JPH10200153A - 受／発信光モジュール - Google Patents
受／発信光モジュールInfo
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- JPH10200153A JPH10200153A JP248797A JP248797A JPH10200153A JP H10200153 A JPH10200153 A JP H10200153A JP 248797 A JP248797 A JP 248797A JP 248797 A JP248797 A JP 248797A JP H10200153 A JPH10200153 A JP H10200153A
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
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- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
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- H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
- H01S5/0237—Fixing laser chips on mounts by soldering
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- Led Device Packages (AREA)
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板上に受／発光素子を簡単に精度良く位置
決め固着することのできる受／発信光モジュールを提供
する。 【解決手段】 基板１１上に受／発光素子１２が半田Ｈ
によって固着された受／発信光モジュール１０であっ
て、半田Ｈは基板１１または前記受／発光素子１２の少
なくともいずれか一方に設けられた窪み１３内に充填さ
れて基板１１と受／発光素子１２のそれぞれの接合面が
密着して固着されている。
決め固着することのできる受／発信光モジュールを提供
する。 【解決手段】 基板１１上に受／発光素子１２が半田Ｈ
によって固着された受／発信光モジュール１０であっ
て、半田Ｈは基板１１または前記受／発光素子１２の少
なくともいずれか一方に設けられた窪み１３内に充填さ
れて基板１１と受／発光素子１２のそれぞれの接合面が
密着して固着されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板上に半導体レー
ザ等の受／発光素子が固着された受／発信光モジュール
に関する、さらに詳しくは受／発光素子が基板に簡単に
精度良く固着される受／発信光モジュールに関するもの
である。
ザ等の受／発光素子が固着された受／発信光モジュール
に関する、さらに詳しくは受／発光素子が基板に簡単に
精度良く固着される受／発信光モジュールに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザ等の受／発光素子と光導波
路、例えば光ファイバとの接続の一つに図６に示す受／
発信光モジュールがある。図６に示す受／発信光モジュ
ール６０において、６１は半導体レーザ等の受／発光素
子、６２はシリコン等からなる基板である。受／発光素
子６１と基板６２は通常半田Ｈで固着されている。また
光ファイバ６３は基板６２に設けられたＶ溝６５に嵌め
込まれて接着剤等によって固着されている。上記の構造
の受／発信光モジュールにおける受／発光素子と光導波
路の接続部は構造が簡単であるので広く実用化されてい
る。受／発光素子６１と基板６２の半田付けの方法とし
て図７（イ）、（ロ）に示す方法がある。図７（イ）は
熱圧着法、（ロ）はリフロー法である。
路、例えば光ファイバとの接続の一つに図６に示す受／
発信光モジュールがある。図６に示す受／発信光モジュ
ール６０において、６１は半導体レーザ等の受／発光素
子、６２はシリコン等からなる基板である。受／発光素
子６１と基板６２は通常半田Ｈで固着されている。また
光ファイバ６３は基板６２に設けられたＶ溝６５に嵌め
込まれて接着剤等によって固着されている。上記の構造
の受／発信光モジュールにおける受／発光素子と光導波
路の接続部は構造が簡単であるので広く実用化されてい
る。受／発光素子６１と基板６２の半田付けの方法とし
て図７（イ）、（ロ）に示す方法がある。図７（イ）は
熱圧着法、（ロ）はリフロー法である。
