JPH07153728A - 温純水洗浄によるシリコンウエーハの表面処理方法 - Google Patents
温純水洗浄によるシリコンウエーハの表面処理方法Info
- Publication number
- JPH07153728A JPH07153728A JP29932193A JP29932193A JPH07153728A JP H07153728 A JPH07153728 A JP H07153728A JP 29932193 A JP29932193 A JP 29932193A JP 29932193 A JP29932193 A JP 29932193A JP H07153728 A JPH07153728 A JP H07153728A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 アルカリ洗浄後のパーティクル汚染を確実に
低減し、アンモニアイオンを低減させ、経時的変化の発
生を抑制できるシリコンウエーハの表面処理方法を提供
すること。 【構成】 アンモニアと過酸化水素水及び水との混合液
によるアルカリ洗浄によりシリコンウエーハのパーティ
クル等を除去するシリコンウエーハの表面処理方法であ
って、前記アンモニアと過酸化水素水及び水との混合液
にシリコンウエーハを浸漬後、８０℃以上の過酸化水素
水を含む温純水に前記シリコンウエーハを浸漬させるも
のである。
低減し、アンモニアイオンを低減させ、経時的変化の発
生を抑制できるシリコンウエーハの表面処理方法を提供
すること。 【構成】 アンモニアと過酸化水素水及び水との混合液
によるアルカリ洗浄によりシリコンウエーハのパーティ
クル等を除去するシリコンウエーハの表面処理方法であ
って、前記アンモニアと過酸化水素水及び水との混合液
にシリコンウエーハを浸漬後、８０℃以上の過酸化水素
水を含む温純水に前記シリコンウエーハを浸漬させるも
のである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板となるシリ
コンウエーハをアンモニアと過酸化水素水及び水との混
合液を用いて洗浄する洗浄工程において、パーティクル
汚染を低減可能とした温純水洗浄によるシリコンウエー
ハの表面処理方法に関する。
コンウエーハをアンモニアと過酸化水素水及び水との混
合液を用いて洗浄する洗浄工程において、パーティクル
汚染を低減可能とした温純水洗浄によるシリコンウエー
ハの表面処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体基板となるシリコンウエ
ーハ（以下、ウエーハと称する）の製造プロセスにおい
ては、ウエーハ表面がパーティクル等によって汚染され
た状態で熱処理が行われると、パーティクルにより起因
する熱酸化膜のムラ等が発生し、ウエーハの良品率を著
しく低下させてしまう。
ーハ（以下、ウエーハと称する）の製造プロセスにおい
ては、ウエーハ表面がパーティクル等によって汚染され
た状態で熱処理が行われると、パーティクルにより起因
する熱酸化膜のムラ等が発生し、ウエーハの良品率を著
しく低下させてしまう。
【０００３】そこで、従来においては、アンモニア水と
過酸化水素水及び水との混合液によるエッチングにより
ＲＣＡ洗浄（アルカリ洗浄）を行い、ウエーハに付着し
たパーティクルを低減し、その後、純水が供給される別
のリンス槽に移し変えて所定時間リンスを行い、リンス
槽から引上げられたウエーハをスピンナー等の乾燥手段
によりウエーハの乾燥が行われていた。
過酸化水素水及び水との混合液によるエッチングにより
ＲＣＡ洗浄（アルカリ洗浄）を行い、ウエーハに付着し
たパーティクルを低減し、その後、純水が供給される別
のリンス槽に移し変えて所定時間リンスを行い、リンス
槽から引上げられたウエーハをスピンナー等の乾燥手段
によりウエーハの乾燥が行われていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記従来の
ウエーハ洗浄方法においては、ＲＣＡ洗浄においてＲＣ
Ａ洗浄液がパーティクルにより汚染されるため、洗浄後
にウエーハを洗浄液から引上げる際に、洗浄液内のパー
ティクルがウエーハに際に再付着してしまう不都合があ
った。
ウエーハ洗浄方法においては、ＲＣＡ洗浄においてＲＣ
Ａ洗浄液がパーティクルにより汚染されるため、洗浄後
にウエーハを洗浄液から引上げる際に、洗浄液内のパー
