JPH10242834A - Cmos回路 - Google Patents
Cmos回路Info
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- JPH10242834A JPH10242834A JP9041882A JP4188297A JPH10242834A JP H10242834 A JPH10242834 A JP H10242834A JP 9041882 A JP9041882 A JP 9041882A JP 4188297 A JP4188297 A JP 4188297A JP H10242834 A JPH10242834 A JP H10242834A
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- Japan
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- mos transistor
- channel mos
- power supply
- output
- supply terminal
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
- H01L21/8222—Bipolar technology
- H01L21/8228—Complementary devices, e.g. complementary transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/0008—Arrangements for reducing power consumption
- H03K19/0013—Arrangements for reducing power consumption in field effect transistor circuits
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- Logic Circuits (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小規模の回路構成で貫通電流を抑えたCMO
S回路を実現する。 【解決手段】 互いのドレイン同士を接続して出力端子
としたP、NチャネルMOSトランジスタ7、8のゲー
トにそれぞれ、N、PチャネルMOSトランジスタ1、
2により電源の供給を制御され、P、NチャネルMOS
トランジスタの互いのドレイン同士を接続して出力端子
とし、ゲート同士を接続して入力端子としてなる直列回
路L1、L2の出力端子を接続してある。また、入力信
号を電源供給用のMOSトランジスタ1、2の駆動信号
とし、この駆動信号に対して遅延を持った駆動信号によ
り直列回路L1、L2を駆動させる。これにより、出力
用のMOSトランジスタ7、8は互いに他方のオンタイ
ミングに対してオフタイミングが先行することとなり貫
通電流を抑える。
S回路を実現する。 【解決手段】 互いのドレイン同士を接続して出力端子
としたP、NチャネルMOSトランジスタ7、8のゲー
トにそれぞれ、N、PチャネルMOSトランジスタ1、
2により電源の供給を制御され、P、NチャネルMOS
トランジスタの互いのドレイン同士を接続して出力端子
とし、ゲート同士を接続して入力端子としてなる直列回
路L1、L2の出力端子を接続してある。また、入力信
号を電源供給用のMOSトランジスタ1、2の駆動信号
とし、この駆動信号に対して遅延を持った駆動信号によ
り直列回路L1、L2を駆動させる。これにより、出力
用のMOSトランジスタ7、8は互いに他方のオンタイ
ミングに対してオフタイミングが先行することとなり貫
通電流を抑える。
Description
【0001】
【発明の技術分野】本発明はCMOS回路に関するもの
である。
である。
【0002】
【従来の技術】現在、CMOS構成の出力バッファが多
用されている。基本的なものは図3に示すようにPチャ
ネルMOSトランジスタ、NチャネルMOSトランジス
タの互いのドレインを接続してこの接続点に出力端子を
設け、互いのゲートを接続して入力端子を設けてなる。
このため、PチャネルMOSトランジスタ、Nチャネル
MOSトランジスタが同時にオンとなるタイミングがあ
り、電源端子VDD、VSS間に貫通電流が流れる。こ
のような貫通電流を抑えるため例えば特公平7-107978号
公報に開示された出力バッファがある。これは図4に示
すように、PチャネルMOSトランジスタ20、Nチャ
ネルMOSトランジスタ40の互いのドレインを接続
し、この接続点に出力端子を設けてあり、それぞれのゲ
ートにはインバータ130、140の出力を供給してあ
る。また、入力用のインバータ120の出力をインバー