【０００３】図７（イ）の熱圧着法は、受／発光素子６
１と基板６２の間に装着した半田Ｈを作業基台内に設け
られたヒータ６７で加熱して溶融し、同時に両者に圧力
を加えて固着する。また図７（ロ）のリフロー法は、受
／発光素子６１の下部に予め装着された半田Ｈを有した
受／発光素子６１を基板６２の上に位置決め固定して図
示していないリフロー炉内で加熱して受／発光素子６１
と基板６２を固着する。図７（イ）、（ロ）に示すいず
れの方法であっても、基板６２の下地金属面および受／
発光素子６１の下部半田接着面は平面となっていて、両
者の間に溶融液化した半田Ｈが浸透し、ある厚みの半田
層を形成する。
１と基板６２の間に装着した半田Ｈを作業基台内に設け
られたヒータ６７で加熱して溶融し、同時に両者に圧力
を加えて固着する。また図７（ロ）のリフロー法は、受
／発光素子６１の下部に予め装着された半田Ｈを有した
受／発光素子６１を基板６２の上に位置決め固定して図
示していないリフロー炉内で加熱して受／発光素子６１
と基板６２を固着する。図７（イ）、（ロ）に示すいず
れの方法であっても、基板６２の下地金属面および受／
発光素子６１の下部半田接着面は平面となっていて、両
者の間に溶融液化した半田Ｈが浸透し、ある厚みの半田
層を形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ここで、半田層の厚み
は接続すべき光ファイバ６３との位置関係から常に一定
であることが要求される。このため通常半田Ｈの量を一
定にして半田層の厚みを一定にし、位置精度を保ように
している。受／発信光モジュールにおける受／発光素子
６１と光ファイバ６３の実装位置精度の許容度は、光軸
ずれの許容度で決まり、望ましくは水平／垂直両方向と
も１μｍ以下である。
は接続すべき光ファイバ６３との位置関係から常に一定
であることが要求される。このため通常半田Ｈの量を一
定にして半田層の厚みを一定にし、位置精度を保ように
している。受／発信光モジュールにおける受／発光素子
６１と光ファイバ６３の実装位置精度の許容度は、光軸
ずれの許容度で決まり、望ましくは水平／垂直両方向と
も１μｍ以下である。
【０００５】垂直方向を考えると光ファイバ６３を固定
するＶ溝６５の位置（深さ）精度と受／発光素子６１の
実装位置（高さ）精度の和であり、受／発信光モジュー
ルにおける受／発光素子６１の高さ精度目標はサブミク
ロンレベルが要求される。従来技術においては、半田量
のばらつきにより半田層厚のばらつきや、半田の凝固不
均一による傾きの発生があるなど受／発光素子６１の高
さをサブミクロン以下に制御するのは困難であった。
するＶ溝６５の位置（深さ）精度と受／発光素子６１の
実装位置（高さ）精度の和であり、受／発信光モジュー
ルにおける受／発光素子６１の高さ精度目標はサブミク
ロンレベルが要求される。従来技術においては、半田量
のばらつきにより半田層厚のばらつきや、半田の凝固不
均一による傾きの発生があるなど受／発光素子６１の高
さをサブミクロン以下に制御するのは困難であった。
【０００６】本発明は上記の課題を解決し、基板上に受
／発光素子を簡単に精度良く位置決め固着することので
きる受／発信光モジュールを提供することを目的とする
ものである。
／発光素子を簡単に精度良く位置決め固着することので
きる受／発信光モジュールを提供することを目的とする
ものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題を解
決するために以下のような手段を有している。
決するために以下のような手段を有している。
【０００８】本発明の請求項１の受／発信光モジュール
は、基板上に受／発光素子が半田によって固着された受
／発信光モジュールであって、前記半田は前記基板また
は前記受／発光素子の少なくともいずれか一方に設けら
れた窪み内に充填されて前記基板と前記受／発光素子の
それぞれの接合面が密着して固着されていることを特徴
とする。
は、基板上に受／発光素子が半田によって固着された受
／発信光モジュールであって、前記半田は前記基板また
は前記受／発光素子の少なくともいずれか一方に設けら
れた窪み内に充填されて前記基板と前記受／発光素子の
それぞれの接合面が密着して固着されていることを特徴
とする。
【０００９】本発明の請求項２の受／発信光モジュール
は、窪み内に充填されている半田は窪み内に空隙を有し
た状態で充填されていることを特徴とする。
は、窪み内に充填されている半田は窪み内に空隙を有し
た状態で充填されていることを特徴とする。
【００１０】本発明の請求項１の受／発信光モジュール
によれば、基板と受／発光素子は少なくともいずれか一
