JPH01265606A - 高周波用増幅器 - Google Patents
高周波用増幅器Info
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- JPH01265606A JPH01265606A JP9400688A JP9400688A JPH01265606A JP H01265606 A JPH01265606 A JP H01265606A JP 9400688 A JP9400688 A JP 9400688A JP 9400688 A JP9400688 A JP 9400688A JP H01265606 A JPH01265606 A JP H01265606A
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- conductor
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- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 20
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
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- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
- H05K1/0218—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野J
本発明は、^周波帯、とくシ二マイクロ披帯を増幅する
高周波用増幅器に関するものである。
高周波用増幅器に関するものである。
[従来の技術1
一般に提供されでいるこの種の高周波用増幅器は、第5
図に示すように、誘電体材料よりなる基板22を介して
地板導体23とストリップ導体24とを対向配置しで形
成されたマイクロストリップライン21上に、増幅用の
能動素子10を実装したり、第6図に示すように、誘電
体材料上りなる基板31上にストリップ導体32を形成
した回路形成基板33の表裏の両側に、空気層34m、
34bを介してそれぞれ地板導体35m、35bを配設
したトリプレート基板30に、増幅用の能動素子10を
実装することにより形成されている。増幅用の能動素子
10は、入力端子11と出力端子12とをストリップ導
体24.32に半田接続することにより、ストリップ導
体24.32との電気的接続がなされている。
図に示すように、誘電体材料よりなる基板22を介して
地板導体23とストリップ導体24とを対向配置しで形
成されたマイクロストリップライン21上に、増幅用の
能動素子10を実装したり、第6図に示すように、誘電
体材料上りなる基板31上にストリップ導体32を形成
した回路形成基板33の表裏の両側に、空気層34m、
34bを介してそれぞれ地板導体35m、35bを配設
したトリプレート基板30に、増幅用の能動素子10を
実装することにより形成されている。増幅用の能動素子
10は、入力端子11と出力端子12とをストリップ導
体24.32に半田接続することにより、ストリップ導
体24.32との電気的接続がなされている。
【発明が解決しようとする課ff1l
上記構成によれば、nIIIJ素子とストリップ導体と
の接maに不連続点が生じるから、能動素子の出力端子
では反射による輻射が生じる。
の接maに不連続点が生じるから、能動素子の出力端子
では反射による輻射が生じる。
$5図構成の場合、導体よりなる筐体内に基板を納装す
るのが普通でありで、小形化のために基板に対Mしてい
る筐体の内周面は基板に近接しているのが普通であるか
ら、−一素子の星力端子で生じた輻射は基板−表面に沿
って入力端子に戻り正帰還がかかることになり、発振し
ゃすくなろという問題が生じる。また、帰還経路の誘電
率が小さいほど帰還量が多(なるから、第6図構成のよ
うに、回路形成基板の表裏に空気層があると、この空気
層を通して第6図に矢印で示す経路で正帰還が生じ、第
5図構成以上に発振しやすくなるのである。
るのが普通でありで、小形化のために基板に対Mしてい
る筐体の内周面は基板に近接しているのが普通であるか
ら、−一素子の星力端子で生じた輻射は基板−表面に沿
って入力端子に戻り正帰還がかかることになり、発振し
ゃすくなろという問題が生じる。また、帰還経路の誘電
率が小さいほど帰還量が多(なるから、第6図構成のよ
うに、回路形成基板の表裏に空気層があると、この空気
層を通して第6図に矢印で示す経路で正帰還が生じ、第
5図構成以上に発振しやすくなるのである。
本発明は上述の問題点を解決することを目的とするもの
であり、能動素子の出力端子から入力端子への正帰還を
抑制することにより、発振を防止した高周波用増幅器を
提供しようとするものである。
であり、能動素子の出力端子から入力端子への正帰還を
抑制することにより、発振を防止した高周波用増幅器を
提供しようとするものである。
ta′Miを解決すゐための手Fi1
本発明は上記目的を達成するために、回路基板上に実装
された増幅用の能動素子の入力端子と出力端子との中間
部に対応する部位に、上記能動素子の入力端子および出