ティクルがウエーハに際に再付着してしまう不都合があ
った。
【０００５】また、ＲＣＡ洗浄後に行われるリンス処理
としてオーバーフローリンスを行った場合でも、パーテ
ィクルの除去能力が弱く、確実にパーティクルの低減を
図ることができない不具合があった。
としてオーバーフローリンスを行った場合でも、パーテ
ィクルの除去能力が弱く、確実にパーティクルの低減を
図ることができない不具合があった。
【０００６】更に、ＲＣＡ洗浄後にオーバーフローリン
スを行うだけでは、ＲＣＡ洗浄液成分であるアンモニア
イオンがシリコンウエーハ表面に残留してしまい、ウエ
ーハ表面に経時的変化（ＴＤＨ）が発生する場合があ
り、ウエーハの良品率が低下するという問題があった。
スを行うだけでは、ＲＣＡ洗浄液成分であるアンモニア
イオンがシリコンウエーハ表面に残留してしまい、ウエ
ーハ表面に経時的変化（ＴＤＨ）が発生する場合があ
り、ウエーハの良品率が低下するという問題があった。
【０００７】そこで、本発明は、ＲＣＡ洗浄処理後のパ
ーティクル汚染を確実に低減し、アンモニアイオンを低
減させ、経時的変化の発生を抑制できるシリコンウエー
ハの表面処理方法を提供することを目的としている。
ーティクル汚染を確実に低減し、アンモニアイオンを低
減させ、経時的変化の発生を抑制できるシリコンウエー
ハの表面処理方法を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のシリコンウエー
ハの表面処理方法は、アンモニアと過酸化水素水及び水
との混合液によるアルカリ洗浄によりシリコンウエーハ
のパーティクル等を除去するシリコンウエーハの表面処
理方法であって、前記アンモニアと過酸化水素水及び水
との混合液にシリコンウエーハを浸漬後、８０℃以上の
過酸化水素水を含む温純水に前記シリコンウエーハを浸
漬させるものである。
ハの表面処理方法は、アンモニアと過酸化水素水及び水
との混合液によるアルカリ洗浄によりシリコンウエーハ
のパーティクル等を除去するシリコンウエーハの表面処
理方法であって、前記アンモニアと過酸化水素水及び水
との混合液にシリコンウエーハを浸漬後、８０℃以上の
過酸化水素水を含む温純水に前記シリコンウエーハを浸
漬させるものである。
【０００９】
【作用】ウエーハの表面処理を行うには、ウエーハのＲ
ＣＡ洗浄後、温純水による洗浄処理を行い、その後、ウ
エーハのリンス処理及びウエーハの乾燥処理が行われ
る。また、前記温純水による洗浄処理においては、８０
℃以上の過酸化水素水を含む温純水に前記シリコンウエ
ーハを浸漬させることにより行われる。
ＣＡ洗浄後、温純水による洗浄処理を行い、その後、ウ
エーハのリンス処理及びウエーハの乾燥処理が行われ
る。また、前記温純水による洗浄処理においては、８０
℃以上の過酸化水素水を含む温純水に前記シリコンウエ
ーハを浸漬させることにより行われる。
【００１０】このような温純水によるウエーハの洗浄処
理によれば、過酸化水素水を含む温純水により行われる
ので、アルカリ洗浄後にウエーハに再付着したパーティ
クルを大幅に低減することができる。また、残存するア
ンモニアイオンを大幅に除去できるので、乾燥後のウエ
ーハの経時的変化を確実に低減することができる。更
に、温純水に過酸化水素水を混入したので、温純水を高
温度にしても、ウエーハ表面に面荒れを生じさせること
がなくなり、温純水を高温度にして用いることができ、
更にパーティクルの除去効果を高めることが可能とな
る。
理によれば、過酸化水素水を含む温純水により行われる
ので、アルカリ洗浄後にウエーハに再付着したパーティ
クルを大幅に低減することができる。また、残存するア
ンモニアイオンを大幅に除去できるので、乾燥後のウエ
ーハの経時的変化を確実に低減することができる。更
に、温純水に過酸化水素水を混入したので、温純水を高
温度にしても、ウエーハ表面に面荒れを生じさせること
がなくなり、温純水を高温度にして用いることができ、
更にパーティクルの除去効果を高めることが可能とな
る。
【００１１】
【実施例】以下に、本発明の一実施例を図面に基づいて
説明する。
説明する。
【００１２】本実施例におけるウエーハの表面処理で
は、ウエーハのＲＣＡ洗浄後、温純水による洗浄処理を
行い、その後、ウエーハのリンス処理及びウエーハの乾
燥処理が行われる。
は、ウエーハのＲＣＡ洗浄後、温純水による洗浄処理を