方に設けられた窪み内に充填されている半田によって両
者の接合面が密着して固着されているので、半田層によ
る浮きがなくなり両者の位置関係は常に一定に保ことが
できる。例えば、仮に窪み内に充填されている半田の量
が窪みの容積を越えた場合であっても両者を加圧して両
者の接合面を密着状態にして接合面の間の半田を接合面
外に押し出すことで半田層による浮きがなくなり両者の
位置関係を簡単に一定に保ことができる。両者の接合面
の面積は窪みの分小さくなっているので容易に接合面の
間の半田を接合面外に押し出すことができる。
によれば、基板と受／発光素子は少なくともいずれか一
方に設けられた窪み内に充填されている半田によって両
者の接合面が密着して固着されているので、半田層によ
る浮きがなくなり両者の位置関係は常に一定に保ことが
できる。例えば、仮に窪み内に充填されている半田の量
が窪みの容積を越えた場合であっても両者を加圧して両
者の接合面を密着状態にして接合面の間の半田を接合面
外に押し出すことで半田層による浮きがなくなり両者の
位置関係を簡単に一定に保ことができる。両者の接合面
の面積は窪みの分小さくなっているので容易に接合面の
間の半田を接合面外に押し出すことができる。
【００１１】本発明の請求項２の受／発信光モジュール
によれば、半田は窪みの容積を越えない範囲で空隙を有
した状態で充填されているので、窪み内の半田は基板と
受／発光素子の接合面に漏れ出ることない。従って半田
層による浮きがなくなり常に両者が密着して固定される
ので両者の位置関係は常に一定に保ことができる。半田
は窪みの容積を越えない範囲に設定すればよいので半田
の充填量の管理が容易となり、受／発信光モジュールの
生産性が向上する。
によれば、半田は窪みの容積を越えない範囲で空隙を有
した状態で充填されているので、窪み内の半田は基板と
受／発光素子の接合面に漏れ出ることない。従って半田
層による浮きがなくなり常に両者が密着して固定される
ので両者の位置関係は常に一定に保ことができる。半田
は窪みの容積を越えない範囲に設定すればよいので半田
の充填量の管理が容易となり、受／発信光モジュールの
生産性が向上する。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に本発明の受／発信光モジュ
ールの実施の形態を図１ないし図 を参照してより詳細
に説明する。 （実施の形態１）図１に示す受／発信光モジュール１０
はシリコン基板１１の上に半導体レーザ１２が半田Ｈに
より固着されたものである。半田Ｈはシリコン基板１１
の面に設けられた窪み１３に空隙Ｓを有して充填されて
いて受／発光素子１２の下面とシリコン基板１１とを固
着している。窪み１３の平面積の大きさは半導体レーザ
１２の下面の面積の大きさより若干小さめとなってい
る。図１において、１４は光ファイバで、光ファイバ１
４はシリコン基板１１に形成されたＶ溝１５内に装着さ
れ接着剤で固着され、押さえ板１６によって固定保護さ
れている。
ールの実施の形態を図１ないし図 を参照してより詳細
に説明する。 （実施の形態１）図１に示す受／発信光モジュール１０
はシリコン基板１１の上に半導体レーザ１２が半田Ｈに
より固着されたものである。半田Ｈはシリコン基板１１
の面に設けられた窪み１３に空隙Ｓを有して充填されて
いて受／発光素子１２の下面とシリコン基板１１とを固
着している。窪み１３の平面積の大きさは半導体レーザ
１２の下面の面積の大きさより若干小さめとなってい
る。図１において、１４は光ファイバで、光ファイバ１
４はシリコン基板１１に形成されたＶ溝１５内に装着さ
れ接着剤で固着され、押さえ板１６によって固定保護さ
れている。
【００１３】図２および図３は上記の受／発信光モジュ
ール１０の製造方法の一実施例である。シリコン基板１
１の所定の位置に所定の深さの窪み１３を方向性エッチ
ングにより形成する。窪み１３の大きさはシリコン基板
１１に載置する半導体レーザ１２の下面の面積の大きさ
より若干小さめとする。窪み１３の底にＡｕＳｎからな
る半田バンプＨ0 を形成する。半田バンプＨ0 の形成は
半田チップのリフローにより形成することができる。半
田バンプＨ0 の高さを図３に示すように窪み１３の深さ
より高くするが、半田バンプＨ0 の量は窪み１３の容積
より少なくし、半田バンプＨ0 が溶融した際に窪み１３
より溢れない量とする。半田バンプＨ0 をシリコン基板
１１の窪み１３に形成した状態で載置する。半導体レー
ザ１２は窪み１３を目印にすることによって水平位置精
度は１μｍ以内に制御が可能となる。
ール１０の製造方法の一実施例である。シリコン基板１
