JPH10199847A - ウエハの洗浄方法 - Google Patents
ウエハの洗浄方法Info
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- JPH10199847A JPH10199847A JP106197A JP106197A JPH10199847A JP H10199847 A JPH10199847 A JP H10199847A JP 106197 A JP106197 A JP 106197A JP 106197 A JP106197 A JP 106197A JP H10199847 A JPH10199847 A JP H10199847A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハ洗浄液は、元来金属イオン等の不純物
を含み、しかもウエハに付着していたパーティクル等を
洗浄の度に残留する。これら洗浄液中の金属イオンやパ
ーティクル等の汚染物質により、ウエハは洗浄中に新た
に汚染される。 【解決手段】 ウエハ洗浄液から蒸発などにより得られ
る気体は、もともとのウエハ洗浄液よりも金属イオンや
パーティクル等の残留汚染物質の濃度が低い。この気体
を用いて、ウエハが新たに汚染されることの少ない洗浄
を行う。
を含み、しかもウエハに付着していたパーティクル等を
洗浄の度に残留する。これら洗浄液中の金属イオンやパ
ーティクル等の汚染物質により、ウエハは洗浄中に新た
に汚染される。 【解決手段】 ウエハ洗浄液から蒸発などにより得られ
る気体は、もともとのウエハ洗浄液よりも金属イオンや
パーティクル等の残留汚染物質の濃度が低い。この気体
を用いて、ウエハが新たに汚染されることの少ない洗浄
を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハの洗浄方法
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】通常、ウエハを製造する各工程、それ自
体がウエハの汚染原因となっている。例えばＣＶＤ法に
よる酸化シリコン膜形成や例えばレジスト膜剥離では、
パーティクルと呼ばれる膜の微小な屑がウエハを汚染す
る。そこで全工程にわたって、製品の歩留り向上のため
にウエハの表面を清浄に保つ必要がある。
体がウエハの汚染原因となっている。例えばＣＶＤ法に
よる酸化シリコン膜形成や例えばレジスト膜剥離では、
パーティクルと呼ばれる膜の微小な屑がウエハを汚染す
る。そこで全工程にわたって、製品の歩留り向上のため
にウエハの表面を清浄に保つ必要がある。
【０００３】このためウエハの各製造工程の前後にウエ
ハを繰り返し洗浄する。洗浄方法には、気体を用いるド
ライ洗浄と液体を用いるウェット洗浄とがあり、除去す
べき対象物質に合わせて主に上記洗浄方法のうちいずれ
かが選ばれる。
ハを繰り返し洗浄する。洗浄方法には、気体を用いるド
ライ洗浄と液体を用いるウェット洗浄とがあり、除去す
べき対象物質に合わせて主に上記洗浄方法のうちいずれ
かが選ばれる。
【０００４】まずドライ洗浄は、液体よりも微細な溝や
穴への侵入が容易な気体を用いるので、ウェット洗浄よ
りも均一な処理が可能である等の様々な利点がある。そ
こで例えばフッ酸蒸気は酸化膜を除去するために使用さ
れ、例えばオゾンガスはレジスト膜等の有機物を酸化し
て除去するために使用される。
穴への侵入が容易な気体を用いるので、ウェット洗浄よ
りも均一な処理が可能である等の様々な利点がある。そ
こで例えばフッ酸蒸気は酸化膜を除去するために使用さ
れ、例えばオゾンガスはレジスト膜等の有機物を酸化し
て除去するために使用される。
【０００５】しかし、ドライ洗浄ではパーティクルを除
去できず、ドライ洗浄の中でも例えばプラズマを用いる
洗浄はウエハを損傷することもあるので、上記酸化膜等
の特定の除去対象物質にのみ用いられている。
去できず、ドライ洗浄の中でも例えばプラズマを用いる
洗浄はウエハを損傷することもあるので、上記酸化膜等
の特定の除去対象物質にのみ用いられている。
【０００６】それに比べウェット洗浄はパーティクル除
去に有効であり、しかもドライ洗浄とは異なりウエハの
表裏が同時に洗浄でき複数の種類の除去対象物質を同時
に洗浄できる。このため、ウエハの各製造工程の前後に
ウェット洗浄は広く利用されている。
去に有効であり、しかもドライ洗浄とは異なりウエハの
表裏が同時に洗浄でき複数の種類の除去対象物質を同時
に洗浄できる。このため、ウエハの各製造工程の前後に
ウェット洗浄は広く利用されている。
【０００７】ウェット洗浄の中でも、例えばフッ酸水溶
液は酸化膜を除去するために使用され、例えばオゾン水
と呼ばれるオゾンの水溶液は有機物を除去するために使
用される。
液は酸化膜を除去するために使用され、例えばオゾン水
と呼ばれるオゾンの水溶液は有機物を除去するために使
用される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記ウ
ェット洗浄であっても、洗浄液中に常に汚染物質を残留
してウエハを新たに汚染する。このことはウエハから除
去されて洗浄液中に含まれたパーティクルがウエハに再
付着したり、もともと洗浄液中に含まれていた不純物が
ウエハに付着することに起因する。
ェット洗浄であっても、洗浄液中に常に汚染物質を残留
してウエハを新たに汚染する。このことはウエハから除
去されて洗浄液中に含まれたパーティクルがウエハに再
付着したり、もともと洗浄液中に含まれていた不純物が
ウエハに付着することに起因する。
【０００９】しかもウエハの製造工程自体がパーティク
ルの生じる原因であるので、ウエハ製造中にパーティク
ルがウエハ近傍から皆無になることは無い。さらにパー
ティクルは洗浄液から通常のフィルタで取り除くことが
できるが、金属イオン等の不純物はパーティクルよりも