行い、その後、ウエーハのリンス処理及びウエーハの乾
燥処理が行われる。
【００１３】前記ＲＣＡ洗浄処理においては、アンモニ
アと過酸化水素水と水の混合液にウエーハを浸漬するこ
とによりアルカリ洗浄が行われる。
アと過酸化水素水と水の混合液にウエーハを浸漬するこ
とによりアルカリ洗浄が行われる。
【００１４】次に、前記温純水による洗浄処理において
は、８０℃以上の過酸化水素水を含む温純水に前記シリ
コンウエーハを浸漬させることによりパーティクルの洗
浄が行われる。
は、８０℃以上の過酸化水素水を含む温純水に前記シリ
コンウエーハを浸漬させることによりパーティクルの洗
浄が行われる。
【００１５】前記アンモニアと過酸化水素水と水の混合
液によるアルカリ洗浄において、洗浄回数を重ねる程、
混合液がパーティクル汚染されてウエーハを混合液から
引上げる時にウエーハが再汚染されるが、温純水による
洗浄処理工程において、過酸化水素水を含む温純水によ
りパーティクルが除去され、パーティクルの再付着が減
少し、ウエーハ表面のパーティクルを低減することがで
きる。
液によるアルカリ洗浄において、洗浄回数を重ねる程、
混合液がパーティクル汚染されてウエーハを混合液から
引上げる時にウエーハが再汚染されるが、温純水による
洗浄処理工程において、過酸化水素水を含む温純水によ
りパーティクルが除去され、パーティクルの再付着が減
少し、ウエーハ表面のパーティクルを低減することがで
きる。
【００１６】これは、過酸化水素水を含む温純水中の溶
存酸素によりウエーハ表面に厚い酸化膜が形成され、こ
れによりウエーハ表面にパーティクルの再付着がしにく
くなるものと思われる。
存酸素によりウエーハ表面に厚い酸化膜が形成され、こ
れによりウエーハ表面にパーティクルの再付着がしにく
くなるものと思われる。
【００１７】本発明者が試験した結果を図１及び図２、
また図８及び図９に示すように、パーティクルを確実に
低減できることがわかる。図１及び図８は、ＲＣＡ洗浄
処理を数回繰返した後、リンス処理、乾燥処理を行った
場合におけるパーティクル数を示しており、図２及び図
９は、ＲＣＡ洗浄処理を数回繰返した後、温純水洗浄処
理を行い、その後リンス処理、乾燥処理を行った場合に
おけるパーティクル数を示している。
また図８及び図９に示すように、パーティクルを確実に
低減できることがわかる。図１及び図８は、ＲＣＡ洗浄
処理を数回繰返した後、リンス処理、乾燥処理を行った
場合におけるパーティクル数を示しており、図２及び図
９は、ＲＣＡ洗浄処理を数回繰返した後、温純水洗浄処
理を行い、その後リンス処理、乾燥処理を行った場合に
おけるパーティクル数を示している。
【００１８】これらの図から明確にわかるように、従来
の処理では平均パーティクル数が１１００個であったも
のが、本実施例による処理方法では、平均パーティクル
数が６９個程度となり、大幅にパーティクルを低減でき
た。
の処理では平均パーティクル数が１１００個であったも
のが、本実施例による処理方法では、平均パーティクル
数が６９個程度となり、大幅にパーティクルを低減でき
た。
【００１９】また、温純水による洗浄処理によれば、８
０℃以上の過酸化水素水を含む温純水により洗浄処理を
行うことにより、従来のアルカリ洗浄後のオーバーフロ
ーリンスにおいて残存するアンモニアイオンの除去を確
実に行うことができる。
０℃以上の過酸化水素水を含む温純水により洗浄処理を
行うことにより、従来のアルカリ洗浄後のオーバーフロ
ーリンスにおいて残存するアンモニアイオンの除去を確
実に行うことができる。
【００２０】すなわち、図３に示すアンモニアイオンの
測定結果からもわかるように、従来のようにアルカリ洗
浄後にオーバーフローリンスを行っても、少量の混合液
が残存しアンモニアイオンの残存量が大きいが、過酸化
水素水を含む温純水により洗浄処理を行うと、アンモニ
アイオンの量を大幅に減少させることができる。
測定結果からもわかるように、従来のようにアルカリ洗
浄後にオーバーフローリンスを行っても、少量の混合液
が残存しアンモニアイオンの残存量が大きいが、過酸化
水素水を含む温純水により洗浄処理を行うと、アンモニ
アイオンの量を大幅に減少させることができる。
【００２１】この結果、アンモニアイオンの残存による
経時的変化（ＴＤＨ）の発生を大きく減少させることが
できた。すなわち、従来の場合を示す図４、本実施例の
場合を示す図５、双方を比較した図１０からもわかるよ