１の所定の位置に所定の深さの窪み１３を方向性エッチ
ングにより形成する。窪み１３の大きさはシリコン基板
１１に載置する半導体レーザ１２の下面の面積の大きさ
より若干小さめとする。窪み１３の底にＡｕＳｎからな
る半田バンプＨ0 を形成する。半田バンプＨ0 の形成は
半田チップのリフローにより形成することができる。半
田バンプＨ0 の高さを図３に示すように窪み１３の深さ
より高くするが、半田バンプＨ0 の量は窪み１３の容積
より少なくし、半田バンプＨ0 が溶融した際に窪み１３
より溢れない量とする。半田バンプＨ0 をシリコン基板
１１の窪み１３に形成した状態で載置する。半導体レー
ザ１２は窪み１３を目印にすることによって水平位置精
度は１μｍ以内に制御が可能となる。
【００１４】上記の状態で両者を加熱圧着する。加熱お
よび圧着により半田バンプＨ0 は軟化溶融して窪み１３
内に広がり、半導体レーザ１２の下面がシリコン基板１
１の上面と接し、最終的に密着する。両者が密着した状
態で加熱を終了すると半田Ｈは凝固を開始する。ここ
で、半田Ｈの凝縮の際に半田Ｈが熱収縮して半導体レー
ザ１２を下方に引っ張る力が作用するので半導体レーザ
１２はシリコン基板１１から浮き上がることなく確実に
密着して固着される。ついで、光ファイバ１４をＶ溝１
５内に装着して接着剤を充填して押さえ板１６によって
固定し、受／発信光モジュール１０が製造される。
よび圧着により半田バンプＨ0 は軟化溶融して窪み１３
内に広がり、半導体レーザ１２の下面がシリコン基板１
１の上面と接し、最終的に密着する。両者が密着した状
態で加熱を終了すると半田Ｈは凝固を開始する。ここ
で、半田Ｈの凝縮の際に半田Ｈが熱収縮して半導体レー
ザ１２を下方に引っ張る力が作用するので半導体レーザ
１２はシリコン基板１１から浮き上がることなく確実に
密着して固着される。ついで、光ファイバ１４をＶ溝１
５内に装着して接着剤を充填して押さえ板１６によって
固定し、受／発信光モジュール１０が製造される。
【００１５】（実施の形態２）図４および図５（イ）、
（ロ）は他の実施の形態を示す受／発信光モジュール２
０の製造工程の一部を示す斜視図である。図４に示す受
／発信光モジュール２０は、シリコン基板２１上に半導
体レーザ２２とＳｉＯ2 導波路２３で構成される送信側
およびＳｉＯ2 導波路２４と端面入射型フォトダイオー
ド２５で構成される受信側が一体に形成されたものであ
る。半導体レーザ２２およびフォトダイオード２５の下
面の接合面の四隅に半田ブロックＨ1 、Ｈ2 が形成され
ている。本実施の形態においては、シリコン基板２１の
窪み２６は単に半田溜まりとして作用するのみならず、
図５（イ）、（ロ）に示すように半田ブロックＨ1 、Ｈ
2 の嵌合孔となっていて、シリコン基板２１と半導体レ
ーザ２２およびフォトダイオード２５の位置合わせ孔と
して作用する。
（ロ）は他の実施の形態を示す受／発信光モジュール２
０の製造工程の一部を示す斜視図である。図４に示す受
／発信光モジュール２０は、シリコン基板２１上に半導
体レーザ２２とＳｉＯ2 導波路２３で構成される送信側
およびＳｉＯ2 導波路２４と端面入射型フォトダイオー
ド２５で構成される受信側が一体に形成されたものであ
る。半導体レーザ２２およびフォトダイオード２５の下
面の接合面の四隅に半田ブロックＨ1 、Ｈ2 が形成され
ている。本実施の形態においては、シリコン基板２１の
窪み２６は単に半田溜まりとして作用するのみならず、
図５（イ）、（ロ）に示すように半田ブロックＨ1 、Ｈ
2 の嵌合孔となっていて、シリコン基板２１と半導体レ
ーザ２２およびフォトダイオード２５の位置合わせ孔と
して作用する。
【００１６】半田ブロックＨ1 、Ｈ2 は半導体レーザ２
２およびフォトダイオード２５のウエハー工程におい
て、ＡｕＳｎ蒸着またはスパッタ成膜後にフォトリソグ
ラフィーによりエッチングするので位置精度は１μｍ以
下にすることは十分可能である。なお、半田ブロックＨ
1 、Ｈ2 の高さが窪み２６の深さより高いことは実施の
形態１と同様である。以下、両者を加熱圧着して固着す
ることは実施の形態１と同様であるので詳細な説明は省
略する。また、本実施の形態においても半田Ｈは窪み２
６内に空隙Ｓを有して充填固着されていることは実施の
形態１と同様である。
２およびフォトダイオード２５のウエハー工程におい
て、ＡｕＳｎ蒸着またはスパッタ成膜後にフォトリソグ
ラフィーによりエッチングするので位置精度は１μｍ以
下にすることは十分可能である。なお、半田ブロックＨ
1 、Ｈ2 の高さが窪み２６の深さより高いことは実施の
形態１と同様である。以下、両者を加熱圧着して固着す
ることは実施の形態１と同様であるので詳細な説明は省