力端子に対して接地側に接続され入力端子と出力端子と
の間を^周波的に分離するシールド部材を配設している
のである。
された増幅用の能動素子の入力端子と出力端子との中間
部に対応する部位に、上記能動素子の入力端子および出
力端子に対して接地側に接続され入力端子と出力端子と
の間を^周波的に分離するシールド部材を配設している
のである。
[作用]
上記構成によれば、入力端子と出力端子との中間部に対
応してシールド部材を配設し、このシールド部材を入力
端子と出力端子とに対して接地側に接続して入力端子と
出力端子とを高周波的に分離していることにより、出力
端子からの輻射が基板の表面に沿って入力端子に戻るの
を抑制することができるのであり、正帰還による発振を
防止することができるのである。
応してシールド部材を配設し、このシールド部材を入力
端子と出力端子とに対して接地側に接続して入力端子と
出力端子とを高周波的に分離していることにより、出力
端子からの輻射が基板の表面に沿って入力端子に戻るの
を抑制することができるのであり、正帰還による発振を
防止することができるのである。
【実施例11
本実施例は、第1図に示すように、筐体20内に納装さ
れたマイクロストリップライン21上に増幅用の能動素
子10を実装した例である。
れたマイクロストリップライン21上に増幅用の能動素
子10を実装した例である。
この種の能動素子10は、第2図に示すように、入力端
子11と出力端子12の他に、2個の接地端子13a*
13bを備えた4端子恰成となっているのが普通であり
、入力端子11と出力端子12とは一直線上に配置され
、接地端子13m+13bはこの直線に直交する方向の
一直線上に配置されている。一方、マイクロストリップ
ライン21は、誘電体よりなる基板22を介して地板導
体23とストリップ導体24とが対向配置されているの
であって、ストリップ導体24を分断した箇所に能動素
子10の入力端子11と出力端子12とが半田接続され
るのである。また、このマイクロストリップライン21
は導体よりなる筐体20内に納装される。n動素子10
の接地端子13m、13bは、基板22上でストリップ
導体24と同じ側に形成された7−スパターン25に接
続されるのであって、能動素子10を挟む両アースパタ
ーン25の間を橋絡する形で導体よりなるシールド部材
14が配設される。すなわち、シールド部材14は、両
接地端子13a、13bを橋絡するとともに、能動索子
10に跨がる形で配設されるのである。
子11と出力端子12の他に、2個の接地端子13a*
13bを備えた4端子恰成となっているのが普通であり
、入力端子11と出力端子12とは一直線上に配置され
、接地端子13m+13bはこの直線に直交する方向の
一直線上に配置されている。一方、マイクロストリップ
ライン21は、誘電体よりなる基板22を介して地板導
体23とストリップ導体24とが対向配置されているの
であって、ストリップ導体24を分断した箇所に能動素
子10の入力端子11と出力端子12とが半田接続され
るのである。また、このマイクロストリップライン21
は導体よりなる筐体20内に納装される。n動素子10
の接地端子13m、13bは、基板22上でストリップ
導体24と同じ側に形成された7−スパターン25に接
続されるのであって、能動素子10を挟む両アースパタ
ーン25の間を橋絡する形で導体よりなるシールド部材
14が配設される。すなわち、シールド部材14は、両
接地端子13a、13bを橋絡するとともに、能動索子
10に跨がる形で配設されるのである。
シールド部材14は、能動素子10に対応する部位が切
欠されでおり、基板22からの高さが、基板22と筐体
20の内周面との距離に略等しく設定されている。しか
ろに、シールVIW6材14は、能動素子10の入力端
子11および出力端子12に対する接地側に接続される
ことになり、出力端子12付近で生じる輻射が基板22
の表面に沿って入力端子11に回り込むのをシールド部
材14で抑制することができるのである。その結果、正
帰還による発振が防止されるわけである。
欠されでおり、基板22からの高さが、基板22と筐体
20の内周面との距離に略等しく設定されている。しか
ろに、シールVIW6材14は、能動素子10の入力端
子11および出力端子12に対する接地側に接続される
ことになり、出力端子12付近で生じる輻射が基板22
の表面に沿って入力端子11に回り込むのをシールド部
材14で抑制することができるのである。その結果、正
帰還による発振が防止されるわけである。
【実施例21
本実施例では、第3図に示すように、トリプレート基板
30に能動素子10を実装している。トリプレート基板
30は、誘電体よりなる基板31の表面にストリップ導
体32を形成した回路形成基板33を有し、回路形成基
板33の表裏にそれぞれ空気層34m、34bを介して
地板導体35a。
30に能動素子10を実装している。トリプレート基板
30は、誘電体よりなる基板31の表面にストリップ導
体32を形成した回路形成基板33を有し、回路形成基
板33の表裏にそれぞれ空気層34m、34bを介して
地板導体35a。
35&を配設して形成されている。能動素子10は、回
路形成基板33に実装される。ここに、回路形成基板3
