成基
板３３の両面にシールド部材１４ａ、１４ｂを設けてい
るから、正帰還による発振が防止できるのである。
［実施例３１
本実施例は、第４図に示すように、トリプレート基板３
０において、回路形成基板３３と地板導体３５ｍとの距
離が、能動素子１０の高さと略等しい場合の構成であっ
て、この場合には、能動素子１０の上面と地板導体３５
ａとの間にはほとんど隙間がないから、回路形成基板３
３の上面側では、能動素子１０のａＳからの回り込みの
みが問題となる。したがって、回路形成基＠３３の上面
側に配設されでいるシールド部材１４ｍについでは、両
接地端子１３ａ、１３ｂの間を情緒せず、能動素子１０
の両側で分断された形状としている。
０において、回路形成基板３３と地板導体３５ｍとの距
離が、能動素子１０の高さと略等しい場合の構成であっ
て、この場合には、能動素子１０の上面と地板導体３５
ａとの間にはほとんど隙間がないから、回路形成基板３
３の上面側では、能動素子１０のａＳからの回り込みの
みが問題となる。したがって、回路形成基＠３３の上面
側に配設されでいるシールド部材１４ｍについでは、両
接地端子１３ａ、１３ｂの間を情緒せず、能動素子１０
の両側で分断された形状としている。
他の構成についでは、実施例２と同等である。
［ｇ明の効果１
本発明は上述のように、回路基板上に実装された増幅用
のｍ動素子の入力端子と出力端子との中間部に対応する
部位に、上記能動素子の入力端子および出力端子に対し
て接地側に接続され入力端子と出力端子との間を高周波
的に分離するシールド部材を配設しているので、出力端
子からの輻射が基板の表面に沿って入力端子に戻るのを
シールド部材によって抑制することができ、その結果、
正帰還による発振を防止することができるという利点を
有する。
のｍ動素子の入力端子と出力端子との中間部に対応する
部位に、上記能動素子の入力端子および出力端子に対し
て接地側に接続され入力端子と出力端子との間を高周波
的に分離するシールド部材を配設しているので、出力端
子からの輻射が基板の表面に沿って入力端子に戻るのを
シールド部材によって抑制することができ、その結果、
正帰還による発振を防止することができるという利点を
有する。
１１図は本発明の実施例１を示す一部切欠斜視図、ｆＩ
Ｓ２図は同上の要部平面図、第３図は本発明の実施例２
を示す一部切欠斜視図、＄４図は本発明の実施例３を示
す断面図、第５図は従来例を示す斜視図、第６図は他の
従来例を示す断面図である。 １０・・・能動素子、１１・・・入力端子、１２・・・
出力端子、１４．１４ｍ、１４１ｒ”シールド部材、２
１ ・・・マイクロストリップライン、３０・・・トリ
プレート基板。 代理人 弁理士 石 １）艮 七 １０・・・能動素子 １１・・・入力端子 １２・・・出力端子 １４．１４ｍ、１４ｂ・・・シールド部材２１・・・マ
イクロストリップライン ３０・・・トリプレート基板 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 手続補正啓（自発） 昭和６３年５慴へ７日
Ｓ２図は同上の要部平面図、第３図は本発明の実施例２
を示す一部切欠斜視図、＄４図は本発明の実施例３を示
す断面図、第５図は従来例を示す斜視図、第６図は他の
従来例を示す断面図である。 １０・・・能動素子、１１・・・入力端子、１２・・・
出力端子、１４．１４ｍ、１４１ｒ”シールド部材、２
１ ・・・マイクロストリップライン、３０・・・トリ
プレート基板。 代理人 弁理士 石 １）艮 七 １０・・・能動素子 １１・・・入力端子 １２・・・出力端子 １４．１４ｍ、１４ｂ・・・シールド部材２１・・・マ
イクロストリップライン ３０・・・トリプレート基板 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 手続補正啓（自発） 昭和６３年５慴へ７日
Claims (1)
- （１）回路基板上に実装された増幅用の能動素子の入力
端子と出力端子との中間部に対応する部位に、上記能動
素子の入力端子および出力端子に対して接地側に接続さ
れ出力端子と入力端子との間を高周波的に分離するシー
ルド部材を配設して成ることを特徴とする高周波用増幅
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9400688A JPH01265606A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 高周波用増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9400688A JPH01265606A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 高周波用増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01265606A true JPH01265606A (ja) | 1989-10-23 |
Family
ID=14098346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9400688A Pending JPH01265606A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 高周波用増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01265606A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2655195A1 (fr) * | 1989-11-24 | 1991-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | Dispositif a semiconducteurs comportant un blindage contre le rayonnement electromagnetique et procede de fabrication. |
| US5256590A (en) * | 1989-11-24 | 1993-10-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making a shielded semiconductor device |
| EP0876088A2 (en) * | 1997-05-02 | 1998-11-04 | NEC Corporation | Semiconductor microwave amplifier |
| US6851842B2 (en) * | 2002-04-19 | 2005-02-08 | Koito Manufacturing Co., Ltd. | Vehicular lamp |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61100001A (ja) * | 1984-10-23 | 1986-05-19 | Toshiba Corp | 高周波回路装置 |
| JPS6213112A (ja) * | 1985-07-11 | 1987-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 混成集積回路 |
-
1988
- 1988-04-15 JP JP9400688A patent/JPH01265606A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61100001A (ja) * | 1984-10-23 | 1986-05-19 | Toshiba Corp | 高周波回路装置 |
| JPS6213112A (ja) * | 1985-07-11 | 1987-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 混成集積回路 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2655195A1 (fr) * | 1989-11-24 | 1991-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | Dispositif a semiconducteurs comportant un blindage contre le rayonnement electromagnetique et procede de fabrication. |
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| EP0876088A3 (en) * | 1997-05-02 | 1999-10-27 | NEC Corporation | Semiconductor microwave amplifier |
| AU735192B2 (en) * | 1997-05-02 | 2001-07-05 | Nec Corporation | Semiconductor microwave amplifier |
| US6851842B2 (en) * | 2002-04-19 | 2005-02-08 | Koito Manufacturing Co., Ltd. | Vehicular lamp |
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