タ122、124に出力し、インバータ122、124
はそれぞれトランジスタ126、128の構成するトラ
ンスミッションゲートE、トランジスタ136、138
の構成するトランスミッションゲートFに出力を供給す
る。2つのトランスミッションゲートE、Fはそれぞれ
一方のトランジスタ128、136のゲートにインバー
タ120の出力を受けており、トランスミッションゲー
トE、Fはそれぞれの他方のトランジスタ126、13
6のゲートにインバータ122、124の出力をさらに
遅延させるインバータ132、142の出力を受ける。
これにより、トランスミッションゲートE、Fの出力は
前者の立上がりを後者より早く、後者の立下がりを前者
より早くしてある。これにより、それぞれトランスミッ
ションゲートE、Fの出力を受けるインバータ130、
140にてオン、オフされるトランジスタ20、40は
同時にオンとならないこととなり、貫通電流を抑えてい
る。
用されている。基本的なものは図3に示すようにPチャ
ネルMOSトランジスタ、NチャネルMOSトランジス
タの互いのドレインを接続してこの接続点に出力端子を
設け、互いのゲートを接続して入力端子を設けてなる。
このため、PチャネルMOSトランジスタ、Nチャネル
MOSトランジスタが同時にオンとなるタイミングがあ
り、電源端子VDD、VSS間に貫通電流が流れる。こ
のような貫通電流を抑えるため例えば特公平7-107978号
公報に開示された出力バッファがある。これは図4に示
すように、PチャネルMOSトランジスタ20、Nチャ
ネルMOSトランジスタ40の互いのドレインを接続
し、この接続点に出力端子を設けてあり、それぞれのゲ
ートにはインバータ130、140の出力を供給してあ
る。また、入力用のインバータ120の出力をインバー
タ122、124に出力し、インバータ122、124
はそれぞれトランジスタ126、128の構成するトラ
ンスミッションゲートE、トランジスタ136、138
の構成するトランスミッションゲートFに出力を供給す
る。2つのトランスミッションゲートE、Fはそれぞれ
一方のトランジスタ128、136のゲートにインバー
タ120の出力を受けており、トランスミッションゲー
トE、Fはそれぞれの他方のトランジスタ126、13
6のゲートにインバータ122、124の出力をさらに
遅延させるインバータ132、142の出力を受ける。
これにより、トランスミッションゲートE、Fの出力は
前者の立上がりを後者より早く、後者の立下がりを前者
より早くしてある。これにより、それぞれトランスミッ
ションゲートE、Fの出力を受けるインバータ130、
140にてオン、オフされるトランジスタ20、40は
同時にオンとならないこととなり、貫通電流を抑えてい
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図4の
ものでは出力用の2個のMOSトランジスタの他に7個
のインバータ、2個のトランスミッションゲートを用い
るという複雑なものとなり、回路規模が大きくなる。
ものでは出力用の2個のMOSトランジスタの他に7個
のインバータ、2個のトランスミッションゲートを用い
るという複雑なものとなり、回路規模が大きくなる。
【0004】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明では、出
力用の第1、第2の導電型の2個のMOSトランジスタ
のゲートにそれぞれ、これらのMOSトランジスタ自体
の導電型とは異なる導電型のMOSトランジスタにより
電源の供給を制御され、異なる導電型のMOSトランジ
スタの互いのドレイン同士を接続して出力端子とし、ゲ
ート同士を接続して入力端子としてなるそれぞれの直列
回路の出力端子を接続してある。また、入力信号を電源
供給用のMOSトランジスタの駆動信号とし、この駆動
信号に対して遅延を持った駆動信号により上記直列回路
を駆動させる。これにより、出力用のMOSトランジス
タは互いに他方のオンタイミングに対してオフタイミン
グが先行することとなり貫通電流を抑える。
力用の第1、第2の導電型の2個のMOSトランジスタ
のゲートにそれぞれ、これらのMOSトランジスタ自体
の導電型とは異なる導電型のMOSトランジスタにより
電源の供給を制御され、異なる導電型のMOSトランジ
スタの互いのドレイン同士を接続して出力端子とし、ゲ
ート同士を接続して入力端子としてなるそれぞれの直列
回路の出力端子を接続してある。また、入力信号を電源
供給用のMOSトランジスタの駆動信号とし、この駆動
信号に対して遅延を持った駆動信号により上記直列回路
を駆動させる。これにより、出力用のMOSトランジス
タは互いに他方のオンタイミングに対してオフタイミン
グが先行することとなり貫通電流を抑える。
【0005】
【発明の実施の形態】入力信号をゲートに受け、ソース