3の表裏にそれぞれ空気層34as34bが形成されで
いるから、回路形成基板33の表裏両面にシールド部材
14atlAbが配設されるようになっている。入力端
子11および出力端子12に対して、シールド部材14
m、14bが接゛ 地側に接続されているのはいうまで
もない。
路形成基板33に実装される。ここに、回路形成基板3
3の表裏にそれぞれ空気層34as34bが形成されで
いるから、回路形成基板33の表裏両面にシールド部材
14atlAbが配設されるようになっている。入力端
子11および出力端子12に対して、シールド部材14
m、14bが接゛ 地側に接続されているのはいうまで
もない。
トリプレート基板30の場合には、回路形成基板33の
表裏両面で正帰還が生じる可能性があるが、回路形成基
板33の両面にシールド部材14a、14bを設けてい
るから、正帰還による発振が防止できるのである。
表裏両面で正帰還が生じる可能性があるが、回路形成基
板33の両面にシールド部材14a、14bを設けてい
るから、正帰還による発振が防止できるのである。
[実施例31
本実施例は、第4図に示すように、トリプレート基板3
0において、回路形成基板33と地板導体35mとの距
離が、能動素子10の高さと略等しい場合の構成であっ
て、この場合には、能動素子10の上面と地板導体35
aとの間にはほとんど隙間がないから、回路形成基板3
3の上面側では、能動素子10のaSからの回り込みの
みが問題となる。したがって、回路形成基@33の上面
側に配設されでいるシールド部材14mについでは、両
接地端子13a、13bの間を情緒せず、能動素子10
の両側で分断された形状としている。
0において、回路形成基板33と地板導体35mとの距
離が、能動素子10の高さと略等しい場合の構成であっ
て、この場合には、能動素子10の上面と地板導体35
aとの間にはほとんど隙間がないから、回路形成基板3
3の上面側では、能動素子10のaSからの回り込みの
みが問題となる。したがって、回路形成基@33の上面
側に配設されでいるシールド部材14mについでは、両
接地端子13a、13bの間を情緒せず、能動素子10
の両側で分断された形状としている。
他の構成についでは、実施例2と同等である。
[g明の効果1
本発明は上述のように、回路基板上に実装された増幅用
のm動素子の入力端子と出力端子との中間部に対応する
部位に、上記能動素子の入力端子および出力端子に対し
て接地側に接続され入力端子と出力端子との間を高周波
的に分離するシールド部材を配設しているので、出力端
子からの輻射が基板の表面に沿って入力端子に戻るのを
シールド部材によって抑制することができ、その結果、
正帰還による発振を防止することができるという利点を
有する。
のm動素子の入力端子と出力端子との中間部に対応する
部位に、上記能動素子の入力端子および出力端子に対し
て接地側に接続され入力端子と出力端子との間を高周波
的に分離するシールド部材を配設しているので、出力端
子からの輻射が基板の表面に沿って入力端子に戻るのを
シールド部材によって抑制することができ、その結果、
正帰還による発振を防止することができるという利点を
有する。
11図は本発明の実施例1を示す一部切欠斜視図、fI
S2図は同上の要部平面図、第3図は本発明の実施例2
を示す一部切欠斜視図、$4図は本発明の実施例3を示
す断面図、第5図は従来例を示す斜視図、第6図は他の
従来例を示す断面図である。 10・・・能動素子、11・・・入力端子、12・・・
出力端子、14.14m、141r”シールド部材、2
1 ・・・マイクロストリップライン、30・・・トリ
プレート基板。 代理人 弁理士 石 1)艮 七 10・・・能動素子 11・・・入力端子 12・・・出力端子 14.14m、14b・・・シールド部材21・・・マ
イクロストリップライン 30・・・トリプレート基板 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 手続補正啓(自発) 昭和63年5慴へ7日
S2図は同上の要部平面図、第3図は本発明の実施例2
を示す一部切欠斜視図、$4図は本発明の実施例3を示
す断面図、第5図は従来例を示す斜視図、第6図は他の
従来例を示す断面図である。 10・・・能動素子、11・・・入力端子、12・・・
出力端子、14.14m、141r”シールド部材、2
1 ・・・マイクロストリップライン、30・・・トリ
プレート基板。 代理人 弁理士 石 1)艮 七 10・・・能動素子 11・・・入力端子 12・・・出力端子 14.14m、14b・・・シールド部材21・・・マ
イクロストリップライン 30・・・トリプレート基板 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 手続補正啓(自発) 昭和63年5慴へ7日
Claims (1)
- (1)回路基板上に実装された増幅用の能動素子の入力
端子と出力端子との中間部に対応する部位に、上記能動
素子の入力端子および出力端子に対して接地側に接続さ
れ出力端子と入力端子との間を高周波的に分離するシー
ルド部材を配設して成ることを特徴とする高周波用増幅