うに、アルカリ洗浄後に、８０℃以上の過酸化水素水を
含む温純水による洗浄処理を行うことにより、確実に経
時的変化（ＴＤＨ）の発生を抑制することができる。な
お、図４、図５中、１はウエーハを示す。
経時的変化（ＴＤＨ）の発生を大きく減少させることが
できた。すなわち、従来の場合を示す図４、本実施例の
場合を示す図５、双方を比較した図１０からもわかるよ
うに、アルカリ洗浄後に、８０℃以上の過酸化水素水を
含む温純水による洗浄処理を行うことにより、確実に経
時的変化（ＴＤＨ）の発生を抑制することができる。な
お、図４、図５中、１はウエーハを示す。
【００２２】更に、図６に示すように、一般的な温純水
による洗浄処理において、温純水の温度を８０℃以上の
高温にすればする程、パーティクルの低減効果が大きく
なるが、図７中の特性Ａで示すように、ウエーハ表面の
面荒れが大きくなる。これに対して、本実施例では、図
７中の特性Ｂで示すように、温純水に過酸化水素水を少
量加えたことにより、ウエーハ表面の面荒れをなくすこ
とが可能となり、これによって、温純水を高温まで上げ
ることが可能となり、パーティクルの低減を更に高める
ことができる。
による洗浄処理において、温純水の温度を８０℃以上の
高温にすればする程、パーティクルの低減効果が大きく
なるが、図７中の特性Ａで示すように、ウエーハ表面の
面荒れが大きくなる。これに対して、本実施例では、図
７中の特性Ｂで示すように、温純水に過酸化水素水を少
量加えたことにより、ウエーハ表面の面荒れをなくすこ
とが可能となり、これによって、温純水を高温まで上げ
ることが可能となり、パーティクルの低減を更に高める
ことができる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
アルカリ洗浄後に、過酸化水素水を含む温純水により洗
浄処理を行うことにより、ウエーハに再付着したパーテ
ィクルを大幅に低減することができ、また、残存するア
ンモニアイオンを大幅に除去できるので、乾燥後のウエ
ーハの経時的変化を確実に低減することができる。 更
に、温純水に過酸化水素水を混入したので、温純水を高
温度にしても、ウエーハ表面に面荒れを生じさせること
がなくなり、温純水の温度を高めて用いることが可能と
なり、更にパーティクルの除去効果を高めることが可能
となった。
アルカリ洗浄後に、過酸化水素水を含む温純水により洗
浄処理を行うことにより、ウエーハに再付着したパーテ
ィクルを大幅に低減することができ、また、残存するア
ンモニアイオンを大幅に除去できるので、乾燥後のウエ
ーハの経時的変化を確実に低減することができる。 更
に、温純水に過酸化水素水を混入したので、温純水を高
温度にしても、ウエーハ表面に面荒れを生じさせること
がなくなり、温純水の温度を高めて用いることが可能と
なり、更にパーティクルの除去効果を高めることが可能
となった。
【図１】従来の表面処理方法における付着パーティクル
量を示す図である。
量を示す図である。
【図２】本発明の実施例の温純水処理における付着パー
ティクル量を示す図である。
ティクル量を示す図である。
【図３】従来の処理法と本実施例の処理法とによる残存
アンモニアイオン量を比較して示す図である。
アンモニアイオン量を比較して示す図である。
【図４】従来の処理法による経時的変化を示すウエーハ
の図である。
の図である。
【図５】本実施例の処理法による経時的変化を示すウエ
ーハの図である。
ーハの図である。
【図６】温純水洗浄処理における温度とパーティクル量
との測定結果を示す図である。
との測定結果を示す図である。
【図７】ウエーハ表面の面荒れ率を示す図である。
【図８】従来の処理法におけるパーティクル数を示す図
である。
である。
【図９】本実施例の処理法におけるパーティクル数を示
す図である。
す図である。
【図１０】従来の処理法と本実施例における経時変化の
有無をパーティクル数で比較して示す図である。
有無をパーティクル数で比較して示す図である。
１ シリコンウエーハ
Claims (1)
- 【請求項１】 アンモニアと過酸化水素水及び水の混合
液によるアルカリ洗浄によりシリコンウエーハのパーテ
ィクル等を除去するシリコンウエーハの表面処理方法で
あって、前記アンモニアと過酸化水素水及び水との混合
液にシリコンウエーハを浸漬後、８０℃以上の過酸化水
素水を含む温純水に前記シリコンウエーハを浸漬させる
ことを特徴とする温純水洗浄によるシリコンウエーハの