を第1の電源端子側に接続した第1の導電型の第1のM
OSトランジスタと、上記入力信号をゲートに受け、ソ
ースを上記第1の電源端子とは異なる電位の第2の電源
端子側に接続した上記第1の導電型とは異なる第2の導
電型の第2のMOSトランジスタと、上記入力信号を遅
延する遅延回路と、互いのゲート同士およびドレイン同
士をそれぞれ接続した上記第1、2の導電型の第3、第
4のMOSトランジスタからなり、上記互いに接続され
たゲートに上記遅延回路の出力を受け、上記第1の導電
型の上記第3のMOSトランジスタのソースを上記第1
のMOSトランジスタのドレインに接続し、上記第2の
導電型の上記第4のMOSトランジスタのソースを上記
第2の電源端子に接続し、上記互いに接続されたドレイ
ンを出力端子とする第1の直列回路と、互いのゲート同
士およびドレイン同士をそれぞれ接続した上記第1、2
の導電型の第5、第6のMOSトランジスタからなり、
上記互いに接続されたゲートに上記遅延回路の出力を受
け、上記第2の導電型の上記第6のMOSトランジスタ
のソースを上記第2のMOSトランジスタのドレインに
接続し、上記第1の導電型の上記第5のMOSトランジ
スタのソースを上記第1の電源端子に接続し、上記互い
に接続されたドレインを出力端子とする第2の直列回路
と、ゲートに上記第1の直列回路の出力を受けるととも
にソースを上記第2の電源端子側に接続した上記第2の
導電型の第7のMOSトランジスタと、ゲートに上記第
2の直列回路の出力を受けるとともにソースを上記第1
の電源端子側に接続した上記第1の導電型の第8のMO
Sトランジスタとの互いのドレインを接続し、この接続
点に上記入力信号に対応する出力信号を出力するための
出力端子を設けた第3の直列回路とを具備するCMOS
回路を構成する。
を第1の電源端子側に接続した第1の導電型の第1のM
OSトランジスタと、上記入力信号をゲートに受け、ソ
ースを上記第1の電源端子とは異なる電位の第2の電源
端子側に接続した上記第1の導電型とは異なる第2の導
電型の第2のMOSトランジスタと、上記入力信号を遅
延する遅延回路と、互いのゲート同士およびドレイン同
士をそれぞれ接続した上記第1、2の導電型の第3、第
4のMOSトランジスタからなり、上記互いに接続され
たゲートに上記遅延回路の出力を受け、上記第1の導電
型の上記第3のMOSトランジスタのソースを上記第1
のMOSトランジスタのドレインに接続し、上記第2の
導電型の上記第4のMOSトランジスタのソースを上記
第2の電源端子に接続し、上記互いに接続されたドレイ
ンを出力端子とする第1の直列回路と、互いのゲート同
士およびドレイン同士をそれぞれ接続した上記第1、2
の導電型の第5、第6のMOSトランジスタからなり、
上記互いに接続されたゲートに上記遅延回路の出力を受
け、上記第2の導電型の上記第6のMOSトランジスタ
のソースを上記第2のMOSトランジスタのドレインに
接続し、上記第1の導電型の上記第5のMOSトランジ
スタのソースを上記第1の電源端子に接続し、上記互い
に接続されたドレインを出力端子とする第2の直列回路
と、ゲートに上記第1の直列回路の出力を受けるととも
にソースを上記第2の電源端子側に接続した上記第2の
導電型の第7のMOSトランジスタと、ゲートに上記第
2の直列回路の出力を受けるとともにソースを上記第1
の電源端子側に接続した上記第1の導電型の第8のMO
Sトランジスタとの互いのドレインを接続し、この接続
点に上記入力信号に対応する出力信号を出力するための
出力端子を設けた第3の直列回路とを具備するCMOS
回路を構成する。
【0006】
【実施例】次に本発明の一実施例のCMOS回路につい
て説明する。図1は本例の構成を説明する電気回路図で
ある。同図において1、2はそれぞれNチャネルMOS
トランジスタ、PチャネルMOSトランジスタである。
NチャネルMOSトランジスタ1のソースは電源端子V
SS(0V)に接続され、PチャネルMOSトランジス
タ2のソースは電源端子VDD(5V)に接続され、こ
れらのMOSトランジスタのゲートには波形整形用のイ
ンバータi1を介して入力信号が印加される。i2、i
3はインバータであり、インバータi2、i3はインバ
ータi1の出力を順次遅延する遅延回路d1を構成す
る。
て説明する。図1は本例の構成を説明する電気回路図で
ある。同図において1、2はそれぞれNチャネルMOS
トランジスタ、PチャネルMOSトランジスタである。
NチャネルMOSトランジスタ1のソースは電源端子V
SS(0V)に接続され、PチャネルMOSトランジス
タ2のソースは電源端子VDD(5V)に接続され、こ
れらのMOSトランジスタのゲートには波形整形用のイ
ンバータi1を介して入力信号が印加される。i2、i
3はインバータであり、インバータi2、i3はインバ