微細であって通常のフィルタでは取り除けず、洗浄が行
われるたびに洗浄液は汚染される。
ルの生じる原因であるので、ウエハ製造中にパーティク
ルがウエハ近傍から皆無になることは無い。さらにパー
ティクルは洗浄液から通常のフィルタで取り除くことが
できるが、金属イオン等の不純物はパーティクルよりも
微細であって通常のフィルタでは取り除けず、洗浄が行
われるたびに洗浄液は汚染される。
【００１０】上記パーティクルおよび金属不純物による
汚染は、洗浄液のうち、例えばフッ酸水溶液にも当ては
まる。つまりフッ酸水溶液中の不純物濃度を零に近づけ
ることは困難である。
汚染は、洗浄液のうち、例えばフッ酸水溶液にも当ては
まる。つまりフッ酸水溶液中の不純物濃度を零に近づけ
ることは困難である。
【００１１】さらに、洗浄液は生成されたときから、も
ともと不純物を含む。洗浄液のうち、例えばオゾン水を
得るには純水にオゾンを溶かすが、この作業時に不純物
が液体に混入する。
ともと不純物を含む。洗浄液のうち、例えばオゾン水を
得るには純水にオゾンを溶かすが、この作業時に不純物
が液体に混入する。
【００１２】これら洗浄液中に混入している不純物がウ
エハを汚染するため、ウエハの清浄化には限界があり、
問題となっている。
エハを汚染するため、ウエハの清浄化には限界があり、
問題となっている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために成されたウエハの洗浄方法である。
するために成されたウエハの洗浄方法である。
【００１４】すなわち、ウエハに付着する汚染物質を酸
化性洗浄媒体を用いて酸化する工程と、ウエハに付着す
る汚染物質を酸性洗浄媒体を用いて除去する工程と、ウ
エハに付着する汚染物質を液体を用いて濯ぐ工程とから
なるウエハの洗浄方法であって、前記酸化性洗浄媒体お
よび酸性洗浄媒体のうち少なくともいずれかが気体であ
ることを特徴としたウエハの洗浄方法である。
化性洗浄媒体を用いて酸化する工程と、ウエハに付着す
る汚染物質を酸性洗浄媒体を用いて除去する工程と、ウ
エハに付着する汚染物質を液体を用いて濯ぐ工程とから
なるウエハの洗浄方法であって、前記酸化性洗浄媒体お
よび酸性洗浄媒体のうち少なくともいずれかが気体であ
ることを特徴としたウエハの洗浄方法である。
【００１５】そして上記酸化性洗浄媒体がオゾンからな
る物質である場合があり、前記オゾンからなる物質がオ
ゾンガスである場合がある。また上記酸性洗浄媒体がフ
ッ酸からなる物質である場合があり、前記フッ酸からな
る物質がフッ酸蒸気である場合がある。
る物質である場合があり、前記オゾンからなる物質がオ
ゾンガスである場合がある。また上記酸性洗浄媒体がフ
ッ酸からなる物質である場合があり、前記フッ酸からな
る物質がフッ酸蒸気である場合がある。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態の一例を以下に
示す。通常のウエハを形成する工程において、例えば半
導体基板上にＣＶＤ法で酸化膜を形成する工程と、例え
ばフォトリソグラフィ技術によりエッチングを行う工程
と、例えばレジスト膜を剥離する工程とがある。これら
一連の工程の中で、エッチングによる酸化膜の削り屑や
剥離され残ったレジスト膜がウエハのパーティクル汚染
の原因となる。
示す。通常のウエハを形成する工程において、例えば半
導体基板上にＣＶＤ法で酸化膜を形成する工程と、例え
ばフォトリソグラフィ技術によりエッチングを行う工程
と、例えばレジスト膜を剥離する工程とがある。これら
一連の工程の中で、エッチングによる酸化膜の削り屑や
剥離され残ったレジスト膜がウエハのパーティクル汚染
の原因となる。
【００１７】また、この他にも通常ウエハを形成する工
程のうちで、例えばイオン注入工程においてターゲット
以外の領域に付着してしまう金属イオンや、製造工程に
立ち会う人間から汗とともに発塵されるナトリウムイオ
ンは、ウエハの金属汚染の原因である。
程のうちで、例えばイオン注入工程においてターゲット
以外の領域に付着してしまう金属イオンや、製造工程に
立ち会う人間から汗とともに発塵されるナトリウムイオ
ンは、ウエハの金属汚染の原因である。
【００１８】そこで、一連の製造工程の中で、例えば酸
化膜形成やレジスト膜剥離等の各製造工程から次の製造
工程に移行する間に適宜ウエハを洗浄する。まずウエハ
をオゾンガスにさらし酸化膜等の汚染物質を酸化する。
その後フッ酸ガスと呼ばれる無水フッ酸と水蒸気との混
合ガスにさらすことにより金属イオン等の汚染物質を除
去する。
化膜形成やレジスト膜剥離等の各製造工程から次の製造
工程に移行する間に適宜ウエハを洗浄する。まずウエハ
をオゾンガスにさらし酸化膜等の汚染物質を酸化する。
その後フッ酸ガスと呼ばれる無水フッ酸と水蒸気との混
合ガスにさらすことにより金属イオン等の汚染物質を除
去する。
【００１９】ここで洗浄に用いられるフッ酸は、パーテ
ィクルや金属よりも蒸気圧が低いため、パーティクルや
金属不純物よりも低温度で気化する。そこでパーティク
ルおよび金属不純物を含むフッ酸水溶液を、沸騰もしく
は蒸発させることで得られるフッ酸蒸気は、もともとの
フッ酸水溶液よりもパーティクルおよび金属不純物の濃
度が低い。
ィクルや金属よりも蒸気圧が低いため、パーティクルや
金属不純物よりも低温度で気化する。そこでパーティク
ルおよび金属不純物を含むフッ酸水溶液を、沸騰もしく
は蒸発させることで得られるフッ酸蒸気は、もともとの
フッ酸水溶液よりもパーティクルおよび金属不純物の濃
度が低い。
【００２０】また同様の理由により、オゾンガス中の不
純物の濃度はオゾン水中の不純物の濃度よりも低い。本
発明では、これら気体によってウエハを洗浄するので、
ドライな環境によってパーティクルや金属による汚染が
少ない洗浄を行う。
純物の濃度はオゾン水中の不純物の濃度よりも低い。本
発明では、これら気体によってウエハを洗浄するので、