表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29932193A JPH07153728A (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | 温純水洗浄によるシリコンウエーハの表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29932193A JPH07153728A (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | 温純水洗浄によるシリコンウエーハの表面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07153728A true JPH07153728A (ja) | 1995-06-16 |
Family
ID=17871033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29932193A Pending JPH07153728A (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | 温純水洗浄によるシリコンウエーハの表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07153728A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6277749B1 (en) * | 1998-09-10 | 2001-08-21 | Hiatchi, Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device |
| CN102368468A (zh) * | 2011-10-17 | 2012-03-07 | 浙江贝盛光伏股份有限公司 | 一种硅片预清洗工艺 |
| CN102974565A (zh) * | 2012-12-12 | 2013-03-20 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种单晶硅晶圆抛光片的清洗方法 |
| CN107240546A (zh) * | 2017-06-20 | 2017-10-10 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 一种金刚线切割后的硅片清洗方法 |
-
1993
- 1993-11-30 JP JP29932193A patent/JPH07153728A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6277749B1 (en) * | 1998-09-10 | 2001-08-21 | Hiatchi, Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device |
| US6774047B2 (en) | 1998-09-10 | 2004-08-10 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device |
| US6794305B2 (en) | 1998-09-10 | 2004-09-21 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device |
| CN102368468A (zh) * | 2011-10-17 | 2012-03-07 | 浙江贝盛光伏股份有限公司 | 一种硅片预清洗工艺 |
| CN102974565A (zh) * | 2012-12-12 | 2013-03-20 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种单晶硅晶圆抛光片的清洗方法 |
| CN107240546A (zh) * | 2017-06-20 | 2017-10-10 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 一种金刚线切割后的硅片清洗方法 |
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