ータi1の出力を順次遅延する遅延回路d1を構成す
る。
【0007】3、4はそれぞれNチャネルMOSトラン
ジスタ、PチャネルMOSトランジスタであり、互いの
ゲート同士およびドレイン同士をそれぞれ接続して第1
の直列回路L1を構成する。ここで、NチャネルMOS
トランジスタ3、PチャネルMOSトランジスタ4の互
いに接続されたゲートは入力端子IN1として遅延回路
d1の出力を受け、互いに接続されたドレインには出力
端子OUT1が設けられる。また、NチャネルMOSト
ランジスタ3のソースにNチャネルMOSトランジスタ
1のドレインを接続し、PチャネルMOSトランジスタ
4のソースを電源端子VDDに接続してある。
ジスタ、PチャネルMOSトランジスタであり、互いの
ゲート同士およびドレイン同士をそれぞれ接続して第1
の直列回路L1を構成する。ここで、NチャネルMOS
トランジスタ3、PチャネルMOSトランジスタ4の互
いに接続されたゲートは入力端子IN1として遅延回路
d1の出力を受け、互いに接続されたドレインには出力
端子OUT1が設けられる。また、NチャネルMOSト
ランジスタ3のソースにNチャネルMOSトランジスタ
1のドレインを接続し、PチャネルMOSトランジスタ
4のソースを電源端子VDDに接続してある。
【0008】5、6はそれぞれNチャネルMOSトラン
ジスタ、PチャネルMOSトランジスタであり、互いの
ゲート同士およびドレイン同士をそれぞれ接続して第2
の直列回路L2を構成する。ここで、NチャネルMOS
トランジスタ5、PチャネルMOSトランジスタ6の互
いに接続されたゲートは入力端子IN2として遅延回路
d1の出力を受け、互いに接続されたドレインには出力
端子OUT2が設けられる。また、NチャネルMOSト
ランジスタ5のソースを電源端子VSSに接続し、Pチ
ャネルMOSトランジスタ6のソースをPチャネルMO
Sトランジスタ2のドレインに接続してある。
ジスタ、PチャネルMOSトランジスタであり、互いの
ゲート同士およびドレイン同士をそれぞれ接続して第2
の直列回路L2を構成する。ここで、NチャネルMOS
トランジスタ5、PチャネルMOSトランジスタ6の互
いに接続されたゲートは入力端子IN2として遅延回路
d1の出力を受け、互いに接続されたドレインには出力
端子OUT2が設けられる。また、NチャネルMOSト
ランジスタ5のソースを電源端子VSSに接続し、Pチ
ャネルMOSトランジスタ6のソースをPチャネルMO
Sトランジスタ2のドレインに接続してある。
【0009】7、8はPチャネルMOSトランジスタ、
NチャネルMOSトランジスタであり、互いのドレイン
同士を接続してここに出力端子OUTを設け、それぞれ
ソースを電源VDD、VSSに接続してある。Pチャネ
ルMOSトランジスタ7のゲートは出力端子OUT1の
出力を受け、NチャネルMOSトランジスタ8のゲート
は出力端子OUT2からの出力を受ける。
NチャネルMOSトランジスタであり、互いのドレイン
同士を接続してここに出力端子OUTを設け、それぞれ
ソースを電源VDD、VSSに接続してある。Pチャネ
ルMOSトランジスタ7のゲートは出力端子OUT1の
出力を受け、NチャネルMOSトランジスタ8のゲート
は出力端子OUT2からの出力を受ける。
【0010】次に以上のように構成される本例のCMO
S回路の動作について図2のタイミングチャートを参照
しながら説明する。
S回路の動作について図2のタイミングチャートを参照
しながら説明する。
【0011】入力端子INに印加される入力信号はイン
バータi1を介して図2のAに示すように整形されてN
チャネルMOSトランジスタ1、PチャネルMOSトラ
ンジスタ2のゲートに印加されるとともに、遅延回路d
1にて図2のBに示すように遅延され第1の直列回路L
1、第2の直列回路L2の入力端子IN1、IN2に印
加される。
バータi1を介して図2のAに示すように整形されてN
チャネルMOSトランジスタ1、PチャネルMOSトラ
ンジスタ2のゲートに印加されるとともに、遅延回路d
1にて図2のBに示すように遅延され第1の直列回路L
1、第2の直列回路L2の入力端子IN1、IN2に印
加される。
【0012】タイミングt1において信号Aが“L”で
あるとすると、NチャネルMOSトランジスタ1、Pチ
ャネルMOSトランジスタ2はそれぞれ図2のN、Pに
示すようにそれぞれ、オフ、オンとなっており、信号B
は“L”となっている。第1の直列回路L1、第2の直
列回路L2の出力端子OUT1、OUT2の出力はとも
に“H”となっており、それぞれの信号を受けるPチャ
ネルMOSトランジスタ7、NチャネルMOSトランジ
スタ8はそれぞれオフ、オンとなり、出力端子OUTは
“L”となっている。
あるとすると、NチャネルMOSトランジスタ1、Pチ
ャネルMOSトランジスタ2はそれぞれ図2のN、Pに