ドライな環境によってパーティクルや金属による汚染が
少ない洗浄を行う。
【００２１】本発明の洗浄方法ではオゾンガスの他にオ
ゾン水またはオゾンガスと水蒸気との混合気体または過
酸化水素水または硝酸または硫酸または電解イオン水等
を用いることもある。また、フッ酸ガスの他にフッ酸水
溶液を用いることもある。
ゾン水またはオゾンガスと水蒸気との混合気体または過
酸化水素水または硝酸または硫酸または電解イオン水等
を用いることもある。また、フッ酸ガスの他にフッ酸水
溶液を用いることもある。
【００２２】また本発明において、オゾンガス等の酸化
性物質とフッ酸類との両者を常に使用する必要は無く、
汚染の種類により適宜省略または反復して洗浄するが、
洗浄工程の間、少なくとも一度は気体による洗浄を行
う。
性物質とフッ酸類との両者を常に使用する必要は無く、
汚染の種類により適宜省略または反復して洗浄するが、
洗浄工程の間、少なくとも一度は気体による洗浄を行
う。
【００２３】その後、純水でリンスして乾燥する。さら
にリンスは純水の他に界面活性剤混入水または塩酸また
は硝酸またはオゾン水またはイソプロピルアルコールを
用いても良く、また前記液体を純水で希釈したものを用
いても良い。しかも気体による洗浄のときと同様、適宜
省略または反復して濯ぐ。
にリンスは純水の他に界面活性剤混入水または塩酸また
は硝酸またはオゾン水またはイソプロピルアルコールを
用いても良く、また前記液体を純水で希釈したものを用
いても良い。しかも気体による洗浄のときと同様、適宜
省略または反復して濯ぐ。
【００２４】
【発明の効果】本発明である洗浄方法では、気体を用い
たドライ洗浄によってパーティクルおよび金属汚染を除
去することができ、従来のウェット洗浄よりもパーティ
クルや金属による汚染の少ない清浄な洗浄を行うことが
できる。このため、従来よりも汚染の少ない品質の高い
ウエハが得られる。
たドライ洗浄によってパーティクルおよび金属汚染を除
去することができ、従来のウェット洗浄よりもパーティ
クルや金属による汚染の少ない清浄な洗浄を行うことが
できる。このため、従来よりも汚染の少ない品質の高い
ウエハが得られる。
Claims (5)
- 【請求項１】 ウエハに付着する汚染物質を酸化性洗浄
媒体を用いて酸化する工程と、 ウエハに付着する汚染物質を酸性洗浄媒体を用いて除去
する工程と、 ウエハに付着する汚染物質を液体を用いて濯ぐ工程とか
らなるウエハの洗浄方法であって、 前記酸化性洗浄媒体および酸性洗浄媒体のうち少なくと
もいずれかが気体であることを特徴としたウエハの洗浄
方法。 - 【請求項２】 上記酸化性洗浄媒体がオゾンからなる物
質であることを特徴とした請求項１記載のウエハの洗浄
方法。 - 【請求項３】 上記オゾンからなる物質がオゾンガスで
あることを特徴とした請求項２記載のウエハの洗浄方
法。 - 【請求項４】 上記酸性洗浄媒体がフッ酸からなる物質
であることを特徴とした請求項１記載のウエハの洗浄方
法。 - 【請求項５】 上記フッ酸からなる物質がフッ酸蒸気で
あることを特徴とした請求項４記載のウエハの洗浄方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP106197A JPH10199847A (ja) | 1997-01-08 | 1997-01-08 | ウエハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP106197A JPH10199847A (ja) | 1997-01-08 | 1997-01-08 | ウエハの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10199847A true JPH10199847A (ja) | 1998-07-31 |
Family
ID=11491032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP106197A Pending JPH10199847A (ja) | 1997-01-08 | 1997-01-08 | ウエハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10199847A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7165560B2 (en) * | 2003-02-20 | 2007-01-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Etching method, etching apparatus, and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2007173840A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子のデュアルゲート形成方法 |
| US20120100701A1 (en) * | 2009-06-26 | 2012-04-26 | Tomonori Kawasaki | Method for cleaning silicon wafer, and method for producing epitaxial wafer using the cleaning method |
| US20120122316A1 (en) * | 2009-07-28 | 2012-05-17 | Motoi Kurokami | Method for surface treatment of a wafer |
