JPH1022418A - 半導体素子 - Google Patents

半導体素子

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JPH1022418A
JPH1022418A JP8172182A JP17218296A JPH1022418A JP H1022418 A JPH1022418 A JP H1022418A JP 8172182 A JP8172182 A JP 8172182A JP 17218296 A JP17218296 A JP 17218296A JP H1022418 A JPH1022418 A JP H1022418A
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peeling
groove
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semiconductor chip
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Hiroaki Koujimoto
浩章 椛本
Sukeyuki Furukawa
資之 古川
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Abstract

(57)【要約】 【課題】金属板を内蔵する樹脂封止型パッケージを備え
た半導体素子において、封止樹脂の金属板からの剥離の
発生と剥離の拡大を防止することの出来る半導体素子を
提供する。 【解決手段】半導体チップ5を載置した金属板3と、上
記半導体チップ5を封止する樹脂封止パッケージ2と、
を備えた半導体素子であって、金属板3の封止樹脂密着
面に、上記半導体チップ5の大部分を平面上で少なくと
もほぼ囲む形状の溝(6と7)を少なくとも2重以上に
設けたことを特徴とする半導体素子。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子、特に
金属板を内蔵した樹脂封止型パッケージを備えた半導体
素子における、金属板と封止樹脂との界面に発生および
拡大する封止樹脂の剥離の防止技術に関し、例えば、放
熱板を備えて大電流を通電させる半導体チップの実装に
利用して信頼性、品質向上に有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】大電流通電を実現するための半導体素子
として、半導体チップを金属板に半田付けした構造があ
る。この半田付けされる金属板は大電流通電時に半導体
チップから発生する熱を放出する作用と、半導体チップ
を支持し、かつ封止樹脂を支持する構造となっている。
このような金属板においては、通常、金属板の封止樹脂
密着面側に、金属板と封止樹脂との熱膨張係数の違いに
よる剪断応力を緩和するための溝が1本だけ形成されて
いる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記のような金属板を
内蔵する樹脂封止型パッケージを備えた半導体素子は、
気相熱衝撃試験に代表される繰り返し熱衝撃印加状態下
において、金属板と封止樹脂との熱膨張係数の違いによ
って金属板と封止樹脂との界面に発生する剪断応力を緩
和するための溝を1本形成し、その1本の溝の内部に充
填される封止樹脂の投錨効果(樹脂や接着剤が非接着面
にある空隙に侵入、固化し、釘または楔のような働きを
する効果、アンカー効果とも云う)をもって剪断応力を
緩和する構造となっている。しかし、後述する理由によ
り、1本の溝だけでは熱衝撃による繰り返し剪断応力に
対して十分に抗することができず、剥離が発生すると、
その剥離が繰り返し剪断応力によって剥離面積を拡大し
ていき、その結果、半導体チップを金属板に接着してい
る半田層にクラックを発生させるという問題点があっ
た。
【0004】前述の剪断応力を緩和する溝が1本で構成
される半導体素子において、1本の溝だけでは熱衝撃に
よる繰り返し剪断応力に対して十分に抗することができ
ない理由は以下の如くである。
【0005】すなわち、封止樹脂の剥離は、半導体素子
に印加された熱衝撃による繰り返し剪断応力により、封
止樹脂端面から金属板と封止樹脂との界面の中心に向け
て拡大していくもの(以下、外からの剥離という)と、
金属板と封止樹脂との界面の中心付近から封止樹脂端面
に向けて拡大していくもの(以下、内からの剥離とい
う)との2つの剥離過程に依存し、また溝はその内部に
充填された封止樹脂の投錨効果によって剥離する面積拡
大を防止するようになっている。
【0006】しかし、従来構造の半導体素子は1本の溝
で剪断応力を緩和する構造であるため、外からの剥離と
内からの剥離との両剥離が溝を挟み込んで、溝領域で接
触して繋がった場合には、溝に充填された封止樹脂の投
錨効果は失われてしまう。そのため、投錨効果を失った
封止樹脂は、繰り返し剪断応力によって広範囲にわたっ
てその剥離面積を急速に拡大していき、その結果、剪断
応力は半導体チップに集中し、半田クラックを発生させ
ることが本発明者によって明らかにされた。
【0007】本発明は、上記のごとき従来技術の問題を
解決するためになされたものであり、金属板を内蔵する
樹脂封止型パッケージを備えた半導体素子において、封
止樹脂の金属板からの剥離の発生と剥離の拡大を防止す
ることの出来る半導体素子を提供することを目的とす
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明においては、特許請求の範囲に記載するよう
に構成している。すなわち、請求項1に記載の発明にお
いては、半導体チップを載置した金属板と、上記半導体
チップを封止する樹脂封止パッケージと、を備えた半導
体素子であって、金属板の封止樹脂密着面に、上記半導
体チップの大部分を平面上で少なくともほぼ囲む形状の
溝または楔を少なくとも2重以上に設けるように構成し
ている。なお、上記の溝または楔は、半導体チップを切
れ目なしで完全に囲むものでなくてもよいが、半導体チ
ップの大部分を平面上で少なくともほぼ囲む形状(完全
に囲むか若しくは切れ目を有してほぼ囲む形状)で少な
くとも2重以上に設ける必要がある。
【0009】また、請求項2においては、上記の溝また
は楔の断面形状を、V字型またはU字型若しくはV字型
とU字型との合成型にしたものである。
【0010】上記のように、本発明においては、金属板
の封止樹脂密着面に、上記半導体チップを平面上で少な
くともほぼ囲む形状の溝または楔を少なくとも2重以上
に設けたものである。
【0011】上記の構成によれば、熱衝撃による繰り返
し剪断応力により、金属板と封止樹脂との界面に対して
これを剥離させようとする力が作用し、金属板から封止
樹脂が剥離し、封止樹脂の投錨効果が希薄な界面上にて
その剥離面積を拡大していったとしても、例えば封止樹
脂の金属板密着面上において、溝が多重に設けられてい
る、すなわち、従来の溝の内側(または外側)に、新た
な溝または楔が設けられているので、従来構造の溝は外
からの剥離の拡大を防止せしめる効果を発揮し、新たな
溝は内からの剥離の拡大を防止せしめる効果を発揮す
る。そのため、従来構造の溝と新たな溝または楔との間
には剥離の発生しない領域が形成され、剥離の発生しな
い領域の封止樹脂と金属板との密着は保たれて、その剥
離の発生しない領域を囲む溝または楔による封止樹脂の
投錨効果をもって剪断応力を十分に緩和し、剥離力に対
して極めて強く抗することができる。したがって、外か
らの剥離と内からの剥離とが繋がるような広範囲にわた
る剥離の面積拡大は防止される。
【0012】また、剥離は封止樹脂等による投錨効果の
希薄な界面上にて発生するが、従来構造の溝と新たな構
造である溝または楔との間の界面においては、その両構
造によって形成される封止樹脂または楔の投錨効果が、
剥離力に対して極めて強く抗するため、剥離は発生しな
い。
【0013】すなわち、本発明の作用の概要を説明すれ
ば、従来の溝に加えて1本以上の溝または楔を金属板に
設けて2重以上の剥離拡大防止構造を形成することによ
り、熱衝撃での繰り返し応力により発生する外からと内
からとの2種類の剥離に対して、2重以上の剥離防止構
造が独立してそれぞれの両剥離の面積拡大の防止効果を
発揮するため、両剥離が繋がることはなく、剥離の拡大
は確実に防止される。さらに、新たに開設する溝または
楔の立体形状によって形成される封止樹脂の投錨効果に
よる剥離防止効果も同時に発揮されるのは前述の通りで
ある。
【0014】
【発明の効果】金属板の封止樹脂密着面に、半導体チッ
プを平面上で少なくともほぼ囲む形状の溝または楔を少
なくとも2重以上に設けたことにより、熱衝撃に伴って
発生する応力によって金属板と封止樹脂が剥離した場合
でも、2重に設けた溝または楔で剥離の拡大を防止でき
るため、半導体チップを金属板に接着している半田層の
クラックの発生を防止することができ、半導体素子の耐
環境性、特に耐熱衝撃性を大幅に向上できる、という効
果が得られる。
【0015】
【発明の実施の形態】図1は本発明の一実施の形態であ
る樹脂封止パッケージを備えている半導体素子を示す断
面図、図2はそのパッケージに付属している金属板3の
樹脂密着面の平面図である。
【0016】本実施の形態において、樹脂封止パッケー
ジを備えている半導体素子1は封止樹脂2と金属板3と
を備えており、金属板3はパッケージング以前には図2
に示されているように構成されている。すなわち、金属
板3の封止樹脂密着面側には、金属板と封止樹脂との熱
膨張係数の違いによる剪断応力を緩和する溝6に加え
て、封止樹脂の剥離の発生および拡大を防止する溝7を
溝6の内側に備えている。溝6の断面構造は通常V字状
であり、本実施の形態では溝7も断面構造をV字状とし
ている。溝7は、金属板3に金型プレス加工を施すこと
により形成される。例えば、溝6を形成するプレス金型
に溝7を形成する楔を形成することにより、溝7は溝6
のプレス加工と同時に金属板3に形成することができ
る。また、金属板3にエッチング加工を施しても溝6は
形成できるし、溝7も同様にして形成することができ
る。
【0017】また、上記の溝6、7は、図2に示すよう
に、金属板面に対して閉じている(半導体チップ5を完
全に囲む形状)ものでなくてもよいし、また、切れ目が
あってもよいが、半導体チップ5の大部分を平面上で少
なくともほぼ囲む形状(完全に囲むか若しくは切れ目を
有してほぼ囲む形状)で少なくとも2重(溝6と7で2
重に囲んでいる)以上に設ける必要がある。
【0018】金属板3上には、集積回路を作り込まれた
半導体チップ5が接着剤9(銀ペースト、半田等)によ
ってボンディングされており、半導体チップ5の電極パ
ッド(図示せず)と各インナーリード11との間にワイ
ヤ10がそれぞれボンディングされている。また、半導
体チップ5の集積回路は電極パッド、ワイヤ10、イン
ナーリード11およびアウターリード4を介して電気的
に外部に引き出されるようになっている。
【0019】上記のごとき半導体素子において、半導体
チップ5の金属板3への接着剤9を用いたボンディング
作業は次のようにして行なわれる。まず、図2に示す金
属板3上の、あらかじめ塗布された銀ペースト上に、接
着剤9を塗布する。続いて、塗布された接着剤9上に、
集積回路を作り込まれた半導体チップ5を配置する。そ
して、ワイヤボンディングを行なった後、封止樹脂2を
用いて半導体チップ5は金属板3と一体成型される。こ
の封止樹脂2によって前記アウターリード4の一部、半
導体チップ5、ワイヤ10およびインナーリード11が
気密封止される。すなわち、金属板3上に封止樹脂2が
配置され、金属板3裏面は外部に露出し、封止樹脂2の
一端面からアウターリード4が突出された構造となる。
【0020】次に作用を説明する。前記構成にかかる半
導体素子は出荷前に抜き取り検査を施される。抜き取り
検査では気相熱衝撃試験を含む環境試験が実施される。
また、この半導体素子がプリント配線基板等に実装され
る際には、半田ディップやフロー半田処理によって半導
体素子は加熱される。
【0021】このような環境試験または実装時に熱衝撃
が半導体素子に加えられた場合、構成材料の熱膨張係数
差によって封止樹脂2の内部に応力が発生する。図3
は、上記内部応力を示す断面図であり、曲線が内部応力
を示す。
【0022】封止樹脂2の内部応力は、主に半導体チッ
プ5の上辺付近および金属板3と封止樹脂2との界面に
加えて金属板3上の溝付近にて発生する。ただし、半導
体チップ5を金属板3に接着している接着剤9のクラッ
クはこの程度の応力集中では発生しない。しかし、度重
なる熱衝撃による繰返し応力により、金属板3と封止樹
脂2との界面に外からの剥離と内からの剥離が発生して
拡大し、両剥離が繋がって溝内部に充填された封止樹脂
の投錨効果が失われると、溝付近に分散されていた応力
が半導体チップ5に集中して過大な応力が作用するた
め、半田層にクラックが発生する。
【0023】しかし、本実施の形態においては、金属板
3に溝6および溝7が構成されているため、封止樹脂2
と金属板3との界面に半田層クラックを発生させる程の
広範囲な剥離が発生することは無い。すなわち、前述し
たような熱衝撃による繰り返し応力により、金属板3と
封止樹脂2との界面に対してこれを剥離させようとする
力が作用し、外からの剥離と内からの剥離とが発生して
拡大したとしても、溝6に加えて溝7が新たに開設され
ていることから、外からの剥離に対しては溝6でその剥
離の拡大を防止し、内からの剥離に対しては溝7でその
剥離の拡大を防止する。そのため、外からの剥離と内か
らの剥離が繋がることはなく、剥離はそれ以上面積を拡
大できないため、溝6および溝7に充填された封止樹脂
2は投錨効果を保持し、故に半導体チップ5に熱応力が
集中することは無く、半田クラックは確実に防止され
る。そして、剥離が発生しない場合には、半導体チップ
5の上辺付近および金属板3と封止樹脂2との界面に応
力が加わったとしても、溝6および溝7に充填された封
止樹脂の投錨効果によって応力は分散され、半田層にク
ラックが発生しないのは前述した通りである。
【0024】前記実施の形態によれば次の効果が得られ
る。すなわち、金属板に、従来より開設されている溝に
加えて、重複して溝を追加することにより、熱衝撃に伴
って発生する応力により金属板と封止樹脂が剥離した場
合でも、封止樹脂の端面から封止樹脂と金属板との界面
内部へ向けて拡大する剥離と、封止樹脂と金属板との界
面内部から封止樹脂の端面に向けて拡大する剥離との、
両剥離が繋がることによる広範囲な面積拡大を防止でき
るため、半導体チップを金属板に接着している接着剤層
のクラックの発生を防止することができる。
【0025】次に、図3は本発明の第2の実施の形態を
示す断面図である。この実施の形態は、前記図1の実施
の形態における、樹脂の剥離の発生および拡大を防止す
る溝7に代えて、楔8を金属板3上に設けたものであ
り、その作用および効果は前記図1の実施の形態と同様
である。
【0026】以上、本発明者によってなされた発明を実
施の形態に基づき具体的に説明してきたが、本発明は前
記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。例えば、樹脂の剥離の発生および拡大を防止する溝
または楔は、直線状、曲線状、多角線状、点線状等のよ
うな形状を問うものではない。
【0027】また溝6および溝7のように金属板面に対
して閉じている必要もなく、封止樹脂2と金属板3との
界面内に重複して位置すれば効果を発揮するのは言うま
でもない。ただし、溝6と溝7(または楔8)は切れ目
なしで完全に囲むものでなくてもよいが、半導体チップ
の大部分を平面上で少なくともほぼ囲む形状(完全に囲
むか若しくは多少の切れ目を有してほぼ囲む形状)で多
重(少なくとも2重以上)に設ける必要がある。
【0028】また、溝または楔の断面形状は、V字状に
形成するに限らず、U字状またはV字状とU字状との合
成型でも効果を発揮する。
【0029】また、半導体チップ5を金属板3に接着し
ている半田層のクラックを防止するには、封止樹脂2と
金属板3との界面の接着を強化することが根幹にあるこ
とはいうまでもない。
【0030】また、以上の説明では、主として本発明者
によってなされた発明をその背景となった利用分野であ
る樹脂封止パッケージを備えた半導体素子に適用した場
合について説明してきたが、それに限定されるものでは
なく、その他の形式の樹脂封止型パッケージを備えた半
導体素子等の半導体素子全般に適用することができるも
のである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態を示す断面図。
【図2】図1のパッケージに付属している金属板3の樹
脂密着面の平面図。
【図3】本発明の第2の実施の形態を示す断面図。
【符号の説明】
1…金属板付き樹脂封止型の半導体素子 2…封止樹脂 3…金属板 4…アウターリード 5…半導体チップ 6…熱衝撃による繰返し剪断応力を緩和するための溝 7…樹脂の剥離の発生および拡大を防止するための溝 8…樹脂の剥離の発生および拡大を防止するための楔 9…接着剤 10…ワイヤ 11…インナーリード

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体チップを載置した金属板と、上記半
    導体チップを封止する樹脂封止パッケージと、を備えた
    半導体素子であって、 金属板の封止樹脂密着面に、上記半導体チップの大部分
    を平面上で少なくともほぼ囲む形状の溝または楔を少な
    くとも2重以上に設けたことを特徴とする半導体素子。
  2. 【請求項2】上記溝または楔の断面形状が、V字型また
    はU字型若しくはV字型とU字型との合成型であること
    を特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
JP8172182A 1996-07-02 1996-07-02 半導体素子 Pending JPH1022418A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018154635A1 (ja) * 2017-02-21 2018-08-30 三菱電機株式会社 半導体装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018154635A1 (ja) * 2017-02-21 2018-08-30 三菱電機株式会社 半導体装置
JP6394810B1 (ja) * 2017-02-21 2018-09-26 三菱電機株式会社 半導体装置
KR20190102082A (ko) * 2017-02-21 2019-09-02 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 반도체 장치
CN110392924A (zh) * 2017-02-21 2019-10-29 三菱电机株式会社 半导体装置
US11309231B2 (en) 2017-02-21 2022-04-19 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device
CN110392924B (zh) * 2017-02-21 2022-11-15 三菱电机株式会社 半导体装置

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