略する。また、本実施の形態においても半田Ｈは窪み２
６内に空隙Ｓを有して充填固着されていることは実施の
形態１と同様である。
【００１７】なお、上記の各実施の形態において、半田
溜まりとなる窪みは基板側に設けられている例について
説明したが、窪みは受／発光素子側に設けられていても
良いし、両者に設けられていても良い。また、窪みに充
填される半田は窪みの容積を越えない方が望ましいが、
例えば容積を越えた場合であっても、両者の接合面の面
積は窪みの分小さくなっているので容易に接合面の間の
半田を接合面外に押し出すことができるので、両者の接
合面を密着して固着することが可能となる。
溜まりとなる窪みは基板側に設けられている例について
説明したが、窪みは受／発光素子側に設けられていても
良いし、両者に設けられていても良い。また、窪みに充
填される半田は窪みの容積を越えない方が望ましいが、
例えば容積を越えた場合であっても、両者の接合面の面
積は窪みの分小さくなっているので容易に接合面の間の
半田を接合面外に押し出すことができるので、両者の接
合面を密着して固着することが可能となる。
【００１８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の請求項１の
受／発信光モジュールによれば、基板と受／発光素子は
少なくともいずれか一方に設けられた窪み内に充填され
ている半田によって両者の接合面が密着して固着されて
いるので、半田層による浮きがなくなり両者の位置関係
は常に一定に保ことができる。例えば、仮に窪み内に充
填されている半田の量が窪みの容積を越えた場合であっ
ても、 両者の接合面の面積は窪みの分小さくなってい
るので容易に接合面の間の半田を接合面外に押し出すこ
とができ、両者の接合面を密着状態にして両者の位置関
係を簡単に一定に保ことができる。
受／発信光モジュールによれば、基板と受／発光素子は
少なくともいずれか一方に設けられた窪み内に充填され
ている半田によって両者の接合面が密着して固着されて
いるので、半田層による浮きがなくなり両者の位置関係
は常に一定に保ことができる。例えば、仮に窪み内に充
填されている半田の量が窪みの容積を越えた場合であっ
ても、 両者の接合面の面積は窪みの分小さくなってい
るので容易に接合面の間の半田を接合面外に押し出すこ
とができ、両者の接合面を密着状態にして両者の位置関
係を簡単に一定に保ことができる。
【００１９】本発明の請求項２の受／発信光モジュール
によれば、半田は窪みの容積を越えない範囲で空隙を有
した状態で充填されているので、窪み内の半田は基板と
受／発光素子の接合面に漏れ出ることない。従って半田
層による浮きがなくなり常に両者が密着して固定される
ので両者の位置関係は常に一定に保ことができる。半田
は窪みの容積を越えない範囲に設定すればよいので半田
の充填量の管理が容易となり、受／発信光モジュールの
生産性が向上する。
によれば、半田は窪みの容積を越えない範囲で空隙を有
した状態で充填されているので、窪み内の半田は基板と
受／発光素子の接合面に漏れ出ることない。従って半田
層による浮きがなくなり常に両者が密着して固定される
ので両者の位置関係は常に一定に保ことができる。半田
は窪みの容積を越えない範囲に設定すればよいので半田
の充填量の管理が容易となり、受／発信光モジュールの
生産性が向上する。
【図１】本発明の受／発信光モジュールの一実施の形態
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】図１の受／発信光モジュールの製造工程の一部
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図３】図１の受／発信光モジュールの製造工程の他の
一部を示す断面図である。
一部を示す断面図である。
【図４】本発明の受／発信光モジュールの他の実施の形
態の製造工程の一部を示す斜視図である。
態の製造工程の一部を示す斜視図である。
【図５】（イ）、（ロ）は図４の受／発信光モジュール
の製造工程の他の一部を示す断面図である。
の製造工程の他の一部を示す断面図である。
【図６】従来の受／発信光モジュールの製造方法の一部
を示す側面図である。
を示す側面図である。
【図７】（イ）、（ロ）は従来の受／発信光モジュール
の製造方法を示す説明図である。
の製造方法を示す説明図である。
１０ 受／発信光モジュール １１ シリコン基板 １２ 半導体レーザ １３ 窪み １４ 光ファイバ １５ Ｖ溝 １６ 押さえ板 Ｈ 半田 Ｓ 空隙
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に受／発光素子が半田によって固
着された受／発信光モジュールであって、前記半田は基
板または受／発光素子の少なくともいずれか一方に設け
られた窪み内に充填されて前記基板と前記受／発光素子
のそれぞれの接合面が密着して固着されていることを特
徴とする受／発信光モジュール。 - 【請求項２】 窪み内に充填されている半田は窪み内に
空隙を有した状態で充填されていることを特徴とする請
求項１に記載の受／発信光モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP248797A JPH10200153A (ja) | 1997-01-10 | 1997-01-10 | 受／発信光モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP248797A JPH10200153A (ja) | 1997-01-10 | 1997-01-10 | 受／発信光モジュール |
Publications (1)
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| JPH10200153A true JPH10200153A (ja) | 1998-07-31 |
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| JP248797A Pending JPH10200153A (ja) | 1997-01-10 | 1997-01-10 | 受／発信光モジュール |
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Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0989641A2 (en) * | 1998-09-25 | 2000-03-29 | Japan Aviation Electronics Industry Limited | Optical hybrid integrated device and method of making the same |
| WO2000079658A1 (en) * | 1999-06-23 | 2000-12-28 | Bookham Technology Plc | Optical transmitter with back facet monitor |
| JP2002076498A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-03-15 | Kyocera Corp | 光実装基板及びそれを用いた光モジュール |
| EP1487073A2 (en) * | 2003-06-12 | 2004-12-15 | Fanuc Ltd | Mounting of a semiconductor laser device by soldering |
| JP2006339212A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Sony Corp | 半導体レーザ装置並びに放熱部材および支持部材 |
| JP2009105161A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-05-14 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
| JP2016533027A (ja) * | 2013-10-09 | 2016-10-20 | スコーピオズ テクノロジーズ インコーポレイテッド | シリコンフォトニックデバイスへの未処理直接バンドギャップチップの組込み |
| WO2017026363A1 (ja) * | 2015-08-12 | 2017-02-16 | 株式会社村田製作所 | 光電変換素子、および、光学モジュール |
| JP2017045528A (ja) * | 2015-08-24 | 2017-03-02 | ウシオ電機株式会社 | 光源装置及び蛍光板アッセンブリ |
| JP2018085496A (ja) * | 2016-11-25 | 2018-05-31 | 京セラ株式会社 | 発光素子パッケージおよび発光装置 |
| JP2019129170A (ja) * | 2018-01-22 | 2019-08-01 | ローム株式会社 | Ｌｅｄパッケージ |
| US11181688B2 (en) | 2009-10-13 | 2021-11-23 | Skorpios Technologies, Inc. | Integration of an unprocessed, direct-bandgap chip into a silicon photonic device |
| CN116027502A (zh) * | 2023-03-24 | 2023-04-28 | 镭神技术（深圳）有限公司 | 光耦合封装结构和耦合方法 |
-
1997
- 1997-01-10 JP JP248797A patent/JPH10200153A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0989641A2 (en) * | 1998-09-25 | 2000-03-29 | Japan Aviation Electronics Industry Limited | Optical hybrid integrated device and method of making the same |
| EP0989641A3 (en) * | 1998-09-25 | 2001-11-07 | Japan Aviation Electronics Industry Limited | Optical hybrid integrated device and method of making the same |
| WO2000079658A1 (en) * | 1999-06-23 | 2000-12-28 | Bookham Technology Plc | Optical transmitter with back facet monitor |
| JP2002076498A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-03-15 | Kyocera Corp | 光実装基板及びそれを用いた光モジュール |
| EP1487073A2 (en) * | 2003-06-12 | 2004-12-15 | Fanuc Ltd | Mounting of a semiconductor laser device by soldering |
| EP1487073A3 (en) * | 2003-06-12 | 2005-03-30 | Fanuc Ltd | Mounting of a semiconductor laser device by soldering |
| JP2006339212A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Sony Corp | 半導体レーザ装置並びに放熱部材および支持部材 |
| JP2009105161A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-05-14 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
| US11181688B2 (en) | 2009-10-13 | 2021-11-23 | Skorpios Technologies, Inc. | Integration of an unprocessed, direct-bandgap chip into a silicon photonic device |
| JP2016533027A (ja) * | 2013-10-09 | 2016-10-20 | スコーピオズ テクノロジーズ インコーポレイテッド | シリコンフォトニックデバイスへの未処理直接バンドギャップチップの組込み |
| WO2017026363A1 (ja) * | 2015-08-12 | 2017-02-16 | 株式会社村田製作所 | 光電変換素子、および、光学モジュール |
| JP2017045528A (ja) * | 2015-08-24 | 2017-03-02 | ウシオ電機株式会社 | 光源装置及び蛍光板アッセンブリ |
| JP2018085496A (ja) * | 2016-11-25 | 2018-05-31 | 京セラ株式会社 | 発光素子パッケージおよび発光装置 |
| JP2019129170A (ja) * | 2018-01-22 | 2019-08-01 | ローム株式会社 | Ｌｅｄパッケージ |
| CN116027502A (zh) * | 2023-03-24 | 2023-04-28 | 镭神技术（深圳）有限公司 | 光耦合封装结构和耦合方法 |
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