| FR3040528A1 (fr) * | 2015-09-02 | 2017-03-03 | Adixen Vacuum Products | Procede et station de mesure de la contamination d'une boite de transport pour le convoyage et le stockage atmospherique de substrats |
-
1997
- 1997-01-08 JP JP106197A patent/JPH10199847A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7165560B2 (en) * | 2003-02-20 | 2007-01-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Etching method, etching apparatus, and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2007173840A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子のデュアルゲート形成方法 |
| US20120100701A1 (en) * | 2009-06-26 | 2012-04-26 | Tomonori Kawasaki | Method for cleaning silicon wafer, and method for producing epitaxial wafer using the cleaning method |
| DE112010002718B4 (de) * | 2009-06-26 | 2019-11-21 | Sumco Corp. | Verfahren zur reinigung eines siliciumwafers sowie verfahren zur herstellung eines epitaktischen wafers unter verwendung des reinigungsverfahrens |
| US8664092B2 (en) * | 2009-06-26 | 2014-03-04 | Sumco Corporation | Method for cleaning silicon wafer, and method for producing epitaxial wafer using the cleaning method |
| KR101468877B1 (ko) * | 2009-07-28 | 2014-12-04 | 가부시키가이샤 사무코 | 웨이퍼 표면 처리 방법 |
| TWI460782B (zh) * | 2009-07-28 | 2014-11-11 | Sumco Corp | 晶圓表面處理方法 |
| US20120122316A1 (en) * | 2009-07-28 | 2012-05-17 | Motoi Kurokami | Method for surface treatment of a wafer |
| FR3040528A1 (fr) * | 2015-09-02 | 2017-03-03 | Adixen Vacuum Products | Procede et station de mesure de la contamination d'une boite de transport pour le convoyage et le stockage atmospherique de substrats |
| WO2017037014A1 (fr) * | 2015-09-02 | 2017-03-09 | Pfeiffer Vacuum | Procédé et station de mesure de la contamination d'une boîte de transport pour le convoyage et le stockage atmosphérique de substrats |
| CN108352345A (zh) * | 2015-09-02 | 2018-07-31 | 普发真空公司 | 测量用于基片的气氛输送和存储的运输箱的污染物的方法和*** |
| US10431484B2 (en) | 2015-09-02 | 2019-10-01 | Pfeiffer Vacuum | Method and station for measuring the contamination of a transport box for the atmospheric conveyance and storage of substrates |
| CN108352345B (zh) * | 2015-09-02 | 2022-01-25 | 普发真空公司 | 测量用于基片的气氛输送和存储的运输箱的污染物的方法和*** |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060113 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060314 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060512 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061017 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20061218 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
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Effective date: 20070220 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |