JPS63204914A - 高周波高出力増幅器 - Google Patents
高周波高出力増幅器Info
- Publication number
- JPS63204914A JPS63204914A JP3841187A JP3841187A JPS63204914A JP S63204914 A JPS63204914 A JP S63204914A JP 3841187 A JP3841187 A JP 3841187A JP 3841187 A JP3841187 A JP 3841187A JP S63204914 A JPS63204914 A JP S63204914A
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- JP
- Japan
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- output
- input
- high frequency
- transistor
- frequency
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 8
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 5
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- 241000220317 Rosa Species 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Mounting Of Printed Circuit Boards And The Like (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、マイクロ波通信用等に使用できる高周波高出
力増幅器に関するものである。
力増幅器に関するものである。
従来の技術
近年、マイクロ波通信に使用される高周波高出力増幅器
は、固体素子を多段に使用し、高出力を得るようになっ
てきている。このため発生する熱は高周波高出力増幅器
のシールドケースにて放熱されている。
は、固体素子を多段に使用し、高出力を得るようになっ
てきている。このため発生する熱は高周波高出力増幅器
のシールドケースにて放熱されている。
以下図面を参照しながら、上述した従来の高周波高出力
増幅器の一例について説明する。
増幅器の一例について説明する。
第３図は従来の高周波高出力増幅器を示すもので、入力
整合回路３．および出力整合回路４が組み込まれ、高周
波高出力トランジスタ１を固定ネジ２によってシールド
ケース６に締着し、接地と放熱を図っており、シールド
ケース蓋７で覆われているものである。
整合回路３．および出力整合回路４が組み込まれ、高周
波高出力トランジスタ１を固定ネジ２によってシールド
ケース６に締着し、接地と放熱を図っており、シールド
ケース蓋７で覆われているものである。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記のような構成では、高周波高出力トラ
ンジスタ１の入・出力間のアイソレージロン特性が浮遊
容による帰還により良好でないため、発振等が発生し、
回路動作の不安定要因となっている。
ンジスタ１の入・出力間のアイソレージロン特性が浮遊
容による帰還により良好でないため、発振等が発生し、
回路動作の不安定要因となっている。
又、電力効率が良好でなく、発熱量が多量であるため、
この発熱を放出する必要があるが、第３図に示すように
高周波高出力トランジスタ本体の下面のみをシールドケ
ース５に当接する放熱方法では、十分な放熱効果が得ら
れないため、高周波高出力トランジスタ１の温度が上昇
し、良好々高周波特性が十分に引き出せないという問題
点を有していた。
この発熱を放出する必要があるが、第３図に示すように
高周波高出力トランジスタ本体の下面のみをシールドケ
ース５に当接する放熱方法では、十分な放熱効果が得ら
れないため、高周波高出力トランジスタ１の温度が上昇
し、良好々高周波特性が十分に引き出せないという問題
点を有していた。
本発明は上記問題点に鑑み、高周波高出力トランジスタ
の入・出力間を空間的に分離し、かつ、上記高周波高出
力トランジスタの放熱効果をより向上させた高周波高出
力増幅器を提供するものである。
の入・出力間を空間的に分離し、かつ、上記高周波高出
力トランジスタの放熱効果をより向上させた高周波高出
力増幅器を提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために、本発明の高周波高出力増
幅器は、シールドケースに増幅トランジスタおよび入・
出力回路を含む高周波増幅回路を構成し、上記シールド
ケースの開口を覆うシールドケース蓋に上記、入・出力
回路の間に位置するとともに、上記増幅トランジスタに
当接する仕切部を設けたものである。
幅器は、シールドケースに増幅トランジスタおよび入・
出力回路を含む高周波増幅回路を構成し、上記シールド
ケースの開口を覆うシールドケース蓋に上記、入・出力
回路の間に位置するとともに、上記増幅トランジスタに
当接する仕切部を設けたものである。
作 用
本発明は上記した構成によって、シールドケース蓋に突
設して一体形成した仕切部によって、高周波高出力トラ
ンジスタの入・出力間を空間的に分離し、入・出力間の
アイソレーション特性の良化を図り、かつ、上記仕切部
の下面に上記高周波高出力トランジスタの上面と当接す
る切欠段部を形成することにより、上記高周波高出力ト
ランジスタの放熱効果をより向上させることとなる。
設して一体形成した仕切部によって、高周波高出力トラ
ンジスタの入・出力間を空間的に分離し、入・出力間の
アイソレーション特性の良化を図り、かつ、上記仕切部
の下面に上記高周波高出力トランジスタの上面と当接す
る切欠段部を形成することにより、上記高周波高出力ト
ランジスタの放熱効果をより向上させることとなる。
実施例
以下本発明の一実施例の高周波高出力増幅器について図
面を参照しながら説明する。
面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の一実施例における高周波高出力増幅器
の分解斜視図を示すものである。
の分解斜視図を示すものである。
第２図は第１図の要部断面図である。
第１図及び第２図において、１は高周波高出力トランジ
スタで固定ネジ２により、上記高周波高出力トランジス
タ１を遮蔽するシールドケース６に締着される。３は高
周波入力信号の整合を図る入力整合回路、４は高周波出
力信号の整合を図る出力整合回路、６はシールドケース
蓋７に突設して一体形成し、入力整合回路３と出力整合
回路４の入・出力間を分離するとともに上記高周波高出
力トランジスタ１の上面と当接するようにした切欠段部
８を設けた仕切部である。尚、仕切部６はシールドケー
ス蓋７にビス止めしてももちろんよい。又、上記高周波
トランジスタ１の上面とシールドケース５の端面が同一
面にあれば切欠段部８は不要である。
スタで固定ネジ２により、上記高周波高出力トランジス
タ１を遮蔽するシールドケース６に締着される。３は高
周波入力信号の整合を図る入力整合回路、４は高周波出
力信号の整合を図る出力整合回路、６はシールドケース
蓋７に突設して一体形成し、入力整合回路３と出力整合
回路４の入・出力間を分離するとともに上記高周波高出
力トランジスタ１の上面と当接するようにした切欠段部
８を設けた仕切部である。尚、仕切部６はシールドケー
ス蓋７にビス止めしてももちろんよい。又、上記高周波
トランジスタ１の上面とシールドケース５の端面が同一
面にあれば切欠段部８は不要である。
以上のように本実施例によれば、仕切部６を設けること
により、入・出力間のアイソレーシヲン特性を良好にす
ることが出来る、又、仕切部６を上記高周波高出力トラ
ンジスタ１の上面と当接することにより放熱効果をより
一層向上させることが出来る。
により、入・出力間のアイソレーシヲン特性を良好にす
ることが出来る、又、仕切部６を上記高周波高出力トラ
ンジスタ１の上面と当接することにより放熱効果をより
一層向上させることが出来る。
発明の効果
以上のように、本発明によれば、シールドケースに増幅
トランジスタおよび入・出力回路を含む高周波増幅回路
を構成し、上記シールドケースの開口を覆うシールドケ
ース蓋に、上記人・出力回路の間に位置するとともに、
上記増幅トランジスタに当接する仕切部を設けることに
より、高周波高出力トランジスタの入・出力間を空間的
に分離し、入・出力間のアイソレーシヲン特性の良化を
図ることにより、帰還による発振等の回路動作不安定要
因が除去でき、安定した高周波特性を得ることが出来る
。又、上記高周波高出力トランジスタの放熱効果をより
向上させることが出来るため、安定した高周波増幅器が
可能となり、上記高周波高出力トランジスタの高周波性
能を十分に発揮することができる。
トランジスタおよび入・出力回路を含む高周波増幅回路
を構成し、上記シールドケースの開口を覆うシールドケ
ース蓋に、上記人・出力回路の間に位置するとともに、
上記増幅トランジスタに当接する仕切部を設けることに
より、高周波高出力トランジスタの入・出力間を空間的
に分離し、入・出力間のアイソレーシヲン特性の良化を
図ることにより、帰還による発振等の回路動作不安定要
因が除去でき、安定した高周波特性を得ることが出来る
。又、上記高周波高出力トランジスタの放熱効果をより
向上させることが出来るため、安定した高周波増幅器が
可能となり、上記高周波高出力トランジスタの高周波性
能を十分に発揮することができる。
第１図は本発明の一実施例における高周波高出力増幅器
の分解斜視図、第２図は第１図の要部断面図、第３図は
従来の高周波高出力増幅器の分解斜視図である。 １・・・・・・高周波高出力トランジスタ、２・・・・
・・固定ネジ、３・・・・・・入力整合回路、４・・・
・・・出力整合回路、５・・・・・・シールドケース、
６・・・・・・仕切部、？・・・・・・シールドケース
蓋、８・・・・・・切欠段部。
の分解斜視図、第２図は第１図の要部断面図、第３図は
従来の高周波高出力増幅器の分解斜視図である。 １・・・・・・高周波高出力トランジスタ、２・・・・
・・固定ネジ、３・・・・・・入力整合回路、４・・・
・・・出力整合回路、５・・・・・・シールドケース、
６・・・・・・仕切部、？・・・・・・シールドケース
蓋、８・・・・・・切欠段部。
Claims (1)
- シールドケース内に増幅トランジスタおよび入力回路
と出力回路を含む高周波増幅回路を構成し、上記シール
ドケースの開口を覆うシールドケース蓋に、上記入力回
路と出力回路の間に位置するとともに、上記増幅トラン
ジスタに当接する仕切部を設けてなる高周波高出力増幅
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3841187A JPS63204914A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 高周波高出力増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3841187A JPS63204914A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 高周波高出力増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63204914A true JPS63204914A (ja) | 1988-08-24 |
Family
ID=12524556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3841187A Pending JPS63204914A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 高周波高出力増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63204914A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06260844A (ja) * | 1993-03-02 | 1994-09-16 | Yagi Antenna Co Ltd | 高周波電力増幅器のシールド構造 |
| EP0876088A2 (en) * | 1997-05-02 | 1998-11-04 | NEC Corporation | Semiconductor microwave amplifier |
| EP1771056A1 (en) * | 2005-09-28 | 2007-04-04 | Siemens Milltronics Process Instruments Inc. | A shielded compartment for mounting a high frequency radar component on a printed circuit board |
| JP2011205545A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Toshiba Corp | 高周波増幅器 |
-
1987
- 1987-02-20 JP JP3841187A patent/JPS63204914A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06260844A (ja) * | 1993-03-02 | 1994-09-16 | Yagi Antenna Co Ltd | 高周波電力増幅器のシールド構造 |
| EP0876088A2 (en) * | 1997-05-02 | 1998-11-04 | NEC Corporation | Semiconductor microwave amplifier |
| EP0876088A3 (en) * | 1997-05-02 | 1999-10-27 | NEC Corporation | Semiconductor microwave amplifier |
| EP1771056A1 (en) * | 2005-09-28 | 2007-04-04 | Siemens Milltronics Process Instruments Inc. | A shielded compartment for mounting a high frequency radar component on a printed circuit board |
| US7564399B2 (en) | 2005-09-28 | 2009-07-21 | Siemens Milltronics Process Instruments, Inc. | Shielded compartment for mounting a high frequency radar component on a printed circuit board |
| JP2011205545A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Toshiba Corp | 高周波増幅器 |
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