示すようにそれぞれ、オフ、オンとなっており、信号B
は“L”となっている。第1の直列回路L1、第2の直
列回路L2の出力端子OUT1、OUT2の出力はとも
に“H”となっており、それぞれの信号を受けるPチャ
ネルMOSトランジスタ7、NチャネルMOSトランジ
スタ8はそれぞれオフ、オンとなり、出力端子OUTは
“L”となっている。
【0013】次にタイミングt2となると、信号Aが
“H”となり、NチャネルMOSトランジスタ1、Pチ
ャネルMOSトランジスタ2はそれぞれオン、オフとな
る。ここで、第1の直列回路L1ではNチャネルMOS
トランジスタ3がオフ、PチャネルMOSトランジスタ
4がオンとなっており、NチャネルMOSトランジスタ
1のオンとは関わらずPチャネルMOSトランジスタ4
を介して電源端子VDD側に引かれており、出力端子O
UT1は“H”となっている。また、第2の直列回路で
は、NチャネルMOSトランジスタ5がオフ、Pチャネ
ルMOSトランジスタ6がオンとなっている。ここで、
電源端子VDD側に第2の直列回路L2を引いていたP
チャネルMOSトランジスタ2がオフとなることによ
り、出力端子OUT2は基板電位に引かれ、ここでは電
源端子VSS側に引かれて“L”となり、NチャネルM
OSトランジスタ7はオフとなる。ここで、Pチャネル
MOSトランジスタ2とNチャネルMOSトランジスタ
5がオフとなっており、出力端子OUT2は電源VD
D、VSSからも切り離され一見フローティングとなっ
ているように見えるが、便宜上CNとして示したゲート
容量、配線容量があるため“L”に保持されるのであ
る。
“H”となり、NチャネルMOSトランジスタ1、Pチ
ャネルMOSトランジスタ2はそれぞれオン、オフとな
る。ここで、第1の直列回路L1ではNチャネルMOS
トランジスタ3がオフ、PチャネルMOSトランジスタ
4がオンとなっており、NチャネルMOSトランジスタ
1のオンとは関わらずPチャネルMOSトランジスタ4
を介して電源端子VDD側に引かれており、出力端子O
UT1は“H”となっている。また、第2の直列回路で
は、NチャネルMOSトランジスタ5がオフ、Pチャネ
ルMOSトランジスタ6がオンとなっている。ここで、
電源端子VDD側に第2の直列回路L2を引いていたP
チャネルMOSトランジスタ2がオフとなることによ
り、出力端子OUT2は基板電位に引かれ、ここでは電
源端子VSS側に引かれて“L”となり、NチャネルM
OSトランジスタ7はオフとなる。ここで、Pチャネル
MOSトランジスタ2とNチャネルMOSトランジスタ
5がオフとなっており、出力端子OUT2は電源VD
D、VSSからも切り離され一見フローティングとなっ
ているように見えるが、便宜上CNとして示したゲート
容量、配線容量があるため“L”に保持されるのであ
る。
【0014】次にタイミングt3となると、信号Bが
“H”となり、第1の直列回路L1では、NチャネルM
OSトランジスタ3がオン、PチャネルMOSトランジ
スタ4がオフとなる。これにより、出力端子OUT1は
“L”となり、PチャネルMOSトランジスタ7がオン
となる。これにより、出力端子OUTは“H”となる。
このとき、PチャネルMOSトランジスタ7のオン動作
に先行してタイミングt2においてNチャネルMOSト
ランジスタ8がオフとなっているので電源端子VDDか
ら、電源端子VSSへ貫通電流が流れることはない。
“H”となり、第1の直列回路L1では、NチャネルM
OSトランジスタ3がオン、PチャネルMOSトランジ
スタ4がオフとなる。これにより、出力端子OUT1は
“L”となり、PチャネルMOSトランジスタ7がオン
となる。これにより、出力端子OUTは“H”となる。
このとき、PチャネルMOSトランジスタ7のオン動作
に先行してタイミングt2においてNチャネルMOSト
ランジスタ8がオフとなっているので電源端子VDDか
ら、電源端子VSSへ貫通電流が流れることはない。
【0015】また、第2の直列回路L2ではNチャネル
MOSトランジスタ5がオン、PチャネルMOSトラン
ジスタ6がオフとなり、出力端子OUT2はNチャネル
MOSトランジスタ5を介して電源端子VSS側に引か
れる。これにより、出力端子OUT2の“L”の状態
は、ゲート容量、配線容量によるダイナミックな保持か
ら電源端子VSSによる静的な保持へと変わる。
MOSトランジスタ5がオン、PチャネルMOSトラン
ジスタ6がオフとなり、出力端子OUT2はNチャネル
MOSトランジスタ5を介して電源端子VSS側に引か
れる。これにより、出力端子OUT2の“L”の状態
は、ゲート容量、配線容量によるダイナミックな保持か
ら電源端子VSSによる静的な保持へと変わる。
【0016】次にタイミングt4となると信号Aが
“L”となり、NチャネルMOSトランジスタ1、Pチ
ャネルMOSトランジスタ2がそれぞれオフ、オンとな