器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9400688A JPH01265606A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 高周波用増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9400688A JPH01265606A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 高周波用増幅器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01265606A true JPH01265606A (ja) | 1989-10-23 |
Family
ID=14098346
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9400688A Pending JPH01265606A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 高周波用増幅器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01265606A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2655195A1 (fr) * | 1989-11-24 | 1991-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | Dispositif a semiconducteurs comportant un blindage contre le rayonnement electromagnetique et procede de fabrication. |
US5256590A (en) * | 1989-11-24 | 1993-10-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making a shielded semiconductor device |
EP0876088A2 (en) * | 1997-05-02 | 1998-11-04 | NEC Corporation | Semiconductor microwave amplifier |
US6851842B2 (en) * | 2002-04-19 | 2005-02-08 | Koito Manufacturing Co., Ltd. | Vehicular lamp |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61100001A (ja) * | 1984-10-23 | 1986-05-19 | Toshiba Corp | 高周波回路装置 |
JPS6213112A (ja) * | 1985-07-11 | 1987-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 混成集積回路 |
-
1988
- 1988-04-15 JP JP9400688A patent/JPH01265606A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61100001A (ja) * | 1984-10-23 | 1986-05-19 | Toshiba Corp | 高周波回路装置 |
JPS6213112A (ja) * | 1985-07-11 | 1987-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 混成集積回路 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2655195A1 (fr) * | 1989-11-24 | 1991-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | Dispositif a semiconducteurs comportant un blindage contre le rayonnement electromagnetique et procede de fabrication. |
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EP0876088A3 (en) * | 1997-05-02 | 1999-10-27 | NEC Corporation | Semiconductor microwave amplifier |
AU735192B2 (en) * | 1997-05-02 | 2001-07-05 | Nec Corporation | Semiconductor microwave amplifier |
US6851842B2 (en) * | 2002-04-19 | 2005-02-08 | Koito Manufacturing Co., Ltd. | Vehicular lamp |
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