る。このとき、第1の直列回路L1ではNチャネルMO
Sトランジスタ3、PチャネルMOSトランジスタがそ
れぞれオン、オフとなっているが、第1の直列回路L1
を電源端子VSS側に引いていたNチャネルMOSトラ
ンジスタ1がオフとされるため、出力端子OUT1は基
板電位に引かれ、ここでは電源VDD側に引かれ“H”
となる。こごても便宜上CPで示されるゲート容量、配
線容量によってダイナミックに出力端子OUT1の状態
が保持される。これにより、PチャネルMOSトランジ
スタ7がオフとなる。また、第2の直列回路において
は、NチャネルMOSトランジスタ5、PチャネルMO
Sトランジスタ6はそれぞれオン、オフとなっており、
すでに出力端子OUT2はNチャネルMOSトランジス
タ5を介して電源端子VSSに接続された状態にあり、
PチャネルMOSトランジスタ2のオフに関わらず
“L”の状態を保持する。
“L”となり、NチャネルMOSトランジスタ1、Pチ
ャネルMOSトランジスタ2がそれぞれオフ、オンとな
る。このとき、第1の直列回路L1ではNチャネルMO
Sトランジスタ3、PチャネルMOSトランジスタがそ
れぞれオン、オフとなっているが、第1の直列回路L1
を電源端子VSS側に引いていたNチャネルMOSトラ
ンジスタ1がオフとされるため、出力端子OUT1は基
板電位に引かれ、ここでは電源VDD側に引かれ“H”
となる。こごても便宜上CPで示されるゲート容量、配
線容量によってダイナミックに出力端子OUT1の状態
が保持される。これにより、PチャネルMOSトランジ
スタ7がオフとなる。また、第2の直列回路において
は、NチャネルMOSトランジスタ5、PチャネルMO
Sトランジスタ6はそれぞれオン、オフとなっており、
すでに出力端子OUT2はNチャネルMOSトランジス
タ5を介して電源端子VSSに接続された状態にあり、
PチャネルMOSトランジスタ2のオフに関わらず
“L”の状態を保持する。
【0017】次にタイミングt5となると信号Bが
“L”となり、第1の直列回路L1では、NチャネルM
OSトランジスタ3、PチャネルMOSトランジスタ4
はそれぞれオフ、オンとなり、出力端子OUT1はPチ
ャネルMOSトランジスタ4を介して電源端子VDDに
引かれる。これにより、出力端子OUT1の“H”の状
態は、ゲート容量、配線容量によるダイナミックな保持
から電源端子VDDによる静的な保持へと変わる。第2
の直列回路L2では、NチャネルMOSトランジスタ
5、PチャネルMOSトランジスタ6はそれぞれオフ、
オンとなり、出力端子OUT2はPチャネルMOSトラ
ンジスタ2、6を介して電源端子VDD側に引かれ
“H”となる。これによりNチャネルMOSトランジス
タ8がオンとなり、出力端子OUTは“L”となる。こ
こでも、タイミングt4においてPチャネルMOSトラ
ンジスタ7がオフとなった後、タイミングt5において
NチャネルMOSトランジスタ8がオンとなり、これら
のトランジスタが同時にオンとなることはなく貫通電流
をなくすことがない。
“L”となり、第1の直列回路L1では、NチャネルM
OSトランジスタ3、PチャネルMOSトランジスタ4
はそれぞれオフ、オンとなり、出力端子OUT1はPチ
ャネルMOSトランジスタ4を介して電源端子VDDに
引かれる。これにより、出力端子OUT1の“H”の状
態は、ゲート容量、配線容量によるダイナミックな保持
から電源端子VDDによる静的な保持へと変わる。第2
の直列回路L2では、NチャネルMOSトランジスタ
5、PチャネルMOSトランジスタ6はそれぞれオフ、
オンとなり、出力端子OUT2はPチャネルMOSトラ
ンジスタ2、6を介して電源端子VDD側に引かれ
“H”となる。これによりNチャネルMOSトランジス
タ8がオンとなり、出力端子OUTは“L”となる。こ
こでも、タイミングt4においてPチャネルMOSトラ
ンジスタ7がオフとなった後、タイミングt5において
NチャネルMOSトランジスタ8がオンとなり、これら
のトランジスタが同時にオンとなることはなく貫通電流
をなくすことがない。
【0018】以上のように本例では、3個のインバー
タ、8個のトランジスタという簡単な構成で貫通電流を
抑えることが可能となる。
タ、8個のトランジスタという簡単な構成で貫通電流を
抑えることが可能となる。
【0019】
【発明の効果】本発明によれば、小規模の回路構成で貫
通電流を抑えたCMOS回路が実現できる。
通電流を抑えたCMOS回路が実現できる。
【図1】本発明の一実施例のCMOS回路の構成を示す
ための説明図。
ための説明図。
【図2】図1の動作説明のためのタイミングチャート。
【図3】従来の技術を説明するための説明図。
【図4】従来の技術を説明するための説明図。
1 NチャネルMOSトランジスタ(第1のMOS
トランジスタ) 2 PチャネルMOSトランジスタ(第2のMOS
トランジスタ) 3 NチャネルMOSトランジスタ(第3のMOS
トランジスタ) 4 PチャネルMOSトランジスタ(第4のMOS
トランジスタ) L1 第1の直列回路 5 NチャネルMOSトランジスタ(第5のMOS
トランジスタ) 6 PチャネルMOSトランジスタ(第6のMOS
トランジスタ) L2 第2の直列回路 7 PチャネルMOSトランジスタ(第7のMOS
トランジスタ) 8 NチャネルMOSトランジスタ(第8のMOS
トランジスタ)
トランジスタ) 2 PチャネルMOSトランジスタ(第2のMOS
トランジスタ) 3 NチャネルMOSトランジスタ(第3のMOS
トランジスタ) 4 PチャネルMOSトランジスタ(第4のMOS
トランジスタ) L1 第1の直列回路 5 NチャネルMOSトランジスタ(第5のMOS
トランジスタ) 6 PチャネルMOSトランジスタ(第6のMOS
トランジスタ) L2 第2の直列回路 7 PチャネルMOSトランジスタ(第7のMOS
トランジスタ) 8 NチャネルMOSトランジスタ(第8のMOS
トランジスタ)
Claims (1)
- 【請求項1】 入力信号をゲートに受け、ソースを第1
の電源端子側に接続した第1の導電型の第1のMOSト
ランジスタと、 上記入力信号をゲートに受け、ソースを上記第1の電源
端子とは異なる電位の第2の電源端子側に接続した上記
第1の導電型とは異なる第2の導電型の第2のMOSト
ランジスタと、 上記入力信号を遅延する遅延回路と、 互いのゲート同士およびドレイン同士をそれぞれ接続し
た上記第1、2の導電型の第3、第4のMOSトランジ
スタからなり、上記互いに接続されたゲートに上記遅延
回路の出力を受け、上記第1の導電型の上記第3のMO
Sトランジスタのソースを上記第1のMOSトランジス
タのドレインに接続し、上記第2の導電型の上記第4の
MOSトランジスタのソースを上記第2の電源端子に接
続し、上記互いに接続されたドレインを出力端子とする
第1の直列回路と、 互いのゲート同士およびドレイン同士をそれぞれ接続し
た上記第1、2の導電型の第5、第6のMOSトランジ
スタからなり、上記互いに接続されたゲートに上記遅延
回路の出力を受け、上記第2の導電型の上記第6のMO
Sトランジスタのソースを上記第2のMOSトランジス
タのドレインに接続し、上記第1の導電型の上記第5の
MOSトランジスタのソースを上記第1の電源端子に接
続し、上記互いに接続されたドレインを出力端子とする
第2の直列回路と、 ゲートに上記第1の直列回路の出力を受けるとともにソ
ースを上記第2の電源端子側に接続した上記第2の導電
型の第7のMOSトランジスタと、ゲートに上記第2の
直列回路の出力を受けるとともにソースを上記第1の電
源端子側に接続した上記第1の導電型の第8のMOSト
ランジスタとの互いのドレインを接続し、この接続点に
上記入力信号に対応する出力信号を出力するための出力
端子を設けた第3の直列回路とを具備することを特徴と
するCMOS回路。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9041882A JPH10242834A (ja) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | Cmos回路 |
TW087101776A TW384570B (en) | 1997-02-26 | 1998-02-10 | CMOS circuit |
KR1019980005894A KR100263785B1 (ko) | 1997-02-26 | 1998-02-25 | 상보형 금속 산화막 반도체 회로 |
US09/030,756 US5923192A (en) | 1997-02-26 | 1998-02-25 | CMOS circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9041882A JPH10242834A (ja) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | Cmos回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10242834A true JPH10242834A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=12620655
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9041882A Pending JPH10242834A (ja) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | Cmos回路 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5923192A (ja) |
JP (1) | JPH10242834A (ja) |
KR (1) | KR100263785B1 (ja) |
TW (1) | TW384570B (ja) |
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JP3428527B2 (ja) * | 1999-09-29 | 2003-07-22 | 日本電気株式会社 | 波形整形回路 |
JP3888019B2 (ja) * | 2000-02-28 | 2007-02-28 | ヤマハ株式会社 | 出力バッファ回路 |
KR100363479B1 (ko) * | 2000-06-29 | 2002-11-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이중 경로를 갖는 입력버퍼 |
US6522180B1 (en) * | 2000-12-21 | 2003-02-18 | Intel Corporation | Bi-voltage levels switches |
US6703883B2 (en) * | 2001-03-29 | 2004-03-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Low current clock sensor |
JP3935925B2 (ja) * | 2002-03-04 | 2007-06-27 | 富士通株式会社 | 出力バッファ回路 |
US6870895B2 (en) * | 2002-12-19 | 2005-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Shift register and driving method thereof |
JP4556648B2 (ja) * | 2004-12-03 | 2010-10-06 | ヤマハ株式会社 | デューティ比補正回路 |
CN103368536B (zh) * | 2013-07-24 | 2016-01-13 | 苏州加古尔微电子科技有限公司 | 基于mos管的信号延迟电路 |
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US5218239A (en) * | 1991-10-03 | 1993-06-08 | National Semiconductor Corporation | Selectable edge rate cmos output buffer circuit |
JP2759577B2 (ja) * | 1992-05-14 | 1998-05-28 | 三菱電機株式会社 | バッファ回路 |
US5214320A (en) * | 1992-06-12 | 1993-05-25 | Smos Systems, Inc. | System and method for reducing ground bounce in integrated circuit output buffers |
US5495195A (en) * | 1994-11-17 | 1996-02-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Output buffer for a high density programmable logic device |
-
1997
- 1997-02-26 JP JP9041882A patent/JPH10242834A/ja active Pending
-
1998
- 1998-02-10 TW TW087101776A patent/TW384570B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-02-25 US US09/030,756 patent/US5923192A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-25 KR KR1019980005894A patent/KR100263785B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5923192A (en) | 1999-07-13 |
TW384570B (en) | 2000-03-11 |
KR19980071674A (ko) | 1998-10-26 |
KR100263785B1 (ko) | 2000-09-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010726 |